JP2007049147A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ワークピースにプラズマ処理を行う各処理ステーション間で気圧の均衡を保ちながら、帯電粒子が互いに干渉されず、各処理ステーションの処理条件の均一性を高めるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内には少なくとも二個の処理ステーションを含み、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、前記仕切り壁には少なくともひとつの通路が設置され、かつその通路の幅と長さの比は三分の一より小さいものである。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体もしくは集積回路の製造技術に関し、特に、複数枚の半導体ワークピースを同時に処理できるプラズマ処理装置に関する。

現在、常用されている半導体ワークピース処理システムは二種類あり、その一つは半導体ワークピースをバッチ処理するシステムであり、もう一つは半導体ワークピースに対して枚葉処理を行うシステムである。

枚葉処理システムは、製品の処理における均一性や、熱効果及び単一ロットの加工速度などの面においては優れているが、低生産性及び高い生産コストなどの避けられない欠点がある。

バッチ処理システムにおいて、複数枚の半導体ワークピースを同時に水平もしくは垂直に配置して処理を行う。例として特許文献１によると、半導体ワークピースをバッチ処理できる多種の処理装置が記載されている。これらの処理装置は、多角形（例として矩形の場合が多い）もしくは円形の処理チャンバを備え、これらの処理チャンバ内には複数の処理ステーションを有し、各処理ステーション毎に一枚の半導体ワークピースが配置されていた。

米国特許第ＵＳ５８５５６８１号明細書

半導体製造過程において、処理結果の均一性を確保するために、各半導体ワークピースに対する処理条件を一致させなければならない。しかし、一般的にバッチ処理システムの場合は、加熱設備、ガス供給設備、吸気・排気設備、プラズマ発生装置などのような設備が共用されている。これらの設備の共有により、必然的に半導体ワークピースに対する処理に対する処理が不均一になる。

RFエネルギーにより励起された活性粒子を持つプラズマによる半導体ワークピースの処理において、半導体ワークピースへの成膜もしくはエッチングのための製造手法では、プラズマの均一性の向上はより厳密に考慮されなければならないことが知られている。これまで、プラズマ処理の均一性を向上させるために、多くの研究活動はガス圧力とRFエネルギの制御について割かれてきた。そのうちＲＦエネルギー導入の均一性制御は相対的に易しく、チャンバ筐体内部のガス圧力を均一にさせることは比較的困難な試みである。

プラズマ処理チャンバ内部のガス圧力を均一にするために、二種の方法が用いられてきた。一つはチャンバ内の各処理ステーションを隔離し、できるだけ構造上の一致性を保ち、更にガス及び電気入力装置も可能な限り一致させる方法である。それゆえにステーションの機械加工精度を厳格に行う必要もあるが、機械加工の誤差や磨耗による変形はある程度存在するものであり、そのうえ各ステーションの幾何位置の差を解消し難いものである。そのため、このような方法では、それぞれの処理ステーションにおいて処理条件に差異が生じることとなり、同一ロットの半導体工程ワークのプラズマ処理に対する均一性を厳格に保障しがたい。もうひとつの方法としては、それぞれの各処理ステーションを密封せずに、それによって生じる気体の流れにより、それぞれの処理ステーションを連結させる方法である。この場合は各ステーション間のガス圧力を均一に保つことができ、プラズマ中の中性粒子の密度分布も均一にすることが出来る。しかし、処理チャンバ内部が封じられていないため、帯電粒子がそれぞれのプロセス領域で互いに干渉し合う。この帯電粒子の干渉は処理ステーション内の電界分布に影響し、更にそれぞれの処理ステーションにおける半導体ワークピースへのプラズマ処理の均一性を劣化させてしまう。

したがって、処理ステーション間で気圧の均衡を保ちながら、帯電粒子を互いに干渉させないプラズマ処理装置が必要であるが、現在に至るまで、関連装置は市販されていないし、関連する特許または技術文献も見当たらない。

本発明の目的は、従来の技術の欠陥を克服し、プラズマで半導体ワークピースをバッチ処理する時、各処理ステーション間の気圧を均衡させ、かつ帯電粒子同士の相互干渉を防げるプラズマ処理装置及びその処理方法を提供することにある。

本発明は、プラズマ処理装置はチャンバ筐体を備え、そのチャンバ筐体内には少なくとも二つの処理ステーションが収納され、これらの処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、処理ステーションの間の仕切り壁には少なくとも一つの通路が設置され、且つ通路の幅と長さの比は三分の一より小さい、という技術方案により実現するものである。

その中、上述した通路にはスイッチを有し、必要に応じて通路を閉じたり、開いたり出来る。

本発明は、もうひとつの技術方案を提案する。プラズマ処理装置はチャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内には少なくとも二個の処理ステーションが収納され、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、二個の処理ステーションの間が貫通されるように仕切り壁に開口が設置され、この開口内部には調節可能なバルブ状ユニットを備え、そのバルブ状ユニットは開口の幅と長さの比を三分の一より小さくなるように、開口の大きさを調節することができる。そのうち、上述したバルブ状ユニットは開口を完全に閉鎖することができる。

本発明の更に別の技術方案では、プラズマ処理装置はチャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内には少なくとも二個の処理ステーションが収納され、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、二個の処理ステーションの間が貫通されるように、仕切り壁に開口が設置され、処理ステーションの内壁にはこの処理ステーション内壁に密接する保護装置が設置され、この保護装置には内側と外側を貫通する通路を備え、且つ通路の幅と長さの比は三分の一より小さいものである。

その中、上述した保護装置は仕切り壁に沿って上下移動でき、この保護装置は可動装置によって牽引が制御され、必要に応じて異なる位置に移動することができる。該異なる位置は、少なくとも、保護装置が開口を塞がない位置と、保護装置が開口を塞ぎ、且つ通路と開口が連通しない位置と、保護装置が開口を塞ぎ、通路と開口が連通する位置とを含む。これらの異なる位置は可動装置で保護装置を連続牽引し移動させることにより得られ、もしくは上述の異なる位置を三つの枠と定義し、これにより保護装置が枠を切り換えることによって位置変更を実現する。

本発明の更に別の技術方案では、プラズマ処理装置はチャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内に少なくとも二個の処理ステーションが収納され、各処理ステーションは第一電極と第二電極を含み、この第一電極の周囲には接地リングを備え、チャンバ筐体壁には半導体ワークピースが出入するための搬送口を備え、チャンバ筐体内に処理が行われる時に該搬送口を閉鎖するように、該処理ステーションの内壁に保護装置が設置され、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、仕切り壁の上端に開口が設置され、開口と各処理ステーションの接地リングと仕切り壁とでは、連通チャンバ筐体を形成し、上述した保護装置の幅は接地リングから仕切り壁までの間の隙間に等しく、保護装置はこの隙間の間で上下移動できる。そのうち、この保護装置には通路が設置され、この通路の一つのポートは、保護装置の最上部にあり、もう一つのポートは保護装置の内側にあり、通路の幅と長さの比は三分の一より小さいものである。保護装置の厚さは仕切り壁の上端の開口の断面積より大きいものである。

その中、上述した保護装置は可動装置によって牽引が制御され、必要に応じて異なる位置に移動することができる。該異なる位置は、少なくとも、保護装置が搬送口の位置を塞ぎ、且つ保護装置の一部が接地リングから仕切り壁までの間の隙間にある位置と、保護装置が搬送口を塞がない位置とを含む。これらの異なる位置はで保護装置を連続牽引し移動させることにより得られ、もしくは上述の異なる位置を二つの枠と定義し、これにより保護装置が枠を切り換えることによって位置変更を実現する。

以上の技術方案において、上述した通路は一個もしくは複数である。通路は直線状もしくは非直線状である。該プラズマ処理装置は、プラズマ処理の成膜設備またはプラズマエッチング設備である。

本発明の通路は中性粒子の拡散通過を保証し、処理ステーションの間の気圧バランスを保つことができる一方で、帯電粒子が処理ステーション領域の電界中において速い移動速度と方向性を備えているため、大多数の帯電粒子はその方向性と速度によって通路壁にぶつかり、通過できなくなる。

実験により、通路の幅と長さの比が三分の一より小さい場合、大多数の帯電粒子は通過できないため、帯電粒子同士の相互干渉を避けることができる、ということが判明した。本発明は、各処理ステーション領域同士に均一な処理条件を備えることを保障できる。更に、本発明は、各処理ステーションを完全に連通させる状態と、完全に隔離させる状態とに設置することができ、異なる製造工程における要求を満たし、比較的高い適性及び有効性を有する。

本発明のプラズマ処理装置は、各処理ステーション間に気圧の均衡を保ち、帯電粒子が相互に干渉されず、各処理ステーションの処理条件の均一性を高めるという利点がある。

以下は、図面を参照しながら本発明の詳細について説明する。
図１と図２は、従来の半導体ワークピースのバッチ処理システムの構造図である。従来の半導体ワークピースのバッチ処理システムの処理チャンバ１は、その形状が最もよく見られる矩形（図1参照）と円形(図２参照)である。この処理チャンバ１内には、少なくとも二個の円形の処理ステーション２を備える。これらの処理ステーション２の間に仕切り壁を設置しなくてもよく、完全密封にしてもよい。

図３は、本発明のプラズマ処理装置の一つの実施例の構造を示す模式図である。この実施例において、プラズマ処理チャンバ１０は、チャンバ筐体１１と、チャンバ筐体１１に収納される複数の処理ステーション２０とを備え、この処理ステーション２０は上電極１２ａと下電極１２ｂとを含む。処理ステーション２０は、図１及び図２に示すように二個もしくはそれ以上でもよく、配列方式は多種多様でもよい。本実施例において、説明を簡潔するために、二個の処理ステーション２０を例とする。

図３における二個の処理ステーション２０の間は、仕切り壁１３によって仕切られ、該仕切り壁１３には開口１９が形成され、この開口１９によって二個の処理ステーション２０を連通する。該処理ステーション２０の内壁にこの内壁に密接する保護装置１６が設置されている。これらの保護装置１６には貫通された通路１７が設置され、これらの通路１７の幅と長さの比が三分の一より小さいものである。このような通路１７は、中性粒子の拡散による通過を保障すると同時に、二つの処理ステーション２０間の気圧バランスを保つ一方で、帯電粒子が処理ステーション２０の電界内で速い移動速度と方向性を備えるため、多数の帯電粒子はその方向性と速度により通路１７壁にぶつかり、通過できなくなる。実験で証明されたように、通路１７の幅と長さの比が三分の一より小さい時、大多数の帯電粒子は通過できず、帯電粒子同士による相互干渉を防ぐことができる。

そのうち、保護装置１６の位置は移動することができる。処理ステーション２０の間に気体を流通させる必要がある時、保護装置１６は開口１９を閉鎖しない位置に移動させることにより、気流が開口１９を通過して流動することができる。また、密封する必要がある場合、保護装置１６は開口１９を塞ぎ、且つ通路１７が開口１９と連通しない位置に移動させ、この時、通路１７は開口１９の位置に位置せず、仕切り壁１３に閉鎖され、また、開口１９が保護装置１６によって閉鎖されるため、二つの処理ステーション２０の間が完全に密封される。上述した背景技術で述べたように、プラズマ処理を行う時、中性粒子の自由移動が必要であるとともに、且つ帯電粒子の流動を阻む必要もある場合、保護装置１６を、開口１９を閉鎖でき、且つ通路１７が開口１９と対向する位置に移動することができる。これによって、中性粒子は気圧もしくは自由拡散の作用のもとで、通路１７と開口１９から構成されるルートを通り、処理ステーション２０間で流動し、帯電粒子は通路１７によって塞がれる。

これらの保護装置１６は可動装置１８で牽引を制御し、必要に応じて異なる位置に移動することができる。本実施例中では、少なくとも保護装置１６が三つの異なる位置に位置できることが確保され、すなわち、開口１９を塞がない位置と、開口１９を完全に塞ぎ、且つ通路１７が開口１９に対応しない位置と、開口１９を完全に塞ぎ、且つ通路１７と開口１９が連通される位置である。この三つの位置は、可動装置１８によって保護装置１６を連続牽引して移動させることによって実現でき、また、三つの枠と定義し、保護装置１６が枠を切換することによって位置変換できる。一般的に、このような三つの位置を実現するには、保護装置１６が処理ステーション２０内壁に密接する面積を該開口１９の断面積より大きくし、且つ保護装置１６の通路１７外側ポートの上側もしくは下側の少なくとも一側における面積を、開口１９の断面積より大きくすればよい。

以上は、本発明の好適な実施例の一つであり、実際に本発明の中性粒子を通過させ帯電粒子の相互干渉を防ぐ、という目的を実現するには、その他の実施例がある。図４に示すように、処理ステーション２０の間に上述した保護装置１６の通路１７を備えるだけでよい。したがって、簡略化した実施例として、処理ステーション２０の間の密封仕切り壁１３に通路１７ａが設置され、この通路１７ａの幅と長さの比は三分の一より小さいものである。処理ステーション２０の間を密封する必要がない、もしくは完全に流動させるプラズマ処理チャンバが必要とされていない場合、このような装置は、比較的均一なプラズマ処理条件を簡単に実現できる。

以上の実施例について更に改良した例としては、この通路１７ａはスイッチ(図未提示)を備え、必要に応じて該通路１７ａを閉じたり開けたりすることができる。さらに、この通路１７ａが仕切り壁１３に設置されたのは大きな開口でもよく、この開口には調節可能なバルブ状ユニット（図未提示）を備え、そのバルブ状ユニットは開口の大小を調節でき、必要に応じて開口の幅と長さの比を三分の一より小さく調節できる。

図５は、本発明のプラズマ処理装置の別の実施例の構造を示す模式図である。この実施例は実際の半導体製造処理技術への応用に適した実施例である。通常、プラズマ処理装置のチャンバ筐体１１は上電極１２ａ周辺に突出した接地リング１４を備える。本実施例は、この特徴を生かし、仕切り壁１３の上端に開口２１を設置し、その開口２１と各処理ステーション２０の接地リング１４及び仕切り壁１３によって連通部１５を形成する。このチャンバ筐体１１には半導体ワークピースが出入りする搬送口２２を備え、処理ステーションの内壁上には封鎖装置３０が設置されている。この封鎖装置３０はチャンバ筐体１１が処理を行う際に、搬送口２２を封鎖する。更に開口２１毎に、それぞれ保護装置１６が設置され、この保護装置１６は、その幅が接地リング１４から仕切り壁１３までの隙間に等しく、この隙間の間で上下移動できる。保護装置１６における通路１７の一つのポートは保護装置１６の頂端にあり、もう一つのポートは保護装置１６内側にある。通路１７の幅と長さの比は三分の一より小さい。保護装置１６の厚みは仕切り壁１３の上端開口の断面積より大きく、且つ封鎖装置３０の厚みは処理ステーション２０の上端から搬送口２２の上端までの距離より小さい。このように、封鎖装置３０を頂端まで引っ張ると、封鎖装置３０は搬送口２２が塞がない位置に位置し、これにより半導体ワークピースは搬送口を介して搬入・搬出することができる。保護装置１６と封鎖装置３０は一体に成型したものでもよく、それぞれ独立したものでもいい。

チャンバ筐体１１がプラズマ処理を行う時、封鎖装置３０を搬送口２２の位置まで引き下ろし、この時、封鎖装置３０は搬送口２２を塞ぎ、且つ保護装置１６の一部が接地リング１４から仕切り壁１３間の隙間の位置に位置し、粒子は通路１７と連通チャンバ筐体１５からなるルートを通じて流動できるだけである。同様に、保護装置１６及び封鎖装置３０は可動装置１８によって連続移動もしくは変動移動することができる。

図６は、本発明のプラズマ処理装置の保護装置における断面構造を示す模式図である。図６に示すように、本発明の通路１７は直線状でもよいし、非直線状、例えば曲線状もしくは折線状でもよく、通路１７は一個もしくは複数でもよい。その二つのポート位置は、実施例によって異なり、例えば図３に保護装置１６の内側、外側の両側に設置し、図５において内側、上側の両側に設置する。

図７は、本発明のプラズマ処理装置の保護装置１６を示す平面図である。従来のバッチ処理システムは、図１及び図２に示すように、同時に二個もしくは複数の処理ステーション２０を備えることができる。図３に示す実施例では、二個の処理ステーション２０の場合、保護装置１６はその他の処理ステーション２０と対向する側に通路１７を設置するだけでよい。また複数の処理ステーション２０の場合、処理ステーション２０と対向する側毎に一個もしくは多数個の通路17を設置する必要がある。図７では四個の隣り合う処理ステーション２０を備えた保護装置１６の場合を仮設している。図５に示す実施例では、連通チャンバ筐体１５がリング状であるため、保護装置１６のいかなる側に通路１７を設置しても同じ効果を得られる。好ましくは、保護装置の周囲の各位置に、均等に複数の通路１７を設置する。図７における通路１７の一つのポートは、保護装置１６の頂端にあり、且つ保護装置１６を牽引線によって移動できるように、牽引連接点１６１が設置されている。

本発明で説明したプラズマ処理設備は、プラズマを利用して半導体ワークピースを処理する各種の設備を含む。例として、プラズマ成膜設備、プラズマエッチング設備等がある。

以上、本発明に基づく好適な実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定られたものではない。本発明の装置に対し、いかなる本技術領域に周知された部品の切り替え、組み合わせ、分設を行ったこと、または本発明の実施手順について本技術領域に周知された変換や、取替えを行ったことは本発明の開示及び保護範囲に含まれる。

従来のバッチ処理システム構造の模式図である。 別の従来のバッチ処理システム構造の模式図である。 本発明のプラズマ処理装置の一つの実施例の構造の模式図である。 本発明のプラズマ処理装置の別の実施例の構造の模式図である。 本発明のプラズマ処理装置の更に別の実施例の構造の模式図である。 本発明のプラズマ処理装置の保護装置の断面構造の模式図である。 本発明のプラズマ処理装置の保護装置の平面図である。

符号の説明

１ 処理チャンバ
２ 処理ステーション
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ チャンバ筐体
１２ａ 上電極
１２ｂ 下電極
１３ 仕切り壁
１４ 接地リング
１５ 連通チャンバ筐体
１６ 保護装置
１６１ 牽引連接点
１７、１７ａ 通路
１８ 可動装置
１９、２１ 開口
２０ 処理ステーション
２２ 搬送口
３０ 封鎖装置

Claims (27)

1. チャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内に少なくとも二個の処理ステーションを含み、且つ処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られるプラズマ処理装置において、 前記仕切り壁に少なくとも一つの通路が設置され、この通路の幅と長さの比は三分の一より小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記通路は、スイッチを備え、必要に応じて通路を閉じたり、開いたりすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記通路は、直線状もしくは非直線状であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記プラズマ処理装置は、プラズマ成膜設備であることを特徴とする請求項１、２また３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記プラズマ処理装置は、プラズマエッチング設備であることを特徴とする請求項１、２または３に記載のプラズマ処理装置。
6. チャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内に少なくとも二個の処理ステーションを含み、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られるプラズマ処理装置において、
   前記仕切り壁に開口が設置されることにより、二つの処理ステーションの間は貫通され、この開口の内部には調節可能なバルブ状ユニットを備え、このバルブ状ユニットは、幅と長さの比が三分の一より小さくなるまでに、開口の大きさを調節できることを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 前記バルブ状ユニットは、開口を完全に閉じることができることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記開口は、直線状もしくは非直線状であることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記プラズマ処理装置は、プラズマ成膜設備であることを特徴とする請求項６、７または８に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記プラズマ処理装置は、プラズマエッチング設備であることを特徴とする請求項６、７または８に記載のプラズマ処理装置。
11. チャンバ筐体を備え、チャンバ筐体内に少なくとも二個の処理ステーションを含み、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られるプラズマ処理装置において、
    前記仕切り壁上開口が設置されることにより、二つの処理ステーションの間は貫通され、少なくとも一つの処理ステーションの内壁に、該処理ステーション内壁に密接する保護装置が設置され、この保護装置に内側と外側を貫通する通路を備え、通路の幅と長さの比は三分の一より小さく、保護装置は仕切り壁に沿って上下移動できることを特徴とするプラズマ処理装置。
12. 前記保護装置は、一つの可動装置によって牽引が制御され、必要に応じて異なる位置に移動できることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記異なる位置は、少なくとも
    保護装置が開口を塞がない位置、
    保護装置が開口を塞ぎ、且つ通路と開口が連通されない位置、
    保護装置が開口を塞ぎ、且つ通路と開口が連通される位置を含むことを特徴とする請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記異なる位置は、可動装置によって保護装置を連続牽引して移動させることにより得られることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記異なる位置は、三つの枠と定義することができ、これにより保護装置が枠を切り換えることによって位置変換を行うことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記通路は、直線状もしくは非直線状であることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記プラズマ処理装置は、プラズマ成膜設備であることを特徴とする請求項１１、１２、１３、１４、１５または１６に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記プラズマ処理装置は、プラズマエッチング設備であることを特徴とする請求項１１、１２、１３、１４、１５または１６に記載のプラズマ処理装置。
19. チャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内に少なくとも二個の処理ステーションを含み、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、且つ各処理ステーションは上電極と下電極を含み、この上電極の周囲には接地リングを備え、チャンバ筐体の壁には半導体ワークピースが出入する搬送口を備えるプラズマ処理装置において、
    前記仕切り壁の接地リングに近い一端には開口が設置され、開口と各処理ステーションの接地リングと仕切り壁によって連通チャンバ筐体を形成し、且つ開口にそれぞれ保護装置が設置され、この保護装置はその幅が接地リングから仕切り壁までの間の隙間に等しく、隙間の間を上下移動できる、
    保護装置には通路を備え、この通路は連通チャンバ筐体と処理ステーション内部を相互に連通させ、この通路の幅と長さの比は三分の一より小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
20. 前記搬送口の処理ステーションの内壁には、チャンバ筐体内に処理を行う時に搬送口を封鎖する封鎖装置が設置されていることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
21. これらの保護装置及び封鎖装置は、可動装置によって牽引がを制御されし、必要に応じて異なる位置に移動できることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマ処理装置。
22. 前記異なる位置は、少なくとも、前記封鎖装置が搬送口を塞ぎ、且つ前記保護装置の一部が接地リングから仕切り壁までの間の隙間にある位置と、
    前記封鎖装置が搬送口を塞がない位置とを含むことを特徴とする請求項２１に記載のプラズマ処理装置。
23. 前記異なる位置は、可動装置によって保護装置を連続牽引して移動させることにより得られることを特徴とする請求項２２に記載のプラズマ処理装置。
24. 前記異なる位置は、二個の枠と定義でき、これにより保護装置及び封鎖装置が枠を切り換えることによって位置変換を行うことを特徴とする請求項２２に記載のプラズマ処理装置。
25. 前記通路は、直線状もしくは非直線状であることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
26. 前記プラズマ処理装置は、プラズマ成膜設備であることを特徴とする請求項１９、２０、２１、２２、２３、２４または２５に記載のプラズマ処理装置。
27. 前記プラズマ処理装置は、プラズマエッチング設備であることを特徴とする請求項１９、２０、２１、２２、２３、２４または２５に記載のプラズマ処理装置。
    

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