JP2006351827A - Film-formation method - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 60
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 131
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 110
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 64
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 31
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020669 PbOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
Description
本発明は一般に半導体装置の製造に係り、特に強誘電体膜の成膜方法に関する。 The present invention generally relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to a method for forming a ferroelectric film.
強誘電体キャパシタに情報を、自発分極の形で保持するいわゆる強誘電体メモリは、電圧駆動される高速不揮発性メモリであり、メモリカードをはじめとする様々な用途に使用されている。このような強誘電体メモリでは、典型的にはＰＺＴよりなるペロブスカイト構造の金属酸化膜を、安定に制御性良く形成する技術が要求される。
ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）などのいわゆるペロブスカイト膜は正方晶系に属し、強誘電性を特徴づける自発分極は、結晶格子中、ＺｒやＴｉ原子のｃ軸方向への変位により誘起される。そこで、このようなペロブスカイト膜を使って強誘電体キャパシタのキャパシタ絶縁膜を形成する場合、強誘電体膜を構成する個々の結晶粒のｃ軸方向は、電界が印加される方向に平行な方向、従ってキャパシタ絶縁膜の面に対して垂直な方向に配向するのが理想的である（（００１）配向）。これに対し、前記ｃ軸が前記キャパシタ絶縁膜の面内に配向した場合には（１００配向）、キャパシタに駆動電圧を印加しても、所望の自発分極を誘起することはできない。 So-called perovskite films such as PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ) belong to the tetragonal system, and spontaneous polarization that characterizes ferroelectricity is induced by displacement of Zr and Ti atoms in the c-axis direction in the crystal lattice. Is done. Therefore, when a capacitor insulating film of a ferroelectric capacitor is formed using such a perovskite film, the c-axis direction of each crystal grain constituting the ferroelectric film is a direction parallel to the direction in which the electric field is applied. Therefore, it is ideal to orient in a direction perpendicular to the surface of the capacitor insulating film ((001) orientation). On the other hand, when the c-axis is oriented in the plane of the capacitor insulating film (100 orientation), desired spontaneous polarization cannot be induced even when a driving voltage is applied to the capacitor.
従来のＰＺＴ膜では、正方晶系とは言っても、ｃ軸とａ軸の差はわずかであり、このため通常の製法で形成したＰＺＴ膜では、（００１）配向した結晶粒と（１００）配向した結晶粒がほぼ同数発生し、その他の方位のものも発生することを考えると、実際に強誘電体キャパシタの動作に寄与する結晶の割合はわずかであった。 In the conventional PZT film, the difference between the c-axis and the a-axis is small even though it is tetragonal. Therefore, in the PZT film formed by the usual manufacturing method, the (001) -oriented crystal grains and (100) Considering that almost the same number of oriented crystal grains are generated and those with other orientations are also generated, the proportion of crystals that actually contribute to the operation of the ferroelectric capacitor was small.
従来、強誘電体メモリ素子に使われるＰＺＴ膜は、スパッタリングにより形成されるのが一般的であったが、このようなスパッタリングにより形成されるＰＺＴ膜では、下地膜組成を制御して膜中の結晶粒を全体として＜１１１＞方向に配向させる（（１１１）配向）ことが行われていた。また前記特許文献１では、ＭＯＣＶＤ法により、（１１１）配向したペロブスカイト膜を形成する技術が記載されている。 Conventionally, a PZT film used for a ferroelectric memory element has been generally formed by sputtering. In a PZT film formed by such sputtering, the composition of the base film is controlled by controlling the composition of the base film. The crystal grains as a whole have been oriented in the <111> direction ((111) orientation). In Patent Document 1, a technique for forming a (111) -oriented perovskite film by MOCVD is described.
本発明では、ＭＯＣＶＤ法によりＰＺＴ膜を成膜する際に、核生成工程を制御することにより、（００１）配向のＰＺＴ膜を得る成膜方法を提供する。 The present invention provides a film forming method for obtaining a (001) oriented PZT film by controlling the nucleation process when forming a PZT film by MOCVD.
また本発明は、ＭＯＣＶＤ法によりＰＺＴ膜を成膜する際に、核生成工程からＰＺＴ膜成膜工程への移行を制御することにより、ＰＺＴ膜成膜初期の組成の揺らぎを抑制できる成膜方法を提供する。 The present invention also provides a film forming method capable of suppressing fluctuations in the composition at the initial stage of PZT film formation by controlling the transition from the nucleation step to the PZT film formation step when forming the PZT film by the MOCVD method. I will provide a.
さらに本発明は、ＭＯＣＶＤ法によりＰＺＴ膜を成膜する際に、ＰＺＴ膜表面において生じやすいＰｂＯ結晶の異常成長を抑制できる成膜方法を提供する。 Furthermore, the present invention provides a film forming method that can suppress abnormal growth of PbO crystals that are likely to occur on the surface of the PZT film when the PZT film is formed by MOCVD.
本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、
下部電極層上にペロブスカイト構造の強誘電体膜を形成する成膜方法であって、
前記下部電極層上にＴｉＯｘよりなる核生成層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、
前記核生成層上に前記ペロブスカイト構造の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、を含み、
前記核生成層を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ層を、５ｎｍを超える厚さに形成する工程を含むことを特徴とする成膜方法により、または
請求項２に記載したように、
前記ＴｉＯｘ層は、８ｎｍ以上の厚さに形成されることを特徴とする請求項１記載の成膜方法により、または
請求項３に記載したように、
前記下部電極層は、Ｉｒ電極膜よりなることを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法により、または
請求項４に記載したように、
前記強誘電体膜は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3膜よりなることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の成膜方法により、または
請求項５に記載したように、
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ膜をＰｂＴｉＯ3膜に変換することを特徴とする請求項４記載の成膜方法により、または
請求項６に記載したように、
前記核生成層を形成する工程は、前記下部電極層上にＴｉの液体有機金属原料を、溶媒と共に気化器において気化させて供給する第１の工程よりなり
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記核生成層上にＰｂの液体有機金属原料と、前記Ｔｉの液体有機金属原料と、Ｚｒの液体有機金属原料とを、前記溶媒と共に前記気化器において気化させて供給する第２の工程よりなり、
前記第１の工程において前記気化器に供給される前記Ｔｉの液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和は、前記第２の工程において前記気化器に供給される前記Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの各液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和に等しく設定され、
前記第２の工程は、前記第１の工程に引き続き、直ちに実行されることを特徴とする請求項４または５記載の成膜方法により、または
請求項７に記載したように、
前記第１および第２の工程において、前記Ｐｂ，Ｔｉ，Ｚｒの各液体有機金属原料は前記気化器に、それぞれの液体質量流量コントローラを介して供給され、
前記第２の工程においては、最も流量の少ない液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定が、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定に先立って変化されることを特徴とする請求項６記載の成膜方法により、または
請求項８に記載したように、
前記最も流量の少ない液体有機金属原料は、Ｚｒの液体有機金属原料であり、前記Ｚｒの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定は、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定の２秒前に変化させられることを特徴とする請求項６または７記載の成膜方法により、または
請求項９に記載したように、
実行されるとき、汎用コンピュータが、堆積装置を制御するソフトウェアを記録したコンピュータ記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは前記堆積装置に、下部電極層上にペロブスカイト構造の強誘電体膜を形成する成膜方法を実行させ、前記成膜方法は、
前記下部電極層上にＴｉＯｘよりなる核生成層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、
前記核生成層上に前記ペロブスカイト構造の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、を含み、
前記核生成層を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ層を５ｎｍを超える厚さに形成する工程を含むことを特徴とするコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１０に記載したように、
前記ＴｉＯｘ層は、８ｎｍ以上の厚さに形成されることを特徴とする請求項９記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１１に記載したように、
前記下部電極層は、Ｉｒ電極膜よりなることを特徴とする請求項９または１０記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１２に記載したように、
前記強誘電体膜は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3膜よりなることを特徴とする請求項９〜１１のうち、いずれか一項記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１３に記載したように、
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ膜をＰｂＴｉＯ3膜に変換することを特徴とする請求項１２記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１４に記載したように、
前記核生成層を形成する工程は、前記下部電極層上にＴｉの液体有機金属原料を、溶媒と共に気化器において気化させて供給する第１の工程よりなり
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記核生成層上にＰｂの液体有機金属原料と、前記Ｔｉの液体有機金属原料と、Ｚｒの液体有機金属原料とを、前記溶媒と共に前記気化器において気化させて供給する第２の工程よりなり、
前記第１の工程において前記気化器に供給される前記Ｔｉの液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和は、前記第２の工程において前記気化器に供給される前記Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの各液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和に等しく設定され、
前記第２の工程は、前記第１の工程に引き続き、直ちに実行されることを特徴とする請求項１２または１３記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１５に記載したように、
前記第１および第２の工程において、前記Ｐｂ，Ｔｉ，Ｚｒの各液体有機金属原料は前記気化器に、それぞれの液体質量流量コントローラを介して供給され、
前記第２の工程においては、最も流量の少ない液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定が、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定に先立って変化されることを特徴とする請求項１４記載のコンピュータ記憶媒体により、または
請求項１６に記載したように、
前記最も流量の少ない液体有機金属原料は、Ｚｒの液体有機金属原料であり、前記Ｚｒの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定は、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定の２秒前に変化させられることを特徴とする請求項１４または１５記載のコンピュータ記憶媒体により、解決する。
The present invention solves the above problems.
As described in claim 1,
A film forming method for forming a ferroelectric film having a perovskite structure on a lower electrode layer,
Forming a nucleation layer made of TiOx on the lower electrode layer by MOCVD;
Forming a perovskite structure ferroelectric film on the nucleation layer by MOCVD,
The step of forming the nucleation layer includes a step of forming the TiOx layer to a thickness exceeding 5 nm, or as described in claim 2.
The TiOx layer is formed to a thickness of 8 nm or more, according to the film forming method according to claim 1, or as described in claim 3.
The lower electrode layer is made of an Ir electrode film, according to the film forming method according to claim 1 or 2, or as described in claim 4.
The film formation method according to claim 1, wherein the ferroelectric film is made of a Pb (Zr, Ti) O 3 film, or as described in claim 5. In addition,
The step of forming the ferroelectric film converts the TiOx film into a PbTiO 3 film, or according to claim 4, or as described in claim 6.
The step of forming the nucleation layer comprises a first step of supplying a liquid organic metal raw material of Ti on the lower electrode layer by vaporizing it with a solvent in a vaporizer, and the step of forming the ferroelectric film comprises From the second step, the Pb liquid organometallic raw material, the Ti liquid organometallic raw material, and the Zr liquid organometallic raw material are vaporized in the vaporizer and supplied together with the solvent onto the nucleation layer. Become
The sum of the flow rate of the liquid organic metal raw material of Ti and the solvent supplied to the vaporizer in the first step is the sum of the flow rates of the Pb, Ti, and Zr supplied to the vaporizer in the second step. Set equal to the sum of the flow rates of the liquid organometallic raw material and the solvent,
The second step is performed immediately after the first step, according to the film forming method according to claim 4 or 5, or as described in claim 7.
In the first and second steps, the liquid organometallic raw materials of Pb, Ti, and Zr are supplied to the vaporizer via respective liquid mass flow controllers,
In the second step, the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is changed prior to the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the other liquid organometallic raw material. According to the film forming method of claim 6, or as described in claim 8,
The liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is a Zr liquid organic metal raw material, and the liquid mass flow controller for supplying the Zr liquid organic metal raw material has a flow rate setting of a liquid mass for supplying another liquid organic metal raw material. According to the film forming method according to claim 6 or 7, characterized in that it is changed 2 seconds before the flow rate setting of the flow rate controller, or as described in claim 9,
When executed, the general purpose computer is a computer storage medium having recorded software for controlling the deposition apparatus,
The software causes the deposition apparatus to execute a film forming method for forming a ferroelectric film having a perovskite structure on a lower electrode layer, and the film forming method includes:
Forming a nucleation layer made of TiOx on the lower electrode layer by MOCVD;
Forming a perovskite structure ferroelectric film on the nucleation layer by MOCVD,
The step of forming the nucleation layer includes the step of forming the TiOx layer to a thickness greater than 5 nm, or as recited in claim 10
The computer storage medium of claim 9, or as recited in claim 11, wherein the TiOx layer is formed to a thickness of 8 nm or more.
13. The computer storage medium of claim 9 or 10, wherein the lower electrode layer comprises an Ir electrode film, or as described in claim 12.
14. The computer storage medium according to claim 9, wherein the ferroelectric film is made of a Pb (Zr, Ti) O 3 film, or as described in claim 13. In addition,
The step of forming the ferroelectric layer, wherein the computer storage medium of claim 12, wherein converting the TiOx film is PbTiO 3 film, or as described in claim 14,
The step of forming the nucleation layer comprises a first step of supplying a liquid organic metal raw material of Ti on the lower electrode layer by vaporizing it with a solvent in a vaporizer, and the step of forming the ferroelectric film comprises From the second step, the Pb liquid organometallic raw material, the Ti liquid organometallic raw material, and the Zr liquid organometallic raw material are vaporized in the vaporizer and supplied together with the solvent onto the nucleation layer. Become
The sum of the flow rate of the liquid organic metal raw material of Ti and the solvent supplied to the vaporizer in the first step is the sum of the flow rates of the Pb, Ti, and Zr supplied to the vaporizer in the second step. Set equal to the sum of the flow rates of the liquid organometallic raw material and the solvent,
16. The computer storage medium of claim 12 or 13, wherein the second step is performed immediately following the first step, or as described in claim 15.
In the first and second steps, the liquid organometallic raw materials of Pb, Ti, and Zr are supplied to the vaporizer via respective liquid mass flow controllers,
In the second step, the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is changed prior to the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the other liquid organometallic raw material. With a computer storage medium according to claim 14, or as described in claim 16,
The liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is a Zr liquid organic metal raw material, and the liquid mass flow controller for supplying the Zr liquid organic metal raw material has a flow rate setting of a liquid mass for supplying another liquid organic metal raw material. The computer storage medium according to claim 14 or 15, wherein the computer storage medium is changed 2 seconds before the flow rate setting of the flow rate controller.
本発明によれば、下部電極層上にペロブスカイト構造の強誘電体膜を形成する成膜方法を、前記下部電極層上にＴｉＯｘよりなる核生成層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、前記核生成層上に前記ペロブスカイト構造の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、により実行し、その際、前記核生成層を形成する工程において前記ＴｉＯｘ層を、５ｎｍ以上、好ましくは８ｎｍ以上の厚さに形成することにより、形成される強誘電体膜を（００１）配向とすることができ、膜面に垂直方向に大きな自発分極を形成することが可能となる。さらにこのようにＴｉＯｘ核生成層を５ｎｍを超えて、好ましくは８ｎｍ以上の膜厚に形成することにより、前記強誘電体膜表面における異常結晶成長が抑制され、キャパシタ電極の形成に適した平坦な表面が得られる。 According to the present invention, there is provided a film forming method for forming a ferroelectric film having a perovskite structure on a lower electrode layer, a step of forming a nucleation layer made of TiOx on the lower electrode layer by MOCVD, and the nucleation Forming a ferroelectric film having the perovskite structure on the layer by MOCVD, and in the step of forming the nucleation layer, the TiOx layer has a thickness of 5 nm or more, preferably 8 nm or more. By forming the film, the formed ferroelectric film can be (001) oriented, and a large spontaneous polarization can be formed in a direction perpendicular to the film surface. Further, by forming the TiOx nucleation layer in a film thickness exceeding 5 nm, preferably 8 nm or more, abnormal crystal growth on the surface of the ferroelectric film is suppressed, and a flatness suitable for forming a capacitor electrode is obtained. A surface is obtained.
さらに本発明によれば、核生成層形成後、強誘電体膜の堆積を直ちに開始することにより、核生成された被処理基板が堆積装置の処理容器中に、強誘電体膜の堆積が開始されるまでの間放置され、表面が不純物で汚染される問題を回避することが可能となる。その際、強誘電体膜の堆積にあたり、前記各種液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの設定を、核生成層形成後、強誘電体膜の堆積が開始されても、溶媒まで含めた気化器に供給される全有機金属原料の総流量が変化しないように設定することにより、被処理基板表面への安定な気相有機金属原料の供給が可能になる。特に、最も流量が少ない液体有機金属原料に対応する液体質量流量コントローラの設定を他の液体有機金属原料の液体質量流量コントローラの設定よりも早く変化させることにより、気化器で気化された各種有機金属原料を前記堆積装置の処理容器に同時に導入することが可能となり、強誘電体膜堆積の初期における組成のずれを最小限に抑制することが可能になる。 Further, according to the present invention, after the nucleation layer is formed, the deposition of the ferroelectric film is started immediately, so that the nucleated substrate is deposited in the processing container of the deposition apparatus. It is possible to avoid the problem that the surface is contaminated with impurities until it is left. At that time, in the deposition of the ferroelectric film, the setting of the liquid mass flow controller for supplying the various liquid organometallic raw materials was included even if the deposition of the ferroelectric film was started after the formation of the nucleation layer. By setting so that the total flow rate of all the organometallic raw materials supplied to the vaporizer does not change, it is possible to stably supply the vapor phase organometallic raw material to the surface of the substrate to be processed. In particular, by changing the setting of the liquid mass flow controller corresponding to the liquid organic metal raw material with the lowest flow rate earlier than the setting of the liquid mass flow controller of other liquid organic metal raw materials, various organic metals vaporized in the vaporizer It becomes possible to introduce the raw material into the processing container of the deposition apparatus at the same time, and it is possible to minimize the composition shift at the initial stage of the ferroelectric film deposition.
図１は、本発明で使われる有機金属ＣＶＤ装置１０の構成を示す。 FIG. 1 shows a configuration of an organic metal CVD apparatus 10 used in the present invention.
図１を参照するに、前記有機金属ＣＶＤ装置１０はシャワーヘッド１１Ａを備えた処理容器１１を有し、前記処理容器１１中には被処理基板Ｗを保持するサセプタ１１Ｂが設けられている。また前記処理容器１１は真空ポンプ１２により、冷却トラップ１２Ａを介して排気されるとともに、ドレインタンク１２Ｃも真空ポンプ１２により排気される。 Referring to FIG. 1, the metal organic CVD apparatus 10 includes a processing container 11 having a shower head 11 </ b> A, and a susceptor 11 </ b> B that holds a substrate W to be processed is provided in the processing container 11. The processing vessel 11 is evacuated by the vacuum pump 12 via the cooling trap 12A, and the drain tank 12C is also evacuated by the vacuum pump 12.
さらに前記処理容器１１にはライン１３より、質量流量コントローラ１３Ａおよびバルブ１３Ｂ，１３Ｃを介して酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2などの酸化ガスが供給され、気化器１４より、ライン１４Ａおよびバルブ１４Ｂを介して気相有機金属原料が、Ａｒ，Ｈｅなどのキャリアガスと共に供給される。また前記気化器１４はライン１４Ｃおよびバルブ１４Ｄを介して前記冷却トラップ１２Ａに接続されており、前記気化器１４中で形成された気相有機金属原料は、前記処理容器１１に供給されない場合には、前記バルブ１４Ｄおよびライン１４Ｃを介してトラップ１２Ａに廃棄されている。 Further, an oxidizing gas such as oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ), N 2 O, NO 2 is supplied from the line 13 to the processing vessel 11 via a mass flow controller 13A and valves 13B and 13C. The vapor phase organometallic raw material is supplied together with a carrier gas such as Ar or He from the vessel 14 via the line 14A and the valve 14B. Further, the vaporizer 14 is connected to the cooling trap 12A via a line 14C and a valve 14D, and when the vapor-phase organometallic raw material formed in the vaporizer 14 is not supplied to the processing vessel 11. The trap 12A is disposed through the valve 14D and the line 14C.
前記気化器１４はライン１５よりバルブ１５Ａを介してＨｅ，Ａｒあるいは窒素などの不活性ガスを噴霧ガスとして供給される噴霧ノズル１４ａを備え、前記噴霧ノズル１４ａにはさらにマニホールドを構成するライン１６が、バルブ１６Ａ，１６Ｂを介して接続されている。 The vaporizer 14 is provided with a spray nozzle 14a to which an inert gas such as He, Ar or nitrogen is supplied as a spray gas from a line 15 through a valve 15A, and the spray nozzle 14a further includes a line 16 constituting a manifold. Are connected through valves 16A and 16B.
前記ライン１６には溶媒を保持するタンク１７Ａがライン１８Ａおよび液体質量流量コントローラ１９Ａを介して接続されており、またこれに並列に、それぞれＰｂ、ＺｒおよびＴｉの液体有機金属原料を保持するタンク１７Ｂ、１７Ｃ，１７Ｄが、それぞれライン１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄおよび液体質量流量コントローラ１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄを介して接続されている。 A tank 17A for holding a solvent is connected to the line 16 via a line 18A and a liquid mass flow controller 19A, and a tank 17B for holding liquid organometallic raw materials of Pb, Zr and Ti, respectively, in parallel therewith. , 17C, 17D are connected via lines 18B, 18C, 18D and liquid mass flow controllers 19B, 19C, 19D, respectively.
前記タンク１７Ａ〜１７Ｄの各々には、ライン１８よりＨｅ，Ａｒなどの不活性ガスあるいは窒素ガスなどの圧送ガスが供給されており、前記Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉの液体有機金属原料は前記タンク１７Ａ中の溶媒と共に、それぞれのライン１８Ａ〜１８Ｄおよび対応する液体質量流量コントローラ１９Ａ〜１９Ｄを介して、前記ライン１６からバルブ１６Ａを通って前記噴霧ノズル１４ａに供給される。 Each of the tanks 17A to 17D is supplied with a feed gas such as an inert gas such as He or Ar or a nitrogen gas from a line 18, and the liquid organic metal raw materials of Pb, Zr and Ti are contained in the tank 17A. Are supplied from the line 16 through the valve 16A to the spray nozzle 14a via the respective lines 18A to 18D and the corresponding liquid mass flow controllers 19A to 19D.
本実施例では、前記Ｐｂ，ＺｒおよびＴｉの液体有機金属原料としてそれぞれＰｂ（ＤＰＭ）2，Ｚｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）（ＤＰＭ）3，Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2（ＤＰＭ）2を酢酸ブチル中に溶解したものを、前記タンク１７Ｂ〜１７Ｄ中に保持している。また前記溶媒タンク１７Ａ中には酢酸ブチルを保持している。 In this example, Pb (DPM) 2 , Zr (Oi-Pr) (DPM) 3 , Ti (Oi-Pr) 2 (DPM) 2 are used as the liquid organometallic raw materials of Pb, Zr and Ti, respectively. Is dissolved in butyl acetate in the tanks 17B to 17D. The solvent tank 17A holds butyl acetate.
その際、前記ライン１６の端部にはバルブ１６ＢよりＨｅ，Ａｒなどの不活性ガスあるいは窒素ガスがキャリアガスとして供給され、前記ライン１６中の各種液体原料は、溶媒共々、前記噴霧ノズル１４ａに確実に給送され、気化器１４において気化することにより、気相有機金属原料に変換される。 At that time, an inert gas such as He or Ar or nitrogen gas is supplied as a carrier gas from the valve 16B to the end of the line 16, and various liquid raw materials in the line 16 are supplied to the spray nozzle 14a together with the solvent. By being reliably fed and vaporized in the vaporizer 14, it is converted into a vapor phase organometallic raw material.
このようにして気化器１４において形成された気相有機金属原料は、通常はバルブ１４Ｄおよびバイパスライン１４Ｃを介して冷却トラップ１２Ａに廃棄されるが、前記バルブ１４Ｂを開き前記バルブ１４Ｄを閉じると前記ライン１４Ａからシャワーヘッド１１Ａを介して処理容器１１中に導入され、前記被処理基板Ｗ上に強誘電体膜の堆積を生じる。 The vapor-phase organometallic raw material formed in the vaporizer 14 in this manner is usually discarded to the cooling trap 12A via the valve 14D and the bypass line 14C. However, when the valve 14B is opened and the valve 14D is closed, It is introduced into the processing container 11 from the line 14A through the shower head 11A, and a ferroelectric film is deposited on the substrate W to be processed.
図２は、図１の有機金属ＭＯＣＶＤ装置１０の動作フローチャートを、図３（Ａ）〜（Ｃ）は、図２のフローチャートに対応して図１の有機金属ＭＯＣＶＤ装置１０を用いたＰＺＴ膜の成膜例を示す。 2 shows an operation flowchart of the metal organic MOCVD apparatus 10 of FIG. 1, and FIGS. 3A to 3C correspond to the flowchart of FIG. 2 of the PZT film using the metal organic MOCVD apparatus 10 of FIG. An example of film formation will be shown.
図２を参照するに、最初にバルブ１３Ｃ，１４Ｂが閉じられ、前記処理容器１１が真空ポンプ１２により真空排気される。この状態でステップ１が実行され、Ｉｒ下部電極が形成されたシリコン基板が前記処理容器１１中に導入され、被処理基板Ｗとしてサセプタ１１Ｂ上に保持される。なおステップ１においては、前記液体質量流量コントローラ１９Ａ〜１９Ｄは流量ゼロに設定されている。また被処理基板Ｗは、前記サセプタ１１Ｂ上において６００℃の基板温度に保持されている。 Referring to FIG. 2, the valves 13 </ b> C and 14 </ b> B are first closed, and the processing container 11 is evacuated by the vacuum pump 12. In this state, Step 1 is executed, and the silicon substrate on which the Ir lower electrode is formed is introduced into the processing container 11 and held on the susceptor 11B as the substrate W to be processed. In step 1, the liquid mass flow controllers 19A to 19D are set to zero flow. Further, the substrate W to be processed is held at a substrate temperature of 600 ° C. on the susceptor 11B.
次にステップ２において前記液体質量流量コントローラ１９Ａおよび１９Ｄが、前記気化器１４への全流量が１．２ｍｌ／分になる所定の流量値に設定され、前記タンク１７Ａ中の溶媒およびタンク１７Ｄ中のＴｉ有機金属原料が、前記ライン１６を通って気化器１４に給送され、気化されてＴｉの気相原料が形成される。ただし前記ステップ２の状態ではバルブ１４Ｂが閉じられバルブ１４Ｄが開かれているため、このようにして生成されたＴｉの有機金属原料ガスは、そのままバイパスライン１４Ｃを通って冷却トラップ１２Ａに送られる（プリフロー）。これにより、Ｔｉの気相原料を前記処理容器１１に、安定な流量で供給するための手順である。 Next, in step 2, the liquid mass flow controllers 19A and 19D are set to a predetermined flow rate value at which the total flow rate to the vaporizer 14 is 1.2 ml / min, and the solvent in the tank 17A and the tank 17D. A Ti organometallic raw material is fed to the vaporizer 14 through the line 16 and vaporized to form a Ti vapor phase raw material. However, since the valve 14B is closed and the valve 14D is opened in the state of Step 2, the Ti organometallic source gas generated in this way is directly sent to the cooling trap 12A through the bypass line 14C ( Preflow). This is a procedure for supplying the Ti vapor phase raw material to the processing vessel 11 at a stable flow rate.
なお、先のステップ１の工程では、前記気化器１４に給送される液体有機金属原料の流量は、前記液体質量流量コントローラ１９Ｂ〜１９Ｄによりゼロに設定され、溶媒が所定流量、例えば１．２ｍｌ／分の流量で定常的に供給される。これにより、前記気化器１４において、前記液体有機金属原料の噴霧および気化が安定になされる。また、このように溶媒を継続的に気化器１４に供給することにより、気化器ノズルや気化器内部、さらにライン１６の内部が洗浄される。 In the previous step 1, the flow rate of the liquid organometallic raw material fed to the vaporizer 14 is set to zero by the liquid mass flow controllers 19B to 19D, and the solvent is supplied at a predetermined flow rate, for example, 1.2 ml. It is constantly supplied at a flow rate of / min. Thereby, in the vaporizer 14, the liquid organometallic raw material is sprayed and vaporized stably. Further, by continuously supplying the solvent to the vaporizer 14 in this manner, the vaporizer nozzle, the inside of the vaporizer, and the inside of the line 16 are washed.
一方、このプリフロー工程では、前記酸化ガスのバルブ１３Ｂ，１３Ｃは開放され、酸素ガスが前記質量流量コントローラ１３Ａにより、処理容器１１に、２０００ＳＣＣＭの流量で供給される。その際、前記処理容器１１の排気を、前記処理容器１１とトラップ１２Ａとの間に設けたＡＰＣ（オートプレッシャーコントローラ）１２Ｂを、前記処理容器１１の内部圧力に応じて制御することにより、前記処理容器１１の内部は、所定の、たとえば５３３．３Ｐａの処理圧に設定されている。 On the other hand, in this preflow step, the oxidizing gas valves 13B and 13C are opened, and oxygen gas is supplied to the processing vessel 11 by the mass flow controller 13A at a flow rate of 2000 SCCM. At that time, the processing vessel 11 is controlled by controlling the exhaust pressure of the processing vessel 11 according to the internal pressure of the processing vessel 11 by controlling an APC (auto pressure controller) 12B provided between the processing vessel 11 and the trap 12A. The inside of the container 11 is set to a predetermined processing pressure, for example, 533.3 Pa.
次にステップ３の工程において前記バルブ１４Ｂが開放されバルブ１４Ｄが閉じられ、前記気化器１４において生成されていたＴｉの気相有機金属原料は前記バルブ１４Ｂを介してシャワーヘッド１１Ａに供給され、前記シャワーヘッド１１Ａから前記ライン１３中の酸化ガスと共に、前記処理容器１１中に導入される。ここで、前記シャワーヘッド１１Ａは、いわゆるポストミックス型のシャワーヘッドであり、前記Ｔｉの気相有機金属原料と酸化ガスとは、前記シャワーヘッド１１Ａ中を別々の経路で搬送される。 Next, in the step 3, the valve 14B is opened and the valve 14D is closed, and the vapor phase organometallic raw material of Ti generated in the vaporizer 14 is supplied to the shower head 11A via the valve 14B, and Together with the oxidizing gas in the line 13 from the shower head 11A, it is introduced into the processing vessel 11. Here, the shower head 11A is a so-called post-mix type shower head, and the Ti vapor phase organometallic raw material and the oxidizing gas are conveyed through the shower head 11A through different paths.
これにより、前記処理容器１１中においては図３（Ａ）に示すように、シリコン基板（図示せず）上に形成されたＩｒ下部電極２１上に、ＴｉＯｘ膜２２が形成される。 As a result, a TiOx film 22 is formed on the Ir lower electrode 21 formed on the silicon substrate (not shown) in the processing container 11 as shown in FIG.
次に図２のステップ４の工程において再び前記バルブ１４Ｂが閉じられ、バルブ１４Ｄを開くことにより、前記気化器１４で形成された気相有機金属原料が、バイパスライン１４Ｃを介して冷却トラップ１２Ａに廃棄される（プリフロー）。 Next, in the process of Step 4 in FIG. 2, the valve 14B is closed again, and the valve 14D is opened, whereby the vapor-phase organometallic raw material formed in the vaporizer 14 is transferred to the cooling trap 12A via the bypass line 14C. Discarded (preflow).
このステップ４においては、この間に前記ＰｂおよびＺｒの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラ１９Ｂおよび１９ＣがＰＺＴ膜の成膜のための所定の流量値に設定され、さらにＴｉの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラ１９Ｄの値が、ＰＺＴ膜の成膜に対応した所定の流量値に設定される。その際、前記液体質量流量コントローラ１９Ａも、前記気化器１４への全流量が１．２ｍｌ／分となるように所定流量値に設定され、前記タンク１７Ａ中の溶媒が前記ライン１６を介して気化器１４に供給される。 In this step 4, the liquid mass flow controllers 19B and 19C for supplying the liquid organometallic raw materials of Pb and Zr during this time are set to a predetermined flow rate value for forming the PZT film, and further, the liquid organometallic liquid of Ti The value of the liquid mass flow controller 19D for supplying the raw material is set to a predetermined flow value corresponding to the formation of the PZT film. At that time, the liquid mass flow rate controller 19A is also set to a predetermined flow rate value so that the total flow rate to the vaporizer 14 is 1.2 ml / min, and the solvent in the tank 17A is vaporized via the line 16. Is supplied to the container 14.
その結果、前記気化器１４においてはＰｂの気相有機金属原料、Ｚｒの気相有機金属原料およびＴｉの気相有機金属原料は、前記バイパスライン１４Ｃを介して冷却トラップ１２Ａに廃棄され、これにより、前記処理容器１１への安定な気相原料供給が可能となる。 As a result, in the vaporizer 14, the vapor phase organometallic raw material of Pb, the vapor phase organometallic raw material of Zr, and the vapor phase organometallic raw material of Ti are discarded to the cooling trap 12A via the bypass line 14C. , A stable gas phase raw material can be supplied to the processing vessel 11.
次にステップ５において前記バルブ１４Ｂが開放され、バルブ１４Ｄが閉じられることにより、前記気化器１４中において形成されているＰｂの気相有機金属原料、Ｚｒの気相有機金属原料およびＴｉの気相有機金属原料が前記シャワーヘッド１１Ａに供給され、これにより、図３（Ｂ）に示すように前記Ｉｒ電極２１上のＴｉＯｘ核生成層２２上にＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉが堆積し、図３（Ｃ）に示すようにＰＺＴ膜２３が成膜される。 Next, in step 5, the valve 14B is opened and the valve 14D is closed, so that the vapor phase organometallic raw material of Pb, the vapor phase organometallic raw material of Zr, and the vapor phase of Ti formed in the vaporizer 14 are formed. The organometallic raw material is supplied to the shower head 11A, and as a result, Pb, Zr, and Ti are deposited on the TiOx nucleation layer 22 on the Ir electrode 21 as shown in FIG. ), A PZT film 23 is formed.
さらにステップ５の成膜工程を継続することにより、前記ＰＺＴ膜２３からＰｂが前記ＴｉＯｘ核生成層２２に拡散し、これをＰＴＯ（ＰｂＴｉＯ3）膜２２Ａに変換する。 Further, by continuing the film forming process of step 5, Pb diffuses from the PZT film 23 to the TiOx nucleation layer 22 and is converted into a PTO (PbTiO 3 ) film 22A.
前記ステップ５の工程の後、ステップ６において液体質量流量コントローラ１９Ｂ〜１９Ｄの流量がゼロに設定され、前記処理容器１１への有機金属原料の供給が停止される。またこれに伴い、液体質量流量コントローラ１９Ａの設定が変更され、その結果、前記気化器１４に前記溶媒のみが１．２ｍｌ／分の流量で供給され、前記気化器１４の噴霧ノズル１４ａあるいは気化器１４内部の洗浄が行われる。その際、前記バルブ１４Ｂを閉鎖し、バルブ１４Ｄを開放することにより、このようにして前記気化器１４において気化した溶媒は、前記処理容器１１を迂回し、前記バイパスライン１４Ｃを介して排気される。 After the step 5, the flow rate of the liquid mass flow controllers 19B to 19D is set to zero in step 6, and the supply of the organometallic raw material to the processing container 11 is stopped. Accordingly, the setting of the liquid mass flow rate controller 19A is changed. As a result, only the solvent is supplied to the vaporizer 14 at a flow rate of 1.2 ml / min, and the spray nozzle 14a or vaporizer of the vaporizer 14 is supplied. 14 is cleaned. At that time, by closing the valve 14B and opening the valve 14D, the solvent thus vaporized in the vaporizer 14 bypasses the processing vessel 11 and is exhausted through the bypass line 14C. .
さらに前記ステップ５では、前記質量流量コントローラ１３Ａの流量がゼロに設定されると同時にバルブ１３Ｂ，１３Ｃが閉じられ、前記処理容器１１への酸化ガスの供給が遮断される。 Further, in step 5, the flow rate of the mass flow controller 13A is set to zero, and at the same time, the valves 13B and 13C are closed, and the supply of the oxidizing gas to the processing vessel 11 is shut off.
またこの状態で前記処理容器１１は、別に設けられたパージライン（図示せず）からのＨｅやＡｒなどの不活性ガスにより、パージされる。 In this state, the processing vessel 11 is purged with an inert gas such as He or Ar from a separate purge line (not shown).
さらにステップ７において前記処理容器１１への不活性パージガスの供給は停止され、さらに前記ＡＰＣ１２Ｂを全開することにより、前記処理容器１１が真空引きされる。 Further, in step 7, the supply of the inert purge gas to the processing vessel 11 is stopped, and the processing vessel 11 is evacuated by fully opening the APC 12B.
図４は、前記ＰＺＴ膜２３を様々な厚さのＴｉＯｘ核生成層２２に対して形成した場合の、Ｘ線回折測定結果を示す。 FIG. 4 shows the results of X-ray diffraction measurement when the PZT film 23 is formed on the TiOx nucleation layer 22 having various thicknesses.
図４を参照するに、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を形成しなかった場合には、ＰＺＴ膜２３中に（００１）配向方位を有するＰＺＴ結晶と（１００）配向方位を有するＰＺＴ結晶とがほぼ同数形成され、一方、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を２ｎｍの膜厚に形成した場合には、主に（１００）配向のＰＺＴ結晶がＰＺＴ膜２３中に形成されるのがわかる。これらの場合には、ＰＺＴ膜の強誘電性に寄与する（００１）配向のＰＺＴ結晶が少ないため、得られたＰＺＴ膜２３は望ましい強誘電性を示さない。 Referring to FIG. 4, when the TiOx nucleation layer 22 is not formed, the PZT crystal 23 having the (001) orientation and the PZT crystal having the (100) orientation in the PZT film 23 are substantially the same. On the other hand, when the TiOx nucleation layer 22 is formed to a thickness of 2 nm, it can be seen that (100) -oriented PZT crystals are mainly formed in the PZT film 23. In these cases, since there are few (001) oriented PZT crystals that contribute to the ferroelectricity of the PZT film, the obtained PZT film 23 does not exhibit desirable ferroelectricity.
これに対し、前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚を５ｎｍまで増加させるとＰＺＴ（１００）面からの回折が減少し、さらに前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚を８ｎｍまで増加させると、ＰＺＴ（００１）面からの回折が増加するのがわかる。 On the other hand, when the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 is increased to 5 nm, diffraction from the PZT (100) plane decreases, and when the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 is further increased to 8 nm, PZT ( It can be seen that diffraction from the (001) plane increases.
図５は、図４のＸ線回折パターンに基づいて、ＰＺＴ膜２３中のＰＺＴ（００１）面配向度を、前記ＴｉＯｘ核生成層２２の厚さの関数として示した図である。ただし図５において、縦軸のＰＺＴ（００１）面配向度は、図４のＰＺＴ（１００）面の回折強度ＰＺＴ（１００）およびＰＺＴ（００１）面の回折強度ＰＺＴ（００１）を使って、ＰＺＴ（００１）／（ＰＺＴ（１００）＋ＰＺＴ（００１））と定義している。 FIG. 5 is a diagram showing the degree of orientation of the PZT (001) plane in the PZT film 23 as a function of the thickness of the TiOx nucleation layer 22 based on the X-ray diffraction pattern of FIG. However, in FIG. 5, the degree of orientation of the PZT (001) plane on the vertical axis is calculated by using the diffraction intensity PZT (100) of the PZT (100) plane and the diffraction intensity PZT (001) of the PZT (001) plane of FIG. (001) / (PZT (100) + PZT (001)).
図５より、前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が２ｎｍの場合に前記ＰＺＴ（００１）面配向度は最低になるが、その後前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が増大するにつれて増加に転じ、約５ｎｍ以上で略０．５を超え、特に前記膜厚が８ｎｍを超えると配向度は０．７近くに達し、ＰＺＴ膜２３中の大部分のＰＺＴ結晶が（００１）配向を示すことがわかる。 From FIG. 5, when the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 is 2 nm, the degree of orientation of the PZT (001) plane is the lowest, but thereafter, it increases as the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 increases. When the thickness is about 5 nm or more and exceeds about 0.5, particularly when the film thickness exceeds 8 nm, the degree of orientation reaches near 0.7, and it can be seen that most PZT crystals in the PZT film 23 exhibit (001) orientation. .
さらに前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚を８ｎｍを超えて増大させることにより、前記ＰＺＴ膜２３中のＰＺＴ結晶の（００１）方向への配向をさらに高めることが可能となる。 Furthermore, by increasing the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 beyond 8 nm, the orientation of the PZT crystal in the PZT film 23 in the (001) direction can be further increased.
図６（Ａ），（Ｂ）および図７（Ｃ），（Ｄ）は、このようにして形成されたＰＺＴ膜２３の表面ＳＥＭ写真を示す。ただし図６（Ａ）は前記ＴｉＯｘ核生成層２２を形成せずにＰＺＴ膜２３を形成した場合のＰＺＴ膜２３の表面状態を、図６（Ｂ）は、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を２ｎｍの膜厚に形成した場合のＰＺＴ膜２３の表面状態を、図７（Ｃ）は、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を５ｎｍの膜厚に形成した場合のＰＺＴ膜２３の表面状態を、さらに図７（Ｄ）は、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を８ｎｍの膜厚に形成した場合のＰＺＴ膜２３の表面状態を示す。 6A, 6B, 7C, and 7D show surface SEM photographs of the PZT film 23 formed in this way. However, FIG. 6A shows the surface state of the PZT film 23 when the PZT film 23 is formed without forming the TiOx nucleation layer 22, and FIG. 6B shows the TiOx nucleation layer 22 with a thickness of 2 nm. FIG. 7C shows the surface state of the PZT film 23 when formed to a film thickness, and FIG. 7C further shows the surface state of the PZT film 23 when the TiOx nucleation layer 22 is formed with a film thickness of 5 nm. D) shows the surface state of the PZT film 23 when the TiOx nucleation layer 22 is formed to a thickness of 8 nm.
図６（Ａ）〜図７（Ｄ）を参照するに、前記ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が２ｎｍの場合、図６（Ｂ）に示すように形成されたＰＺＴ膜２３の表面に結晶の異常成長が見られるのがわかる。同様な異常成長は、図７（Ｃ）に示す、ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が５ｎｍの場合にも観察される。 6A to 7D, when the thickness of the TiOx nucleation layer 22 is 2 nm, crystals are formed on the surface of the PZT film 23 formed as shown in FIG. You can see abnormal growth. Similar abnormal growth is also observed when the thickness of the TiOx nucleation layer 22 is 5 nm as shown in FIG.
一方、前記ＴｉＯｘ核生成層２２を形成しなかった図６（Ａ）の場合には、ＰＺＴ膜２３が粗粒結晶の集合体となっており、粗い表面が生じているのがわかる。このようなＰＺＴ膜２３では、表面に上部電極を形成した場合、電界集中が生じやすく、これに伴ってリーク電流が生じやすい問題が生じる。 On the other hand, in the case of FIG. 6A in which the TiOx nucleation layer 22 is not formed, it can be seen that the PZT film 23 is an aggregate of coarse crystals and a rough surface is generated. In such a PZT film 23, when the upper electrode is formed on the surface, electric field concentration is likely to occur, and accordingly, there is a problem that leakage current is likely to occur.
これに対し、図７（Ｄ）に示す、ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が８ｎｍの場合には、ＰＺＴ膜２３の表面における異常成長した巨大結晶の存在は認められず、またＰＺＴ膜は、上部電極を形成するのに適した平坦な表面を有するのがわかる。 On the other hand, when the thickness of the TiOx nucleation layer 22 shown in FIG. 7D is 8 nm, the presence of abnormally grown giant crystals on the surface of the PZT film 23 is not observed, and the PZT film is It can be seen that it has a flat surface suitable for forming the upper electrode.
図８は、前記図６（Ａ）〜７（Ｄ）のＰＺＴ膜について、ＰｂＯの回折ピークの有無を調べた結果を示すＸ線回折パターンである。 FIG. 8 is an X-ray diffraction pattern showing the results of examining the presence or absence of a PbO diffraction peak for the PZT films of FIGS. 6 (A) to 7 (D).
図８を参照するに、ＴｉＯｘ核生成層２２の膜厚が２ｎｍあるいは５ｎｍの場合、ＰＺＴ膜２３からの回折パターン中にＰｂＯｘの回折ピークが含まれているのがわかる。これは、図６（Ｂ）あるいは図７（Ｃ）のＳＥＭ写真で観察された巨大結晶が、異常成長したＰｂＯｘであることを示している。 Referring to FIG. 8, it can be seen that when the film thickness of the TiOx nucleation layer 22 is 2 nm or 5 nm, the diffraction pattern from the PZT film 23 includes a diffraction peak of PbOx. This indicates that the giant crystal observed in the SEM photograph of FIG. 6B or FIG. 7C is abnormally grown PbOx.
一方、このような異常成長が見られない図６（Ａ）あるいは図７（Ｄ）の試料では、ＰｂＯｘの回折ピークも観察されていない。 On the other hand, no diffraction peak of PbOx is observed in the sample of FIG. 6A or FIG. 7D in which such abnormal growth is not observed.
このように、ＭＯＣＶＤ法により、ＰＺＴ膜を（００１）面方位で形成する場合には、核生成層としてＴｉＯｘ膜を、５ｎｍを超えて、好ましくは８ｎｍ以上の膜厚に形成し、前記ＰＺＴ膜を、このようなＴｉＯｘ膜上に形成するのが好ましいことが結論される。
［第２実施例］
先の実施例では、図２のフローチャートに示したように、ステップ３においてＴｉＯｘ核生成層２２を形成した後、ステップ４においてプリフローを行い、気相有機金属原料の供給を安定化させてから、ステップ５のＰＺＴ膜の成膜工程を行っていた。
Thus, when the PZT film is formed in the (001) plane orientation by the MOCVD method, a TiOx film as a nucleation layer is formed to a thickness exceeding 5 nm, preferably 8 nm or more, and the PZT film Is preferably formed on such a TiOx film.
[Second Embodiment]
In the previous embodiment, as shown in the flowchart of FIG. 2, after forming the TiOx nucleation layer 22 in Step 3, preflow is performed in Step 4 to stabilize the supply of the vapor phase organometallic raw material, The PZT film forming process of Step 5 was performed.
しかし、この場合、前記ステップ４のプリフローの間中、被処理基板Ｗは処理容器１１中に保持されたままで、処理容器１１の器壁などに付着したＰｂなど揮発性の不純物による汚染を受けやすい。 However, in this case, the substrate W to be processed is held in the processing container 11 during the preflow in step 4 and is easily contaminated by volatile impurities such as Pb adhering to the wall of the processing container 11. .
これに対し図９は、本発明の第２実施例による、図１のＭＯＣＶＤ装置１０を使ったＰＺＴ膜の成膜シーケンスを示すフローチャートである。ただし図９中、先に説明したステップに対応するステップには同一の符号を付し、説明を省略する。 On the other hand, FIG. 9 is a flowchart showing a PZT film forming sequence using the MOCVD apparatus 10 of FIG. 1 according to the second embodiment of the present invention. However, in FIG. 9, steps corresponding to the steps described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
図９を参照するに、本実施例においてはステップ３のＴｉＯｘ核生成層２２の形成工程の後、先の図２のプロセスにおけるステップ４のプリフローを行わず、直接にステップ１５においてＰＺＴ膜２３の形成を行う。 Referring to FIG. 9, in this embodiment, after the step of forming the TiOx nucleation layer 22 in step 3, the preflow of step 4 in the process of FIG. Form.
このステップ１５のＰＺＴ膜形成工程では、図１のＭＯＣＶＤ装置１０中、液体質量流量コントローラ１９Ａ〜１９Ｄの各々が、ＰＺＴ膜形成のための流量設定値に設定されるが、液体質量流量コントローラはその特性上、流量値が低い場合に応答が遅れる傾向があり、今の場合には、Ｚｒの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラ１９Ｃの応答が遅れ気味になる。 In the PZT film forming process of step 15, each of the liquid mass flow controllers 19A to 19D in the MOCVD apparatus 10 of FIG. 1 is set to a flow rate set value for forming the PZT film. Due to the characteristics, the response tends to be delayed when the flow rate value is low. In this case, the response of the liquid mass flow rate controller 19C that supplies the liquid organic metal raw material of Zr is delayed.
図１のＭＯＣＶＤ装置１０では、各種液体有機金属原料を供給して気相有機金属原料を形成するのに気化器１４が使われるが、かかる気化器１４における液体有機金属原料の気化を所定の気相有機金属原料分圧が得られるように行なうためには、その噴霧ノズル１４ａに供給される液体の総流量が一定である必要がある。そこで、例えば前記液体質量流量コントローラ１９Ｂ〜１９Ｄの流量設定値を変更して、前記ライン１６にそれぞれの液体有機金属原料を所定の流量で供給する場合、同時に溶媒を供給する液体質量流量コントローラ１９Ａの流量設定値を変更して、溶媒流量を減少させることが行われる。 In the MOCVD apparatus 10 of FIG. 1, a vaporizer 14 is used to supply various liquid organometallic raw materials to form a vapor-phase organometallic raw material. In order to obtain a phase organic metal raw material partial pressure, the total flow rate of the liquid supplied to the spray nozzle 14a needs to be constant. Therefore, for example, when changing the flow rate setting values of the liquid mass flow controllers 19B to 19D and supplying each liquid organometallic raw material to the line 16 at a predetermined flow rate, the liquid mass flow controller 19A that supplies the solvent at the same time is used. Changing the flow rate setpoint reduces the solvent flow rate.
一方、このような液体有機金属原料供給系において特定の液体有機金属原料、たとえばＺｒの液体有機金属原料の供給が遅れた場合、図１０に示すようにＰＺＴ膜の成膜開始時に気化器１４に供給される液体の総流量が一時的に減少してしまい、気化により形成される気相有機金属原料の組成比あるいは分圧が、所望のＰＺＴ膜を形成するのに適した値からずれてしまう可能性がある。 On the other hand, when the supply of a specific liquid organic metal raw material, for example, a Zr liquid organic metal raw material, is delayed in such a liquid organic metal raw material supply system, as shown in FIG. The total flow rate of the supplied liquid temporarily decreases, and the composition ratio or partial pressure of the vapor-phase organometallic raw material formed by vaporization deviates from a value suitable for forming a desired PZT film. there is a possibility.
そこで本実施例では、図１１（Ａ）〜（Ｆ）のレシピに示すように、ＴｉＯｘ核生成層２２の形成後、ＰＺＴ膜２３の成膜を開始する際に、Ｚｒ液体金属原料の液体質量流量コントローラ１９Ｃの流量設定変更を、他の液体質量流量コントローラ１９Ａ，１９Ｂおよび１９Ｄの流量設定変更よりも早いタイミングで行う。 Therefore, in this embodiment, as shown in the recipes of FIGS. 11A to 11F, the liquid mass of the Zr liquid metal raw material is started when the PZT film 23 starts to be formed after the TiOx nucleation layer 22 is formed. The flow rate setting of the flow rate controller 19C is changed at a timing earlier than the flow rate setting changes of the other liquid mass flow rate controllers 19A, 19B, and 19D.
図１１（Ａ）〜（Ｆ）を参照するに、図１１（Ａ）は、液体質量流量コントローラ１９Ａにより流量が制御される溶媒の流量変化を、図１１（Ｂ）は、液体質量流量コントローラ１９Ｂにより流量が制御されるＰｂ液体有機金属原料の流量変化を、図１１（Ｃ）は、液体質量流量コントローラ１９Ｄにより流量が制御されるＴｉ液体有機金属原料の流量変化を、図１１（Ｄ）は、液体質量流量コントローラ１９Ｃにより流量が制御されるＺｒ液体有機金属原料の流量変化を示しており、図１１（Ｅ）は、バルブ１４Ｂ，１４Ｄの切り替えによる気化器１４で形成された気相有機金属原料の、バイパスライン１４Ｃおよび処理容器１１のシャワーヘッド１１Ａとの間での切り替えを示す。さらに図１１（Ｆ）は、前記ライン１３を介して処理容器１１中に導入される酸化ガスの流量を示している。 11A to 11F, FIG. 11A shows a change in the flow rate of the solvent whose flow rate is controlled by the liquid mass flow rate controller 19A, and FIG. 11B shows a liquid mass flow rate controller 19B. FIG. 11C shows the flow rate change of the Ti liquid organometallic raw material whose flow rate is controlled by the liquid mass flow rate controller 19D, and FIG. FIG. 11E shows the change in the flow rate of the Zr liquid organometallic raw material whose flow rate is controlled by the liquid mass flow controller 19C. FIG. 11E shows the gas phase organometallic formed by the vaporizer 14 by switching the valves 14B and 14D. Switching of the raw material between the bypass line 14C and the shower head 11A of the processing vessel 11 is shown. Further, FIG. 11F shows the flow rate of the oxidizing gas introduced into the processing container 11 through the line 13.
また図１１（Ａ）〜（Ｆ）中、横軸の（１）は、図９中、ステップ１の真空引き工程に対応し、（２）は図９中、ステップ２のプリフロー工程に対応し、（３）は図９中、ステップ３のＴｉＯｘ核生成層形成工程に対応し、（４）は図９中、ステップ１５のＰＺＴ膜成膜工程に対応し、（５）は図９中、ステップ６のパージ工程に対応し、さらに（６）は図９中、ステップ７の真空引き工程に対応する。 11A to 11F, (1) on the horizontal axis corresponds to the evacuation process in step 1 in FIG. 9, and (2) corresponds to the preflow process in step 2 in FIG. , (3) corresponds to the TiOx nucleation layer forming step in step 3 in FIG. 9, (4) corresponds to the PZT film forming step in step 15 in FIG. 9, and (5) in FIG. Corresponding to the purge process of Step 6, and (6) corresponds to the vacuuming process of Step 7 in FIG.
図１１（Ａ）を参照するに、タンク１７Ａ中の溶媒は、真空引き工程（１）の間は気化器１４に、液体質量流量コントローラ１９Ａにより例えば１．２ｍｌ／分の流量で供給されているが、３０秒間の真空引き工程の後、プリフロー工程（２）において図１１（Ｃ）に示すようにＴｉの液体有機金属原料の供給が、例えば０．２５ｍｌ／分の流量で開始されると、図１１（Ａ）において、その分だけ液体質量流量コントローラ１９Ａの流量設定値が減少され、溶媒流量が例えば０．９５ｍｌ／分の値に設定される。またこれと同時に、バルブ１３Ｂ，１３Ｃが開放され、質量流量コントローラ１３Ａを介して酸化ガスが２０００ＳＣＣＭの流量で、前記シャワーヘッド１１Ａに供給される。前記酸化剤の供給は、（５）のパージ工程が終了するまで継続される。 Referring to FIG. 11A, the solvent in the tank 17A is supplied to the vaporizer 14 by the liquid mass flow controller 19A at a flow rate of, for example, 1.2 ml / min during the evacuation step (1). However, after the evacuation step for 30 seconds, as shown in FIG. 11C, in the preflow step (2), the supply of the liquid organic metal raw material of Ti is started at a flow rate of 0.25 ml / min, for example. In FIG. 11A, the flow rate setting value of the liquid mass flow rate controller 19A is decreased by that amount, and the solvent flow rate is set to a value of, for example, 0.95 ml / min. At the same time, the valves 13B and 13C are opened, and the oxidizing gas is supplied to the shower head 11A through the mass flow controller 13A at a flow rate of 2000 SCCM. The supply of the oxidizing agent is continued until the purge step (5) is completed.
この状態で前記プリフロー工程（２）は１２０秒間継続され、次いでＴｉＯｘ核生成層形成工程（３）においてバルブ１４Ｂ，１４Ｄが切替えられて、Ｔｉの気相有機金属原料が前記シャワーヘッド１１Ａから処理容器１１内に、図１１（Ｅ）に示すように導入される。 In this state, the preflow step (2) is continued for 120 seconds, and then the valves 14B and 14D are switched in the TiOx nucleation layer formation step (3), so that the vapor phase organometallic raw material of Ti is transferred from the shower head 11A to the processing vessel. 11 is introduced as shown in FIG.
前記核生成工程は、図示の例では５０秒間継続され、ＴｉＯｘ核生成層２２が、例えば５ｎｍの膜厚に形成される。 The nucleation step is continued for 50 seconds in the illustrated example, and the TiOx nucleation layer 22 is formed to a thickness of, for example, 5 nm.
その後、ＰＺＴ膜成膜工程（４）の開始と共に、前記液体質量流量コントローラ１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄが制御され、Ｐｂの液体有機金属原料が、図１１（Ｂ）に示すように０．３５ｍｌ／分の流量で、Ｔｉの液体有機金属原料が、図１１（Ｃ）に示すように０．２５ｍｌ／分の流量で、さらに図１１（Ｄ）に示すようにＺｒの液体有機金属原料が、図１１（Ｄ）に示すように０．２９ｍｌ／分の流量で、それぞれ供給される。またこれに伴い、図１１（Ａ）に示すように前記溶媒の流量が０．３１ｍｌ／分に減少され、気化器１４に供給される液体の総流量が１．２０ｍｌ／分に維持される。 Thereafter, the liquid mass flow controllers 19A, 19B, 19C, and 19D are controlled along with the start of the PZT film forming step (4), and the Pb liquid organometallic raw material is 0.35 ml as shown in FIG. The liquid organometallic raw material of Ti is at a flow rate of 0.25 ml / min as shown in FIG. 11 (C), and the liquid organometallic raw material of Zr is as shown in FIG. As shown in FIG. 11 (D), they are supplied at a flow rate of 0.29 ml / min. As a result, as shown in FIG. 11A, the flow rate of the solvent is reduced to 0.31 ml / min, and the total flow rate of the liquid supplied to the vaporizer 14 is maintained at 1.20 ml / min.
その際、図１１（Ｄ）に示すように、流量が少なく供給が遅れがちなＺｒの液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラ１９Ｃでは、流量設定のタイミングを他の液体質量流量コントローラ１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｄに対して２秒間早めている。 At that time, as shown in FIG. 11D, in the liquid mass flow rate controller 19C that supplies the Zr liquid organometallic raw material whose flow rate is low and supply tends to be delayed, the flow rate setting timing is set to the other liquid mass flow rate controller 19A, It is 2 seconds earlier than 19B and 19D.
これにより、図１２に矢印で示すようにシャワーヘッド１１ＡへのＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉの気相有機金属原料の供給は実質的に同時に生じ、形成されるＰＺＴ膜２３の組成変化を最小限に抑制できると同時に、前記気化器１４に供給される液体原料の総流量の変動を最小限に抑制することが可能となる。
［第３実施例］
図１３は、図１のＭＯＣＶＤ装置１０を制御して、例えば図２の成膜プロセスあるいは図９，１１の成膜プロセスを実行させる制御装置１００の構成を示す。
As a result, as shown by arrows in FIG. 12, the supply of the Pb, Zr, and Ti vapor-phase organometallic materials to the shower head 11A occurs substantially simultaneously, and the composition change of the formed PZT film 23 is minimized. At the same time, it is possible to minimize fluctuations in the total flow rate of the liquid raw material supplied to the vaporizer 14.
[Third embodiment]
FIG. 13 shows a configuration of a control apparatus 100 that controls the MOCVD apparatus 10 of FIG. 1 to execute, for example, the film formation process of FIG. 2 or the film formation processes of FIGS.
図１３を参照するに、制御装置１００はシステムバス１０１を備えた汎用コンピュータであり、前記システムバス１０１に接続されて図１のＭＯＣＶＤ装置１０の各部を制御するインターフェースカード１０２を有している。 Referring to FIG. 13, the control device 100 is a general-purpose computer provided with a system bus 101, and has an interface card 102 that is connected to the system bus 101 and controls each part of the MOCVD apparatus 10 of FIG. 1.
より具体的に説明すると、前記システムバス１０１には前記インターフェースカード１０２の他に、ＣＰＵ１０３、メモリ１０４、ＲＯＭ１０５、ネットワークインターフェース１０６、キーボードやマウス、ＣＤＲＯＭドライブなどの入出力デバイス、ハードディスクドライブ１０８、グラフィックカード１０９などが接続されており、前記入出力デバイス１０７はＭＯＣＶＤ装置１０の制御プログラムを記憶した光ディスクあるいは磁気ディスク１１０から前記制御プログラムを読み取り、ハードディスクドライブ１０８に格納する。 More specifically, in addition to the interface card 102, the system bus 101 includes a CPU 103, a memory 104, a ROM 105, a network interface 106, an input / output device such as a keyboard, a mouse, a CDROM drive, a hard disk drive 108, and a graphic card. 109 is connected, and the input / output device 107 reads the control program from the optical disk or the magnetic disk 110 storing the control program of the MOCVD apparatus 10 and stores it in the hard disk drive 108.
そこで前記ＣＰＵ１０３は、前記ＲＯＭ１０５中に記憶されたシステム制御プログラムに従って前記ハードディスク１０８から前記制御プログラムを読出し、これをメモリ１０４に展開する。さらにＣＰＵ１０３は、前記メモリ１０４に展開されたプログラムを実行し、前記インターフェースカード１０２を介して、前記ＭＯＣＶＤ装置１０を、前記図２，９のプログラムあるいは図１１のレシピに従って制御すると共に、前記グラフィックカード１０９を介してモニタ（図示せず）にオペレータのための情報を、必要に応じて表示する。 Therefore, the CPU 103 reads the control program from the hard disk 108 in accordance with the system control program stored in the ROM 105 and expands it in the memory 104. Further, the CPU 103 executes the program developed in the memory 104, controls the MOCVD apparatus 10 via the interface card 102 according to the program of FIGS. 2 and 9 or the recipe of FIG. Information for an operator is displayed on a monitor (not shown) via 109 as necessary.
もちろん、図１３のコンピュータにおいて、前記プログラムはネットワークからネットワークインターフェース１０６を介して与えられるものであってもよい。 Of course, in the computer of FIG. 13, the program may be given from the network via the network interface 106.
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において、様々な変形・変更が可能である。 Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.
例えば本発明は、ＰＺＴにＬａ，Ｃａ，Ｎｂなどの元素をドープしたＰＬＺＴ，ＰＣＺＴ，ＰＮＺＴなどの膜に対しても適用可能である。また本発明においては、ＴｉＯｘを利用したＰＴＯ核付けを行っているので成膜温度を低減することが可能で、実施例で説明した６００℃の温度よりも低い、例えば５５０〜６００℃、場合によっては４５０〜５５０℃の基板温度においても本発明を適用することができる。もちろん、基板温度を６００℃以上に設定した場合でも、本発明は適用可能である。 For example, the present invention can be applied to films such as PLZT, PCZT, and PNZT in which elements such as La, Ca, and Nb are doped in PZT. In the present invention, since the PTO nucleation using TiOx is performed, the film forming temperature can be reduced, and is lower than the temperature of 600 ° C. described in the embodiment, for example, 550 to 600 ° C. The present invention can be applied even at a substrate temperature of 450 to 550 ° C. Of course, the present invention is applicable even when the substrate temperature is set to 600 ° C. or higher.
さらに本発明の実施例では、有機金属原料として、Ｐｂ（ＤＰＭ）2，Ｚｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）（ＤＰＭ）3，Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2（ＤＰＭ）2を酢酸ブチル中に溶解した原料を使ったが、本発明はこれら特定の原料に限定されるものではなく、他の有機金属原料、例えばＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2（ＤＰＭ）2，Ｚｒ（ＤＰＭ）4，Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4，Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）4などを使うことも可能である。 Furthermore, in the Example of this invention, Pb (DPM) 2 , Zr (Oi-Pr) (DPM) 3 , Ti (Oi-Pr) 2 (DPM) 2 is put in butyl acetate as an organometallic raw material. Although dissolved raw materials were used, the present invention is not limited to these specific raw materials, and other organic metal raw materials such as Zr (Oi-Pr) 2 (DPM) 2 , Zr (DPM) 4 , Zr (Ot-Bu) 4 , Ti (Oi-Pr) 4, etc. can also be used.
さらに本実施例では下部電極にＩｒを使っているが、本発明はかかる特定の下部電極に限定されるものではなく、ＰｔやＲｕなどの白金族元素などの金属、さらにはＩｒＯ2，ＳｒＲｕＯ3などの導電性酸化物を使うことも可能である。 Further, in this embodiment, Ir is used for the lower electrode. However, the present invention is not limited to such a specific lower electrode, and metals such as platinum group elements such as Pt and Ru, IrO 2 , SrRuO 3 are also used. It is also possible to use a conductive oxide such as.
１０ ＭＯＣＶＤ装置
１１ 処理容器
１１Ａ シャワーヘッド
１１Ｂ サセプタ
１２ 排気ポンプ
１２Ａ 冷却トラップ
１２Ｃ ドレインタンク
１３ 酸化ガス供給ライン
１３Ａ 質量流量コントローラ
１３Ｂ，１３Ｃ バルブ
１４ 気化器
１４Ａ 気相原料供給ライン
１４Ｂ，１５Ａ，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ バルブ
１４Ｃ バイパスライン
１４Ｄ バイパスバルブ
１４ａ 噴霧ノズル
１５ 噴霧ガスライン
１６，１８Ａ〜１８Ｄ 液体原料供給ライン
１７Ａ〜１７Ｄ 液体原料タンク
１９Ａ〜１９Ｄ 液体質量流量コントローラ
２１ Ｉｒ下部電極
２２ ＴｉＯｘ核生成層
２２Ａ ＰＴＯ膜
２３ ＰＺＴ膜
１００ 汎用コンピュータ
１０１ システムバス
１０２ インターフェースカード
１０３ ＣＰＵ
１０４ メモリ
１０５ ＲＯＭ
１０６ ネットワークインターフェース
１０７ 入出力デバイス
１０８ ハードディスクドライブ
１０９ グラフィックカード
１１０ 記憶媒体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 MOCVD apparatus 11 Processing container 11A Shower head 11B Susceptor 12 Exhaust pump 12A Cooling trap 12C Drain tank 13 Oxidation gas supply line 13A Mass flow controller 13B, 13C Valve 14 Vaporizer 14A Vapor phase raw material supply line 14B, 15A, 16A, 16B 16C valve 14C bypass line 14D bypass valve 14a atomizing nozzle 15 atomizing gas line 16, 18A-18D liquid material supply line 17A-17D liquid material tank 19A-19D liquid mass flow rate controller 21 Ir lower electrode 22 TiOx nucleation layer 22A PTO film 23 PZT film 100 General-purpose computer 101 System bus 102 Interface card 103 CPU
104 memory 105 ROM
106 network interface 107 input / output device 108 hard disk drive 109 graphic card 110 storage medium
Claims (16)
前記下部電極層上にＴｉＯｘよりなる核生成層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、
前記核生成層上に前記ペロブスカイト構造の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、を含み、
前記核生成層を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ層を、５ｎｍを超える厚さに形成する工程を含むことを特徴とする成膜方法。 A film forming method for forming a ferroelectric film having a perovskite structure on a lower electrode layer,
Forming a nucleation layer made of TiOx on the lower electrode layer by MOCVD;
Forming a perovskite structure ferroelectric film on the nucleation layer by MOCVD,
The step of forming the nucleation layer includes a step of forming the TiOx layer to a thickness exceeding 5 nm.
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記核生成層上にＰｂの液体有機金属原料と、前記Ｔｉの液体有機金属原料と、Ｚｒの液体有機金属原料とを、前記溶媒と共に前記気化器において気化させて供給する第２の工程よりなり、
前記第１の工程において前記気化器に供給される前記Ｔｉの液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和は、前記第２の工程において前記気化器に供給される前記Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの各液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和に等しく設定され、
前記第２の工程は、前記第１の工程に引き続き、直ちに実行されることを特徴とする請求項４または５記載の成膜方法。 The step of forming the nucleation layer comprises a first step of supplying a liquid organic metal raw material of Ti on the lower electrode layer by vaporizing it with a solvent in a vaporizer, and the step of forming the ferroelectric film comprises From the second step, the Pb liquid organometallic raw material, the Ti liquid organometallic raw material, and the Zr liquid organometallic raw material are vaporized in the vaporizer and supplied together with the solvent onto the nucleation layer. Become
The sum of the flow rate of the liquid organic metal raw material of Ti and the solvent supplied to the vaporizer in the first step is the sum of the flow rates of the Pb, Ti, and Zr supplied to the vaporizer in the second step. Set equal to the sum of the flow rates of the liquid organometallic raw material and the solvent,
6. The film forming method according to claim 4, wherein the second step is performed immediately after the first step.
前記第２の工程においては、最も流量の少ない液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定が、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定に先立って変化されることを特徴とする請求項６記載の成膜方法。 In the first and second steps, the liquid organometallic raw materials of Pb, Ti, and Zr are supplied to the vaporizer via respective liquid mass flow controllers,
In the second step, the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is changed prior to the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the other liquid organometallic raw material. The film forming method according to claim 6.
前記ソフトウェアは前記堆積装置に、下部電極層上にペロブスカイト構造の強誘電体膜を形成する成膜方法を実行させ、前記成膜方法は、
前記下部電極層上にＴｉＯｘよりなる核生成層をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、
前記核生成層上に前記ペロブスカイト構造の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、を含み、
前記核生成層を形成する工程は、前記ＴｉＯｘ層を５ｎｍを超える厚さに形成する工程を含むことを特徴とするコンピュータ記憶媒体。 When executed, the general purpose computer is a computer storage medium having recorded software for controlling the deposition apparatus,
The software causes the deposition apparatus to execute a film forming method for forming a ferroelectric film having a perovskite structure on a lower electrode layer, and the film forming method includes:
Forming a nucleation layer made of TiOx on the lower electrode layer by MOCVD;
Forming a perovskite structure ferroelectric film on the nucleation layer by MOCVD,
The step of forming the nucleation layer includes the step of forming the TiOx layer to a thickness exceeding 5 nm.
前記強誘電体膜を形成する工程は、前記核生成層上にＰｂの液体有機金属原料と、前記Ｔｉの液体有機金属原料と、Ｚｒの液体有機金属原料とを、前記溶媒と共に前記気化器において気化させて供給する第２の工程よりなり、
前記第１の工程において前記気化器に供給される前記Ｔｉの液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和は、前記第２の工程において前記気化器に供給される前記Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの各液体有機金属原料と前記溶媒の流量の総和に等しく設定され、
前記第２の工程は、前記第１の工程に引き続き、直ちに実行されることを特徴とする請求項１２または１３記載のコンピュータ記憶媒体。 The step of forming the nucleation layer comprises a first step of supplying a liquid organic metal raw material of Ti on the lower electrode layer by vaporizing it with a solvent in a vaporizer, and the step of forming the ferroelectric film comprises From the second step, the Pb liquid organometallic raw material, the Ti liquid organometallic raw material, and the Zr liquid organometallic raw material are vaporized in the vaporizer and supplied together with the solvent onto the nucleation layer. Become
The sum of the flow rate of the liquid organic metal raw material of Ti and the solvent supplied to the vaporizer in the first step is the sum of the flow rates of the Pb, Ti, and Zr supplied to the vaporizer in the second step. Set equal to the sum of the flow rates of the liquid organometallic raw material and the solvent,
The computer storage medium according to claim 12 or 13, wherein the second step is executed immediately after the first step.
前記第２の工程においては、最も流量の少ない液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定が、他の液体有機金属原料を供給する液体質量流量コントローラの流量設定に先立って変化されることを特徴とする請求項１４記載のコンピュータ記憶媒体。 In the first and second steps, the liquid organometallic raw materials of Pb, Ti, and Zr are supplied to the vaporizer via respective liquid mass flow controllers,
In the second step, the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the liquid organic metal raw material with the smallest flow rate is changed prior to the flow rate setting of the liquid mass flow rate controller that supplies the other liquid organometallic raw material. The computer storage medium according to claim 14.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005176059A JP4536607B2 (en) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | Film forming method and computer storage medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006351827A true JP2006351827A (en) | 2006-12-28 |
| JP4536607B2 JP4536607B2 (en) | 2010-09-01 |
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ID=37647353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2005176059A Expired - Fee Related JP4536607B2 (en) | 2005-06-16 | 2005-06-16 | Film forming method and computer storage medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4536607B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
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