JP2007067375A - Heating/cooling device, substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

Heating/cooling device, substrate processing device and substrate processing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating/cooling device in which a footprint of a thermal treatment unit is prevented, and which deals with upsizing of an FPD substrate without using a carrying robot. <P>SOLUTION: In the heating/cooling device with a substrate G mounted, a palette P mounted with the substrate G is raised at a specified speed in a heating process chamber 38 by a belt driving mechanism of an elevator. The substrate G is heated by spending a specified time in a process for rising in the heating process chamber 38. When the palette P reaches the top of the heating process chamber 38, the palette is carried from the palette support of the elevator through an upper opening 80a of a partitioning wall 80 to a palette support at the uppermost level of the belt driving mechanism of the elevator of a cooling process chamber 39. Then the palette is cooled while coming down at a predetermined speed in the cooling process chamber 39 by the belt driving mechanism of the elevator. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、加熱・冷却処理装置、基板処理装置および基板処理方法に関し、例えば液晶表示装置(LCD)に代表されるFPD(フラットパネルディスプレイ)用ガラス基板等の被処理基板に対して、レジスト塗布や露光後の現像処理などの後に加熱処理および冷却処理を施すための加熱・冷却処理装置、基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a heating / cooling processing apparatus, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method. For example, a resist coating is applied to a substrate to be processed such as a glass substrate for an FPD (flat panel display) represented by a liquid crystal display (LCD). The present invention relates to a heating / cooling processing apparatus, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method for performing a heating process and a cooling process after development processing after exposure.

液晶表示装置(LCD)に代表されるFPDの製造工程においては、被処理基板であるFPD用基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるFPD用基板に、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→冷却→露光→現像→ポストベーク→冷却という一連の処理が施され、レジスト層に所定の回路パターンが形成される。   In an FPD manufacturing process typified by a liquid crystal display device (LCD), a predetermined film is formed on an FPD substrate, which is a substrate to be processed, and then a photoresist solution is applied to form a resist film. A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique in which a resist film is exposed in accordance with a pattern and developed. In this photolithographic technique, the main process for an FPD substrate, which is a substrate to be processed, is cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist coating → prebaking → cooling → exposure → development → postbaking → cooling A series of processing is performed, and a predetermined circuit pattern is formed on the resist layer.

従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへのFPD基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われてきた。このような処理システムにおいて、例えば、レジスト塗布後の加熱処理や冷却処理、現像後の加熱処理や冷却処理などは、加熱処理ユニットや冷却処理ユニットが上下に積層された熱的処理ユニットにて行われていた(例えば、特許文献1)。そして、積層された熱的処理ユニットにおけるFPD基板の受渡しは、所謂搬送ロボットにより行われてきた。   Conventionally, in such a process, processing units for performing each process are arranged on both sides of the transport path in consideration of the process flow, and an FPD substrate is carried into and out of each processing unit by a central transport apparatus that can travel on the transport path. Has been performed by a processing system in which one or a plurality of process blocks are arranged. In such a processing system, for example, heat treatment and cooling processing after resist coating, and heat treatment and cooling processing after development are performed in a thermal processing unit in which heating processing units and cooling processing units are stacked one above the other. (For example, Patent Document 1). And delivery of the FPD board | substrate in the laminated | stacked thermal processing unit has been performed by what is called a conveyance robot.

また、上記のように、積層型の熱的処理ユニットにおいて、加熱処理ユニットや冷却処理ユニットは、それぞれ独立してFPD基板を一枚ずつ、枚葉処理するように構成されていた(例えば、特許文献2、特許文献3)。
特開2002−334918号公報(図1、図4、図5など) 特開2001−196299号公報(図6など) 特開平10−229037号公報(図2など)
Further, as described above, in the stacked thermal processing unit, the heat processing unit and the cooling processing unit are each configured to independently process the FPD substrates one by one (for example, patents) Literature 2, Patent Literature 3).
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-334918 (FIGS. 1, 4, 5, etc.) JP 2001-196299 A (FIG. 6 etc.) JP-A-10-229037 (FIG. 2 etc.)

特許文献1のように、熱的処理ユニットを積層することは、特にFPD基板の大型化が進む状況の下ではフットプリントを減少させるメリットが大きいため、現在もなお、このような積層型の熱的処理ユニットが採用されている。しかし、スループット向上の観点から、搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えてさらに上下方向にも搬送ロボットを用いて高速かつ高精度に移動させることには限界がある。また、近年ではFPD基板がますます大型化し、例えば長辺の長さが2mを超えるようになっており、搬送ロボットによるFPD基板のハンドリングが次第に困難になりつつあるという課題があった。   Laminating thermal processing units as in Patent Document 1 has a great merit in reducing the footprint especially in the situation where the size of the FPD substrate is increasing. Automatic processing unit is adopted. However, from the viewpoint of improving throughput, the transfer device moves large substrates in the horizontal direction at high speed and with high accuracy, and in addition to this, the transfer robot can also be moved in the vertical direction at high speed and with high accuracy. Has its limits. Further, in recent years, the size of the FPD substrate has been increased, and for example, the length of the long side has exceeded 2 m, and there has been a problem that handling of the FPD substrate by the transfer robot is becoming increasingly difficult.

従って、本発明は、熱的処理ユニットのフットプリントを抑えることができ、搬送ロボットを使用することなくFPD基板の大型化にも対応可能な加熱・冷却処理装置を提供することを目的とするものである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a heating / cooling processing apparatus that can suppress the footprint of a thermal processing unit and can cope with an increase in size of an FPD substrate without using a transfer robot. It is.

上記課題を解決するため、本発明の第1の観点は、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理を行う加熱・冷却処理装置であって、
加熱手段を備え、被処理基板を加熱する加熱処理室と、
前記加熱処理室内で、複数の被処理基板を上昇および/または下降させる昇降装置と、
前記加熱処理室に隣接して設けられ、加熱処理後の被処理基板を冷却する冷却処理室と、
前記冷却処理室内で、複数の被処理基板を上昇および/または下降させる昇降装置と、
前記加熱処理室と前記冷却処理室との間に形成され、被処理基板を受渡しする開口部と、
を備えたことを特徴とする、加熱・冷却処理装置を提供する。
In order to solve the above-described problem, a first aspect of the present invention is a heating / cooling processing apparatus that performs a heating process and a cooling process on a substrate to be processed.
A heat treatment chamber provided with a heating means for heating the substrate to be processed;
An elevating device for raising and / or lowering a plurality of substrates to be treated in the heat treatment chamber;
A cooling treatment chamber provided adjacent to the heat treatment chamber for cooling the substrate to be processed after the heat treatment;
An elevating device for raising and / or lowering a plurality of substrates to be treated in the cooling treatment chamber;
An opening formed between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber and delivering a substrate to be treated;
A heating / cooling processing apparatus is provided.

この加熱・冷却処理装置によれば、加熱処理室内および冷却処理室内に、複数の被処理基板を上昇および/または下降させる昇降装置を備えたので、複数の被処理基板を所定速度で上昇または下降させながら連続的に加熱処理および冷却処理することが可能になる。従って、加熱処理室内および冷却処理室内では、被処理基板が重畳された状態となり、加熱・冷却処理のための装置のフットプリントを小さくすることができる。しかも、加熱処理室と冷却処理室との間に被処理基板の受渡しを行う開口部を備えたことにより、加熱処理から冷却処理への移行がスムーズに行われ、被処理基板への加熱処理および冷却処理を連続的に行うことが可能になる。   According to the heating / cooling processing apparatus, the lifting / lowering device for raising and / or lowering the plurality of substrates to be processed is provided in the heating processing chamber and the cooling processing chamber, so that the plurality of substrates to be processed is raised or lowered at a predetermined speed. Heat treatment and cooling treatment can be performed continuously. Accordingly, the substrate to be processed is superimposed in the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber, and the footprint of the apparatus for the heating / cooling treatment can be reduced. In addition, since the opening for delivering the substrate to be processed is provided between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber, the transition from the heat treatment to the cooling treatment is smoothly performed, and the heat treatment to the substrate to be treated and The cooling process can be performed continuously.

また、搬送ロボットを使用しないため、被処理基板の大型化にも対応可能である。さらに、一連の処理の流れの中で被処理基板を連続的に加熱・冷却処理できることから、十分なスループットも維持できる。   In addition, since a transfer robot is not used, the substrate to be processed can be increased in size. Furthermore, since the substrate to be processed can be continuously heated and cooled in a series of processing flows, a sufficient throughput can be maintained.

上記第1の観点において、前記昇降装置は、被処理基板をパレットに載置した状態で上昇および/または下降させることが好ましい。これにより、被処理基板の破損等を防止し、確実に昇降させることが可能になる。   In the first aspect, the lifting device is preferably raised and / or lowered while the substrate to be processed is placed on the pallet. As a result, it is possible to prevent the substrate to be processed from being damaged and to move it up and down reliably.

また、前記昇降装置は、被処理基板の搬送経路の両側に対向配備され、前記パレットに係合してこれを支持する複数のパレット支持部を循環変位させる一対のベルト駆動機構を備えていることが好ましい。このようなベルト駆動機構によって、被処理基板が載置されたパレットを連続的に、かつ確実に昇降させることが可能となる。   The lifting device includes a pair of belt drive mechanisms that are disposed opposite to each other on both sides of the transport path of the substrate to be processed, and that circulate and displace a plurality of pallet support portions that engage with and support the pallet. Is preferred. With such a belt drive mechanism, the pallet on which the substrate to be processed is placed can be raised and lowered continuously and reliably.

また、前記パレット支持部には複数のローラが設けられており、前記加熱処理室の昇降装置のパレット支持部のローラと、前記冷却処理室の昇降装置のパレット支持部のローラとを、前記開口部を介して連動させることにより、被処理基板を前記パレットに載置した状態で前記加熱処理室から前記冷却処理室に搬送する搬送機構を備えていることが好ましい。これにより、加熱処理から冷却処理への移行をスムーズかつ連続的に行うことができる。   The pallet support part is provided with a plurality of rollers, and the opening of the pallet support part roller of the elevating apparatus of the heat treatment chamber and the roller of the pallet support part of the elevating apparatus of the cooling process chamber are arranged in the opening. It is preferable to provide a transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the heat treatment chamber to the cooling treatment chamber in a state where the substrate to be processed is placed on the pallet by being linked via the unit. Thereby, the transition from the heat treatment to the cooling treatment can be performed smoothly and continuously.

また、前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環搬送するパレット循環機構を備えていることが好ましい。これにより、被処理基板を載置した状態のパレットと、空のパレットとを前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で循環させて使用することができる。   Moreover, it is preferable to provide a pallet circulation mechanism that circulates and conveys the pallet between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber. Thereby, the pallet with the substrate to be processed and the empty pallet can be used by circulating between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber.

また、前記パレットには、載置される被処理基板の裏面に当接してこれを支持するとともに、回転駆動して被処理基板を水平移動させる支持ローラが配設されていることが好ましい。この場合、前記支持ローラの周囲には、被処理基板を引き寄せる吸引孔が設けられていることが好ましい。また、前記パレットには、被処理基板の裏面側に向けて気体を吹き付ける気体吹き出し孔が設けられていることが好ましい。これらの機構によって、パレットに被処理基板を確実に保持して搬送することができる。   Moreover, it is preferable that the pallet is provided with a support roller that abuts on and supports the back surface of the substrate to be processed and that horizontally rotates the substrate to be processed by rotation. In this case, it is preferable that a suction hole for drawing the substrate to be processed is provided around the support roller. Moreover, it is preferable that the said pallet is provided with the gas blowing hole which blows gas toward the back surface side of a to-be-processed substrate. By these mechanisms, the substrate to be processed can be reliably held and transported to the pallet.

また、上記第1の観点の加熱・冷却処理装置は、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置において、前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う熱的処理ユニットとして組み込まれるものであることが好ましい。これにより、複数の液処理を含む一連の処理の流れの中で、付随する熱的処理を、被処理基板の流れを止めることなく行うことができる。   Further, the heating / cooling processing apparatus according to the first aspect performs thermal treatment associated with the plurality of liquid treatments in the substrate processing apparatus that performs a series of treatments including a plurality of liquid treatments on the substrate to be processed. It is preferable to be incorporated as a thermal processing unit. Thereby, in the flow of a series of processes including a plurality of liquid processes, the accompanying thermal process can be performed without stopping the flow of the substrate to be processed.

本発明の第2の観点は、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置であって、上記第1の観点の加熱・冷却処理装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置を提供する。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed, including the heating / cooling processing apparatus according to the first aspect. A substrate processing apparatus is provided.

本発明の第3の観点は、基板処理装置において、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理行う基板処理方法であって、
加熱手段を備えた加熱処理室で、被処理基板を上昇および/または下降させながら加熱する加熱処理工程と、
前記加熱処理工程後の被処理基板を、冷却手段を備えた冷却処理室内に搬送する搬送工程と、
前記冷却処理室内で、被処理基板を上昇および/または下降させながら冷却する冷却処理工程と、
を備えたことを特徴とする、基板処理方法を提供する。
A third aspect of the present invention is a substrate processing method for performing heat treatment and cooling processing on a substrate to be processed in a substrate processing apparatus,
A heat treatment step of heating while raising and / or lowering the substrate to be treated in a heat treatment chamber provided with a heating means;
A transporting step of transporting the substrate to be processed after the heat treatment step into a cooling processing chamber provided with a cooling means;
A cooling process step of cooling the substrate to be processed while being raised and / or lowered in the cooling treatment chamber;
A substrate processing method is provided.

上記第3の観点の基板処理方法において、前記加熱処理工程および前記冷却処理工程を、被処理基板をパレット上に載置した状態で行うことが好ましい。   In the substrate processing method according to the third aspect, it is preferable that the heat treatment step and the cooling treatment step are performed in a state where the substrate to be processed is placed on a pallet.

また、前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環使用することが好ましい。   Moreover, it is preferable to circulate and use the pallet between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber.

また、本発明の第4の観点は、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第3の観点の基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラムを提供する。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a control program which operates on a computer and controls the substrate processing apparatus so that the substrate processing method according to the third aspect is performed at the time of execution. provide.

また、本発明の第5の観点は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第3の観点の基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体を提供する。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a computer storage medium storing a control program that operates on a computer, and the control program performs the substrate processing method according to the third aspect at the time of execution. Further, a computer storage medium is provided for controlling the substrate processing apparatus.

本発明の加熱・冷却処理装置によれば、複数の被処理基板を順次昇降させながら加熱処理と冷却処理を行うので、これらの熱的処理のための装置のフットプリントを小さくすることができる。また、搬送ロボットを使用しないため、被処理基板の大型化にも対応可能である。さらに、一連の処理の流れの中で被処理基板を止めずに連続的に加熱・冷却処理できることから、十分なスループットも維持できる。   According to the heating / cooling processing apparatus of the present invention, the heating process and the cooling process are performed while sequentially raising and lowering the plurality of substrates to be processed, so that the footprint of the apparatus for these thermal processes can be reduced. In addition, since a transfer robot is not used, the substrate to be processed can be increased in size. Furthermore, since the substrate can be continuously heated and cooled without stopping the substrate to be processed in a series of processing flows, sufficient throughput can be maintained.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、LCD用ガラス基板(以下、単に「基板」と記す)Gの表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。図1は本発明の基板処理装置の一実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置100を示す平面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the case where the present invention is applied to an apparatus and a method for forming a resist film on the surface of an LCD glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) G will be described. FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus 100 according to an embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.

このレジスト塗布現像処理装置100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3と、レジスト塗布現像処理装置100の各構成部を制御する制御部201と、を備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。   The resist coating and developing apparatus 100 includes a cassette station (carrying-in / out unit) 1 on which a cassette C that accommodates a plurality of substrates G is placed, and a plurality of processes for performing a series of processes including resist coating and development on the substrate G. Controls a processing station (processing unit) 2 having a processing unit, an interface station (interface unit) 3 for transferring the substrate G between the exposure apparatus 4, and each component of the resist coating and developing processing apparatus 100. A cassette station 1 and an interface station 3 are arranged at both ends of the processing station 2, respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing apparatus 100 is defined as the X direction, and the direction orthogonal to the X direction on the plane is defined as the Y direction.

カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出が行われる。   The cassette station 1 includes a transfer device 11 for loading and unloading the substrate G between the cassette C and the processing station 2. In the cassette station 1, the cassette C is loaded into and unloaded from the outside. Further, the transfer device 11 has a transfer arm 11a and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. The transfer arm 11a allows the cassette C and the processing station 2 to move. The substrate G is carried in and out.

処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びる基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニット28が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。   The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the substrate G extending in the X direction. From the cassette station 1 side toward the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged. In addition, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, and the second one from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B. Three thermal processing units 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is used to perform a decoloring process for development. Provided.

上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中で基板Gが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット(DEV)24も、その中で基板Gが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25への基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。   The scrub cleaning unit (SCR) 21 performs the cleaning process and the drying process while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated in the conventional manner. The development processing unit (DEV) 24 also performs the application of the developer, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported substantially horizontally without the substrate G being rotated. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the transport inlet and transport outlet of the substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the transport of the substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transport mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

レジスト処理ユニット23は、図2にその内部の平面図に示すように、カップ50内で基板Gをスピンチャック51により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置(CT)23a、基板G上に形成されたレジスト膜を減圧容器52内で減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23b、およびステージ54に載置された基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド53により基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cがその順に配置されており、ガイドレール55にガイドされて移動する一対のサブアーム56により基板Gがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基板Gの搬入口57および搬出口58が設けられており、ガイドレール55はこれら搬入口57および搬出口58から外側に延びてサブアーム56により基板Gの受け渡しが可能となっている。   As shown in a plan view of the interior of FIG. 2, the resist processing unit 23 applies a resist coating processing apparatus (not shown) by dropping a resist solution from a nozzle (not shown) while rotating the substrate G by a spin chuck 51 in the cup 50. CT) 23a, a reduced pressure drying device (VD) 23b for drying the resist film formed on the substrate G in the reduced pressure container 52 under reduced pressure, and a solvent discharge head 53 capable of scanning four sides of the substrate G placed on the stage 54. The peripheral resist removing device (ER) 23c for removing excess resist adhering to the peripheral edge of the substrate G is disposed in that order, and the substrate G is interposed between the pair of sub-arms 56 guided and moved by the guide rail 55. Is transported substantially horizontally. The resist processing unit 23 is provided with a carry-in port 57 and a carry-out port 58 for the substrate G on opposite short sides. The guide rail 55 extends outward from the carry-in port 57 and the carry-out port 58, and the substrate is extended by the sub arm 56. Delivery of G is possible.

第1の熱的処理ユニットセクション26は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32の間に第1の搬送装置33が設けられている。図3の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61、基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62,63、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)64が4段に積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65、基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66,67、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)68が4段に積層されて構成されている。第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23への基板Gの受け渡しを行う。   The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G, The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transfer device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32. As shown in the side view of FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 that transfers the substrate G in order from the bottom, and two dehydration processes that perform a dehydration baking process on the substrate G. Bake units (DHP) 62 and 63, and an adhesion processing unit (AD) 64 for subjecting the substrate G to a hydrophobic treatment are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 32 includes The pass unit (PASS) 65 for transferring the substrate G in order, the two cooling units (COL) 66 and 67 for cooling the substrate G, and the adhesion processing unit (AD) 68 for performing the hydrophobic treatment on the substrate G are four. It is configured by stacking in stages. The first transfer device 33 receives the substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 through the pass unit (PASS) 61, carries in and out the substrate G between the thermal processing units, and the pass unit ( The substrate G is transferred to the resist processing unit 23 via the PASS) 65.

第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。そして、昇降部材92の昇降はモータ95によって行われ、ベース部材93の旋回はモータ96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモータ97によって行われる。第1の搬送装置33はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック(TB)31,32のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail, a base member 93 that is pivotable on the lifting member 92, and moves forward on the base member 93. A substrate holding arm 94 that is provided so as to be retractable and holds the substrate G is provided. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Since the first transfer device 33 is provided so as to be able to move up and down, move back and forth, and turn as described above, it can access any of the thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.

第2の熱的処理ユニットセクション27は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35の間に第2の搬送装置36が設けられている。図4の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69、基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72が4段に積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73、基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74、基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75,76が4段に積層されて構成されている。第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24への基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対する基板Gの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34,35のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the substrate G, and The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transport device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35. As shown in the side view of FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 that transfers the substrate G in order from the bottom, and three prebaking units that perform prebaking processing on the substrate G. (PREBAKE) 70, 71 and 72 are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 35 includes a pass unit (PASS) 73 for transferring the substrate G in order from the bottom, and a substrate G. A cooling unit (COL) 74 for cooling and two pre-bake units (PREBAKE) 75 and 76 for performing pre-bake processing on the substrate G are stacked in four stages. The second transfer device 36 receives the substrate G from the resist processing unit 23 via the pass unit (PASS) 69, carries in / out the substrate G between the thermal processing units, and passes through the pass unit (PASS) 73. The substrate G is transferred to all the development processing units (DEV) 24, and the substrate G is transferred to and received from an extension / cooling stage (EXT / COL) 44, which is a substrate transfer portion of the interface station 3 to be described later. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33 and can access any of the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

第3の熱的処理ユニットセクション28は、図5に示すように、加熱処理室38と冷却処理室39とが隣接して配置された加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37を備えている。加熱処理室38と冷却処理室39とは、仕切り壁80により仕切られている。この仕切り壁80には、上部開口80aおよび下部開口80bが設けられている。なお、加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37には、相対向する短辺にそれぞれ基板Gを搬入する搬入口83と、基板Gを搬出する搬出口84が設けられている。   As shown in FIG. 5, the third thermal processing unit section 28 includes a heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 in which a heating processing chamber 38 and a cooling processing chamber 39 are disposed adjacent to each other. . The heat treatment chamber 38 and the cooling treatment chamber 39 are partitioned by a partition wall 80. The partition wall 80 is provided with an upper opening 80a and a lower opening 80b. The heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 is provided with a carry-in port 83 for carrying in the substrate G and a carry-out port 84 for carrying out the substrate G on short sides facing each other.

加熱処理室38には、加熱手段としての発熱部77と、基板GをパレットPに載せた状態で上昇させる昇降装置(図5では図示を省略)が配備されている。なお、昇降装置の構成については、図6〜図11を参照しながら後で詳述する。   The heat treatment chamber 38 is provided with a heat generating portion 77 as heating means and an elevating device (not shown in FIG. 5) that raises the substrate G while being placed on the pallet P. The configuration of the lifting device will be described in detail later with reference to FIGS.

冷却処理室39には、冷却手段としての送風装置78と、該送風装置78からの冷風を排気する排気装置79と、基板GをパレットPに載せた状態で下降させる昇降装置(図5では、図示を省略)が設けられている。図示のように、排気装置79は送風装置78に略対向する位置に配備されているので、冷却処理室39内には送風装置78から排気装置79へと向かう一方向の流れが交互に、かつ多段階(図5では6段)に形成される。このような送風装置78と排気装置79の配置により、加熱処理された基板Gを下降させながら効率良く冷却することができる。   In the cooling processing chamber 39, a blower 78 as a cooling means, an exhaust device 79 that exhausts the cold air from the blower 78, and an elevating device that lowers the substrate G on the pallet P (in FIG. 5, (Not shown) is provided. As shown in the figure, the exhaust device 79 is disposed at a position substantially opposite to the air blower 78, so that a one-way flow from the air blower 78 to the exhaust device 79 is alternately performed in the cooling processing chamber 39, and It is formed in multiple stages (six stages in FIG. 5). With the arrangement of the blower 78 and the exhaust device 79 as described above, the heat-treated substrate G can be efficiently cooled while being lowered.

図6は、加熱処理室38に配備された昇降装置81と、冷却処理室39に配備された昇降装置82の要部斜視図である。なお、図6では、加熱処理室38における基板搬送路85の片側に配備された昇降装置81のベルト駆動装置101aと、冷却処理室39における基板搬送路85の片側に配備された昇降装置82のベルト駆動装置101cのみを図示している。また、図7は加熱処理室38内に配備された昇降装置81の側面図であり、図8は冷却処理室39内に配備された昇降装置82の側面図である。   FIG. 6 is a perspective view of a main part of the lifting device 81 provided in the heat treatment chamber 38 and the lifting device 82 provided in the cooling processing chamber 39. In FIG. 6, the belt driving device 101a of the lifting / lowering device 81 provided on one side of the substrate transfer path 85 in the heat treatment chamber 38 and the lifting / lowering device 82 provided on one side of the substrate transfer path 85 in the cooling processing chamber 39 are illustrated. Only the belt driving device 101c is illustrated. 7 is a side view of the lifting device 81 provided in the heat treatment chamber 38, and FIG. 8 is a side view of the lifting device 82 provided in the cooling processing chamber 39.

加熱処理室38の昇降装置81は、図7に示すように、基板搬送路85を間に挟み込むように対向して配備された一対のベルト駆動装置101a,101bによって構成されている。ベルト駆動装置101aと101bとは、基板搬送路85を中心に対称な構造をしている。
ベルト駆動装置101a,101bは、それぞれ4カ所の回転軸102,103,104,105に張架された2本のベルト106,106を有している。これらの回転軸102〜105は図示しない駆動装置と連結されており、ベルト106を例えば図7中、矢印で示す方向に所定速度で回動させる。
As shown in FIG. 7, the lifting / lowering device 81 of the heat treatment chamber 38 includes a pair of belt driving devices 101a and 101b arranged so as to face each other with the substrate transport path 85 interposed therebetween. The belt driving devices 101a and 101b have a symmetrical structure with the substrate transport path 85 as the center.
The belt driving devices 101a and 101b have two belts 106 and 106 stretched around four rotating shafts 102, 103, 104, and 105, respectively. These rotating shafts 102 to 105 are connected to a driving device (not shown), and rotate the belt 106 at a predetermined speed in a direction indicated by an arrow in FIG. 7, for example.

2本のベルト106の外周には、パレットPを支持するパレット支持部107が17カ所に均等に突設されている。ここで、パレットPは、図9に示すように、矩形をした枠体であり、基板Gを当該枠体の中に嵌め込むようにして載置する。基板Gは、パレットPに設けられた支持部131により支持される。この状態で基板Gは、パレットPとともに加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37を移動する。   On the outer circumferences of the two belts 106, pallet support portions 107 that support the pallet P are projected evenly at 17 locations. Here, as shown in FIG. 9, the pallet P is a rectangular frame, and the substrate G is placed so as to be fitted into the frame. The substrate G is supported by a support portion 131 provided on the pallet P. In this state, the substrate G moves along with the pallet P in the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37.

図7(b)に拡大して示すように、ベルト106に突設された各パレット支持部107のパレット載置面には、複数のパレットローラ108が一列に設けられており、このパレットローラ108が矩形の枠体であるパレットPに当接することにより、パレットPを支持できるようになっている。一つのパレット支持部107に配備された各パレットローラ108は、ベルト112により連結されており(図10参照)、一方向に連動して回転駆動するように構成されている。パレットローラ108は、昇降時には非回転状態に固定されているが、パレットPが最上段となる位置まで上昇するとモータ109(図10参照)の駆動を受けて回転し、隣接する冷却処理室39の昇降装置82のベルト駆動装置101cの最上段のパレット支持部107と連携し、昇降装置81から昇降装置82へのパレットPの受渡しが行われる。この昇降装置81,82間のパレット受渡し機構については、後述する。   As shown in an enlarged view in FIG. 7B, a plurality of pallet rollers 108 are provided in a row on the pallet mounting surface of each pallet support portion 107 projecting from the belt 106. Is in contact with the pallet P, which is a rectangular frame, so that the pallet P can be supported. Each pallet roller 108 provided on one pallet support portion 107 is connected by a belt 112 (see FIG. 10), and is configured to be driven to rotate in one direction. The pallet roller 108 is fixed in a non-rotating state when ascending / descending, but when the pallet P is raised to the uppermost position, the pallet roller 108 is rotated by the drive of the motor 109 (see FIG. 10), and the The pallet P is delivered from the lifting device 81 to the lifting device 82 in cooperation with the uppermost pallet support portion 107 of the belt driving device 101 c of the lifting device 82. A pallet delivery mechanism between the lifting devices 81 and 82 will be described later.

図7に示すように、昇降装置81において、対向配備されたベルト駆動装置101aおよびベルト駆動装置101bのベルト106の回動に伴い、パレットPの枠部に両側のパレット支持部107のパレットローラ108が下から当接し、基板Gを載置した状態のパレットPをすくい上げるようにして上昇させる。一つのパレットPが上昇すると、次のパレットPが昇降装置81の下方の基板搬送路85に移送され、パレットPとは反対側から搬送されてきた基板Gを受取り、そして次のパレット支持部107により両側からすくい上げられる。このようにして次々にパレットPが上昇していく。   As shown in FIG. 7, in the lifting device 81, the pallet rollers 108 of the pallet support portions 107 on both sides of the pallet P are attached to the frame portions of the pallet P as the belts 106 of the belt drive devices 101 a and 101 b arranged opposite to each other rotate. Comes in contact with the bottom and scoops up the pallet P with the substrate G placed thereon. When one pallet P is lifted, the next pallet P is transferred to the substrate transfer path 85 below the lifting device 81, receives the substrate G transferred from the opposite side of the pallet P, and receives the next pallet support 107. To scoop from both sides. In this way, the pallet P rises one after another.

冷却処理室39の昇降装置82は、図8に示すように、基板搬送路85を間に挟み込むように対向して配備された一対のベルト駆動装置101c,101dによって構成されている。この昇降装置82は、加熱処理室38の昇降装置81とは逆の方向にベルト106,106が回転し、基板Gを載置したパレットPを下降させる点以外は、基本的に昇降装置81と同様の構成であるため、昇降装置81と同じ構成については、同一の符号を付して説明を省略する。   As shown in FIG. 8, the elevating device 82 of the cooling processing chamber 39 is configured by a pair of belt driving devices 101c and 101d arranged to face each other with the substrate transport path 85 interposed therebetween. This lifting device 82 is basically the same as the lifting device 81 except that the belts 106 and 106 rotate in the opposite direction to the lifting device 81 in the heat treatment chamber 38 and lower the pallet P on which the substrate G is placed. Since it is the same structure, about the same structure as the raising / lowering apparatus 81, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

次に、昇降装置81と昇降装置82との間で行われるパレットPの受渡し機構について、図10および図11を参照しながら説明を行う。なお、図10には、昇降装置81と昇降装置82の最上段の片側(つまり、ベルト駆動機構101aおよび101c側)のパレット支持部107のみを図示するとともに、説明の便宜上、パレット支持部107の内部構造を示している。図11は図10の要部拡大図である。   Next, the delivery mechanism of the pallet P performed between the lifting device 81 and the lifting device 82 will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. 10 shows only the pallet support 107 on the uppermost side of the elevating device 81 and the elevating device 82 (that is, on the belt drive mechanisms 101a and 101c side). The internal structure is shown. FIG. 11 is an enlarged view of a main part of FIG.

加熱処理室38と冷却処理室39との間の仕切り壁80には、前記したように上部開口80aが形成されており、この上部開口80aを介してパレットPに載置された基板Gの受渡しが行われる。そして、加熱処理室38側の上部開口80aの近傍には、モータ109と、このモータ109に連結されたマグネチックカプラー110とが配備されている。また、各パレット支持部107の端部のパレットローラ108にも、マグネチックカプラー111が連結されている。これらのマグネチックカプラー110,111は、例えば図11に示すように、円柱体の周面に、永久磁石のN極とS極とが交互に配置された部材である。パレット支持部107のパレットローラ108には、ベルト112が連結されており、パレット支持部107上の各パレットローラ108を同じ方向に同期して回転させるように構成されている。   As described above, the upper opening 80a is formed in the partition wall 80 between the heat treatment chamber 38 and the cooling treatment chamber 39, and the substrate G placed on the pallet P is delivered through the upper opening 80a. Is done. A motor 109 and a magnetic coupler 110 connected to the motor 109 are disposed in the vicinity of the upper opening 80a on the heat treatment chamber 38 side. A magnetic coupler 111 is also connected to the pallet roller 108 at the end of each pallet support 107. For example, as shown in FIG. 11, these magnetic couplers 110 and 111 are members in which N poles and S poles of a permanent magnet are alternately arranged on the peripheral surface of a cylindrical body. A belt 112 is connected to the pallet roller 108 of the pallet support part 107, and each pallet roller 108 on the pallet support part 107 is configured to rotate synchronously in the same direction.

また、冷却処理室39においては、仕切り壁80とは反対側に同様の駆動機構、つまりモータ109と、このモータ109に連結されるマグネチックカプラー110とが配備されている。また、昇降装置82における各パレット支持部107の端部のパレットローラ108にも、マグネチックカプラー111が連結されている。パレット支持部107に配備された各パレットローラ108には、ベルト112が連結されており、パレット支持部107上の各パレットローラ108を同じ方向に同期して回転させるように構成されている。   In the cooling processing chamber 39, a similar drive mechanism, that is, a motor 109 and a magnetic coupler 110 connected to the motor 109 are arranged on the side opposite to the partition wall 80. The magnetic coupler 111 is also connected to the pallet roller 108 at the end of each pallet support 107 in the lifting device 82. A belt 112 is connected to each pallet roller 108 disposed on the pallet support portion 107, and each pallet roller 108 on the pallet support portion 107 is configured to rotate in synchronization in the same direction.

そして、加熱処理室38の昇降装置81において、任意のパレット支持部107が最上位の受け渡しポジションに位置した状態となり、他方の冷却処理室39の昇降装置82において、同様に任意のパレット支持部107が最上位の受け渡しポジションに位置した状態になると、各モータ109,109に連結された各マグネチックカプラー110,110と、パレット支持部107の端部のパレットローラ108に連結されたマグネチックカプラー111,111とが接近するように配置されている。   In the lifting / lowering device 81 of the heat treatment chamber 38, the arbitrary pallet support portion 107 is positioned at the uppermost delivery position, and in the lifting / lowering device 82 of the other cooling processing chamber 39, the arbitrary pallet support portion 107 is similarly set. Is positioned at the uppermost delivery position, the magnetic couplers 110 and 110 connected to the motors 109 and 109 and the magnetic coupler 111 connected to the pallet roller 108 at the end of the pallet support 107. , 111 are close to each other.

加熱処理室38および冷却処理室39内で、それぞれマグネチックカプラー110と111が接近した状態で、モータ109,109を作動させると、これに連結されたマグネチックカプラー110,110が回転し、磁力によりパレット支持部107側のマグネチックカプラー111,111も随伴して回転する。これにより、ベルト112,112が回転して、加熱処理室38の昇降装置81の最上位のパレット支持部107の各パレットローラ108と、冷却処理室39の昇降装置82の最上位のパレット支持部107の各パレットローラ108と、が同期して一方向、つまり加熱処理室38から冷却処理室39へ向かう方向に回転する。この回転によって、加熱処理室38の昇降装置81の最上位のパレット支持部107に支持されている基板Gを載置した状態のパレットPが、上部開口80aを通過して冷却処理室39の昇降装置82の最上位のパレット支持部107へ受渡され、基板GがパレットPごと搬送される。このような構成とすることにより、1つのモータ109によって、所定位置に到達したパレット支持部107のパレットローラ108を動作させることが可能であり、1つのパレット支持部107毎に1つのモータを設ける場合と比較して装置の構造を簡素化できるとともに、装置の稼働信頼性の向上を図ることができる。   When the motors 109 and 109 are operated in the state where the magnetic couplers 110 and 111 are close to each other in the heat processing chamber 38 and the cooling processing chamber 39, the magnetic couplers 110 and 110 connected to the motors 109 and 109 rotate, and the magnetic force is increased. As a result, the magnetic couplers 111 and 111 on the pallet supporting portion 107 side are also rotated. As a result, the belts 112 and 112 rotate, and each pallet roller 108 of the uppermost pallet support portion 107 of the elevating device 81 of the heat treatment chamber 38 and the uppermost pallet support portion of the elevating device 82 of the cooling processing chamber 39. 107 pallet rollers 108 rotate in one direction, that is, in a direction from the heat treatment chamber 38 toward the cooling treatment chamber 39. By this rotation, the pallet P on which the substrate G supported by the uppermost pallet support portion 107 of the lifting device 81 of the heat treatment chamber 38 passes through the upper opening 80a and moves up and down the cooling processing chamber 39. It is delivered to the uppermost pallet support part 107 of the apparatus 82 and the substrate G is transported together with the pallet P. With such a configuration, it is possible to operate the pallet roller 108 of the pallet support unit 107 that has reached a predetermined position by one motor 109, and one motor is provided for each pallet support unit 107. Compared to the case, the structure of the apparatus can be simplified, and the operational reliability of the apparatus can be improved.

再び図5から図8を参照するに、加熱処理室38および冷却処理室39の下部には、複数のローラ120aを備え、パレットPを水平に搬送するパレット循環装置120が設けられている。これにより、空のパレットPを冷却処理室39から下部開口80bを介して加熱処理室38に向けて循環させる。なお、このパレット循環装置120は、図12に示すとおり、加熱処理室38および冷却処理室39に、それぞれ、モータ127に連結されたマグネチックカプラー128と、該マグネチックカプラー128と連動するローラ側のマグネチックカプラー129と、このローラ側のマグネチックカプラー129に連結された端部のローラ120aと、複数のローラ120aを同時に駆動させるローラ駆動ベルト130と、を備えている。このパレット循環装置120における受渡し機構は、上部開口80aを介して昇降装置81から昇降装置82へパレットPを受け渡す受渡し機構(図10および図11参照)と同様の機構であるため、説明を省略する。   Referring again to FIGS. 5 to 8, a pallet circulation device 120 that includes a plurality of rollers 120 a and transports the pallet P horizontally is provided below the heat treatment chamber 38 and the cooling treatment chamber 39. Accordingly, the empty pallet P is circulated from the cooling processing chamber 39 toward the heat processing chamber 38 through the lower opening 80b. In addition, as shown in FIG. 12, the pallet circulation device 120 includes a magnetic coupler 128 connected to a motor 127 and a roller side interlocked with the magnetic coupler 128 in a heat treatment chamber 38 and a cooling treatment chamber 39, respectively. A magnetic coupler 129, an end roller 120a coupled to the roller-side magnetic coupler 129, and a roller driving belt 130 for simultaneously driving the plurality of rollers 120a. The delivery mechanism in the pallet circulation device 120 is the same mechanism as the delivery mechanism (see FIGS. 10 and 11) that delivers the pallet P from the lifting device 81 to the lifting device 82 via the upper opening 80a, and thus the description thereof is omitted. To do.

また、加熱処理室38の下部には、基板Gを搬送する搬送手段としてのコロ搬送装置121が設けられている。このコロ搬送装置121は、パレットPの枠部に当接してこれを押し上げるパレット押上げ部123と、複数のコロ122とを備え、これらのコロ122の回転によって基板Gをi線UV照射ユニット(i−UV)25の側から受取る。
コロ搬送装置121に配備された複数のコロ122は、図示しない軸心変位機構によってパレット押上げ部123に対する上下の突出量を調節できるようになっている。また、コロ搬送装置121は、図示しない昇降機構により全体として上下に昇降できるように構成されている。
In addition, a roller transport device 121 as a transport unit that transports the substrate G is provided below the heat treatment chamber 38. The roller transport device 121 includes a pallet push-up unit 123 that contacts and pushes up the frame portion of the pallet P, and a plurality of rollers 122. By rotating these rollers 122, the substrate G is transferred to the i-ray UV irradiation unit ( i-UV) Receive from 25 side.
The plurality of rollers 122 arranged in the roller transport device 121 can adjust the vertical protrusion amount with respect to the pallet push-up unit 123 by an axial center displacement mechanism (not shown). In addition, the roller transport device 121 is configured to be moved up and down as a whole by a lifting mechanism (not shown).

同様に、冷却処理室39の下部には、基板Gを搬送する搬送手段としてのコロ搬送装置124が設けられている。このコロ搬送装置124は、パレットPの枠部に当接してこれを支持するパレット当接部126と、複数のコロ125とを備え、これらのコロ125の回転により基板Gをカセットステーション1の搬送装置11に引き渡す。
コロ搬送装置124に配備された複数のコロ125は、図示しない軸心変位機構によってパレット当接部126に対する上下の突出量を調節できるようになっている。また、コロ搬送装置124は、図示しない昇降機構により全体として上下に昇降できるように構成されている。
Similarly, below the cooling processing chamber 39, a roller transfer device 124 is provided as a transfer means for transferring the substrate G. The roller transport device 124 includes a pallet contact portion 126 that contacts and supports the frame portion of the pallet P, and a plurality of rollers 125, and the substrate G is transported to the cassette station 1 by the rotation of the rollers 125. Deliver to device 11.
The plurality of rollers 125 arranged in the roller conveying device 124 can adjust the vertical protrusion amount with respect to the pallet contact portion 126 by an axial center displacement mechanism (not shown). In addition, the roller transport device 124 is configured to be moved up and down as a whole by a lifting mechanism (not shown).

図13は、以上のような構成の加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37において、加熱処理室38の昇降装置81に基板Gを受渡す際の手順を示している。
まず、図13(a)の如く、空のパレットPがパレット循環装置120のローラ120aの回転によって冷却処理室39から下部開口80bを介して加熱処理室38に搬送される。次に、図13(b)に示すように、図示しない昇降機構を備えたコロ搬送装置121が上昇してきて、横方向に延設されたパレット押上げ部123がパレットPの枠部に下から当接する。この際、コロ搬送装置121のコロ122はパレットPの枠内に挿入され、コロ122の上部がパレットPよりも少し高い状態にセットされる。
FIG. 13 shows a procedure for delivering the substrate G to the lifting / lowering device 81 in the heat treatment chamber 38 in the heating / cooling treatment unit (POBAKE / COL) 37 having the above-described configuration.
First, as shown in FIG. 13A, the empty pallet P is conveyed from the cooling processing chamber 39 to the heat processing chamber 38 through the lower opening 80b by the rotation of the roller 120a of the pallet circulation device 120. Next, as shown in FIG. 13 (b), the roller transport device 121 provided with a lifting mechanism (not shown) is lifted, and the pallet push-up portion 123 extended in the lateral direction is placed on the frame portion of the pallet P from below. Abut. At this time, the roller 122 of the roller conveying device 121 is inserted into the frame of the pallet P, and the upper portion of the roller 122 is set to be slightly higher than the pallet P.

次に、図13(c)のように、i線UV照射ユニット(i−UV)25の側から搬入口83を介して基板Gが加熱処理室38内に搬入されると、コロ搬送装置121のコロ122が回転して基板Gを受取る。そして、コロ搬送装置121に設けられた図示しない前記軸心変位機構によりパレット押上げ部123に対してコロ122のみを図13(c)に矢印で示すように下降させると、コロ122上に支持されていた基板Gが下降し、図13(d)に示すようにパレットPの枠内の支持部131(図9参照)に載置される。   Next, as shown in FIG. 13C, when the substrate G is carried into the heat treatment chamber 38 from the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 side through the carry-in port 83, the roller transport device 121 is moved. The roller 122 rotates to receive the substrate G. Then, when only the roller 122 is lowered as shown by an arrow in FIG. 13C with respect to the pallet pushing-up portion 123 by the shaft center displacement mechanism (not shown) provided in the roller conveying device 121, the roller 122 is supported on the roller 122. The substrate G that has been lowered is lowered and placed on the support portion 131 (see FIG. 9) in the frame of the pallet P as shown in FIG.

次に、図13(e)に示すように、図示しない昇降機構によってコロ搬送装置121を上昇させることにより、基板Gを載置した状態のパレットPを昇降装置81のベルト駆動装置101a,101bの最下位のパレット支持部107の位置まで上昇させる。そして、基板Gを載置した状態のパレットPが、最下位のパレット支持部107に受け渡される。   Next, as shown in FIG. 13 (e), the roller transport device 121 is lifted by a lifting mechanism (not shown), whereby the pallet P on which the substrate G is placed is transferred to the belt driving devices 101a and 101b of the lifting device 81. Raise to the position of the lowest pallet support 107. Then, the pallet P on which the substrate G is placed is delivered to the lowest pallet support portion 107.

以上のようにして、基板Gを載置した状態のパレットPは昇降装置81に受渡され、加熱処理室38内を所定速度で上昇していく。再び図5を参照すると、加熱処理室38内には、前記したように発熱部77が配備されており、パレットPはその上昇過程で所定時間かけて加熱される。基板Gを載置した状態のパレットPが加熱処理室38の上部に到達すると、前記受渡し機構(図10および図11参照)によって、昇降装置81のベルト駆動機構101a,101bのパレット支持部107から、仕切り壁80の上部開口80aを介して冷却処理室39の昇降装置82のベルト駆動機構101c,101dの最上位のパレット支持部107に搬送される。そして、基板Gを載置した状態のパレットPは、昇降装置82のベルト駆動機構101c,101dにより支持されつつ、冷却処理室39内を所定速度で下降する。   As described above, the pallet P on which the substrate G is placed is transferred to the elevating device 81 and moves up in the heat treatment chamber 38 at a predetermined speed. Referring again to FIG. 5, the heat generating portion 77 is provided in the heat treatment chamber 38 as described above, and the pallet P is heated over a predetermined time in the ascending process. When the pallet P on which the substrate G is placed reaches the upper portion of the heat treatment chamber 38, the delivery mechanism (see FIGS. 10 and 11) causes the pallet support portion 107 of the belt drive mechanisms 101a and 101b of the elevating device 81 to be moved. Then, it is conveyed through the upper opening 80a of the partition wall 80 to the uppermost pallet support portion 107 of the belt driving mechanisms 101c and 101d of the lifting device 82 of the cooling processing chamber 39. Then, the pallet P on which the substrate G is placed is lowered at a predetermined speed in the cooling processing chamber 39 while being supported by the belt driving mechanisms 101c and 101d of the elevating device 82.

このように、複数枚の基板Gを鉛直方向に移動させながら次々に加熱処理および冷却処理することによって、加熱処理および冷却処理に要するスペースが小さくてすみ、従来の積層型の熱的処理ユニットに比べてもさらにフットプリントを小さくできる。また、搬送ロボットを必要とせずに、基板Gの処理を連続的に行うことができるので、高いスループットを維持できる。   In this way, by performing the heat treatment and the cooling treatment one after another while moving the plurality of substrates G in the vertical direction, the space required for the heat treatment and the cooling treatment can be reduced, and the conventional stacked thermal treatment unit can be realized. Compared to this, the footprint can be further reduced. In addition, since the substrate G can be continuously processed without the need for a transfer robot, high throughput can be maintained.

そして、冷却処理室39内で、基板Gを載置したパレットPが、昇降装置82のベルト駆動機構101c,101dの下部に到達すると、コロ搬送装置124は、図示しない昇降機構により、昇降装置82のベルト駆動装置101c,101dの最下位のパレット支持部107の位置まで上昇し、基板Gを載置したパレットPをパレット当接部126により支持して受け取る。次に、コロ搬送装置124を所定位置(基板搬送位置)まで下降させると、前記軸芯変位機構によってパレット当接部126に対して相対的にコロ125を上昇させる。これにより基板Gはコロ125により持ち上げられ、パレットPから浮き上がった状態となるので、この状態でコロ125を回転させることにより、搬出口84を介して基板Gをカセットステーション1の搬送装置11に向けて搬出することができる。   When the pallet P on which the substrate G is placed reaches the lower part of the belt driving mechanisms 101c and 101d of the lifting device 82 in the cooling processing chamber 39, the roller transport device 124 is lifted and lowered by the lifting mechanism (not shown). The belt driving devices 101c and 101d are moved up to the position of the lowest pallet support portion 107, and the pallet P on which the substrate G is placed is supported and received by the pallet contact portion 126. Next, when the roller transport device 124 is lowered to a predetermined position (substrate transport position), the roller 125 is lifted relative to the pallet contact portion 126 by the shaft center displacement mechanism. As a result, the substrate G is lifted by the roller 125 and is lifted from the pallet P. By rotating the roller 125 in this state, the substrate G is directed to the transfer device 11 of the cassette station 1 via the carry-out port 84. Can be carried out.

一方、基板Gを放した空のパレットPは、パレット循環装置120によって仕切り壁80の下部開口80bを介して加熱処理室38に戻される。このように、パレットPは、基板Gを載置した状態と載置しない空の状態を交互にとりながら、加熱処理室38および冷却処理室39内を循環する。パレットPを用いることにより、基板Gを安定的に支持した状態で昇降移動させることが可能になり、基板Gの破損を防ぐことができる。   On the other hand, the empty pallet P that has released the substrate G is returned to the heat treatment chamber 38 by the pallet circulation device 120 through the lower opening 80 b of the partition wall 80. In this manner, the pallet P circulates in the heat treatment chamber 38 and the cooling treatment chamber 39 while alternately taking the state where the substrate G is placed and the empty state where the substrate G is not placed. By using the pallet P, the substrate G can be moved up and down while being stably supported, and the substrate G can be prevented from being damaged.

再び図1〜図4を参照するに、上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21およびエキシマUV照射ユニット(e−UV)22への基板Gの搬入は、カセットステーション1の搬送装置11によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の基板Gは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Gが第1の搬送装置33により搬送される。   1 to 4 again, the substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 and the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the transport device 11 of the cassette station 1. Further, as described above, the substrate G of the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 by, for example, roller conveyance, and a pin (not shown) protrudes there. The substrate G thus lifted is transported by the first transport device 33.

また、レジスト処理ユニット23への基板Gの搬入は、第1の搬送装置33により基板Gがパスユニット(PASS)65に受け渡された後、一対のサブアーム56により搬入口57から行われる。レジスト処理ユニット23では、サブアーム56により基板Gが搬出口58を通って熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69まで搬送され、そこで突出されたピン(図示せず)上に基板Gが搬出される。現像処理ユニット(DEV)24への基板Gの搬入は、熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73において図示しないピンを突出させて基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。i線UV照射ユニット(i−UV)25の基板Gは、例えばコロ搬送により加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37に受渡される。さらに全ての処理が終了した後の基板Gは、加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37の冷却処理室39からコロ搬送されてカセットステーション1の搬送装置11に受渡される。   Further, the substrate G is carried into the resist processing unit 23 after the substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 65 by the first transfer device 33 and then from the carry-in port 57 by the pair of sub arms 56. In the resist processing unit 23, the substrate G is transported by the sub arm 56 through the carry-out port 58 to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34, and on a pin (not shown) protruding there. The substrate G is unloaded. The loading of the substrate G into the development processing unit (DEV) 24 is performed by lowering the substrate G from a state where the substrate G is raised by protruding a pin (not shown) in the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35. Thus, for example, the roller transport mechanism extended to the pass unit (PASS) 73 is operated. The substrate G of the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is delivered to a heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 by roller conveyance, for example. Further, the substrate G after the completion of all the processes is roller-transferred from the cooling processing chamber 39 of the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 and transferred to the transfer device 11 of the cassette station 1.

処理ステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA,Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA,Bの間には、空間部40が設けられている。   In the processing station 2, the processing units and the transfer devices are arranged so as to form the two rows of transfer lines A and B as described above, and basically in the order of processing. A space 40 is provided between B.

インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファーカセットを配置するバッファステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入出が行われる。   The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 on which a buffer cassette is disposed, and a substrate having a cooling function. An extension / cooling stage (EXT / COL) 44 serving as a delivery unit is provided, and an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically is adjacent to the transport device 42. Is provided. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the transfer arm 42 a carries in and out the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4.

レジスト塗布現像処理装置100の各構成部は、制御部201により制御される構成となっている。制御部201は、CPUを備えたコントローラ202を備えており、このコントローラ202には、工程管理者がレジスト塗布現像処理装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布現像処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス203が接続されている。   Each component of the resist coating and developing apparatus 100 is controlled by the control unit 201. The control unit 201 includes a controller 202 having a CPU. The controller 202 includes a keyboard on which a process manager manages command input to manage the resist coating and developing apparatus 100, a resist coating and developing process, and the like. A user interface 203 including a display for visualizing and displaying the operating status of the processing apparatus 100 is connected.

また、コントローラ202には、レジスト塗布現像処理装置100で実行される加熱処理や冷却処理などの各種処理をコントローラ202の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部204が接続されている。   The controller 202 records a control program (software), processing condition data, and the like for realizing various processes such as a heating process and a cooling process executed by the resist coating and developing apparatus 100 under the control of the controller 202. A storage unit 204 in which the recipe is stored is connected.

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス203からの指示等にて任意のレシピを記憶部204から呼び出してコントローラ202に実行させることで、コントローラ202の制御下で、レジスト塗布現像処理装置100で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばCD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。   Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 204 by an instruction from the user interface 203 and the controller 202 executes the recipe, and the resist coating and developing apparatus 100 performs a desired operation under the control of the controller 202. Processing is performed. In addition, recipes such as the control program and processing condition data may be stored in a computer-readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, or other recipes. It is also possible to transmit the data from the device at any time via, for example, a dedicated line and use it online.

このように構成されたレジスト塗布現像処理装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構11により、基板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。スクラブ洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。   In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 of the processing station 2 by the transport apparatus 11. The scrub is pre-processed. Next, the transport mechanism 11 carries the substrate G into a scrub cleaning unit (SCR) 21 disposed under the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 for scrub cleaning. In this scrub cleaning, the cleaning process and the drying process are performed while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated. After the scrub cleaning process, the substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.

パスユニット(PASS)61に配置された基板Gは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクション26に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62,63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)され、その後、上記クーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。この際に搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Gは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット(PASS)65に搬送される。   The substrate G arranged in the pass unit (PASS) 61 is lifted by protruding a pin (not shown), and is transported to the first thermal processing unit section 26 to be subjected to the following series of processes. That is, it is first transported to one of the dehydration bake units (DHP) 62, 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then the cooling unit (COL) of the thermal processing unit block (TB) 32. ) After being transported to either of 66 and 67 and cooled, the adhesion processing unit (AD) 64 of the thermal processing unit block (TB) 31 and the thermal processing unit block (TB) in order to improve the fixability of the resist. ) Conveyed to one of 32 adhesion processing units (AD) 68, where it is subjected to adhesion treatment (hydrophobization treatment) by HMDS, and then conveyed to one of the cooling units (COL) 66, 67 to be cooled, Furthermore, the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 32 It is conveyed to the 65. At this time, all the conveyance processing is performed by the first conveyance device 33. In some cases, the adhesion process is not performed. In this case, the substrate G is immediately transferred to the pass unit (PASS) 65 after dehydration baking and cooling.

その後、パスユニット(PASS)65に配置された基板Gがレジスト処理ユニット23のサブアーム56によりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)23aに搬送され、そこで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム56により減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム56により周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。   Thereafter, the substrate G placed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing unit 23 by the sub arm 56 of the resist processing unit 23. Then, the substrate G is first transported to the resist coating processing device (CT) 23a therein, where the resist solution is spin-coated on the substrate G, and then transported to the vacuum drying device (VD) 23b by the sub-arm 56 to reduce the pressure. The substrate is dried, and further conveyed to the peripheral resist removing device (ER) 23c by the sub-arm 56 to remove excess resist on the peripheral edge of the substrate G. After the peripheral resist removal is completed, the substrate G is unloaded from the resist processing unit 23 by the sub arm 56. As described above, the decompression drying device (VD) 23b is provided after the resist coating processing device (CT) 23a. If this is not provided, the substrate G coated with the resist is prebaked or after the development processing. After the post-bake treatment, the shapes of lift pins, fixing pins, etc. may be transferred to the substrate G. In this way, the solvent in the resist can be obtained by performing vacuum drying without heating by a vacuum drying apparatus (VD). Is released gradually and does not cause rapid drying as in the case of drying by heating, can accelerate the drying of the resist without adversely affecting the resist, and effectively prevents transfer on the substrate. Because it can be done.

このようにして塗布処理が終了し、サブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。パスユニット(PASS)69に配置された基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75,76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。   After the coating process is completed in this way, the substrate G carried out of the resist processing unit 23 by the sub arm 56 is transferred to the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27. ) Passed to 69. The substrate G placed in the pass unit (PASS) 69 is pre-baked (PREBAKE) 70, 71, 72 of the thermal processing unit block (TB) 34 and the thermal processing unit block (TB) by the second transfer device 36. ) It is transported to one of 35 pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 and pre-baked, and then transported to a cooling unit (COL) 74 of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. Then, it is further transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35.

その後、基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファステージ(BUF)43上のバッファーカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。   Thereafter, the substrate G is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transfer device 36, and transferred to the peripheral exposure device (EE) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3. Then, exposure is performed to remove the peripheral resist, and then the wafer is transferred to the exposure device 4 by the transfer device 42 where the resist film on the substrate G is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the substrate G is accommodated in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置され、そこから再び処理ステーション2に搬入される。すなわち、基板Gは第2の搬送装置36により、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。そして、パスユニット(PASS)73においてピンを突出させて基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット(DEV)24からパスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。   After the exposure is completed, the substrate G is loaded into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the substrate G, and then the extension cooling stage (EXT / COL). ) 44, and is carried into the processing station 2 again from there. That is, the substrate G is transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35 belonging to the second thermal processing unit section 27. Further, for example, a roller transport mechanism extended from the development processing unit (DEV) 24 to the pass unit (PASS) 73 by causing the pins to protrude in the pass unit (PASS) 73 and lowering the substrate G from the raised state. The substrate G is carried into the development processing unit (DEV) 24 and subjected to development processing. In this development processing, the substrate G is not rotated as in the prior art, and for example, the developer application, the developer removal after development, and the drying treatment are performed while being transported substantially horizontally by roller transport. As a result, the same processing capability as conventionally using three rotation type development processing units can be realized in a smaller space.

現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション28の加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37に搬送される。   After the development processing is completed, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the substrate G is subjected to decolorization processing. The Thereafter, the substrate G is transferred to the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 of the third thermal processing unit section 28 by a transfer mechanism in the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, for example, roller transfer. .

加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37に搬送された基板Gは、前述のように加熱処理室38内でポストベーク処理され、その後、冷却処理室39内で所定温度に冷却される。   The substrate G transferred to the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 is post-baked in the heating processing chamber 38 as described above, and then cooled to a predetermined temperature in the cooling processing chamber 39.

この際、加熱処理室38内に設けられた発熱部77による発熱量や、冷却処理室39内の送風装置78による送風量、排気装置79による排気量、さらに昇降装置81および昇降装置82の昇降速度などは、制御部201のコントローラ202によって所定の条件に制御される。これらの制御は、例えば記憶部204に保存されていたレシピをコントローラ202によって読み出し、コントローラ202から、加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37の各構成部に制御信号を送出することにより実行される。また、加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37の各構成部の作動状況は、コントローラ202を介して監視され、ユーザーインターフェイス203におけるディスプレイなどの表示装置に表示される。   At this time, the amount of heat generated by the heat generating portion 77 provided in the heat treatment chamber 38, the amount of air blown by the blower 78 in the cooling processing chamber 39, the amount of exhaust by the exhaust device 79, and the lifting and lowering of the lifting device 81 and the lifting device 82 The speed and the like are controlled to a predetermined condition by the controller 202 of the control unit 201. These controls are executed by, for example, reading a recipe stored in the storage unit 204 by the controller 202 and sending a control signal from the controller 202 to each component of the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37. The The operating status of each component of the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 is monitored via the controller 202 and displayed on a display device such as a display in the user interface 203.

加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37での加熱および冷却処理が終了した後、基板Gは、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。   After the heating and cooling processing in the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 is completed, the substrate G is accommodated in a predetermined cassette C arranged in the cassette station 1 by the transfer device 11 of the cassette station 1. The

以上のように、本実施形態のレジスト塗布・現像処理装置100の第3の熱的処理ユニットセクション28の加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37において、加熱処理室38内では基板Gを上昇させつつ所定時間かけて加熱し、また冷却処理室39内では基板Gを下降させつつ所定時間かけて冷却するようにしたので、基板間で均一な加熱・冷却処理が可能になるとともに、複数枚の基板Gを鉛直方向に移動させながら次々に加熱処理および冷却処理できるため、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。   As described above, in the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 of the third thermal processing unit section 28 of the resist coating / development processing apparatus 100 of this embodiment, the substrate G is raised in the heating processing chamber 38. In the cooling processing chamber 39, the substrate G is lowered and cooled for a predetermined time so that uniform heating / cooling processing can be performed between the substrates. Since the substrate G can be successively heated and cooled while being moved in the vertical direction, the space can be saved correspondingly, and the footprint can be reduced.

また、加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37内では、パレットPを用いることにより、基板Gを安定的に支持した状態で昇降移動させることが可能になり、大きな熱変化が基板Gに加えられる加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37において基板Gの破損を確実に防止できる。しかも、このパレットPは簡単な構造であり、しかも循環使用が可能である。   Further, in the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37, by using the pallet P, the substrate G can be moved up and down while being stably supported, and a large heat change is applied to the substrate G. In the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37, damage to the substrate G can be reliably prevented. Moreover, the pallet P has a simple structure and can be used in a circulating manner.

さらに、熱的処理を、搬送ロボットによる基板Gの搬送を行わずに、基板Gの処理の流れの中で行うことができるので、高いスループットを維持できる。   Further, since the thermal processing can be performed in the processing flow of the substrate G without transporting the substrate G by the transport robot, high throughput can be maintained.

図14(a)は、加熱冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37において使用可能なパレットの別の態様を示す斜視図であり、同図(b)は、その一部を拡大して示している。このパレットPは、矩形をした箱形をなし、その表面には例えば空気などの気体を基板Gの裏面へ向けて吹き出すことにより、基板Gを浮上させるための多数の気体吹き出し孔140が設けられている。これらの気体吹き出し孔140は、パレットPの側部に設けられた接続口140aに連通しており、この接続口140aは、図示しない気体供給機構に着脱自在に接続できるように構成されている。 FIG. 14A is a perspective view showing another aspect of the pallet that can be used in the heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37, and FIG. 14B shows an enlarged part thereof. . The pallet P 1 is a box shape with a rectangular, by blowing on the surface, for example, toward a gas such as air to the rear surface of the substrate G, a large number of gas blowing holes 140 for floating the substrate G is provided It has been. These gases blowing holes 140 is communicated with the connection port 140a provided on the side of the pallet P 1, the connection port 140a is configured to be detachably connected to the gas supply mechanism (not shown) .

また、パレットPの長辺の両縁部には、支持ローラ142が約100mmピッチで複数個(本実施形態では片側7個ずつ)直列的に配設されている。各支持ローラ142は、パレットP上に基板Gを保持する際に、基板Gの下面に当接してこれを支持するとともに、パレットPに着脱自在に構成されたローラ駆動機構143により回転して基板Gを水平方向に移動させ、パレットPから他の部材へ、あるいは他の部材からパレットPへの基板Gの受渡しを行なう。 Further, the both edges of the long sides of the pallet P 1, (in the present embodiment seven on each side) a plurality in the support roller 142 about 100mm pitch are serially arranged. When holding the substrate G on the pallet P 1 , each support roller 142 abuts on and supports the lower surface of the substrate G and rotates by a roller driving mechanism 143 configured to be detachable from the pallet P 1. It is moved in the horizontal direction of the substrate G Te, from the pallet P 1 to another member, or for transferring the substrate G into the pallet P 1 from other members.

また、図14(b)に示すように、各支持ローラ142の周囲には、基板Gが支持ローラ142によって確実に搬送されるように、基板Gの裏面側両縁部の前記支持ローラ142との当接部周囲を負圧にして基板GをパレットP側へ引付けるための吸引孔144が、例えば6個ずつ設けられている。各吸引孔144は、パレットPの側部に設けられた接続口144aに連通しており、この接続口144aは、図示しない真空ポンプなどの吸引機構に着脱自在に接続できるように構成されている。 Further, as shown in FIG. 14B, the support rollers 142 on both edges of the back surface of the substrate G are disposed around the support rollers 142 so that the substrate G is reliably conveyed by the support rollers 142. abutment suction hole 144 for attracting ambient in the vacuum substrate G to the pallet P 1 side is provided for example by six. Each suction hole 144 is communicated with the connection port 144a provided on the side of the pallet P 1, the connection port 144a is configured to be detachably connected to a suction mechanism such as a vacuum pump (not shown) Yes.

図15(a)〜(e)は、図14に示したパレットPを用い、加熱処理室38の昇降装置81に基板Gを受渡す際の手順を示している。本実施形態では、支持ローラ142を具備したパレットPを用いることにより、コロ搬送装置121のコロ122が不要になる点以外は、図5〜図8に示すものと同様の昇降装置81,82において基板Gをパレット搬送できる。 Figure 15 (a) ~ (e) uses a pallet P 1 shown in FIG. 14 shows the procedure when to transfer the substrate G to the lifting device 81 of the heat treatment chamber 38. In the present embodiment, by using the pallet P 1 having the support roller 142, the lifting devices 81 and 82 similar to those shown in FIGS. 5 to 8 except that the roller 122 of the roller transport device 121 is unnecessary. The substrate G can be pallet transported.

まず、図15(a)の如く、パレットPがパレット循環装置120のローラ120aの回転によって冷却処理室39から下部開口80bを介して加熱処理室38に搬送される。次に、図15(b)に示すように、パレットPが基板Gの受取位置に到達すると、支持ローラ142を駆動するためのモータなどを備えたローラ駆動機構143と、基板Gを浮上させるためにパレットP表面の気体吹き出し孔140から気体を噴出させるための図示しない気体供給機構と、基板Gを支持ローラ142に確実に接触させるため支持ローラ142の周囲の吸引孔144を介して基板Gを吸引するための図示しない吸引機構が、それぞれパレットPに接続される。 First, as in FIG. 15 (a), the pallet P 1 is conveyed from the cooling processing chamber 39 by the rotation of the roller 120a of the pallet circulation system 120 to the heating chamber 38 through the lower opening 80b. Next, as shown in FIG. 15B, when the pallet P 1 reaches the receiving position of the substrate G, the substrate G is floated with the roller driving mechanism 143 including a motor for driving the support roller 142. For this purpose, a gas supply mechanism (not shown) for ejecting gas from the gas blowing holes 140 on the surface of the pallet P 1 and a substrate through the suction holes 144 around the support roller 142 to securely contact the substrate G with the support roller 142. suction mechanism (not shown) for sucking G are connected to each pallet P 1.

次に、図15(c)に示すように、i線UVユニット(i−UV)25の側から搬入口83を介して基板Gが加熱処理室38内に搬入されると、気体吹き出し孔140から気体を吹き出させて基板Gを浮上させつつ、吸引孔144を介して基板G裏面の縁部を吸引しながら支持ローラ142を回転駆動させて基板Gを受け取る。そして、図15(d)に示すように、パレットPが基板Gを受取り、基板GがパレットPに支持されると、支持ローラ142の回転を停止し、気体吹き出し孔140からの気体の吹き出しおよび吸引孔144からの吸引を停止する。そして、支持ローラ142を駆動するローラ駆動機構、気体供給機構および吸引機構をパレットPから取り外す。 Next, as shown in FIG. 15C, when the substrate G is carried into the heat treatment chamber 38 from the i-line UV unit (i-UV) 25 side through the carry-in port 83, the gas blowing holes 140 are formed. The substrate G is received by blowing and rotating the support roller 142 while sucking the edge of the back surface of the substrate G through the suction hole 144 while blowing the gas from the substrate and floating the substrate G. Then, as shown in FIG. 15D, when the pallet P 1 receives the substrate G and the substrate G is supported by the pallet P 1 , the rotation of the support roller 142 is stopped, and the gas from the gas blowing hole 140 is removed. The suction and suction from the suction hole 144 are stopped. The roller drive mechanism for driving the support roller 142, remove the gas supply mechanism and the suction mechanism from the pallet P 1.

次に、図15(e)に示すように、図示しない昇降機構によってパレット押上げ部材150を上昇させてパレットPを下方から持ち上げる。このパレット押上げ部材150は、図5〜図8に示す実施形態のコロ搬送装置121におけるパレット押上げ部123に相当する部材である。そして、パレット押上げ部材150をさらに上昇させ、基板Gを載置した状態のパレットPを昇降装置81のベルト駆動機構101a,101bの最下位のパレット支持部107の位置まで上昇させる。このようにして、基板Gを載置した状態のパレットPが最下位のパレット支持部107に受渡される。 Next, as shown in FIG. 15 (e), by raising the pallet push-up member 150 by an elevator mechanism (not shown) lifts the pallet P 1 from below. The pallet lifting member 150 is a member corresponding to the pallet lifting portion 123 in the roller transport device 121 according to the embodiment shown in FIGS. Then, the pallet lifting member 150 is further raised, and the pallet P 1 on which the substrate G is placed is raised to the position of the lowest pallet support portion 107 of the belt driving mechanisms 101 a and 101 b of the lifting device 81. In this way, the pallet P 1 on which the substrate G is placed is delivered to the lowest pallet support unit 107.

基板Gを載置した状態のパレットPは、昇降装置81に受渡され、加熱処理室38内を所定速度で上昇していく。以降はパレットPを使用する場合と同様に、加熱処理室38内および冷却処理室39内において基板Gのパレット搬送が行なわれる。
すなわち、パレットPに載置された基板Gは、その上昇過程で所定時間かけて加熱される。基板Gを載置した状態のパレットPは、加熱処理室38の上部に到達すると、前記受渡し機構(図10および図11参照)によって、昇降装置81のベルト駆動機構101a,101bのパレット支持部107から、仕切り壁80の上部開口80aを介して冷却処理室39の昇降装置82のベルト駆動機構101c,101dの最上位のパレット支持部107に搬送される。そして、基板Gを載置した状態のパレットPは、昇降装置82のベルト駆動機構101c,101dにより支持されつつ、冷却処理室39内を所定速度で下降する。
Pallet P 1 in a state of mounting the substrate G is delivery to the lifting device 81, it rises the heat treatment chamber 38 at a predetermined speed. Thereafter, similarly to the case where the pallet P is used, the pallet of the substrate G is transported in the heat processing chamber 38 and the cooling processing chamber 39.
That is, the substrate G placed on the pallet P 1 is heated over a predetermined time, the rise process. When the pallet P 1 on which the substrate G is placed reaches the upper part of the heat treatment chamber 38, the pallet support portions of the belt drive mechanisms 101a and 101b of the elevating device 81 are moved by the delivery mechanism (see FIGS. 10 and 11). From 107, it is conveyed through the upper opening 80a of the partition wall 80 to the uppermost pallet support part 107 of the belt drive mechanisms 101c, 101d of the lifting device 82 of the cooling processing chamber 39. Then, the pallet P 1 on which the substrate G is placed is lowered at a predetermined speed in the cooling processing chamber 39 while being supported by the belt driving mechanisms 101c and 101d of the elevating device 82.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない有機膜等の絶縁膜や、カラーフィルタ用の色彩レジスト膜などであってもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to such a form. For example, in the above description, a resist film is taken up as a coating film. However, the coating film is not limited to this, and an insulating film such as an antireflection film or a non-photosensitive organic film, or for a color filter. The color resist film may be used.

また、本発明は、LCD用のガラス基板の処理に限らず、例えば発光ダイオード(LED)ディスプレイ、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、蛍光表示管(Vacuum Fluorescent Display;VFD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)等に使用する各種FPD用基板に塗布膜の形成を行う場合にも同様に適用できる。   Further, the present invention is not limited to the processing of a glass substrate for LCD, but for example, a light emitting diode (LED) display, an electroluminescence (EL) display, a fluorescent display tube (VFD), a plasma display panel. The present invention can be similarly applied to the case where a coating film is formed on various FPD substrates used for (PDP) or the like.

また、上記実施形態では、第3の熱的処理ユニットセクション28に昇降式の加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)37を配備して現像処理後のポストベーク処理と冷却処理を行うようにしたが、加熱・冷却を行う処理であれば第3の熱的処理ユニットセクション28に限らず、例えば第1の熱的処理ユニットセクションにおける脱水ベーク処理およびその後の冷却処理や、第2の熱的処理ユニットセクションにおけるプリベーク処理およびその後の冷却処理にも適用できる。   Further, in the above embodiment, the elevating type heating / cooling processing unit (POBAKE / COL) 37 is provided in the third thermal processing unit section 28 to perform post-baking processing and cooling processing after the development processing. However, the heating / cooling process is not limited to the third thermal processing unit section 28. For example, the dehydration baking process in the first thermal processing unit section and the subsequent cooling process or the second thermal process are performed. It can also be applied to the pre-baking process in the unit section and the subsequent cooling process.

本発明は、FPD用基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成後や現像後に、熱的処理を行う場合に好適に利用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be suitably used when a thermal treatment is performed after a coating film such as a resist film is formed or developed on a large substrate such as an FPD substrate.

本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布現像処理装置の概略平面図。1 is a schematic plan view of a resist coating and developing treatment apparatus including a resist coating apparatus that is an embodiment of the present invention. レジスト処理ユニットの内部を示す平面図。The top view which shows the inside of a resist processing unit. 図1に示したレジスト塗布現像処理装置の第1の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 1st thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus shown in FIG. 図1に示したレジスト塗布現像処理装置の第2の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 2nd thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus shown in FIG. 加熱・冷却処理装置の概略構成を示す模式図。The schematic diagram which shows schematic structure of a heating / cooling processing apparatus. 昇降装置の説明に供する要部斜視図。The principal part perspective view with which it uses for description of a raising / lowering apparatus. 加熱処理装置における昇降装置の説明に供する側面図。The side view with which it uses for description of the raising / lowering apparatus in a heat processing apparatus. 冷却処理装置における昇降装置の説明に供する側面図。The side view with which it uses for description of the raising / lowering apparatus in a cooling processing apparatus. パレットの説明に供する斜視図。The perspective view with which it uses for description of a pallet. 上部開口を介して行われる加熱処理室から冷却処理室への基板の受渡し機構の説明に供する図面。The figure which uses for description of the delivery mechanism of the board | substrate from the heat processing chamber to a cooling processing chamber performed through upper opening. 受渡し機構の説明に供する要部拡大図。The principal part enlarged view with which it uses for description of a delivery mechanism. 下部開口を介して行われる冷却処理室から加熱処理室へのパレットの受渡し機構の説明に供する図面。The figure which uses for description of the delivery mechanism of the pallet from the cooling process chamber to a heat processing chamber performed via a lower opening. コロ搬送装置の動作説明に供する模式図。The schematic diagram with which it uses for operation | movement description of a roller conveyance apparatus. 別の態様のパレットの説明に供する図面であり、(a)は全体斜視図、(b)は要部拡大図。It is drawing used for description of the pallet of another aspect, (a) is a whole perspective view, (b) is a principal part enlarged view. 別の実施形態にかかるコロ搬送装置の動作説明に供する模式図。The schematic diagram with which it uses for operation | movement description of the roller conveying apparatus concerning another embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1……カセットステーション
2……処理ステーション
3……インターフェイスステーション
21……スクラブ洗浄処理ユニット(液処理ユニット)
23……レジスト処理ユニット(液処理ユニット)
24……現像処理ユニット(液処理ユニット)
26……第1の熱的処理ユニットセクション
27……第2の熱的処理ユニットセクション
28……第3の熱的処理ユニットセクション
31,32,34,35……熱的処理ユニットブロック
33……第1の搬送装置
36……第2の搬送装置
37……加熱・冷却処理ユニット(POBAKE・COL)
38……加熱処理室
39……冷却処理室
40……空間
77……発熱部
78……送風装置
79……排気装置
80……仕切り壁
81,82……昇降装置
100……レジスト塗布現像処理装置(処理装置)
101a,101b,101c,101d……ベルト駆動機構
201……制御部
202……コントローラ
203……ユーザーインターフェイス
204……記憶部
G……基板
P……パレット
1 …… Cassette station 2 …… Processing station 3 …… Interface station 21 …… Scrub cleaning unit (liquid processing unit)
23 …… Resist processing unit (liquid processing unit)
24 …… Development processing unit (liquid processing unit)
26... First thermal processing unit section 27... Second thermal processing unit section 28... Third thermal processing unit section 31, 32, 34, 35. First transport device 36... Second transport device 37... Heating / cooling processing unit (POBAKE / COL)
38 ... Heat treatment chamber 39 ... Cooling treatment chamber 40 ... Space 77 ... Heat generating part 78 ... Blower 79 ... Exhaust device 80 ... Partition wall 81, 82 ... Lifting device 100 ... Resist coating and developing process Equipment (processing equipment)
101a, 101b, 101c, 101d ... belt drive mechanism 201 ... control unit 202 ... controller 203 ... user interface 204 ... storage unit G ... substrate P ... pallet

Claims (15)

被処理基板に対して加熱処理および冷却処理を行う加熱・冷却処理装置であって、
加熱手段を備え、被処理基板を加熱する加熱処理室と、
前記加熱処理室内で、複数の被処理基板を上昇および/または下降させる昇降装置と、
前記加熱処理室に隣接して設けられ、加熱処理後の被処理基板を冷却する冷却処理室と、
前記冷却処理室内で、複数の被処理基板を上昇および/または下降させる昇降装置と、
前記加熱処理室と前記冷却処理室との間に形成され、被処理基板を受渡しする開口部と、
を備えたことを特徴とする、加熱・冷却処理装置。
A heating / cooling processing apparatus for performing a heating process and a cooling process on a substrate to be processed,
A heat treatment chamber provided with a heating means for heating the substrate to be processed;
An elevating device for raising and / or lowering a plurality of substrates to be treated in the heat treatment chamber;
A cooling treatment chamber provided adjacent to the heat treatment chamber for cooling the substrate to be processed after the heat treatment;
An elevating device for raising and / or lowering a plurality of substrates to be treated in the cooling treatment chamber;
An opening formed between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber and delivering a substrate to be treated;
A heating / cooling processing apparatus, comprising:
前記昇降装置は、被処理基板をパレットに載置した状態で上昇および/または下降させることを特徴とする、請求項1に記載の加熱・冷却処理装置。   The heating / cooling processing apparatus according to claim 1, wherein the elevating device raises and / or lowers the substrate to be processed on a pallet. 前記昇降装置は、被処理基板の搬送経路の両側に対向配備され、前記パレットに係合してこれを支持する複数のパレット支持部を循環変位させる一対のベルト駆動機構を備えていることを特徴とする、請求項2に記載の加熱・冷却処理装置。   The lifting device includes a pair of belt drive mechanisms that are disposed opposite to each other on both sides of a transport path of a substrate to be processed, and that circulate and displace a plurality of pallet support portions that engage with and support the pallet. The heating / cooling processing apparatus according to claim 2. 前記パレット支持部には複数のローラが設けられており、前記加熱処理室の昇降装置のパレット支持部のローラと、前記冷却処理室の昇降装置のパレット支持部のローラとを、前記開口部を介して連動させることにより、被処理基板を前記パレットに載置した状態で前記加熱処理室から前記冷却処理室に搬送する搬送機構を備えていることを特徴とする、請求項3に記載の加熱・冷却処理装置。   The pallet support portion is provided with a plurality of rollers, and the pallet support portion roller of the elevating device of the heat treatment chamber and the pallet support portion roller of the elevating device of the cooling treatment chamber are connected to the opening portion. 4. The heating according to claim 3, further comprising a transfer mechanism that transfers the substrate to be processed from the heat treatment chamber to the cooling treatment chamber in a state where the substrate is placed on the pallet. -Cooling processing equipment. 前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環搬送するパレット循環機構を備えたことを特徴とする、請求項4に記載の加熱・冷却処理装置。   The heating / cooling processing apparatus according to claim 4, further comprising a pallet circulation mechanism that circulates and conveys the pallet between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber. 前記パレットには、載置される被処理基板の裏面に当接してこれを支持するとともに、回転駆動して被処理基板を水平移動させる支持ローラが配設されていることを特徴とする、請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の加熱・冷却処理装置。   The pallet is provided with a support roller that abuts on and supports the back surface of the substrate to be processed and that rotates and horizontally moves the substrate to be processed. The heating / cooling processing apparatus according to any one of claims 2 to 5. 前記支持ローラの周囲には、被処理基板を引き寄せる吸引孔が設けられていることを特徴とする、請求項2から請求項6のいずれか1項に記載の加熱・冷却処理装置。   7. The heating / cooling processing apparatus according to claim 2, wherein a suction hole for drawing a substrate to be processed is provided around the support roller. 前記パレットには、被処理基板の裏面側に向けて気体を吹き付ける気体吹き出し孔が設けられていることを特徴とする、請求項2から請求項7のいずれか1項に記載の加熱・冷却処理装置。   The heating / cooling process according to any one of claims 2 to 7, wherein the pallet is provided with a gas blowing hole for blowing gas toward a back surface side of the substrate to be processed. apparatus. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置において、前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う熱的処理ユニットとして組み込まれることを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の加熱・冷却処理装置。   The substrate processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed is incorporated as a thermal processing unit for performing a thermal process associated with the plurality of liquid processes. The heating / cooling processing apparatus according to any one of claims 1 to 8. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置であって、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の加熱・冷却処理装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置。   A substrate processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed, comprising the heating / cooling processing apparatus according to any one of claims 1 to 8. A substrate processing apparatus. 基板処理装置において、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理行う基板処理方法であって、
加熱手段を備えた加熱処理室で、被処理基板を上昇および/または下降させながら加熱する加熱処理工程と、
前記加熱処理工程後の被処理基板を、冷却手段を備えた冷却処理室内に搬送する搬送工程と、
前記冷却処理室内で、被処理基板を上昇および/または下降させながら冷却する冷却処理工程と、
を備えたことを特徴とする、基板処理方法。
In a substrate processing apparatus, a substrate processing method for performing heat treatment and cooling processing on a substrate to be processed,
A heat treatment step of heating while raising and / or lowering the substrate to be treated in a heat treatment chamber provided with a heating means;
A transporting step of transporting the substrate to be processed after the heat treatment step into a cooling processing chamber provided with a cooling means;
A cooling process step of cooling the substrate to be processed while being raised and / or lowered in the cooling treatment chamber;
A substrate processing method comprising:
前記加熱処理工程および前記冷却処理工程を、被処理基板をパレット上に載置した状態で行うことを特徴とする、請求項11に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 11, wherein the heat treatment step and the cooling treatment step are performed in a state where a substrate to be processed is placed on a pallet. 前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環使用することを特徴とする、請求項11または請求項12に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 11, wherein the pallet is circulated between the heat treatment chamber and the cooling treatment chamber. コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項11から請求項13のいずれか1項に記載された基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。   A control program that operates on a computer and controls the substrate processing apparatus so that the substrate processing method according to any one of claims 11 to 13 is performed at the time of execution. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項11から請求項13のいずれか1項に記載された基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。   A computer storage medium storing a control program that runs on a computer, wherein the control program is executed so that the substrate processing method according to any one of claims 11 to 13 is performed. A computer storage medium for controlling the substrate processing apparatus.
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