JP2006339360A - エネルギー線検出素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の表面S1及び第2の表面S2を有している第1導電型の第1半導体基板2と、第1の表面S1に貼着されており第1半導体基板2と異なる面方位を有すると共に第1半導体基板2よりも厚い第1導電型の第2半導体基板3と、表面S2に貼着されており第2半導体基板3よりも厚い第1導電型の第3半導体基板4と、第1半導体基板2に電気的に接続されたカソード電極10と、素子の二つの表面に設けられたアノード電極9,14及びカソード電極15とを備える。
【選択図】図1
Description
なお、本発明は、上述の実施形態に係るエネルギー線検出素子1に限るものではない。例えば、本発明に係るエネルギー線検出素子の平面形状は、図1(a)に示すような180度回転対称な形状としたが、これに限らず、90度回転対称な形状であってもよい。また、本発明は、図7に示すエネルギー線検出素子1aや、図8に示すエネルギー線検出素子1bを含む。図7(a)は、実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の平面図であり、図7(b)は、図7(a)に示すII−II線に沿ってとられたエネルギー線検出素子の断面図である。また、図8(a)は、実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の平面図であり、図8(b)は、図8(a)に示すIII−III線に沿ってとられたエネルギー線検出素子の断面図である。
Claims (7)
- 第1の表面及び第2の表面を有しており第1導電型の第1半導体基板と、
前記第1半導体基板の前記第1の表面に貼着されており該第1半導体基板と異なる面方位を有すると共に該第1半導体基板よりも厚い第1導電型の第2半導体基板と、
前記第1半導体基板の前記第2の表面に貼着されており前記第2半導体基板よりも厚い第1導電型の第3半導体基板と、
前記第1半導体基板と電気的に接続された共通電極と、
前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれに対して設けられ、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれが有する第2導電型の不純物添加領域と電気的に接続された信号取り出し電極と
を備え、
前記不純物添加領域は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板の各々が有する表面のうち、前記第1半導体基板が貼着された表面に対向する表面に設けられ、
前記第1半導体基板は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板に比較して前記第1導電型の不純物濃度が高い
ことを特徴とするエネルギー線検出素子。 - 前記第1半導体基板は、(111)面方位を有し、前記第2半導体基板は、(100)面方位を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー線検出素子。
- 前記第3半導体基板は、前記第1半導体基板と異なる面方位を有する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のエネルギー線検出素子。
- 前記第3半導体基板は、(100)面方位を有する、ことを特徴とする請求項3に記載のエネルギー線検出素子。
- 前記第1の表面は、当該第1の表面の端部にある第1領域と、該第1領域に隣り合うとともに前記第2半導体基板が貼着された第2領域とを含み、
前記共通電極は、前記第1領域において前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。 - 前記第2半導体基板は、当該第2半導体基板の二つの表面の間を貫通する貫通孔を有し、
前記共通電極は、前記貫通孔を介して前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。 - 前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板の各々が有する各二つの表面のうち、前記第1半導体基板が貼着された表面に対向する各表面の間を貫通する貫通孔を有し、
前記共通電極は、前記貫通孔を介して前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。
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