JP2006521698A - 固体エネルギー変換器 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 91
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 26
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 15
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 claims 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 TAGS Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
Description
本発明の開発にあたり、その市販上の入手のしやすさにより、モデル半導体材料としてアンチモン化インジウム(InSb)を用いた。InSbは、最も高い公知の電子移動度及び最も大きい散乱長(室温において0.8ミクロン)の1つを有する。一方、InSbの熱伝導度は比較的高く、結果として平均熱電性能指数(最適条件のときZT=0.2)を下回ることになる。InSbについて実験的に達成されたほとんどの結果は、特性について補正を有する他の種々の半導体にも当てはまることを理解されたい。しかしながら、この手法が機能しない2つの極端な例は、バンドギャップが小さすぎ(kBTより小さい、ここでkBはボルツマン定数であり、Tは絶対温度である)、又は大きすぎて、10kBTより小さいといった妥当な障壁高さ内で熱電流により誘起されたフェルミ準位の不連続性をもたらすのが困難なときである。
pi=ni (1)
として所与の半導体について書くことができ、piは、イオン化アクセプタ不純物濃度であり、niは、イオン化ドナー不純物濃度である。不純物のイオン化割合は、(例えばアクセプタにおいては)pi=p/(1+g exp−{EF−Ei/kBT}として定められ、Eiは所与の不純物についてのイオン化エネルギーであり、EFはフェルミ準位であり、gはInSbの場合は4である縮退係数であり、kBはボルツマン定数であり、Tは絶対温度である。最大エミッタ性能に対応する非局在化補償については、
pi>ni(m* p/m* n) (2)
である。
変換器のコレクタ側の障壁高さの影響を研究するのに同じ打ち込み方法を用いた。コレクタ障壁高さに対する熱電性能に正規化された電気出力の形態の実験結果が図6のプロットに示されている。コレクタ温度(Tc)は室温に近かった。2つの別の影響を観測することができる。低い障壁高さにおいては、1つのピークは、局在化された補償の近辺であり、p型不純物の濃度はn型不純物の濃度に等しい。この場合には、ドナー及びアクセプタのイオン化エネルギーは同じである。より高い障壁高さにおいては、第2のピーク位置は、対応する温度のときの図4とほぼ同じであり、ギャップからコレクタ接合への電流注入が存在することを意味する。また、このピークは、非局在化補償層に対応する。エミッタ及びコレクタは、エミッタ及びコレクタ層の両方の厚さより数倍厚い半導体層によって分離される。したがって、エミッタ及びコレクタ側は、少なくとも変換器の両端の開放電圧が両方の障壁高さより小さいときの限度内で、ほとんど別々に作動するとみなすのが妥当である。これは、別の注入障壁、ブロッキング層又はその両方とエミッタ障壁とを組み合わせる機会を与える。
Claims (36)
- n型導電性を有する固体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、電子放出のためのドナー濃度n*を有するn型領域を含むエミッタ領域と、
ドナー・ドーピングnを有する半導体ギャップ領域であって、前記エミッタ領域と電気的に及び熱的に連通しているギャップ領域と、
アクセプタ濃度p*を有し、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に挟まれているp型障壁層であって、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたp型障壁層と
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - 低温の熱交換表面と熱的に連通しているコレクタ領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、前記コレクタ領域と電気的に及び熱的に連通していることを特徴とする請求項2に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記エミッタ領域と電気的に連通している第1オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記コレクタ領域と電気的に連通している第2オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1及び第2オーミック接触は、熱を電気に変換するために外部負荷を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項5に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1及び第2オーミック接触は、電気を冷却に変換するために外部電源装置を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項5に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記エミッタ領域は、金属か又は高濃度にnドープされた異なる半導体材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、少なくとも1キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、少なくとも5キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、セグメント化され、半導体材料の第1層と、金属か又は異なる半導体材料の第2層を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記p型障壁層のp*ドーピング濃度は、pi>ni(m* p/m* n)であるときのギャップ領域のnドーピング濃度に関係し、ここで、m* pは正孔の有効質量であり、m* nは電子の有効質量であり、下付き文字iは所与の温度におけるキャリアのイオン化したフラクションを示すことを特徴とする請求項1に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記コレクタ領域は、熱電逆流成分を減少させるために、前記ギャップ領域に隣接するキャリア濃度p**を有する付加的な注入障壁層を含むことを特徴とする請求項2に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記コレクタ領域は、前記変換器の低温側でブロッキング層として働くアクセプタ濃度p*を有する付加的な補償層を含み、前記アクセプタ濃度は、前記ギャップ領域のドナー濃度と同じであることを特徴とする請求項2に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記コレクタ領域は2つのp型層を含み、一方の層は、前記変換器の低温側でブロッキング層として働くキャリア濃度p*を有し、他方の層は、付加的な注入障壁層として働くキャリア濃度p**を有し、熱電逆流成分を減少させるために前記ギャップ領域に隣接していることを特徴とする請求項2に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記付加的な注入障壁層のp**ドーピング濃度は、pi>ni(m* p/m* n)であるときのギャップ領域のnドーピング濃度に関係し、ここで、m* pは正孔の有効質量であり、m* nは電子の有効質量であり、下付き文字iは所与の温度におけるキャリアのイオン化したフラクションを示すことを特徴とする請求項13に記載の固体エネルギー変換器。
- n型導電性を有する固体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、電子放出のためのドナー濃度n*を有するn型領域を含むエミッタ領域と、
前記エミッタ領域に隣接するアクセプタ濃度p*を有するp型障壁層であって、電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたp型障壁層と、
セグメント化され、半導体材料の第1層と、ヒートフロー密度を減少させる金属か又は異なる半導体材料の第2層を含むギャップ領域と
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - 前記エミッタ領域と電気的に連通している第1オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域と電気的に連通している第2オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1層は、少なくとも1電子散乱長幅を有することを特徴とする請求項17に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1層は、少なくとも5電子散乱長幅を有することを特徴とする請求項17に記載の固体エネルギー変換器。
- n型導電性を有する固体エネルギー変換器であって、
高温の熱交換表面と熱的に連通しているエミッタ領域であって、正孔放出のためのアクセプタ濃度p*を有するp型領域を含むエミッタ領域と、
ドナー・ドーピングpを有する半導体ギャップ領域であって、前記エミッタ領域と電気的に及び熱的に連通しているギャップ領域と、
ドナー濃度n*を有し、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に挟まれているn型障壁層であって、前記エミッタ領域と前記ギャップ領域との間に電位障壁とフェルミ準位の不連続性とを与えるように構成されたn型障壁層と
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - 低温の熱交換表面と熱的に連通しているコレクタ領域をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、前記コレクタ領域と電気的に及び熱的に連通していることを特徴とする請求項23に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記エミッタ領域と電気的に連通している第1オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記コレクタ領域と電気的に連通している第2オーミック接触をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1及び第2オーミック接触は、熱を電気に変換するために外部負荷を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項26に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記第1及び第2オーミック接触は、電気を冷却に変換するために外部電源装置を通して電気回路を閉じることを特徴とする請求項26に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、少なくとも1キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項22に記載の固体エネルギー変換器。
- 前記ギャップ領域は、少なくとも5キャリア散乱長幅を有することを特徴とする請求項22に記載の固体エネルギー変換器。
- サーマル・ダイオード・スタックを含む固体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にn*/p/nの設計構造を有する第1ダイオードと、
n*層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第1ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - サーマル・ダイオード・スタックを含む固体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にn*/p/n/pcの設計構造を有する第1ダイオードと、
n*層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第1ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - サーマル・ダイオード・スタックを含む固体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にn*/p/n/piの設計構造を有する第1ダイオードと、
n*層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第1ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - サーマル・ダイオード・スタックを含む固体エネルギー変換器であって、
前記サーマル・ダイオード・スタックは、
前記変換器の高温側にn*/p/n/pi/pcの設計構造を有する第1ダイオードと、
n*層を有する前記変換器の低温側において終端する、前記第1ダイオードと同じ構造を有する複数のダイオードと
を含むことを特徴とする固体エネルギー変換器。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するための方法であって、
エミッタ領域とギャップ領域との間に配置されたp型障壁層を通して、高濃度にドープされたn*エミッタ領域からn型ギャップ領域にキャリアを注入するステップと、
対応するフェルミ準位の不連続性を許容するステップと、
エネルギーにより電子をソートするために電位障壁を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 熱エネルギーを電気エネルギーに変換し、又は電気エネルギーを冷却に変換するための方法であって、
エミッタ領域とギャップ領域との間に配置されたn型障壁層を通して、高濃度にドープされたp*エミッタ領域からp型ギャップ領域にキャリアを注入するステップと、
対応するフェルミ準位の不連続性を許容するステップと、
エネルギーにより電子をソートするために電位障壁を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US45451103P | 2003-03-13 | 2003-03-13 | |
US60/454,511 | 2003-03-13 | ||
PCT/US2004/007921 WO2004084272A2 (en) | 2003-03-13 | 2004-03-15 | Solid state energy converter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006521698A true JP2006521698A (ja) | 2006-09-21 |
JP2006521698A5 JP2006521698A5 (ja) | 2007-04-19 |
JP4939928B2 JP4939928B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=33029886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006507217A Expired - Fee Related JP4939928B2 (ja) | 2003-03-13 | 2004-03-15 | 半導体エネルギー変換器 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1611617B1 (ja) |
JP (1) | JP4939928B2 (ja) |
KR (1) | KR101003059B1 (ja) |
CN (1) | CN100539197C (ja) |
AU (1) | AU2004220800B2 (ja) |
CA (1) | CA2518177C (ja) |
IL (1) | IL170684A (ja) |
RU (1) | RU2336598C2 (ja) |
WO (1) | WO2004084272A2 (ja) |
ZA (1) | ZA200507090B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2004-03-15 CA CA2518177A patent/CA2518177C/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-15 CN CNB2004800076626A patent/CN100539197C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-15 EP EP20040757469 patent/EP1611617B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-15 AU AU2004220800A patent/AU2004220800B2/en not_active Ceased
- 2004-03-15 KR KR1020057017148A patent/KR101003059B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-15 RU RU2005131609/28A patent/RU2336598C2/ru active
- 2004-03-15 JP JP2006507217A patent/JP4939928B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-15 WO PCT/US2004/007921 patent/WO2004084272A2/en active Application Filing
-
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- 2005-09-05 ZA ZA200507090A patent/ZA200507090B/en unknown
- 2005-09-06 IL IL170684A patent/IL170684A/en not_active IP Right Cessation
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CN1768432A (zh) | 2006-05-03 |
EP1611617A2 (en) | 2006-01-04 |
KR20050116143A (ko) | 2005-12-09 |
ZA200507090B (en) | 2006-06-28 |
JP4939928B2 (ja) | 2012-05-30 |
WO2004084272A3 (en) | 2004-12-16 |
WO2004084272A2 (en) | 2004-09-30 |
CN100539197C (zh) | 2009-09-09 |
CA2518177A1 (en) | 2004-09-30 |
AU2004220800A1 (en) | 2004-09-30 |
KR101003059B1 (ko) | 2010-12-22 |
AU2004220800B2 (en) | 2009-06-11 |
RU2336598C2 (ru) | 2008-10-20 |
EP1611617A4 (en) | 2008-10-29 |
EP1611617B1 (en) | 2015-05-06 |
RU2005131609A (ru) | 2006-02-20 |
IL170684A (en) | 2011-01-31 |
CA2518177C (en) | 2016-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20070227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100405 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100412 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100506 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100513 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100604 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100705 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110713 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110811 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110927 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111004 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111028 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4939928 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |