JP2007003706A - Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit - Google Patents

Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit Download PDF

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Masumitsu Ino
益充 猪野
Akira Yumoto
昭 湯本
Shin Asano
慎 浅野
Seiichiro Jinda
誠一郎 甚田
Hiroshi Fujimura
寛 藤村
Masanori Yamaguchi
正則 山口
Katsuhide Watanabe
勝秀 渡邉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pixel circuit that can prevent variance in luminance during high-luminance display without impairing signal write response during low-luminance display, and to provide a display device and a driving method of the pixel circuit. <P>SOLUTION: The pixel circuit 101 includes a TFT 111 and an organic EL light emitting element 113 arranged in series between a power source potential line VCCL and a reference potential GND, a TFT 112 connected between a signal line SGL and the gate of the TFT 111, and a capacitor C111 connected between the gate of the TFT 111 and the power source potential line VCCL. A one-field period is provided with N (8 or 10) sub-field SF periods to perform N-bit (2<SP>N</SP>gray scale) display, and a scan driver 104 generates signals of the N subfields SF1 to SFN; when the scan driver 104 preforms the selection, a high-level or low-level signal is applied from a data driver 103 to a signal line SGL and the signals are input to pixels in the timing. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL(Electroluminescence )表示装置およびLCD(液晶表示装置)などのアクティブマトリクス表示装置を含む信号線によって輝度が制御される電気光学素子を有する画素回路、表示装置、並びに画素回路の駆動方法に関するものである。   The present invention relates to a pixel circuit having an electro-optic element whose luminance is controlled by a signal line including an active matrix display device such as an organic EL (Electroluminescence) display device and an LCD (Liquid Crystal Display device), a display device, and driving of the pixel circuit It is about the method.

アクティブマトリクス型表示装置において、画素の表示素子として、液晶セルや有機EL素子等の電気光学素子が用いられる。
そのうち、有機EL素子は有機材料からなる層、すなわち有機層を電極で挟み込んだ構造を有している。
この有機EL素子では、当該素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔が有機層に注入され、その結果電子・正孔が再結合し、発光が生じる。この有機EL素子は以下のような特長を持っている。
In an active matrix display device, an electro-optical element such as a liquid crystal cell or an organic EL element is used as a display element of a pixel.
Among them, the organic EL element has a structure in which a layer made of an organic material, that is, an organic layer is sandwiched between electrodes.
In this organic EL element, by applying a voltage to the element, electrons from the cathode and holes from the anode are injected into the organic layer. As a result, the electrons and holes are recombined to generate light. This organic EL element has the following features.

(1)10V以下の低電圧駆動で、数百〜数万cd/m2 の輝度が得られることから低消費電力化が可能である。
(2)自発光素子であることから画像のコントラストが高く、応答速度も速いことから視認性が良く、動画表示にも適している。
(3)シンプルな構造を持つ全固体型素子であり、素子の高信頼性化、薄型化が可能である。
(1) Since a luminance of several hundred to several tens of thousands of cd / m 2 can be obtained by driving at a low voltage of 10 V or less, power consumption can be reduced.
(2) Since it is a self-luminous element, the contrast of the image is high and the response speed is fast, so that the visibility is good and it is also suitable for displaying moving images.
(3) It is an all solid state element having a simple structure, and the element can be made highly reliable and thin.

これらの特長を持つ有機EL素子を画素の表示素子として用いた有機EL表示装置(以下、有機ELディスプレイと記す)は、次世代のフラットパネルディスプレイとして有望視されている。   An organic EL display device using an organic EL element having these features as a pixel display element (hereinafter referred to as an organic EL display) is considered promising as a next-generation flat panel display.

ところで、有機ELディスプレイの駆動方式として、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とが挙げられる。これらの方式のうち、アクティブマトリクス方式には、以下のような特長がある。   By the way, as a driving method of the organic EL display, there are a simple matrix method and an active matrix method. Among these methods, the active matrix method has the following features.

(1)各画素における有機EL素子の発光を1フレーム期間に亘って保持できるアクティブマトリクス方式は、有機ELディスプレイの高精細化・高輝度化に適している。
(2)基板(パネル)上に、薄膜トランジスタを用いた周辺回路を作製することが可能であるため、パネル外部とのインターフェイスの簡素化、パネルの高機能化が可能である。
(1) An active matrix system that can hold light emission of an organic EL element in each pixel for one frame period is suitable for high definition and high luminance of an organic EL display.
(2) Since a peripheral circuit using a thin film transistor can be formed over a substrate (panel), the interface with the outside of the panel can be simplified and the function of the panel can be enhanced.

このアクティブマトリクス型有機ELディスプレイでは、アクティブ素子であるトランジスタには、ポリシリコンを活性層としたポリシリコン薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor ;TFT) を用いるのが一般的である。
その理由は、ポリシリコンTFTは駆動能力が高く、画素サイズを小さく設計できることによって高精細化に有利だからである。
In this active matrix organic EL display, a polysilicon thin film transistor (TFT) using polysilicon as an active layer is generally used as a transistor as an active element.
This is because the polysilicon TFT has a high driving capability and can be designed to have a small pixel size, which is advantageous for high definition.

ところで、ポリシリコンTFTは上述したような特長を持つ反面、特性のばらつきが大きいことも広く知られている。
したがって、ポリシリコンTFTを用いる場合、その特性ばらつきを抑えること、また回路的にTFTの特性ばらつきを補償することは、ポリシリコンTFTを用いたアクティブマトリクス型有機ELディスプレイにおける大きな課題である。これは、次のような理由による。
By the way, it is well known that the polysilicon TFT has the above-mentioned features, but has a large variation in characteristics.
Therefore, in the case of using a polysilicon TFT, it is a big problem in an active matrix type organic EL display using a polysilicon TFT to suppress the characteristic variation and to compensate for the TFT characteristic variation in a circuit. This is due to the following reason.

すなわち、画素の表示素子として液晶セルを用いた液晶ディスプレイでは、各画素の輝度データを電圧値によって制御する構成が採られるのに対して、有機ELディスプレイでは、各画素の輝度データを電流値によって制御する構成が採られるからである。   That is, in a liquid crystal display using a liquid crystal cell as a pixel display element, the luminance data of each pixel is controlled by a voltage value, whereas in an organic EL display, the luminance data of each pixel is controlled by a current value. It is because the structure to control is taken.

図1は、アクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路の構成例を示す回路図である(たとえば、特許文献1、2参照)。   FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit of an active matrix organic EL display (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

マトリクス状に配列される画素回路10は、図1に示すように、pチャネルTFT11、nチャネルTFT12、およびキャパシタC11、および有機EL素子(OLED)からなる発光素子13を有する。
各画素回路10のTFT11は、ソースが電源電位線VCCLに、ゲートがTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。有機EL発光素子13は、アノードがTFT11のドレインに、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路10のTFT12は、ソースが対応する列の信号線SGLに、ゲートが対応する行の走査線SCNLにそれぞれ接続されている。
キャパシタC11は、一端が電源電位線VCCLに、他端がTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。
As shown in FIG. 1, the pixel circuit 10 arranged in a matrix has a p-channel TFT 11, an n-channel TFT 12, a capacitor C <b> 11, and a light emitting element 13 composed of an organic EL element (OLED).
The TFT 11 of each pixel circuit 10 has a source connected to the power supply potential line VCCL and a gate connected to the drain of the TFT 12. The organic EL light emitting element 13 has an anode connected to the drain of the TFT 11 and a cathode connected to a reference potential (for example, ground potential) GND.
The TFT 12 of each pixel circuit 10 has a source connected to the signal line SGL of the corresponding column and a gate connected to the scanning line SCNL of the corresponding row.
The capacitor C11 has one end connected to the power supply potential line VCCL and the other end connected to the drain of the TFT 12.

なお、有機EL素子は多くの場合整流性があるため、OLED(Organic Light Emitting Diode)と呼ばれることがあり、図1その他では発光素子としてダイオードの記号を用いているが、以下の説明においてはOLEDに必ずしも整流性を要求するものではない。   Since organic EL elements often have rectifying properties, they are sometimes referred to as OLEDs (Organic Light Emitting Diodes). In FIG. 1 and others, diode symbols are used as light emitting elements. However, it does not necessarily require rectification.

このような構成を有する画素回路10において、輝度データの書き込みを行う画素では、図示しないスキャンドライバ3によって走査線を介して選択されることで、画素回路10のTFT12がオンする。
このとき、輝度データはデータドライバ2から信号線SGLを介して電圧で供給され、TFT12を通してデータ電圧を保持するキャパシタC11に書き込まれる。
キャパシタC11に書き込まれた輝度データは、1フィールド期間に亘って保持される。この保持されたデータ電圧は、TFT11のゲートに印加される。
これにより、TFT11は、保持データに従って有機EL発光素子13を電流で駆動する。このとき、有機EL発光素子13の階調表現は、キャパシタC11によって保持されるTFT11のゲート・ソース間電圧Vdata(<0)を変調することによって行われる。
In the pixel circuit 10 having such a configuration, a pixel to which luminance data is written is selected via a scanning line by a scan driver 3 (not shown), whereby the TFT 12 of the pixel circuit 10 is turned on.
At this time, the luminance data is supplied as a voltage from the data driver 2 through the signal line SGL, and is written into the capacitor C11 that holds the data voltage through the TFT 12.
The luminance data written in the capacitor C11 is held for one field period. The held data voltage is applied to the gate of the TFT 11.
Thereby, TFT11 drives the organic EL light emitting element 13 with an electric current according to holding | maintenance data. At this time, the gradation expression of the organic EL light emitting element 13 is performed by modulating the gate-source voltage Vdata (<0) of the TFT 11 held by the capacitor C11.

一般に、有機EL素子の輝度Loledは、当該素子に流れる電流Ioledに比例する。したがって、有機EL発光素子13の輝度Loledと電流Ioledとの間には次式(1)が成り立つ。   In general, the luminance Loled of the organic EL element is proportional to the current Ioled flowing through the element. Therefore, the following equation (1) is established between the luminance Loled of the organic EL light emitting element 13 and the current Ioled.

(数1)
Loled∝Ioled=k(Vdata−Vth)2 …(1)
(Equation 1)
Loled∝Ioled = k (Vdata−Vth) 2 (1)

式(1)において、k=1/2・μ・Cox・W/Lである。ここで、μはTFT11のキャリアの移動度、CoxはTFT11の単位面積当たりのゲート容量、WはTFT11のゲート幅、LはTFT11のゲート長である。
したがって、TFT11の移動度μ、しきい値電圧Vth(<0)のばらつきが、直接的に、有機EL発光素子13の輝度ばらつきに影響を与えることがわかる。
In Equation (1), k = 1/2 · μ · Cox · W / L. Here, μ is the carrier mobility of the TFT 11, Cox is the gate capacitance per unit area of the TFT 11, W is the gate width of the TFT 11, and L is the gate length of the TFT 11.
Therefore, it can be seen that the variation in mobility μ and threshold voltage Vth (<0) of the TFT 11 directly affects the luminance variation of the organic EL light emitting element 13.

この場合、たとえば異なる画素に対して同じ電位Vdataを書き込んでも、画素によってTFT11のしきい値Vthがばらつく結果、発光素子(OLED)13に流れる電流Ioledは画素毎に大きくばらついて全く所望の値からはずれる結果となり、ディスプレイとして高い画質を期待することはできない。   In this case, for example, even if the same potential Vdata is written to different pixels, the threshold voltage Vth of the TFT 11 varies from pixel to pixel. As a result, the current Ioled flowing through the light emitting element (OLED) 13 varies greatly from pixel to pixel and is completely different from the desired value. As a result, the display cannot be expected to have high image quality.

この問題を改善するため多数の画素回路が提案されているが、代表例を図2に示す(たとえば特許文献3、または特許文献4参照)。   A number of pixel circuits have been proposed in order to improve this problem. A typical example is shown in FIG. 2 (see, for example, Patent Document 3 or Patent Document 4).

図2の画素回路20は、pチャネルTFT21、nチャネルTFT22〜24、キャパシタC21,C22、発光素子である有機EL発光素子25を有する。また、図3において、SGLは信号線を、SCNLは走査線を、AZLはオートゼロ線を、DRVLは駆動線をそれぞれ示している。
この画素回路20の動作について、図3に示すタイミングチャートを参照しながら以下に説明する。
The pixel circuit 20 in FIG. 2 includes a p-channel TFT 21, n-channel TFTs 22 to 24, capacitors C21 and C22, and an organic EL light emitting element 25 that is a light emitting element. In FIG. 3, SGL indicates a signal line, SCNL indicates a scanning line, AZL indicates an auto-zero line, and DRVL indicates a drive line.
The operation of the pixel circuit 20 will be described below with reference to the timing chart shown in FIG.

図3(A),(B)に示すように、駆動線DRVL、オートゼロ線AZLをハイレベルとし、TFT22およびTFT23を導通状態とする。このときTFT21はダイオード接続された状態で発光素子(OLED)25と接続されるため、TFT21に電流が流れる。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the drive line DRVL and the auto-zero line AZL are set to the high level, and the TFTs 22 and 23 are turned on. At this time, since the TFT 21 is connected to the light emitting element (OLED) 25 in a diode-connected state, a current flows through the TFT 21.

次に、図3(A)に示すように、駆動線DRVLをローレベルとし、TFT22を非導通とする。このとき走査線SCNLは、図3(C)に示すように、ハイレベルでTFT24が導通状態とされ、信号線SGLには、図3(D)に示すように、基準電位Vref が与えられる。TFT21に流れる電流が遮断されるため、図3(E)に示すようにTFT21のゲート電位Vgは上昇するが、その電位がVDD-|Vth| まで上昇した時点でTFT21は非導通状態となって電位が安定する。この動作を以後、「オートゼロ動作」と称することがある。   Next, as shown in FIG. 3A, the drive line DRVL is set to low level, and the TFT 22 is turned off. At this time, as shown in FIG. 3C, the scanning line SCNL is at a high level and the TFT 24 is turned on, and the signal line SGL is supplied with the reference potential Vref as shown in FIG. 3D. Since the current flowing through the TFT 21 is cut off, the gate potential Vg of the TFT 21 rises as shown in FIG. 3E, but when the potential rises to VDD− | Vth |, the TFT 21 becomes non-conductive. Potential stabilizes. Hereinafter, this operation may be referred to as “auto-zero operation”.

図3(B),(D)に示すように、オートゼロ線AZLをローレベルとしてTFT23を非導通状態とし、信号線SGLの電位をVref からΔVdata だけ低い電位とする。この信号線電位の変化は、図3(E)に示すように、キャパシタC21を介してTFT21のゲート電位をΔVgだけ低下させる。   As shown in FIGS. 3B and 3D, the auto zero line AZL is set to the low level to turn off the TFT 23, and the potential of the signal line SGL is set to a potential lower than Vref by ΔVdata. This change in signal line potential lowers the gate potential of the TFT 21 by ΔVg through the capacitor C21, as shown in FIG.

図3(A),(C)に示すように、走査線SCNLをローレベルとしてTFT24を非導通状態とし、駆動線DRVLをハイレベルとしてTFT22を導通状態とすると、TFT21および発光素子(OLED)25に電流が流れ、発光素子25が発光を開始する。   As shown in FIGS. 3A and 3C, when the TFT 24 is turned off by setting the scanning line SCNL to a low level and the TFT 22 is turned on by setting the drive line DRVL to a high level, the TFT 21 and the light emitting element (OLED) 25 are turned on. Current flows, and the light emitting element 25 starts to emit light.

寄生容量が無視できるとすれば、ΔVgおよびTFT21のゲート電位Vgはそれぞれ次のようになる。   If the parasitic capacitance can be ignored, ΔVg and the gate potential Vg of the TFT 21 are as follows.

(数2)
ΔVg=ΔVdata×C1/(C1+C2) …(2)
(Equation 2)
ΔVg = ΔVdata × C1 / (C1 + C2) (2)

(数3)
Vg=VCC−|Vth|−ΔVdata×C1/(C1+C2)…(3)
(Equation 3)
Vg = V CC − | Vth | −ΔVdata × C1 / (C1 + C2) (3)

ここで、C1はキャパシタC21の容量値、C2はキャパシタC22の容量値をそれぞれ示している。   Here, C1 indicates the capacitance value of the capacitor C21, and C2 indicates the capacitance value of the capacitor C22.

一方、発光時に発光素子(OLED)25に流れる電流をIoledとすると、これは発光素子25と直列に接続されるTFT21によって電流値が制御される。TFT21が飽和領域で動作すると仮定すれば、良く知られたMOSトランジスタの式および上記(3)式を用いて次の関係を得る。   On the other hand, if the current flowing through the light emitting element (OLED) 25 during light emission is Ioled, the current value is controlled by the TFT 21 connected in series with the light emitting element 25. Assuming that the TFT 21 operates in the saturation region, the following relationship is obtained using the well-known MOS transistor equation and the above equation (3).

(数4)
Ioled=μCoxW/L/2(VCC−Vg−|Vth|)2
=μCoxW/L/2(ΔVdata×C1/(C1+C2))2
…(4)
(Equation 4)
Ioled = μCoxW / L / 2 (V CC −Vg− | Vth |) 2
= ΜCoxW / L / 2 (ΔVdata × C1 / (C1 + C2)) 2
... (4)

ここで、μはキャリアの移動度、Coxは単位面積当たりのゲート容量、Wはゲート幅、Lはゲート長をそれぞれ示している。   Here, μ represents carrier mobility, Cox represents gate capacitance per unit area, W represents gate width, and L represents gate length.

(4)式によれば、IoledはTFT21のしきい値Vthによらず、外部から与えられるΔVdataによって制御される。言い換えれば、図2の画素回路20を用いれば、画素毎にばらつくしきい値Vthの影響を受けず、電流の均一性、ひいては輝度の均一性が比較的高い表示装置を実現することができる。
USP5,684,365 特開平8−234683号公報 USP6,229,506 特表2002−514320号公報のFIG.3
According to the equation (4), Ioled is controlled by ΔVdata given from the outside regardless of the threshold value Vth of the TFT 21. In other words, by using the pixel circuit 20 of FIG. 2, it is possible to realize a display device that is relatively unaffected by the threshold value Vth that varies from pixel to pixel and that has relatively high current uniformity and consequently luminance uniformity.
USP 5,684,365 JP-A-8-234683 USP 6,229,506 Fig. 1 of JP-T-2002-514320. 3

上述のように、図1のような画素回路10を用いた場合、トランジスタのしきい値Vthのばらつきのため、画素間の輝度の均一性が損なわれ、高品位の表示装置を構成することは困難である。   As described above, when the pixel circuit 10 as shown in FIG. 1 is used, the uniformity of luminance between pixels is impaired due to variations in the threshold voltage Vth of the transistor, and a high-quality display device can be configured. Have difficulty.

一方、図2の画素回路を用いれば、輝度の均一性が比較的高い表示装置を実現することが可能であるが、これには次のような問題がある。   On the other hand, if the pixel circuit of FIG. 2 is used, a display device with relatively high luminance uniformity can be realized, but this has the following problems.

第1の問題は、外部から駆動するデータ振幅ΔVdataに対し、駆動トランジスタのゲート振幅ΔVgは(2)式に従って減少する。逆に言えば、同じΔVgを得るために大きなΔVdataを与える必要があり、これは消費電力やノイズの点から望ましくない。   The first problem is that the gate amplitude ΔVg of the driving transistor decreases according to the equation (2) with respect to the data amplitude ΔVdata driven from the outside. Conversely, in order to obtain the same ΔVg, it is necessary to give a large ΔVdata, which is undesirable from the viewpoint of power consumption and noise.

第2の問題は、図3の画素回路20に関する上記動作説明は理想的なものであって、実際には、発光素子(OLED)25を駆動するTFT21のVthのばらつきの影響が無くなるわけではない。
これは、オートゼロ線AZLとTFT21のゲートノードがTFT23のゲート容量によって結合されており、オートゼロ線AZLが高レベルへ遷移してTFT23が非導通状態となる過程において、TFT23のチャネル電荷がTFT21のゲートノードに流入するためである。この理由を次に説明する。
The second problem is that the above description of the operation relating to the pixel circuit 20 of FIG. 3 is ideal, and in practice, the influence of variations in Vth of the TFT 21 that drives the light emitting element (OLED) 25 is not eliminated. .
This is because the auto zero line AZL and the gate node of the TFT 21 are coupled by the gate capacitance of the TFT 23, and the channel charge of the TFT 23 becomes the gate of the TFT 21 in the process in which the auto zero line AZL transitions to a high level and the TFT 23 becomes nonconductive. This is because it flows into the node. The reason for this will be described next.

すなわち、オートゼロ動作終了後、TFT21のゲート電位は理想的にはVCC-|Vth| であるべきであるが、上記電荷の流入によって実際にはそれよりやや高い電位となり、なおかつこの電荷の流入量はVthの値によって変動する。なぜなら、オートゼロ動作終了直前におけるTFT21のゲート電位はほぼVCC-|Vth| である。したがって、この電位は|Vth| がたとえば小さい程高い。
一方、オートゼロ動作終了時、オートゼロ線AZLの電位が上昇してTFT23が非導通に転ずる際、そのソース電位、すなわちTFT21のゲート電位が高い程、TFT23が非導通になるタイミングが遅れるため、より多くの電荷がTFT21のゲートに流入することになる。結果としてオートゼロ動作終了後のTFT21のゲート電位が|Vth| の影響を受けるため、前述の(3)式や(4)式が厳密には成立せず、画素毎にばらつくVthの影響を受けることになる。
That is, the gate potential of the TFT 21 should ideally be VCC− | Vth | after the completion of the auto zero operation, but actually becomes a slightly higher potential due to the inflow of the charge, and the inflow amount of the charge is It varies depending on the value of Vth. This is because the gate potential of the TFT 21 immediately before the end of the auto-zero operation is approximately VCC− | Vth |. Therefore, this potential is higher as | Vth | is smaller, for example.
On the other hand, when the auto zero operation ends, when the potential of the auto zero line AZL rises and the TFT 23 switches to non-conduction, the higher the source potential, that is, the gate potential of the TFT 21, the more delayed the timing at which the TFT 23 becomes non-conducting. Will flow into the gate of the TFT 21. As a result, the gate potential of the TFT 21 after completion of the auto-zero operation is affected by | Vth |, and thus the above-described equations (3) and (4) are not strictly established and are affected by Vth which varies from pixel to pixel. become.

また、低温ポリシリコンTFT作製時のレーザアニ―ルのポリシリコンの結晶粒径ばらつきに起因した移動度のばらつきは除去することはできない。そのため、面内輝度ばらつきが発生してしまう。特に、低輝度時より高輝度時に面内輝度ばらつきが発生する。   In addition, the variation in mobility due to the variation in crystal grain size of the laser anneal polysilicon during the production of the low-temperature polysilicon TFT cannot be removed. For this reason, in-plane luminance variation occurs. In particular, in-plane luminance variation occurs when the luminance is higher than when the luminance is low.

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高輝度時の輝度ばらつきを防止でき、かつ、低輝度時の信号書き込み応答性を損わない画素回路、および表示装置、並びに画素回路の駆動方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a pixel circuit that can prevent variations in luminance at high luminance and does not impair signal write response at low luminance, and a display device. Another object is to provide a method for driving a pixel circuit.

本発明の第1の観点は、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子を駆動する画素回路であって、少なくとも輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、少なくとも第1の制御線と、第1の基準電位および第2の基準電位と、ノードと、上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含み、1フィールドがN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割されてN個の異なる区分が設定され、各サブフィールドごとに上記第2のスイッチがオン、オフ制御されて電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように制御される。   A first aspect of the present invention is a pixel circuit that drives an electro-optical element whose luminance changes according to a flowing current, and includes a signal line to which a voltage signal corresponding to at least luminance information is supplied, and at least a first control line And the first reference potential and the second reference potential, the node, and the electro-optic element connected in series between the first reference potential and the second reference potential, and depending on the potential of the node The first switch that is turned on and off is connected between the signal line and the node, and is turned on and off by the first control line, and between the node and a predetermined potential. And a capacitor for holding a voltage signal input through the second switch, wherein one field is divided into N (where N is a positive integer) subfields and N different sections are set. , Each sub The second switch is controlled to be turned on and off for each field, and a voltage signal is input, and the first switch is turned on and off in accordance with the input signal to perform N-bit gradation display. .

本発明の第2の観点の表示装置は、マトリクス状に複数配列された画素回路と、上記画素回路のマトリクス配列に対して列毎に配線され、輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、上記画素回路のマトリクス配列に対して行毎に配線された少なくとも第1の制御線と、上記信号線に所望の上記電圧信号を伝搬させる第1のドライバと、上記第1の制御線に所定のタイミングでスイッチをオン、オフするための信号を印加する第2のドライバと、第1の基準電位および第2の基準電位と、を有し、上記各画素回路は、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子と、ノードと、上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含み、上記第1および第2のドライバは、各フィールドがN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割されてN個の異なる区分が設定され、各サブフィールドごとに上記画素回路の上記第2のスイッチがオン、オフ制御されて電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように上記第1の制御線および信号線を駆動する。   A display device according to a second aspect of the present invention includes a plurality of pixel circuits arranged in a matrix, and a signal that is wired for each column with respect to the matrix arrangement of the pixel circuits and to which a voltage signal corresponding to luminance information is supplied. A line, at least a first control line wired for each row with respect to the matrix arrangement of the pixel circuit, a first driver for propagating the desired voltage signal to the signal line, and the first control line A second driver for applying a signal for turning on and off the switch at a predetermined timing, and a first reference potential and a second reference potential. Is connected in series with the electro-optic element between the first reference potential and the second reference potential, and is turned on and off according to the potential of the node. Switch and above A second switch connected between the signal line and the node and turned on and off by the first control line, and a voltage signal connected between the node and the predetermined potential and inputted through the second switch. Each of the first and second drivers is divided into N (N is a positive integer) subfields, and N different divisions are set. For each field, the second switch of the pixel circuit is controlled to be turned on / off to input a voltage signal, and the first switch is turned on / off according to the input signal to perform N-bit gradation display. The first control line and the signal line are driven.

好適には、各サブフィールドの先頭の1水平走査期間がN等分されてN個の区分が設定され、各サブフィールドごとに異なる区分にアドレス期間が設定された区分後の上記第2のスイッチのオン、オフ周期を1水平走査期間の長さの1/N倍またはK/N倍(ただし、Kは2以上の整数)として、Nビットの階調表示を行うように制御される。   Preferably, the second switch after the division in which the first horizontal scanning period of each subfield is equally divided into N and N divisions are set, and the address periods are set in different divisions for each subfield. The ON / OFF period is controlled to be 1 / N times or K / N times the length of one horizontal scanning period (where K is an integer of 2 or more) so that N-bit gradation display is performed.

好適には、上記各画素回路の階調を表現するサブフィールドの配置順について、1水平走査期間におけるサブフィールドの上記第2のスイッチのオン、オフのタイミングが、すべてのラインにおいて異なり、かつ、タイミングチャートを横軸に時間、縦軸にライン番号とした場合、上記オン、オフのタイミングが最も疎となるようにサブフィールドを配置した駆動タイミングをとる。   Preferably, the on / off timing of the second switch in the subfield in one horizontal scanning period is different in all the lines in the arrangement order of the subfields expressing the gradation of each pixel circuit, and When the timing chart is time on the horizontal axis and the line number on the vertical axis, the drive timing in which the subfields are arranged so that the on / off timing is the least sparse is taken.

好適には、上記画素回路の階調表示を行う信号データを蓄積するためのラインメモリを有する。   Preferably, a line memory for storing signal data for performing gradation display of the pixel circuit is provided.

好適には、1フィールド期間において、上記画素回路の階調表示を行う信号データを蓄積するためのラインメモリと、上記画素回路の階調表示を行うための1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行う、フィールドメモリと、を有する。   Preferably, in one field period, the line memory for storing signal data for performing gradation display of the pixel circuit and the display data are replaced in one field period for performing gradation display of the pixel circuit. Field memory.

好適には、上記画素回路は、上記サブフィールドごとに電圧信号を入力した後に、上記ノードの電位を所定電位としてイレーズするイレーズ部を含む。   Preferably, the pixel circuit includes an erasing section that erases the potential of the node as a predetermined potential after inputting a voltage signal for each of the subfields.

好適には、上記第1のスイッチを通して上記電気光学素子に定電流を供給可能な電流供給回路を有する。   Preferably, a current supply circuit capable of supplying a constant current to the electro-optic element through the first switch is provided.

好適には、上記電流供給回路は、所定の電流値を複製可能で、複製した電流を供給する。   Preferably, the current supply circuit can replicate a predetermined current value and supplies a replicated current.

本発明の第3の観点は、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子と、少なくとも輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、少なくとも第1の制御線と、第1の基準電位および第2の基準電位と、ノードと、上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含む画素回路の駆動方法であって、1フィールドをN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割してN個の異なる区分を設定し、各サブフィールドごとに上記第2のスイッチをオン、オフ制御して電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように駆動する。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an electro-optical element whose luminance is changed by a flowing current, a signal line to which a voltage signal corresponding to at least luminance information is supplied, at least a first control line, and a first reference potential. The first reference potential is connected in series with the electro-optic element between the second reference potential, the node, the first reference potential, and the second reference potential, and is turned on and off according to the potential of the node. And a second switch connected between the signal line and the node, and turned on and off by the first control line, and connected between the node and a predetermined potential. A driving method of a pixel circuit including a capacitor for holding a voltage signal input through a switch, wherein one field is divided into N (N is a positive integer) subfields and N different sections are set. And each sub On the second switch for each Rudo, enter the voltage signal off controls, on the first switch in response to an input signal, turns off, and drives to perform N-bit gradation display.

本発明によれば、輝度データの書き込みを行う画素回路においては、第1の制御線により選択されることで、画素回路の第2のスイッチが所定期間オンする。
このとき、信号線を介してハイレベルまたはローレベルを示す電圧信号が給され、第2のスイッチを通してキャパシタに保持される。
キャパシタに保持されたデータ電圧は、ノードを通して第1のスイッチをオンまたはオフさせる。
これにより、保持データに従って電気光学素子を電流で駆動する。
電気光学素子を駆動する場合にオン、オフされる第1および第2のスイッチは、単なるオン・オフスイッチとして機能する。
そして、電気光学素子の階調表現は、たとえば1フィールド期間にN個のサブフィールド期間を設けて、Nビット階調表示を可能にしている。
このときに、N個のサブフィールドの信号が分割して発生され、画素回路の選択を行うときに、信号線にはハイレベルまたはローレベルの信号が印加され、画素への信号の取り込みがそのタイミングで行われる。
According to the present invention, in the pixel circuit for writing luminance data, the second switch of the pixel circuit is turned on for a predetermined period by being selected by the first control line.
At this time, a voltage signal indicating a high level or a low level is supplied via the signal line and is held in the capacitor through the second switch.
The data voltage held in the capacitor turns on or off the first switch through the node.
As a result, the electro-optic element is driven with current according to the retained data.
The first and second switches that are turned on and off when the electro-optic element is driven function as simple on / off switches.
In the gradation expression of the electro-optic element, for example, N subfield periods are provided in one field period to enable N-bit gradation display.
At this time, signals of N subfields are generated in a divided manner. When a pixel circuit is selected, a high-level or low-level signal is applied to the signal line, and the signal is taken into the pixel. It is done at the timing.

本発明によれば、高輝度での輝度ばらつきが無くなり、特に、白表示時の画像品質が向上する。
また、任意の輝度参照を設定できるため、パネルアプリケーション、たとえば、背景がグレイ表示に対応時に輝度ばらつき偏差をなくすように設定することができる。
また、電圧信号駆動が可能であるため、信号線への接続点数を軽減できる利点がある。
According to the present invention, there is no luminance variation at high luminance, and in particular, the image quality during white display is improved.
In addition, since an arbitrary luminance reference can be set, it can be set to eliminate a luminance variation deviation when a panel application, for example, the background corresponds to gray display.
Further, since voltage signal driving is possible, there is an advantage that the number of connection points to the signal line can be reduced.

以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図4は、本第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの構成の概略を示す図である。
図5は、本第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路の構成例を示す回路図である。
<First Embodiment>
FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of the active matrix organic EL display according to the first embodiment.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of the pixel circuit of the active matrix organic EL display according to the first embodiment.

アクティブマトリクス型有機ELディスプレイ100は、画素回路101がm×n個のマトリクス状に配列された画素アレイ部102、第1のドライバとしてのデータドライバ(DDRV)103、および第2のドライバとしてのスキャンドライバ(SDRV)104を有している。
そして、画素回路101のマトリクス配列に対してデータドライバ(DDRV)103によって選択的に駆動されるn列分の信号線SGL101〜SGL10nが画素列毎に配線され、スキャンドライバ(SDRV)104によって選択的に駆動されるm行分の第1の制御線としての走査線SCNL101〜SCNL10mが画素行毎にそれぞれ配線されている。
The active matrix organic EL display 100 includes a pixel array unit 102 in which pixel circuits 101 are arranged in an m × n matrix, a data driver (DDRV) 103 as a first driver, and a scan as a second driver. A driver (SDRV) 104 is included.
Then, n columns of signal lines SGL101 to SGL10n that are selectively driven by the data driver (DDRV) 103 with respect to the matrix arrangement of the pixel circuit 101 are wired for each pixel column, and are selectively selected by the scan driver (SDRV) 104. Scan lines SCNL101 to SCNL10m as the first control lines for m rows driven in the same manner are wired for each pixel row.

また、画素回路101は、図5に示すように、pチャネルTFT111,112、およびキャパシタC111、および有機EL素子(OLED)からなる発光素子113を有する。
各画素回路101のTFT111は、ソースが電源電位線VCCLに、ゲートがTFT112のドレインにそれぞれ接続されている。有機EL発光素子113は、アノードがTFT111のドレインに、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路101のTFT112は、ソースが対応する列の信号線SGL101〜SGL10nに、ゲートが対応する行の走査線SCNL101〜SCNL10mにそれぞれ接続されている。
キャパシタC111は、一端(第1電極)が電源電位線VCCLに、他端(第2電極)がTFT112のドレインにそれぞれ接続されている。
Further, as shown in FIG. 5, the pixel circuit 101 includes p-channel TFTs 111 and 112, a capacitor C111, and a light emitting element 113 including an organic EL element (OLED).
The TFT 111 of each pixel circuit 101 has a source connected to the power supply potential line VCCL and a gate connected to the drain of the TFT 112. The organic EL light emitting device 113 has an anode connected to the drain of the TFT 111 and a cathode connected to a reference potential (for example, ground potential) GND.
The TFT 112 of each pixel circuit 101 is connected to the signal lines SGL101 to SGL10n in the columns corresponding to the sources, and to the scanning lines SCNL101 to SCNL10m in the rows corresponding to the gates.
The capacitor C111 has one end (first electrode) connected to the power supply potential line VCCL and the other end (second electrode) connected to the drain of the TFT 112.

本実施形態の画素回路101における2つのTFT111,112は、低温ポリシリコンのTFTからなり、飽和領域ではなく、リニア領域で動作させ、単なるスイッチとして機能するように駆動される。
すなわち、画素回路101は、低音ポリシリコンTFTからなるセレクタスイッチ回路を含んで構成されており、これにより、信号電位を発生させるソースICのピン(PIN)数を削減することが可能となる。
The two TFTs 111 and 112 in the pixel circuit 101 of the present embodiment are made of low-temperature polysilicon TFTs, are operated not in the saturation region but in the linear region, and are driven so as to function as simple switches.
That is, the pixel circuit 101 is configured to include a selector switch circuit made of a low-pitched polysilicon TFT, thereby reducing the number of pins (PIN) of the source IC that generates the signal potential.

本実施形態の画素回路101は、データドライバ103およびスキャンドライバ104により、1フィールド期間において、複数回表示するように駆動制御される。
また、データドライバ103は、後で詳述するように、セレクタスイッチを含み、セレクタスイッチは、画素回路101の複数回表示において分割されたフィールドの中で2回以上の複数回選択されて、信号線SGLを介した信号書き込みが行われる。
The pixel circuit 101 of this embodiment is driven and controlled by the data driver 103 and the scan driver 104 so as to display a plurality of times in one field period.
Further, as will be described in detail later, the data driver 103 includes a selector switch, and the selector switch is selected two or more times among the divided fields in the multiple-time display of the pixel circuit 101, and the signal driver 103 Signal writing is performed via the line SGL.

垂直走査回路としてのスキャンドライバ104は、データラッチ方式のシフトレジスタ方式を採用している。
スキャンドライバ104のスキャン(走査)タイミングは、図6のタイミングチャートに示すように、たとえば1フィールド(Field)期間(16.7ms)に8個のサブフィールド(Sub Field:SF)期間を設けて、8ビット(256階調)表示を可能にしている。
このときに、スキャンドライバ104が8個のサブフィールド(Sub Field)SF1〜SF8(Field 分割選択)の信号を発生させ、スキャンドライバ(垂直走査回路)104が先の選択を行うときに、信号線SGLにはデータドライバ(セレクタ)103からハイ(High)レベル(たとえば10V)またはロー(Low)レベル(0V)の信号が印加され、画素への信号の取り込みをそのタイミングで行う。
The scan driver 104 as a vertical scanning circuit employs a data latch type shift register system.
As shown in the timing chart of FIG. 6, the scan timing of the scan driver 104 is provided with, for example, eight sub-field (SF) periods in one field period (16.7 ms), 8-bit (256 gradations) display is enabled.
At this time, the scan driver 104 generates signals of eight sub fields (Sub Field) SF1 to SF8 (Field division selection), and the signal line when the scan driver (vertical scanning circuit) 104 performs the previous selection. A high-level (for example, 10 V) or low-level (0 V) signal is applied to the SGL from the data driver (selector) 103, and the signal is taken into the pixel at that timing.

図7は、本第1の実施形態に係る表示パネルの構成例を示す図である。   FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of the display panel according to the first embodiment.

図7に示すように、表示パネル200に、画素アレイ部102、データドライバ(DDRV)103、およびスキャンドライバ(SDRV)104が形成されている。
そして、データドライバ103は、データインターフェースを介してチップ300に形成されたソースIC301が接続されている。
図7の画素アレイ部102は、例としてパネルの画素数を横方向960(RGB)×縦方向240(ライン)としている。
As shown in FIG. 7, a pixel array section 102, a data driver (DDRV) 103, and a scan driver (SDRV) 104 are formed on the display panel 200.
The data driver 103 is connected to a source IC 301 formed on the chip 300 via a data interface.
In the pixel array unit 102 in FIG. 7, the number of pixels of the panel is, for example, 960 (RGB) × 240 (line) in the vertical direction.

データドライバ103は、レベルシフタ1031および2−セレクタスイッチ部1032により構成されている。
本実施形態においては、ソースIC301からの0/5V振幅の発生信号をパネル入力部の近傍に存在するデータドライバ130のレベルシフタ1031により0/10V振幅の信号にレベルシフトし、さらにセレクタスイッチ部1032を介して選択することにより、8個のサブフィールドSFに時分割配分する。
The data driver 103 includes a level shifter 1031 and a 2-selector switch unit 1032.
In the present embodiment, the generated signal of 0 / 5V amplitude from the source IC 301 is level-shifted to a signal of 0 / 10V amplitude by the level shifter 1031 of the data driver 130 existing in the vicinity of the panel input unit, and the selector switch unit 1032 is further switched. By selecting through the sub-fields, time-division distribution is performed on the eight subfields SF.

図8は、セレクタスイッチ部103の複数の各セレクタスイッチを切り替える切替信号S1、S2のタイミング例を示す図である。
図7に示すセレクタスイッチ部1031は、セレクタスイッチSW1、SW2、SW3の3つのみを示している。
FIG. 8 is a diagram illustrating a timing example of the switching signals S1 and S2 for switching a plurality of selector switches of the selector switch unit 103.
The selector switch unit 1031 shown in FIG. 7 shows only three selector switches SW1, SW2, and SW3.

図7のスイッチSW1は、切替信号S1を受けるとB信号に対応した信号線SGL101−Bにレベルシフトされた10Vの信号または0Vに信号を伝搬させ、切替信号S2を受けるとR信号に対応した信号線SGL102−Rにレベルシフトされた10Vの信号または0Vの信号を伝搬させる。
スイッチSW2は、切替信号S1を受けるとG信号に対応した信号線SGL103−Gにレベルシフトされた10Vの信号または0Vの信号を伝搬させ、切替信号S2を受けるとB信号に対応した信号線SGL104−Bにレベルシフトされた10Vの信号または0Vの信号を伝搬させる。
スイッチSW3は、切替信号S1を受けるとR信号に対応した信号線SGL105−Rにレベルシフトされた10Vの信号または0Vの信号を伝搬させ、切替信号S2を受けるとG信号に対応した信号線SGL106−Gにレベルシフトされた10Vの信号または0Vの信号を伝搬させる。
When the switch SW1 in FIG. 7 receives the switching signal S1, the switch SW1 propagates the level-shifted signal of 10V or 0V to the signal line SGL101-B corresponding to the B signal, and corresponds to the R signal when receiving the switching signal S2. A 10V signal or a 0V signal level-shifted is propagated to the signal line SGL102-R.
When the switch SW2 receives the switching signal S1, the switch SW2 propagates the level-shifted 10V signal or 0V signal to the signal line SGL103-G corresponding to the G signal, and when receiving the switching signal S2, the signal line SGL104 corresponding to the B signal. A 10V signal or a 0V signal level-shifted to -B is propagated.
When the switch SW3 receives the switching signal S1, the switch SW3 propagates the level-shifted 10V signal or 0V signal to the signal line SGL105-R corresponding to the R signal, and when receiving the switching signal S2, the signal line SGL106 corresponding to the G signal. A 10V signal or a 0V signal level-shifted to -G is propagated.

このような、時分割階調表示を行うことにより、ソースIC301からの信号線の数は、通常の有機ELディスプレイに対して、説き分割分で割った(除した)数で対応できることから入出力ピン数を少なくできる。   By performing such time-division gradation display, the number of signal lines from the source IC 301 can be handled by the number divided (divided) by the divided number for a normal organic EL display. The number of pins can be reduced.

以上のように、本実施形態においては、画素回路101の光学素子113を駆動して表示するに際し、1フィールドを複数のサブフィールドSFに分割して発光期間の異なる(長さの異なる)サブフィールドSFを選択(オン、オフ)し発光させて階調表示を行う時分割階調表示を採用している。
本実施形態においては、この時分割階調表示を行う場合に、線順次書き込み方式ではなく、アドレス表示同時駆動方式(AWD:Address While Display Driving Scheme)に従ってデータ出力を行う。
As described above, in the present embodiment, when driving and displaying the optical element 113 of the pixel circuit 101, one field is divided into a plurality of subfields SF, and subfields having different light emission periods (different lengths) are used. Time-division gradation display is employed in which gradation display is performed by selecting (ON, OFF) SF to emit light.
In the present embodiment, when this time-division gradation display is performed, data output is performed according to an address display simultaneous driving method (AWD) instead of a line sequential writing method.

以下に、線順次書き込み方式ではなくAWD方式を採用した理由について説明する。
まず、線順次書き込み方式について、図9〜図11に関連付けて説明する。
The reason why the AWD method is adopted instead of the line sequential writing method will be described below.
First, the line sequential writing method will be described with reference to FIGS.

図9は、線順次書き込み方式の8ラインの場合のスキャンラインの駆動タイミングを示す図である。図10は、線順次書き込み方式のデータの出力形態を示す図である。図11は、線順次書き込み方式を採用した場合のスキャンの様子を示す図である。   FIG. 9 is a diagram showing scan line drive timing in the case of eight lines of the line sequential writing method. FIG. 10 is a diagram illustrating an output form of data in the line sequential writing method. FIG. 11 is a diagram illustrating a scanning state when the line sequential writing method is employed.

ここでは、1フィールドをそれぞれ期間の異なる3つのサブフィールドSF1、SF2、SF3に分割する8階調表示の場合であって、8ライン駆動の場合を例としている。
線順次の場合、データは図9および図10に示すように、LSBからMSBへと順番に出力され、書き込みの順番は線順次、すなわち、ラインL1〜ラインL8のサブフィールドSF1を書き込み、ラインL1〜ラインL8のサブフィールドSF2を書き込み、ラインL1〜ラインL8のサブフィールドSF3を書き込む。
しかしこの場合、図9に示すように、書き込めない期間が存在してしまう。
有機EL素子からなる発光素子113の劣化を抑えるために、1度に流れる電流量を抑えることが必要である。電流量を抑えるためには発光期間を長くとればよいが、書き込み時間以外をすべて発光期間にすると、書き込み時間が足りなくなる。
たとえば、240ラインで8SF(256階調)の場合、書き込み時間は0.27μsとなる。
書き込み時間を優先すると、表示期間が減少する。たとえば、240ライン、8SF(256階調)で、書き込み時間6μsとした場合、表示期間の割合は約64%となり、1度に流れる電流が増大する。
Here, the case of 8-gray display in which one field is divided into three subfields SF1, SF2, and SF3 each having a different period, and the case of 8-line driving is taken as an example.
In the case of line sequential, as shown in FIG. 9 and FIG. 10, data is sequentially output from the LSB to the MSB, and the order of writing is line sequential, that is, the subfield SF1 of line L1 to line L8 is written. Write subfield SF2 of line L8 and write subfield SF3 of line L1 to line L8.
However, in this case, as shown in FIG. 9, there is a period during which writing cannot be performed.
In order to suppress deterioration of the light emitting element 113 made of an organic EL element, it is necessary to suppress the amount of current flowing at a time. In order to suppress the amount of current, the light emission period may be made long. However, if all the periods other than the write time are set to the light emission period, the write time becomes insufficient.
For example, in the case of 240 lines and 8SF (256 gradations), the writing time is 0.27 μs.
When the writing time is prioritized, the display period decreases. For example, in the case of 240 lines and 8SF (256 gradations) and a writing time of 6 μs, the ratio of the display period is about 64%, and the current flowing at a time increases.

そこで、本実施形態においては、図12および図13に示すように、AWD方式を採用してデータ出力を行っている。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, data is output using the AWD method.

図12は、AWD方式の8ラインの場合のスキャンラインの駆動タイミングを示す図である。図13は、AWD方式のデータの出力形態を示す図である。   FIG. 12 is a diagram showing scan line drive timing in the case of 8 lines of the AWD system. FIG. 13 is a diagram illustrating an output form of AWD data.

ここでも、1フィールドをそれぞれ期間の異なる3つのサブフィールドSF1、SF2、SF3に分割する8階調表示の場合であって、8ライン駆動の場合を例としている。
AWD方式においては、書き込みが線順次ではなく、データも、たとえばラインL1のサブフィールドSF1、次にラインL8のサブフィールドSF2、次にラインL6のサブフィールドSF3のように、ランダムな順に行われる。
In this case as well, in the case of 8-gradation display in which one field is divided into three subfields SF1, SF2, and SF3 each having a different period, the case of 8-line driving is taken as an example.
In the AWD system, writing is not line sequential, and data is also performed in a random order, for example, subfield SF1 of line L1, then subfield SF2 of line L8, and then subfield SF3 of line L6.

上述したように、本実施形態の有機ELディスプレイ100においては、サブフィールドの階調表現を行う。
具体的には、各ラインごとに、各フィールドがN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドSFに分割され、各サブフィールドの先頭の1H期間(ただし、Hは水平走査期間)がN等分されてN個の区分が設定され、各サブフィールドごとに異なる区分にアドレス期間が設定された区分後のキャパシタC111の放電維持期間でのスキャンドライバ104によるサステインパルスWSの周期を1H期間の長さの1/N倍またはK/N倍(ただし、Kは2以上Hの整数)として、Nビットの階調表示を行う。
そして、各画素の階調を表現するサブフィールドの配置順について、1H期間におけるサブフィールドSFの放電開始タイミングが、すべてのラインにおいて異なり、かつ、いわゆるタイミングチャートを横軸に時間、縦軸にライン番号とした場合(図12および図13参照)、キャパシタC111の放電開始タイミングが最も疎となるようにサブフィールドを配置した駆動タイミングをとる。
As described above, in the organic EL display 100 of the present embodiment, sub-field gradation expression is performed.
Specifically, for each line, each field is divided into N (where N is a positive integer) subfield SF, and the first 1H period (where H is a horizontal scanning period) of each subfield is N. The period of the sustain pulse WS by the scan driver 104 in the discharge sustaining period of the capacitor C111 after the division in which the N divisions are equally divided and the address period is set in a different division for each subfield is set to 1H period. N-bit gradation display is performed with 1 / N times the length or K / N times (where K is an integer greater than or equal to 2).
In addition, regarding the arrangement order of the subfields expressing the gradation of each pixel, the discharge start timing of the subfield SF in the 1H period is different for all lines, and the so-called timing chart is time on the horizontal axis and the line on the vertical axis. In the case of the number (see FIGS. 12 and 13), the drive timing in which the subfields are arranged so that the discharge start timing of the capacitor C111 is sparse is taken.

以上のAWD方式に応じた駆動タイミングを採用することにより、書き込み期間を全期間無駄なく配置可能となっている。
たとえば240ライン、8SF(256階調)の場合、書き込み時間は8.7μs(=16.7ms/8SF/240ライン)となる。
By adopting the drive timing according to the above AWD method, the writing period can be arranged without wasting the whole period.
For example, in the case of 240 lines and 8SF (256 gradations), the writing time is 8.7 μs (= 16.7 ms / 8SF / 240 lines).

このような、AWD方式に応じた駆動タイミングは、たとえばあらかじめAWDタイムシーケンスとして図示しないテーブルに保持される。
以下に、ADWタイムシーケンスの作成方法の一例を説明する。なお、ここでは、2ビット分のγ補正を含めて1フィールドを10サブフィールドの分割する場合を例に説明する。
Such drive timing corresponding to the AWD system is held in a table (not shown) in advance as an AWD time sequence, for example.
Hereinafter, an example of a method for creating an ADW time sequence will be described. Here, a case where one field is divided into 10 subfields including γ correction for 2 bits will be described.

1)1フィールド(16.7ms)をスキャンライン(走査線)数(この例では240ライン)で割り(除して)、1H期間を決定する。すなわち、16.7ms/240=69.5μsを1H期間とする。 1) A 1H period is determined by dividing (dividing) one field (16.7 ms) by the number of scan lines (in this example, 240 lines). That is, 16.7 ms / 240 = 69.5 μs is set as the 1H period.

2)1H(69.5μs)をサブフィールド数(この例では10SF)で割り(除して)、書き込み時間を決定する。すなわち、69.5μs/10=6.95μsを書き込み時間とする。 2) Divide (divide) 1H (69.5 μs) by the number of subfields (10SF in this example) to determine the writing time. That is, 69.5 μs / 10 = 6.95 μs is set as the writing time.

3)1H期間を、図14に示すように、各サブフィールドの書き込み期間で割り振る。 3) As shown in FIG. 14, 1H period is allocated in the writing period of each subfield.

4)割り振ったサブフィールドSFの書き込み期間を違反しないように、各サブフィールドSFの書き込みタイミングを設定する。 4) The write timing of each subfield SF is set so as not to violate the write period of the allocated subfield SF.

5)各ラインの書き込みシーケンスを1Hずらしていくことにより、AWDタイムシーケンス表の作成が完了する。 5) The creation of the AWD time sequence table is completed by shifting the writing sequence of each line by 1H.

次に、上記構成による動作を説明する。   Next, the operation according to the above configuration will be described.

以上の構成を有する有機ELディスプレイにおいて、輝度データの書き込みを行う画素回路101では、この画素を含む画素行がスキャンドライバ104によって走査線SCNLを介して選択されることで、その行の画素回路101のTFT112がオンする。
このとき、データドライバ103から信号線SGLを介してハイレベル(10V)またはローレベル(0V)を示す電圧で供給され、TFT112を通してキャパシタC111に保持される。
キャパシタC111に保持されたデータ電圧は、TFT111のゲートに印加される。
これにより、TFT111は、保持データに従ってオンまたはオフし、有機EL発光素子13が電流駆動される。
有機EL発光素子113を駆動する場合にオン、オフされるTFT111およびTFT112は、単なるオン・オフスイッチとして機能する。
すなわち、本実施形態においては、有機EL発光素子113の階調表現は、キャパシタC111によって保持されるTFT111のゲート・ソース間電圧を変調することによって行われるのではなく、以下のように行われる。
In the organic EL display having the above-described configuration, in the pixel circuit 101 that writes luminance data, a pixel row including this pixel is selected by the scan driver 104 via the scanning line SCNL. TFT 112 is turned on.
At this time, a voltage indicating a high level (10 V) or a low level (0 V) is supplied from the data driver 103 via the signal line SGL and is held in the capacitor C111 through the TFT 112.
The data voltage held in the capacitor C111 is applied to the gate of the TFT 111.
Thereby, the TFT 111 is turned on or off according to the retained data, and the organic EL light emitting element 13 is driven by current.
The TFTs 111 and 112 that are turned on and off when the organic EL light emitting element 113 is driven function as a simple on / off switch.
That is, in the present embodiment, the gradation expression of the organic EL light emitting element 113 is not performed by modulating the gate-source voltage of the TFT 111 held by the capacitor C111, but is performed as follows.

本実施形態においては、スキャンドライバ104のスキャン(走査)タイミングは、たとえば1フィールド(Field)期間(16.7ms)に8個のサブフィールドSF期間を設けて、8ビット(256階調)表示を可能にしている。
このときに、スキャンドライバ104において8個のサブフィールドSF1〜SF8(Field 分割選択)の信号が発生され、スキャンドライバ104が先の選択を行うときに、信号線SGLにはデータドライバ103からハイレベル(たとえば10V)またはローレベル(0V)の信号が印加され、画素への信号の取り込みがそのタイミングで行われる。
In the present embodiment, the scan timing of the scan driver 104 is, for example, by providing eight subfield SF periods in one field period (16.7 ms), and displaying 8-bit (256 gradations). It is possible.
At this time, signals of eight subfields SF1 to SF8 (Field division selection) are generated in the scan driver 104, and when the scan driver 104 performs the previous selection, the signal line SGL is set to the high level from the data driver 103. A signal of (for example, 10V) or low level (0V) is applied, and the signal is taken into the pixel at that timing.

このように、本第1の実施形態においては、有機EL発光素子113の階調表現を、時分割階調表示とし、データ出力は、線順次書き込み方式ではなく、AWD方式に従って行い、各画素回路101においては、有機EL発光素子113への電流供給路に配置されるTFT111を単なるオン・オフスイッチとしてのみ機能させることから、有機EL発光素子113の輝度ばらつきに影響を与えるTFT111の移動度μ、しきい値Vthのばらつきにかかわりなく、有機EL発光素子113を輝度むらの発生を抑止しつつ安定に駆動することが可能となっている。   As described above, in the first embodiment, the gradation expression of the organic EL light emitting element 113 is time-division gradation display, and data output is performed according to the AWD method instead of the line sequential writing method, and each pixel circuit is displayed. 101, since the TFT 111 disposed in the current supply path to the organic EL light emitting element 113 functions only as an on / off switch, the mobility 111 of the TFT 111 that affects the luminance variation of the organic EL light emitting element 113, Regardless of variations in the threshold value Vth, it is possible to drive the organic EL light emitting element 113 stably while suppressing the occurrence of luminance unevenness.

以上説明したように、本第1の実施形態によれば、画素回路101を、電源電位線VCCLと基準電位(たとえば接地電位GND)との間に直列に配置されたTFT111および有機EL発光素子113、信号線SGLとTFT111のゲート間に接続されたTFT112、およびTFT111のゲートと電源電位線VCCLとの間に接続されたキャパシタC111を含んで構成し、スキャンドライバ104のスキャンタイミングは、たとえば1フィールド期間(16.7ms)にN(たとえば8あるいは10)個のサブフィールドSF期間を設けて、Nビット(8ビットの場合、256階調)表示を可能にし、スキャンドライバ104がたとえばN個のサブフィールドSF1〜SFNの信号を発生させ、スキャンドライバ104が先の選択を行うときに、信号線SGLにはデータドライバ103からハイレベル(たとえば10V)またはローレベル(0V)の信号が印加され、画素への信号の取り込みをそのタイミングで行うことから、以下の効果を得ることができる。   As described above, according to the first embodiment, the pixel circuit 101 includes the TFT 111 and the organic EL light emitting device 113 arranged in series between the power supply potential line VCCL and the reference potential (for example, the ground potential GND). , The TFT 112 connected between the signal line SGL and the gate of the TFT 111, and the capacitor C111 connected between the gate of the TFT 111 and the power supply potential line VCCL. The scan timing of the scan driver 104 is, for example, one field N (for example, 8 or 10) subfield SF periods are provided in the period (16.7 ms) to enable N-bit (256 gradations in the case of 8 bits) display, and the scan driver 104 has, for example, N sub-fields. Generate signals of fields SF1 to SFN, and scan driver 104 selects the previous When performing, a high level (for example, 10V) or low level (0V) signal is applied to the signal line SGL from the data driver 103, and the signal is taken into the pixel at that timing, so that the following effects are obtained. be able to.

各画素回路101においては、有機EL発光素子113への電流供給路に配置されるTFT111を単なるオン・オフスイッチとしてのみ機能させることが可能で、その結果、有機EL発光素子113の輝度ばらつきに影響を与えるTFT111の移動度μ、しきい値Vthのばらつきにかかわりなく、有機EL発光素子113を輝度むらの発生を抑止しつつ安定に駆動することが可能である。したがって低輝度時の信号書き込み応答性を損うことなく、高輝度時の輝度ばらつきを防止できる。その結果、高品位な画像を表示することができる。
また、画素回路の構成をしきい値補正用のTFT等を設けることなく、極めて簡単な構成とすることができる。その結果、スキャンライン等の制御線を最小限のとどめることができ、制御系の負荷の軽減を図れることはもとより、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。
In each pixel circuit 101, the TFT 111 arranged in the current supply path to the organic EL light emitting element 113 can function only as an on / off switch. As a result, the luminance variation of the organic EL light emitting element 113 is affected. Regardless of variations in the mobility μ and the threshold value Vth of the TFT 111 that gives the luminance, it is possible to drive the organic EL element 113 stably while suppressing the occurrence of uneven brightness. Therefore, luminance variations at high luminance can be prevented without impairing signal write response at low luminance. As a result, a high-quality image can be displayed.
Further, the configuration of the pixel circuit can be made very simple without providing a TFT for threshold correction or the like. As a result, the number of control lines such as scan lines can be kept to a minimum, the load on the control system can be reduced, and the display panel can be narrowed.

換言すれば、本第1の実施形態によれば、高輝度での輝度ばらつきが無くなり、白表示時の有機EL発光素子(OLED)の画像品質が向上する。
また、任意の輝度参照を設定できるため、パネルアプリケーション(たとえば、背景がグレイ表示に対応)時に、輝度ばらつき偏差をなくすように設定することができる。
また、電圧信号駆動であるため、信号線への接続点数を軽減できる。電流駆動回路では、電流を水平選択期間中流すことが必要となる結果、信号線の切り替えスイッチが使用できない。電圧信号は信号線の容量に電荷を蓄積させるほうが接続端子数削減には望ましい。
In other words, according to the first embodiment, there is no luminance variation at high luminance, and the image quality of the organic EL light emitting element (OLED) during white display is improved.
In addition, since any luminance reference can be set, it can be set to eliminate the luminance variation deviation in the panel application (for example, the background corresponds to gray display).
Further, since voltage signal driving is used, the number of connection points to the signal line can be reduced. In the current driving circuit, it is necessary to pass a current during the horizontal selection period, so that the signal line changeover switch cannot be used. In order to reduce the number of connection terminals, it is desirable to store electric charge in the capacitance of the signal line.

なお、図5の画素回路101は一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、上述したように、TFT111,TFT112は単なるスイッチであることから、これらのすべて乃至一部をnチャネルTFT、あるいはその他のスイッチ素子で構成することも可能なことは明らかである。   Note that the pixel circuit 101 in FIG. 5 is an example, and the present invention is not limited to this. For example, as described above, since the TFTs 111 and 112 are merely switches, it is obvious that all or a part of them can be constituted by n-channel TFTs or other switching elements.

<第2実施形態>
図15は、本発明の第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の構成の概略を示す図である。
図16は、第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路を示す回路図である。
図17は、本発明の第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。
Second Embodiment
FIG. 15 is a diagram schematically illustrating the configuration of an active matrix organic EL display (display device) according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a circuit diagram showing a pixel circuit of an active matrix organic EL display according to the second embodiment.
FIG. 17 is a diagram including a display panel configuration example of an active matrix organic EL display (display device) according to the second embodiment of the present invention.

本第2の実施形態の有機ELディスプレイ100Aが上述した第1の実施形態の有機ELディスプレイ100と異なる点は、各ラインの画素回路101Aにおいて、1つのサブフィールドSFに電圧信号(10Vまたは0V)をTFT112を通して取り込みキャパシタC111に保持した後、その都度TFT111のゲートおよびキャパシタC111画接続されたノードND111の電位を消去(イレーズ:erase)するようにして、安定した階調表示を実現したことにある。
具体的には、有機ELディスプレイ100Aにおいて、各画素行ごとに消去(イレーズ)線ESL101〜ESL10mを配線し、各消去線ESL101〜ESL10mに対して消去信号ESを選択的に印加するイレーズドライバ(EDRV)105を設けている。
そして、各画素回路101Aにおいて、イレーズ用のpチャネルTFT114を設け、TFT114のソースが電源電位船VCCLに接続され、ドレインがTFT111のゲートおよびキャパシタC111の第2電極が接続されたノードND111に接続され、ゲートが対応する行に配線された消去線ESLに接続されている。
The organic EL display 100A of the second embodiment is different from the organic EL display 100 of the first embodiment described above in that a voltage signal (10V or 0V) is applied to one subfield SF in the pixel circuit 101A of each line. Is captured through the TFT 112 and held in the capacitor C111, and then the potential of the node ND111 connected to the gate of the TFT 111 and the capacitor C111 is erased (erase) each time, thereby realizing stable gradation display. .
Specifically, in the organic EL display 100A, erase (erase) lines ESL101 to ESL10m are wired for each pixel row, and an erase driver (EDRV) that selectively applies an erase signal ES to each of the erase lines ESL101 to ESL10m. ) 105 is provided.
In each pixel circuit 101A, an erasing p-channel TFT 114 is provided, the source of the TFT 114 is connected to the power supply potential VCCL, and the drain is connected to the node ND111 to which the gate of the TFT 111 and the second electrode of the capacitor C111 are connected. The gate is connected to the erase line ESL wired in the corresponding row.

図18は、消去信号ESのタイミングを示す図である。
図18の例は、1フィールドを10個のサブフィールドSFに分割した場合の例である。
本実施形態においては、1フィールドの分割数にかかわりなく、1つのサブフィールドSFに電圧信号(10Vまたは0V)をTFT112を通して取り込みキャパシタC111に保持した後、その都度TFT111のゲートおよびキャパシタC111画接続されたノードND111の電位を消去(イレーズ:erase)するようにして、安定した階調表示を実現している。
FIG. 18 is a diagram showing the timing of the erase signal ES.
The example of FIG. 18 is an example when one field is divided into 10 subfields SF.
In this embodiment, the voltage signal (10 V or 0 V) is taken into one subfield SF through the TFT 112 and held in the capacitor C111 regardless of the number of divisions in one field, and then the gate of the TFT 111 and the capacitor C111 are connected each time. The stable gradation display is realized by erasing the potential of the node ND111.

また、本第2の実施形態においては、1フィールド期間において、複数回任意の単一画素の階調表示を行う信号データを蓄積するためのR、G、B独立のラインメモリと、この複数回任意の単位画素の階調表示を行うための、1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行うためのフィールドメモリを含むICチップ300Aをパネル外に配置している。
ここで、ラインメモリは、順次フィールドメモリでAWD方式に応じて並び替えたデータによりソースICを制御して信号データを出力する。このとき、RGBに単独での出力が可能になるため、接続PIN数、配線数は激減する。
すなわち、時分割によるデータ信号を発生させるソースIC300Aのピン数は、TFTで形成された、たとえば8ビットデータ信号を各信号線毎にメモリを持たせることにより、削減できる。この8ビットデータはフィールドメモリからのRGB独立のシリアルデータよりなる。その結果、ソースIC300Aからの信号線の数は、通常の有機ELディスプレイに対して、ビットに対応したGBの本数が達成でき、最小の入出力ピン数で済む。
In the second embodiment, R, G, and B independent line memories for storing signal data for performing gradation display of an arbitrary single pixel a plurality of times in one field period, and the plurality of times An IC chip 300A including a field memory for exchanging display data within one field period for performing gradation display of an arbitrary unit pixel is disposed outside the panel.
Here, the line memory outputs the signal data by controlling the source IC with the data rearranged according to the AWD method in the field memory. At this time, since RGB can be output independently, the number of connected PINs and the number of wirings are drastically reduced.
That is, the number of pins of the source IC 300A that generates a data signal by time division can be reduced by providing a memory for each signal line, for example, an 8-bit data signal formed by a TFT. This 8-bit data consists of RGB independent serial data from the field memory. As a result, as for the number of signal lines from the source IC 300A, the number of GB corresponding to the bit can be achieved with respect to a normal organic EL display, and the minimum number of input / output pins is sufficient.

その他の構成は第1の実施形態と同様であり、本第2の実施形態によれば、各画素回路においてTFT114が一つ増え、制御線としての消去線ESLが増えるものの、パネルの面積的には狭額縁化にさほどの影響を及ぼすことなく、上述した第1の実施形態の効果と同様の効果を得ることができ、さらに安定した階調表示を実現することができる。   The other configuration is the same as that of the first embodiment. According to the second embodiment, the number of TFTs 114 is increased by one in each pixel circuit, and the number of erase lines ESL as control lines is increased. The effect similar to that of the first embodiment described above can be obtained without significantly affecting the narrowing of the frame, and more stable gradation display can be realized.

なお、図16の画素回路101Aは一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、上述したように、TFT111,TFT112,TFT114は単なるスイッチであることから、これらのすべて乃至一部をnチャネルTFT、あるいはその他のスイッチ素子で構成することも可能なことは明らかである。   Note that the pixel circuit 101A in FIG. 16 is an example, and the present invention is not limited to this. For example, as described above, since the TFT 111, TFT 112, and TFT 114 are merely switches, it is obvious that all or a part of them can be constituted by n-channel TFTs or other switching elements.

<第3実施形態>
図19は、本発明の第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の構成の概略を示す図である。
図20は、第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路を示す回路図である。
図21は、本発明の第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。
<Third Embodiment>
FIG. 19 is a diagram showing an outline of a configuration of an active matrix organic EL display (display device) according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a circuit diagram showing a pixel circuit of an active matrix organic EL display according to the third embodiment.
FIG. 21 is a diagram including a display panel configuration example of an active matrix type organic EL display (display device) according to the third embodiment of the present invention.

本第3の実施形態の有機ELディスプレイ100Bが上述した第2の実施形態の有機ELディスプレイ100Aと異なる点は、各ラインの画素回路101Bにおいて、定電流を複製して、複製した電流を駆動スイッチTFT111を通して有機EL発光素子113に供給するように構成し、有機EL発光素子113の特性劣化が発生し、輝度の低下を抑止している。
具体的には、有機ELディスプレイ100Bにおいて、各画素列ごとに参照電流供給線IRFL101〜IRFL10nを配線し、各参照電流供給線IRFL101〜IRFL10nに対して参照電流Irefを選択的に印加する電流ドライバ(IDRV)106を設けている。
さらに、各画素行ごとに電流複製線(カンレトコピー線)CCL101〜CCL10mを配線し、各電流複製線CCL101〜CCL10mに対してカレントコピー信号CSを選択的に印加するコピードライバ(CDRV)107を設けている。
そして、各画素回路101Bにおいて、図20に示すように、駆動スイッチとしてのTFT111のソースと電源電位船VCCLとの間に、カンレトコピー回路120を設けている。
The organic EL display 100B according to the third embodiment is different from the organic EL display 100A according to the second embodiment described above in that the constant current is replicated in the pixel circuit 101B of each line, and the replicated current is driven. The organic EL light-emitting element 113 is configured to be supplied to the organic EL light-emitting element 113 through the TFT 111, the characteristic deterioration of the organic EL light-emitting element 113 occurs, and the decrease in luminance is suppressed.
Specifically, in the organic EL display 100B, reference current supply lines IRFL101 to IRFL10n are wired for each pixel column, and a current driver that selectively applies a reference current Iref to each reference current supply line IRFL101 to IRFL10n ( IDRV) 106 is provided.
Further, a copy driver (CDRV) 107 is provided for wiring current replication lines (cure copy lines) CCL101 to CCL10m for each pixel row and selectively applying a current copy signal CS to each of the current replication lines CCL101 to CCL10m. Yes.
In each pixel circuit 101B, as shown in FIG. 20, a current copy circuit 120 is provided between the source of the TFT 111 as a drive switch and the power supply potential ship VCCL.

カレントコピー回路120は、図20に示すように、pチャネルTFT121、nチャネルTFT122,123、キャパシタC121、およびノードND121、ND122を有している。   As shown in FIG. 20, the current copy circuit 120 includes a p-channel TFT 121, n-channel TFTs 122 and 123, a capacitor C121, and nodes ND121 and ND122.

TFT121のソースが電源電位線VCCLに接続され、ドレインがノードND121に接続され、ゲートがノードND122に接続されている。
キャパシタC121の一端(第1電極)が電源電位線VCCLに接続され、他端(第2電極)がノードND122に接続されている。
TFT122のソースが参照電流供給線IRFLに接続され、ドレインがノードND121に接続されている。TFT123のソースがノードND121に接続され、ドレインがノードND122に接続されている。TFT122,123のゲートがカレントコピー線CCLに共通に接続されている。
カンレトコピー回路120の出力ノードND121が画素回路101Bの駆動スイッチを形成するTFT111のソースに接続されている。
The source of the TFT 121 is connected to the power supply potential line VCCL, the drain is connected to the node ND121, and the gate is connected to the node ND122.
One end (first electrode) of the capacitor C121 is connected to the power supply potential line VCCL, and the other end (second electrode) is connected to the node ND122.
The source of the TFT 122 is connected to the reference current supply line IRFL, and the drain is connected to the node ND121. The source of the TFT 123 is connected to the node ND121, and the drain is connected to the node ND122. The gates of the TFTs 122 and 123 are commonly connected to the current copy line CCL.
The output node ND121 of the current copy circuit 120 is connected to the source of the TFT 111 that forms the drive switch of the pixel circuit 101B.

このようは構成を有する画素回路101Bにおいて、まずコピードライバ107によりカレントコピー線CCLにハイレベルのカンレトコピー信号CSが所定期間印加される。これにより、カレントコピー回路120のTFT122,123がオン状態となる。
このとき、対応する参照電流供給線IRFLには参照電流Irefが供給されており、この参照電流Irefは、カンレトコピー回路120のTFT122,123を通してキャパシタC121にコピーされる(電荷として保持されてコピーされる)。
所定期間が経過すると、カンレトコピー信号CSがコピードライバ107によりローレベルに切り替えられる。これにより、カンレトコピー回路120のTFT122,123はオフし、参照電流IrefがキャパシタC121に保持され、コピーされた状態となる。
これに伴い、ノードND122が所定の電位に保持され、TFT121のゲートに印加されて、定電流がノードND121を通してTFT111のソース側に供給される。
後は、第1および第2の実施形態と同様の駆動により、スキャンドライバ104においてたとえば8個のサブフィールドSF1〜SF8(Field 分割選択)の信号を発生され、スキャンドライバ104が先の選択を行うときに、信号線SGLにはデータドライバ103からハイレベル(たとえば10V)またはローレベル(0V)の信号が印加され、画素への信号の取り込みがそのタイミングで行われる。
なお、1つのサブフィールドSFに電圧信号(10Vまたは0V)をTFT112を通して取り込みキャパシタC111に保持した後、その都度TFT111のゲートおよびキャパシタC111画接続されたノードND111の電位が消去される。
In the pixel circuit 101B having such a configuration, first, the copy driver 107 applies a high-level current copy signal CS to the current copy line CCL for a predetermined period. As a result, the TFTs 122 and 123 of the current copy circuit 120 are turned on.
At this time, the reference current Iref is supplied to the corresponding reference current supply line IRFL, and this reference current Iref is copied to the capacitor C121 through the TFTs 122 and 123 of the current copy circuit 120 (retained and copied as charges). ).
When the predetermined period elapses, the copy copy signal CS is switched to a low level by the copy driver 107. As a result, the TFTs 122 and 123 of the current copy circuit 120 are turned off, and the reference current Iref is held in the capacitor C121 to be copied.
Accordingly, the node ND122 is held at a predetermined potential, applied to the gate of the TFT 121, and a constant current is supplied to the source side of the TFT 111 through the node ND121.
After that, by the same driving as in the first and second embodiments, for example, signals of eight subfields SF1 to SF8 (Field division selection) are generated in the scan driver 104, and the scan driver 104 performs the previous selection. Sometimes, a high level (for example, 10 V) or low level (0 V) signal is applied from the data driver 103 to the signal line SGL, and the signal is taken into the pixel at that timing.
Note that a voltage signal (10 V or 0 V) is taken into one subfield SF through the TFT 112 and held in the capacitor C111, and then the potential of the node ND111 connected to the gate of the TFT 111 and the capacitor C111 is erased each time.

また、本第3の実施形態においては、1フィールド期間において、複数回任意の単一画素の階調表示を行う信号データを蓄積するためのR、G、B独立のラインメモリと、この複数回任意の単位画素の階調表示を行うための、1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行うためのフィールドメモリを含むICチップ300Bをパネル外に配置している。
ここで、ラインメモリは、順次フィールドメモリでAWD方式に応じて並び替えたデータによりソースICを制御して信号データを出力する。このとき、RGBに単独での出力が可能になるため、接続PIN数、配線数は激減する。
In the third embodiment, R, G, and B independent line memories for storing signal data for performing gradation display of an arbitrary single pixel a plurality of times in one field period, and the plurality of times An IC chip 300B including a field memory for switching display data within one field period for performing gradation display of an arbitrary unit pixel is disposed outside the panel.
Here, the line memory outputs the signal data by controlling the source IC with the data rearranged according to the AWD method in the field memory. At this time, since RGB can be output independently, the number of connected PINs and the number of wirings are drastically reduced.

本第3の実施形態によれば、上記した第1および第2の実施形態の効果と同様の効果を得られることはもとより、有機EL発光素子113の特性劣化が発生し、輝度の低下することを抑止することができ、さらに高品位の画像を得ることができる。   According to the third embodiment, not only the same effects as those of the first and second embodiments described above can be obtained, but also the characteristics of the organic EL light emitting device 113 are deteriorated and the luminance is lowered. Can be suppressed, and a higher quality image can be obtained.

<第4実施形態>
図22は、本発明の第4の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。
<Fourth embodiment>
FIG. 22 is a diagram including a display panel configuration example of an active matrix organic EL display (display device) according to the fourth embodiment of the present invention.

本第4の実施形態の有機ELディスプレイ100Cが第2の実施形態の有機ELディプレイ100Aと異なる点は、1フィールド期間において、複数回任意の単一画素の階調表示を行う信号データを蓄積するためのR、G、B独立のラインメモリを、外部のICチップ内ではなく、パネル200Cのデータドライバ104の入力側に配置し、ICチップ300Cに、複数回任意の単位画素の階調表示を行うための、1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行うためのフィールドメモリを含む構成としたことにある。   The difference between the organic EL display 100C of the fourth embodiment and the organic EL display 100A of the second embodiment is that signal data for gradation display of an arbitrary single pixel is accumulated a plurality of times in one field period. R, G, and B independent line memories are arranged not on the external IC chip but on the input side of the data driver 104 of the panel 200C, and the gradation display of arbitrary unit pixels is performed multiple times on the IC chip 300C. In other words, a field memory for replacing display data within one field period is included.

また、本第4の実施形態においては、TFT(薄膜トランジスタ)によるデータドライバにおける水平走査駆動回路の動作周波数を低減するため、データドライバ103−1,103−2の2つにして、動作周波数を本来の周波数の2分の1にした構成を採用している。したがって、パネル200C内には、2つのラインメモリ108−1,108−2が配置されている。   In the fourth embodiment, in order to reduce the operating frequency of the horizontal scanning drive circuit in the data driver using TFT (thin film transistor), the operating frequency is originally set to two data drivers 103-1 and 103-2. A configuration with half the frequency is adopted. Therefore, two line memories 108-1 and 108-2 are arranged in the panel 200C.

なお、一例として、図23に本実施形態による信号データ配線とラインメモリの配置を示し、図24に本実施形態による信号データの読み込みタイミングチャートを示す。
ただし、図23においては、図面の簡単化のためRデータのみを示しているが、実際にはBデータ、Gデータも同様に配置の配線および配置となる。
As an example, FIG. 23 shows the arrangement of signal data lines and line memories according to the present embodiment, and FIG. 24 shows a timing chart for reading signal data according to the present embodiment.
However, in FIG. 23, only R data is shown for simplification of the drawing, but actually B data and G data are similarly arranged and arranged.

その他の構成は第2の実施形態と同様であり、本第4の実施形態によれば、上述した第2の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。   Other configurations are the same as those of the second embodiment, and according to the fourth embodiment, the same effects as those of the second embodiment described above can be obtained.

<第5実施形態>
図25は、本発明の第5の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。
<Fifth Embodiment>
FIG. 25 is a diagram including a display panel configuration example of an active matrix organic EL display (display device) according to the fifth embodiment of the present invention.

本第5の実施形態の有機ELディスプレイ100Dが第3の実施形態の有機ELディプレイ100Bと異なる点は、1フィールド期間において、複数回任意の単一画素の階調表示を行う信号データを蓄積するためのR、G、B独立のラインメモリを、外部のICチップ内ではなく、パネル200Dのデータドライバ104の入力側に配置し、ICチップ300Cに、複数回任意の単位画素の階調表示を行うための、1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行うためのフィールドメモリを含む構成としたことにある。   The organic EL display 100D of the fifth embodiment is different from the organic EL display 100B of the third embodiment in that signal data for performing gradation display of an arbitrary single pixel is accumulated a plurality of times in one field period. R, G, and B independent line memories are arranged not on the external IC chip but on the input side of the data driver 104 of the panel 200D, and the gradation display of arbitrary unit pixels is performed multiple times on the IC chip 300C. In other words, a field memory for replacing display data within one field period is included.

また、本第5の実施形態においては、TFT(薄膜トランジスタ)によるデータドライバにおける水平走査駆動回路の動作周波数を低減するため、データドライバ103−1,103−2の2つにして、動作周波数を本来の周波数の2分の1にした構成を採用している。したがって、パネル200D内には、2つのラインメモリ108−1,108−2が配置されている。   In the fifth embodiment, in order to reduce the operating frequency of the horizontal scanning drive circuit in the data driver using TFT (Thin Film Transistor), the operating frequency is originally set to two data drivers 103-1 and 103-2. A configuration with half the frequency is adopted. Therefore, two line memories 108-1 and 108-2 are arranged in the panel 200D.

その他の構成は第3の実施形態と同様であり、本第5の実施形態によれば、上述した第5の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。   Other configurations are the same as those of the third embodiment, and according to the fifth embodiment, the same effects as those of the fifth embodiment described above can be obtained.

<第6実施形態>
図26は、本発明の第6の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。
<Sixth Embodiment>
FIG. 26 is a diagram including a display panel configuration example of an active matrix type organic EL display (display device) according to the sixth embodiment of the present invention.

本第6の実施形態の有機ELディスプレイ100Eは、第5の実施形態の有機ELディプレイ100Dのデータドライバ103−1,103−2の部分をさらに具体的な構成を示している。   The organic EL display 100E of the sixth embodiment shows a more specific configuration of the data drivers 103-1 and 103-2 of the organic EL display 100D of the fifth embodiment.

本第6の実施形態のデータドライバ103(−1,−2)はレベルシフタ1031E、2−セレクタスイッチ部1032E、および水平走査駆動回路(SR)1033Eを含んで構成される。   The data driver 103 (-1, -2) of the sixth embodiment includes a level shifter 1031E, a 2-selector switch unit 1032E, and a horizontal scanning drive circuit (SR) 1033E.

この場合、レベルシフタ1031Eは、たとえば図27または図28に示すような位置に配置される。   In this case, the level shifter 1031E is arranged at a position as shown in FIG. 27 or 28, for example.

図27の例の場合、ICチップ300Eの0/5V振幅の5V系信号をラインメモリ108に入力し、水平走査駆動回路1031で所定の処理をした後、レベルシフタ1031Eで0/10V振幅の10V系信号にレベルシフト処理(5Vを10Vに昇圧)して、セレクタスイッチ部1032Eに入力する。
セレクタスイッチ部1032Eにおいては、10V系信号を切替信号に応じて適宜切り替えて、所定の信号線にAWD方式に従ったデータを伝搬させる。
In the case of the example of FIG. 27, a 5V system signal with 0 / 5V amplitude from the IC chip 300E is input to the line memory 108, and a predetermined process is performed by the horizontal scanning drive circuit 1031. Then, a 10V system with 0 / 10V amplitude is output by the level shifter 1031E. The signal is level-shifted (5V is increased to 10V) and input to the selector switch unit 1032E.
In the selector switch unit 1032E, the 10V signal is appropriately switched according to the switching signal, and the data in accordance with the AWD method is propagated to a predetermined signal line.

図28の例の場合、ICチップ300Eの0/5V振幅の5V系信号を、まず、レベルシフタ1031Eで0/10V振幅の10V系信号にレベルシフト処理(5Vを10Vに昇圧)して、10V系信号をラインメモリ108に入力し、水平走査駆動回路1031で所定の処理をした後、セレクタスイッチ部1032Eに入力する。
セレクタスイッチ部1032Eにおいては、10V系信号を切替信号に応じて適宜切り替えて、所定の信号線にAWD方式に従ったデータを伝搬させる。
In the case of the example of FIG. 28, the level shifter 1031E first level-shifts the 5V system signal of 0 / 5V amplitude of the IC chip 300E into a 10V system signal of 0 / 10V amplitude (boosts 5V to 10V), and 10V system The signal is input to the line memory 108, subjected to predetermined processing by the horizontal scanning drive circuit 1031, and then input to the selector switch unit 1032E.
In the selector switch unit 1032E, the 10V signal is appropriately switched according to the switching signal, and the data in accordance with the AWD method is propagated to a predetermined signal line.

本第6の実施形態によれば、上述した第3および第5の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。   According to the sixth embodiment, the same effects as those of the third and fifth embodiments described above can be obtained.

一般的な画素回路の第1の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 1st structural example of a general pixel circuit. 一般的な画素回路の第2の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 2nd structural example of a general pixel circuit. 図2の回路の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining a method of driving the circuit of FIG. 2. 本発明の第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの構成の概略を示す図である。1 is a diagram illustrating an outline of a configuration of an active matrix organic EL display according to a first embodiment of the present invention. 本第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路の構成例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit of the active matrix organic EL display according to the first embodiment. 本実施形態の時分割階調表示を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the time division gradation display of this embodiment. 本実施形態に係るデータドライバの具体的な構成例を示す図である。It is a figure which shows the specific structural example of the data driver which concerns on this embodiment. 図7のセレクタスイッチ部の切り替えタイミングを示す図である。It is a figure which shows the switching timing of the selector switch part of FIG. 線順次書き込み方式の8ラインの場合のスキャンラインの駆動タイミングを示す図である。It is a figure which shows the drive timing of the scan line in the case of 8 lines of a line sequential writing system. 線順次書き込み方式のデータの出力形態を示す図である。It is a figure which shows the output form of the data of a line sequential writing system. 線順次書き込み方式を採用した場合のスキャンの様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of a scan at the time of employ | adopting a line sequential writing system. AWD方式の8ラインの場合のスキャンラインの駆動タイミングを示す図である。It is a figure which shows the drive timing of the scan line in the case of 8 lines of an AWD system. AWD方式のデータの出力形態を示す図である。It is a figure which shows the output form of the data of an AWD system. AWDタイムシーケンス表の作成例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the creation example of an AWD time sequence table | surface. 本発明の第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路を示す回路図である。It is a circuit diagram showing a pixel circuit of an active matrix type organic EL display concerning a 2nd embodiment. 本発明の第2の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。It is a figure shown including the display panel structural example of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 消去信号ESのタイミングを示す図である。It is a figure which shows the timing of the erase signal ES. 本発明の第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の構成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a structure of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイの画素回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the pixel circuit of the active matrix type organic EL display which concerns on 3rd Embodiment. 本発明の第3の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。It is a figure including the display panel structural example of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。It is a figure including the display panel structural example of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本実施形態による信号データ配線とラインメモリの配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of arrangement | positioning of the signal data wiring and line memory by this embodiment. 本実施形態による信号データの読み込みタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the reading timing chart of the signal data by this embodiment. 本発明の第5の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。It is a figure including the example of a display panel structure of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)の表示パネル構成例を含めて示す図である。It is a figure including the example of a display panel structure of the active matrix type organic electroluminescent display (display apparatus) which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 図26のデータドライバ部分の第1の構成例を示す図である。FIG. 27 is a diagram illustrating a first configuration example of a data driver portion of FIG. 26. 図26のデータドライバ部分の第2の構成例を示す図である。FIG. 27 is a diagram illustrating a second configuration example of the data driver portion in FIG. 26.

符号の説明Explanation of symbols

100,100A〜100E…アクティブマトリクス型有機ELディスプレイ(表示装置)、101,101A,101B…画素回路、102,102A,102B…画素アレイ部、103,103−1,103−2…データドライバ(DDRV)、104,104−1,104−2…スキャンドライバ(SDRV)、105…イレーズドライバ(EDRV)、106…電流ドライバ、107…コピードライバ、108−1,108−2…ラインメモリ、200,200A〜200E…表示パネル、111,112,114…TFT、120…カレントコピー回路、121〜123…TFT、C121…キャパシタ、ND111、ND121,ND122…ノード、VCCL…電源電位線。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,100A-100E ... Active matrix type organic EL display (display device), 101, 101A, 101B ... Pixel circuit, 102, 102A, 102B ... Pixel array unit, 103, 103-1, 103-2 ... Data driver (DDRV) ), 104, 104-1, 104-2 ... scan driver (SDRV), 105 ... erase driver (EDRV), 106 ... current driver, 107 ... copy driver, 108-1, 108-2 ... line memory, 200, 200A ˜200E, display panel, 111, 112, 114, TFT, 120, current copy circuit, 121-123, TFT, C121, capacitor, ND111, ND121, ND122, node, VCCL, power supply potential line.

Claims (18)

流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子を駆動する画素回路であって、
少なくとも輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、
少なくとも第1の制御線と、
第1の基準電位および第2の基準電位と、
ノードと、
上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、
上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、
上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含み、
1フィールドがN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割されてN個の異なる区分が設定され、各サブフィールドごとに上記第2のスイッチがオン、オフ制御されて電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように制御される
画素回路。
A pixel circuit that drives an electro-optic element whose luminance changes according to a flowing current,
A signal line to which a voltage signal corresponding to at least luminance information is supplied;
At least a first control line;
A first reference potential and a second reference potential;
Nodes,
A first switch connected in series with the electro-optic element between the first reference potential and the second reference potential and turned on and off according to the potential of the node;
A second switch connected between the signal line and the node and turned on and off by the first control line;
A capacitor connected between the node and a predetermined potential and holding a voltage signal input through the second switch,
One field is divided into N (where N is a positive integer) subfields and N different sections are set, and the second switch is turned on and off for each subfield to input a voltage signal. And a pixel circuit controlled to perform N-bit gradation display by turning on and off the first switch in accordance with an input signal.
上記サブフィールドごとに電圧信号を入力した後に、上記ノードの電位を所定電位としてイレーズするイレーズ部を含む
請求項1記載の画素回路。
2. The pixel circuit according to claim 1, further comprising an erase unit that erases the potential of the node as a predetermined potential after inputting a voltage signal for each of the subfields.
上記第1のスイッチを通して上記電気光学素子に定電流を供給可能な電流供給回路を有する
請求項1記載の画素回路。
The pixel circuit according to claim 1, further comprising a current supply circuit capable of supplying a constant current to the electro-optic element through the first switch.
上記第1のスイッチを通して上記電気光学素子に定電流を供給可能な電流供給回路を有する
請求項2記載の画素回路。
The pixel circuit according to claim 2, further comprising a current supply circuit capable of supplying a constant current to the electro-optic element through the first switch.
上記電流供給回路は、所定の電流値を複製可能で、複製した電流を供給する
請求項3記載の画素回路。
The pixel circuit according to claim 3, wherein the current supply circuit is capable of replicating a predetermined current value and supplies the replicated current.
上記電流供給回路は、所定の電流値を複製可能で、複製した電流を供給する
請求項4記載の画素回路。
The pixel circuit according to claim 4, wherein the current supply circuit is capable of replicating a predetermined current value and supplies the replicated current.
各サブフィールドの先頭の1水平走査期間がN等分されてN個の区分が設定され、各サブフィールドごとに異なる区分にアドレス期間が設定された区分後の上記第2のスイッチのオン、オフ周期を1水平走査期間の長さの1/N倍またはK/N倍(ただし、Kは2以上の整数)として、Nビットの階調表示を行うように制御される
請求項1記載の画素回路
The first horizontal scanning period of each subfield is divided equally into N to set N sections, and the second switch is turned on / off after the section in which the address period is set to a different section for each subfield. 2. The pixel according to claim 1, wherein the period is controlled to perform N-bit gradation display by setting the period to 1 / N times or K / N times the length of one horizontal scanning period (where K is an integer of 2 or more). circuit
マトリクス状に複数配列された画素回路と、
上記画素回路のマトリクス配列に対して列毎に配線され、輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、
上記画素回路のマトリクス配列に対して行毎に配線された少なくとも第1の制御線と、
上記信号線に所望の上記電圧信号を伝搬させる第1のドライバと、
上記第1の制御線に所定のタイミングでスイッチをオン、オフするための信号を印加する第2のドライバと、
第1の基準電位および第2の基準電位と、を有し、
上記各画素回路は、
流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子と、
ノードと、
上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、
上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、
上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含み、
上記第1および第2のドライバは、
各フィールドがN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割されてN個の異なる区分が設定され、各サブフィールドごとに上記画素回路の上記第2のスイッチがオン、オフ制御されて電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように上記第1の制御線および信号線を駆動する
表示装置。
A plurality of pixel circuits arranged in a matrix;
A signal line wired for each column with respect to the matrix arrangement of the pixel circuit and supplied with a voltage signal according to luminance information;
At least a first control line wired for each row to the matrix arrangement of the pixel circuit;
A first driver for propagating the desired voltage signal to the signal line;
A second driver for applying a signal for turning on and off the switch at a predetermined timing to the first control line;
A first reference potential and a second reference potential;
Each pixel circuit is
An electro-optic element whose luminance varies depending on the flowing current;
Nodes,
A first switch connected in series with the electro-optic element between the first reference potential and the second reference potential and turned on and off according to the potential of the node;
A second switch connected between the signal line and the node and turned on and off by the first control line;
A capacitor connected between the node and a predetermined potential and holding a voltage signal input through the second switch,
The first and second drivers are
Each field is divided into N (where N is a positive integer) subfields and N different sections are set, and the second switch of the pixel circuit is turned on and off for each subfield. A display device that inputs a voltage signal, turns on and off the first switch in accordance with the input signal, and drives the first control line and the signal line to perform N-bit gradation display.
各サブフィールドの先頭の1水平走査期間がN等分されてN個の区分が設定され、各サブフィールドごとに異なる区分にアドレス期間が設定された区分後の上記第2のスイッチのオン、オフ周期を1水平走査期間の長さの1/N倍またはK/N倍(ただし、Kは2以上の整数)として、Nビットの階調表示を行うように制御される
請求項8記載の表示装置。
The first horizontal scanning period of each subfield is divided equally into N to set N sections, and the second switch is turned on / off after the section in which the address period is set to a different section for each subfield. 9. The display according to claim 8, wherein the cycle is controlled to perform N-bit gradation display by setting the period to 1 / N times or K / N times the length of one horizontal scanning period (where K is an integer of 2 or more). apparatus.
上記各画素回路の階調を表現するサブフィールドの配置順について、1水平走査期間におけるサブフィールドの上記第2のスイッチのオン、オフのタイミングが、すべてのラインにおいて異なり、かつ、タイミングチャートを横軸に時間、縦軸にライン番号とした場合、上記オン、オフのタイミングが最も疎となるようにサブフィールドを配置した駆動タイミングをとる
請求項9記載の表示装置。
Regarding the arrangement order of the subfields expressing the gradation of each pixel circuit, the on / off timing of the second switch in the subfield in one horizontal scanning period is different in all lines, and the timing chart is The display device according to claim 9, wherein when the axis is time and the vertical axis is a line number, the drive timing in which the subfields are arranged so that the on / off timing is the least sparse.
上記画素回路の階調表示を行う信号データを蓄積するためのラインメモリを有する
請求項8記載の表示装置。
The display device according to claim 8, further comprising a line memory for storing signal data for performing gradation display of the pixel circuit.
1フィールド期間において、上記画素回路の階調表示を行う信号データを蓄積するためのラインメモリと、
上記画素回路の階調表示を行うための1フィールド期間内に表示データの入れ替えを行う、フィールドメモリと、を有する
請求項8記載の表示装置。
A line memory for storing signal data for performing gradation display of the pixel circuit in one field period;
The display device according to claim 8, further comprising: a field memory that replaces display data within one field period for performing gradation display of the pixel circuit.
上記画素回路は、上記サブフィールドごとに電圧信号を入力した後に、上記ノードの電位を所定電位としてイレーズするイレーズ部を含む
請求項8記載の表示装置。
The display device according to claim 8, wherein the pixel circuit includes an erasing unit that erases the potential of the node as a predetermined potential after inputting a voltage signal for each of the subfields.
上記第1のスイッチを通して上記電気光学素子に定電流を供給可能な電流供給回路を有する
請求項8記載の表示装置。
The display device according to claim 8, further comprising a current supply circuit capable of supplying a constant current to the electro-optic element through the first switch.
上記第1のスイッチを通して上記電気光学素子に定電流を供給可能な電流供給回路を有する
請求項13記載の表示装置。
The display device according to claim 13, further comprising a current supply circuit capable of supplying a constant current to the electro-optic element through the first switch.
上記電流供給回路は、所定の電流値を複製可能で、複製した電流を供給する
請求項14記載の表示装置。
The display device according to claim 14, wherein the current supply circuit is capable of replicating a predetermined current value and supplying the replicated current.
上記電流供給回路は、所定の電流値を複製可能で、複製した電流を供給する
請求項15記載の表示装置。
The display device according to claim 15, wherein the current supply circuit is capable of replicating a predetermined current value and supplies the replicated current.
流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子と、
少なくとも輝度情報に応じた電圧信号が供給される信号線と、
少なくとも第1の制御線と、
第1の基準電位および第2の基準電位と、
ノードと、
上記第1の基準電位と上記第2の基準電位間に、上記電気光学素子と直列に接続され、上記ノードの電位に応じてオン、オフする第1のスイッチと、
上記信号線とノードとの間に接続され、上記第1の制御線によってオン、オフされる第2のスイッチと、
上記ノードと所定電位との間に接続され、上記第2のスイッチを通して入力した電圧信号を保持するキャパシタと、を含む画素回路の駆動方法であって、
1フィールドをN個(ただしNは正の整数)のサブフィールドに分割してN個の異なる区分を設定し、各サブフィールドごとに上記第2のスイッチをオン、オフ制御して電圧信号を入力し、入力信号に応じて上記第1のスイッチをオン、オフさせて、Nビット階調表示を行うように駆動する
画素回路の駆動方法。
An electro-optic element whose luminance varies depending on the flowing current;
A signal line to which a voltage signal corresponding to at least luminance information is supplied;
At least a first control line;
A first reference potential and a second reference potential;
Nodes,
A first switch connected in series with the electro-optic element between the first reference potential and the second reference potential and turned on and off according to the potential of the node;
A second switch connected between the signal line and the node and turned on and off by the first control line;
A capacitor circuit connected between the node and a predetermined potential and holding a voltage signal input through the second switch,
One field is divided into N (where N is a positive integer) sub-fields and N different sections are set, and the second switch is turned on / off for each sub-field to input a voltage signal A driving method of a pixel circuit, wherein the first switch is turned on / off in accordance with an input signal and is driven to perform N-bit gradation display.
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