JP2007052430A - 改良型cplマスクおよびこれを作製するための方法およびプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも1つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。
【選択図】 図4
Description
本発明自体は、さらなる目的や利点とともに、以下の詳細な説明および添付図面を参照することでさらによく理解できる。
−放射の投影ビームPBを供給するための放射システムEx,IL。この特定のケースでは、放射システムは放射源LAをも備えている。
−マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスクホルダを備え、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1位置決め手段に接続された第1オブジェクトテーブル(マスクテーブル)MT。
−基板W(例えばレジストコートシリコンウェーハ)を保持するための基板ホルダを備え、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2位置決め手段に接続された第2オブジェクトテーブル(基板テーブル)WT。
−マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又はそれ以上のダイを備える)に結像するための投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折、反射、または反射屈折光学システム)。
−ステップモードでは、マスクテーブルMTは実質的に静止状態に保たれ、全マスクイメージが一度に(すなわち一回の「フラッシュ」で)ターゲット部分Cに投影される。基板テーブルWTはその後、異なるターゲット部分CがビームPBで照射されるようにx方向および/またはy方向に移動される。
−スキャンモードでは、あるターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない点を除いて、実質的に同じシナリオが適用される。その代わりに、マスクテーブルMTは、速度νで所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に移動可能であり、投影ビームPBは、マスクイメージ上を走査する。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mνで同一または逆方向に同時に移動される。ここで、MはレンズPLの倍率である(通常はM=1/4または1/5)。この方式において、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Cを露出することが可能となる。
Claims (16)
- 複数の特徴を備えるパターンをプリントするためのマスクを作製する方法であって、
当該方法は、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも1つを形成するステップと
を含み、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記クロム層の光透過率が0パーセントであることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記クロム層が所定パーセントの光透過を可能にすることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記メサの前記所定高さが、メサを通過する光に対するπ位相シフトもしくは2π位相シフトに対応することを特徴とする方法。 - コンピュータにより読み取り可能な記録媒体と、複数の特徴を持つターゲットパターンの結像を行うためのマスクを表すファイルをコンピュータが生成するよう命令するための記録媒体上に記録された手段とを備える、コンピュータを制御するためのコンピュータプログラムであって、
プロセスは、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで形成される前記複数の特徴の少なくとも1つを規定するステップと
を含み、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項5に記載のコンピュータプログラムであって、
前記クロム層の光透過率が0パーセントであることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項5に記載のコンピュータプログラムであって、
前記クロム層が所定パーセントの光透過を可能にすることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項5に記載のコンピュータプログラムであって、
前記メサの前記所定高さが、メサを通過する光に対するπ位相シフトもしくは2π位相シフトに対応することを特徴とするコンピュータプログラム。 - 複数の特徴を備えるパターンをプリントするためのマスクを作製する方法であって、
前記方法は、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面に光透過性位相シフト材料を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも1つを形成するステップと
を含み、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記光透過性位相シフト材料が、所定パーセントの透過率と所定位相シフトを持つことを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記メサの前記所定高さが、メサを通過する光に対してπ位相シフトもしくは2π位相シフトに対応することを特徴とする方法。 - コンピュータにより読み取り可能な記録媒体と、複数の特徴を持つターゲットパターンの結像を行うためのマスクを表すファイルをコンピュータが生成するよう命令するための記録媒体上に記録された手段とを備える、コンピュータを制御するためのコンピュータプログラムであって、
プロセスは、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面に光透過性位相シフト材料を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも1つを規定するステップと
を含み、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項12に記載のコンピュータプログラムであって、
前記光透過性位相シフト材料が、所定パーセントの透過率と所定位相シフトを持つことを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項12に記載のコンピュータプログラムであって、
前記メサの前記所定高さが、メサを通過する光に対するπ位相シフトもしくは2π位相シフトに対応することを特徴とするコンピュータプログラム。 - デバイス製造方法であって、
(a)放射線感応性材料層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
(b)結像システムを用いて放射の投影ビームを提供するステップと、
(c)断面内にパターンを持つ投影ビームを与えるために用いられるマスクを生成するステップと、
(d)放射のパターン形成されたビームを放射線感応性材料層のターゲット部分に投影するステップとを含み、
ステップ(c)において、前記マスクが、
複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも1つを形成するステップと
を含む方法により形成され、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とするデバイス製造方法。 - デバイス製造方法であって、
(a)放射線感応性材料層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
(b)結像システムを用いて放射の投影ビームを提供するステップと、
(c)断面内にパターンを持つ投影ビームを与えるために用いられるマスクを生成するステップと、
(d)放射のパターン形成されたビームを放射線感応性材料層のターゲット部分に投影するステップとを含み、
ステップ(c)において、前記マスクが、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
前記基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面に光透過性位相シフト材料を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも1つを規定するステップと
を含む方法により形成され、
前記メサが所定高さを持つことを特徴とするデバイス製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5446521A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-29 | Intel Corporation | Phase-shifted opaquing ring |
JP2003075986A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2003107671A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Sony Corp | 位相シフトマスクにおける欠陥仕様の決定方法 |
US20030077519A1 (en) * | 2001-02-09 | 2003-04-24 | Nanya Technology Corporation | Alternative pms with new phase conflict canceling method |
JP2004093711A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | 位相シフトマスク |
US20040063002A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-01 | Wu Wei E. | Photomask having line end phase anchors |
JP2004151717A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-05-27 | Asml Masktools Bv | フルチップcpl製造におけるcd線形コントロールの方法 |
JP2004219912A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの製造方法、マスク及び半導体装置の製造方法 |
US20050019673A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Kunal Taravade | Attenuated film with etched quartz phase shift mask |
JP2005215617A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク及びその製造方法並びに露光方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6605481B1 (en) | 2002-03-08 | 2003-08-12 | Numerical Technologies, Inc. | Facilitating an adjustable level of phase shifting during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit |
US7014962B2 (en) * | 2003-09-13 | 2006-03-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd | Half tone alternating phase shift masks |
US7556891B2 (en) * | 2004-10-25 | 2009-07-07 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method and apparatus for contact hole unit cell formation |
TWI297101B (en) * | 2005-04-20 | 2008-05-21 | Nanya Technology Corp | Phase shifting mask for equal line/space dense line patterns |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5446521A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-29 | Intel Corporation | Phase-shifted opaquing ring |
US20030077519A1 (en) * | 2001-02-09 | 2003-04-24 | Nanya Technology Corporation | Alternative pms with new phase conflict canceling method |
JP2003075986A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2003107671A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Sony Corp | 位相シフトマスクにおける欠陥仕様の決定方法 |
JP2004093711A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | 位相シフトマスク |
JP2004151717A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-05-27 | Asml Masktools Bv | フルチップcpl製造におけるcd線形コントロールの方法 |
US20040063002A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-01 | Wu Wei E. | Photomask having line end phase anchors |
JP2004219912A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Fujitsu Ltd | 露光用マスクの製造方法、マスク及び半導体装置の製造方法 |
US20050019673A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Kunal Taravade | Attenuated film with etched quartz phase shift mask |
JP2005215617A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク及びその製造方法並びに露光方法 |
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