JP2006339555A - Method, apparatus and system for heat-treating substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method, apparatus and system for heat-treating a substrate in which individual differences among apparatuses for heat-treating a substrate can be easily canceled. <P>SOLUTION: In this apparatus for heat-treating a substrate, the individual differences are canceled. In a heating unit HP1, a substrate W is heat-treated while being placed on a placing plate 11. The placing plate 11 comprises a heat pipe structure and by applying an electric current to a heater 15 which is a heat-generating resistor to evaporate a hydraulic fluid 16, a substrate W placed on a placing surface 11a is heated. In an apparatus comprising a plurality of such heating units HP1 for causing these heating units HP1 to perform the same heat-treatment, by attaching a screw for a balancer which is made of the same material as that of a female screw 29 to the female screw 29 to make weights of different placing plates 11 in different apparatuses even and consequently to make calorific capacities of the different placing plates 11 equal, individual differences among different apparatuses can be canceled. Alternatively, by attaching a variable resistance to the heater 15, different plate resistance values of different placing plates 11 may be made even. Further alternatively, values of the electric power output to the heater 15 may be amended based on the weights and resistance values of different placing plates 11. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プレート上に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を載置して熱処理を行う基板熱処理装置、その基板熱処理装置を使用した基板熱処理方法、およびその基板熱処理装置を複数備える基板熱処理システムに関する。   The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for performing a heat treatment by placing a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as “substrate”) on a plate, The present invention relates to a substrate heat treatment method using a substrate heat treatment apparatus, and a substrate heat treatment system including a plurality of substrate heat treatment apparatuses.

半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製造工程においては、上記基板に対して多数の熱処理が実行される。例えば、基板の密着強化処理を行うときにはHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気中で熱処理が行われ、基板にフォトレジストを塗布した後にレジスト膜を形成するときにも熱処理が行われる。また、特に、化学増幅型レジストを使用した場合に行われる露光後加熱処理はデバイス特性に大きな影響を与える重要な工程である。このような熱処理を行うユニットとして多く使用されているのが発熱抵抗体を組み込んだプレート上に基板を載置して該基板を加熱する基板熱処理装置である。   In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display, a number of heat treatments are performed on the substrate. For example, heat treatment is performed in a vapor atmosphere of HMDS (hexamethyldisilazane) when performing a substrate adhesion strengthening process, and heat treatment is also performed when a resist film is formed after applying a photoresist to the substrate. In particular, the post-exposure heat treatment performed when a chemically amplified resist is used is an important step that greatly affects device characteristics. A substrate heat treatment apparatus that heats a substrate by placing the substrate on a plate incorporating a heating resistor is often used as a unit for performing such heat treatment.

このような発熱抵抗体を熱源とする熱処理ユニットにおいては、一般にPID制御(Proportional-Integral-Derivative)によってプレートの温調を行っている。周知のように、PID制御はフィードバック制御の一態様であり、プレートに設けられた温度センサからの検知信号に基づいて、発熱抵抗体への出力を制御するのである。このときの制御態様は設定されたPID定数によって異なる。特許文献1には、処理内容に応じてPID定数を変更する技術、例えばプレート温度を変更するときとプレート上で基板の熱処理を行うときとでPID定数を変更することが開示されている。   In a heat treatment unit using such a heating resistor as a heat source, the temperature of the plate is generally controlled by PID control (Proportional-Integral-Derivative). As is well known, PID control is an aspect of feedback control, and controls output to a heating resistor based on a detection signal from a temperature sensor provided on a plate. The control mode at this time varies depending on the set PID constant. Patent Document 1 discloses a technique for changing the PID constant according to the processing content, for example, changing the PID constant when changing the plate temperature and when performing heat treatment of the substrate on the plate.

特開2000−294473号公報JP 2000-294473 A

ところで、近年のデザインルール高精度化の進展に伴って、基板の熱処理に対する温度精度の要求も益々厳しいものとなってきている。特に、上述した化学増幅型レジストを使用した場合における露光後加熱処理については、設定温度に対する許容誤差が0.05℃以内という非常に厳しい精度が要求されるようになってきている。   By the way, with the recent progress of higher precision design rules, the temperature accuracy requirement for the heat treatment of the substrate has become increasingly severe. In particular, with regard to the post-exposure heat treatment in the case of using the above-described chemically amplified resist, an extremely strict accuracy that an allowable error with respect to a set temperature is within 0.05 ° C. has been required.

また、温度精度に対する要求と同時に、基板を投入後に所定の処理温度にプレート温度が復帰するまでの時間短縮も望まれている。これは、迅速に所定の処理温度にプレート温度を復帰させることは、基板の熱処理に対する熱処理ユニット間差を低減させることに繋がるからである。   In addition to the requirement for temperature accuracy, it is also desired to shorten the time until the plate temperature returns to a predetermined processing temperature after the substrate is loaded. This is because promptly returning the plate temperature to a predetermined processing temperature leads to a reduction in the difference between the heat treatment units for the heat treatment of the substrate.

一方、同一の規格・仕様にて製造された熱処理ユニットであってもユニット間に不可避的な製造誤差(いわゆる「公差」或いは「機差」)が存在する。このような熱処理ユニット間の機差が存在する状況において、上述した温度精度に対する要求や処理温度復帰までの時間短縮要求を満足するためには、ユニットごとにPID定数を最適化して設定することが必要となる。つまり、ある熱処理ユニットについて最適なPID定数であっても、機差が存在するために他の熱処理ユニットについては最適でない場合もあり、1つの熱処理ユニットについて最適化したPID定数をそのまま他のユニットにも適用するという手法では、それら他のユニットについては必ずしも上記要求水準を満たす温度精度や処理温度までの復帰時間が得られないことがあったのである。   On the other hand, even heat treatment units manufactured according to the same standard / specification have unavoidable manufacturing errors (so-called “tolerance” or “machine difference”) between the units. In such a situation where there is a difference between heat treatment units, in order to satisfy the above-described requirement for temperature accuracy and the requirement for shortening the time to return to the treatment temperature, it is possible to optimize and set the PID constant for each unit. Necessary. In other words, even if the PID constant is optimal for a certain heat treatment unit, it may not be optimal for other heat treatment units due to machine differences. The PID constant optimized for one heat treatment unit may be used as it is for another unit. In such a method, the temperature accuracy satisfying the above required level and the return time to the processing temperature may not always be obtained for these other units.

しかしながら、PID定数を最適化する作業は繁雑なものであり、レジスト塗布処理や現像処理を行う装置に搭載されている多数の熱処理ユニットの全てについて逐一PID定数の最適化作業を行っていたのでは膨大な時間を要するという問題があった。   However, the work of optimizing the PID constant is complicated, and the optimization work of the PID constant has not been carried out for every one of the many heat treatment units mounted on the apparatus for performing the resist coating process and the development process. There was a problem that it took an enormous amount of time.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる基板熱処理方法、基板熱処理装置および基板熱処理システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate heat treatment method, a substrate heat treatment apparatus, and a substrate heat treatment system that can easily eliminate the machine differences existing between the substrate heat treatment apparatuses. To do.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、プレート上に基板を載置して熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち最大重量を有するプレート以外のプレートのそれぞれに重量調整部材を取り付けて当該プレートの重量を前記最大重量に調整する工程を備える。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is a substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses for performing a heat treatment by placing a substrate on a plate and performing the heat treatment, the plurality of substrates A step of adjusting the weight of the plate to the maximum weight by attaching a weight adjusting member to each plate other than the plate having the maximum weight among the plates provided in the heat treatment apparatus.

また、請求項2の発明は、プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち発熱抵抗体の抵抗値が最大値であるプレート以外のプレートのそれぞれに取り付けられた可変抵抗の抵抗値を変化させることによって当該プレートの抵抗値を前記最大値に調整する工程を備える。   Further, the invention of claim 2 is a substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat-treat the substrate by a heating resistor incorporated in the plate perform the same heat treatment. The resistance value of the variable resistor attached to each of the plates other than the plate having the maximum resistance value of the heating resistor among the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses is changed. Adjusting the resistance value to the maximum value.

また、請求項3の発明は、プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートの平均重量を算定する平均重量算定工程と、前記複数の基板熱処理装置に備えられた発熱抵抗体の平均抵抗値を算定する平均抵抗値算定工程と、前記複数の基板熱処理装置のそれぞれのプレート温度を測定する測温工程と、前記複数の基板熱処理装置のそれぞれについて、前記測温工程にて得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいてプレートへの標準出力値を算定する算定工程と、前記複数の基板熱処理装置のそれぞれについて、前記平均重量に対する当該基板熱処理装置のプレート重量の重量比および前記平均抵抗値に対する当該基板熱処理装置の発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定する補正工程と、を備える。   Further, the invention of claim 3 is a substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat-treat the substrate with a heating resistor incorporated in the plate perform the same heat treatment. An average weight calculating step for calculating an average weight of the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses, and an average resistance value calculation for calculating an average resistance value of the heating resistors provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses. A temperature measuring step of measuring the plate temperature of each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, and a measurement temperature obtained in the temperature measurement process and a plate setting temperature for each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses And calculating a standard output value to the plate, and for each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, the plate of the substrate heat treatment apparatus with respect to the average weight. And a correction step of calculating the final output value to the plate resistor ratio of the resistance value of the heating resistor by multiplying the standard output value of the substrate heat treatment apparatus to weight ratio and the average resistance value of the weight.

また、請求項4の発明は、プレート上に基板を載置して熱処理を行う基板熱処理装置であって、前記プレートに重量調整部材を着脱可能な取付部を備えている。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus for performing a heat treatment by placing a substrate on a plate, and further comprising a mounting portion to which a weight adjusting member can be attached and detached.

また、請求項5の発明は、プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、前記発熱抵抗体に可変抵抗を取り付けている。   The invention of claim 5 is a substrate heat treatment apparatus for placing a substrate on a plate and heat-treating the substrate with a heating resistor incorporated in the plate, wherein a variable resistor is attached to the heating resistor. Yes.

また、請求項6の発明は、プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、前記プレートの温度を測定する測温手段と、前記測温手段によって得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいて前記プレートへの標準出力値を算定する算定手段と、所定の標準重量に対する前記プレートのプレート重量の重量比および所定の標準抵抗値に対する前記発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによって当該プレートへの最終出力値を算定する補正手段と、を備える。   Further, the invention of claim 6 is a substrate heat treatment apparatus for placing a substrate on a plate and performing heat treatment of the substrate by a heating resistor incorporated in the plate, wherein the temperature measuring means measures the temperature of the plate. Calculating means for calculating a standard output value to the plate based on the measured temperature obtained by the temperature measuring means and the plate set temperature, a weight ratio of the plate weight of the plate to a predetermined standard weight, and a predetermined Correction means for calculating a final output value to the plate by multiplying the standard output value by a resistance ratio of the resistance value of the heating resistor to a standard resistance value.

また、請求項7の発明は、プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置を備えた基板熱処理システムであって、前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートの平均重量を算定する平均重量算定手段と、前記複数の基板熱処理装置に備えられた発熱抵抗体の平均抵抗値を算定する平均抵抗値算定手段と、を備え、前記複数の基板熱処理装置のそれぞれに、当該基板熱処理装置のプレート温度を測定する測温手段と、前記測温手段によって得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいてプレートへの標準出力値を算定する算定手段と、前記平均重量に対する前記プレートのプレート重量の重量比および前記平均抵抗値に対する当該基板熱処理装置の発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定する補正手段と、を備える。   The invention of claim 7 is a substrate heat treatment system comprising a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat treat the substrate with a heating resistor incorporated in the plate, Average weight calculation means for calculating the average weight of the plates provided in the substrate heat treatment apparatus, and average resistance value calculation means for calculating the average resistance value of the heating resistors provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses. , A temperature measuring means for measuring the plate temperature of the substrate heat treatment apparatus for each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, and a standard output value to the plate based on the measured temperature and the plate set temperature obtained by the temperature measurement means Calculating means for calculating the resistance of the heating resistor of the substrate heat treatment apparatus with respect to the weight ratio of the plate weight of the plate to the average weight and the average resistance value It comprises a correcting means for calculating a final output value to the plate by multiplying the resistance ratio of the values in the standard output value.

請求項1の発明によれば、複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち最大重量を有するプレート以外のプレートのそれぞれに重量調整部材を取り付けて当該プレートの重量を前記最大重量に調整しているため、各基板処理装置のプレート重量を揃えて熱容量を均一にすることができ、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる。   According to the first aspect of the present invention, the weight adjusting member is attached to each of the plates other than the plate having the maximum weight among the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses, and the weight of the plate is adjusted to the maximum weight. Therefore, the plate weights of the respective substrate processing apparatuses can be made uniform to make the heat capacity uniform, and the machine difference existing between the substrate heat treatment apparatuses can be easily eliminated.

また、請求項2の発明によれば、複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち発熱抵抗体の抵抗値が最大値であるプレート以外のプレートのそれぞれに取り付けられた可変抵抗の抵抗値を変化させることによって当該プレートの抵抗値を前記最大値に調整しているため、各基板処理装置のプレート抵抗値を揃えて発熱量を均一にすることができ、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる。   According to the invention of claim 2, the resistance value of the variable resistor attached to each of the plates other than the plate having the maximum resistance value of the heating resistor among the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses is obtained. Since the resistance value of the plate is adjusted to the maximum value by changing, the plate resistance value of each substrate processing apparatus can be made uniform so that the heat generation amount can be made uniform. Can be solved easily.

また、請求項3の発明によれば、複数の基板熱処理装置のそれぞれについて、平均重量に対する当該基板熱処理装置のプレート重量の重量比および平均抵抗値に対する当該基板熱処理装置の発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定しているため、プレートの重量および抵抗値を考慮した出力値補正を行うことができ、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる。   According to the invention of claim 3, for each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, the weight ratio of the plate weight of the substrate heat treatment apparatus to the average weight and the resistance value of the heating resistor of the substrate heat treatment apparatus with respect to the average resistance value Since the final output value to the plate is calculated by multiplying the resistance ratio by the standard output value, the output value can be corrected considering the weight and resistance value of the plate. Can be solved easily.

また、請求項4の発明によれば、プレート上に基板を載置して熱処理を行う基板熱処理装置であって、プレートに重量調整部材を着脱可能な取付部を備えているため、プレートに重量調整部材を取り付けるだけで簡単に基板熱処理装置間に存在する機差を解消することができる。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus for performing a heat treatment by placing a substrate on a plate, and the plate is provided with an attachment portion to which a weight adjusting member can be attached and detached. The machine difference existing between the substrate heat treatment apparatuses can be easily eliminated simply by attaching the adjusting member.

また、請求項5の発明によれば、発熱抵抗体に可変抵抗を取り付けているため、可変抵抗の抵抗値を変化させるだけで簡単に基板熱処理装置間に存在する機差を解消することができる。   According to the invention of claim 5, since the variable resistor is attached to the heating resistor, the machine difference existing between the substrate heat treatment apparatuses can be easily eliminated by simply changing the resistance value of the variable resistor. .

また、請求項6の発明によれば、所定の標準重量に対するプレートのプレート重量の重量比および所定の標準抵抗値に対する発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を標準出力値に乗じることによって当該プレートへの最終出力値を算定しているため、プレートの重量および抵抗値を考慮した出力値補正を行うことができ、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, the standard output value is multiplied by the weight ratio of the plate weight to the predetermined standard weight and the resistance ratio of the resistance value of the heating resistor to the predetermined standard resistance value. Since the final output value is calculated, the output value can be corrected in consideration of the weight and resistance value of the plate, and the machine difference existing between the substrate heat treatment apparatuses can be easily eliminated.

また、請求項7の発明によれば、平均重量に対するプレートのプレート重量の重量比および平均抵抗値に対する発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定しているため、プレートの重量および抵抗値を考慮した出力値補正を行うことができ、基板熱処理装置間に存在する機差を簡単に解消することができる。   According to the invention of claim 7, the final output value to the plate is obtained by multiplying the standard output value by the weight ratio of the plate weight of the plate to the average weight and the resistance ratio of the resistance value of the heating resistor to the average resistance value. Since the calculation is performed, the output value can be corrected in consideration of the weight and resistance value of the plate, and the machine difference existing between the substrate heat treatment apparatuses can be easily eliminated.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<1.基板処理装置の構成>
図1および図2は、本発明に係る基板熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の一例を示す図である。図1は基板処理装置1の平面図である。この基板処理装置1は、基板Wにレジスト塗布処理および現像処理を行う装置であり、装置外部との間で基板Wの搬出入を行うインデクサIDと、基板Wに処理を行う複数の処理ユニットからなる第1処理部群PG1および第2処理部群PG2と、図示を省略する露光装置(ステッパ)との間で基板Wの受け渡しを行うインターフェイスIFと、搬送ロボットTRとを備えている。
<1. Configuration of substrate processing apparatus>
1 and 2 are views showing an example of a substrate processing apparatus incorporating a substrate heat treatment apparatus according to the present invention. FIG. 1 is a plan view of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs a resist coating process and a development process on a substrate W. The substrate processing apparatus 1 includes an indexer ID that carries a substrate W in and out of the apparatus and a plurality of processing units that process the substrate W. An interface IF for transferring the substrate W between the first processing unit group PG1 and the second processing unit group PG2, and an exposure apparatus (stepper) (not shown), and a transport robot TR.

インデクサIDは、複数枚の基板Wを収納可能なキャリア(図示省略)を載置するとともに移動ロボットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボットTRに払い出すとともに処理済み基板を搬送ロボットTRから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリアの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)の他に、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)であっても良い。   The indexer ID mounts a carrier (not shown) that can store a plurality of substrates W and includes a mobile robot. The indexer ID pays out an unprocessed substrate from the carrier to the transport robot TR and removes a processed substrate from the transport robot TR. Receive and store in carrier. In addition to the FOUP (front opening unified pod) that accommodates the substrate W in a sealed space, the carrier may be a standard mechanical interface (SMIF) pod or an OC (open cassette) that exposes the storage substrate W to the outside air. May be.

インターフェイスIFは、搬送ロボットTRからレジスト塗布処理済の基板Wを受け取って図外の露光装置に渡すとともに、露光済みの基板Wを受け取って搬送ロボットTRに渡す機能を有する。また、インターフェイスIFは、露光装置との受け渡しタイミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的にストックするバッファ機能を有し、図示を省略しているが、搬送ロボットTRとの間で基板Wを受け渡すロボットと、基板を載置するバッファカセットとを備えている。   The interface IF has a function of receiving the resist-coated substrate W from the transport robot TR and passing it to an exposure apparatus (not shown), and receiving the exposed substrate W and passing it to the transport robot TR. Further, the interface IF has a buffer function for temporarily stocking the substrate before and after the exposure in order to adjust the delivery timing with the exposure apparatus. Although not shown, the interface IF is connected to the transfer robot TR. A robot for delivering W and a buffer cassette on which a substrate is placed are provided.

基板処理装置1は、基板Wに処理を行うための複数の処理ユニット(処理部)を備えており、そのうちの一部が第1処理部群PG1を構成し、残部が第2処理部群PG2を構成する。図2は、第1処理部群PG1および第2処理部群PG2の構成を示す図である。第1処理部群PG1は、液処理ユニットたる塗布処理ユニットSC1、SC2の上方に複数の熱処理ユニットを配置して構成されている。なお、図2においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置しているが、実際には高さ方向(図1のZ軸方向)に積層されているものである。   The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units (processing units) for processing the substrate W, part of which constitutes the first processing unit group PG1, and the remaining part of the second processing unit group PG2. Configure. FIG. 2 is a diagram illustrating configurations of the first processing unit group PG1 and the second processing unit group PG2. The first processing unit group PG1 is configured by arranging a plurality of heat treatment units above the coating processing units SC1 and SC2 which are liquid processing units. In FIG. 2, the processing units are two-dimensionally arranged for convenience of illustration, but are actually stacked in the height direction (Z-axis direction in FIG. 1).

塗布処理ユニットSC1、SC2は、基板主面にフォトレジストを供給し、基板Wを回転させることによって均一なレジスト塗布処理を行う、いわゆるスピンコータである。塗布処理ユニットSC1、SC2の上方には3段に積層された熱処理ユニットが3列設けられている。すなわち、下から順に冷却ユニットCP1、密着強化ユニットAH、加熱ユニットHP1が積層された列と、冷却ユニットCP2、加熱ユニットHP2、加熱ユニットHP3が積層された列と、冷却ユニットCP3、加熱ユニットHP4、加熱ユニットHP5が積層された列とが設けられている。   The coating processing units SC1 and SC2 are so-called spin coaters that perform uniform resist coating processing by supplying a photoresist to the main surface of the substrate and rotating the substrate W. Three rows of heat treatment units stacked in three stages are provided above the coating processing units SC1 and SC2. That is, the cooling unit CP1, the adhesion strengthening unit AH, the heating unit HP1 are stacked in order from the bottom, the cooling unit CP2, the heating unit HP2, and the heating unit HP3 are stacked, the cooling unit CP3, the heating unit HP4, A row in which the heating units HP5 are stacked is provided.

同様に、第2処理部群PG2は、液処理ユニットたる現像処理ユニットSD1、SD2の上方に複数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処理ユニットSD1、SD2は、露光後の基板上に現像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパである。現像処理ユニットSD1、SD2の上方には、3段に積層された熱処理ユニットが3列設けられている。すなわち、下から順に冷却ユニットCP4、露光後ベークユニットPEB、加熱ユニットHP6が積層された列と、冷却ユニットCP5、加熱ユニットHP7、加熱ユニットHP8が積層された列と、冷却ユニットCP6、加熱ユニットHP9、加熱ユニットHP10が積層された列とが設けられている。   Similarly, the second processing unit group PG2 is configured by arranging a plurality of heat treatment units above the development processing units SD1 and SD2 which are liquid processing units. The development processing units SD1 and SD2 are so-called spin developers that perform development processing by supplying a developing solution onto the exposed substrate. Three rows of heat treatment units stacked in three stages are provided above the development processing units SD1 and SD2. That is, the cooling unit CP4, the post-exposure bake unit PEB, and the heating unit HP6 are stacked in order from the bottom, the cooling unit CP5, the heating unit HP7, and the heating unit HP8 are stacked, the cooling unit CP6, and the heating unit HP9. And a row in which the heating units HP10 are stacked.

加熱ユニットHP1〜HP10は、基板Wを加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプレートである。また、密着強化ユニットAHおよび露光後ベークユニットPEBもそれぞれレジスト塗布処理前および露光直後に基板Wを加熱する加熱ユニットである。冷却ユニットCP1〜CP6は基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに、基板Wを当該所定の温度に維持する、いわゆるクールプレートである。   The heating units HP1 to HP10 are so-called hot plates that heat the substrate W and raise the temperature to a predetermined temperature. The adhesion strengthening unit AH and the post-exposure bake unit PEB are also heating units that heat the substrate W before and after the resist coating process, respectively. The cooling units CP1 to CP6 are so-called cool plates that cool the substrate W to a predetermined temperature and maintain the substrate W at the predetermined temperature.

本明細書においては、これら基板Wの温度調整を行うユニット(加熱ユニットおよび冷却ユニット)を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニットSC1、SC2および現像処理ユニットSD1、SD2のような基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットとする。   In the present specification, units (heating unit and cooling unit) for adjusting the temperature of the substrate W are referred to as heat treatment units. A processing unit that supplies a processing liquid to a substrate such as the coating processing units SC1 and SC2 and the development processing units SD1 and SD2 and performs a predetermined processing is referred to as a liquid processing unit. The liquid processing unit and the heat treatment unit are collectively referred to as a processing unit.

なお、液処理ユニットの直上には、液処理ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタファンユニットFFUが設けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボットTRが配置された上方の位置にも、搬送空間に向けてクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタファンユニットが設けられている。   A filter fan unit FFU that forms a downflow of clean air whose temperature and humidity are controlled is provided immediately above the liquid processing unit. Although not shown, a filter fan unit that forms a downflow of clean air toward the transfer space is also provided at an upper position where the transfer robot TR is disposed.

搬送ロボットTRは、図示省略の保持アームを2つ備えており、それら保持アームを昇降させることと、水平面内にて旋回させることが可能である。また、搬送ロボットTRは、2つの保持アームを相互の独立して旋回半径方向に進退移動させることが可能に構成されている。これにより、搬送ロボットTRは、2つの保持アームをそれぞれ個別に第1処理部群PG1および第2処理部群PG2に設けられた処理ユニットに対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。また、搬送ロボットTRは所定の受渡部を介してインデクサIDおよびインターフェイスIFとの間でも基板Wの授受を行う。   The transport robot TR includes two holding arms (not shown), and can raise and lower the holding arms and turn the holding arms in a horizontal plane. Further, the transport robot TR is configured to be able to move the two holding arms forward and backward in the turning radius direction independently of each other. As a result, the transfer robot TR allows the two holding arms to individually access the processing units provided in the first processing unit group PG1 and the second processing unit group PG2, and the substrate W between them. Can give and receive. In addition, the transfer robot TR exchanges the substrate W with the indexer ID and the interface IF via a predetermined delivery unit.

上述した構成を備える基板処理装置1において基板Wの処理を行うときには、インデクサIDから払い出された未処理の基板Wを搬送ロボットTRが受け取り、所定の処理手順に従って第1処理部群PG1に設けられた処理ユニットに順次搬送することによってレジスト塗布処理が行われる。レジスト膜が形成された基板Wは搬送ロボットTRによってインターフェイスIFに渡され、その後露光装置に搬入される。露光後の基板WはインターフェイスIFを介して再び搬送ロボットTRに渡され、搬送ロボットTRが所定の処理手順に従って第2処理部群PG2に設けられた処理ユニットに順次搬送することによって現像処理が行われる。現像処理が完了した基板Wは搬送ロボットTRによってインデクサIDに渡され、所定のキャリアに収納される。概ね上記のようにして一連の塗布現像処理が実行される。   When processing the substrate W in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration, the transfer robot TR receives the unprocessed substrate W paid out from the indexer ID, and is provided in the first processing unit group PG1 according to a predetermined processing procedure. The resist coating process is performed by sequentially transporting to the processed units. The substrate W on which the resist film is formed is transferred to the interface IF by the transfer robot TR and then transferred into the exposure apparatus. The exposed substrate W is again transferred to the transport robot TR through the interface IF, and the transport robot TR sequentially transports the substrate W to the processing unit provided in the second processing unit group PG2 according to a predetermined processing procedure, so that the development process is performed. Is called. The substrate W for which the development processing has been completed is transferred to the indexer ID by the transport robot TR and stored in a predetermined carrier. In general, a series of coating and developing processes are executed as described above.

本明細書においては、基板処理装置1に備えられた複数の加熱ユニットのうち、第1処理部群PG1の加熱ユニットHP1〜HP5および第2処理部群PG2の加熱ユニットHP6〜HP10をそれぞれ相互に同一内容の熱処理を行う熱処理ユニットとして扱う。同一内容の熱処理とは、同一の設定温度にて同一時間行う熱処理を意味する。   In the present specification, among the plurality of heating units provided in the substrate processing apparatus 1, the heating units HP1 to HP5 of the first processing unit group PG1 and the heating units HP6 to HP10 of the second processing unit group PG2 are mutually connected. Treated as a heat treatment unit that performs the same heat treatment. The heat treatment having the same content means a heat treatment performed at the same set temperature for the same time.

<2.熱処理ユニットの構成>
次に、加熱ユニットHP1の構成についてさらに説明を続ける。ここでは、加熱ユニットHP1について説明するが、加熱ユニットHP2〜HP10についても同様の構成を有している。
<2. Heat treatment unit configuration>
Next, the description of the configuration of the heating unit HP1 will be further continued. Here, although heating unit HP1 is demonstrated, it has the same structure also about heating unit HP2-HP10.

図3は本発明に係る基板熱処理装置たる加熱ユニットHP1の概略構成を示す側断面図であり、図4は加熱ユニットHP1の載置プレートの平面図である。   FIG. 3 is a side sectional view showing a schematic configuration of a heating unit HP1 as a substrate heat treatment apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a plan view of a mounting plate of the heating unit HP1.

本発明におけるプレートに相当する載置プレート11は、ヒートパイプ構造を採用して熱容量を極めて小さくしつつ、温度分布の面内均一性を高めたものであり、熱伝導性の良好な金属、例えば銅にて形成されている。載置プレート11の上面に当たる載置面11aには基板Wが載置される。載置面11aには図示しないセラミック製の小球(プロキシミティボール)が分散して複数個はめ込まれており、基板Wを裏面から点接触の状態で支持して熱処理ムラを防止するようになっているが、小球を省略して基板Wを面接触の状態で支持するようにしてもよい。   The mounting plate 11 corresponding to the plate according to the present invention adopts a heat pipe structure to increase the in-plane uniformity of the temperature distribution while extremely reducing the heat capacity, and is a metal having a good thermal conductivity, for example, It is made of copper. The substrate W is placed on the placement surface 11 a that is in contact with the upper surface of the placement plate 11. A plurality of ceramic balls (proximity balls) (not shown) are dispersed and fitted on the mounting surface 11a, and the substrate W is supported in a point contact state from the back surface to prevent uneven heat treatment. However, the small sphere may be omitted and the substrate W may be supported in a surface contact state.

載置プレート11の上部に位置する扁平部13の内部には空洞が形成されている。その内部空間12は、ヒートパイプ構造のために減圧されており、縦方向の強度を補うように複数本の柱13bが立設されている。   A cavity is formed inside the flat portion 13 located at the top of the mounting plate 11. The internal space 12 is decompressed due to the heat pipe structure, and a plurality of pillars 13b are erected so as to supplement the strength in the vertical direction.

載置プレート11の下部位置には、2つの作動液室14が設けられている。各作動液室14は略直方体形状であって、2つの作動液室14が平面視で載置プレート11の中央を挟み込むように構成されている。これらの作動液室14には、発熱抵抗体としてのヒータ15が内蔵されるとともに、作動液16が貯留されている。本実施形態では、作動液16として例えば水を使用している。   Two hydraulic fluid chambers 14 are provided at a lower position of the mounting plate 11. Each hydraulic fluid chamber 14 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and is configured such that the two hydraulic fluid chambers 14 sandwich the center of the mounting plate 11 in plan view. These hydraulic fluid chambers 14 incorporate a heater 15 as a heating resistor and store hydraulic fluid 16. In the present embodiment, for example, water is used as the hydraulic fluid 16.

載置プレート11の底部(つまり作動液室14の底部)には、凹状の穴が複数穿設されており、各穴の内壁面に雌ねじ29が刻設されている。各雌ねじ29は、重量調整部材たるバランサ用ねじを着脱自在に取り付け可能な取付部として機能する。なお、雌ねじ29の形設位置は載置プレート11の底部に限定されるものではなく、側面であっても良い。   A plurality of concave holes are formed in the bottom of the mounting plate 11 (that is, the bottom of the hydraulic fluid chamber 14), and a female screw 29 is engraved on the inner wall surface of each hole. Each female screw 29 functions as an attachment part to which a balancer screw as a weight adjusting member can be detachably attached. The forming position of the female screw 29 is not limited to the bottom portion of the mounting plate 11 and may be a side surface.

また、作動液室14と扁平部13の内部空間12とは連通しており、これによって載置プレート11内にヒートパイプ構造が実現される。すなわち、ヒータ15を加熱することにより生じる作動液16の蒸気は、内部空間12を作用域としてこの作用域中を移動したり蒸発潜熱の授受を行うことにより載置面11aの温度分布を均一に保持しつつ、載置面11aを急速に加熱することができる。   Further, the hydraulic fluid chamber 14 and the internal space 12 of the flat portion 13 communicate with each other, thereby realizing a heat pipe structure in the mounting plate 11. In other words, the vapor of the working fluid 16 generated by heating the heater 15 moves in the working space with the internal space 12 as the working area, and transfers and transfers the latent heat of vaporization to make the temperature distribution on the mounting surface 11a uniform. The holding surface 11a can be rapidly heated while being held.

図4に示すように、加熱ユニットHP1における冷却構造としての冷却管21は、載置プレート11の内部空間12のほぼ全域に配設されている。冷却管21は、熱伝導性の材料(たとえば金属や合金)で形成されており、略水平にかつ載置面11aのほぼ全域に対向するように配設されている。   As shown in FIG. 4, the cooling pipe 21 serving as a cooling structure in the heating unit HP <b> 1 is disposed in almost the entire area of the internal space 12 of the mounting plate 11. The cooling pipe 21 is made of a heat conductive material (for example, metal or alloy), and is disposed so as to be substantially horizontal and face almost the entire surface of the mounting surface 11a.

冷却管21は、供給配管22を介して冷却媒体供給源25と接続されている。供給配管22の経路途中には開閉弁26が介挿されている。また、冷却管21は図示しないドレインとも排出配管23を介して接続されている。したがって、冷却媒体供給源25から供給される冷却媒体は、開閉弁26を開放することにより供給配管22を介して冷却管21に供給され、冷却管21を介して載置プレート11の内部空間12と熱交換を行った後、排出配管23をから図示しないドレインへと排出される。すなわち、冷却管21の表面が内部空間12内の作動流体に接触しており、この作動流体を介して載置面11aへの冷却作用を生じさせる。換言すれば、ヒートパイプ構造の作動流体は、ヒータ15によって加熱されることもできるし、冷却管21によって冷却されることもできる。   The cooling pipe 21 is connected to a cooling medium supply source 25 via a supply pipe 22. An on-off valve 26 is inserted in the middle of the supply pipe 22. The cooling pipe 21 is also connected to a drain (not shown) through a discharge pipe 23. Therefore, the cooling medium supplied from the cooling medium supply source 25 is supplied to the cooling pipe 21 via the supply pipe 22 by opening the on-off valve 26, and the internal space 12 of the mounting plate 11 via the cooling pipe 21. After the heat exchange, the exhaust pipe 23 is discharged to a drain (not shown). That is, the surface of the cooling pipe 21 is in contact with the working fluid in the internal space 12, and a cooling action to the mounting surface 11a is generated via this working fluid. In other words, the working fluid having the heat pipe structure can be heated by the heater 15 or can be cooled by the cooling pipe 21.

また、図4に示すように、冷却管21は、その表面積を増加させるため、載置プレート11の内部空間12を複数回折り返すように蛇行して配設されている。そのため、効率的に冷却管21と内部空間12との熱交換を行うことができる。   As shown in FIG. 4, the cooling pipe 21 is arranged in a meandering manner so that the internal space 12 of the mounting plate 11 is folded back multiple times in order to increase the surface area thereof. Therefore, heat exchange between the cooling pipe 21 and the internal space 12 can be performed efficiently.

さらに、冷却管21は、載置プレート11とリング状(ドーナツ状)断熱部材24を介して載置プレート11の扁平部13の壁面に支持されている。そのため、冷却管21と載置プレート11とは、断熱部材24によって熱的に遮断されているため、冷却管21から載置プレート11へ直接の熱移動が生じない構造となっている。断熱部材24の例としては、セラミックスや耐熱樹脂が挙げられる。   Further, the cooling pipe 21 is supported on the wall surface of the flat portion 13 of the mounting plate 11 via the mounting plate 11 and a ring-shaped (donut-shaped) heat insulating member 24. Therefore, since the cooling pipe 21 and the mounting plate 11 are thermally blocked by the heat insulating member 24, the heat transfer from the cooling pipe 21 to the mounting plate 11 does not occur. Examples of the heat insulating member 24 include ceramics and heat resistant resin.

温度センサ27は、載置面11aの温度が測定可能なように載置プレート11に埋設されている。載置面11aに載置された基板Wの温度は、この温度センサ27によって測定された温度に基づいて算出される。   The temperature sensor 27 is embedded in the mounting plate 11 so that the temperature of the mounting surface 11a can be measured. The temperature of the substrate W placed on the placement surface 11 a is calculated based on the temperature measured by the temperature sensor 27.

図5は、加熱ユニットHP1の制御機構の概略を示すブロック図である。加熱ユニットHP1にはベークコントローラ30が設けられている。ベークコントローラ30のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、ベークコントローラ30は、各種演算処理を行うCPU31、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM32、各種データ等を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM33および制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク34等を備えている。ベークコントローラ30は、図示省略のインターフェイスを介して上述した温度センサ27および開閉弁26と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。また、ベークコントローラ30は、上述したヒータ15に電力供給を行うためのパワーユニット35とも接続されている。   FIG. 5 is a block diagram showing an outline of the control mechanism of the heating unit HP1. The baking unit 30 is provided in the heating unit HP1. The configuration of the bake controller 30 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the bake controller 30 stores a CPU 31 that performs various arithmetic processes, a ROM 32 that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM 33 that is a readable / writable memory that stores various data, and control applications and data. A magnetic disk 34 or the like is provided. The bake controller 30 is electrically connected to the temperature sensor 27 and the on-off valve 26 described above via an interface (not shown), and controls these operations. The bake controller 30 is also connected to a power unit 35 for supplying power to the heater 15 described above.

図6に、パワーユニット35とヒータ15とで構成される回路を示す。同図に示すように、電力供給源たるパワーユニット35には載置プレート11に内蔵された2つのヒータ15が並列的に接続されている。そして、ヒータ15には可変抵抗39が取り付けられている。可変抵抗39は、抵抗値を変化させることのできる抵抗である。   FIG. 6 shows a circuit composed of the power unit 35 and the heater 15. As shown in the figure, two heaters 15 built in the mounting plate 11 are connected in parallel to a power unit 35 as a power supply source. A variable resistor 39 is attached to the heater 15. The variable resistor 39 is a resistor that can change the resistance value.

図5に戻り、ベークコントローラ30は、基板処理装置1の全体を管理するメインコントローラMCとも接続されている。メインコントローラMCのハードウェアとしての構成も一般的なコンピュータと同様である。メインパネルMPは、メインコントローラMCのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラMCに対してはキーボードKBから種々のコマンドやパラメータを入力することができる。なお、メインパネルMPをタッチパネルにて構成し、メインパネルMPからメインコントローラMCに入力作業を行うようにしても良い。   Returning to FIG. 5, the bake controller 30 is also connected to a main controller MC that manages the entire substrate processing apparatus 1. The configuration of the main controller MC as hardware is the same as that of a general computer. The main panel MP functions as a display for the main controller MC. In addition, various commands and parameters can be input to the main controller MC from the keyboard KB. The main panel MP may be configured by a touch panel, and input work may be performed from the main panel MP to the main controller MC.

ベークコントローラ30は、メインコントローラMCの下位の制御部として機能するものであり、特に専ら加熱ユニットHP1を制御するための制御部である。加熱ユニットHP2〜HP10にも同様の専用ベークコントローラがそれぞれ設けられており、これは全てメインコントローラMCの下位制御部となる。   The bake controller 30 functions as a lower control unit of the main controller MC, and in particular is a control unit for controlling the heating unit HP1 exclusively. The heating units HP2 to HP10 are also provided with similar dedicated bake controllers, which all serve as the lower-level control units of the main controller MC.

<3.熱処理ユニットの動作>
次に、上述した構成を有する加熱ユニットHP1の動作について簡単に説明する。加熱ユニットHP1〜HP10のそれぞれには、基板Wの処理内容に従った設定温度が決められている。本実施形態では、加熱ユニットHP1〜HP5がそれぞれ相互に同一内容の熱処理を行う熱処理ユニットであるため、これらについては同一の設定温度が設定される。この設定温度についてはメインコントローラMCから各加熱ユニットのベークコントローラ30に伝達される。そして、ベークコントローラ30がパワーユニット35を制御することによってヒータ15に通電を開始し、作動液16を蒸発させて載置面11aを加熱する。このときには、温度センサ27の測温結果に基づいて、載置面11aが上記設定温度となるようにベークコントローラ30がパワーユニット35をPID制御する。加熱ユニットHP1では、載置プレート11がヒートパイプ構造となっているので、速やかに加熱温度にまで載置面11aの温度が上昇する。
<3. Operation of heat treatment unit>
Next, the operation of the heating unit HP1 having the above-described configuration will be briefly described. For each of the heating units HP1 to HP10, a set temperature according to the processing content of the substrate W is determined. In the present embodiment, since the heating units HP1 to HP5 are heat treatment units that perform heat treatment of the same content, the same set temperature is set for them. This set temperature is transmitted from the main controller MC to the baking controller 30 of each heating unit. Then, the bake controller 30 controls the power unit 35 to start energization of the heater 15, evaporate the working fluid 16 and heat the mounting surface 11a. At this time, based on the temperature measurement result of the temperature sensor 27, the bake controller 30 performs PID control of the power unit 35 so that the mounting surface 11a becomes the set temperature. In the heating unit HP1, since the placement plate 11 has a heat pipe structure, the temperature of the placement surface 11a quickly rises to the heating temperature.

載置面11aが所定の設定温度にまで昇温したことを確認したベークコントローラ30は、その旨の信号をメインコントローラMCに送信する。それにより、搬送ロボットTRが基板Wを加熱ユニットHP1に搬入して載置面11a上に載置する。この時点から基板Wに対する加熱処理が開始される。   The bake controller 30 that has confirmed that the mounting surface 11a has been heated to a predetermined set temperature transmits a signal to that effect to the main controller MC. Thereby, the transport robot TR carries the substrate W into the heating unit HP1 and places it on the placement surface 11a. From this point, the heat treatment for the substrate W is started.

所定時間の加熱処理が終了した後、搬送ロボットTRが基板Wを加熱ユニットHP1から搬出する。その後、設定温度を低下する旨の指示をベークコントローラ30がメインコントローラMCから受信したときには、ベークコントローラ30はパワーユニット35を制御してヒータ15への通電を終了する。そして、ベークコントローラ30は開閉弁26を開放し、冷却管21に冷却媒体を供給して載置面11aの温度を低下させる。   After the heat treatment for a predetermined time is completed, the transfer robot TR unloads the substrate W from the heating unit HP1. Thereafter, when the bake controller 30 receives an instruction to lower the set temperature from the main controller MC, the bake controller 30 controls the power unit 35 and ends energization of the heater 15. And the bake controller 30 opens the on-off valve 26, supplies a cooling medium to the cooling pipe 21, and lowers the temperature of the mounting surface 11a.

<4.加熱ユニット間の機差解消手法>
上述したように、本実施形態においては、加熱ユニットHP1〜HP5がそれぞれ相互に同一内容の熱処理を行う。加熱ユニットHP1〜HP5は、同一の規格・仕様にて製造された熱処理ユニットではあるが、そのようなユニット間に不可避的な機差(公差)が存在することも既述した通りである。本実施形態においては、基板処理に対する厳しい精度要求をも満足すべく、以下のようにして加熱ユニットHP1〜HP5の機差を解消している。
<4. Method for eliminating machine differences between heating units>
As described above, in the present embodiment, the heating units HP1 to HP5 each perform the same heat treatment. Although the heating units HP1 to HP5 are heat treatment units manufactured according to the same standard and specification, as described above, inevitable machine differences (tolerances) exist between such units. In the present embodiment, in order to satisfy strict accuracy requirements for substrate processing, machine differences between the heating units HP1 to HP5 are eliminated as follows.

<4−1.プレート重量の調整>
載置プレート11の重量はプレート熱容量と線形であり、これは温度時定数である。つまり、載置プレート11の重量が異なると、同じ熱量が付与されたとしても温度上昇の程度も異なる。従って、機差解消手法の一つは、加熱ユニットHP1〜HP5のプレート重量を揃えることである。
<4-1. Adjustment of plate weight>
The weight of the mounting plate 11 is linear with the plate heat capacity, which is a temperature time constant. That is, if the weight of the mounting plate 11 is different, the degree of temperature rise is different even if the same amount of heat is applied. Therefore, one of the machine difference elimination methods is to align the plate weights of the heating units HP1 to HP5.

具体的には、加熱ユニットHP1〜HP5に備えられた載置プレート11のうち最大重量を有する載置プレート11以外の載置プレート11のそれぞれの重量を当該最大重量に調整する。例えば、加熱ユニットHP2の載置プレート11の重量が最も大きい場合には、加熱ユニットHP1,HP3〜HP5の載置プレート11の重量を加熱ユニットHP2の載置プレート11の重量と等しくなるように調整する。重量調整の手法としては、図7に示すように、載置プレート11と同じ材質(本実施形態では銅)のバランサ用ねじ28を加熱ユニットHP1,HP3〜HP5の載置プレート11の雌ねじ29に取り付ける。バランサ用ねじ28としては予め種々の重量のものを複数種類用意しておく。そして、重量調整の対象となる載置プレート11の重量と最大重量との差に応じて最適な重量のバランサ用ねじ28を当該載置プレート11の雌ねじ29に取り付ける。なお、複数のバランサ用ねじ28の組み合わせによって載置プレート11の重量調整を行うようにしても良い。   Specifically, the weights of the mounting plates 11 other than the mounting plate 11 having the maximum weight among the mounting plates 11 provided in the heating units HP1 to HP5 are adjusted to the maximum weight. For example, when the weight of the mounting plate 11 of the heating unit HP2 is the largest, the weight of the mounting plate 11 of the heating units HP1, HP3 to HP5 is adjusted to be equal to the weight of the mounting plate 11 of the heating unit HP2. To do. As shown in FIG. 7, the weight adjustment method is performed by using a balancer screw 28 made of the same material as that of the mounting plate 11 (copper in this embodiment) as a female screw 29 of the mounting plate 11 of the heating units HP1, HP3 to HP5. Install. As the balancer screw 28, a plurality of types having various weights are prepared in advance. Then, a balancer screw 28 having an optimal weight is attached to the female screw 29 of the mounting plate 11 according to the difference between the weight of the mounting plate 11 to be weight adjusted and the maximum weight. The weight of the mounting plate 11 may be adjusted by combining a plurality of balancer screws 28.

このようにすれば、ねじを取り付けるだけという簡単な手法によって加熱ユニットHP1〜HP5に備えられた載置プレート11の重量が相互に均一になり、各載置プレート11の熱容量が等しくなって機差が解消される。なお、重量を調整する手法としてはねじの取り付けに限定されるものではなく、載置プレート11と同じ材質の部材を付加するものであれば良い。   If it does in this way, the weight of the mounting plate 11 with which heating unit HP1-HP5 was equipped will become uniform mutually by the simple method of only attaching a screw, the heat capacity of each mounting plate 11 will become equal, and a machine difference will be carried out. Is resolved. Note that the method of adjusting the weight is not limited to screw attachment, and any method may be used as long as a member made of the same material as the mounting plate 11 is added.

<4−2.プレート抵抗値の調整>
載置プレート11には発熱抵抗体たるヒータ15が設けられている。ヒータ15の抵抗値の逆数は、一定電圧をヒータ15に印加したときの発熱量に線形である。つまり、ヒータ15の抵抗値が大きいほど、一定電圧を印加したときの発熱量が少なくなる。従って、機差解消手法の別の一つは、加熱ユニットHP1〜HP5のプレート抵抗値を揃えることである。
<4-2. Adjustment of plate resistance>
The mounting plate 11 is provided with a heater 15 as a heating resistor. The reciprocal of the resistance value of the heater 15 is linear with the amount of heat generated when a constant voltage is applied to the heater 15. That is, the greater the resistance value of the heater 15, the less heat is generated when a constant voltage is applied. Therefore, another one of the machine difference elimination methods is to align the plate resistance values of the heating units HP1 to HP5.

具体的には、加熱ユニットHP1〜HP5に備えられた載置プレート11のうちヒータ15の抵抗値が最大値である載置プレート11以外の載置プレート11のそれぞれに設けられている可変抵抗39の抵抗値を変化させることによって当該載置プレート11の抵抗値を上記最大値に調整する。例えば、加熱ユニットHP3の載置プレート11の抵抗値が最大である場合には、加熱ユニットHP1,HP2,HP4,HP5のそれぞれに取り付けられている可変抵抗39の抵抗値を変化させることによって、それらの載置プレート11の抵抗値を加熱ユニットHP3のプレート抵抗値に等しくなるように調整する。   Specifically, among the mounting plates 11 provided in the heating units HP <b> 1 to HP <b> 5, the variable resistors 39 provided on the mounting plates 11 other than the mounting plate 11 having the maximum resistance value of the heater 15. The resistance value of the mounting plate 11 is adjusted to the maximum value by changing the resistance value. For example, when the resistance value of the mounting plate 11 of the heating unit HP3 is the maximum, the resistance value of the variable resistor 39 attached to each of the heating units HP1, HP2, HP4, and HP5 is changed to change them. The resistance value of the mounting plate 11 is adjusted to be equal to the plate resistance value of the heating unit HP3.

このようにすれば、可変抵抗39の抵抗値を変化させるだけという簡単な手法によって加熱ユニットHP1〜HP5に備えられた載置プレート11のプレート抵抗値が相互に均一になり、各載置プレート11間の機差が解消される。なお、プレート抵抗値を調整する手法としては可変抵抗39の取り付けに限定されるものではなく、上記最大抵抗値と各載置プレート11のプレート抵抗値との差に応じた抵抗を取り付けるようにしても良い。もっとも、可変抵抗39を使用した方が調整が容易である。   In this way, the plate resistance values of the mounting plates 11 provided in the heating units HP1 to HP5 are made uniform with each other by a simple method in which only the resistance value of the variable resistor 39 is changed. The machine difference between is eliminated. The method of adjusting the plate resistance value is not limited to the attachment of the variable resistor 39, but a resistance corresponding to the difference between the maximum resistance value and the plate resistance value of each mounting plate 11 is attached. Also good. However, adjustment is easier when the variable resistor 39 is used.

<4−3.プレートへの出力値の調整>
上述の説明から明らかなように、熱処理の均一性に影響を与える載置プレート11の主たるパラメータは、プレートの重量と抵抗値である。プレートの重量およびプレート抵抗値を取り込んだパラメータ”1/(重量・抵抗値)”を「プレート固有値」と称する。上述した2つの手法は、このプレート固有値を直接調整するものであり、換言すれば、製造時に生じた加熱ユニットHP1〜HP5間の機差をハード面から直接解消するものである。
<4-3. Adjustment of output value to plate>
As is apparent from the above description, the main parameters of the mounting plate 11 that affect the uniformity of the heat treatment are the weight and resistance value of the plate. The parameter “1 / (weight / resistance value)” taking in the weight of the plate and the plate resistance value is referred to as “plate specific value”. The above-described two methods directly adjust the plate eigenvalue, in other words, directly eliminate the machine difference between the heating units HP1 to HP5 generated at the time of manufacture.

一方、載置プレート11の温調はベークコントローラ30のPID制御によって実行されており、加熱ユニットHP1〜HP5のそれぞれの載置プレート11のプレート固有値を予め対応するベークコントローラ30に入力しておき、それに基づいてヒータ15への出力値を補正することによっても結果的に熱処理のユニット間均一性を確保することができる。言うなれば、プレート固有値をそのまま既定のパラメータとして使用し、プレート固有値に基づいて加熱ユニットHP1〜HP5間の機差を制御面(ソフト面)から間接的に解消する手法である。   On the other hand, the temperature control of the mounting plate 11 is executed by the PID control of the bake controller 30, and the plate-specific values of the mounting plates 11 of the heating units HP1 to HP5 are input in advance to the corresponding bake controller 30, By correcting the output value to the heater 15 on the basis thereof, the uniformity of the heat treatment unit can be ensured as a result. In other words, the plate eigenvalue is directly used as a predetermined parameter, and the machine difference between the heating units HP1 to HP5 is indirectly eliminated from the control surface (software surface) based on the plate eigenvalue.

具体的には、まず、加熱ユニットHP1〜HP5に備えられた載置プレート11の平均重量”W”を算定する。作業者は、加熱ユニットHP1〜HP5の各載置プレート11の重量を個別にキーボードKBからメインコントローラMCに入力する。メインコントローラMCはそれら入力データに基づいて平均重量”W”を算定する。算定された平均重量”W”のデータはメインコントローラMCから加熱ユニットHP1〜HP5のそれぞれのベークコントローラ30に渡されて、それぞれの例えば磁気ディスク34に格納される。また、加熱ユニットHP1〜HP5の各載置プレート11の個別重量についてもメインコントローラMCから対応するベークコントローラ30に渡され、例えば磁気ディスク34に格納される。なお、作業者が平均重量”W”の算定を装置外部にて行って、それをキーボードKBからメインコントローラMCに入力するようにしても良い。   Specifically, first, the average weight “W” of the mounting plate 11 provided in the heating units HP1 to HP5 is calculated. The operator individually inputs the weight of each mounting plate 11 of the heating units HP1 to HP5 from the keyboard KB to the main controller MC. The main controller MC calculates the average weight “W” based on the input data. The calculated average weight “W” data is transferred from the main controller MC to the respective bake controllers 30 of the heating units HP1 to HP5 and stored in the respective magnetic disks 34, for example. The individual weights of the mounting plates 11 of the heating units HP1 to HP5 are also transferred from the main controller MC to the corresponding bake controller 30 and stored in the magnetic disk 34, for example. Note that the operator may calculate the average weight “W” outside the apparatus and input it to the main controller MC from the keyboard KB.

次に、加熱ユニットHP1〜HP5に備えられたヒータ15の平均抵抗値”R”を算定する。上記と同様に、作業者は、加熱ユニットHP1〜HP5の各ヒータ15の抵抗値を個別にキーボードKBからメインコントローラMCに入力する。メインコントローラMCはそれら入力データに基づいて平均抵抗値”R”を算定する。算定された平均抵抗値”R”のデータはメインコントローラMCから加熱ユニットHP1〜HP5のそれぞれのベークコントローラ30に渡されて、それぞれの例えば磁気ディスク34に格納される。また、加熱ユニットHP1〜HP5の各ヒータ15の個別抵抗値についてもメインコントローラMCから対応するベークコントローラ30に渡され、例えば磁気ディスク34に格納される。なお、作業者が平均抵抗値”R”の算定を装置外部にて行って、それをキーボードKBからメインコントローラMCに入力するようにしても良い。   Next, the average resistance value “R” of the heater 15 provided in the heating units HP1 to HP5 is calculated. Similarly to the above, the worker individually inputs the resistance value of each heater 15 of the heating units HP1 to HP5 from the keyboard KB to the main controller MC. The main controller MC calculates the average resistance value “R” based on the input data. The calculated data of the average resistance value “R” is transferred from the main controller MC to each bake controller 30 of the heating units HP1 to HP5 and stored in each magnetic disk 34, for example. Further, the individual resistance values of the heaters 15 of the heating units HP1 to HP5 are also transferred from the main controller MC to the corresponding bake controller 30 and stored in the magnetic disk 34, for example. The operator may calculate the average resistance value “R” outside the apparatus and input it to the main controller MC from the keyboard KB.

加熱ユニットHP1〜HP5のベークコントローラ30が平均重量”W”および平均抵抗値”R”を保持した状態にて、パワーユニット35のPID制御を実行する。図8は、パワーユニット35からヒータ15への最終出力値を算定する過程を示すブロック線図である。   The PID control of the power unit 35 is executed in a state where the bake controller 30 of the heating units HP1 to HP5 holds the average weight “W” and the average resistance value “R”. FIG. 8 is a block diagram showing a process of calculating a final output value from the power unit 35 to the heater 15.

ここでは、まず、通常のPID制御の手法に従ってベークコントローラ30がヒータ15への標準出力値を算定する。標準出力値とは、プレート固有値を全く考慮せずに、設定温度と温度センサ27による測定温度との偏差のみによって算定した出力値である。すなわち、上述したように、加熱ユニットHP1〜HP5はそれぞれが相互に同一内容の熱処理を行う熱処理ユニットであるため、これらについては同一の設定温度が設定されている。そして、加熱ユニットHP1〜HP5のそれぞれにおいては、温度センサ27が逐次載置面11aの温度を測定している。加熱ユニットHP1〜HP5の各ベークコントローラ30は、通常のPID制御の手法によって該設定温度と温度センサ27による測定温度との偏差に基づいてヒータ15への標準出力値を算定する。   Here, first, the bake controller 30 calculates a standard output value to the heater 15 in accordance with a normal PID control method. The standard output value is an output value calculated based only on the difference between the set temperature and the temperature measured by the temperature sensor 27 without taking into account any plate specific values. That is, as described above, since the heating units HP1 to HP5 are heat treatment units that perform heat treatment with the same content, the same set temperature is set for them. And in each of heating unit HP1-HP5, the temperature sensor 27 is measuring the temperature of the mounting surface 11a sequentially. Each of the bake controllers 30 of the heating units HP1 to HP5 calculates a standard output value to the heater 15 based on a deviation between the set temperature and a temperature measured by the temperature sensor 27 by a normal PID control method.

本実施形態においては、さらに、プレート固有値に基づいてベークコントローラ30が標準出力値の補正を行う。このときの補正演算は以下の数1に従って行われる。なお、数1において”Wi”および”Ri”は加熱ユニットHP1〜HP5の各載置プレート11の個別の重量および各ヒータ15の個別の抵抗値である。   In the present embodiment, the bake controller 30 further corrects the standard output value based on the plate eigenvalue. The correction calculation at this time is performed according to the following formula 1. In Equation 1, “Wi” and “Ri” are the individual weights of the mounting plates 11 and the individual resistance values of the heaters 15 of the heating units HP1 to HP5.

Figure 2006339555
Figure 2006339555

すなわち、加熱ユニットHP1〜HP5のそれぞれにおいてベークコントローラ30が、平均重量”W”に対する載置プレート11のプレート重量”Wi”の重量比および平均抵抗値”R”に対するヒータ15の抵抗値”Ri”の抵抗比を補正係数として上記標準出力値に乗じることによって載置プレート11への最終出力値を算定するのである。   That is, in each of the heating units HP1 to HP5, the bake controller 30 performs the weight ratio of the plate weight “Wi” of the mounting plate 11 to the average weight “W” and the resistance value “Ri” of the heater 15 with respect to the average resistance value “R”. The final output value to the mounting plate 11 is calculated by multiplying the standard output value by using the resistance ratio as a correction coefficient.

このようにすれば、載置プレート11の重量値およびヒータ15の抵抗値を入力するだけで、熱処理の均一性に影響を与える主因子である載置プレート11のプレート固有値を考慮した出力値補正を行うことができ、各載置プレート11間の機差を簡単に解消することができる。   In this way, just by inputting the weight value of the mounting plate 11 and the resistance value of the heater 15, the output value correction considering the plate-specific value of the mounting plate 11, which is the main factor affecting the uniformity of the heat treatment. And the machine difference between the mounting plates 11 can be easily eliminated.

なお、ここでは、加熱ユニットHP1〜HP5の載置プレート11の平均重量”W”および平均抵抗値”R”を算出し、それを基準にして各載置プレート11への出力値を補正することによって機差を解消するようにしていたが、PID定数を最適化した載置プレート11の重量および抵抗値をそれぞれ標準重量および標準抵抗値とし、その標準重量に対する載置プレート11のプレート重量の重量比および標準抵抗値に対するヒータ15の抵抗値の抵抗比を補正係数として上記標準出力値に乗じることによって載置プレート11への最終出力値を算定するようにしても良い。   Here, the average weight “W” and the average resistance value “R” of the mounting plates 11 of the heating units HP1 to HP5 are calculated, and the output value to each mounting plate 11 is corrected based on the calculated weights. However, the weight and resistance value of the mounting plate 11 with optimized PID constants are set as the standard weight and the standard resistance value, respectively, and the weight of the plate weight of the mounting plate 11 with respect to the standard weight. The final output value to the mounting plate 11 may be calculated by multiplying the standard output value by using the resistance ratio of the resistance value of the heater 15 to the ratio and the standard resistance value as a correction coefficient.

<5.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、加熱ユニットはヒートパイプ構造を採用した熱処理ユニットに限定されるものではなく、金属製(例えばアルミニウム製)の平板に発熱抵抗体を埋設したタイプの熱処理ユニットであっても良い。
<5. Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, the heating unit is not limited to a heat treatment unit adopting a heat pipe structure, but may be a heat treatment unit of a type in which a heating resistor is embedded in a metal (for example, aluminum) flat plate.

また、上記3つの機差解消手法を単独で実施するようにしても良いし、複数を適宜組み合わせて実施するようにしても良い。   Further, the above three machine difference elimination methods may be implemented alone, or a plurality of them may be implemented in combination as appropriate.

また、本発明に係る基板熱処理技術の適用対象となるのは加熱ユニットHP1〜加熱ユニットHP5に限定されるものではなく、相互に同一内容の熱処理を行う熱処理ユニットであれば良く、例えば加熱ユニットHP6〜加熱ユニットHP10であっても良い。特に、厳しい温度精度が要求される露光後ベークユニットPEBを複数設け、それらに本発明に係る技術を適用するのが好適である。   The substrate heat treatment technology according to the present invention is not limited to the heating units HP1 to HP5, and may be any heat treatment unit that performs heat treatment with the same contents, for example, the heating unit HP6. -Heating unit HP10 may be sufficient. In particular, it is preferable to provide a plurality of post-exposure bake units PEB that require strict temperature accuracy and apply the technique according to the present invention to them.

本発明に係る基板熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus incorporating the substrate heat processing apparatus which concerns on this invention. 図1の基板処理装置の第1処理部群および第2処理部群の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 1st process part group of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and a 2nd process part group. 本発明に係る基板熱処理装置の概略構成を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows schematic structure of the substrate heat processing apparatus which concerns on this invention. 図3の基板熱処理装置の載置プレートの平面図である。It is a top view of the mounting plate of the substrate heat processing apparatus of FIG. 図3の基板熱処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the control mechanism of the substrate heat processing apparatus of FIG. パワーユニットとヒータとで構成される回路を示す図である。It is a figure which shows the circuit comprised with a power unit and a heater. バランサ用ねじを雌ねじに取り付けて重量調整を行う様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the screw for balancers is attached to a female screw, and weight adjustment is performed. パワーユニットからヒータへの最終出力値を算定する過程を示すブロック線図である。It is a block diagram which shows the process of calculating the final output value from a power unit to a heater.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
11 載置プレート
15 ヒータ
27 温度センサ
28 バランサ用ねじ
29 雌ねじ
30 ベークコントローラ
35 パワーユニット
39 可変抵抗
HP1〜HP10 加熱ユニット
MC メインコントローラ
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 11 Mounting plate 15 Heater 27 Temperature sensor 28 Screw for balancer 29 Female screw 30 Bake controller 35 Power unit 39 Variable resistance HP1-HP10 Heating unit MC Main controller W Substrate

Claims (7)

プレート上に基板を載置して熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、
前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち最大重量を有するプレート以外のプレートのそれぞれに重量調整部材を取り付けて当該プレートの重量を前記最大重量に調整する工程を備えることを特徴とする基板熱処理方法。
A substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses for performing heat treatment by placing a substrate on a plate and performing heat treatment,
A substrate comprising a step of adjusting a weight of the plate to the maximum weight by attaching a weight adjusting member to each of the plates other than the plate having the maximum weight among the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses. Heat treatment method.
プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、
前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートのうち発熱抵抗体の抵抗値が最大値であるプレート以外のプレートのそれぞれに取り付けられた可変抵抗の抵抗値を変化させることによって当該プレートの抵抗値を前記最大値に調整する工程を備えることを特徴とする基板熱処理方法。
A substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat-treat the substrate with a heating resistor incorporated in the plate perform the same heat treatment,
By changing the resistance value of the variable resistor attached to each of the plates other than the plate having the maximum resistance value of the heating resistor among the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses, the resistance value of the plate is set. A substrate heat treatment method comprising the step of adjusting to the maximum value.
プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置に同一内容の熱処理を行わせる基板熱処理方法であって、
前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートの平均重量を算定する平均重量算定工程と、
前記複数の基板熱処理装置に備えられた発熱抵抗体の平均抵抗値を算定する平均抵抗値算定工程と、
前記複数の基板熱処理装置のそれぞれのプレート温度を測定する測温工程と、
前記複数の基板熱処理装置のそれぞれについて、前記測温工程にて得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいてプレートへの標準出力値を算定する算定工程と、
前記複数の基板熱処理装置のそれぞれについて、前記平均重量に対する当該基板熱処理装置のプレート重量の重量比および前記平均抵抗値に対する当該基板熱処理装置の発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定する補正工程と、
を備えることを特徴とする基板熱処理方法。
A substrate heat treatment method in which a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat-treat the substrate with a heating resistor incorporated in the plate perform the same heat treatment,
An average weight calculating step for calculating an average weight of the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses;
An average resistance value calculating step for calculating an average resistance value of the heating resistors provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses;
A temperature measuring step of measuring each plate temperature of the plurality of substrate heat treatment apparatuses;
For each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, a calculation step for calculating a standard output value to the plate based on the measurement temperature and the plate set temperature obtained in the temperature measurement step,
For each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses, the weight ratio of the plate weight of the substrate heat treatment apparatus to the average weight and the resistance ratio of the resistance value of the heating resistor of the substrate heat treatment apparatus to the average resistance value are set to the standard output value. A correction process to calculate the final output value to the plate by multiplying,
A substrate heat treatment method comprising:
プレート上に基板を載置して熱処理を行う基板熱処理装置であって、
前記プレートに重量調整部材を着脱可能な取付部を備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
A substrate heat treatment apparatus for performing a heat treatment by placing a substrate on a plate,
An apparatus for heat treating a substrate, comprising: a mounting portion for attaching / detaching a weight adjusting member to / from the plate.
プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、
前記発熱抵抗体に可変抵抗を取り付けたことを特徴とする基板熱処理装置。
A substrate heat treatment apparatus that places a substrate on a plate and heat-treats the substrate with a heating resistor incorporated in the plate,
A substrate heat treatment apparatus, wherein a variable resistor is attached to the heating resistor.
プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う基板熱処理装置であって、
前記プレートの温度を測定する測温手段と、
前記測温手段によって得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいて前記プレートへの標準出力値を算定する算定手段と、
所定の標準重量に対する前記プレートのプレート重量の重量比および所定の標準抵抗値に対する前記発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによって当該プレートへの最終出力値を算定する補正手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。
A substrate heat treatment apparatus that places a substrate on a plate and heat-treats the substrate with a heating resistor incorporated in the plate,
A temperature measuring means for measuring the temperature of the plate;
A calculating means for calculating a standard output value to the plate based on the measured temperature and the plate set temperature obtained by the temperature measuring means;
Correction for calculating a final output value to the plate by multiplying the standard output value by a weight ratio of the plate weight of the plate to a predetermined standard weight and a resistance ratio of the resistance value of the heating resistor to a predetermined standard resistance value Means,
A substrate heat treatment apparatus comprising:
プレート上に基板を載置し、該プレートに組み込まれた発熱抵抗体によって基板の熱処理を行う複数の基板熱処理装置を備えた基板熱処理システムであって、
前記複数の基板熱処理装置に備えられたプレートの平均重量を算定する平均重量算定手段と、
前記複数の基板熱処理装置に備えられた発熱抵抗体の平均抵抗値を算定する平均抵抗値算定手段と、
を備え、
前記複数の基板熱処理装置のそれぞれは、
当該基板熱処理装置のプレート温度を測定する測温手段と、
前記測温手段によって得られた測定温度とプレート設定温度とに基づいてプレートへの標準出力値を算定する算定手段と、
前記平均重量に対する前記プレートのプレート重量の重量比および前記平均抵抗値に対する当該基板熱処理装置の発熱抵抗体の抵抗値の抵抗比を前記標準出力値に乗じることによってプレートへの最終出力値を算定する補正手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理システム。
A substrate heat treatment system comprising a plurality of substrate heat treatment apparatuses that place a substrate on a plate and heat treat the substrate with a heating resistor incorporated in the plate,
Average weight calculating means for calculating an average weight of the plates provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses;
Average resistance value calculating means for calculating an average resistance value of the heating resistors provided in the plurality of substrate heat treatment apparatuses;
With
Each of the plurality of substrate heat treatment apparatuses includes:
Temperature measuring means for measuring the plate temperature of the substrate heat treatment apparatus;
A calculating means for calculating a standard output value to the plate based on the measured temperature and the plate set temperature obtained by the temperature measuring means;
The final output value to the plate is calculated by multiplying the standard output value by the weight ratio of the plate weight of the plate to the average weight and the resistance ratio of the resistance value of the heating resistor of the substrate heat treatment apparatus to the average resistance value. Correction means;
A substrate heat treatment system comprising:
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