JP2006339360A - エネルギー線検出素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】エネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子において、空乏層の厚みを精度良く調整できるようにすると共に暗電流の増加を抑制できるようにすること。
【解決手段】第1の表面S1及び第2の表面S2を有している第1導電型の第1半導体基板2と、第1の表面S1に貼着されており第1半導体基板2と異なる面方位を有すると共に第1半導体基板2よりも厚い第1導電型の第2半導体基板3と、表面S2に貼着されており第2半導体基板3よりも厚い第1導電型の第3半導体基板4と、第1半導体基板2に電気的に接続されたカソード電極10と、素子の二つの表面に設けられたアノード電極9,14及びカソード電極15とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、エネルギー線検出素子に関する。
近時、例えば、下記特許文献1及び特許文献2に開示されているように、放射線等(例えば、α線やβ線等)のエネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子が種々開発されている。この種のエネルギー線検出素子は、エネルギー線検出用の半導体層を有し、その内部には、二つの空乏層が形成される。この二つの空乏層の積層方向にエネルギー線が入射すると、各空乏層にそれぞれ発生するエネルギー損失ΔE,E(ΔE<E)が検出される。ところで、この検出されたエネルギー損失ΔE,Eの比はエネルギー線の種類に応じて異なったものとなる。従って、エネルギー損失ΔE,Eの比が算出できれば、入射したエネルギー線の種類が弁別できることとなる。
特開平5−3337号公報 特開昭56−129380号公報
特許文献1には、一枚の基板から成る半導体放射線検出器等が開示されている。この半導体放射線検出器では、一枚の基板の表裏面の各々に空乏層が形成される。そして、エネルギー線の検出精度に係る空乏層の厚さ調整は、印加する逆バイアス電圧を調整することにより行われる。しかし、一枚の基板内に2つの空乏層が形成されているため、逆バイアス電圧の調整により空乏層の厚さ調整を精度良く行うのは容易ではない。従って、エネルギー線を高精度に検出するのは困難となる。更に、一枚の基板内に二つの空乏層が重ならないようにするためには、基板に十分な厚みを持たせる必要が生じる。この場合、空乏層の厚みも、この基板の厚みに応じて拡げる必要が生じる。このため、大きな逆バイアス電圧を印加しなければならない。しかし、大きな逆バイアス電圧の印加は暗電流の増大を招く。
また、特許文献2には、エピタキシャル成長させた半導体層を有する半導体放射線検出器が開示されている。しかし、エピタキシャル成長により形成された半導体基板には不純物や欠陥が多く含まれるため暗電流の増大を招く。
そこで、本発明の目的は、エネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子において、空乏層の厚みを精度良く調整できるようにすると共に暗電流の増加を抑制できるようにすることである。
本発明のエネルギー線検出素子は、第1の表面及び第2の表面を有しており第1導電型の第1半導体基板と、第1半導体基板の第1の表面に貼着されており第1半導体基板と異なる面方位を有すると共に第1半導体基板よりも厚い第1導電型の第2半導体基板と、第1半導体基板の第2の表面に貼着されており第2半導体基板よりも厚い第1導電型の第3半導体基板と、第1半導体基板と電気的に接続された共通電極と、第2半導体基板及び第3半導体基板のそれぞれに対して設けられ、第2半導体基板及び第3半導体基板のそれぞれが有する第2導電型の不純物添加領域と電気的に接続された信号取り出し電極とを備え、不純物添加領域は、第2半導体基板及び第3半導体基板の各々が有する表面のうち、第1半導体基板が貼着された表面に対向する表面に設けられ、第1半導体基板は、第2半導体基板及び第3半導体基板に比較して第1導電型の不純物濃度が高いことを特徴とする。
本発明によれば、第1半導体基板が第2半導体基板及び第3半導体基板よりも薄く、第2半導体基板が第3半導体基板よりも薄い。このため、第2半導体基板からエネルギー線を入射させれば、エネルギー線が第2半導体基板を通過する際に失うエネルギーΔEが、第2半導体基板を介して検出され、更にこのエネルギー線が第3半導体基板を通過する際に失うエネルギーEが、第3半導体基板を介して検出される。このようにして検出されたΔEとEとを用いれば入射したエネルギー線の種類が弁別できる。
また、第2半導体基板の面方位が第1半導体基板の面方位と異なる。このため、第2半導体基板と第1半導体基板との貼着界面では、原子レベルにおける凹凸が低減され、良好な平坦性が実現できる。このように第1半導体基板に第2半導体基板が貼着された貼合基板を用いてエネルギー線検出素子を構成すれば、逆バイアス電圧を増加させた場合に第2半導体基板内で生じる暗電流の増大が抑制できる。また、第1半導体基板は、第3半導体基板上にエピタキシャル成長させて設けられたものとはなっていない。このため、エピタキシャル成長を用いた場合に比較して、第1半導体基板には不純物や欠陥がほとんど含まれない。このため、暗電流がより低減できる。
また、共通電極は、第2半導体基板及び第3半導体基板に挟まれた第1半導体基板と電気的に接続され、信号取り出し電極は、第2半導体基板及び第3半導体基板の各表面に設けられた不純物添加領域上に各々設けられている。このため、第2半導体基板及び第3半導体基板に対してはこれら各基板の厚み方向に逆バイアス電圧が印加される。従って、第2半導体基板及び第3半導体基板の各内部で厚さ方向に延びる各空乏層の厚さは、第2半導体基板及び第3半導体基板にそれぞれ印加する逆バイアス電圧を調整することによって高精度に調整可能となる。
更に、本発明では、第1半導体基板は、(111)面方位を有し、第2半導体基板は、(100)面方位を有するのが好ましい。このように、第2半導体基板の面方位が第1半導体基板の面方位と異なるため、第2半導体基板と第1半導体基板との貼着界面では、何れも原子レベルにおける凹凸が低減され、良好な平坦性が実現できる。
更に、本発明では、第3半導体基板は、第1半導体基板と異なる面方位を有するのが好ましく、第3半導体基板は、(100)面方位を有するのがより好ましい。これにより、第3半導体基板と第1半導体基板との貼着界面でも、第2半導体基板と第1半導体基板との貼着界面と同様に、原子レベルにおける凹凸が低減され、良好な平坦性が実現できる。このように第1半導体基板に第2半導体基板及び第3半導体基板が貼着された貼合基板を用いてエネルギー線検出素子を構成すれば、逆バイアス電圧を増加させた場合に第2半導体基板及び第3半導体基板の各内部で生じる暗電流の増大が抑制できる。
更に、本発明では、第1の表面は、この第1の表面の端部にある第1領域と、第1領域に隣り合うとともに第2半導体基板が貼着された第2領域とを含み、共通電極は、第1領域において第1半導体基板と電気的に接続されているのが好ましい。或いは、第2半導体基板は、第2半導体基板の二つの表面の間を貫通する貫通孔を有し、共通電極は、貫通孔を介して第1半導体基板と電気的に接続されているのが好ましい。或いは、第2半導体基板及び第3半導体基板の各々が有する各二つの表面のうち、第1半導体基板が貼着された表面に対向する各表面の間を貫通する貫通孔を有し、共通電極は、貫通孔を介して第1半導体基板と電気的に接続されているのが好ましい。そして、何れの場合においても、共通電極は、第1半導体基板と電気的に確実に接続される。
本発明によれば、エネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子において、空乏層の厚みを精度良く調整できるとともに、暗電流の増加を抑制できる。
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1を参照して実施形態に係るエネルギー線検出素子1の構成について説明する。図1(a)は、実施形態に係るエネルギー線検出素子の平面図であり、図1(b)は、図1(a)に示すI−I線に沿ってとられたエネルギー線検出素子の断面図である。
エネルギー線検出素子1は、第1半導体基板2、第2半導体基板3及び第3半導体基板4を主に備える。このエネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2の二つの表面のうち一方の表面S1(第1の表面)に第2半導体基板3が直接貼着され、他方の表面S2(第2の表面)に第3半導体基板4が直接貼着されることによりDBW(Direct Bonding Wafer)が構成される。第1半導体基板2、第2半導体基板3及び第3半導体基板4は何れも第1導電型(以下、N型とする。)を示すSi層から成るが、第1半導体基板2は、第2半導体基板3及び第3半導体基板4に比較してN型の不純物濃度が高く、このため比抵抗が低い。また、第1半導体基板2の面方位は(111)面方位であり、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の面方位は何れも(100)面方位である。なお、第3半導体基板4の面方位は(111)面方位であってもよい。また、第1半導体基板2は、第2半導体基板3及び第3半導体基板4よりも薄く、第2半導体基板3は、第3半導体基板4よりも薄い。例えば、第1半導体基板2の厚みは、例えば3〜20μm、好ましくは5μm程度であり、第2半導体基板3の厚みは、例えば30〜100μm、好ましくは50μm程度であり、第3半導体基板4の厚みは、例えば150〜400μm、好ましくは270μm程度である。また、第1半導体基板2には、直列抵抗を下げるため低抵抗基板を用いる。第1半導体基板2の比抵抗は、例えば0.0001〜0.01Ωcm、好ましくは0.001Ωcmである。第2半導体基板3及び第3半導体基板4には、低バイアス電圧で空乏層が広がりやすくするために高抵抗基板を用いる。第2半導体基板3及び第3半導体基板4の比抵抗は、例えば1〜10kΩcm、好ましくは5kΩcm程度である。
第2半導体基板3は、図中符号Aに示す向きに延びる互いに対向した二つの側面の各々がエッチングにより傾斜状に形成された傾斜状部5を有する。この傾斜状部5は、後述する第1領域B1及び後述する第3領域B3を含む。傾斜状部5が設けられることにより、表面S1には、第1領域B1と後述する第2領域B2とが形成される。ここで、第1領域B1は、表面S1のうち図中符号Aに示す向きに延びる端部にあって第2半導体基板3が貼着されていない領域であり、第2領域B2は、第1領域B1に隣り合うとともに第2半導体基板3が貼着された領域であり、第3領域B3は、第2半導体基板3の側面のうち第1領域B1に連続する領域である。
第2半導体基板3では、第2導電型(以下、P型とする。)を示すP型不純物添加領域6が、第1半導体基板2が貼着された表面に対向する表面S3に設けられ、N型高濃度不純物添加領域7が、傾斜状部5に含まれる第1領域B1及び第3領域B3と、後述する第4領域B4とを含む領域に設けられ、SiO膜8が、表面S3上に設けられている。ここで、第4領域B4は、表面S3のうち図中符号Aに示す向きに延びる端部にあって第3領域B3に連続する領域となっている。SiO膜8には図中符号Aに示す向きに延びる二つのコンタクトホール8aが設けられている。SiO膜8は、これら二つのコンタクトホール8aによって図中符号Aに示す向きに延びる三つの部分に分割されている。各コンタクトホール8aは、表面S3のうちP型不純物添加領域6上にあって図中符合Aに示す向きに延びる領域に設けられている。また、図ではN型高濃度不純物添加領域7が、第1半導体基板2の厚さと同程度の厚さで形成されているが、N型高濃度不純物添加領域7は第1半導体基板2の厚さより薄くても厚くてもよい。
コンタクトホール8aにはAl等の導電体から成るアノード電極(信号取り出し電極)9が設けられている。アノード電極9は、コンタクトホール8aを介してP型不純物添加領域6と電気的に接続されている。また、第1領域B1、第3領域B3及び第4領域B4を含む領域上にはAl等の導電体から成るカソード電極10が設けられている。カソード電極(共通電極)10は、第1領域B1を介して第1半導体基板2と電気的に接続されている。
第3半導体基板4では、第1半導体基板2が貼着された表面に対向する表面S4に、第2導電型を示すP型不純物添加領域11が設けられ、表面S4のうち図中符号Aに示す向きに延びる端部にN型高濃度不純物添加領域12が設けられ、表面S4上にはSiO膜13が設けられている。SiO膜13には図中符号Aに示す向きに延びるコンタクトホール13aとコンタクトホール13bとが設けられている。SiO膜8は、コンタクトホール13aとコンタクトホール13bとによって、図中符号Aに示す向きに延びる五つの部分に分割されている。コンタクトホール13aは、表面S4のうちP型不純物添加領域11上にあって図中符号Aに示す向きに延びている領域に設けられ、コンタクトホール13bは、表面S4のうちN型高濃度不純物添加領域12上にあって図中符号Aに示す向きに延びている領域に設けられている。
コンタクトホール13aにはAl等の導電体から成るアノード電極14が設けられ、コンタクトホール13bにはAl等の導電体から成るカソード電極15が設けられている。アノード電極14はコンタクトホール13aを介してP型不純物添加領域11と電気的に接続され、カソード電極15はコンタクトホール13bを介してN型高濃度不純物添加領域12と電気的に接続されている。
上記構成のエネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2が第2半導体基板3及び第3半導体基板4よりも薄く、第2半導体基板3が第3半導体基板4よりも薄い。このため、第2半導体基板3にエネルギー線を入射させれば、このエネルギー線が第2半導体基板3を通過する際に失うエネルギーΔEが、第2半導体基板3によって検出され、更にこのエネルギー線が第3半導体基板4を通過する際に失うエネルギーEが、第3半導体基板4によって検出される。このようにして検出されたΔEとEとを用いれば入射したエネルギー線の種類が弁別できる。
次に、図2〜図6を参照し、実施形態に係るエネルギー線検出素子1の製造方法について説明する。図2〜図6は、実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。まず、図2(a)に示すように、厚さ270μm程度の第3半導体基板4を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1半導体基板2を第3半導体基板4の表面に直接貼着し、更に、図2(c)に示すように、この第1半導体基板2を厚さが5μm程度になるまで研磨加工する。次に、図2(d)に示すように、研磨加工後の第1半導体基板2の表面に第2半導体基板3を直接貼着し、更に、図2(e)に示すように、この第2半導体基板3を厚さが50μm程度になるまで研磨加工する。これにより、第1半導体基板2の各表面に第2半導体基板3と第3半導体基板4とが直接貼着されたDBWが形成される。
次に、図3(a)に示すように、第2半導体基板3の表面上にSiO膜20を設け、第3半導体基板4の表面上にSiO膜21を設け、SiO膜20に開口20aを設けて第2半導体基板3の表面の一部を露出させ、SiO膜21に開口21aを設けて第3半導体基板4の表面の一部を露出させ、この露出した第3半導体基板4の表面にイオン注入等によりN型不純物を添加してN型高濃度不純物添加領域12を設ける。
次に、図3(b)に示すように、開口20aにおいて露出した第2半導体基板3の表面にイオン注入等によりN型不純物を添加してN型高濃度不純物添加領域7を設け、SiO膜20及びSiO膜21をエッチング除去し、第2半導体基板3の表面上にSiO膜22を設け、第3半導体基板4の表面上にSiO膜23を設ける。
次に、図3(c)に示すように、SiO膜23に開口23aを設けて第3半導体基板4の表面の一部を露出させ、この露出した第3半導体基板4の表面にイオン注入等によりP型不純物を添加してP型不純物添加領域11を設ける。
次に、図3(d)に示すように、SiO膜22に開口22aを設けて第2半導体基板3の表面の一部を露出させ、この露出した第2半導体基板3の表面にイオン注入等によりP型不純物を添加してP型不純物添加領域6を設け、SiO膜23をエッチング除去し、第3半導体基板4の表面上にSiO膜13を設ける。そして、図3(e)に示すように、SiO膜22をエッチング除去し、第2半導体基板3の表面上にSiO膜8を設ける。
次に、図4(a)に示すように、SiO膜13にコンタクトホール13a及びコンタクトホール13bを設けてP型不純物添加領域11及びN型高濃度不純物添加領域12の各表面の一部を露出させる。そして、図4(b)に示すように、SiO膜13と、コンタクトホール13a及びコンタクトホール13bとを覆うようにSiN膜26を設け、SiO膜8の表面上にSiN膜24を設け、このSiN膜24の表面上にSiO膜25を設け、SiO膜8、SiN膜24及びSiO膜25が積層されて成る積層部にエッチングによる開口25aを設けてN型高濃度不純物添加領域7の表面の一部を露出させる。
次に、図4(c)に示すように、開口25aにおいて露出したN型高濃度不純物添加領域7の表面に対し、第1半導体基板2の表面(表面S1)の一部が露出するまでアルカリエッチングを行う。このエッチング処理によって傾斜状部5(第1領域B1及び第3領域B3)が設けられる。ここで、(100)面方位のウェハはアルカリエッチングが容易に行える。その一方、(111)面方位のウェハは、(100)面方位のウェハに比較してアルカリエッチングの速度が略100分の1倍程度遅い。このため、(111)面方位の第1半導体基板2がエッチングストッパとして機能することとなる。よって精度良いエッチング加工が可能となる。
次に、図5(a)に示すように、第1領域B1と第3領域B3とにイオン注入等によりN型不純物を添加する。N型高濃度不純物添加領域7は傾斜状部5を含むように拡張される。そして、図5(b)に示すように、SiO膜25をエッチング除去し、更に、図5(c)に示すように、SiN膜24及びSiN膜26もエッチング除去する。
次に、図6(a)に示すように、コンタクトホール13aにアノード電極14を設け、コンタクトホール13bにカソード電極15を設ける。そして、図6(b)に示すように、SiO膜8にコンタクトホール8aを設けてP型不純物添加領域6及びN型高濃度不純物添加領域7の各表面の一部を露出させる。この露出したN型高濃度不純物添加領域7の表面の一部は図1(b)に示す第4領域B4に対応している。
次に、図6(c)に示すように、コンタクトホール8aにアノード電極9を設け、第1領域B1と、第3領域B3と、第4領域B4と、この第4領域B4に連続するSiO膜8の側面及び表面の一部とにカソード電極10を設ける。これによりカソード電極10は、SiO膜8の表面から第1半導体基板2の表面(第1領域B1)に至る形状を有すると共に第1半導体基板2と電気的に接続される。以上説明した工程によって図1(a)及び図1(b)に示すエネルギー線検出素子1が製造される。
次に上述のエネルギー線検出素子1が有する効果を説明する。まず、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の面方位が第1半導体基板2の面方位と異なる。このため、第2半導体基板3と第1半導体基板2との貼着界面と、第3半導体基板4と第1半導体基板2との貼着界面とでは、原子レベルにおける凹凸が低減され、良好な平坦性が実現できる。このように第1半導体基板2に第2半導体基板3及び第3半導体基板4が貼着された貼合基板によってエネルギー線検出素子1が構成されている。このため、逆バイアス電圧を増加させた場合に第2半導体基板の内部で生じる暗電流の増大が抑制できる。
また、特許文献1(特開平5−3337号公報)に記載の半導体放射線検出器では、一枚の基板の表裏面の各々に空乏層が形成されるため、各空乏層の厚さ調整を精度良く行うのが困難である。これに対し、エネルギー線検出素子1では、カソード電極10が、第2半導体基板3及び第3半導体基板4に挟まれた第1半導体基板2と電気的に接続され、アノード電極9及びアノード電極14が、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の各表面に設けられた不純物添加領域上に各々設けられている。そして、第2半導体基板3及び第3半導体基板4に対してはこれら各基板の厚み方向に逆バイアス電圧がそれぞれ印加される。従って、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の内部において厚さ方向に延びる各空乏層の厚さは、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の厚み方向に印加する逆バイアス電圧をそれぞれ調整することによって高精度に調整可能となる。
更に、特許文献1に記載の半導体放射線検出器では、二つの空乏層が重ならないようにするため基板に十分な厚みを持たせる必要が生じる。この場合、空乏層の厚みもこの基板の厚みに応じて拡げる必要が生じる。このため、大きな逆バイアス電圧を印加しなければならない。しかし、大きな逆バイアス電圧が印加されると、基板の電気的特性に変化が生じて信頼性が低下したり、暗電流の増大を招くこととなる。これに対し、エネルギー線検出素子1では、二つの空乏層が二つの基板(第2半導体基板3及び第3半導体基板4)に形成されるため、第2半導体基板3及び第3半導体基板4を厚くしなくても二つの空乏層が重なる、という現象はほとんど生じない。このため、大きな逆バイアス電圧を印加する必要がない。従って、暗電流の増大や信頼性の低下を回避できる。更に、素子の薄化も可能となる。
更に、特許文献1に記載の半導体放射線検出器では、逆バイアス電圧を印加するアノード電極とカソード電極とが基板の平面方向に並列に設けられている。このため、基板内で発生したキャリア電荷は、基板の平面方向に移動して各電極に到達することとなる。従って、キャリア電荷の発生位置によってはキャリア電荷が各電極に到達するまでに要する時間が比較的長くかかる場合がある。これに対し、エネルギー線検出素子1では、逆バイアス電圧を印加するアノード電極9及びアノード電極14と、カソード電極10と電気的に接続されている第1半導体基板2とが基板の厚み方向に並列に設けられている。そして、キャリア電荷は、アノード電極9及びアノード電極14と、第1半導体基板2との間で発生する。このため、キャリア電荷は、基板の厚み方向に移動して各電極に到達することとなる。ところで、基板の厚み方向の距離は、平面方向の距離に比較して短い。従って、キャリア電荷の発生位置にかかわらず、キャリア電荷がアノード電極9及びアノード電極14と第1半導体基板とに到達するまでに要する時間は、特許文献1に記載の半導体検出器と比較して短い。このため、より高い応答速度が実現できるとともに、応答速度の低下を伴うことなくエネルギー線検出素子1の大面積化が可能となる。
更に、特許文献1には、二つの空乏層をそれぞれ発生させる二つの半導体層を接着剤で貼着されて成る半導体放射線検出器が開示されている。この接着剤が占めるスペースはデッドボリュームとなる。しかし、この接着スペースは、十分な貼り合わせ強度を保つため多量の接着剤を必要とすることに伴って比較的厚い。これに対し、エネルギー線検出素子1は、接着剤に換え、上記接着スペースよりも薄い第1半導体基板2が、第2半導体基板3と第3半導体基板4との間に直接貼着されて成るDBWである。このため、接着剤を用いた場合に比較して、デッドボリュームを薄くできる。
また、特許文献2(特開昭56−129380号公報)にはエピタキシャル成長させた半導体層を有する半導体放射線検出器が開示されている。しかし、エピタキシャル成長させた半導体層では高比抵抗化に例えば300Ωcm程度の限界を有する。このため、PN接合の接合容量を十分に低減できなくなり、更に、これに伴って半導体層内のCR時定数も十分低減できなくなる。このため、応答の高速化が妨げられる。これに対し、エネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2を含め第2半導体基板3及び第3半導体基板4の何れもがエピタキシャル成長によって形成されたものではないため、上述のような高比抵抗化の限界を回避できる。
更に、特許文献2に記載の半導体放射線検出器では、上述の高比抵抗化の限界に伴い大きな逆バイアス電圧の印加が必要となる。しかし、大きな逆バイアス電圧が印加されると、基板の電気的特性に変化が生じて信頼性が低下すると共に暗電流が増大してノイズ増大を招く。これに対し、エネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2を含め第2半導体基板3及び第3半導体基板4の何れもがエピタキシャル成長によって形成されたものではないため、エネルギー線検出素子1では、上述のような高比抵抗化の限界が回避できる。このため、大きな逆バイアス電圧の印加が必要なくなる。従って、暗電流の増大や信頼性の低下を回避できる。
更に、特許文献2に記載の半導体放射線検出器では、エピタキシャル成長の際の高温熱処理等により、不純物濃度が高い層から不純物濃度の低い層へ不純物が移動し、この不純物濃度の低い層内に不純物濃度の高い領域が生じる場合がある。このような場合、逆バイアス電圧の印加時に空乏層化しない領域がこの低不純物層内に生じるため、キャリア電荷は、拡散により比較的緩慢に空乏層に到達するようになる。このため、応答の高速化が妨げられることとなる。これに対し、エネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2を含め第2半導体基板3及び第3半導体基板4の何れもがエピタキシャル成長によって形成されたものではないため、上述のような不純物の移動を回避できる。このため、キャリア電荷の拡散が抑制されて応答の高速化を実現できる。
更に、エネルギー線検出素子1では、第1半導体基板2が第3半導体基板4上にエピタキシャル成長させて設けられたものとはなっていない。このため、エピタキシャル成長を用いた場合に比較して、第1半導体基板2には不純物や欠陥がほとんど含まれないため、暗電流をより低減できる。
(変形例)
なお、本発明は、上述の実施形態に係るエネルギー線検出素子1に限るものではない。例えば、本発明に係るエネルギー線検出素子の平面形状は、図1(a)に示すような180度回転対称な形状としたが、これに限らず、90度回転対称な形状であってもよい。また、本発明は、図7に示すエネルギー線検出素子1aや、図8に示すエネルギー線検出素子1bを含む。図7(a)は、実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の平面図であり、図7(b)は、図7(a)に示すII−II線に沿ってとられたエネルギー線検出素子の断面図である。また、図8(a)は、実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の平面図であり、図8(b)は、図8(a)に示すIII−III線に沿ってとられたエネルギー線検出素子の断面図である。
まず図7に示すエネルギー線検出素子1aについて説明する。エネルギー線検出素子1aは、第1半導体基板31、第2半導体基板32及び第3半導体基板33を主に備える。このエネルギー線検出素子1aでは、第1半導体基板31の二つの表面のうち一方の表面S1a(第1の表面)に第2半導体基板32が直接貼着され、他方の表面S2a(第2の表面)に第3半導体基板33が直接貼着されることによりDBWが構成される。第1半導体基板31、第2半導体基板32及び第3半導体基板33は何れも第1導電型(N型)を示すSi層から成るが、第1半導体基板31は、第2半導体基板32及び第3半導体基板33に比較してN型の不純物濃度が高く、このため比抵抗が低い。また、第1半導体基板31の面方位は(111)面方位であり、第2半導体基板32及び第3半導体基板33の面方位は何れも(100)面方位である。なお、第3半導体基板33の面方位は(111)面方位であってもよい。また、第1半導体基板31、第2半導体基板32及び第3半導体基板33の各厚みは、例えば、上述の第1半導体基板2、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の各厚みとそれぞれ同じである。
第2半導体基板32では、テーパ状孔部38が第2半導体基板32に設けられている。テーパ状孔部38は、後述する第5領域B1a及び第6領域B2aを含んでおり、また後述する表面S3aから表面S1aに至る貫通孔を成す。ここで、第5領域B1aは、第1半導体基板31の表面S1aの一部であり、テーパ状孔部38の底面である。第6領域B2aは、テーパ状孔部38の側面であり、第5領域B1aに連続していると共に第2半導体基板32の表面S3aにも連続している。表面S3aは、第2半導体基板32の二つの表面のうち第1半導体基板31が貼着されている表面に対向する表面である。テーパ状孔部38によって成る貫通孔の形状は、アルカリエッチングによって形成されるため、表面S1aから表面S3aに向かって断面が拡がった角錐台となっている。この場合、(111)面方位の第1半導体基板31はエッチングストッパとしての役割を果たす。なお、テーパ状孔部38の断面形状は四角形に限らず他の多角形でもよいし、円形(楕円を含む)であってもよい。
また、第2半導体基板32には、Al等の導電体から成る導電部39aが設けられている。導電部39aは、第5領域B1aから第6領域B2aを介して表面S3aに至る形状を有しており、第1半導体基板31と電気的に接続されている。そして、表面S3aには導電体から成る電極端子39bが設けられている。電極端子39bは導電部39aと電気的に接続されている。これら導電部39aと電極端子39bとによってカソード電極39が構成される。
更に、表面S3aにはP型不純物添加領域34が設けられ、後述する表面S4aのうちP型不純物添加領域34に対向する箇所にはP型不純物添加領域35が設けられている。ここで、表面S4aは、第3半導体基板33の二つの表面のうち第1半導体基板31が貼着された表面に対向する表面である。そして、P型不純物添加領域34上には、Al等の導電体から成るアノード電極36が設けられ、P型不純物添加領域35上には、Al等の導電体から成るアノード電極37が設けられている。アノード電極36はP型不純物添加領域34と電気的に接続され、アノード電極37はP型不純物添加領域35と電気的に接続されている。また、テーパ状孔部38の底面である第5領域B1aと、表面S3aの内、アノード電極36と、導電部39a及び電極端子39bとによって構成されるカソード電極39以外の部分はSiO膜41でパッシベーションされている。同様に、表面S4aの内、アノード電極37以外の部分はSiO膜42でパッシベーションされている。
次に図8に示すエネルギー線検出素子1bについて説明する。エネルギー線検出素子1bは、第1半導体基板51、第2半導体基板52及び第3半導体基板53を主に備える。このエネルギー線検出素子1bでは、第1半導体基板51の二つの表面のうち一方の表面S1b(第1の表面)に第2半導体基板52が直接貼着され、他方の表面S2b(第2の表面)に第3半導体基板53が直接貼着されることによりDBWが構成される。第1半導体基板51、第2半導体基板52及び第3半導体基板53は何れも第1導電型(N型)を示すSi層から成るが、第1半導体基板51は、第2半導体基板52及び第3半導体基板53に比較してN型の不純物濃度が高く、このため比抵抗が低い。また、第1半導体基板51の面方位は(111)面方位であり、第2半導体基板52及び第3半導体基板53の面方位は何れも(100)面方位である。なお、第3半導体基板53の面方位は(111)面方位であってもよい。また、第1半導体基板51、第2半導体基板52及び第3半導体基板53の各厚みは、例えば、上述の第1半導体基板2、第2半導体基板3及び第3半導体基板4の各厚みとそれぞれ同じである。
エネルギー線検出素子1bでは、後述する表面S3bから後述する表面S4bに至る貫通孔を成す柱状部58が設けられている。この貫通孔の形状は略四角柱となっている。なお、柱状部58の断面形状は四角形に限らず他の多角形でもよいし、円形(楕円を含む)であってもよい。ここで、表面S3bは、第2半導体基板52の二つの表面のうち第1半導体基板51が貼着された表面に対向する表面であり、表面S4bは、第3半導体基板53の二つの表面のうち第1半導体基板51が貼着された表面に対向する表面である。
柱状部58内には、Al等の導電体から成る導電部59aが充填されている。そして、導電部59aは、第1半導体基板51と電気的に接続されている。表面S3bにはAl等の導電体から成る電極端子59bが設けられており、電極端子59bは、導電部59aと電気的に接続されている。これら導電部59aと電極端子59bとによってカソード電極59が構成される。
また、表面S3bにはP型不純物添加領域54が設けられ、表面S4bのうちP型不純物添加領域54に対向する箇所にはP型不純物添加領域55が設けられている。そして、P型不純物添加領域54上には、Al等の導電体から成るアノード電極56が設けられ、P型不純物添加領域55上には、Al等の導電体から成るアノード電極57が設けられている。アノード電極56はP型不純物添加領域54と電気的に接続され、アノード電極57はP型不純物添加領域55と電気的に接続されている。また、表面S3bの内、アノード電極56と、導電部59a及び電極端子59bとによって構成されるカソード電極59以外の部分はSiO膜61でパッシベーションされている。同様に、表面S4bの内、アノード電極57以外の部分はSiO膜62でパッシベーションされている。
実施形態に係るエネルギー線検出素子の構成を示す図である。 実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。 実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。 実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。 実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。 実施形態に係るエネルギー線検出素子の製造工程を説明するための図である。 実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の構成を示す図である。 実施形態の変形例に係るエネルギー線検出素子の構成を示す図である。
符号の説明
1,1a,1b…エネルギー線検出素子、2,31,51…第1半導体基板、3,32,52…第2半導体基板、4,33,53…第3半導体基板、5…傾斜状部、6,11,34,35,54,55…P型不純物添加領域、7,12…N型高濃度不純物添加領域、8,13…SiO膜、8a,13a,13b…コンタクトホール、9,14,36,37,56,57…アノード電極、10,15,39,59…カソード電極、38…テーパ状孔部、39a,59a…導電部、39b,59b…電極端子、58…柱状部、41,42,61,62…SiO膜。

Claims (7)

  1. 第1の表面及び第2の表面を有しており第1導電型の第1半導体基板と、
    前記第1半導体基板の前記第1の表面に貼着されており該第1半導体基板と異なる面方位を有すると共に該第1半導体基板よりも厚い第1導電型の第2半導体基板と、
    前記第1半導体基板の前記第2の表面に貼着されており前記第2半導体基板よりも厚い第1導電型の第3半導体基板と、
    前記第1半導体基板と電気的に接続された共通電極と、
    前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれに対して設けられ、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれが有する第2導電型の不純物添加領域と電気的に接続された信号取り出し電極と
    を備え、
    前記不純物添加領域は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板の各々が有する表面のうち、前記第1半導体基板が貼着された表面に対向する表面に設けられ、
    前記第1半導体基板は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板に比較して前記第1導電型の不純物濃度が高い
    ことを特徴とするエネルギー線検出素子。
  2. 前記第1半導体基板は、(111)面方位を有し、前記第2半導体基板は、(100)面方位を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のエネルギー線検出素子。
  3. 前記第3半導体基板は、前記第1半導体基板と異なる面方位を有する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のエネルギー線検出素子。
  4. 前記第3半導体基板は、(100)面方位を有する、ことを特徴とする請求項3に記載のエネルギー線検出素子。
  5. 前記第1の表面は、当該第1の表面の端部にある第1領域と、該第1領域に隣り合うとともに前記第2半導体基板が貼着された第2領域とを含み、
    前記共通電極は、前記第1領域において前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。
  6. 前記第2半導体基板は、当該第2半導体基板の二つの表面の間を貫通する貫通孔を有し、
    前記共通電極は、前記貫通孔を介して前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。
  7. 前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板の各々が有する各二つの表面のうち、前記第1半導体基板が貼着された表面に対向する各表面の間を貫通する貫通孔を有し、
    前記共通電極は、前記貫通孔を介して前記第1半導体基板と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のエネルギー線検出素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139346A (ja) * 2007-12-11 2009-06-25 Fuji Electric Systems Co Ltd 放射線検出センサおよび放射線検出センサユニット
WO2011004883A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 富士電機システムズ株式会社 表面汚染モニタ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332715A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像装置
JP2003158291A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光素子を内蔵する半導体装置及びその製造方法
WO2004047178A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Hamamatsu Photonics K.K. 裏面入射型ホトダイオードアレイ、その製造方法及び半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332715A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像装置
JP2003158291A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光素子を内蔵する半導体装置及びその製造方法
WO2004047178A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Hamamatsu Photonics K.K. 裏面入射型ホトダイオードアレイ、その製造方法及び半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139346A (ja) * 2007-12-11 2009-06-25 Fuji Electric Systems Co Ltd 放射線検出センサおよび放射線検出センサユニット
WO2011004883A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 富士電機システムズ株式会社 表面汚染モニタ
US8822944B2 (en) 2009-07-10 2014-09-02 Fuji Electric Co., Ltd Surface contamination monitor

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