JP2007012902A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板上の素子領域の配置に基づいて形成された断面構造用評価素子群を有し、該基板のへき開面から断面構造用評価素子群を露出させて観察することで素子領域の断面構造の解析を容易に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置10は、基板11上に、半導体素子が配列された素子領域12と、半導体素子と同じ構成を有し、素子領域12の所望の断面を評価するための断面構造評価用素子群13とを有し、断面構造評価用素子群は、所望の断面Sが基板11のへき開の断面と平行になる側に傾斜した状態で形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置10は、基板11上に、半導体素子が配列された素子領域12と、半導体素子と同じ構成を有し、素子領域12の所望の断面を評価するための断面構造評価用素子群13とを有し、断面構造評価用素子群は、所望の断面Sが基板11のへき開の断面と平行になる側に傾斜した状態で形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体素子を有する素子領域の断面構造を評価するのに用いられる断面構造用評価素子群を備えた半導体装置に関する。
従来、半導体素子内部におけるトランジスタ等の断面構造を解析し、評価をするため、解析の対象となる部位の断面構造の形状及び寸法で形成された断面構造用評価素子群(Test Element Group、以下単にTEGともいう。)が半導体基板上に設けられている。断面構造用評価素子群は、解析する断面に対して直角方向に数百μmから数mmにわたって均一な構造を有している。そして、断面構造用評価素子群によって断面構造を解析する際には、基板における断面構造用評価素子群が形成された部位又はその近傍をへき開し、そのへき開面を機械研磨により露出させて観察することで、実質的に素子領域の断面構造を評価している。
図2は半導体ウエハW上に半導体素子dを複数形成した状態を示している。また、図3は、半導体素子dの基板上には素子領域Aと、該素子領域Aの周辺に、同じ素子構造を有する断面構造用評価素子群Tが形成されている。半導体素子dの断面構造を解析する場合には、半導体ウエハを所定の方向(図3においてへき開方向とした。)に沿ってへき開し、その後、へき開された断面を機械研磨し、断面構造用評価素子群Tの構造が解析可能な所望の断面を露呈させている。
ところで、半導体素子としては、図4に示す固体撮像素子のように、転送電極101,102,103と受光部104と有し、受光部104がハニカム状等の所定のパターンで配置されたものがある。なお、図4は、図3の素子領域Aの素子の配置の状態を示す平面図である。一方、固体撮像素子が配設されたウェハWのへき開方向は、通常、一定の方向に限られている。すると、このような固体撮像素子の素子構造について、所望の断面Sを観察することで断面構造の解析を行う場合に、半導体ウエハWのへき開の断面が観察したい断面Sに対して傾斜しているため、所望の断面Sを観察することができなかった。また、へき開の断面に機械研磨を行って所望の断面を露出させる場合には、該へき開の断面が観察したい断面Sに対して傾斜しているため、へき開面に対して平行に機械研磨を行うことができず、所望の断面Sの観察が不可能であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、基板上の素子領域の配置に基づいて形成された断面構造用評価素子を有し、該基板のへき開面から断面構造用評価素子を露出させて観察することで素子領域の断面構造の解析を容易に行うことができる半導体装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、基板上に、半導体素子が配列された素子領域と、半導体素子と同じ構成を有し、素子領域の所望の断面を評価するための断面構造評価用素子群とを有する半導体装置であって、断面構造評価用素子群は、所望の断面が基板のへき開の断面と平行になる側に傾斜した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置によって達成される。
本発明の半導体装置は、素子領域の評価したい所望の断面が基板のへき開の断面と平行になる側へ、素子領域と同じ構成を有する断面構造評価用素子群の配列が素子領域の配列に対して傾斜した状態で形成されている。このため、所望の断面構造を評価する場合には、素子領域の配置パターンにかかわず、へき開による断面を該断面に対して平行に機械研磨することで所望の断面を簡便に露出させることができる。こうして、断面構造評価用素子群の露出した所望の断面を観察することで、素子領域の断面構造を解析し、評価することができる。
上記半導体装置は、素子領域に受光部がハニカム状に配置され、断面構造評価用素子群は、受光部の複数を含む所望の断面がへき開の断面に対して平行となるように、形成されていることが好ましい。こうすれば、ハニカム状に配置された受光部を備えた固体撮像装置の素子領域における断面構造を評価する場合に、所望の断面を容易に露出させることで、評価にかかる作業負担を軽減することができる。
また、上記半導体装置は、受光部が素子領域の水平及び垂直方向における画素ピッチの1/√2のピッチの正方格子を45度傾けた状態に配列され、断面構造評価用素子群の配列が素子領域の配列に対して45度回転した状態で形成されていることが好ましい。
本発明によれば、基板上の素子領域の配置に基づいて形成された断面構造用評価素子群を有し、該基板のへき開面から断面構造用評価素子群を露出させて観察することで素子領域の断面構造の解析を容易に行うことができる半導体装置を提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、本発明に係る半導体装置を示す図である。本実施形態では、半導体装置の一例として固体撮像装置を用いて説明する。
図1は、本発明に係る半導体装置を示す図である。本実施形態では、半導体装置の一例として固体撮像装置を用いて説明する。
図1(a)に示すように、固体撮像装置10は、シリコンなどの半導体基板(以下、単に基板という。)11を有している。基板11上には、素子領域12と、該素子領域12の周辺に断面構造用評価素子群13とが形成されている。
固体撮像装置10は、図2で示すように、半導体ウエハW上にフォトリソグラフィー工程等の従来の半導体製造プロセスによって製造される。固体撮像装置10の基板11の縦方向と横方向とはそれぞれ、図2で示す半導体ウエハの上下方向と左右方向とに相当するものとする。
図1(b)は、図1(a)の素子領域12を拡大した状態を模式的に示す平面図である。図1(b)に示すように、素子領域12は、画素領域に相当する受光部24が複数配置され、画素領域の両側には受光部24で生成された電荷信号を転送するため電荷転送路21,22,23が形成されている。
本実施形態の固体撮像装置10は、電荷転送路21,22,23の所定単位ごとに交互に且つ逆方向に電荷を転送する構成であって、所謂、全画素読み出し型のフレームインターライン転送型CCD(FIT−CCD)を構成するものである。
受光部24のうち、ある受光部24に隣接する受光部24を水平及び垂直方向の画素ピッチの半分ずらした位置に配し、受光部24の画素配列をハニカム状に配置したハニカム配列のCCD撮像素子を固体撮像素子として用いる。具体的に、受光部24は、隣接する受光部24に対して水平及び垂直方向において画素ピッチの半分ずらした状態で配列される。すなわち、ある受光部24において水平及び垂直方向に形成される正方格子の中心点位置にそれぞれ隣接する受光部が配置される。これにより、水平及び垂直方向における画素ピッチの1/√2のピッチの正方格子を45度傾けた状態に受光部が配列された素子領域が構成される。
受光部24は、例えば、基板11内部に形成された、P型低濃度不純物領域(Pウェル領域)と、N型高濃度不純物層と、基板11の表面に形成されたP型高濃度不純物層からなる埋め込みフォトダイオードにより構成される。電荷転送路21,22,23は、受光部24の周囲の隣接する領域に垂直方向(図1(b)の縦方向)に蛇行しつつ延設されている。
本実施形態の固体撮像装置10において、素子領域12の断面構造を評価する場合には、素子領域12において左下側から右上側への斜め方向にわたる直線上に配列された複数の受光部24の断面を、解析の対象とする所望の断面とする。この所望の断面は、素子領域12の縦方向、言い換えると図1(a)に示す固体撮像装置10の基板11の縦方向に対して45度傾斜している。
図1(a)に示すように固体撮像装置10は、半導体ウエハの構成に基づいて基板11のへき開の方向Cが一定となる。ここで、本実施形態では、基板11のへき開の断面と平行になる側に傾斜した状態となるように、断面構造評価用素子群13を形成している。
図1(c)は断面構造評価用素子群13を拡大した状態を模式的に示す平面図である。断面構造評価用素子群13は、素子領域12の構成と同じ寸法及び形状で受光部24a及び電荷転送路21a,22a,23a等から構成されている。しかし、断面構造評価用素子群13における各素子は、図1(b)に示す素子領域12を図中時計方向反対側に45度傾けた状態で配置されている。つまり、素子領域12の所望の断面Sが固体撮像装置10の基板11の縦方向に45度傾いていたのに対し、断面構造評価用素子群13の素子の配列においては、所望の断面Sが基板11の縦方向と等しい方向となる。
本実施形態において、固体撮像装置10の断面構造を評価する際には、半導体ウエハをへき開すると、へき開の断面が固体撮像装置10の基板11の縦方向に沿った面方向を有し、断面構造評価用素子群13における所望の断面Sの方向と平行になる。そして、このへき開の断面を平行に機械研磨することで、断面構造評価用素子群13の所望の断面Sを露出させることができ、露出した面を解析することで、素子領域12において評価したい断面Sを評価するのと実質上同様に評価することができる。
本実施形態では、一例として固体撮像装置を適用して素子領域を評価する形態を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、素子領域において、所定の配置パターンで素子群が形成され、配置パターンに基づいてへき開の断面と所望の断面が平行でない場合に、断面構造評価用素子群を、所望の断面が基板のへき開の断面と平行になる側に傾斜させて形成した半導体装置に適用することができる。
このように、本発明にかかる半導体装置10は、素子領域12の評価したい所望の断面Sが基板11のへき開の断面と平行になる側へ、素子領域12と同じ構成を有する断面構造評価用素子群13の配列が素子領域12の配列に対して傾斜した状態で形成されている。このため、所望の断面構造を評価する場合には、素子領域12の配置パターンにかかわず、へき開による断面を該断面に対して平行に機械研磨することで所望の断面Sを簡便に露出させることができる。こうして、断面構造評価用素子群13の露出した所望の断面Sを観察することで、素子領域12の断面構造を解析し、評価することができる。
素子領域12に受光部24がハニカム状に配置され、断面構造評価用素子群13は、受光部24の複数を含む所望の断面Sがへき開の断面に対して平行となるように、形成されていることが好ましい。こうすれば、ハニカム状に配置された受光部24を備えた固体撮像装置10の素子領域12における断面構造を評価する場合に、所望の断面を容易に露出させることで、評価にかかる作業負担を軽減することができる。
10 固体撮像装置(半導体装置)
11 半導体基板
12 素子領域
13 断面構造用評価素子群
21,22,23 電荷転送路
24 受光部
S (評価の対象となる)所定の断面
11 半導体基板
12 素子領域
13 断面構造用評価素子群
21,22,23 電荷転送路
24 受光部
S (評価の対象となる)所定の断面
Claims (3)
- 基板上に、半導体素子が配列された素子領域と、前記半導体素子と同じ構成を有し、前記素子領域の所望の断面を評価するための断面構造評価用素子群とを有する半導体装置であって、
前記断面構造評価用素子群は、前記所望の断面が前記基板のへき開の断面と平行になる側に傾斜した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記素子領域に受光部がハニカム状に配置され、前記断面構造評価用素子群は、前記受光部の複数を含む前記所望の断面が前記へき開の断面に対して平行となるように、形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記受光部が前記素子領域の水平及び垂直方向における画素ピッチの1/√2のピッチの正方格子を45度傾けた状態に配列され、前記断面構造評価用素子群の配列が前記素子領域の配列に対して45度回転した状態で形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005192391A JP2007012902A (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005192391A Pending JP2007012902A (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 半導体装置 |
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2005
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