JP2006529066A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 特にパワースイッチとして使用される電子回路であって、
   少なくとも１つの駆動信号を発生する駆動ユニットと、
   ２つまたはそれ以上のパワー半導体スイッチであって、各半導体スイッチは第１及び第２の主端子を有し、前記パワー半導体スイッチは前記駆動信号によって同時に切り替え可能であり、前記パワー半導体スイッチの前記第１及び第２の主端子はそれぞれ互いに並列に電子的に接続された、２つまたはそれ以上のパワー半導体スイッチと、
   前記パワー半導体スイッチのそれぞれに対する、前記駆動ユニットへの接続のための第１及び第２の電気的に伝導性の接続部と、
   前記第１の電気的に伝導性の接続部のそれぞれにおける第１のインダクタンスと、
   前記第２の電気的に伝導性の接続部のそれぞれにおける第２のインダクタンスと、を具備し、前記パワー半導体スイッチのそれぞれに対して前記第１のインダクタンスは前記第２のインダクタンスに結合され、
   前記パワー半導体スイッチのそれぞれに対して各コモンモードリジェクションインダクタが設けられ、前記コモンモードリジェクションインダクタの第１の巻線は前記第１のインダクタンスを形成し、前記コモンモードリジェクションインダクタの第２の巻線は前記第２のインダクタンスを形成し、
   各コモンモードリジェクションインダクタに対して、次の式で表わされる最小コモンモードインダクタンスＬ^(G) _Dよりも大きいコモンモードインダクタンスＬ^(G) _D,i
   が選択され、
   

   

   ΔＬ_Eは、２つのエミッタインダクタンスＬ_E,i及びＬ_E,j間の最大相違Ｌ_E,i−Ｌ_E,j（ｉとｊは集合｛１，２，３｝の要素であり、互いに異なる）であり、
   Ｉ_SCは、パワー半導体スイッチ（Ｔ₁，Ｔ_２，Ｔ₃）の短絡電流であり、
   ΔＩ_Gは、２つのゲート電流Ｉ_i及びＩ_j（ｉとｊは集合｛１，２，３｝の要素であり、互いに異なる）間の最大許容相違Ｉ_i−Ｉ_jである電子回路。
2. 前記同時に切り替え可能なパワー半導体スイッチ（Ｔ₁ ,Ｔ₂ ,Ｔ₃）は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
3. 前記同時に切り替え可能なパワー半導体スイッチ（Ｔ₁ ,Ｔ₂ ,Ｔ₃）はユニポーラ絶縁ゲートフィールド効果トランジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ）であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
4. 前記ＩＧＢＴの各々に対する前記第１の電気的に伝導可能な接続部は、補助エミッタ端子に接触し、前記第１のインダクタンスの１つと並列に制限抵抗が設けられている請求項２に記載の電子回路。
5. モジュールハウジングを具備するパワー半導体モジュールであって、前記パワー半導体モジュールは、請求項１から４のいずれか１つに記載の電子回路を具備することを特徴とするパワー半導体モジュール。
6. 前記パワー半導体モジュールは、少なくとも２つのサブモジュールを具備し、前記駆動信号によって同時に切り替え可能な２つまたはそれ以上のパワー半導体スイッチは同一のサブモジュールに設けられていない請求項５記載のパワー半導体モジュール。