JP2006348303A - シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 - Google Patents
シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006348303A JP2006348303A JP2006208631A JP2006208631A JP2006348303A JP 2006348303 A JP2006348303 A JP 2006348303A JP 2006208631 A JP2006208631 A JP 2006208631A JP 2006208631 A JP2006208631 A JP 2006208631A JP 2006348303 A JP2006348303 A JP 2006348303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone
- material composition
- acetate
- based material
- ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料と、1気圧下の沸点が150〜300℃であり熱硬化前で5質量%以下の高沸点溶剤と、を含有してなるシリコーン系材料組成物であり、該シリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布した後に形成された塗膜をリフローさせる用途に用いられるシリコーン系材料組成物。
【選択図】 なし
Description
(式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基、R’は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基、nは0、1又は2を意味する)で表される化合物が好ましい。
ル、メチルシクロヘキサノン、フルフリルアルコール、メトキシブチルアセテート、ブチルセロソルブ、3−メチル−3−メトキシブタノール、n−デカン、シクロヘキシルアセテート、メチルカーバメート、ジクロルエチルエーテル、テトラヒドロフルフリルアルコール、o−ジクロルベンゼン、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、アセト酢酸エチル、スワゾール1500、石炭酸、2−エチルヘキサノール、アニリン、プロピレングリコール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、エチレングリコールジアセテート、ベンゾニトリル、デカリン、ブチルセロソルブアセテート、ジメチルアニリン、メチルカルビトール、オクタノール−1、パインオイル、エチレングリコール、2−エチルヘキシルアセテート、安息香酸メチル、ヘキシレングリコールなどがある。さらに200℃から300℃の範囲で沸点を持つ有機溶剤としてはスワゾール1800、アセトフェノン、カービトール、N−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールジブチルエーテル、フェニルメチルカービノール、ベンジルアルコール、テトラリン、1,3−ブチレングリコール、ニトロベンゼン、タービネオール、イソホロン、メチルベンジルアルコール、カービトールアセテート、アセトアミド、サリチル酸メチル、ブチルカービトール、キノリン、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリアセチンなどがある。これらの有機溶剤は単独で使用しても数種類を混合して使用しても良い。
テトラメトキシシランとメチルトリメトキシシランを等モルで混合した後、この混合物を多量のイソプロピルアルコール中に溶解させ、水と少量のりん酸を変化させて加えた後撹拌してテトラメトキシシラン及びメチルトリメトキシシランの部分加水分解及び重縮合を行い、シリコーン系材料のイソプロピルアルコール液(シリコーン系材料組成物)を得た。この組成物中、シリコーン系材料には5質量%の水酸基と7質量%のアルコキシ基が含まれていた。水酸基とアルコキシ基の量は、シリコーン系材料組成物を核磁気共鳴スペクトル分析し、得られたチャートの各ピークの帰属とそのピークの面積強度を決定し、この結果に基づいて計算し決定した。これは、以下においても同様である。
テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン及びジメチルジメトキシシランを等モルで混合した後この混合物を多量のn−ブチルアルコールと少量(n−ブチルアルコールに対して10重量%)の高沸点溶剤であるブチルカルビトールとグリセリンの同重量混合物からなる混合溶剤中に溶解させ、水と少量のりん酸を加えた後撹拌して部分加水分解及び重縮合させてシリコーン系材料の溶液(シリコーン系材料組成物)を得た。このシリコーン系材料には2質量%の水酸基と10質量%のアルコキシ基が含まれていた。上記のシリコーン系材料組成物を用いたこと以外は、実施例1と同様に配線の層間絶縁膜を形成したところ平坦性は91%と優れていた。上記のシリコーン系材料組成物から形成された塗膜4は硬化前はアモルファス状態であったものが硬化後は結晶状態となった。硬化後の塗膜(シリカ系被膜)4にクラックの発生はなかった。
米国オーエンス・イリノイス(Owens Illinois)社製ラダーシリコーンオリゴマ(水酸基:4質量%、アルコキシ基:4質量%)を5質量%のジエチレングリコールジエチルエーテルを含むイソプロピルアルコールに溶解させ、シリコーン系材料のイソプロピルアルコール溶液(シリコーン系材料組成物)を得た。このシリコーン系材料組成物を用いたこと以外は実施例1と同様にして層間絶縁膜を形成した。得られた層間絶縁膜の平坦性は89%であり、優れたものであった。また、上記のシリコーン系材料組成物から形成された塗膜4は硬化前はアモルファス状態であったが、硬化後に結晶状態に変化した。硬化後の塗膜(シリカ系被膜)4にクラックの発生はなかった。
テトラメトキシシランとメチルトリメトキシシランを等モルで混合した後、この混合物を多量のイソプロピルアルコール中に溶解させ、水と少量のりん酸を実施例1とは異なった量で加えた後撹拌してシリコーン系材料のイソプロピルアルコール溶液を得た。このシリコーン系材料には3質量%の水酸基を含んでいたが、アルコキシ基は含まれていなかった。実施例1と同様に配線の層間絶縁膜を形成したところ平坦性は64%であり、劣っていた。上記のシリコーン系材料のイソプロピルアルコール溶液から形成された塗膜は硬化前及び硬化後で結晶状態であった。
テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン及びジメチルジメトキシシランを等モルで混合した後、この混合物を多量のイソプロピルアルコール中に溶解させ、水と少量のりん酸を実施例1とは異なった量で加えた後撹拌してシリコーン系材料のイソプロピルアルコール溶液を得た。このシリコーン系材料には水酸基もアルコキシ基も含まれていなかった。実施例1と同様に配線の層間絶縁膜を形成したところ平坦性は60%であり、劣っていた。上記のシリコーン系材料のイソプロピルアルコール溶液から形成された塗膜は硬化前及び硬化後で結晶状態であった。
Claims (5)
- 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料と、1気圧下の沸点が150〜300℃であり熱硬化前で5質量%以下の高沸点溶剤と、を含有してなるシリコーン系材料組成物であり、該シリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布した後に形成された塗膜をリフローさせる用途に用いられるシリコーン系材料組成物。
- 前記シリコーン系材料が、アルコキシシラン化合物の部分加水分解物を含むものである、請求項1記載のシリコーン系材料組成物。
- 前記アルコキシシラン化合物の部分加水分解物が、熱硬化前には水酸基を1〜20質量%及びアルコキシ基を1〜15質量%含むものである、請求項2記載のシリコーン系材料組成物。
- 前記高沸点溶剤が、n−ノナン、キュメン、ジメチルホルムアミド、アニソール、乳酸エチル、シクロヘキサノン、エチルアミルケトン、セロソルブアセテート、4−メトキシ−4−メチルペンタノン−2、ヘキサノール−1、メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフラール、五塩化エタン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、ジアセトンアルコール、メチルシクロヘキサノン、フルフリルアルオール、メトキシブチルアセテート、ブチルセロソルブ、3−メチル−3−メトキシブタノール、n−デカン、シクロヘキシルアセテート、メチルカーバメート、ジクロルエチルエーテル、テトラヒドロフルフリルアルコール、o−ジクロルベンゼン、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、アセト酢酸エチル、スワゾール1500、石炭酸、2−エチルヘキサノール、アニリン、プロピレングリコール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、エチレングリコールジアセテート、ベンゾニトリル、デカリン、ブチルセロソルブアセテート、ジメチルアニリン、メチルカルビトール、オクタノール−1、パインオイル、エチレングリコール、2−エチルヘキシルアセテート、安息香酸メチル、ヘキシレングリコール、スワゾール1800、アセトフェノン、カービトール、N−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールジブチルエーテル、フェニルメチルカービノール、ベンジルアルコール、テトラリン、1,3−ブチレングリコール、ニトロベンゼン、タービネオール、イソホロン、メチルベンジルアルコール、カービトールアセテート、アセトアミド、サリチル酸メチル、ブチルカービトール、キノリン、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びトリアセチンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコーン系材料組成物。
- 前記高沸点溶剤の1気圧下の沸点が200〜300℃である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコーン系材料組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006208631A JP4349390B2 (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006208631A JP4349390B2 (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25803396A Division JP3864464B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | シリカ系被膜の製造方法及び塗膜の平坦化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006348303A true JP2006348303A (ja) | 2006-12-28 |
JP4349390B2 JP4349390B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=37644454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006208631A Expired - Fee Related JP4349390B2 (ja) | 2006-07-31 | 2006-07-31 | シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4349390B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012141208A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | シロキサン樹脂含有塗布組成物 |
JP2014072248A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Asahi Kasei E-Materials Corp | トレンチ埋め込み用縮合反応物溶液、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法 |
KR20160122204A (ko) | 2014-11-12 | 2016-10-21 | 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 | 평탄화막 형성 도포액 및 평탄화막을 구비한 금속박 코일 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10020185B2 (en) | 2014-10-07 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device |
KR101833800B1 (ko) | 2014-12-19 | 2018-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자 |
KR101837971B1 (ko) | 2014-12-19 | 2018-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스 |
KR20170014946A (ko) | 2015-07-31 | 2017-02-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006208631A patent/JP4349390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012141208A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | シロキサン樹脂含有塗布組成物 |
US8906993B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-12-09 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition containing siloxane resin |
JP2014072248A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Asahi Kasei E-Materials Corp | トレンチ埋め込み用縮合反応物溶液、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法 |
KR20160122204A (ko) | 2014-11-12 | 2016-10-21 | 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 | 평탄화막 형성 도포액 및 평탄화막을 구비한 금속박 코일 |
CN106232749A (zh) * | 2014-11-12 | 2016-12-14 | 新日铁住金高新材料株式会社 | 用于形成平坦化膜的涂敷液和带有平坦化膜的金属箔卷材 |
TWI586768B (zh) * | 2014-11-12 | 2017-06-11 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co Ltd | A coating liquid for forming a flattened film, and a metal foil coil with a flattening film |
US10472543B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-11-12 | Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. | Coating liquid for forming planarization film and metal foil coil with planarization film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4349390B2 (ja) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4349390B2 (ja) | シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 | |
US20070178319A1 (en) | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device | |
TWI431040B (zh) | Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure | |
JP2003528021A (ja) | 多孔質シリカ薄膜のプラズマ処理 | |
WO2005108469A1 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 | |
TW200400237A (en) | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts | |
WO2015146524A1 (ja) | パターン形成方法 | |
US6599846B2 (en) | Method of forming a silica-containing coating film with a low dielectric constant and semiconductor substrate coated with such a film | |
JP2001098224A (ja) | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 | |
JP4437456B2 (ja) | 塗膜形成方法 | |
KR101790493B1 (ko) | 실록산 수지 조성물의 경화 피막 형성 방법 | |
JP2001098218A (ja) | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 | |
JP3864464B2 (ja) | シリカ系被膜の製造方法及び塗膜の平坦化方法 | |
WO2008014630A1 (en) | Photosensitive materials and uses thereof | |
JP2003115482A (ja) | 絶縁膜形成用組成物 | |
JP4079383B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液 | |
JP2002201416A (ja) | 半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び半導体装置 | |
JP2004266068A (ja) | 多孔質シリカ系薄膜の製造方法 | |
KR101940171B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
JP2000049154A (ja) | シリカ系被膜の製造法及び半導体装置の製造法 | |
JP2001237240A (ja) | 低誘電率膜及びこの低誘電率膜を有する半導体素子 | |
TW201922934A (zh) | 樹脂組成物、其硬化膜、具備該硬化膜的半導體元件及半導體元件的製造方法 | |
JP2004285254A (ja) | 膜形成組成物およびその製造方法 | |
JP2003253203A (ja) | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品 | |
JP2010093111A (ja) | 塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、この組成物を用いた塗布型無機シリカ系被膜、及び、この被膜を有する電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090512 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20090630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090713 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130731 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |