JP2006502538A - 自己整合されたゲート電極構造を有する電界放出デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、電界放出デバイスとその製造方法に関する。電界放出デバイスは、電子通過アパチャのパターンを備えたゲート電極(140、340、440)を有する。ゲート電極(140、340、440)は基板(125、325、425)において分布された粒子(110、310、410)の近くに配置され、前記粒子(110、310、410)の少なくとも一部は電子を放出するために配置される。ゲート電極(140,340、440)により、放出粒子が電子を放出することを用いて、電界が適用される。特に良好な電子放出は、アパチャ(135、335、435)のパターンが基板にのける粒子(110、310、410)の分布に類似しているために得られる。これはその製造方法により達成され、その方法において、粒子(110、310、410)はフォト層(150、352)の領域(155、355)をマスキングするために照射段階で用いられる。このようにして、パターンはフォト層において得られ、そのフォト層は、比較的容易にゲート電極(140、340、440)における類似するパターンを得るために用いられることができる。
Description
本発明は、電界放出型デバイスを製造する方法に関する
本発明は、電界放出型デバイスであって:
− 基板における粒子の分布であって、少なくとも該粒子の一部が電子を放出するために
配列されている、粒子の分布;及び
− 前記粒子の近くのゲート電極であって、放出された電子を通過させるためにアパチャのパターンを備えている、ゲート電極;
を有する、電界放出型デバイスに更に関する。
本発明は、電界放出型デバイスであって:
− 基板における粒子の分布であって、少なくとも該粒子の一部が電子を放出するために
配列されている、粒子の分布;及び
− 前記粒子の近くのゲート電極であって、放出された電子を通過させるためにアパチャのパターンを備えている、ゲート電極;
を有する、電界放出型デバイスに更に関する。
電界放出デバイスは、フラットパネルディスプレイ、即ち、電界放出ディスプレイ(FED)のための電子源として用いられることが可能である。FEDは、真空電子デバイスであり、例えば、低製造コスト、良好なコントラスト及び視野角並びにバックライトが必要ないこと等の、陰極線管(CRT:Cathode Ray Tube)との共通の特徴を多く共有している。
電界放出は、加えられる電界の結果として、適切なエミッタの外側表面におけるポテンシャルバリアを電子がトンネリングする量子力学的現象である。電界の存在は、前記外側表面におけるポテンシャルバリアの幅を有限にし、それ故、このポテンシャルバリアは電子に対して透過性である。それ故、電子は電界エミッタから放出されることが可能である。
基板は、一般に、陰極を構成する導電層を備え、その陰極の上部には、複数の電界エミッタが備えられている。電界エミッタは、基板における量子の分布により規定されることができる。
例えば、適切な電界エミッタは、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、米国特許代6,097,139号明細書に記載されているようなグラファイト粒子エミッタインク、又は、六ホウ化ランタン(LaB6)又は六ホウ化イットリウム(YB6)のような化合物を有する。
ゲート電極は、必要とされる電界を加えるために、エミッタの近くに存在している。このために、陰極とゲート電極との間に電圧差が適用され、そのゲート電極は、真空により、好適には、絶縁層により陰極から分離される。電界により、陰極とゲート電極との間の粒子は活性化され、電子を放出する。
デバイスからの電子放出を確実にするために、ゲート電極は、不出された電子を通過させるための複数の(サブ)ミクロンアパチャを備えている。米国特許第6,097,139号明細書に記載されているような電界放出デバイスにおいては、ゲート電極構造におけるアパチャは、高価で最先端のリソグラフィ技術を用いて形成される。
しかしながら、既知のゲート電極構造を適用するとき、大量の電子を放出する粒子数は比較的少なく、それ故、デバイスからの電子放出は不十分である。
それ故、十分多い電子放出を有する電界放出デバイスを構成することは問題点である。
本発明の目的は、改善された電子放出を有する電界放出デバイスを製造する方法を提供することである。
この目的は、独立請求項1に記載の本発明に従った電界放出デバイスを製造する方法により達成される。
本発明は、一般に、基板に堆積された粒子を遮光マスクとして用いることが可能であるという認識に基づいている。それ故、そのデバイスの製造は、照射段階を有し、それにより、光は基板側からデバイスに入射する。基板は透明であるため、光は基板を通過し、本発明の概念における“透明”は、製造方法の照射段階の間に用いられる光に対して透明であることを意味する。
従って、光は、粒子が備えられていないデバイスの一部を妨害されずに通過する。しかしながら、粒子の位置においては、入射光は遮断され、それ故、フォト(photo)層の領域は粒子の影の状態であり、照射されない。それ故、フォト層はマスキングされる。
結果的に、フォト層は、続くエッチング段階により、遮光領域(ポジティブフォト層)において又は遮光領域の外側(ネガティブフォト層)において取り外し可能である。それ故、エッチングされたフォト層は、基板における粒子の分布に適合するパターンを示し、続く段階において、同様のパターンにおいてアパチャを通過する電子を供給されるゲート電極は比較的容易に形成される。
従来の製造方法においては、粒子の分布は、一般に、無秩序であり、ランダムでさえあるため、粒子に対してうまくゲート構造におけるアパチャを位置付けることは困難である。本発明により、ゲート電極のアパチャが無秩序に分布している粒子と自動的に位置合わせされる、ゲート電極が得られる。
このようなゲート電極により、操作において、比較的大きい電界が、活性粒子の表面の外側全体に亘って加えられる。それ故、活性粒子は比較的多くの数の電子を放出し、それ故、本発明に従ったデバイスによる電子放出は著しく増加する。
更に、本発明に従った製造方法は、ゲート電極におけるサブ(ミクロン)アパチャを形成するために従来のリソグラフィに依存しない。これは、このスケールにおいて従来のリソグラフィが厄介であり且つ比較的高価であるため、有利点である。
第1の好適な実施形態においては、フォト層はポジティブフォトレジストを有する。デート電極は導電層から構成され、そのポジティブフォト層は前記導電層の上に堆積され、エッチング段階は、前記ポジティブフォト層の遮光領域を取り除く手順と、取り除かれた遮光領域に隣接する導電層に複数のアパチャを形成する手順とを有する。
フォト層のエッチングは導電層に対して継続される。それ故、アパチャは導電層において備えられており、その導電層は、フォト層の遮光領域と、それ故、粒子と自動的に位置合わせされる。形成されたゲート電極は、エミッタの粒子の分布に特にうまく適合する自己整合アパチャのパターンを有する。このようにして製造される電界放出デバイスは、著しく効率的に動作し、比較的多い電子放出を有する。
好適には、上記の方法は、所定時間の間、導電層を加熱する段階を有する。
一般に、この加熱段階は、その導電層が堆積された後に行われる。導電層の加熱は、ゲート構造におけるアパチャのサイズに対して制御の改善を可能にする。過熱を施さない場合又は加熱時間が比較的短い場合、エッチングは、粒子に比べて大きい、導電層に形成されるアパチャをもたらす。このことは、短絡回路に比較して優位性があり、放出特性を制御するために用いられることができる。
しかしながら、基板表面における粒子密度が比較的高い場合、粒子と類似するサイズを有するゲート電極におけるアパチャを有することは更に優位性がある。又、隣接するエミッタ粒子に対応するアパチャは重なり合い、取り除かれる導電層の部分が多過ぎると、放出特性の劣化がもたらされる。このような状況下では、比較的長い時間の間、導電層を加熱することが好ましく、それにより、より小さいアパチャが形成されるようになる。必要に応じて、アパチャサイズは、エミッタ粒子のサイズと実質的に等しくすることができる。
本方法の第2の好適に実施形態においては、フォト層はネガティブフォトレジストを有する。第2の好適な実施形態は、絶縁層は粒子の少なくとも一部のカバーを提供し、ネガティブフォト層は該絶縁層の上に堆積されることを特徴とし、それにより、エッチング段階は、前記絶縁層の一部を露光して遮光領域の外側の前記ネガティブフォト層の一部を除去する手順と、前記絶縁層の前記露光された一部に電極材料を堆積することによりゲート電極構造を形成する手順とを更に有する。
そのような絶縁層は最新技術から周知であり、その機能は陰極とゲート電極との間の電界をエンハンスすることであり、これにより、デバイスの電子放出特性が改善される。
ネガティブフォト層の遮光領域は、ゲート電極が形成されるまで、デバイスにそのまま残され、次いで、例えば、従来の洗浄方法により容易に除去可能である。
第2実施形態においては、導電材料は、もはや、照射段階で用いられる光に透明である必要がないため、ゲート電極を構成する材料を選択する自由度がより拡大ことを優位性とする。これは、例えば、アルミニウムのゲート電極を用いることにより可能である。
本発明の更なる目的は、改善された電子放出を有する電界放出デバイスを提供することである。この更なる目的は、独立請求項5に記載されている、本発明に従った電界放出デバイスにより達成され、それ故、ゲート電極におけるアパチャのパターンが基板における粒子の分布に類似している点で特徴付けられている。
そのような電界放出デバイスは、上記のような製造方法を用いて、得られる。この方法により、ゲート電極のアパチャはエミッタ粒子と自己整合され、良好な電子放出が得られる。
ゲート電極のアパチャが無秩序パターンにおいて配列されている電界放出デバイスについては、欧州特許第0700065号明細書に記載されている。この特許文献においては、アパチャはマスキング粒子により形成される。マスキング粒子の位置においては。導電層は堆積されていない。しかしながら、そのデバイスにおいては、マスキング粒子はエミッタ粒子に比べて大きく、それ故、又、形成されたゲート電極アパチャはエミッタ粒子に比べて大きい。更に、ゲートアパチャのパターンは、基板におけるエミッタ粒子の分布に類似していない。それ故、そのデバイスにおけるゲート電極は効率が低く、電子放出は本発明に従った電界放出デバイスより悪い。
好適には、絶縁層は、基板とゲート電極との間に備えられ、前記絶縁層は少なくとも一部の粒子を覆っている。
好適には、絶縁層は、粒子の位置において略凹部を形成する。このような配列は、デバイスにおいて、放出される電子の多くは絶縁層を通過する代わりに真空中に移動し、それ故、電子は電界放出デバイスからより容易に放出されるという有利点を有している。更に好適には、比較的薄い絶縁層が基板における粒子を覆って残っており、前記の薄い層は、例えば、30乃至50nmである。
絶縁層の凹部形成は、ゲート電極において形成されてアパチャに隣接する絶縁層の少なくとも一部を除去するためにエッチング段階を継続することにより、第1実施形態において行われることが可能である。第2実施形態においては、デート電極を形成した後、この
絶縁層の凹部形成は、続く第2のエッチング段階のためのマスクとして用いられることが可能であり、ゲート電極におけるアパチャに隣接する絶縁層が除去される。
絶縁層の凹部形成は、続く第2のエッチング段階のためのマスクとして用いられることが可能であり、ゲート電極におけるアパチャに隣接する絶縁層が除去される。
好適には、基板は透明であり、透明な陰極を有する。陰極に対する好適で適切な材料は、それ故、ITO(Indium Tin Oxide)である。同様な材料を、第1の製造方法の実施形態においてゲート電極を形成するための導電層として用いることが可能である。
基板において分布している粒子は、電子の電界放出を示すいずれの種類の十分大きい粒子を有することが可能であるが、好適には、それらの粒子はグラファイトベースの電界エミッタ又はカーボンナノチューブから構成される。
特に、カーボンナノチューブは、例えば、米国特許第6,239,547号明細書において記載されているような、電界放出デバイスのためのエミッタとして用いられる。しかしながら、そのカーボンナノチューブは、その直径が照射中に用いられる光の波長より約2桁程度小さいため、本発明にはそれを用いることができない。それ故、個別のカーボンナノチューブ自体はマスクを形成することができない。
しかしながら、全体として、入射光を遮断するために十分に大きいクラスタ状のカーボンナノチューブを堆積することは可能であり、又は、より好適には、カーボンナノチューブは触媒成長プロセスにより堆積される。それ故、コバルト(Co)又はニッケル(Ni)のような第1前駆粒子が基板において分布され、その後、上記のようにデバイスが形成される。これらの前記粒子は、照射中、マスキング粒子として機能する。ゲート構造を形成した後、カーボンナノチューブは前記粒子から成長する。
本発明の上記の及び他の特徴は、添付図を参照することにより明らかになり、理解することができるであろう。
本発明に従った製造方法の第1実施形態について、図1A乃至1Eに示す。その方法を用いることにより、自己整合されたゲート電極構造を有する電界放出デバイス100が得られる。ゲート電極構造140と絶縁層130におけるアパチャ135はエミッタ粒子110と類似するサイズに形成され、前記粒子と特に良好に位置合わせされる。
第1段階(図1A)においては、例えば、ガラスから成る透明基板125は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)の層を堆積することにより、透明な陰極120を備える。陰極120の上に及びそれと電気的接触状態にあるように、電気泳動堆積プロセスを用いて、粒子110が分布される。堆積された粒子110は、一般に、無秩序分布を示す。この実施形態においては、粒子110は、例えば、4μmの平均直径をもつグラファイトベースのエミッタ粒子である。この種の粒子については、上記の米国特許第6,097,139号明細書に記載されている。
更なる段階において、例えば、SiO2を有する絶縁層130が粒子110上に堆積される(図1B)。ここで、絶縁層130の厚さは、その層が各々のエミッタ粒子110を実質的に覆うようになっている。絶縁層はデバイスの電子放出特性を改善する。続く段階においては、導電層140が絶縁層上に堆積され、例えば、250℃において所定時間の間、任意に加熱される。導電層140は、ポジティブフォトレジストを有するフォト層150により実質的に覆われる(図1C)。
次に、試料は光160、例えば、UV光により照射される(図1D)。粒子110は入射光に対してマスクを構成し、それ故、ポジティブフォトレジスト層の領域155は粒子110の影になっている。
照射段階の後、エッチング段階(図1E)が実行され、試料はフォト層150の側面からエッチングされる。それ故、フォト層15の遮光領域155とその遮光層の下の導電層の一部は除去される。これにより、導電層140は、エミッタ粒子110のランダムな分布と自己整合されるアパチャ135のパターンを備えている。
エッチング段階は、ここで、終了されることが可能であり、又は、好適には、同様に、アパチャ135に隣接する絶縁層130の部分を除去するために継続される。最も好適には、エッチング段階は、絶縁材料の薄い層が粒子110上に残っているときに終了され、前記薄い層は、例えば、30乃至50nmである。
代替として、粒子110の位置における絶縁層は完全に除去される。
良好な結果を与える製造方法に対しては、全ての層は、照射段階の間に用いられる光160に対して十分高い透過率を有する必要がある。
好適には、照射はUV光を用いて行われる。この場合、基板125は、陰極120を構成するITO(Indium Tin Oxide)でコーティングされており、ゲート電極を構成する導電層140は、同様に、ITOであることが可能であり、絶縁層130は、例えば、ガラス状のSiO2層である。
この方法により形成されたデバイスの平面図を図2Aに示す。
ゲート電極240はアパチャ235のパターンを備え、そのアパチャは、エミッタ粒子210を特に良好に位置合わせされている。アパチャ235において、絶縁層230が残っている部分は可視的である。一般に、エミッタ粒子210は、尚も絶縁材料で覆われており、従って、それらは可視的ではないが、ここでは、それらの位置は明確化のために示されている。ゲート電極240を構成する導電層は加熱されず、それ故、導電層においてエッチングされたアパチャの直径はエミッタ粒子210の直径より大きい。
しかしながら、それらの粒子210の密度が比較的大きいとき、導電層の加熱段階が必要とされる。そうでないと、アパチャは共に重なり合い、クラスタ化する。この場合、1つの大きいアパチャ236が形成された図2Bに示すように、導電層240のエッチングされる部分は大きくなり過ぎる。それ故、各々の粒子210に十分強い電界が加えられることは可能ではなく、それ故、一部の粒子21は放出の低減を示し、又は全く放出しなくなる。これにより、電界放出デバイスからの電子放出は比較的小さくなる。
同様に、このような効果は、比較的大きい直径であって、例えば、10μm又はそれ以上の直径を有するエミッタ粒子を用いるときに生じる。
導電層240を加熱することにより、好適には、堆積段階の直後に、エッチング段階により形成されたアパチャのサイズを減少させることが可能である。例えば、導電層は、250℃において1時間加熱される。このとき、図2Cに示すようなデバイスが形成される。各々の粒子210自体がアパチャ235を有し、この場合、アパチャは粒子の直径と同様な又は僅かに大きいサイズを有する。
本方法の第2実施形態について、図3A乃至3Fに示す。
第2実施形態は絶縁層330を提供する段階までの第1段階と同一である。
このステージ(図3A)においては、更なる段階(図3B)で、ネガティブフォトレジストを有するフォト層352は、絶縁層330の上に直接堆積される。
続く段階(図3C)において、このようにして得られたサンプルは、光であって、好適には、UV光で照射される。エミッタ粒子310は入射光に対するマスクを構成し、それ故、フォト層352の領域355は粒子310の影になっている。
照射段階の後、エッチング段階が実施され(図3D),サンプルはフォト層352の側面からエッチングされ、マスキングされた領域355に隣接する領域356は除去される。エッチング段階は、領域356の位置における絶縁層330が露出されるまで継続される。ゲート電極を形成するために適切な導電材料342、例えば、アルミニウムは、ここでは、サンプルの上に堆積される。
この堆積段階の後、その上に堆積された導電材料を有するネガティブフォト層のマスキングされた領域355は除去される。これにより、図3Eに示しているように、粒子310と自己整合された、アパチャ355を有するゲート電極340が得られる。
必要に応じて、ゲート電極340は、図3Fに示す、続くエッチング段階のためのマスクとして用いられることが可能であり、これにより、アパチャ335の一の絶縁層330の少なくとも一部が除去される。好適には、このエッチング段階は、絶縁材料の薄い層であって、例えば30乃至50μmが粒子310上に残っているときまで継続される。代替として、このエッチング段階は、粒子310が少なくとも一部が露出されるまで継続される。
電界放出デバイスの更なる実施形態について、図4に示す。この実施形態は、エミッタ粒子の選択における第1の実施形態とは異なる。ここでは、粒子は前駆粒子410から構成され、その前駆粒子の上にカーボンナノチューブ415が触媒成長される。前記粒子410は、例えば、コバルト(Co)又はニッケル(Ni)である。
カーボンナノチューブは、その長さと直径との間の比が大きい値(典型的には、100又はそれ以上)であるため、特に良好な電界エミッタである。個々のカーボンナノチューブ415の直径は、一般に、数nmであり、適用されるUV光の波長より著しく小さい。それ故、この実施形態においては、先ず、前記粒子410が堆積され、その前記粒子は、続いて、照射段階中、マスクとしての役割を果たす。ゲート電極440を形成した後、カーボンナノチューブ415は前記粒子415から成長される。
代替として、カーボンナノチューブは、製造の開始において備えられ、これにより、カーボンナノチューブは、クラスタ状に備えられる。各々のクラスタのサイズは、全体としてのクラスタが照射段階中に入射光を遮断するように選択される必要がある。
図5に示すような電界放出ディスプレイにおいては、真空外囲器は、本発明に従った電界放出デバイス500を有する。電界放出デバイスは、蛍光体トラック555を備えているディスプレイスクリーン550に対向している。ディスプレイスクリーン550はピクチャ要素552を有する。電界放出デバイス500は、蛍光体トラック555に入社する電子を生成するための電子源として用いられ、これにより、ピクチャ要素552を照射する。
ディスプレイスクリーン550の各々のピクチャ要素(画素)552は個別にアドレス指定可能であり、それ故、カーボンナノチューブ及びゲート電極はマトリクス構造を規定する。画素552の各々の行554に対しては、行陰極520a、520b及び520cが備えられ、画素552の各々の列556に対しては、列ゲート電極540a、540b及び540cが備えられている。
行陰極520a、520b及び520cの上には、エミッタ粒子(この図においては図示せず)はランダム分布の状態で堆積されている。列ゲート電極540a、540b及び540cはアパチャ535のパターンを備えており、該パターンはエミッタ粒子のランダム分布に適応している。絶縁層530は陰極とゲート電極とを分離している。
画素552は、その画素に対応する行陰極520a、520b及び520cの行電圧Vrow1、Vrow2及びVrow3におけるスイッチングと、その画素に対応する列ゲート電極540a、540b及び540cの列電圧Vcol1、Vcol2及びVcol3における同時のスイッチングとによりアドレス指定される。それ故、選択された陰極とゲート電極の交差する部分における領域のエミッタ粒子のみが電子を放出し、その放出された電子は該領域のアパチャ535を通過し、ディスプレイスクリーン550に達する。
例として、行電圧Vrow1と列電圧Vcol3がオンにされたとき、電子は参照番号536により示されているアパチャのパターンから放出され、選択された画素558においてディスプレイスクリーン550に達する。これにより、その選択されたピクチャ要素558における蛍光体トラック555は照射され、その選択されたピクチャ要素はビューアに対して可視的になる。
図5は模式的であり、スケーリングして描かれていない。本発明については、好適な実施形態に関連して説明したが、本発明はそれらの好適な実施形態に限定されるように意図されたものではないことが理解される必要がある。そうではなく、本発明は、同時提出の特許請求の範囲における範囲内で、当業者により実行される全ての変形を含むものである。
要約すると、本発明は、電界放出デバイス及びその製造方法に関する。電界放出デバイスは、電子が通過するアパチャのパターンを備えているゲート電極を有する。ゲート電極は基板において分布されている粒子の近くに配置され、該粒子の少なくとも一部は電子を放出するために配置されている。ゲート電極により、放出粒子が電子を放出することを用いて、電界が加えられる。特に良好な電子放出は、アパチャのパターンが基板における粒子の分布に類似しているために得られる。これは製造方法により達成され、その製造方法において、粒子は、フォト層の領域をマスキングするために照射段階において用いられる。従って、パターンはフォト層において得られ、そのフォト層は、比較的容易にゲート電極において類似したパターンを得るために用いられることができる。
Claims (13)
- 電界放出デバイスを製造する方法であって:
透明基板において粒子を分布させる段階であって、該粒子の少なくとも一部が電子を放出するために配置されている、段階;
フォト層を堆積する段階;
基板側から前記電界放出デバイスを照射する段階であって、前記粒子は前記フォト層の領域に陰をつくる、段階;
前記の陰をつくられたフォト層をエッチングする段階;及び
前記粒子の近くに、電子を通過させるためのアパチャのパターンを備えたゲート電極を形成する段階;
を有することを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、導電層を備える段階であって、前記フォト層はポジティブフォトレジストを有し、前記導電層の上に堆積される、段階を更に有し、前記エッチング段階は:
前記フォト層の陰をつくられた領域を取り除く手順;及び
前記ゲート電極を形成するために、前記の取り除かれた陰をつくられた領域に隣接した導電層におけるアパチャのパターンを形成する手順;
を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法であって、所定時間中、導電層を加熱する段階から更に構成される、ことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記粒子を少なくとも一部覆う絶縁層を備える段階を更に有し、これにより、前記フォト層はネガティブフォトレジストを有し、前記絶縁層の上に堆積され、前記エッチング段階は:
前記絶縁層の一部を露出する、陰をつくられた領域の外側の前記ネガティブフォト層の一部を取り除く手順;
ゲート電極を形成するために、前記絶縁層の前記露出された部分に電極材料を堆積させる手順;
を更に有する、ことを特徴とする方法。 - 基板における粒子の分布であって、前記粒子の少なくとも一部は電子を放出するために配置されている、粒子の分布;及び
前記粒子の近くのゲート電極であって、放出された電子を通過させるためのアパチャのパターンを備えている、ゲート電極;
を有することを特徴とする電界放出デバイス。 - 請求項5に記載の電界放出デバイスであって、絶縁層は前記基板と前記ゲート電極との間に備えられ、前記絶縁層は前記粒子の少なくとも一部を覆っている、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項6に記載の電界放出デバイスであって、前記絶縁層は、実質的に前記粒子の位置に窪みをつくる、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項5に記載の電界放出デバイスであって、前記基板は透明であり、透明な陰極を有する、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項7に記載の電界放出デバイスであって、前記陰極はITOを有する、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項5に記載の電界放出デバイスであって、前記粒子はグラファイトベースの電界エミッタを有する、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項5に記載の電界放出デバイスであって、前記粒子はカーボンナノチューブを有する、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項11に記載の電界放出デバイスであって、前記粒子は前駆粒子を更に有し、その前駆粒子から前記カーボンナノチューブが触媒成長される、ことを特徴とする電界放出デバイス。
- 請求項5乃至12のいずれ一項に記載の電界放出デバイスを有する、ことを特徴とするディスプレイデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02079152 | 2002-10-07 | ||
PCT/IB2003/004028 WO2004032171A1 (en) | 2002-10-07 | 2003-09-12 | Field emission device with self-aligned gate electrode structure, and method of manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006502538A true JP2006502538A (ja) | 2006-01-19 |
Family
ID=32050065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004541037A Pending JP2006502538A (ja) | 2002-10-07 | 2003-09-12 | 自己整合されたゲート電極構造を有する電界放出デバイス及びその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070141736A1 (ja) |
EP (1) | EP1552542A1 (ja) |
JP (1) | JP2006502538A (ja) |
KR (1) | KR20050059239A (ja) |
CN (1) | CN1689129A (ja) |
AU (1) | AU2003259517A1 (ja) |
TW (1) | TW200419617A (ja) |
WO (1) | WO2004032171A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016498A (ja) * | 2006-04-05 | 2013-01-24 | Industry Academic Cooperation Foundation Of Kyunghee University | 電子放出源の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2874910A1 (fr) * | 2004-09-09 | 2006-03-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure emissive d'electrons a nanotubes et structure emissive d'electrons |
KR20060032402A (ko) * | 2004-10-12 | 2006-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본나노튜브 에미터 및 그 제조방법과 이를 응용한전계방출소자 및 그 제조방법 |
JP4990380B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2012-08-01 | シャープ株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
US8569121B2 (en) | 2011-11-01 | 2013-10-29 | International Business Machines Corporation | Graphene and nanotube/nanowire transistor with a self-aligned gate structure on transparent substrates and method of making same |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5608283A (en) * | 1994-06-29 | 1997-03-04 | Candescent Technologies Corporation | Electron-emitting devices utilizing electron-emissive particles which typically contain carbon |
EP0700065B1 (en) * | 1994-08-31 | 2001-09-19 | AT&T Corp. | Field emission device and method for making same |
CA2227322A1 (en) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
JP2000306492A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Hitachi Powdered Metals Co Ltd | 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法 |
KR20010011136A (ko) * | 1999-07-26 | 2001-02-15 | 정선종 | 나노구조를 에미터로 사용한 삼극형 전계 방출 에미터의 구조및 그 제조방법 |
US6699642B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-03-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array |
US6448701B1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Self-aligned integrally gated nanofilament field emitter cell and array |
US6858455B2 (en) * | 2001-05-25 | 2005-02-22 | Ut-Battelle, Llc | Gated fabrication of nanostructure field emission cathode material within a device |
KR100763890B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cnt를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법 |
TW511108B (en) * | 2001-08-13 | 2002-11-21 | Delta Optoelectronics Inc | Carbon nanotube field emission display technology |
US6897603B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-05-24 | Si Diamond Technology, Inc. | Catalyst for carbon nanotube growth |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2004541037A patent/JP2006502538A/ja active Pending
- 2003-09-12 US US10/530,308 patent/US20070141736A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 EP EP03798990A patent/EP1552542A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 KR KR1020057005895A patent/KR20050059239A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-09-12 AU AU2003259517A patent/AU2003259517A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 WO PCT/IB2003/004028 patent/WO2004032171A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-09-12 CN CNA038238640A patent/CN1689129A/zh active Pending
- 2003-10-03 TW TW092127437A patent/TW200419617A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016498A (ja) * | 2006-04-05 | 2013-01-24 | Industry Academic Cooperation Foundation Of Kyunghee University | 電子放出源の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070141736A1 (en) | 2007-06-21 |
AU2003259517A1 (en) | 2004-04-23 |
TW200419617A (en) | 2004-10-01 |
KR20050059239A (ko) | 2005-06-17 |
CN1689129A (zh) | 2005-10-26 |
WO2004032171A1 (en) | 2004-04-15 |
EP1552542A1 (en) | 2005-07-13 |
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