JP2007035119A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置にかかり、特に自己診断機能を持った半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a self-diagnosis function.
マスクROMは、製造時にデータが書き込まれているROMであって、製造後にデータが正しく書き込まれているか否かのテストが行われる。このようなテストの手法の一つにROM Bist(Built−In Self Test)と呼ばれるものがある。ROM Bistは、ROMに書き込まれたデータの正誤を判断するテスト用の回路をROMと同一のチップに設け、チップのみでROMのテストを実行することができる。 The mask ROM is a ROM in which data is written at the time of manufacture, and a test is performed as to whether data is correctly written after manufacture. One of such test methods is called ROM Bist (Build-In Self Test). In the ROM Bist, a test circuit for judging whether data written in the ROM is correct or not is provided on the same chip as the ROM, and the ROM test can be executed only by the chip.
従来のROM Bistでは、テスト用の回路にROMに書き込まれたデータに応じた値(期待値)を記憶させ、ROMのデータを読み出してテスト用の回路に記憶されている期待値と対照する。テスト用の回路に記憶される期待値としては、例えば、ROMに記憶されている1または0の値を演算して得られた結果がある。
演算の結果を期待値にした場合、ROMのテストでは、ROMに書き込まれたデータを読み出して演算を行う必要がある。ROMに記憶されるデータ量が大きくなって演算回路の規模が大型化することを避けるため、特許文献1の発明では、ROMのデータの1または0の出現回数をテスト用回路に保存している。
When the calculation result is set to an expected value, it is necessary to read the data written in the ROM and perform the calculation in the ROM test. In order to avoid an increase in the amount of data stored in the ROM and an increase in the scale of the arithmetic circuit, in the invention of Patent Document 1, the number of occurrences of 1 or 0 of ROM data is stored in the test circuit. .
ところで、マスクROMの製造工程では、ROMに関してはデータに関する層のマスクを変更するだけでROMに書き込まれるデータを変更することができる。しかしながら、従来技術のROM Bistを採用した場合、は、マスクROMのデータを変更する場合にはテスト用の回路をも変更する必要がある。このため、データに関する層のマスクばかりでなく、他のマスクをも変更しなければならないという不具合が生じる。 By the way, in the manufacturing process of the mask ROM, the data written in the ROM can be changed only by changing the mask of the data layer. However, when the conventional ROM Bist is adopted, it is necessary to change the test circuit when the mask ROM data is changed. For this reason, not only the mask of the layer regarding data but the other mask must be changed.
また、テスト用の回路を変更するためには、データ処理のタイミング等の設計をも変更する必要が生じる場合がある。変更されるマスクの増加や設計変更は、マスクROMの製造にかかるコストの増加及び開発期間の長期化を招き、望ましくない。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであって、チップにテスト用の回路を設けながら、ROMのデータに関するマスクだけを変更して書き込まれるデータを変更することができる半導体装置を提供することを目的とする。
Further, in order to change the test circuit, it may be necessary to change the design of the data processing timing and the like. An increase in the number of masks to be changed or a design change is undesirable because it leads to an increase in the cost for manufacturing the mask ROM and a longer development period.
The present invention has been made in view of the above points, and provides a semiconductor device capable of changing data to be written by changing only a mask related to ROM data while providing a test circuit on a chip. The purpose is to provide.
以上の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、ROMと、当該ROMに記憶されているデータの正誤を検査する検査回路とを備えた半導体装置であって、前記検査回路は、前記ROMに記憶されているデータを読み込むROMデータ読込部と、前記ROMデータ読込部によって読み込まれたROMデータを保存するROMデータ保存部と、前記ROMデータ保存部によって保存されたROMデータと、外部から入力された外部データとを比較するデータ比較部と、前記データ比較部によるデータの比較の結果を外部に出力する比較結果出力部と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor device of the present invention is a semiconductor device including a ROM and an inspection circuit that inspects correctness of data stored in the ROM, and the inspection circuit includes the ROM ROM data reading unit for reading data stored in the ROM, ROM data storage unit for storing ROM data read by the ROM data reading unit, ROM data stored by the ROM data storage unit, and external input And a comparison result output unit for outputting a result of data comparison by the data comparison unit to the outside.
このような発明によれば、外部から入力されたデータを入力し、ROMデータと比較してROMデータの正誤を判定する検査回路を半導体装置内に設けることができる。このため、チップ内でROMのデータの正誤を判定するBistの形態をとりながら、ROMのデータ変更に伴って検査回路の構成を変更する必要をなくすことができる。したがって、チップにテスト用の回路を設けながら、ROMのデータに関するマスクだけを変更して書き込まれるデータを変更することができる半導体装置を提供することができる。 According to such an invention, it is possible to provide in the semiconductor device a test circuit that inputs data input from the outside and determines the correctness of the ROM data by comparing with the ROM data. For this reason, it is possible to eliminate the need to change the configuration of the inspection circuit in accordance with the ROM data change while taking the Bist form for determining whether the ROM data is correct or not in the chip. Therefore, it is possible to provide a semiconductor device that can change data to be written by changing only a mask related to ROM data while providing a test circuit on the chip.
また、本発明の半導体装置は、外部データを読み込む外部データ読込部と、該外部データ読込部によって読み込まれた外部データを保存する外部データ保存部とをさらに備えることを特徴とする。
このような発明によれば、外部データの読み込みや、読み込まれたデータの検査回路への入力タイミングの調整を半導体装置自身で実行することができる。
The semiconductor device according to the present invention further includes an external data reading unit that reads external data, and an external data storage unit that stores external data read by the external data reading unit.
According to such an invention, reading of external data and adjustment of input timing of the read data to the inspection circuit can be executed by the semiconductor device itself.
また、本発明の半導体装置は、前記ROMデータ読込部が前記ROMデータを1アドレスごとに読み込み、かつ前記ROMデータ保存部は読み込まれたROMデータを複数アドレス分保存すると共に、前記外部データ読込部は前記外部データを1アドレスごとに読み込み、かつ前記外部データ保存部は読み込まれた外部データを複数アドレス分保存し、前記データ比較部は、前記ROMデータ保存部に保存された複数アドレス分のROMデータを前記外部データ保存部に保存された複数アドレス分の外部データと比較することを特徴とする。 In the semiconductor device of the present invention, the ROM data reading unit reads the ROM data for each address, and the ROM data storage unit stores the read ROM data for a plurality of addresses, and the external data reading unit. Reads the external data for each address, the external data storage unit stores the read external data for a plurality of addresses, and the data comparison unit stores the ROM for the plurality of addresses stored in the ROM data storage unit. The data is compared with external data for a plurality of addresses stored in the external data storage unit.
このような発明によれば、ROMデータ、外部データを読み込むための端子が一つでありながら、ROMデータと外部データとの比較にかかる時間を短縮し、ひいてはROMのデータのテストにかかる時間を短縮することができる。
また、本発明の半導体装置は、前記ROMデータ読込部が前記ROMデータを複数アドレスごとに読み込み、かつ前記ROMデータ保存部は読み込まれたROMデータを複数アドレス分保存すると共に、前記外部データ読込部は前記外部データを複数アドレスごとに読み込み、かつ前記外部データ保存部は読み込まれた外部データを複数アドレス分保存し、前記データ比較部は、前記ROMデータ保存部に保存された複数アドレス分のROMデータを前記外部データ保存部に保存された複数アドレス分の外部データと比較することを特徴とする。
According to such an invention, although there is one terminal for reading ROM data and external data, the time required for comparing the ROM data with the external data is shortened, and thus the time required for testing the ROM data is reduced. It can be shortened.
In the semiconductor device of the present invention, the ROM data reading unit reads the ROM data for each of a plurality of addresses, and the ROM data storage unit stores the read ROM data for a plurality of addresses, and the external data reading unit. Reads the external data for each of a plurality of addresses, and the external data storage unit stores the read external data for a plurality of addresses, and the data comparison unit stores a ROM for the plurality of addresses stored in the ROM data storage unit. The data is compared with external data for a plurality of addresses stored in the external data storage unit.
このような発明によれば、ROMデータ、外部データを読み込む時間をも短縮し、ROMのデータのテストにかかる時間をいっそう短縮することができる。
また、本発明の半導体装置は、前記ROMデータ保存部に保存された複数アドレス分のROMデータ及び前記外部データ保存部に保存された複数アドレス分の外部データを1アドレス分ずつ取り出して前記データ比較部に供給するデータ供給部を備え、前記データ比較部は、前記データ供給部によって供給された1アドレス分のROMデータと1アドレス分の外部データとを比較することを特徴とする。
According to such an invention, the time for reading ROM data and external data can be shortened, and the time required for testing ROM data can be further shortened.
Further, the semiconductor device of the present invention extracts the ROM data for a plurality of addresses stored in the ROM data storage unit and the external data for the plurality of addresses stored in the external data storage unit for each address, and compares the data. The data comparison unit compares the ROM data for one address supplied by the data supply unit with the external data for one address.
このような発明によれば、ROMデータ、外部データの読み込み時間を短縮しながら、ROMデータと外部データとを比較する構成の回路の大規模化を抑えることができる。
また、本発明の半導体装置は、前記ROMデータ読込部及び前記外部データ読込部が複数の入力端子を使ってデータを読み込む場合、各入力端子によって読み込まれるデータのアドレスを決定するアドレス決定部をさらに備えることを特徴とする。
According to such an invention, it is possible to suppress an increase in the scale of the circuit configured to compare the ROM data and the external data while shortening the reading time of the ROM data and the external data.
The semiconductor device according to the present invention further includes an address determining unit that determines an address of data read by each input terminal when the ROM data reading unit and the external data reading unit read data using a plurality of input terminals. It is characterized by providing.
このような発明によれば、複数の入力端子を使ってデータを読み込む場合、各入力端子によって読み込まれるデータを調整し、複数アドレス分のデータを適正に入力することができる。 According to such an invention, when data is read using a plurality of input terminals, the data read by each input terminal can be adjusted, and data for a plurality of addresses can be appropriately input.
以下、図を参照して本発明にかかる半導体装置の実施の形態1から実施形態4を説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態に共通の図であって、半導体装置の概略を説明するための図である。実施形態1の半導体装置は、ROM(Read Only Memory)と、このROMに記憶されているデータの正誤を検査する検査回路1とを備えたICである。検査回路1は、また、ROM101に記憶されているデータの正誤を検査する回路である。検査回路を、ROM101の期待値を照合するBist回路である。
Embodiments 1 to 4 of a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram common to the embodiments of the present invention and is a diagram for explaining an outline of a semiconductor device. The semiconductor device according to the first embodiment is an IC including a ROM (Read Only Memory) and an inspection circuit 1 that inspects correctness of data stored in the ROM. The inspection circuit 1 is also a circuit that inspects the correctness of data stored in the
ROM101は、マスクROMであって、製造時にデータが書き込まれ、製造後にデータを変更することはできない。ROM101に書き込まれるデータは、特定の層のパターンによって決定する。このため、ROM101のデータは、このパターンをパターニングするマスクを変更することによって変更できる。
検査回路1は、外部からデータを読み込み、読み込まれたデータをROM101に記憶されているデータと比較する。本実施形態では、ROM101に記憶されているデータと同様のデータである期待値データDを保存する記憶装置7を外部に置き、期待値データDを外部データとして検査回路1に供給する。また、検査回路1は、正誤の判定結果を出力する照合結果出力端子4と接続している。
The
The inspection circuit 1 reads data from the outside and compares the read data with the data stored in the
ユーザは、ICにテスト以外の通常の動作をさせるためROM101からデータを読み出す場合、ユーザ側の回路(ユーザ回路)6をROM101に接続する。ユーザ回路6にはユーザ端子3があり、ユーザは、ユーザ端子3を介してユーザ回路6に信号を供給し、ICと信号を授受している。
また、ユーザ回路6にはクロック端子5が接続され、ユーザ回路6は、クロック端子から供給されるクロック信号に基づいて動作する。ROM101は、このクロックにしたがってデータを読み出すよう設計されているので、本実施形態は、クロック端子を検査回路1にも接続し、ROM101のテストにあってもクロック端子から供給されるクロック信号を使用するものとする。
When the user reads data from the
A
なお、ICの通常動作とROM101のテストのためとの動作(テストモード)の切り替えは、テストモード切替部2によって切替えられる。テストモード切替部2は、通常動作時とテストモード時とで検査回路1及びROM101に関する入出力回路を変更するスイッチである。
図2は、図1に示した検査回路1を説明するための機能ブロック図である。
The test
FIG. 2 is a functional block diagram for explaining the inspection circuit 1 shown in FIG.
検査回路1は、ROM101に記憶されているデータ(ROMデータR)を読み込むROMデータ読込部102、ROMデータ読込部102によって読み込まれたROMデータRを1アドレス分ずつ逐次保存するデータ保持部103を備えている。さらに、実施形態1の検査回路1は、期待値データDを読み込む外部データ読込部107、外部データ読込部107によって読み込まれた期待値データDを1アドレス分ずつ逐次保存するデータ保持部105を備えている。
The inspection circuit 1 includes a ROM
さらに、検査回路1は、データ保持部103によって保存されたROMデータRと、データ保持部105によって保存された期待値データDとを比較するデータ比較参照部104、データ比較参照部104によるデータの比較の結果を外部に出力する結果出力部106とを備えている。なお、実施形態1の比較参照部104は、ROMデータR、期待値データDを1アドレス分ずつ逐次比較するものとする。
Furthermore, the inspection circuit 1 compares the ROM data R stored by the
ROMデータ読込部102、外部データ読込部107、データ保持部103及びデータ保持部105、データ比較参照部104、結果出力部106は、いずれも各々の機能を実現可能な回路である。
期待値データDは、ROM101に記憶されているべきデータと同様の1または0で構成されるデータであって、ROM101に書き込まれたデータの正誤の判定に使用される。正誤の判定は、期待値データDとROMデータRとの1または0の一致の程度によって行われる。このような外部データが示す1または0のデータを、本実施形態では期待値と記す。
The ROM
The expected value data D is data composed of 1 or 0 similar to the data that should be stored in the
また、実施形態1の検査回路は、期待値データDをROMデータRと比較するため、期待値データDを読み込む外部データ読込部107、読み込まれた期待値データDを1アドレス分ずつ逐次保存するデータ保持部105を備え、データ保持部で保持された期待値データDを1アドレス分ずつデータ比較参照部104に供給している。
以上のように構成された実施形態1の半導体装置は、ROMデータ読込部102がクロック信号に同期してROM101からROMデータRをROM101の1アドレスずつ逐次読み込む。また、外部データ読込部107が、同じクロック信号に同期して期待値データDを記憶装置の1アドレスずつ逐次読み込む。
In addition, the inspection circuit of the first embodiment sequentially compares the expected value data D with the ROM data R, so that the external
In the semiconductor device according to the first embodiment configured as described above, the ROM
読み込まれたROMデータRは、データ保持部103において1アドレスずつ保持される。また、期待値データDは、データ保持部105において1アドレスずつ保持される。保持されたROMデータR及び期待値データDは、データ比較参照部104に出力され、データ比較参照部104において比較される。比較の結果、データ比較参照部104は、ROMデータRの1または0、期待値データDの1または0が一致したか否かを結果出力部106に出力する。
The read ROM data R is held in the
検査回路1は、以上の動作を、ROMデータR、期待値データDのすべてについて行う。結果出力部106は、さらに照合結果出力端子4に結果を出力する。ユーザは、照合結果出力端子4から照合の結果を取り出し、両者が一致する程度によってROMデータRと期待値データDとが一致するか否かを判断する。
以上述べた実施形態1は、ROM101のデータにかかるマスクを変更し、ROM101のデータを変更した場合にも、変更されたROMデータRに対応する期待値データDを検査回路1に供給することによってROM101をテストすることができる。このため、ICの製造において、データにかかるマスクの変更に伴う検査回路の変更が不要になる。
(実施形態2)
次に、本発明の実施形態2について説明する。
The inspection circuit 1 performs the above operation for all of the ROM data R and the expected value data D. The
In the first embodiment described above, even when the mask for the data in the
(Embodiment 2)
Next,
図3は、実施形態2の検査回路を説明するための機能ブロック図である。なお、図において、図2に示した構成と同様の構成については同様の符号を付して示し、説明を一部略すものとする。
実施形態2の半導体装置は、実施形態1と同様に、ROMデータ読込部102がROMデータを1アドレスごとに読み込み、外部データ読込部107が外部データを1アドレスごとに読み込む。
FIG. 3 is a functional block diagram for explaining the inspection circuit according to the second embodiment. In the figure, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and a part of the description will be omitted.
In the semiconductor device according to the second embodiment, as in the first embodiment, the ROM
ただし、実施形態2の半導体装置は、読み込まれたROMデータRを複数アドレス分保存するデータ保存部201、読み込まれた期待値データDを複数アドレス分保存するデータ保存部203、ROMデータRと期待値データDとを、複数のアドレス分ごとに比較するデータ比較参照部202を備える点で実施形態1と相違する。
すなわち、実施形態2の半導体装置は、ROMデータ読込部102がクロック信号に同期してROM101からROMデータRをROM101の1アドレスずつ逐次読み込む。また、外部データ読込部107が、同じクロック信号に同期して期待値データDを記憶装置の1アドレスずつ逐次読み込む。
However, the semiconductor device according to the second embodiment includes a
That is, in the semiconductor device of the second embodiment, the ROM
読み込まれたROMデータRは、データ保存部201において複数アドレス分蓄積される。また、期待値データDは、データ保存部203において複数アドレスずつ蓄積される。蓄積されたROMデータR及び期待値データDは、クロック信号に同期してデータ比較参照部202に一度に出力される。
データ比較参照部202は、出力された複数アドレス分のROMデータR、期待値データDを、複数アドレスごとに比較する。比較の結果、データ比較参照部202は、ROMデータRの1または0、期待値データDの1または0が一致したか否かを結果出力部106に出力する。
The read ROM data R is accumulated for a plurality of addresses in the
The data
このような実施形態2によれば、ROMデータRと期待値データDとを実施形態1よりも短時間で比較することができる。このため、テストにかかる時間を実施形態1よりも短縮することができる。
(実施形態3)
次に、本発明の実施形態3について説明する。
According to the second embodiment, the ROM data R and the expected value data D can be compared in a shorter time than the first embodiment. For this reason, the time required for the test can be reduced as compared with the first embodiment.
(Embodiment 3)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
図4は、実施形態3の検査回路を説明するための機能ブロック図である。なお、図において、図2、図3に示した構成と同様の構成については同様の符号を付して示し、説明を一部略すものとする。
実施形態3の半導体装置は、実施形態2と同様に、読み込まれたROMデータRを複数アドレス分保存するデータ保存部201、読み込まれた期待値データDを複数アドレス分保存するデータ保存部203、ROMデータRと期待値データDとを、複数のアドレス分ごとに比較するデータ比較参照部202を備える。
FIG. 4 is a functional block diagram for explaining the inspection circuit according to the third embodiment. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted.
As in the second embodiment, the semiconductor device of the third embodiment includes a
ただし、実施形態3の半導体装置は、ROMデータ読込部302がROMデータRを複数アドレスごとに読み込み、外部データ読込部303が、期待値データDを複数アドレスごとに読み込む点で実施形態2と相違する。
このような実施形態3は、ICのテスト時にROM101からROMデータRを読み込む端子、外部から期待値データDを読み込む端子に、ユーザ端子3を使用することによって実現できる。
However, the semiconductor device of the third embodiment is different from the second embodiment in that the ROM
すなわち、ユーザ端子3は、一般的に十数本から数十本の端子でなる。実施形態3は、複数の端子を一部ROMデータRの読み込み用端子と兼用にする。また、一部を期待値データDの読み込み用端子と兼用にする。
このような実施形態3の半導体装置は、ROMデータ読込部302がクロック信号に同期して一度にROM101から複数アドレス分のROMデータRを読み込む。また、外部データ読込部303が、同じクロック信号に同期して期待値データDを複数アドレス分読み込む。読み込まれたROMデータRは、データ保存部201において一度に読み込まれた複数アドレス分保存される。また、期待値データDは、データ保存部203において一度に読み込まれた複数アドレス分保存される。保存されたROMデータR及び期待値データDは、クロック信号に同期してデータ比較参照部202に一度に出力される。
That is, the
In such a semiconductor device of the third embodiment, the ROM
データ比較参照部202は、出力された複数アドレス分のROMデータR、期待値データDを、複数アドレスごとに比較する。比較の結果、データ比較参照部202は、ROMデータRの1または0、期待値データDの1または0が一致したか否かを結果出力部106に出力する。
また、本実施形態は、ROMデータ読込部302、外部データ読込部303が、複数の端子を使って複数アドレス分のデータを読み込むため、各端子から読み込むアドレスを決定することが必要になる。実施形態3では、アドレス決定部301を検査回路に設け、各端子によって読み込まれるデータのアドレスを決定し、ROMデータ読込部302、外部データ読込部303に通知する。なお、アドレス決定部301は、クロック信号に同期してスイッチングし、各端子によって読み込まれるデータのアドレスを制御する機能を持った回路である。実際の動作は、1回目のクロックでアドレスを設定し、2回目のクロックでデータを読み込むというように、アドレスの設定とデータの読み込みは、2クロックで行われる。
The data
In this embodiment, since the ROM
このような実施形態3によれば、ROMデータRと期待値データDとを実施形態2よりも短時間で読み込むことができる。このため、テストにかかる時間を実施形態2よりもさらに短縮することができる。
(実施形態4)
次に、本発明の実施形態4について説明する。
According to the third embodiment, ROM data R and expected value data D can be read in a shorter time than in the second embodiment. For this reason, the time required for the test can be further reduced as compared with the second embodiment.
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
図5は、実施形態4の検査回路を説明するための機能ブロック図である。なお、図において、図2、図3、図4に示した構成と同様の構成については同様の符号を付して示し、説明を一部略すものとする。
実施形態4の半導体装置は、実施形態3と同様に、ROMデータRを複数アドレスごとに読み込むROMデータ読込部302、期待値データDを複数アドレスごとに読み込む外部データ読込部303、読み込まれたROMデータRを複数アドレス分保存するデータ保存部201、読み込まれた期待値データDを複数アドレス分保存するデータ保存部203を備えている。
FIG. 5 is a functional block diagram for explaining the inspection circuit according to the fourth embodiment. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 2, 3, and 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is partially omitted.
As in the third embodiment, the semiconductor device according to the fourth embodiment includes a ROM
ただし、実施形態4の半導体装置の比較回路は、ROMデータR、期待値データDを1アドレス分ずつ逐次比較するデータ比較参照部104である。このようなデータ比較参照部104は、当然のことながら、ROMデータR、期待値データDを複数アドレス分一度に比較できる構成より比較処理の速度は低い。しかし、比較参照部104は、ROMデータR、期待値データDを複数アドレス分一度に比較できる回路は回路規模が大きくなる傾向があることから、比較参照部の回路規模を小型化し、チップサイズの縮小化に有利であるという利点をも有している。
However, the comparison circuit of the semiconductor device of the fourth embodiment is a data
また、実施形態4の半導体装置は、データ保存部201に保存された複数アドレス分のROMデータR及びデータ保存部203に保存された複数アドレス分の期待値データDを1アドレス分ずつ取り出し、比較参照部104に供給するデータ取出部401を備えている。データ取出部401は、実施形態4のデータ供給部として機能する構成である。比較参照部104は、データ取出部401によって供給された1アドレス分のROMデータRと1アドレス分の外部データDとを比較する。
The semiconductor device of the fourth embodiment extracts ROM data R for a plurality of addresses stored in the
比較の結果、データ比較参照部104は、ROMデータRの1または0、期待値データDの1または0が一致したか否かを1アドレス分ずつ結果出力部106に出力する。
このような実施形態4によれば、ROMデータR、期待値データDの読み込みにおいて、高い速度を得ることができる。このため、実施形態1よりもROM101のテストにかかる時間を短縮することができる。また、データを比較する構成として、回路規模が比較的小さいデータ比較参照部104を設けたことによって検査回路の大規模化やコストアップを抑えることができる。
As a result of the comparison, the data
According to the fourth embodiment, a high speed can be obtained in reading the ROM data R and the expected value data D. For this reason, the time required for the test of the
1 検査回路、2 テストモード切替部、3 ユーザ端子、4 照合結果出力端子、
5 クロック端子、6 ユーザ回路、7 記憶装置、102,302 ROMデータ読込部、103,105 データ保持部、104 データ比較参照部、106 結果出力部
107,303 外部データ読込部、201,203 データ保存部、301 アドレス決定部、401 データ取出部
1
5 clock terminal, 6 user circuit, 7 storage device, 102, 302 ROM data reading unit, 103, 105 data holding unit, 104 data comparison reference unit, 106
Claims (6)
前記検査回路は、
前記ROMに記憶されているデータを読み込むROMデータ読込部と、
前記ROMデータ読込部によって読み込まれたROMデータを保存するROMデータ保存部と、
前記ROMデータ保存部によって保存されたROMデータと、外部から入力された外部データとを比較するデータ比較部と、
前記データ比較部によるデータの比較の結果を外部に出力する比較結果出力部と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising a ROM and an inspection circuit for inspecting the correctness of data stored in the ROM,
The inspection circuit includes:
A ROM data reading unit for reading data stored in the ROM;
A ROM data storage unit for storing ROM data read by the ROM data reading unit;
A data comparison unit for comparing the ROM data stored by the ROM data storage unit with external data input from the outside;
A comparison result output unit for outputting the result of data comparison by the data comparison unit to the outside;
A semiconductor device comprising:
前記データ比較部は、前記ROMデータ保存部に保存された複数アドレス分のROMデータを前記外部データ保存部に保存された複数アドレス分の外部データと比較することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 The ROM data reading unit reads the ROM data for each address, and the ROM data storage unit stores the read ROM data for a plurality of addresses, and the external data reading unit stores the external data for each address. The external data storage unit stores the read external data for a plurality of addresses,
The data comparison unit compares the ROM data for a plurality of addresses stored in the ROM data storage unit with the external data for a plurality of addresses stored in the external data storage unit. Semiconductor device.
前記データ比較部は、前記ROMデータ保存部に保存された複数アドレス分のROMデータを前記外部データ保存部に保存された複数アドレス分の外部データと比較することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 The ROM data reading unit reads the ROM data for each of a plurality of addresses, and the ROM data storage unit stores the read ROM data for a plurality of addresses, and the external data reading unit stores the external data for each of a plurality of addresses. The external data storage unit stores the read external data for a plurality of addresses,
The data comparison unit compares the ROM data for a plurality of addresses stored in the ROM data storage unit with the external data for a plurality of addresses stored in the external data storage unit. Semiconductor device.
5. The apparatus according to claim 4, further comprising: an address determining unit that determines an address of data read by each input terminal when the ROM data reading unit and the external data reading unit read data using a plurality of input terminals. Or the semiconductor device according to 5;
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011141790A (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | Error detector, semiconductor device including error detector, information processing apparatus using semiconductor device including error detector, and error detection method |
JP2022520914A (en) * | 2018-10-29 | 2022-04-04 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | Testing read-only memory using a memory-embedded self-test controller |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005213974A patent/JP2007035119A/en active Pending
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JP7394849B2 (en) | 2018-10-29 | 2023-12-08 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | Testing read-only memory using the memory built-in self-test controller |
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