JP2007003909A - Display device, array substrate, and driving method of display device - Google Patents

Display device, array substrate, and driving method of display device Download PDF

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誠 澁沢
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a display device, which controls a gray scale that each pixel displays with the level of a video signal, from becoming insufficient in gray scale reproducibility. <P>SOLUTION: The display device according to the present invention includes a plurality of pixels PX each having a driving transistor DR whose source is connected to a power supply terminal ND1, a display element OLED including a pixel electrode, a counter electrode connected to the power supply terminal ND2, and an active layer interposed between them, a switch SWa connected between the drain of the driving transistor and the pixel electrode, a switching transistor SWc connected between the drain and gate of the driving transistor, a switch SWe connected between the drain of the driving transistor DR and the gate of the switching transistor SWc, and a switch SWd connected between the gate of the switching transistor SWc and a switching signal output terminal ND3. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置、アレイ基板、及び表示装置の駆動方法に関する。   The present invention relates to a display device, an array substrate, and a method for driving the display device.

アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素を行毎に選択する。画素を選択している選択期間では、その画素に映像信号を書き込む。各画素は、非選択期間において、映像信号に対応した大きさの駆動電流を有機EL素子に流す。有機EL素子は、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。このように、アクティブマトリクス型有機EL表示装置では、各画素で表示する階調を、映像信号の大きさで制御する。   When displaying an image on an active matrix organic electroluminescence (EL) display device, for example, pixels are selected for each row. In the selection period in which a pixel is selected, a video signal is written to that pixel. In each non-selection period, each pixel passes a driving current having a magnitude corresponding to the video signal to the organic EL element. The organic EL element emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current. As described above, in the active matrix organic EL display device, the gradation displayed in each pixel is controlled by the magnitude of the video signal.

ところで、アクティブマトリクス型有機EL表示装置では、映像信号として、電流信号及び電圧信号を利用することができる。   By the way, in an active matrix organic EL display device, a current signal and a voltage signal can be used as a video signal.

特許文献1には、映像信号として電流信号を利用するアクティブマトリクス型有機EL表示装置が記載されている。この表示装置の画素は、nチャネル電界効果トランジスタである駆動トランジスタと、有機EL素子と、キャパシタと、第1乃至第3スイッチングトランジスタとを含んでいる。駆動トランジスタと第1スイッチングトランジスタと有機EL素子とは、低電位電源線と高電位電源線との間で、この順に直列に接続されている。キャパシタは、低電位電源線と駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている。第2スイッチングトランジスタは、駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されている。第3スイッチングトランジスタは、駆動トランジスタのドレインと映像信号線との間に接続されている。   Patent Document 1 describes an active matrix organic EL display device that uses a current signal as a video signal. The pixel of this display device includes a drive transistor that is an n-channel field effect transistor, an organic EL element, a capacitor, and first to third switching transistors. The drive transistor, the first switching transistor, and the organic EL element are connected in series in this order between the low-potential power line and the high-potential power line. The capacitor is connected between the low potential power line and the gate of the driving transistor. The second switching transistor is connected between the drain and gate of the driving transistor. The third switching transistor is connected between the drain of the driving transistor and the video signal line.

特許文献2には、映像信号として電圧信号を利用するアクティブマトリクス型有機EL表示装置が記載されている。この表示装置の画素は、この表示装置の画素は、pチャネル電界効果トランジスタである駆動トランジスタと、有機EL素子と、第1及び第2キャパシタと、第1乃至第3スイッチングトランジスタとを含んでいる。駆動トランジスタと第1スイッチングトランジスタと有機EL素子とは、高電位電源線と低電位電源線との間で、この順に直列に接続されている。第1キャパシタは、高電位電源線と駆動トランジスタのゲートとの間に接続されている。第2スイッチングトランジスタは、駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されている。第2キャパシタの一方の電極は、駆動トランジスタのゲートに接続されている。第3スイッチングトランジスタは、映像信号線と第2キャパシタの一方の電極との間に接続されている。   Patent Document 2 describes an active matrix organic EL display device that uses a voltage signal as a video signal. The pixel of the display device includes a drive transistor that is a p-channel field effect transistor, an organic EL element, first and second capacitors, and first to third switching transistors. . The drive transistor, the first switching transistor, and the organic EL element are connected in series in this order between the high-potential power line and the low-potential power line. The first capacitor is connected between the high potential power supply line and the gate of the driving transistor. The second switching transistor is connected between the drain and gate of the driving transistor. One electrode of the second capacitor is connected to the gate of the driving transistor. The third switching transistor is connected between the video signal line and one electrode of the second capacitor.

特許文献1に記載された有機EL表示装置では、画素間で駆動トランジスタの閾値電圧及び移動度がばらついていたとしても、それらのばらつきに起因して、有機EL素子に流す駆動電流の大きさがばらつくことはない。また、特許文献2に記載された有機EL表示装置では、画素間で駆動トランジスタの閾値電圧がばらついていたとしても、そのばらつきに起因して、有機EL素子に流す駆動電流の大きさがばらつくことはない。したがって、これら有機EL表示装置によると、高い階調再現性を実現できる筈である。   In the organic EL display device described in Patent Document 1, even if the threshold voltage and mobility of the drive transistor vary between pixels, the magnitude of the drive current passed through the organic EL element is caused by the variation. There is no variation. Further, in the organic EL display device described in Patent Document 2, even if the threshold voltage of the drive transistor varies between pixels, the magnitude of the drive current flowing through the organic EL element varies due to the variation. There is no. Therefore, according to these organic EL display devices, high gradation reproducibility should be realized.

しかしながら、本発明者は、これら有機EL表示装置であっても、十分に高い階調再現性を実現できない可能性があることを見い出している。
米国特許第6373454号明細書 米国特許第6229506号明細書
However, the present inventors have found that even these organic EL display devices may not be able to realize sufficiently high gradation reproducibility.
US Pat. No. 6,373,454 US Pat. No. 6,229,506

本発明の目的は、各画素で表示する階調を映像信号の大きさで制御する表示装置において、階調再現性が不十分となるのを抑制することにある。   An object of the present invention is to suppress insufficient gradation reproducibility in a display device that controls the gradation displayed by each pixel by the magnitude of a video signal.

本発明の第1側面によると、ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子と、前記駆動トランジスタのドレインと前記画素電極との間に接続された第1スイッチと、前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとの間に接続された第2スイッチと、前記スイッチングトランジスタのゲートとスイッチング信号出力端子との間に接続された第3スイッチとを各々が備えた複数の画素を具備したことを特徴とする表示装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the display includes a driving transistor whose source is connected to the first power supply terminal, a counter electrode connected to the pixel electrode and the second power supply terminal, and an active layer interposed therebetween. An element; a first switch connected between the drain of the driving transistor and the pixel electrode; a switching transistor connected between the drain and gate of the driving transistor; and the drain and switching of the driving transistor. A plurality of pixels each including a second switch connected between a gate of the transistor and a third switch connected between a gate of the switching transistor and a switching signal output terminal. A display device is provided.

本発明の第2側面によると、ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、画素電極と、前記駆動トランジスタのドレインと前記画素電極との間に接続された第1スイッチと、前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとの間に接続された第2スイッチと、前記スイッチングトランジスタのゲートとスイッチング信号出力端子との間に接続された第3スイッチとを各々が備えた複数の画素回路を具備したことを特徴とするアレイ基板が提供される。   According to a second aspect of the present invention, a driving transistor having a source connected to a first power supply terminal, a pixel electrode, a first switch connected between a drain of the driving transistor and the pixel electrode, and the driving A switching transistor connected between the drain and gate of the transistor, a second switch connected between the drain of the driving transistor and the gate of the switching transistor, a gate of the switching transistor and a switching signal output terminal There is provided an array substrate comprising a plurality of pixel circuits each including a third switch connected therebetween.

本発明の第3側面によると、ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子と、前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタとを各々が備えた複数の画素を具備した表示装置の駆動方法であって、前記画素電極と前記駆動トランジスタのドレインとの接続を断っている選択期間において、前記スイッチングトランジスタのゲートをスイッチング信号出力端子に接続すると共に前記スイッチング信号出力端子の電位を前記スイッチングトランジスタを閉じるオン電位に設定する第1動作と、前記スイッチングトランジスタのゲートと前記スイッチング信号出力端子との接続を断つ第2動作と、前駆駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとを一時的に接続すると共に前記スイッチング信号出力端子の電位を前記スイッチングトランジスタを開くオフ電位に設定する第3動作と、前記スイッチングトランジスタのゲートを前記スイッチング信号出力端子に接続する第4動作とをこの順に行うことを特徴とする駆動方法が提供される。   According to the third aspect of the present invention, the display includes a driving transistor whose source is connected to the first power supply terminal, a pixel electrode, a counter electrode connected to the second power supply terminal, and an active layer interposed therebetween. A driving method of a display device including a plurality of pixels each including an element and a switching transistor connected between a drain and a gate of the driving transistor, the pixel electrode, a drain of the driving transistor, A first operation of connecting the gate of the switching transistor to a switching signal output terminal and setting the potential of the switching signal output terminal to an on-potential that closes the switching transistor in a selection period in which the switching transistor is disconnected; A second operation for disconnecting the switching signal output terminal from the gate of A third operation of temporarily connecting the drain of the precursor driving transistor and the gate of the switching transistor and setting the potential of the switching signal output terminal to an off-potential that opens the switching transistor; and switching the gate of the switching transistor There is provided a driving method characterized in that the fourth operation connected to the signal output terminal is performed in this order.

本発明によると、各画素で表示する階調を映像信号の大きさで制御する表示装置において、階調再現性が不十分となるのを抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the gradation reproducibility from becoming insufficient in a display device that controls the gradation displayed in each pixel by the magnitude of the video signal.

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の第1態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図2は、図1の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図3は、図1の表示装置が含む画素の等価回路図である。なお、図2では、表示装置を、その表示面,すなわち前面又は光出射面,が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。   FIG. 1 is a plan view schematically showing a display device according to a first aspect of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the display device of FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG. In FIG. 2, the display device is drawn such that its display surface, that is, the front surface or the light emitting surface faces downward, and the back surface faces upward.

この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機EL表示装置である。この有機EL表示装置は、図1に示すように、表示パネルDPと、映像信号線ドライバXDRと、走査信号線ドライバYDRとを含んでいる。   This display device is a bottom emission type organic EL display device adopting an active matrix driving method. As shown in FIG. 1, the organic EL display device includes a display panel DP, a video signal line driver XDR, and a scanning signal line driver YDR.

表示パネルDPは、図1及び図2に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁基板SUBを含んでいる。   As illustrated in FIGS. 1 and 2, the display panel DP includes an insulating substrate SUB such as a glass substrate, for example.

基板SUB上には、図2に示すように、アンダーコート層UCが形成されている。アンダーコート層UCは、例えば、基板SUB上にSiNx層とSiOx層とをこの順に積層してなる。 On the substrate SUB, as shown in FIG. 2, an undercoat layer UC is formed. For example, the undercoat layer UC is formed by laminating a SiN x layer and a SiO x layer in this order on the substrate SUB.

アンダーコート層UC上では、図2に示す半導体層SCが、後述する画素PXに対応して配列している。各半導体層SCは、例えば、p型領域とn型領域とを含んだポリシリコン層である。この例では、半導体層SCのうち、参照符号Gで示す部材と向き合っている領域はイントリンシック型領域であり、それ以外の領域はp+型領域である。 On the undercoat layer UC, the semiconductor layers SC shown in FIG. 2 are arranged corresponding to the pixels PX described later. Each semiconductor layer SC is, for example, a polysilicon layer including a p-type region and an n-type region. In this example, in the semiconductor layer SC, the region facing the member indicated by the reference symbol G is an intrinsic type region, and the other region is a p + type region.

アンダーコート層UC上では、図示しない下部電極が、画素PXに対応してさらに配列している。下部電極は、例えば、n+型ポリシリコン層である。 On the undercoat layer UC, lower electrodes (not shown) are further arranged corresponding to the pixels PX. The lower electrode is, for example, an n + type polysilicon layer.

半導体層SC及び下部電極は、図2に示すゲート絶縁膜GIで被覆されている。ゲート絶縁膜GIは、例えばTEOS(TetraEthyl OrthoSilicate)などを用いて形成することができる。   The semiconductor layer SC and the lower electrode are covered with the gate insulating film GI shown in FIG. The gate insulating film GI can be formed using, for example, TEOS (TetraEthyl OrthoSilicate).

ゲート絶縁膜GI上には、図1及び図3に示す走査信号線SL1乃至SL5が形成されている。走査信号線SL1乃至SL5は、図1に示すように、各々が画素PXの行方向(X方向)に延びており、画素PXの列方向(Y方向)に配列している。走査信号線SL1乃至SL5は、例えばMoWなどからなる。   Scan signal lines SL1 to SL5 shown in FIGS. 1 and 3 are formed on the gate insulating film GI. As shown in FIG. 1, each of the scanning signal lines SL1 to SL5 extends in the row direction (X direction) of the pixels PX, and is arranged in the column direction (Y direction) of the pixels PX. The scanning signal lines SL1 to SL5 are made of, for example, MoW.

ゲート絶縁膜GI上には、図示しない上部電極がさらに配置されている。上部電極は画素PXに対応して配列している。上部電極は、例えばMoWなどからなる。また、上部電極は、走査信号線SL1乃至SL5と同一の工程で形成することができる。   An upper electrode (not shown) is further arranged on the gate insulating film GI. The upper electrodes are arranged corresponding to the pixels PX. The upper electrode is made of, for example, MoW. The upper electrode can be formed in the same process as the scanning signal lines SL1 to SL5.

各画素PXにおいて、走査信号線SL1乃至SL5及び上部電極を含む導体パターンは、半導体層と6箇所で交差している。これら交差部は、図1及び図3に示す駆動トランジスタDR及びスイッチSWa乃至SWeを構成している。   In each pixel PX, the conductor pattern including the scanning signal lines SL1 to SL5 and the upper electrode intersects the semiconductor layer at six locations. These intersections constitute the drive transistor DR and the switches SWa to SWe shown in FIGS.

また、各画素PXにおいて、上部電極は下部電極と向き合っている。上部電極及び下部電極とそれらの間に介在した絶縁膜GIとは図1及び図3に示すキャパシタCを構成している。   In each pixel PX, the upper electrode faces the lower electrode. The upper electrode and the lower electrode and the insulating film GI interposed therebetween constitute the capacitor C shown in FIGS.

なお、この例では、駆動トランジスタDR及びスイッチSWa乃至SWeは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。また、図2に参照符号Gで示す部分は、薄膜トランジスタのゲートである。   In this example, the drive transistor DR and the switches SWa to SWe are top-gate p-channel thin film transistors. Further, a portion indicated by reference numeral G in FIG. 2 is a gate of the thin film transistor.

ゲート絶縁膜GI、走査信号線SL1乃至SL5、並びに上部電極は、図2に示す層間絶縁膜IIで被覆されている。層間絶縁膜IIは、例えばプラズマCVD法などにより成膜されたSiOxなどからなる。 The gate insulating film GI, the scanning signal lines SL1 to SL5, and the upper electrode are covered with an interlayer insulating film II shown in FIG. The interlayer insulating film II is made of, for example, SiO x formed by a plasma CVD method or the like.

層間絶縁膜II上には、図1及び図3に示す映像信号線DLと電源線PSLとが形成されている。映像信号線DLは、図1に示すように、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。電源線PSLは、この例では、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。   On the interlayer insulating film II, the video signal line DL and the power supply line PSL shown in FIGS. 1 and 3 are formed. As shown in FIG. 1, each video signal line DL extends in the Y direction and is arranged in the X direction. In this example, the power supply lines PSL extend in the Y direction and are arranged in the X direction.

層間絶縁膜II上には、図2に示すソース電極SEとドレイン電極DEとがさらに形成されている。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、層間絶縁膜II及びゲート絶縁膜GIに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインにそれぞれ接続されている。   On the interlayer insulating film II, a source electrode SE and a drain electrode DE shown in FIG. 2 are further formed. The source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source and drain of the thin film transistor through contact holes provided in the interlayer insulating film II and the gate insulating film GI, respectively.

映像信号線DLと電源線PSLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、例えば、Mo/Al/Moの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。   The video signal line DL, the power supply line PSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE have, for example, a three-layer structure of Mo / Al / Mo. These can be formed in the same process.

映像信号線DLと電源線PSLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、図2に示すパッシベーション膜PSで被覆されている。パッシベーション膜PSは、例えばSiNxなどからなる。 The video signal line DL, the power supply line PSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE are covered with a passivation film PS shown in FIG. The passivation film PS is made of, for example, SiN x .

パッシベーション膜PS上では、図2に示す画素電極PEが、画素PXに対応して配列している。各画素電極PEは、パッシベーション膜PSに設けたコンタクトホールを介して、ドレイン電極DEに接続されている。   On the passivation film PS, the pixel electrodes PE shown in FIG. 2 are arranged corresponding to the pixels PX. Each pixel electrode PE is connected to the drain electrode DE through a contact hole provided in the passivation film PS.

画素電極PEは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極PEは、この例では陽極である。画素電極PEの材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電性酸化物を使用することができる。   In this example, the pixel electrode PE is a light-transmitting front electrode. Further, the pixel electrode PE is an anode in this example. As a material of the pixel electrode PE, for example, a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) can be used.

パッシベーション膜PS上には、さらに、図2に示す隔壁絶縁層PIが形成されている。隔壁絶縁層PIには、画素電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極PEが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層PIには、画素電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。   A partition insulating layer PI shown in FIG. 2 is further formed on the passivation film PS. In the partition insulating layer PI, a through hole is provided at a position corresponding to the pixel electrode PE, or a slit is provided at a position corresponding to a column or row formed by the pixel electrode PE. Here, as an example, the partition insulating layer PI is provided with a through hole at a position corresponding to the pixel electrode PE.

隔壁絶縁層PIは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層PIは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。   The partition insulating layer PI is, for example, an organic insulating layer. The partition insulating layer PI can be formed using, for example, a photolithography technique.

画素電極PE上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ORGが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ORGは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。   On the pixel electrode PE, an organic layer ORG including a light emitting layer is formed as an active layer. The light emitting layer is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue. The organic layer ORG can further include a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like in addition to the light emitting layer.

隔壁絶縁層PI及び有機物層ORGは、対向電極CEで被覆されている。この例では、対向電極CEは、画素PX間で互いに接続された電極,すなわち共通電極,である。また、この例では、対向電極CEは、陰極であり且つ光反射性の背面電極である。対向電極CEは、例えば、パッシベーション膜PSと隔壁絶縁層PIとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線DLと同一の層上に形成された電極配線(図示せず)に電気的に接続されている。各々の有機EL素子OLEDは、画素電極PEと、有機物層ORGと、対向電極CEとを含んでいる。   The partition insulating layer PI and the organic layer ORG are covered with the counter electrode CE. In this example, the counter electrode CE is an electrode connected to each other between the pixels PX, that is, a common electrode. In this example, the counter electrode CE is a cathode and a light-reflecting back electrode. The counter electrode CE is electrically connected to an electrode wiring (not shown) formed on the same layer as the video signal line DL through, for example, a contact hole provided in the passivation film PS and the partition insulating layer PI. It is connected. Each organic EL element OLED includes a pixel electrode PE, an organic layer ORG, and a counter electrode CE.

各画素PXは、図1及び図3に示すように、駆動トランジスタDRと、スイッチSWa乃至SWeと、有機EL素子OLEDと、キャパシタCとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタDR及びスイッチSWa乃至SWeはpチャネル薄膜トランジスタである。   Each pixel PX includes a driving transistor DR, switches SWa to SWe, an organic EL element OLED, and a capacitor C as shown in FIGS. As described above, in this example, the drive transistor DR and the switches SWa to SWe are p-channel thin film transistors.

駆動トランジスタDRとスイッチSWaと有機EL素子OLEDとは、第1電源端子ND1と第2電源端子ND2との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ND1は高電位電源端子であり、電源端子ND2は低電位電源端子である。   The drive transistor DR, the switch SWa, and the organic EL element OLED are connected in series between the first power supply terminal ND1 and the second power supply terminal ND2. In this example, the power supply terminal ND1 is a high potential power supply terminal, and the power supply terminal ND2 is a low potential power supply terminal.

スイッチSWaのゲートは、走査信号線SL1に接続されている。スイッチSWbは駆動トランジスタDRのドレインと映像信号線DLとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。スイッチSWcは駆動トランジスタDRのドレインとゲートとの間に接続されている。スイッチSWdは走査信号線SL3とスイッチSWcのゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL4に接続されている。スイッチSWeはスイッチSWcのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL5に接続されている。なお、図1及び図3において、参照符号ND3はスイッチング信号出力端子を示している。   The gate of the switch SWa is connected to the scanning signal line SL1. The switch SWb is connected between the drain of the driving transistor DR and the video signal line DL, and its gate is connected to the scanning signal line SL2. The switch SWc is connected between the drain and gate of the drive transistor DR. The switch SWd is connected between the scanning signal line SL3 and the gate of the switch SWc, and the gate is connected to the scanning signal line SL4. The switch SWe is connected between the drain and gate of the switch SWc, and its gate is connected to the scanning signal line SL5. In FIGS. 1 and 3, reference numeral ND3 indicates a switching signal output terminal.

キャパシタCは、駆動トランジスタDRのゲートと定電位端子ND1’との間に接続されている。この例では、定電位端子ND1’は、電源端子ND1に接続されている。   The capacitor C is connected between the gate of the driving transistor DR and the constant potential terminal ND1 '. In this example, the constant potential terminal ND1 'is connected to the power supply terminal ND1.

なお、この表示パネルDPから対向電極CEや有機物層ORGを除いた構造がアレイ基板に相当している。また、画素PXから対向電極CEや有機物層ORGを除いたものが画素回路に相当している。   A structure obtained by removing the counter electrode CE and the organic layer ORG from the display panel DP corresponds to the array substrate. Further, the pixel circuit obtained by removing the counter electrode CE and the organic layer ORG from the pixel PX corresponds to a pixel circuit.

映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRは、この例では、表示パネルDPにCOG(chip on glass)実装している。映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDRは、COG実装する代わりに、TCP(tape carrier package)実装してもよい。   In this example, the video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR are mounted on the display panel DP by COG (chip on glass). The video signal line driver XDR and the scanning signal line driver YDR may be mounted by TCP (tape carrier package) instead of COG mounting.

映像信号線ドライバXDRには、映像信号線DLが接続されている。この例では、映像信号線ドライバXDRには、電源線PSLがさらに接続されている。映像信号線ドライバXDRは、映像信号線DLに映像信号として電流信号を出力すると共に、電源線PSLに電源電圧を供給する。   A video signal line DL is connected to the video signal line driver XDR. In this example, a power supply line PSL is further connected to the video signal line driver XDR. The video signal line driver XDR outputs a current signal as a video signal to the video signal line DL and supplies a power supply voltage to the power supply line PSL.

走査信号線ドライバYDRには、走査信号線SL1乃至SL5が接続されている。走査信号線ドライバYDRは、走査信号線SL1乃至SL5にそれぞれ第1乃至第5走査信号として電圧信号を出力する。   The scanning signal lines SL1 to SL5 are connected to the scanning signal line driver YDR. The scanning signal line driver YDR outputs voltage signals as first to fifth scanning signals to the scanning signal lines SL1 to SL5, respectively.

図4は、図1に示す表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。図中、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示している。   FIG. 4 is a timing chart showing an example of a method for driving the display device shown in FIG. In the figure, the horizontal axis indicates time and the vertical axis indicates potential.

図4において、「XDR出力」のうち、「Isig(M)」と表記した期間は映像信号線ドライバXDRが映像信号線DLに映像信号Isig(M)を出力する期間を示している。また、図4において、「SL1電位」乃至「SL5電位」で示す波形は、走査信号線SL1乃至SL5の電位をそれぞれ示している。 In FIG. 4, among the “XDR output”, a period denoted as “I sig (M)” indicates a period during which the video signal line driver XDR outputs the video signal I sig (M) to the video signal line DL. In FIG. 4, waveforms indicated by “SL1 potential” to “SL5 potential” indicate the potentials of the scanning signal lines SL1 to SL5, respectively.

図4の方法では、図1の表示装置が含む画素PXを線順次駆動する。
例えば、m行目の画素PXで或る階調を表示する場合、m行目の画素PXを選択する期間,すなわち、m行目選択期間,では、まず、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL1をオフ電位に設定する。これにより、スイッチSWaを開く(非導通状態)。スイッチSWaを開いている期間内に、以下の書込動作を行う。
In the method of FIG. 4, the pixels PX included in the display device of FIG. 1 are line-sequentially driven.
For example, when displaying a certain gradation with the m-th pixel PX, in the m-th pixel selection period, that is, the m-th selection period, the m-th pixel PX is first connected. The scanning signal line SL1 is set to an off potential. Thereby, the switch SWa is opened (non-conducting state). The following writing operation is performed during the period when the switch SWa is open.

まず、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL2をオン電位に設定する。さらに、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3をオン電位に設定する。このとき、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4の電位はオン電位のままとしておき、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL5の電位はオフ電位のままとしておく。すなわち、スイッチSWdは閉じた(導通状態)ままとしておき、スイッチSWeは開いたままとしておく。これにより、スイッチSWb及びSWcを閉じる。   First, the scanning signal line SL2 to which the pixel PX in the m-th row is connected is set to an on potential. Further, the scanning signal line SL3 connected to the m-th row pixel PX is set to an on potential. At this time, the potential of the scanning signal line SL4 to which the m-th row pixel PX is connected is kept on, and the potential of the scanning signal line SL5 to which the m-th row pixel PX is connected is kept off. . That is, the switch SWd remains closed (conducting state), and the switch SWe remains open. Thereby, the switches SWb and SWc are closed.

この状態で、映像信号線ドライバXDRから走査信号線DLに映像信号を電流信号として出力する。すなわち、第1電源端子ND1から映像信号線DLへと電流Isig(m)を流す。これにより、駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧Vgsを、駆動トランジスタDRが電流Isig(m)を流すときの値に設定する。 In this state, the video signal is output as a current signal from the video signal line driver XDR to the scanning signal line DL. That is, the current I sig (m) flows from the first power supply terminal ND1 to the video signal line DL. As a result, the gate-source voltage V gs of the driving transistor DR is set to a value when the driving transistor DR passes the current I sig (m).

次に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4をオフ電位に設定して、スイッチSWdを開く。スイッチSWdを開いている期間内に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3の電位をオン電位からオフ電位へと変化させる。また、スイッチSWdを開いている期間内に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL5の電位をオフ電位からオン電位に変化させ、さらにオフ電位に戻す。すなわち、スイッチSWeを一時的に閉じる。これにより、スイッチSWcのゲート電位を駆動トランジスタDRのドレイン電位と等しくして、スイッチSWcを開く。   Next, the scanning signal line SL4 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an off potential, and the switch SWd is opened. Within the period when the switch SWd is open, the potential of the scanning signal line SL3 to which the pixel PX in the m-th row is connected is changed from the on potential to the off potential. Further, the potential of the scanning signal line SL5 connected to the pixel PX in the m-th row is changed from the off potential to the on potential within the period in which the switch SWd is opened, and is further returned to the off potential. That is, the switch SWe is temporarily closed. As a result, the gate potential of the switch SWc is made equal to the drain potential of the drive transistor DR, and the switch SWc is opened.

次に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4をオン電位に設定して、スイッチSWdを閉じる。m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3はオフ電位に設定しているので、スイッチSWcは開いた状態を維持する。   Next, the scanning signal line SL4 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an on potential, and the switch SWd is closed. Since the scanning signal line SL3 to which the pixel PX in the m-th row is connected is set to an off potential, the switch SWc is kept open.

さらに、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL2をオフ電位に設定して、スイッチSWbを開く。その後、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL1をオン電位に設定して、スイッチSWaを閉じる。m行目選択期間は、スイッチSWaを閉じることにより終了する。   Further, the scanning signal line SL2 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an off potential, and the switch SWb is opened. Thereafter, the scanning signal line SL1 connected to the pixel PX in the m-th row is set to the on potential, and the switch SWa is closed. The m-th row selection period ends when the switch SWa is closed.

この選択期間に続く非選択期間では、m行目の画素PXは、m行目選択期間において設定した駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧Vgsを保持する。なお、m行目の画素PXの非選択期間において、この画素PXが接続された走査信号線SL1及びSL4の電位はオン電位のままとしておき、走査信号線SL2、SL3及びSL5の電位はオフ電位のままとしておく。有機EL素子OLEDには、映像信号Isig(m)に対応した大きさの駆動電流Idrv(m)が流れる。有機EL素子OLEDは、駆動電流Idrv(m)の大きさに対応した輝度で発光する。 In the non-selection period following this selection period, the pixel PX in the m-th row holds the gate-source voltage V gs of the drive transistor DR set in the m-th row selection period. Note that, in the non-selection period of the pixel PX in the m-th row, the potentials of the scanning signal lines SL1 and SL4 to which the pixel PX is connected are kept on and the potentials of the scanning signal lines SL2, SL3, and SL5 are off potentials. Leave as it is. A drive current I drv (m) having a magnitude corresponding to the video signal I sig (m) flows through the organic EL element OLED. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current I drv (m).

さて、この駆動方法によれば、優れた階調再現性を実現することができる。これについて、以下に説明する。   Now, according to this driving method, excellent gradation reproducibility can be realized. This will be described below.

例えば、図1の表示装置からスイッチSWd及びSWe並びに走査信号線SL4及びSL5を省略し、さらに、スイッチSWcのゲートを走査信号線SL3に接続してなる表示装置を図4の方法で駆動する場合を考える。この場合、m行目選択期間において走査信号線SL3の電位をオン電位からオフ電位へと変化させるのに伴い、駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧が変化する。より詳細には、スイッチSWcのゲート−チャネル間に形成される寄生容量の影響で、走査信号線SL3の電位変化に伴って駆動トランジスタDRのゲート電位が変化する。   For example, when the switches SWd and SWe and the scanning signal lines SL4 and SL5 are omitted from the display device of FIG. 1, and the display device in which the gate of the switch SWc is connected to the scanning signal line SL3 is driven by the method of FIG. think of. In this case, the gate-source voltage of the drive transistor DR changes as the potential of the scanning signal line SL3 is changed from the on potential to the off potential in the m-th row selection period. More specifically, the gate potential of the drive transistor DR changes with the potential change of the scanning signal line SL3 due to the influence of the parasitic capacitance formed between the gate and the channel of the switch SWc.

スイッチSWcのスイッチング動作が速い場合には、スイッチSWcが閉じる過程において、スイッチSWcのソース−ドレイン間で電荷は殆ど移動しない。そのため、スイッチSWcのゲートに走査信号を供給することでそのスイッチング動作を制御する場合、走査信号線SL3の電位変化に伴う駆動トランジスタDRの電位変化は大きい。また、この電位変化の大きさは、スイッチSWcの閾値電圧に依存する。   When the switching operation of the switch SWc is fast, the charge hardly moves between the source and drain of the switch SWc in the process of closing the switch SWc. Therefore, when the switching operation is controlled by supplying a scanning signal to the gate of the switch SWc, the potential change of the driving transistor DR accompanying the potential change of the scanning signal line SL3 is large. The magnitude of this potential change depends on the threshold voltage of the switch SWc.

それゆえ、スイッチSWcの閾値電圧が画素PX間でばらついている場合には、走査信号線SL3の電位変化に伴う駆動トランジスタDRのゲート電位変化の大きさが画素PX間でばらつき、その結果、輝度ムラを生じる可能性がある。すなわち、この場合、優れた階調再現性を実現することは不可能である。   Therefore, when the threshold voltage of the switch SWc varies between the pixels PX, the magnitude of the gate potential change of the drive transistor DR accompanying the potential change of the scanning signal line SL3 varies between the pixels PX, and as a result, the luminance Unevenness may occur. That is, in this case, it is impossible to realize excellent gradation reproducibility.

上記の通り、図1の表示装置では、スイッチSWdを介してスイッチSWcのゲートと走査信号線SL3とを接続すると共に、スイッチSWcのドレインとゲートとの間にスイッチSWeを接続している。また、図4の駆動方法では、スイッチSWdを開いている期間内に、走査信号線SL3の電位をオン電位からオフ電位へと変化させている。さらに、図4の駆動方法では、スイッチSWdを開いている期間内に、スイッチSWeを閉じて駆動トランジスタDRのドレインとスイッチSWcのゲートとを接続することにより、スイッチSWcを開いている。   As described above, in the display device of FIG. 1, the gate of the switch SWc and the scanning signal line SL3 are connected via the switch SWd, and the switch SWe is connected between the drain and gate of the switch SWc. In the driving method of FIG. 4, the potential of the scanning signal line SL3 is changed from the on potential to the off potential within the period in which the switch SWd is open. Further, in the driving method of FIG. 4, the switch SWc is opened by closing the switch SWe and connecting the drain of the driving transistor DR and the gate of the switch SWc within the period in which the switch SWd is open.

スイッチSWeを閉じることによってスイッチSWcを開くとき、スイッチSWeのチャネル抵抗はスイッチSWcのスイッチング動作を遅くする役割を果たす。そのため、スイッチSWeを閉じてからスイッチSWcのゲート−ソース間電圧がその閾値電圧に達するまでの期間においては、スイッチSWcのソース−ドレイン間で電荷が十分に移動することができ、それゆえ、スイッチSWcのソースは駆動トランジスタDRのドレインと等しい電位に維持される。また、スイッチSWcのゲート−ソース間電圧がその閾値電圧に達すると、その寄生容量は消滅するため、スイッチSWcのゲート電位変化に伴う駆動トランジスタDRのゲート電位変化は生じない。   When opening the switch SWc by closing the switch SWe, the channel resistance of the switch SWe serves to slow down the switching operation of the switch SWc. Therefore, in the period from when the switch SWe is closed until the gate-source voltage of the switch SWc reaches its threshold voltage, the charge can sufficiently move between the source and drain of the switch SWc. The source of SWc is maintained at the same potential as the drain of drive transistor DR. Further, when the gate-source voltage of the switch SWc reaches the threshold voltage, the parasitic capacitance disappears, so that the gate potential change of the driving transistor DR accompanying the gate potential change of the switch SWc does not occur.

したがって、図4の方法によると、スイッチSWcの閾値電圧が画素PX間でばらついていたとしても、これに起因した輝度ムラを生じることはない。すなわち、優れた階調再現性を実現することができる。   Therefore, according to the method of FIG. 4, even if the threshold voltage of the switch SWc varies between the pixels PX, luminance unevenness caused by this does not occur. That is, excellent gradation reproducibility can be realized.

次に、本発明の第2態様について説明する。   Next, the second aspect of the present invention will be described.

図5は、本発明の第2態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図6は、図5の表示装置が含む画素の等価回路図である。 FIG. 5 is a plan view schematically showing a display device according to the second aspect of the present invention. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG.

この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機EL表示装置である。この表示装置は、映像信号として電圧信号を出力する映像信号線ドライバXDRを使用すると共に、表示パネルDPに以下の構造を採用していること以外は、第1態様に係る表示装置とほぼ同様の構造を有している。   This display device is a bottom emission type organic EL display device adopting an active matrix driving method. This display device uses a video signal line driver XDR that outputs a voltage signal as a video signal, and is substantially the same as the display device according to the first aspect, except that the following structure is adopted for the display panel DP. It has a structure.

この表示パネルDPでは、画素PX毎に1つのキャパシタCを配置する代わりに、画素PX毎に2つのキャパシタC1及びC2を配置している。各画素PXは、駆動トランジスタDRと、スイッチSWa乃至SWeと、有機EL素子OLEDと、キャパシタC1及びC2とを含んでいる。   In this display panel DP, instead of arranging one capacitor C for each pixel PX, two capacitors C1 and C2 are arranged for each pixel PX. Each pixel PX includes a drive transistor DR, switches SWa to SWe, an organic EL element OLED, and capacitors C1 and C2.

駆動トランジスタDRとスイッチSWaと有機EL素子OLEDとは、第1電源端子ND1と第2電源端子ND2との間で、この順に直列に接続されている。スイッチSWaのゲートは、走査信号線SL1に接続されている。キャパシタC1は、駆動トランジスタDRのゲートと定電位端子ND1’との間に接続されている。この例では、定電位端子ND1’は、電源端子ND1に接続されている。スイッチSWbとキャパシタC2とは、映像信号線DLと駆動トランジスタDRのドレインとの間で、この順に直列に接続されている。スイッチSWbのゲートは、走査信号線SL2に接続されている。スイッチSWcは駆動トランジスタDRのドレインとゲートとの間に接続されている。スイッチSWdは走査信号線SL3とスイッチSWcのゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL4に接続されている。スイッチSWeは駆動トランジスタDRのドレインとスイッチSWcのゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL5に接続されている。   The drive transistor DR, the switch SWa, and the organic EL element OLED are connected in series between the first power supply terminal ND1 and the second power supply terminal ND2. The gate of the switch SWa is connected to the scanning signal line SL1. The capacitor C1 is connected between the gate of the driving transistor DR and the constant potential terminal ND1 '. In this example, the constant potential terminal ND1 'is connected to the power supply terminal ND1. The switch SWb and the capacitor C2 are connected in series in this order between the video signal line DL and the drain of the drive transistor DR. The gate of the switch SWb is connected to the scanning signal line SL2. The switch SWc is connected between the drain and gate of the drive transistor DR. The switch SWd is connected between the scanning signal line SL3 and the gate of the switch SWc, and the gate is connected to the scanning signal line SL4. The switch SWe is connected between the drain of the driving transistor DR and the gate of the switch SWc, and the gate thereof is connected to the scanning signal line SL5.

なお、この表示パネルDPから図2を参照しながら説明した対向電極CEや有機物層ORGを除いた構造がアレイ基板に相当している。また、画素PXから対向電極CEや有機物層ORGを除いたものが画素回路に相当している。   The structure excluding the counter electrode CE and the organic layer ORG described with reference to FIG. 2 from the display panel DP corresponds to the array substrate. Further, the pixel circuit obtained by removing the counter electrode CE and the organic layer ORG from the pixel PX corresponds to a pixel circuit.

図7は、図5に示す表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。図中、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示している。   FIG. 7 is a timing chart showing an example of a method for driving the display device shown in FIG. In the figure, the horizontal axis indicates time and the vertical axis indicates potential.

図7において、「XDR出力」のうち、「Vsig(M)」と表記した期間は映像信号線ドライバXDRが映像信号線DLに映像信号Vsig(M)を出力する期間を示し、「Vrst」と表記した期間は映像信号線ドライバXDRが映像信号線DLにリセット信号Vrstを出力する期間を示している。また、図7において、「SL1電位」乃至「SL5電位」で示す波形は、走査信号線SL1乃至SL5の電位をそれぞれ示している。 In FIG. 7, among the “XDR output”, a period denoted as “V sig (M)” indicates a period during which the video signal line driver XDR outputs the video signal V sig (M) to the video signal line DL. The period labeled “ rst ” indicates a period during which the video signal line driver XDR outputs the reset signal V rst to the video signal line DL. In FIG. 7, waveforms indicated by “SL1 potential” to “SL5 potential” indicate the potentials of the scanning signal lines SL1 to SL5, respectively.

図7の方法では、図5の表示装置が含む画素PXを線順次駆動する。
例えば、m行目の画素PXで或る階調を表示する場合、m行目の画素PXを選択する期間,すなわち、m行目選択期間,では、まず、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL1をオフ電位に設定する。これにより、スイッチSWaを開く(非導通状態)。スイッチSWaを開いている期間内に、以下のリセット動作と書込動作とを順次行う。
In the method of FIG. 7, the pixels PX included in the display device of FIG. 5 are line-sequentially driven.
For example, when displaying a certain gradation with the m-th pixel PX, in the m-th pixel selection period, that is, the m-th selection period, the m-th pixel PX is first connected. The scanning signal line SL1 is set to an off potential. Thereby, the switch SWa is opened (non-conducting state). The following reset operation and write operation are sequentially performed within a period during which the switch SWa is opened.

まず、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL2をオン電位に設定する。さらに、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3をオン電位に設定する。このとき、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4の電位はオン電位のままとしておき、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL5の電位はオフ電位のままとしておく。すなわち、スイッチSWdは閉じた(導通状態)ままとしておき、スイッチSWeは開いたままとしておく。これにより、スイッチSWb及びSWcを閉じる。また、このとき、映像信号線ドライバXDRから走査信号線DLにリセット信号を電圧信号として出力する。すなわち、映像信号線DLの電位はリセット電位Vrstに設定しておく。こうして、駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧Vgsを、その閾値電圧Vthに設定する。 First, the scanning signal line SL2 to which the pixel PX in the m-th row is connected is set to an on potential. Further, the scanning signal line SL3 connected to the m-th row pixel PX is set to an on potential. At this time, the potential of the scanning signal line SL4 to which the m-th row pixel PX is connected is kept on, and the potential of the scanning signal line SL5 to which the m-th row pixel PX is connected is kept off. . That is, the switch SWd remains closed (conducting state), and the switch SWe remains open. Thereby, the switches SWb and SWc are closed. At this time, a reset signal is output as a voltage signal from the video signal line driver XDR to the scanning signal line DL. That is, the potential of the video signal line DL is set to the reset potential Vrst . Thus, the gate-source voltage V gs of the drive transistor DR is set to the threshold voltage V th .

次に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4をオフ電位に設定して、スイッチSWdを開く。スイッチSWdを開いている期間内に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3の電位をオン電位からオフ電位へと変化させる。また、スイッチSWdを開いている期間内に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL5の電位をオフ電位からオン電位に変化させ、さらにオフ電位に戻す。すなわち、スイッチSWeを一時的に閉じる。これにより、スイッチSWcのゲート電位を駆動トランジスタDRのドレイン電位と等しくして、スイッチSWcを開く。なお、この間、映像信号線DLの電位はリセット電位Vrstに設定しておく。 Next, the scanning signal line SL4 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an off potential, and the switch SWd is opened. Within the period when the switch SWd is open, the potential of the scanning signal line SL3 to which the pixel PX in the m-th row is connected is changed from the on potential to the off potential. Further, the potential of the scanning signal line SL5 to which the pixel PX in the m-th row is connected is changed from the off potential to the on potential within the period in which the switch SWd is opened, and then returned to the off potential. That is, the switch SWe is temporarily closed. As a result, the gate potential of the switch SWc is made equal to the drain potential of the drive transistor DR, and the switch SWc is opened. During this period, the potential of the video signal line DL is set to the reset potential Vrst .

次に、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL4をオン電位に設定して、スイッチSWdを閉じる。m行目の画素PXが接続された走査信号線SL3はオフ電位に設定しているので、スイッチSWcは開いた状態を維持する。   Next, the scanning signal line SL4 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an on potential, and the switch SWd is closed. Since the scanning signal line SL3 to which the pixel PX in the m-th row is connected is set to an off potential, the switch SWc is kept open.

続いて、映像信号線ドライバXDRから走査信号線DLに映像信号Vsig(m)を電圧信号として出力する。例えば、キャパシタC1とキャパシタC2とでキャパシタンスが等しいとすると、これにより、駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧Vgsは電圧Vth+1/2×[Vsig(m)−Vrst]に設定される。 Subsequently, the video signal V sig (m) is output as a voltage signal from the video signal line driver XDR to the scanning signal line DL. For example, if the capacitances of the capacitor C1 and the capacitor C2 are equal, the gate-source voltage V gs of the driving transistor DR is thereby set to the voltage V th + 1/2 × [V sig (m) −V rst ]. The

さらに、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL2をオフ電位に設定して、スイッチSWbを開く。その後、m行目の画素PXが接続された走査信号線SL1をオン電位に設定して、スイッチSWaを閉じる。m行目選択期間は、スイッチSWaを閉じることにより終了する。   Further, the scanning signal line SL2 connected to the pixel PX in the m-th row is set to an off potential, and the switch SWb is opened. Thereafter, the scanning signal line SL1 connected to the pixel PX in the m-th row is set to the on potential, and the switch SWa is closed. The m-th row selection period ends when the switch SWa is closed.

この選択期間に続く非選択期間では、m行目の画素PXは、m行目選択期間において設定した駆動トランジスタDRのゲート−ソース間電圧Vgsを保持する。なお、m行目の画素PXの非選択期間において、この画素PXが接続された走査信号線SL1及びSL4の電位はオン電位のままとしておき、走査信号線SL2、SL3及びSL5の電位はオフ電位のままとしておく。有機EL素子OLEDには、電圧Vth+1/2×[Vsig(m)−Vrst]に対応した大きさの駆動電流Idrv(m)が流れる。有機EL素子OLEDは、駆動電流Idrv(m)の大きさに対応した輝度で発光する。 In the non-selection period following this selection period, the pixel PX in the m-th row holds the gate-source voltage V gs of the drive transistor DR set in the m-th row selection period. Note that, in the non-selection period of the pixel PX in the m-th row, the potentials of the scanning signal lines SL1 and SL4 to which the pixel PX is connected are kept on and the potentials of the scanning signal lines SL2, SL3, and SL5 are off potentials. Leave as it is. A drive current I drv (m) having a magnitude corresponding to the voltage V th + 1/2 × [V sig (m) −V rst ] flows through the organic EL element OLED. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current I drv (m).

この駆動方法では、スイッチSWcのスイッチング動作に第1態様で説明したのと同様の方法を採用している。したがって、本態様でも、第1態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。   In this driving method, the same method as described in the first aspect is adopted for the switching operation of the switch SWc. Therefore, in this aspect, the same effect as described in the first aspect can be obtained.

本発明の第1態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。1 is a plan view schematically showing a display device according to a first aspect of the present invention. 図1の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a structure that can be employed in the display device of FIG. 1. 図1の表示装置が含む画素の等価回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG. 1. 図1に示す表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャート。3 is a timing chart illustrating an example of a method for driving the display device illustrated in FIG. 1. 本発明の第2態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。The top view which shows roughly the display apparatus which concerns on the 2nd aspect of this invention. 図5の表示装置が含む画素の等価回路図。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG. 5. 図5に示す表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャート。6 is a timing chart illustrating an example of a method for driving the display device illustrated in FIG. 5.

符号の説明Explanation of symbols

C…キャパシタ、C1…キャパシタ、C2…キャパシタ、CE…対向電極、DE…ドレイン電極、DL…映像信号線、DP…表示パネル、DR…駆動トランジスタ、G…ゲート、GI…ゲート絶縁膜、II…層間絶縁膜、ND1…電源端子、ND1’…定電位端子、ND2…電源端子、ND3…スイッチング信号出力端子、OLED…有機EL素子、ORG…有機物層、PE…画素電極、PI…隔壁絶縁層、PS…パッシベーション膜、PSL…電源線、PX…画素、SC…半導体層、SE…ソース電極、SL1…走査信号線、SL2…走査信号線、SL3…走査信号線、SL4…走査信号線、SL5…走査信号線、SUB…絶縁基板、SWa…スイッチ、SWb…スイッチ、SWc…スイッチ、SWd…スイッチ、SWe…スイッチ、UC…アンダーコート層、XDR…映像信号線ドライバ、YDR…走査信号線ドライバ。   C ... Capacitor, C1 ... Capacitor, C2 ... Capacitor, CE ... Counter electrode, DE ... Drain electrode, DL ... Video signal line, DP ... Display panel, DR ... Drive transistor, G ... Gate, GI ... Gate insulating film, II ... Interlayer insulating film, ND1 ... power supply terminal, ND1 '... constant potential terminal, ND2 ... power supply terminal, ND3 ... switching signal output terminal, OLED ... organic EL element, ORG ... organic substance layer, PE ... pixel electrode, PI ... partition insulating layer, PS ... passivation film, PSL ... power supply line, PX ... pixel, SC ... semiconductor layer, SE ... source electrode, SL1 ... scanning signal line, SL2 ... scanning signal line, SL3 ... scanning signal line, SL4 ... scanning signal line, SL5 ... Scan signal line, SUB ... insulating substrate, SWa ... switch, SWb ... switch, SWc ... switch, SWd ... switch, SWe ... switch, UC Undercoat layer, XDR ... the video signal line driver, YDR ... scanning signal line driver.

Claims (6)

ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、
画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子と、
前記駆動トランジスタのドレインと前記画素電極との間に接続された第1スイッチと、
前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとの間に接続された第2スイッチと、
前記スイッチングトランジスタのゲートとスイッチング信号出力端子との間に接続された第3スイッチとを各々が備えた複数の画素を具備したことを特徴とする表示装置。
A drive transistor having a source connected to the first power supply terminal;
A display element including a pixel electrode, a counter electrode connected to the second power supply terminal, and an active layer interposed therebetween;
A first switch connected between the drain of the driving transistor and the pixel electrode;
A switching transistor connected between a drain and a gate of the driving transistor;
A second switch connected between the drain of the driving transistor and the gate of the switching transistor;
A display device comprising a plurality of pixels each including a third switch connected between a gate of the switching transistor and a switching signal output terminal.
前記複数の画素が形成する列に対応して配列した複数の映像信号線をさらに具備し、前記複数の画素のそれぞれは、
定電位端子と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続されたキャパシタと、
前記映像信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続された第4スイッチとをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
A plurality of video signal lines arranged corresponding to columns formed by the plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes:
A capacitor connected between a constant potential terminal and the gate of the driving transistor;
The display device according to claim 1, further comprising a fourth switch connected between the video signal line and a gate of the driving transistor.
前記複数の画素が形成する列に対応して配列した複数の映像信号線をさらに具備し、前記複数の画素のそれぞれは、
定電位端子と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続された第1キャパシタと、
一方の電極が前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2キャパシタと、
前記第2キャパシタの他方の電極と前記映像信号線との間に接続された第4スイッチとをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
A plurality of video signal lines arranged corresponding to columns formed by the plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes:
A first capacitor connected between a constant potential terminal and the gate of the driving transistor;
A second capacitor having one electrode connected to the gate of the driving transistor;
The display device according to claim 1, further comprising a fourth switch connected between the other electrode of the second capacitor and the video signal line.
前記表示素子は有機EL素子であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the display element is an organic EL element. ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、
画素電極と、
前記駆動トランジスタのドレインと前記画素電極との間に接続された第1スイッチと、
前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとの間に接続された第2スイッチと、
前記スイッチングトランジスタのゲートとスイッチング信号出力端子との間に接続された第3スイッチとを各々が備えた複数の画素回路を具備したことを特徴とするアレイ基板。
A drive transistor having a source connected to the first power supply terminal;
A pixel electrode;
A first switch connected between the drain of the driving transistor and the pixel electrode;
A switching transistor connected between a drain and a gate of the driving transistor;
A second switch connected between the drain of the driving transistor and the gate of the switching transistor;
An array substrate comprising a plurality of pixel circuits each including a third switch connected between a gate of the switching transistor and a switching signal output terminal.
ソースが第1電源端子に接続された駆動トランジスタと、画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子と、前記駆動トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されたスイッチングトランジスタとを各々が備えた複数の画素を具備した表示装置の駆動方法であって、
前記画素電極と前記駆動トランジスタのドレインとの接続を断っている選択期間において、前記スイッチングトランジスタのゲートをスイッチング信号出力端子に接続すると共に前記スイッチング信号出力端子の電位を前記スイッチングトランジスタを閉じるオン電位に設定する第1動作と、前記スイッチングトランジスタのゲートと前記スイッチング信号出力端子との接続を断つ第2動作と、前駆駆動トランジスタのドレインと前記スイッチングトランジスタのゲートとを一時的に接続すると共に前記スイッチング信号出力端子の電位を前記スイッチングトランジスタを開くオフ電位に設定する第3動作と、前記スイッチングトランジスタのゲートを前記スイッチング信号出力端子に接続する第4動作とをこの順に行うことを特徴とする駆動方法。
A display element including a drive transistor having a source connected to the first power supply terminal; a pixel electrode; a counter electrode connected to the second power supply terminal; and an active layer interposed therebetween; a drain of the drive transistor; A driving method of a display device including a plurality of pixels each including a switching transistor connected between a gate and a switching transistor,
In a selection period in which the connection between the pixel electrode and the drain of the driving transistor is disconnected, the gate of the switching transistor is connected to a switching signal output terminal, and the potential of the switching signal output terminal is set to an ON potential that closes the switching transistor. A first operation to be set, a second operation for disconnecting the gate of the switching transistor and the switching signal output terminal, a drain of the precursor driving transistor and a gate of the switching transistor are temporarily connected and the switching signal A third operation for setting the potential of the output terminal to an off potential for opening the switching transistor and a fourth operation for connecting the gate of the switching transistor to the switching signal output terminal are performed in this order. Method.
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