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  1. アノードと、
    カソードと、
    液体要素をアノードに接近させ、アノードを冷却するよう構成されたヒートパイプとを備えた高密度プラズマ焦点放射線源であって、
    該高密度プラズマ焦点放射線源がプラズマ放電を生じさせるようになっている放電回路を備え、該放射線源が、アノードとカソードとの間の放電チャンバ内でリチウム蒸気を使用し、13.5nm近くの電磁波長で極短紫外(EUV)放射線を発生するようになっている高密度プラズマ焦点放射線源。
  2. 前記液体要素がリチウムと、ナトリウムと、リンから成る群から選択されたものである請求項1記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  3. 前記液体要素がリチウムであり、前記リチウムが高密度プラズマ焦点放射線源によって蒸気の形態で使用され、EUV放射線を発生する請求項1記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  4. 前記ヒートパイプが該ヒートパイプの低温領域から毛細管作用によりヒートパイプの蒸発領域に液体要素を移動させるウィックを含む請求項1に記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  5. 前記ヒートパイプが該ヒートパイプの蒸発領域内に毛細孔を含み、液体要素を前記放電チャンバ内に蒸発できるようになっている請求項4記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  6. 前記カソードが前記アノードと同心状に配置されており、更に前記アノードを中心に少なくとも部分的に配置された第1電気絶縁体と、
    前記カソードを中心として少なくとも部分的に配置された第2電気前記とを備えた請求項1に記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  7. 前記第1絶縁体が窒化アルミニウムを含む請求項6記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  8. 前記第2絶縁体が石英を含む請求項6記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  9. 前記第1電気絶縁体と前記第2電気絶縁体との間に配置され、前記第1電気絶縁体と前記第2電気絶縁体との間をリンクする中間電気絶縁体を更に含む、請求項6記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  10. 前記中間電気絶縁体が真空を含む請求項9記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  11. 前記第1電気絶縁体と前記第2電気絶縁体の各々が、それぞれの終端表面を備え、該終端表面が表面上トラッキングを防止するような形状となっている、請求項6記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  12. 前記液体要素が蒸発する蒸発部分と、前記蒸気が前記液体要素に凝縮される凝縮領域とを前記ヒートパイプが含む、請求項1記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  13. 前記アノード内に配置された、リチウムで含浸された多孔性電極と、前記リチウム含浸多孔性アノードからリチウムを駆動し、リチウム蒸気を前記放電チャンバに移動するようになっている無線周波数(RF)放電回路とを更に備えた、請求項1記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  14. 前記RF放電回路が前記アノードおよびリチウム含浸多孔性電極にRF電圧を印加し、リチウムが前記リチウム含浸多孔性電極から蒸発する温度まで前記リチウム含浸多孔性電極を加熱し、よって前記リチウム含浸多孔性電極からリチウムを駆動するようになっている、請求項13記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  15. 前記リチウム含浸多孔性電極のまわりに配置された貴ガスイオンを更に備え、前記RF放電回路が前記アノードおよび前記リチウム含浸多孔性電極にRF電圧を印加し、前記リチウム含浸多孔性電極の近くに正に帯電したシースを形成するようになっており、前記正に帯電したシースが前記リチウム含浸多孔性電極に向けて前記貴ガスイオンを加速し、イオン抽出により前記リチウム含浸多孔性電極からリチウムを抽出するようになっている、請求項13記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  16. 前記高密度プラズマ焦点放射線源によって発生されるEUV放射線の少なくとも一部を受けるようになっている、前記アノードおよび前記カソードの上に配置された光学素子と、
    前記光学素子と前記アノードとの間に配置された光学的に透過性のバリアとを更に備えた、請求項1に記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  17. 前記光学的に透過性のバリアが前記アノードのプラズマピンチ焦点から放射線を透過するように実質的に整合した一連の開チャンネルを構成する耐火性金属要素の少なくとも1つのウェブを含む、請求項16記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  18. 前記耐火性金属要素がタングステンを含む、請求項17記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  19. 前記光学的に透過性のバリアが耐火性金属要素の第1ウェブと、耐火性金属要素の第2ウェブとを備え、前記第2ウェブが前記第1ウェブよりも上方に配置されており、前記第1および第2ウェブの各耐火性金属要素が前記プラズマピンチ焦点領域の長手方向軸線に実質的に整合している、請求項17記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  20. 前記光学的に透過性のバリアが、
    第1速度および前記アノードよりも高い第1温度で流れ、リチウム蒸気を含む第1ガスストリームと、
    第2速度および前記アノードよりも高い第2温度で流れ、貴ガスを含む第2ガスストリームとを備え、前記第1温度および速度と前記第2温度および速度とが実質的に同一である、請求項16記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  21. 前記第1ガスストリームと前記第2ガスストリームとが、これら第1ガスストリームと第2ガスストリームとの間に配置された拡散層を有するガスカーテンを含む、請求項20記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  22. 前記拡散層のかなりの部分を捕捉するように位置決めされ、サイズとされた第1回収ダクトを更に含む、請求項21記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  23. 前記第1ガスストリームの少なくとも一部を捕捉するように位置決めされ、サイズとされた第2回収ダクトを更に含む、請求項22記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  24. 前記第2回収ダクトにより前記第1ガスストリームから捕捉された前記リチウム蒸気の少なくとも一部を再使用し、前記第1ガスストリームを発生する、請求項23記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  25. 前記光学的に透過性のバリアが前記アノードよりも上に位置する軸対称の流れパターンを含むガスカーテンを備え、前記軸対称の流れパターンがアノードおよびリチウム蒸気を含むガスカーテンの長手方向軸線を中心に対称的となっている、請求項24記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  26. 前記放電チャンバのベースに位置する加熱機構を更に備え、前記加熱機構が前記ガスカーテンのリチウム蒸気の上方への流れを駆動するようになっており、前記加熱機構の強度が前記放電チャンバのベースにおける温度をほぼ一定に維持するように、前記放電チャンバが加熱されるにつれて前記加熱機構の強度が減少するようになっている、請求項25記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  27. 前記放電チャンバ内に位置する前記アノードの少なくとも一部をカバーする液体リチウムの層を更に含む、請求項26記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
  28. 前記放電チャンバ内に位置する前記カソードの少なくとも一部をカバーする液体リチウムの層を更に含む、請求項27記載の高密度プラズマ焦点放射線源。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7856044B2 (en) 1999-05-10 2010-12-21 Cymer, Inc. Extendable electrode for gas discharge laser
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7233009B2 (en) * 2002-08-27 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use therein
US6770895B2 (en) * 2002-11-21 2004-08-03 Asml Holding N.V. Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool
CN1717582A (zh) * 2002-11-28 2006-01-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学检验系统以及其中使用的辐射光源
DE10325151B4 (de) * 2003-05-30 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas
US7446329B2 (en) * 2003-08-07 2008-11-04 Intel Corporation Erosion resistance of EUV source electrodes
US6844591B1 (en) * 2003-09-17 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Method of forming DRAM access transistors
JP4535732B2 (ja) * 2004-01-07 2010-09-01 株式会社小松製作所 光源装置及びそれを用いた露光装置
US8173975B2 (en) * 2004-03-31 2012-05-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation
US7109504B2 (en) * 2004-06-30 2006-09-19 Intel Corporation Extreme ultraviolet illumination source
US7208746B2 (en) * 2004-07-14 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
DE102004042501A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-16 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung eines reproduzierbaren Targetstromes für die energiestrahlinduzierte Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US7679027B2 (en) * 2005-03-17 2010-03-16 Far-Tech, Inc. Soft x-ray laser based on z-pinch compression of rotating plasma
DE102005015274B4 (de) * 2005-03-31 2012-02-23 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung
DE102005025624B4 (de) * 2005-06-01 2010-03-18 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas
CN101199240A (zh) * 2005-06-14 2008-06-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 保护用于产生euv辐射和/或软x射线的辐射源对抗短路的方法
US7372059B2 (en) * 2005-10-17 2008-05-13 The University Of Washington Plasma-based EUV light source
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
DE102005055686B3 (de) * 2005-11-18 2007-05-31 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas sowie Verfahren zur Herstellung von kühlmitteldurchströmten Elektrodengehäusen
US7482607B2 (en) * 2006-02-28 2009-01-27 Lawrenceville Plasma Physics, Inc. Method and apparatus for producing x-rays, ion beams and nuclear fusion energy
DE602007010765D1 (de) * 2006-05-16 2011-01-05 Philips Intellectual Property Verfahren zur erhöhung der umwandlungseffizienz einer euv- und/oder weichen röntgenstrahlenlampe und entsprechendes gerät
US20080239262A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asml Netherlands B.V. Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US7872244B2 (en) * 2007-08-08 2011-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
JP5339742B2 (ja) * 2008-03-04 2013-11-13 ウシオ電機株式会社 極端紫外光が出射する装置と極端紫外光が導入される装置との接続装置
US8519366B2 (en) * 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
TWI400739B (zh) * 2008-11-19 2013-07-01 Ind Tech Res Inst 陰極放電裝置
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
EP2550564B1 (en) * 2010-03-25 2015-03-04 ETH Zurich A beam line for a source of extreme ultraviolet (euv) radiation
US8746975B2 (en) 2011-02-17 2014-06-10 Media Lario S.R.L. Thermal management systems, assemblies and methods for grazing incidence collectors for EUV lithography
US8731139B2 (en) 2011-05-04 2014-05-20 Media Lario S.R.L. Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography
CN102361528B (zh) * 2011-09-29 2012-11-28 西安交通大学 一种高密闭性的毛细管放电等离子体发生器
CN102387654A (zh) * 2011-10-29 2012-03-21 大连理工大学 大气压微尺度低温等离子体射流发生装置
KR101352496B1 (ko) * 2012-04-26 2014-01-24 한국표준과학연구원 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법
JPWO2016117118A1 (ja) * 2015-01-23 2017-10-26 国立大学法人九州大学 Euv光生成システム及びeuv光生成方法、並びにトムソン散乱計測システム
KR101850895B1 (ko) * 2017-01-03 2018-04-20 한국표준과학연구원 플라즈마 발생 장치
DE102018114295A1 (de) 2018-06-14 2019-12-19 Paul Höss Kg Vorrichtung zum Erzeugen einer Filamentierten Hilfsentladung für eine Vorrichtung zum Erzeugen von Röntgenstrahlung und Partikelstrahlung sowie für einen Fusionsreaktor mit der Vorrichtung zum Erzeugen von Röntgenstrahlung und Partikelstrahlung und Verfahren zum Erzeugen von Röntgenstrahlung und Partikelstrahlung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34806A (en) * 1862-03-25 Bern l
USRE34806E (en) * 1980-11-25 1994-12-13 Celestech, Inc. Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US5963616A (en) * 1997-03-11 1999-10-05 University Of Central Florida Configurations, materials and wavelengths for EUV lithium plasma discharge lamps
US6300720B1 (en) 1997-04-28 2001-10-09 Daniel Birx Plasma gun and methods for the use thereof
US6064072A (en) * 1997-05-12 2000-05-16 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6566668B2 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US6452199B1 (en) * 1997-05-12 2002-09-17 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source with blast shield
US5763930A (en) * 1997-05-12 1998-06-09 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6566667B1 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US6586757B2 (en) * 1997-05-12 2003-07-01 Cymer, Inc. Plasma focus light source with active and buffer gas control
US6031598A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 Euv Llc Extreme ultraviolet lithography machine
US6307913B1 (en) * 1998-10-27 2001-10-23 Jmar Research, Inc. Shaped source of soft x-ray, extreme ultraviolet and ultraviolet radiation
TWI246872B (en) * 1999-12-17 2006-01-01 Asml Netherlands Bv Radiation source for use in lithographic projection apparatus
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US6714624B2 (en) * 2001-09-18 2004-03-30 Euv Llc Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles
SG129259A1 (en) * 2002-10-03 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method

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