JP2007042735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、第1の樹脂層30と、第1の樹脂層30よりも小さい幅を有する複数の第2の樹脂層32と、を形成する工程と、第1の樹脂層30及び複数の第2の樹脂層32をキュアすることにより、第1の樹脂層30により樹脂突起40を形成し、複数の第2の樹脂層32を一体化させることにより樹脂突起40を超えない高さを有する樹脂部42を形成する工程と、電極パッド16と電気的に接続する導電層50を、電極パッド16の上方から樹脂突起40の上方を通り、さらに樹脂部42の上方に至るように形成する工程と、を含む。
【選択図】 図5
Description
電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層よりも小さい幅を有する複数の第2の樹脂層と、を形成する工程と、
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層をキュアすることにより、前記第1の樹脂層により樹脂突起を形成し、前記複数の第2の樹脂層を一体化させることにより前記樹脂突起を超えない高さを有する樹脂部を形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成する工程と、
を含む。
前記複数の第2の樹脂層を、前記導電層の延出方向に小さい幅を有し、かつ前記導電層の延出方向に個々が配列されるように形成してもよい。
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層を、フォトリソグラフィ工程により形成してもよい。
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層を、同一マスクにより形成してもよい。
図1〜図8は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
図9は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス(例えば表示デバイス)1000は、半導体装置100を含む。図9に示す例では、電子デバイス1000は、半導体装置100と、樹脂フィルム等からなる第1の基板200と、ガラス等からなる第2の基板300と、を含む。半導体装置100は、例えば第1の基板200にフェースダウン実装され、詳しくは、第1の基板200に形成された配線パターンと、半導体装置100の外部端子60とが電気的に接続されている。半導体装置100と第1の基板200の間には、図示しない絶縁性接着剤(例えばNCF(Non Conductive Film)又はNCP(Non Conductive Paste))が設けられている。あるいは、第1の基板200を省略して、半導体装置100を第2の基板300にフェースダウン実装することもできる。電子デバイス1000の例としては、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、EL(Electrical Luminescence)ディスプレイなどが挙げられる。なお、図10には本発明の実施の形態に係る電子機器の一例としてノート型パーソナルコンピュータが示され、図11には携帯電話が示されている。
図12は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例では、樹脂突起140(外部端子160)の形態が上述と異なる。
30…第1の樹脂層 32…第2の樹脂層 40…樹脂突起
42…樹脂部 50…導電層 140…樹脂突起
Claims (4)
- 電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層よりも小さい幅を有する複数の第2の樹脂層と、を形成する工程と、
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層をキュアすることにより、前記第1の樹脂層により樹脂突起を形成し、前記複数の第2の樹脂層を一体化させることにより前記樹脂突起を超えない高さを有する樹脂部を形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の第2の樹脂層を、前記導電層の延出方向に小さい幅を有し、かつ前記導電層の延出方向に個々が配列されるように形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層を、フォトリソグラフィ工程により形成する半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の樹脂層及び前記複数の第2の樹脂層を、同一マスクにより形成する半導体装置の製造方法。
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JP2008205293A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012186455A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Ricoh Co Ltd | ホール形成方法、並びに該方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2017034269A (ja) * | 2011-02-16 | 2017-02-09 | 株式会社リコー | ホール形成方法、並びに多層配線の製造方法、半導体装置の製造方法、表示素子の製造方法、画像表示装置の製造方法、及びシステムの製造方法 |
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