JP2007031816A - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバー21内に所定の間隔を置いて並設した3枚以上のターゲット241と、各ターゲット241に対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する交流電源E1〜E3とを備え、交流電源E1〜E3からの出力の少なくとも一つを分岐して2枚以上のターゲット241に接続し、この分岐した出力に接続された各ターゲット241の間で、交流電源から電位が印加されるターゲットを切替える切替手段としてのスイッチSW1〜SW3を設けたことを特徴とするスパッタリング装置2。
【選択図】 図3
Description
(比較例2)
25 磁石組立体 270 駆動軸
271 ボールネジ E1〜E3 交流電源
SW1〜SW3 切替手段 S 基板
Claims (7)
- 真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設した3枚以上のターゲットと、各ターゲットに対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する交流電源とを備え、交流電源からの出力の少なくとも一つを分岐して2枚以上のターゲットに接続し、この分岐した出力に接続された各ターゲットの間で、交流電源から電位が印加されるターゲットを切替える切替手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
- 各ターゲットの前方に磁束を形成するように各ターゲットの後方に配置された複数の磁石から構成される磁石組立体と、磁束がターゲットに対して平行移動するようにこれらの磁石組立体を駆動する駆動手段とを設けたことを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記各磁石組立体によって形成される磁束の密度を略均一にする磁束密度補正手段を設けたことを特徴とする請求項2記載のスパッタリング装置。
- 真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設された3枚以上のターゲットに対向する位置に基板を順次搬送し、各ターゲットに対して交流電源から負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する場合に、交流電源からの出力の少なくとも1つを分岐して接続された2枚以上のターゲット間で、交流電源から電位を印加するターゲットの切替を行いつつ、ターゲット上にプラズマを発生させて基板表面に成膜することを特徴とするスパッタリング方法。
- 前記切替手段によるターゲットの切替を、成膜開始後一定の周期で行うことを特徴とする請求項4記載のスパッタリング方法。
- 前記交流電源の出力を分岐して接続されたターゲットが2枚である場合に、切替手段による切替を奇数回行うことを特徴とする請求項4又は5に記載のスパッタリング方法。
- 前記各ターゲットの前方に磁束を形成するように各ターゲットの後方に配置した複数の磁石から構成される磁石組立体を成膜中に各ターゲットに平行に往復動させる場合に、この磁石組立体が一方向に移動する間に、前記切替手段によるターゲットの切替を1回以上行うことを特徴とする請求項4〜6に記載のスパッタリング方法。
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Cited By (2)
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JPWO2010044235A1 (ja) * | 2008-10-16 | 2012-03-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2012108150A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | シャープ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364460A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2004346388A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
JPH02258976A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-10-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
JPH111770A (ja) * | 1997-06-06 | 1999-01-06 | Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
TW399245B (en) * | 1997-10-29 | 2000-07-21 | Nec Corp | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
CN1136332C (zh) * | 1999-10-11 | 2004-01-28 | 中国科学院力学研究所 | 脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法 |
DE19949394A1 (de) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Balzers Process Systems Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit und Verfahren zur Reduktion der Funkenbildung beim Sputtern |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364460A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2004346388A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2010044235A1 (ja) * | 2008-10-16 | 2012-03-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2012108150A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | シャープ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法 |
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