JP2006332497A - 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 TFT基板を、絶縁性基板1に形成した凹部1aを含む領域にTFTのゲート電極2aを形成し、その上に絶縁膜層5を形成して、その凹部1aの直上の領域にソース電極3bが配置されるようにする。これにより、ゲート電極2aとソース電極3bとの間の距離が広がって寄生容量Cgsが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Cgsの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。さらに、フィードスルー電圧Vを低減して液晶パネル面内での輝度分布を目立たなくすることが可能になる。
【選択図】 図2
Description
なお、図6〜図8に示すTFT基板は、アクティブマトリクス型とし、マトリクス状に配列されたTFTのうちの1つのみを図示している。また、図6では、TFT基板の構成要素のうち、絶縁性基板、絶縁膜層、活性層、エッチングストッパ層および保護膜層は、便宜上、その図示を省略している。
図1はTFT基板の一例の要部平面模式図、図2は図1のA−A断面模式図、図3は図1のB−B断面模式図である。
上記構成を有するTFT基板は、例えば次のような手順で形成することができる。TFT基板の形成方法を、上記図1〜図3、および次の図4、図5を参照して説明する。ここで、図4および図5はTFT基板の形成方法の説明図であって、図4はゲート電極の形成工程の要部斜視模式図、図5は絶縁膜層の形成工程の要部断面模式図である。
凹部が形成された絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように前記絶縁性基板上に形成された絶縁膜層と、
前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域に形成されたソース・ドレイン電極と、
を有することを特徴とするTFT基板。
(付記3) 前記凹部は、幅が前記絶縁性基板の前記凹部以外の領域上に形成された前記絶縁膜層の膜厚以上であることを特徴とする付記1記載のTFT基板。
(付記5) 前記凹部は、側壁のテーパ角が垂直から45°までの範囲であることを特徴とする付記4記載のTFT基板
(付記6) 基板上にTFTが形成されたTFT基板の製造方法において、
絶縁性基板に凹部を形成する工程と、
前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように前記絶縁性基板上に絶縁膜層を形成する工程と、
前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域にソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするTFT基板の製造方法。
前記凹部を、深さが前記絶縁性基板の前記凹部以外の領域上に形成された前記絶縁膜層の膜厚以上になるように形成することを特徴とする付記6記載のTFT基板の製造方法。
前記凹部を、幅が前記絶縁性基板の前記凹部以外の領域上に形成された前記絶縁膜層の膜厚以上になるように形成することを特徴とする付記6記載のTFT基板の製造方法。
前記凹部を、断面が前記絶縁性基板の表面から内部に向かって順テーパ形状になるように形成することを特徴とする付記6記載のTFT基板の製造方法。
前記凹部を、側壁のテーパ角が垂直から45°までの範囲になるように形成することを特徴とする付記9記載のTFT基板の製造方法。
前記TFT基板は、凹部が形成された絶縁性基板と、前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域に形成されたゲート電極と、前記絶縁性基板上に前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域に形成されたソース・ドレイン電極と、を有することを特徴とする液晶パネル。
前記TFT基板は、凹部が形成された絶縁性基板と、前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域に形成されたゲート電極と、前記絶縁性基板上に前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域に形成されたソース・ドレイン電極と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
1a 凹部
2 ゲートバスライン
2a ゲート電極
3 ドレインバスライン
3a ドレイン電極
3b ソース電極
4 TFT
5 絶縁膜層
6 動作層
7 活性層
8 エッチングストッパ層
9 保護膜層
9a コンタクトホール
10 画素電極
Claims (5)
- 基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板において、
凹部が形成された絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように前記絶縁性基板上に形成された絶縁膜層と、
前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域に形成されたソース・ドレイン電極と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記凹部は、深さが前記絶縁性基板の前記凹部以外の領域上に形成された前記絶縁膜層の膜厚以上であることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記凹部は、幅が前記絶縁性基板の前記凹部以外の領域上に形成された前記絶縁膜層の膜厚以上であることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記凹部は、断面が前記絶縁性基板の表面から内部に向かって順テーパ形状であることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板。
- 基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
絶縁性基板に凹部を形成する工程と、
前記絶縁性基板上の前記凹部を含む領域にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された前記凹部を埋め込むように前記絶縁性基板上に絶縁膜層を形成する工程と、
前記絶縁膜層で埋め込まれた前記凹部の直上の領域を含む領域にソース・ドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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