JP2007028297A - Sawデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 損失劣化などの影響を生じない高品質な酸化膜を形成することができるSAWデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板32上にIDT電極33を形成した後で、前記圧電基板の主としてIDT電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたSAWデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】 圧電基板32上にIDT電極33を形成した後で、前記圧電基板の主としてIDT電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたSAWデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、SAWデバイスの製造方法の改良に関するものである。
近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波装置(以下、「SAW(Surface Acoustic Wave)デバイスという」)が使用されている。
このSAWデバイスは、例えば図10に示すように構成されている(特許文献1参照)。
このSAWデバイスは、例えば図10に示すように構成されている(特許文献1参照)。
図10において、SAWデバイス1は、例えば、複数のセラミック基板(例えば、グリーンシート)を積層して形成した収容容器であるパッケージ2の内側に設けられる空間S1内にSAWチップ7を収容固定し、ロウ材3を利用して図示しない蓋体により気密封止することにより製造される。
このようなSAWデバイス1のSAWチップ7は、圧電基板5の上に、少なくとも一対のすだれ状電極もしくは櫛型電極(IDT(Inter Digital Transducer))6を形成したものである。そして、該SAWチップ7をパッケージ2の内側底面4に固定するとともに、SAWチップ7のIDT6の端子を図示しないパッケージ2の内部の電極端子とワイヤボンディングなどにより接続する。これにより、パッケージ2の外部から、該パッケージ2の実装端子(図示せず)を介して、SAWチップ7に駆動電流が供給できるようにされる。
さらに、SAWデバイス1では、少なくともそのIDT6の表面に二酸化珪素の保護膜(絶縁膜)8を形成するようにしている。これにより、例えば異物対策、耐湿性などの環境性能が向上したSAWデバイス1を得ることができるものである。
しかしながら、図10のようなSAWデバイス1において、上述した二酸化珪素膜8をスパッタリングにて成膜する工程に際しては、以下のような問題がある。
すなわち、成膜工程において、なんらかの理由によりSiリッチとなってしまい、二酸化珪素膜8の品質が悪くなり、製品の品質にも影響ができる。
つまりこの場合、SAWデバイスの共振子ではQ値が劣化し、SAWフィルタでは挿入損失が劣化するという問題がある。
すなわち、成膜工程において、なんらかの理由によりSiリッチとなってしまい、二酸化珪素膜8の品質が悪くなり、製品の品質にも影響ができる。
つまりこの場合、SAWデバイスの共振子ではQ値が劣化し、SAWフィルタでは挿入損失が劣化するという問題がある。
この発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、挿入損失劣化などの影響を生じない高品質な酸化膜を形成することができるSAWデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的は、第1の発明によれば、圧電基板上にIDT電極を形成した後で、前記圧電基板の主としてIDT電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたSAWデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成するSAWデバイスの製造方法により、達成される。
第1の発明の構成によれば、チャンバー内でのスパッタリングに際して、不活性ガスのイオン化されたガス分子が、ターゲットに当たり、ターゲットを構成する分子が反跳する反応において、Siリッチになる状態であっても、酸素が導入されることにより、その酸素分子がSiと適切に結合するので、二酸化珪素膜が適切に形成される。
その結果、SAWデバイスにおいてはQ値や損失の劣化が防止され、品質が良好に維持される。
その結果、SAWデバイスにおいてはQ値や損失の劣化が防止され、品質が良好に維持される。
第2の発明は、第1の発明の構成において、前記酸素を0.3sccmないし5sccm導入することを特徴とする。
第2の発明の構成によれば、前記酸素流量を0.3sccm以上とすることで、比較的十分なQ値が得られる。また、前記酸素流量が5sccmを超えると、相当程度スパッタリングレートが低下する。
第2の発明の構成によれば、前記酸素流量を0.3sccm以上とすることで、比較的十分なQ値が得られる。また、前記酸素流量が5sccmを超えると、相当程度スパッタリングレートが低下する。
第3の発明は、第1または第2の発明の構成において、前記二酸化珪素膜が400オングストローム以下の膜厚に形成されることを特徴とする。
第3の発明の構成によれば、前記二酸化珪素膜が400オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が急激に生じる。
第3の発明の構成によれば、前記二酸化珪素膜が400オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が急激に生じる。
第4の発明は、第3の発明の構成において、前記二酸化珪素膜が500オングストローム以下の膜厚に形成されることを特徴とする。
第4の発明の構成によれば、前記二酸化珪素膜が500オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が無視できないレベルとなる。
第4の発明の構成によれば、前記二酸化珪素膜が500オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が無視できないレベルとなる。
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面を参照して説明する。
図1は、本発明のSAWデバイスの第1の実施形態を示す概略分解斜視図、図2は図1のA−A線概略断面図である。
これらの図において、SAWデバイス30は、SAWチップ(弾性表面波チップ)31と、このSAWチップ31を収容する収容容器としての例えばパッケージ41を有している。
SAWチップ31は、図1に示されているように、圧電基板32と、すだれ状電極であるIDT(櫛形電極)33及び反射器34,34を備えている。
圧電基板32は、圧電材料として、例えば、水晶,リチウムタンタレート(LiTaO3 ),リチウムナイオベート(LiNbO3 )等の単結晶基板やSi基板へZnO成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
図1は、本発明のSAWデバイスの第1の実施形態を示す概略分解斜視図、図2は図1のA−A線概略断面図である。
これらの図において、SAWデバイス30は、SAWチップ(弾性表面波チップ)31と、このSAWチップ31を収容する収容容器としての例えばパッケージ41を有している。
SAWチップ31は、図1に示されているように、圧電基板32と、すだれ状電極であるIDT(櫛形電極)33及び反射器34,34を備えている。
圧電基板32は、圧電材料として、例えば、水晶,リチウムタンタレート(LiTaO3 ),リチウムナイオベート(LiNbO3 )等の単結晶基板やSi基板へZnO成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
IDT33及び反射器34は、圧電基板32の一面である能動面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、例えば、フォトリソグラフィの手法を用いて、すだれ状となるように形成されている。
具体的には、IDT33は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成された一対の櫛歯状の電極の各櫛歯の先端側が対向され、所定距離隔てて該櫛歯部分が互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
具体的には、IDT33は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成された一対の櫛歯状の電極の各櫛歯の先端側が対向され、所定距離隔てて該櫛歯部分が互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
IDT33には、圧電基板32の例えば側縁部に形成された端子部36,36が設けられている。この端子部36,36は、パッケージ41側に形成された電極部42,42に対して、例えばワイヤボンディングにより接続されている。この電極部42,42は、図示省略しているが、パッケージ41内部を通って、該パッケージ41の底面などに形成した実装端子と接続されている。SAWデバイス30は、この実装端子を介して電気信号と弾性表面波(SAW)との間の変換を行う機能を有する。
IDT33の両側には、反射器34,34が設けられている。反射器34は、複数の導体ストリップが、IDT33と同じように、所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。
そして、例えば、同一構成の2つの反射器34,34は、その導体ストリップがIDT33の電極指と平行になるように、かつIDT33を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち図1の矢印T方向で示す方向であるIDT33の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器34,34は、IDT33から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
そして、例えば、同一構成の2つの反射器34,34は、その導体ストリップがIDT33の電極指と平行になるように、かつIDT33を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち図1の矢印T方向で示す方向であるIDT33の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器34,34は、IDT33から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このようなIDT33と反射器34,34は電極パターンにより一体に形成されており、その表面には、二酸化珪素による保護膜37により被覆されている。図3には、図2のBの部分が拡大されており、保護膜37の被覆の状態が大きく示されている。
また、図2に示すように、パッケージ41は、内部に不活性ガスなどを充填してロウ材43を介して蓋体45により気密に封止されている。
また、図2に示すように、パッケージ41は、内部に不活性ガスなどを充填してロウ材43を介して蓋体45により気密に封止されている。
このような構成において、電気信号が、上記外部端子を介してIDT33に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印T方向、すなわち、IDT33の電極指の長手方向に対して直交方向に伝搬され、IDT33の両側から反射器34,34に放射される。このとき、圧電基板32の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度とIDT33の電極指の電極周期d0 に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、反射器34,34により多段反射されてIDT33に戻され、共振周波数付近の周波数(動作周波数)の電気信号に変換されてIDT33から実装端子(外部電極)を介して出力される。
図4は、SAWデバイス30の製造方法の一例を示すフローチャートであり、図5および図6は図4のフローチャートに沿った工程を説明する主要な工程図である。
図4において、まず、図1で説明した圧電基板32を形成するための圧電ウエハ10を用意する(ST11)。図5(a)に圧電ウエハ10としての水晶ウエハを示す。
次に、図5(b)に示すように、水晶ウエハ10の一面に電極膜11を蒸着もしくはスパッタリングにより形成する(ST12)。電極膜11は、例えばアルミニウムを成膜することにより形成することができる。
図4において、まず、図1で説明した圧電基板32を形成するための圧電ウエハ10を用意する(ST11)。図5(a)に圧電ウエハ10としての水晶ウエハを示す。
次に、図5(b)に示すように、水晶ウエハ10の一面に電極膜11を蒸着もしくはスパッタリングにより形成する(ST12)。電極膜11は、例えばアルミニウムを成膜することにより形成することができる。
次いで、図5(c)に示すように、マスク12を用意し、図5(d)に示すように、図1および図2で説明したIDT33、反射器34,34を形成する領域に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像する。これによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、IDT33、反射器34,34となるアルミパターン(電極パターン)を形成する(ST13)。
続いて、保護膜としての二酸化珪素膜を形成する工程を行う(ST14)。
図6は、この二酸化珪素膜としての図1および図2で説明した保護膜37の成膜の様子を示す概略図である。
図6(e)に示すチャンバー15を利用したスパッタリング装置には、例えば、イオンビームスパッタリング装置や、マグネトロンスパッタリング装置などがあり、種々の形態のものが使用できるが、RFスパッタ、マグネトロンスパッタなどが適している。
本実施形態では、例えば、RFスパッタによって、スパッタリングを行っている。
チャンバー15内には、二酸化珪素(SiO2)のターゲット16が配置されている。
図6は、この二酸化珪素膜としての図1および図2で説明した保護膜37の成膜の様子を示す概略図である。
図6(e)に示すチャンバー15を利用したスパッタリング装置には、例えば、イオンビームスパッタリング装置や、マグネトロンスパッタリング装置などがあり、種々の形態のものが使用できるが、RFスパッタ、マグネトロンスパッタなどが適している。
本実施形態では、例えば、RFスパッタによって、スパッタリングを行っている。
チャンバー15内には、二酸化珪素(SiO2)のターゲット16が配置されている。
チャンバー15内は矢印Cに示すように、真空ポンプなどを用いて所定の真空度にされる。ターゲット16として二酸化珪素が配置され、ターゲット16とチャンバー15との間には3.5kw(キロワット)程度の電界を形成する。
チャンバー15内には、不活性ガスである例えばアルゴン(Ar)ガスが導入され、イオン化されるこの場合、例えばアルゴン導入量は、20(sccm)程度である。さらに、チャンバー15内には同時に酸素(O2)が導入される。
チャンバー15内には、不活性ガスである例えばアルゴン(Ar)ガスが導入され、イオン化されるこの場合、例えばアルゴン導入量は、20(sccm)程度である。さらに、チャンバー15内には同時に酸素(O2)が導入される。
酸素を導入する理由は、成膜の過程でSiリッチとなり、成膜状態に悪影響が出て、膜質が悪くなることを防止するためである。
ここで、気体導入量としての上記[sccm」の「ccm」は、「cc(cm3)/min」であり、1分間の流量を「cc」単位で表すものである。また、「sccm」は、standard cc/min、1atm(大気圧としての1013hPa)、0度(摂氏)あるいは一定温度で規格化された「ccm」である。
ここで、気体導入量としての上記[sccm」の「ccm」は、「cc(cm3)/min」であり、1分間の流量を「cc」単位で表すものである。また、「sccm」は、standard cc/min、1atm(大気圧としての1013hPa)、0度(摂氏)あるいは一定温度で規格化された「ccm」である。
次いで、保護膜としての二酸化珪素膜37を成膜後、これを図1の端子部36,36の領域などから除去する必要があるために、フォトリソグラフィにより除去し(ST15)、図6(f)に示すように保護膜が形成された圧電基板を個々のSAWチップのサイズに切断(ST16)する。
続いて、図6(g)に示されているようにパッケージ41の底面に対して接着剤などを用いて固定し、図1に示すように、ワイヤボンディングなどにより必要な電気的接続を行う(ST17)。最後に図2で説明した蓋体45を接合してパッケージ41を気密に封止することにより、SAWデバイス30が完成する(図6(h)参照)。
続いて、図6(g)に示されているようにパッケージ41の底面に対して接着剤などを用いて固定し、図1に示すように、ワイヤボンディングなどにより必要な電気的接続を行う(ST17)。最後に図2で説明した蓋体45を接合してパッケージ41を気密に封止することにより、SAWデバイス30が完成する(図6(h)参照)。
かくして、上述の実施形態では、チャンバー15内でのスパッタリングに際して、アルゴンガスのイオン化されたガス分子が、ターゲット16に当たり、ターゲットを構成する分子が反跳する反応において、Siリッチになる状態であっても、酸素が導入されることにより、その酸素分子がSiと適切に結合するので、二酸化珪素膜が適切に形成される。
その結果、SAWデバイス30においてはQ値や挿入損失の劣化が防止され、品質が良好に維持される。
その結果、SAWデバイス30においてはQ値や挿入損失の劣化が防止され、品質が良好に維持される。
ここで、図7は、スパッタリング中の酸素流量と、製品のQ値の関係を示すグラフであり、図8はスパッタリング中の酸素流量と、スパッタリングレート(成膜スピード)の関係を示すグラフである。
図7より、酸素流量を0.3(sccm)以上とすることで、10000程度の比較的十分なQ値が得られる。また、図8より、酸素流量が5(sccm)を超えると、相当程度スパッタリングレートが低下する。
図7より、酸素流量を0.3(sccm)以上とすることで、10000程度の比較的十分なQ値が得られる。また、図8より、酸素流量が5(sccm)を超えると、相当程度スパッタリングレートが低下する。
さらに、図9は、保護膜としての二酸化珪素の膜厚に対して、製品の挿入損失を比較した表である。図示されているように、二酸化珪素膜が400オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が急激に生じる。また、二酸化珪素膜が、さらに500オングストロームを超えると、挿入損失の劣化が無視できないレベルとなる。
本発明は上述の実施形態に限定されない。
本発明の対象となるSAWデバイスは、共振子やフィルターなどの名称にかかわらず、SAWチップを利用したあらゆるSAWデバイスに適用することができる。また、SAWデバイスに用いるSAWチップは、実施形態で説明したものの他、複数対のIDTを備えているものを含む。また、反射器は形成しないSAWチップも含む。
上述の実施形態の各条件や各構成は適宜その一部を省略し、あるいは言及しない他の構成と組み合わせることが可能である。
本発明の対象となるSAWデバイスは、共振子やフィルターなどの名称にかかわらず、SAWチップを利用したあらゆるSAWデバイスに適用することができる。また、SAWデバイスに用いるSAWチップは、実施形態で説明したものの他、複数対のIDTを備えているものを含む。また、反射器は形成しないSAWチップも含む。
上述の実施形態の各条件や各構成は適宜その一部を省略し、あるいは言及しない他の構成と組み合わせることが可能である。
30・・・SAWデバイス、31・・・SAWチップ、33・・・IDT、34・・・反射器、37・・・保護膜(二酸化珪素膜)、41・・・パッケージ、45・・・蓋体
Claims (4)
- 圧電基板上にIDT電極を形成した後で、前記圧電基板の主としてIDT電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたSAWデバイスの製造方法であって、
チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成することを特徴とするSAWデバイスの製造方法。 - 前記酸素を0.3sccmないし5sccm導入することを特徴とする請求項1に記載のSAWデバイスの製造方法。
- 前記二酸化珪素膜が400オングストローム以下の膜厚に形成されることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のSAWデバイスの製造方法。
- 前記二酸化珪素膜が500オングストローム以下の膜厚に形成されることを特徴とする請求項3に記載のSAWデバイスの製造方法。
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2005
- 2005-07-19 JP JP2005208715A patent/JP2007028297A/ja not_active Withdrawn
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