JP2006352568A - Multilayer filter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層型フィルタに関する。 The present invention relates to a multilayer filter.
この種の積層型フィルタとして、絶縁体が積層された積層体と、積層体内に配されるコイル(インダクタ)及びコンデンサ(キャパシタ)と、積層体に形成されると共にコイル及びキャパシタに電気的に接続される端子電極と、を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載された積層型フィルタでは、積層体内に絶縁体の積層方向に配された複数のコイル導体が互いに電気的に接続されることにより構成される。コンデンサは、積層体内に絶縁体の積層方向に対向するように配されたキャパシタ導体により構成される。コイルとコンデンサは、並列接続されている。
特許文献1に記載された積層型フィルタのように、コイルとコンデンサとが並列接続された積層型フィルタでは、共振周波数での減衰が浅く、且つ、所定の挿入損失(例えば、20dB)での周波数帯域(遮断帯域)が狭い減衰特性を示す。これは、コイルとコンデンサとの並列共振にて減衰が生じるものの、並列共振周波数より高い周波数帯域でのコンデンサのインピーダンスが低いため、並列共振周波数より高い周波数帯域では、入力信号がコンデンサのみを通過して出力されるためである。減衰特性において減衰が浅く且つ遮断帯域が狭い場合、除去したいノイズの周波数帯域のみを選択的に除去する回路設計技術が確立されていても、積層型フィルタ毎における減衰特性のばらつきや、実装時の部品配置による発生ノイズの帯域ばらつき等により、ノイズを十分に除去できないという問題が生じる懼れがある。
In a multilayer filter in which a coil and a capacitor are connected in parallel as in the multilayer filter described in
本発明は、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a multilayer filter capable of further improving the attenuation characteristics.
本発明に係る積層型フィルタは、複数の非磁性体が積層された積層体と、積層体内に非磁性体の積層方向に配された複数の第1の内部導体が互いに電気的に接続されることにより構成されるコイルと、積層体に形成され、コイルの一端と電気的に接続される第1の端子電極と、積層体に形成され、コイルの他端と電気的に接続される第2の端子電極と、複数の第1の内部導体のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体間に配され、当該第1の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第2の内部導体と、を備え、第2の内部導体は、第1及び第2の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする。 In the multilayer filter according to the present invention, a laminated body in which a plurality of nonmagnetic materials are laminated and a plurality of first inner conductors arranged in the lamination direction of the nonmagnetic materials in the laminated body are electrically connected to each other. A first terminal electrode formed in the laminate and electrically connected to one end of the coil, and a second electrode formed in the laminate and electrically connected to the other end of the coil. And a second inner conductor that is arranged between the first inner conductors adjacent to each other in the stacking direction and generates a stray capacitance with the first inner conductor. The second inner conductor is electrically connected to one of the first and second terminal electrodes.
本発明に係る積層型フィルタでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。 In the multilayer filter according to the present invention, by having the above configuration, the attenuation is deep and the cutoff band is widened, so that the attenuation characteristic can be further improved.
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第1の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第2の内部導体が第1及び第2の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されているので、複数の第1の内部導体により構成されるコイルは、第2の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得る部分と、第2の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、本発明の積層型フィルタでは、コイルのうち第2の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得る部分と当該浮遊容量とが並列接続された並列共振回路と、コイルのうち第2の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得ない部分と上記浮遊容量とが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。 The present inventors consider as follows the factors that deepen the attenuation and widen the cutoff band and further improve the attenuation characteristics. Since the second inner conductor that generates stray capacitance with the first inner conductor is electrically connected to one of the first and second terminal electrodes, the plurality of first conductors The coil constituted by the inner conductor includes a portion that can generate stray capacitance with the second inner conductor and a portion that cannot generate stray capacitance with the second inner conductor. Become. For this reason, in the multilayer filter of the present invention, the part of the coil that can generate the stray capacitance with the second inner conductor and the parallel resonant circuit in which the stray capacitance is connected in parallel, and the second of the coils. A portion where no stray capacitance can be generated between the inner conductor and a series resonant circuit in which the stray capacitance is connected in series is configured. And the attenuation characteristic by a parallel resonance circuit and the attenuation characteristic by a series resonance circuit are synthesize | combined, and an attenuation characteristic with a deep attenuation | damping and a wide stop band is implement | achieved.
好ましくは、第2の内部導体が、積層方向から見て第1の内部導体と沿うように形成されている。この場合、第2の内部導体がコイルに発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。 Preferably, the second inner conductor is formed along the first inner conductor when viewed from the stacking direction. In this case, it is possible to suppress the second inner conductor from inhibiting the flux generated in the coil and to improve the high frequency characteristics.
本発明によれば、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a multilayer filter capable of further improving the attenuation characteristics.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted. In the description, the terms “upper” and “lower” may be used, which correspond to the vertical direction of each figure.
(第1実施形態)
図1〜図3を参照して、第1実施形態に係る積層型フィルタFの構成を説明する。図1は、第1実施形態に係る積層型フィルタを示す斜視図である。図2は、第1実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。図3は、第1実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
(First embodiment)
With reference to FIGS. 1-3, the structure of the multilayer filter F which concerns on 1st Embodiment is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view showing the multilayer filter according to the first embodiment. FIG. 2 is an exploded view showing the element body included in the multilayer filter according to the first embodiment. FIG. 3 is a diagram for explaining an equivalent circuit of the multilayer filter according to the first embodiment.
積層型フィルタFは、図1及び図2に示されるように、直方体形状の素体1と、コイル30と、素体1の側面に形成された第1及び第2の端子電極3,5とを備えている。コイル30は、素体1内に配されている。コイル30は、第1の端子電極3と第2の端子電極5とに電気的に接続される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the multilayer filter F includes a rectangular
素体1は、図2に示すように、複数(本実施形態においては、17層)の非磁性体11〜27が積層されることにより構成される積層体である。実際の積層型フィルタFは、非磁性体11〜27間の境界が視認できない程度に一体化されている。非磁性体11〜27は、非磁性体グリーンシートが焼成されることにより、構成される。
As shown in FIG. 2, the
コイル30は、複数の第1の内部導体31〜39を含んでいる。第1の内部導体31,39は、略J字状を呈している。第1の内部導体32〜38は、略L字状を呈している。すなわち、第1の内部導体32〜38は、第1の内部導体31が引き出される側面と第1の内部導体39が引き出される側面との対向方向(以下、単に「側面対向方向」と称する)に伸びる第1の部分と、当該第1の部分に連続し且つ側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる第2の部分とを含んでいる。
The
第1の内部導体31は、非磁性体11上に位置する。第1の内部導体31の一端部は、素体1の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、第1の端子電極3に接続される。第1の内部導体31は、コイル30の一端に位置することとなる。第1の内部導体31、すなわちコイル30の一端は、第1の端子電極3に電気的に接続される。第1の内部導体31は、引き出し導体として機能する。
The first
非磁性体11における第1の内部導体31の他端部に対応する位置には、非磁性体11を厚み方向に貫通するスルーホール導体41が形成されている。第1の内部導体31は、その他端部においてスルーホール導体41に電気的に接続されている。
A through-
第1の内部導体32は、非磁性体12上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体32は、当該第1の内部導体32の一端部に、非磁性体11,12が積層された状態でスルーホール導体41と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体12における第1の内部導体32の他端部に対応する位置には、非磁性体12を厚み方向に貫通するスルーホール導体42が形成されている。スルーホール導体42は、第1の内部導体32の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体13上には、スルーホール導体42に対応するように、ランド状の内部導体61が位置している。非磁性体13における内部導体61に対応する位置には、非磁性体13を厚み方向に貫通するスルーホール導体43が形成されている。スルーホール導体43は、内部導体61に電気的に接続されている。内部導体61は、非磁性体12,13が積層された状態でスルーホール導体42と電気的に接続される。内部導体61は、スルーホール接続導体として機能する。
On the
第1の内部導体33は、非磁性体14上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体33は、当該第1の内部導体33の一端部に、非磁性体13,14が積層された状態でスルーホール導体43と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体14における第1の内部導体33の他端部に対応する位置には、非磁性体14を厚み方向に貫通するスルーホール導体44が形成されている。スルーホール導体44は、第1の内部導体33の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体15上には、スルーホール導体44に対応するように、ランド状の内部導体62が位置している。非磁性体15における内部導体62に対応する位置には、非磁性体15を厚み方向に貫通するスルーホール導体45が形成されている。スルーホール導体45は、内部導体62に電気的に接続されている。内部導体62は、非磁性体14,15が積層された状態でスルーホール導体44と電気的に接続される。内部導体62は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体34は、非磁性体16上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体34は、当該第1の内部導体34の一端部に、非磁性体15,16が積層された状態でスルーホール導体45と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体16における第1の内部導体34の他端部に対応する位置には、非磁性体16を厚み方向に貫通するスルーホール導体46が形成されている。スルーホール導体46は、第1の内部導体34の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体17上には、スルーホール導体46に対応するように、ランド状の内部導体63が位置している。非磁性体17における内部導体63に対応する位置には、非磁性体17を厚み方向に貫通するスルーホール導体47が形成されている。スルーホール導体47は、内部導体63に電気的に接続されている。内部導体63は、非磁性体16,17が積層された状態でスルーホール導体46と電気的に接続される。内部導体63は、スルーホール接続導体として機能する。
On the
第1の内部導体35は、非磁性体18上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体35は、当該第1の内部導体35の一端部に、非磁性体17,18が積層された状態でスルーホール導体47と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体18における第1の内部導体35の他端部に対応する位置には、非磁性体18を厚み方向に貫通するスルーホール導体48が形成されている。スルーホール導体48は、第1の内部導体35の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体19上には、スルーホール導体48に対応するように、ランド状の内部導体64が位置している。非磁性体19における内部導体64に対応する位置には、非磁性体19を厚み方向に貫通するスルーホール導体49が形成されている。スルーホール導体49は、内部導体64に電気的に接続されている。内部導体64は、非磁性体18,19が積層された状態でスルーホール導体48と電気的に接続される。内部導体64は、スルーホール接続導体として機能する。
On the
第1の内部導体36は、非磁性体20上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体36は、当該第1の内部導体36の一端部に、非磁性体19,20が積層された状態でスルーホール導体49と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体20における第1の内部導体36の他端部に対応する位置には、非磁性体20を厚み方向に貫通するスルーホール導体50が形成されている。スルーホール導体50は、第1の内部導体36の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体21上には、スルーホール導体50に対応するように、ランド状の内部導体65が位置している。非磁性体21における内部導体65に対応する位置には、非磁性体21を厚み方向に貫通するスルーホール導体51が形成されている。スルーホール導体51は、内部導体65に電気的に接続されている。内部導体65は、非磁性体20,21が積層された状態でスルーホール導体50と電気的に接続される。内部導体65は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体37は、非磁性体22上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体37は、当該第1の内部導体37の一端部に、非磁性体21,22が積層された状態でスルーホール導体51と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体22における第1の内部導体37の他端部に対応する位置には、非磁性体22を厚み方向に貫通するスルーホール導体52が形成されている。スルーホール導体52は、第1の内部導体37の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体23上には、スルーホール導体52に対応するように、ランド状の内部導体66が位置している。非磁性体23における内部導体66に対応する位置には、非磁性体23を厚み方向に貫通するスルーホール導体53が形成されている。スルーホール導体53は、内部導体66に電気的に接続されている。内部導体66は、非磁性体22,23が積層された状態でスルーホール導体52と電気的に接続される。内部導体66は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体38は、非磁性体24上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体38は、当該第1の内部導体38の一端部に、非磁性体23,24が積層された状態でスルーホール導体53と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体24における第1の内部導体38の他端部に対応する位置には、非磁性体24を厚み方向に貫通するスルーホール導体54が形成されている。スルーホール導体54は、第1の内部導体38の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体39は、非磁性体25上に位置する。第1の内部導体39の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体31の一端部が引き出される側面に対向する側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第2の端子電極5に接続される。第1の内部導体39は、当該第1の内部導体39の他端部に、非磁性体24,25が積層された状態でスルーホール導体54と電気的に接続される領域を含んでいる。第1の内部導体39は、コイル30の他端に位置することとなる。第1の内部導体39、すなわちコイル30の他端は、第2の端子電極5に電気的に接続される。第1の内部導体39は、引き出し導体として機能する。
The first
上述したように、第1の内部導体31〜39は、スルーホール導体41〜54及び内部導体61〜66を通して電気的に接続されている。これにより、第1の内部導体31〜39は、相互に電気的に接続されることで、コイル30を構成することとなる。
As described above, the first
積層型フィルタFは、図2に示されるように、第2の内部導体71〜76を更に備えている。第2の内部導体71〜75は、略L字状を呈している。第2の内部導体76は、略J字状を呈している。第2の内部導体71〜76は、非磁性体11〜27の積層方向(以下、単に「積層方向」と称する)から見て、第1の内部導体31〜39と沿うように形成されている。
As shown in FIG. 2, the multilayer filter F further includes second
第2の内部導体71は、非磁性体13上に位置している。これにより、第2の内部導体71は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体32と第1の内部導体33との間に配されることとなる。非磁性体13における第2の内部導体71の一端部に対応する位置には、非磁性体13を厚み方向に貫通するスルーホール導体81が形成されている。スルーホール導体81は、第2の内部導体71の一端部と電気的に接続されている。
The second
第2の内部導体71の側面対向方向に伸びる部分は、第1の内部導体32の第1の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第2の内部導体71の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体33の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
The portion of the second
非磁性体14上には、スルーホール導体81に対応するように、ランド状の内部導体91が位置している。非磁性体14における内部導体91に対応する位置には、非磁性体14を厚み方向に貫通するスルーホール導体82が形成されている。スルーホール導体82は、内部導体91に電気的に接続されている。内部導体91は、非磁性体13,14が積層された状態でスルーホール導体81と電気的に接続される。内部導体91は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第2の内部導体72は、非磁性体15上に位置している。これにより、第2の内部導体72は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体33と第1の内部導体34との間に配されることとなる。第2の内部導体72は、当該第2の内部導体72の一端部に、非磁性体14,15が積層された状態でスルーホール導体82と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体15における第2の内部導体72の他端部に対応する位置には、非磁性体15を厚み方向に貫通するスルーホール導体83が形成されている。スルーホール導体83は、第2の内部導体72の他端部と電気的に接続されている。
The second
第2の内部導体72の側面対向方向に伸びる部分は、第1の内部導体33の第1の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第2の内部導体72の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体34の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
The portion of the second
非磁性体16上には、スルーホール導体83に対応するように、ランド状の内部導体92が位置している。非磁性体16における内部導体92に対応する位置には、非磁性体16を厚み方向に貫通するスルーホール導体84が形成されている。スルーホール導体84は、内部導体92に電気的に接続されている。内部導体92は、非磁性体15,16が積層された状態でスルーホール導体83と電気的に接続される。内部導体92は、スルーホール接続導体として機能する。
On the
第2の内部導体73は、非磁性体17上に位置している。これにより、第2の内部導体73は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体34と第1の内部導体35との間に配されることとなる。第2の内部導体73は、当該第2の内部導体73の一端部に、非磁性体16,17が積層された状態でスルーホール導体84と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体17における第2の内部導体73の他端部に対応する位置には、非磁性体17を厚み方向に貫通するスルーホール導体85が形成されている。スルーホール導体85は、第2の内部導体73の他端部と電気的に接続されている。
The second
第2の内部導体73の側面対向方向に伸びる部分は、第1の内部導体34の第1の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第2の内部導体73の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体35の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
The portion of the second
非磁性体18上には、スルーホール導体85に対応するように、ランド状の内部導体93が位置している。非磁性体18における内部導体93に対応する位置には、非磁性体18を厚み方向に貫通するスルーホール導体86が形成されている。スルーホール導体86は、内部導体93に電気的に接続されている。内部導体93は、非磁性体17,18が積層された状態でスルーホール導体85と電気的に接続される。内部導体93は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第2の内部導体74は、非磁性体19上に位置している。これにより、第2の内部導体74は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体35と第1の内部導体36との間に配されることとなる。第2の内部導体74は、当該第2の内部導体74の一端部に、非磁性体18,19が積層された状態でスルーホール導体86と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体19における第2の内部導体74の他端部に対応する位置には、非磁性体19を厚み方向に貫通するスルーホール導体87が形成されている。スルーホール導体87は、第2の内部導体74の他端部と電気的に接続されている。
The second
第2の内部導体74の側面対向方向に伸びる部分は、第1の内部導体35の第1の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第2の内部導体74の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体36の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
A portion of the second
非磁性体20上には、スルーホール導体87に対応するように、ランド状の内部導体94が位置している。非磁性体20における内部導体94に対応する位置には、非磁性体20を厚み方向に貫通するスルーホール導体88が形成されている。スルーホール導体88は、内部導体94に電気的に接続されている。内部導体94は、非磁性体19,20が積層された状態でスルーホール導体87と電気的に接続される。内部導体94は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第2の内部導体75は、非磁性体21上に位置している。これにより、第2の内部導体75は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体36と第1の内部導体37との間に配されることとなる。第2の内部導体75は、当該第2の内部導体75の一端部に、非磁性体20,21が積層された状態でスルーホール導体88と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体21における第2の内部導体75の他端部に対応する位置には、非磁性体21を厚み方向に貫通するスルーホール導体89が形成されている。スルーホール導体89は、第2の内部導体75の他端部と電気的に接続されている。
The second
第2の内部導体75の側面対向方向に伸びる部分は、第1の内部導体36の第1の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第2の内部導体75の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体37の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
The portion of the second
非磁性体22上には、スルーホール導体89に対応するように、ランド状の内部導体95が位置している。非磁性体22における内部導体95に対応する位置には、非磁性体22を厚み方向に貫通するスルーホール導体90が形成されている。スルーホール導体90は、内部導体95に電気的に接続されている。内部導体95は、非磁性体21,22が積層された状態でスルーホール導体89と電気的に接続される。内部導体95は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第2の内部導体76は、非磁性体23上に位置する。これにより、第2の内部導体76は、複数の第1の内部導体31〜39のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体37と第1の内部導体38との間に配されることとなる。第2の内部導体76の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第1の内部導体38の第2の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
The second
第2の内部導体76の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体39の一端部が引き出される側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第2の端子電極5に接続される。第2の内部導体76は、当該第2の内部導体76の他端部に、非磁性体22,23が積層された状態でスルーホール導体90と電気的に接続される領域を含んでいる。第2の内部導体76は、第2の端子電極5に電気的に接続される。第2の内部導体76は、引き出し導体として機能する。
One end portion of the second
上述したように、第2の内部導体71〜76は、スルーホール導体81〜90及び内部導体91〜95を通して電気的に接続されている。これにより、第2の内部導体71〜76は、相互に電気的に接続されることとなる。第2の内部導体71〜76は、第1の端子電極3に電気的に接続されていない。
As described above, the second
非磁性体26は、非磁性体11の上に位置しており、第1の内部導体31を保護するためのベース層として機能する。非磁性体27は、非磁性体25の下に位置している。非磁性体26,27は、素体1の厚みを所定の寸法に調整するためのものでもある。非磁性体26の数は、複数層であってもよい。非磁性体27も、複数層であってもよく、また積層しなくてもよい。
The
続いて、積層型フィルタFの作製方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the multilayer filter F will be described.
まず、非磁性体11〜27を構成することとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、例えばFe2O3とZnOとCuOとの混合粉を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。非磁性体グリーンシートの厚みは、例えば、20μm程度に設定することができる。Fe2O3とZnOとCuOとの混合粉の代わりに、誘電体材料(TiO2とCuOとNiOとMnCOとの混合粉等)や、酸化物セラミック材料(Al2O3、SiO2、ZrO2、フォルステライト、ステアタイト、コージライト等)を用いてもよく、これらの混合粉であってもよい。
First, a non-magnetic green sheet that constitutes the
次に、非磁性体11〜24を構成することとなる各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホール導体41〜54,81〜90を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
Next, through holes are formed by laser processing or the like at predetermined positions of the nonmagnetic green sheets constituting the
次に、非磁性体11〜24を構成することとなる各グリーンシートに、第1の内部導体31〜39、第2の内部導体71〜76、及び内部導体61〜66,91〜95に対応する各導体パターンを形成する。各導体パターンは、例えば、銀もしくはニッケルを主成分とする導体ペースト(導電体材料)をスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。 Next, it corresponds to the 1st inner conductors 31-39, the 2nd inner conductors 71-76, and the inner conductors 61-66, 91-95 to each green sheet which constitutes nonmagnetic materials 11-24. Each conductor pattern to be formed is formed. Each conductor pattern is formed, for example, by screen-printing a conductor paste (conductor material) mainly composed of silver or nickel and then drying. Each through hole is filled with a conductor paste when each conductor pattern is formed.
次に、各グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度(例えば、800〜900度)にて焼成する。これにより、素体1が形成されることとなる。素体1は、例えば、完成後における長手方向の長さが1.0mm、幅が0.5mm、高さが0.5mmとなるようにする。第1の内部導体31〜39、第2の内部導体71〜76、及び内部導体61〜66,91〜95の焼成後における厚みは、例えば12μm程度に設定される。第1の内部導体31〜39、及び第2の内部導体71〜76の焼成後における幅は、例えば70μm程度に設定される。
Next, the green sheets are sequentially laminated and pressure-bonded, cut into chips, and then fired at a predetermined temperature (for example, 800 to 900 degrees). As a result, the
次に、この素体1に第1及び第2の端子電極3,5を形成する。これにより、積層型フィルタFが得られることとなる。第1及び第2の端子電極3,5は、素体1の外面に銀、ニッケルもしくは銅を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度(例えば、700℃程度)にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、Cu/Ni/Sn、Ni/Sn、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Ni/Pd/Ag、又は、Ni/Ag等を用いることができる。なお、積層型フィルタFのカットオフ周波数は、例えば100MHzに設定することができる。
Next, the first and second
上述した構成の積層型フィルタFにおいては、図3に示されるように、コイル30(第1の内部導体31〜39)と第2の内部導体71〜76との間で浮遊容量Csが発生する。図3においては、コイル30(第1の内部導体31〜39)と第2の内部導体71〜76とを図面上で差異化するために、第2の内部導体71〜76を破線で表している。
In the multilayer filter F configured as described above, as shown in FIG. 3, stray capacitance Cs is generated between the coil 30 (first
以上のように、本第1実施形態に係る積層型フィルタFでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。 As described above, the multilayer filter F according to the first embodiment has the above-described configuration, so that the attenuation is deep and the cutoff band is widened, so that the attenuation characteristics can be further improved.
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第1の内部導体31〜39との間で浮遊容量Csを発生させる第2の内部導体71〜76が第2の端子電極5と電気的に接続されているので、複数の第1の内部導体31〜39により構成されるコイル30は、第2の内部導体71〜76との間で浮遊容量Csを発生させ得る部分と、第2の内部導体71〜76との間で浮遊容量Csを発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、積層型フィルタFでは、コイル30のうち第2の内部導体71〜76との間で浮遊容量Csを発生させ得る部分と当該浮遊容量Csとが並列接続された並列共振回路と、コイル30のうち第2の内部導体71〜76との間で浮遊容量Csを発生させ得ない部分と上記浮遊容量Csとが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。
The present inventors consider as follows the factors that deepen the attenuation and widen the cutoff band and further improve the attenuation characteristics. Since the second
本第1実施形態において、第2の内部導体71〜76が、積層方向から見て第1の内部導体31〜39と沿うように形成されている。これにより、第2の内部導体71〜76がコイル30に発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。
In the first embodiment, the second
また、本第1実施形態において、素体1は、複数の非磁性体11〜27が積層されることにより構成されている。これにより、積層型フィルタFは、高周波帯域(例えば、300〜2000MHz)におけるノイズを除去することができる。
Further, in the first embodiment, the
(第2実施形態)
図4及び図5を参照して、第2実施形態に係る積層型フィルタの構成を説明する。図4は、第2実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。図5は、第2実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
(Second Embodiment)
With reference to FIG.4 and FIG.5, the structure of the multilayer filter which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated. FIG. 4 is an exploded view showing the element body included in the multilayer filter according to the second embodiment. FIG. 5 is a diagram for explaining an equivalent circuit of the multilayer filter according to the second embodiment.
第2実施形態に係る積層型フィルタは、図1に示された積層型フィルタFと同じく、直方体形状の素体1と、コイル30と、素体1の側面に形成された第1及び第2の端子電極3,5とを備えている。素体1は、図4に示すように、複数(本実施形態においては、17層)の非磁性体11〜27が積層されることにより構成される積層体である。
Similar to the multilayer filter F shown in FIG. 1, the multilayer filter according to the second embodiment includes a rectangular
コイル30は、複数の第1の内部導体101〜111を含んでいる。第1の内部導体101,111は、略I字状を呈している。第1の内部導体102〜110は、略C字状を呈している。
The
第1の内部導体101は、非磁性体11上に位置する。第1の内部導体101の一端部は、素体1の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、第1の端子電極3に接続される。第1の内部導体101は、コイル30の一端に位置することとなる。第1の内部導体101、すなわちコイル30の一端は、第1の端子電極3に電気的に接続される。第1の内部導体101は、引き出し導体として機能する。
The first
非磁性体11における第1の内部導体101の他端部に対応する位置には、非磁性体11を厚み方向に貫通するスルーホール導体121が形成されている。第1の内部導体31は、その他端部においてスルーホール導体121に電気的に接続されている。
A through-
第1の内部導体102は、非磁性体12上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体102は、当該第1の内部導体102の一端部に、非磁性体11,12が積層された状態でスルーホール導体121と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体12における第1の内部導体102の他端部に対応する位置には、非磁性体12を厚み方向に貫通するスルーホール導体122が形成されている。スルーホール導体122は、第1の内部導体102の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体103は、非磁性体13上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体103は、当該第1の内部導体103の一端部に、非磁性体12,13が積層された状態でスルーホール導体122と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体13における第1の内部導体103の他端部に対応する位置には、非磁性体13を厚み方向に貫通するスルーホール導体123が形成されている。スルーホール導体123は、第1の内部導体103の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体104は、非磁性体14上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体104は、当該第1の内部導体104の一端部に、非磁性体13,14が積層された状態でスルーホール導体123と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体14における第1の内部導体104の他端部に対応する位置には、非磁性体14を厚み方向に貫通するスルーホール導体124が形成されている。スルーホール導体124は、第1の内部導体104の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体15上には、スルーホール導体124に対応するように、ランド状の内部導体141が位置している。非磁性体15における内部導体141に対応する位置には、非磁性体15を厚み方向に貫通するスルーホール導体125が形成されている。スルーホール導体125は、内部導体141に電気的に接続されている。内部導体141は、非磁性体14,15が積層された状態でスルーホール導体124と電気的に接続される。内部導体141は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体105は、非磁性体16上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体105は、当該第1の内部導体105の一端部に、非磁性体15,16が積層された状態でスルーホール導体125と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体16における第1の内部導体105の他端部に対応する位置には、非磁性体16を厚み方向に貫通するスルーホール導体126が形成されている。スルーホール導体126は、第1の内部導体105の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体17上には、スルーホール導体126に対応するように、ランド状の内部導体142が位置している。非磁性体17における内部導体142に対応する位置には、非磁性体17を厚み方向に貫通するスルーホール導体127が形成されている。スルーホール導体127は、内部導体142に電気的に接続されている。内部導体142は、非磁性体16,17が積層された状態でスルーホール導体126と電気的に接続される。内部導体142は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体106は、非磁性体18上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体106は、当該第1の内部導体106の一端部に、非磁性体17,18が積層された状態でスルーホール導体127と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体18における第1の内部導体106の他端部に対応する位置には、非磁性体18を厚み方向に貫通するスルーホール導体128が形成されている。スルーホール導体128は、第1の内部導体106の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体19上には、スルーホール導体128に対応するように、ランド状の内部導体143が位置している。非磁性体19における内部導体143に対応する位置には、非磁性体19を厚み方向に貫通するスルーホール導体129が形成されている。スルーホール導体129は、内部導体143に電気的に接続されている。内部導体143は、非磁性体18,19が積層された状態でスルーホール導体128と電気的に接続される。内部導体143は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体107は、非磁性体20上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体107は、当該第1の内部導体107の一端部に、非磁性体19,20が積層された状態でスルーホール導体129と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体20における第1の内部導体107の他端部に対応する位置には、非磁性体20を厚み方向に貫通するスルーホール導体130が形成されている。スルーホール導体130は、第1の内部導体107の他端部と電気的に接続されている。
The first
非磁性体21上には、スルーホール導体130に対応するように、ランド状の内部導体144が位置している。非磁性体21における内部導体144に対応する位置には、非磁性体21を厚み方向に貫通するスルーホール導体131が形成されている。スルーホール導体131は、内部導体144に電気的に接続されている。内部導体144は、非磁性体20,21が積層された状態でスルーホール導体130と電気的に接続される。内部導体144は、スルーホール接続導体として機能する。
A land-like
第1の内部導体108は、非磁性体22上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体108は、当該第1の内部導体108の一端部に、非磁性体21,22が積層された状態でスルーホール導体131と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体22における第1の内部導体108の他端部に対応する位置には、非磁性体22を厚み方向に貫通するスルーホール導体132が形成されている。スルーホール導体132は、第1の内部導体108の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体109は、非磁性体23上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体109は、当該第1の内部導体109の一端部に、非磁性体22,23が積層された状態でスルーホール導体132と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体23における第1の内部導体109の他端部に対応する位置には、非磁性体23を厚み方向に貫通するスルーホール導体133が形成されている。スルーホール導体133は、第1の内部導体109の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体110は、非磁性体24上に位置し、コイル30の略1/2ターンに相当する。第1の内部導体110は、当該第1の内部導体110の一端部に、非磁性体23,24が積層された状態でスルーホール導体133と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体24における第1の内部導体110の他端部に対応する位置には、非磁性体24を厚み方向に貫通するスルーホール導体134が形成されている。スルーホール導体134は、第1の内部導体110の他端部と電気的に接続されている。
The first
第1の内部導体111は、非磁性体25上に位置する。第1の内部導体111の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体101の一端部が引き出される側面に対向する側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第2の端子電極5に接続される。第1の内部導体111は、当該第1の内部導体111の他端部に、非磁性体24,25が積層された状態でスルーホール導体134と電気的に接続される領域を含んでいる。第1の内部導体111は、コイル30の他端に位置することとなる。第1の内部導体111、すなわちコイル30の他端は、第2の端子電極5に電気的に接続される。第1の内部導体111は、引き出し導体として機能する。
The first
上述したように、第1の内部導体101〜111は、スルーホール導体121〜134及び内部導体141〜144を通して電気的に接続されている。これにより、第1の内部導体101〜111は、相互に電気的に接続されることで、コイル30を構成することとなる。
As described above, the first
第2実施形態に係る積層型フィルタは、図4に示されるように、第2の内部導体151〜154を更に備えている。第2の内部導体151〜154は、略Y字状を呈している。第2の内部導体151〜154は、非磁性体11〜27の積層方向(以下、単に「積層方向」と称する)から見て、第1の内部導体101〜111と沿うように形成されている。
As shown in FIG. 4, the multilayer filter according to the second embodiment further includes second
第2の内部導体151は、非磁性体15上に位置している。これにより、第2の内部導体151は、複数の第1の内部導体101〜111のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体104と第1の内部導体105との間に配されることとなる。第2の内部導体151の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体101の一端部が引き出される側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第1の端子電極3に接続される。第2の内部導体151は、第1の内部導体104と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第1の内部導体105と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第2の内部導体151は、第2の端子電極5に電気的に接続されていない。
The second
第2の内部導体152は、非磁性体17上に位置している。これにより、第2の内部導体152は、複数の第1の内部導体101〜111のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体105と第1の内部導体106との間に配されることとなる。第2の内部導体152の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体111の一端部が引き出される側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第2の端子電極5に接続される。第2の内部導体152は、第1の内部導体105と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第1の内部導体106と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第2の内部導体152は、第1の端子電極3に電気的に接続されていない。
The second
第2の内部導体153は、非磁性体19上に位置している。これにより、第2の内部導体153は、複数の第1の内部導体101〜111のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体106と第1の内部導体107との間に配されることとなる。第2の内部導体153の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体101の一端部が引き出される側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第1の端子電極3に接続される。第2の内部導体153は、第1の内部導体106と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第1の内部導体107と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第2の内部導体153は、第2の端子電極5に電気的に接続されていない。
The second
第2の内部導体154は、非磁性体21上に位置している。これにより、第2の内部導体154は、複数の第1の内部導体101〜111のうち積層方向に隣り合う第1の内部導体107と第1の内部導体108との間に配されることとなる。第2の内部導体154の一端部は、素体1の側面(第1の内部導体111の一端部が引き出される側面)まで引き出されて当該側面に露出しており、第2の端子電極5に接続される。第2の内部導体152は、第1の内部導体107と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第1の内部導体108と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第2の内部導体154は、第1の端子電極3に電気的に接続されていない。
The second
第2実施形態に係る積層型フィルタは、積層型フィルタFの作製方法と同様の作製方法により作製することができ、ここでの説明を省略する。 The multilayer filter according to the second embodiment can be produced by a production method similar to the production method of the multilayer filter F, and the description thereof is omitted here.
上述した構成の積層型フィルタにおいては、図5に示されるように、コイル30(第1の内部導体101〜111)と第2の内部導体151〜154との間で浮遊容量Csが発生する。図5においては、コイル30(第1の内部導体101〜111)と第2の内部導体151〜154とを図面上で差異化するために、第2の内部導体151〜154を破線で表している。
In the multilayer filter having the above-described configuration, as shown in FIG. 5, stray capacitance Cs is generated between the coil 30 (first
以上のように、本第2実施形態に係る積層型フィルタでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。 As described above, in the multilayer filter according to the second embodiment, by having the above configuration, the attenuation is deep and the cutoff band is widened, so that the attenuation characteristic can be further improved.
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第1の内部導体101〜111との間で浮遊容量Csを発生させる第2の内部導体151,153が第1の端子電極3と電気的に接続され、第1の内部導体101〜111との間で浮遊容量Csを発生させる第2の内部導体152,154が第2の端子電極5と電気的に接続されているので、複数の第1の内部導体101〜111により構成されるコイル30は、第2の内部導体151〜154との間で浮遊容量Csを発生させ得る部分と、第2の内部導体151〜154との間で浮遊容量Csを発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、第2実施形態に係る積層型フィルタでは、コイル30のうち第2の内部導体151〜154との間で浮遊容量Csを発生させ得る部分と当該浮遊容量Csとが並列接続された並列共振回路と、コイル30のうち第2の内部導体151〜154との間で浮遊容量Csを発生させ得ない部分と上記浮遊容量Csとが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。
The present inventors consider as follows the factors that deepen the attenuation and widen the cutoff band and further improve the attenuation characteristics. The second
本第2実施形態において、第2の内部導体151〜154が、積層方向から見て第1の内部導体101〜111と沿うように形成されている。これにより、第2の内部導体151〜154がコイル30に発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。
In the second embodiment, the second
ここで、本実施形態によって、減衰特性をより一層向上できることを、実施例1,2及び比較例1によって、具体的に示す。実施例1,2及び比較例1では、周波数特性として挿入損失特性を求めている。 Here, it is specifically shown by Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 that the attenuation characteristics can be further improved by this embodiment. In Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, an insertion loss characteristic is obtained as a frequency characteristic.
実施例1では、第1実施形態の積層型フィルタFと同じ構成の積層型フィルタを用いた。実施例2では、第2実施形態の積層型フィルタと同じ構成の積層型フィルタを用いた。比較例1では、特許文献1に記載された積層型フィルタと同じ構成の積層型フィルタを用いた。実施例1,2及び比較例1のいずれの積層型フィルタも、カットオフ周波数が100MHzとなるように設計されている。
In Example 1, a multilayer filter having the same configuration as the multilayer filter F of the first embodiment was used. In Example 2, a multilayer filter having the same configuration as the multilayer filter of the second embodiment was used. In Comparative Example 1, a multilayer filter having the same configuration as the multilayer filter described in
実施例1,2及び比較例1の積層型フィルタの挿入損失特性を、図6に示す。実線IL1は実施例1の積層型フィルタの挿入損失特性を示しており、破線IL2は実施例2の積層型フィルタの挿入損失特性を示している。一点差線IL3は、比較例1の積層型フィルタの挿入損失特性を示している。減衰帯域、例えば−20dB減衰を保持する周波数帯域は、実施例1,2の積層型フィルタでは450〜530MHzであるのに対し、比較例1の積層型フィルタでは360〜680MHzである。以上のことから、本実施形態の有効性が確認された。 The insertion loss characteristics of the multilayer filters of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 are shown in FIG. A solid line IL1 indicates the insertion loss characteristic of the multilayer filter of the first embodiment, and a broken line IL2 indicates the insertion loss characteristic of the multilayer filter of the second embodiment. A dashed line IL3 indicates the insertion loss characteristic of the multilayer filter of Comparative Example 1. The attenuation band, for example, the frequency band for holding −20 dB attenuation is 450 to 530 MHz in the multilayer filters of Examples 1 and 2, whereas it is 360 to 680 MHz in the multilayer filter of Comparative Example 1. From the above, the effectiveness of the present embodiment was confirmed.
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not necessarily limited to these embodiments.
第2の内部導体71〜76,151〜154は、積層方向から見て第1の内部導体31〜39,101〜111と沿うように形成されているが、これに限られない。例えば、第2の内部導体71〜76,151〜154は、ベタ状に形成されていてもよい。第2の内部導体71〜76,151〜154がベタ状に形成された場合、コイル30に発生するフラックスを阻害する懼れがある。このため、第2の内部導体71〜76,151〜154は、積層方向から見て第1の内部導体31〜39,101〜111と沿うように形成されることが好ましい。
The second
本発明は、図7〜9に示されるように、コイルを複数有する積層型フィルタアレイFAにも適用することができる。図7〜9に示された積層型フィルタアレイFAにおいても、第1及び第2実施形態に係る積層型フィルタFと同様に、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。図8,9においては、図面が見難くなるため、一部の構成要素のみ符号を付している。 The present invention can be applied to a multilayer filter array FA having a plurality of coils as shown in FIGS. In the multilayer filter array FA shown in FIGS. 7 to 9 as well as the multilayer filter F according to the first and second embodiments, the attenuation is deep and the cutoff band is widened, thereby further improving the attenuation characteristics. be able to. In FIGS. 8 and 9, only some of the components are given reference numerals because the drawings are difficult to see.
1…素体、3…第1の端子電極、5…第2の端子電極、11〜27…非磁性体、30…コイル、31〜39…第1の内部導体、41〜54…スルーホール導体、61〜66…内部導体、71〜76…第2の内部導体、81〜90…スルーホール導体、91〜95…内部導体、101〜111…第1の内部導体、121〜134…スルーホール導体、141〜144…内部導体、151〜154…第2の内部導体、Cs…浮遊容量、F…積層型フィルタ、FA…積層型フィルタアレイ。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記積層体内に前記非磁性体の積層方向に配された複数の第1の内部導体が互いに電気的に接続されることにより構成されるコイルと、
前記積層体に形成され、前記コイルの一端と電気的に接続される第1の端子電極と、
前記積層体に形成され、前記コイルの他端と電気的に接続される第2の端子電極と、
前記複数の第1の内部導体のうち前記積層方向に隣り合う第1の内部導体間に配され、当該第1の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第2の内部導体と、を備え、
前記第2の内部導体は、前記第1及び第2の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする積層型フィルタ。 A laminate in which a plurality of nonmagnetic materials are laminated;
A coil configured by electrically connecting a plurality of first inner conductors arranged in the stacking direction of the non-magnetic material in the stacked body;
A first terminal electrode formed in the laminate and electrically connected to one end of the coil;
A second terminal electrode formed in the laminate and electrically connected to the other end of the coil;
A second inner conductor disposed between first inner conductors adjacent to each other in the stacking direction among the plurality of first inner conductors and generating a stray capacitance with the first inner conductor. ,
The multilayer filter, wherein the second inner conductor is electrically connected to any one of the first and second terminal electrodes.
2. The multilayer filter according to claim 1, wherein the second inner conductor is formed along the first inner conductor when viewed from the laminating direction.
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2005
- 2005-06-16 JP JP2005176611A patent/JP2006352568A/en active Pending
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