JP2006310287A - 腐蝕防止方法、腐蝕防止装置、信号処理装置および制御ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】 腐蝕防止電流の過剰に通電することを抑制する腐蝕防止方法、腐蝕防止装置、信号処理装置および制御ユニットを提供する。
【解決手段】 接点１４に接続される検出導電路１７に可変インピーダンス手段２２が電気的に接続される。可変インピーダンス手段２２は、腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電する低インピーダンスと、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する高インピーダンスとに切替え可能に構成される。比較切替部１２は、検出導電路１７の電位と腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲと比較し、この比較結果に基づいて、可変インピーダンス手段２２を切替える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、接点の腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を通電して接点の腐蝕を除去し、接点の腐蝕を防止する腐蝕防止方法、腐蝕防止装置、信号処理装置および制御ユニットに関する。

本発明において、「腐蝕防止電流」とは、接点の腐蝕を除去するための電流と同義である。

スイッチの接点の接続状態を検出可能な装置では、接点の腐蝕に起因するスイッチの抵抗の増加にともなう接続状態の誤判定および誤動作が問題となっている。近年、接点の腐蝕を除去すべく腐蝕防止装置が実用に供されている。

図１は、従来の技術の接点腐蝕防止装置１を概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１は、接地されるスイッチ２の接点３と電子制御部４とを電気的に接続する検出導電路５の電位と所定電位ＶＸとをコンパレータ６が比較する。コンパレータ６は、検出導電路５の電位が所定電位ＶＸより大きいことを検出すると、接点３の腐蝕を検出する。接点３の腐蝕を検出すると、コンパレータ６は、その出力をＬｏにし、検出導電路５に抵抗７と並列して電気的に接続され、かつ電源８に電気的に接続されるスイッチング素子９を端子間が導通する導通状態に切替えて、腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を接点３に通電する。

図２は、経過時間に対する検出導電路５の電位の変化を示すグラフである。図３は、経過時間に対するコンパレータ６の出力変化を示すグラフである。図２は、縦軸が電位、横軸が時間を示し、図３は、縦軸がコンパレータ６の出力のＨｉおよびＬｏ、横軸が時間を示す。接点腐蝕防止装置１では、接点３の腐蝕が進行すると、検出導電路５の電位が上昇する。検出導電路５の電位が所定電位ＶＸより大きくなると、コンパレータ６は、その出力をＬｏにし、スイッチング素子９を導通状態に切替え、検出導電路５に腐蝕防止電流を通電し、接点３の腐蝕を除去させる。接点３の腐蝕を除去すると、検出導電路５の電位が下降する。検出導電路５の電位が所定電位ＶＸより小さくなると、コンパレータ６は、その出力をＨｉにして、スイッチング素子９を、端子間が非導通な非導通状態にする。これによって抵抗７を介して接点の接続状態を検出するための腐蝕防止電流より小さい接続検出電流が検出導電路５に通電される（たとえば特許文献１参照）。

特開２００２−３４３１７１号公報

従来の技術の接点腐蝕防止装置１では、接点３の腐蝕の除去、すなわち接点の抵抗の低減は、接点腐蝕防止装置１が設けられる装置（以下、単に「装置」と称する）の誤判定および誤動作を防止するための目的で行われている。コンパレータ６は、接点３の腐蝕を検出すると、検出導電路５の電位が所定電位ＶＸより小さくなるまで、検出導電路に腐蝕防止電流を通電させて、接点３の腐蝕を除去する。換言すると、検出導電路５の電位が所定電位ＶＸより小さくなる抵抗（以下、「所定抵抗」と称する）まで接点３の腐蝕の除去を継続する。接点３の抵抗が所定抵抗より大きい状態であっても、装置の誤動作および誤判定を防止できる程度に腐蝕が除去されている。つまり接点腐蝕防止装置１では、腐蝕防止電流を過剰に通電して、接点３の腐蝕を除去し、接点３の抵抗を低減させている。腐蝕防止電流の通電は、装置が誤判定および誤動作する可能性があり、その通電時間を短くすることが望ましい。このように腐蝕防止電流が過剰に通電されることによって、接点腐蝕防止装置の寿命が短くなる。

本発明の目的は、腐蝕防止電流の過剰に通電することを抑制する腐蝕防止方法、腐蝕防止装置、信号処理装置および制御ユニットを提供することである。

本発明（１）は、被検出値を、接点の腐蝕を判定するための腐蝕スレッショルドおよび接点の回復を判定するための回復スレッショルドと比較して、接点の腐蝕および回復を検出し、
接点の腐蝕を検出すると、腐蝕防止電流を前記接点に電気的に接続される検出導電路に通電し、
接点の回復を検出すると、前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電することを特徴とする接点腐蝕防止方法である。

また本発明（２）は、接点に接続される検出導電路と、
前記検出導電路に接続される可変インピーダンス手段であって、腐蝕防止電流を前記検出導電路に通電する低インピーダンスと前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電する高インピーダンスとを切替え可能な可変インピーダンス手段と、
被検出値を、接点の腐蝕を判定するための腐蝕スレッショルドおよび接点の回復を判定するための回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて前記可変インピーダンス手段を切替える比較切替手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置である。

また本発明（３）は、前記可変インピーダンス手段は、
前記検出導電路に接続される高インピーダンスのインピーダンス手段と、
インピーダンス手段と並列して前記検出導電路に接続され、端子間が導通する導通状態と、端子間が非導通する非導通状態とを切替可能な低インピーダンスのスイッチング素子とを備えることを特徴とする。

また本発明（４）は、前記被検出値は前記検出導電路の電位であり、
前記腐蝕スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位であり、
前記回復スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の回復を判定し得る回復電位であることを特徴とする。

また本発明（５）は、前記被検出値は、前記検出導電路の電位および前記検出導電路を流れる電流量であり、
前記腐蝕スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位であり、
前記回復スレッショルドは、前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量と比較して、接点の回復を判定し得る回復電流量であることを特徴とする。

また本発明（６）は、前記比較検出手段は、前記検出導電路の電位に基づいて、前記回復電位が変動する機能を有することを特徴とする。

また本発明（７）は、（１）前記検出導電路に腐蝕防止電流が通電される時間が予め定められる時間以上、および（２）前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流量以上の少なくともいずれか一方を充足すると、通電を規定の休止時間休止させる休止手段をさらに含むことを特徴とする。

また本発明（８）は、接点に接続される検出導電路と、
前記検出導電路に接続される可変インピーダンス手段であって、腐蝕防止電流を前記検出導電路に通電する低インピーダンスと前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電する高インピーダンスとを切替え可能な可変インピーダンス手段と、
被検出値を、接点の腐蝕および回復を判定するための腐蝕回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて前記可変インピーダンス手段を切替える比較切替手段と、
（１）前記検出導電路に腐蝕防止電流が通電される時間が予め定められる時間以上、および（２）前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流量以上の少なくともいずれか一方を充足すると、通電を規定の休止時間休止させる休止手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置である。

また本発明（９）は、前記検出導電路に腐蝕防止電流を通電する通電動作の回数、および休止手段が通電を休止させる休止動作の回数の少なくともいずれか一方を計数する計数手段と、
前記計数手段の計数結果が規定回数以上になると、腐蝕防止電流を停止する停止手段とをさらに含むことを特徴とする。

また本発明（１０）は、腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作がなされると、前記接点の入力インピーダンスを下げるインピーダンス低下手段をさらに含むことを特徴とする。

また本発明（１１）は、腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作および腐蝕防止電流の通電を停止する停止動作のうち少なくともいずれか一方がなされると、前記接点の入力インピーダンスを下げるインピーダンス低下手段をさらに含むことを特徴とする。

また本発明（１２）は、接点は、スイッチの接点であり
インピーダンス手段は、抵抗器であり、
スイッチング素子は、電界効果型トランジスタであり、
比較切替手段は、ヒステリシスを有するコンパレータであることを特徴とする。

また本発明（１３）は、接点に接続される検出導電路と、
接点の腐蝕を検出する腐蝕検出手段と、
腐蝕検出手段の検出結果に基いて、接点の腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を検出導電路に通電する腐蝕防止電流通電手段であって、腐蝕防止電流を予め定められる通電時間通電すると、腐蝕防止電流の通電を予め定められる休止時間休止する腐蝕防止電流通電手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置である。

また本発明（１４）は、接点の電気的な接続状態を判定するための論理判定電流を検出導電路に通電する論理判定電流腐蝕防止電流通電手段と、
検出導電路の電圧を検出し、この検出結果に基いて接点の電気的な接続状態を判定する接点論理判定手段とをさらに含み、
論理判定電流通電手段は、腐蝕防止電流の通電が休止している休止状態において、論理判定電流を検出導電路に通電し、
接点論理判定手段は、休止状態に検出導電路の電圧を検出し、この検出結果に基いて接点の電気的な接続状態を判定することを特徴とする。

また本発明（１５）は、前記接点腐蝕防止装置を備え、接点論理判定手段の判定結果を出力する信号処理装置である。

また本発明（１６）は、前記信号処理装置と制御手段とを備え、
制御手段は、信号処理装置から出力される判定結果に基いて制御することを特徴とする制御ユニットである。

また本発明（１７）は、接点の腐蝕を検出し、その検出結果に基いて、接点に腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を通電する腐蝕防止電流通電方法であって、
予め定められる通電時間、腐蝕防止電流を通電すると、腐蝕防止電流の通電を予め定めれる休止時間休止することを特徴する腐蝕防止電流通電方法である。

本発明（１）によれば、被検出値を腐蝕スレッショルドおよび回復スレッショルドと比較し、接点の腐蝕および回復を検出する。接点の腐蝕を検出すると、接点に接続される検出導電路に腐蝕防止電流を通電する。接点の回復を検出すると、接点の接続状態を検出するための電流を検出導電路に通電する。これによって接点の腐蝕および回復を別個に検出でき、接点の接続状態を検出可能な状態まで回復した接点に、過剰な腐蝕防止電流を通電することを抑制できる。それ故、誤動作および接点の接続状態の誤判定の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、従来の技術の接点腐蝕防止装置より寿命を長くできる。

本発明（２）によれば、可変インピーダンス手段を低インピーダンスに切替えると、腐蝕防止電流を検出導電路に通電し、可変インピーダンス手段を高インピーダンスに切替えると、接点の接続状態を検出するための電流を検出導電路に通電する。比較切替手段は、被検出値を、腐蝕スレッショルドおよび回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて可変インピーダンス手段を切替える。これによって接点の腐蝕および回復を別個に検出でき、接点の接続状態を検出可能な状態まで回復した接点に、過剰な腐蝕防止電流を通電することを抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および接点腐蝕防止装置が配設される装置（以下、単に「装置」と称する）の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、従来の技術の接点腐蝕防止装置より寿命を長くできる。

本発明（３）によれば、インピーダンス手段とスイッチング素子とが並列して検出導電路に接続される。スイッチング素子を導通状態に切替えることによって、可変インピーダンス手段を低インピーダンスに切替え、スイッチング素子を非導通状態に切替えることによって、可変インピーダンス手段を高インピーダンスに切替える。これによって低インピーダンスおよび高インピーダンスに切替え可能な可変インピーダンス手段を実現できる。

本発明（４）によれば、腐蝕スレッショルドは、被検出値である検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位である。回復スレッショルドは、被検出値である検出導電路の電位と比較して、接点の回復を判定し得る回復電位である。これによって検出導電路の電位と腐蝕電位および回復電位との比較によって、接点の腐蝕および回復の判定を実現できる。

本発明（５）によれば、腐蝕スレッショルドは、被検出値に含まれる検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位である。回復スレッショルドは、被検出値に含まれる検出導電路の電流量と比較して、接点の回復を判定し得る回復電流量である。これによって検出導電路の電位および電流量と腐蝕電位および回復電流量との比較によって、接点の腐蝕および回復の判定を実現できる。

本発明（６）によれば、比較切替手段は、検出導電路の電位に基づいて、回復電位を変動させる。これによって画一的に回復電位を決定する場合に比べて、検出導電路に通電される過剰な腐蝕防止電流を抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置の寿命を長くできる。

本発明（７）によれば、休止手段は、（１）腐蝕防止電流が通電される時間が予め定めれる時間以上、および（２）腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流以上の少なくともいずれか一方を充足すると、通電を規定の休止時間休止させる。しがたって腐蝕防止電流の通電を休止時間休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流が流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、さらに長くできる。

本発明（８）によれば、可変インピーダンス手段を低インピーダンスに切替えると、腐蝕防止電流を検出導電路に通電し、可変インピーダンス手段を高インピーダンスに切替えると、接点の接続状態を検出するための電流を検出導電路に通電する。比較切替手段は、被検出値を、腐蝕回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて可変インピーダンス手段を切替える。（１）腐蝕防止電流が通電される時間が予め定めれる時間以上、および（２）腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流以上の少なくともいずれか一方を充足すると、休止手段によって通電を規定の休止時間休止させる。しがたって腐蝕防止電流の通電を休止時間休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流が流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置の寿命を長くできる。

本発明（９）によれば、腐蝕防止電流を通電する通電動作の回数および休止手段が通電を休止させる休止動作の回数のうち少なくともいずれか一方が、計数手段によって計数される。計数結果が規定回数以上になると、停止手段によって腐蝕防止電流の通電が停止される。これによって通電動作および休止動作の繰返しによって、検出導電路に腐蝕防止電流が累積して過剰に通電されることを抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置の寿命をさらに長くできる。

また接点などの故障にともなう接点の腐蝕の誤判定の場合、従来の技術の接点腐蝕防止装置では、過剰な腐蝕防止電流の通電が継続し続ける。これによって接点などの故障に連動して、従来の技術の接点腐蝕防止装置が故障する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置では、通電動作の回数が停止回数以上になると、腐蝕防止電流の通電が停止し、接点などの故障に連動して接点腐蝕防止装置が故障することを防止できる。

本発明（１０）によれば、腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作がなされると、インピーダンス低下手段によって接点の入力インピーダンスを下げる。これによって停止動作がなされても、検出導電路にノイズが発生することを抑制できる。

本発明（１１）によれば、休止動作および停止動作のいずれか一方がなされると、インピーダンス低下手段によって接点の入力インピーダンスを下げる。これによって休止動作がなされても、検出導電路にノイズが発生することを抑制できる。

本発明（１２）によれば、接点がスイッチの接点である。インピーダンス手段が抵抗器である。スイッチング素子が電界効果型トランジスタである。比較切換手段がヒステリシスを有するコンパレータである。このような構成を用いることによって、接点腐蝕防止装置を実現できる。

本発明（１３）によれば、腐蝕防止電流通電手段は、腐蝕検出手段が接点の腐蝕を検出すると、検出導電路を介して接点に腐蝕防止電流を通電する。腐蝕防止電流通電手段は、腐蝕防止電流を予め定められる通電時間通電すると、休止時間の間、腐蝕防止電流の通電を休止する。これによって検出導電路に腐蝕防止電流が累積して過剰に通電されることを抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置の寿命をさらに長くできる。

本発明（１４）によれば、論理判定電流通電手段は、休止状態に検出導電路に論理判定電流が通電される。接点論理判定手段は、休止状態における検出導電路の電圧を検出し、この検出結果に基いて接点の電気的な接続状態を判定している。休止状態に接点の電気的な接続状態を判定するので、接点の腐蝕除去動作と接点の電気的な接続状態の判定動作とを分離することができ、論理判定電流によって接点の電気的な接続状態を判定することができる。これによって接点が腐蝕している場合であっても、腐蝕防止電流の電流値と異なる所望の電流値の論理判定電流によって接点の電気的な接続状態を判定することができる。

本発明（１５）によれば、接点論理判定手段の判定結果を出力する信号処理装置を実現することができる。

本発明（１６）によれば、接点腐蝕防止装置を備える制御ユニットを実現することができる。

本発明（１７）によれば、腐蝕防止電流を予め定められる通電時間通電すると、休止時間の間、腐蝕防止電流の通電を休止する。これによって検出導電路に腐蝕防止電流が累積して過剰に通電されることを抑制できる。それ故、接点の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流の過剰な通電を抑制できるので、装置の寿命をさらに長くできる。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。また実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。

図４は、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０を概略示す回路図である。図５は、比較切替部１２の出力特性を示すグラフである。図５は、縦軸が比較切替部の出力信号のレベルを示し、横軸が電位を示す。接点腐蝕防止装置１０は、スイッチ１３またはコネクタに含まれる接点１４の接続状態を検出する装置に設けられる。接点腐蝕防止装置１０は、接点１４の腐蝕および回復を検出する。接点腐蝕防止装置１０は、接点１４の腐蝕を検出すると、接点１４の腐蝕を除去するための腐蝕防止電流ＩＡを通電し、腐蝕する接点１４の回復を検出すると、腐蝕防止電流ＩＡの通電を止める。接点腐蝕防止装置１０は、接点１４の腐蝕を除去し、接点１４の抵抗を低減するための装置である。接点腐蝕防止装置１０は、スイッチ１３またはコネクタを含む電子機器、たとえば電子制御装置
（Electronic Control Unit；略称ＥＣＵ）に含まれる。接点腐蝕防止装置１０は、スイッチ１３、電源１５およびマイコン１６に電気的に接続される。

スイッチ１３は、スイッチ１３をＯＮにすると接点１４を含む２つの端子間の電気的な接続状態（以下、単に「接点１４の接続状態」と称する）を閉状態に、スイッチ１３をＯＦＦにすると接点１４の接続状態を開状態に切替可能に構成される。スイッチ１３は、接点１４が接点腐蝕防止装置１０に電気的に接続され、接点１４と異なる端子が接地される。スイッチ１３は、ＯＮに切替えられると、２つの端子間が電気的に接続されて接点１４が接地される。スイッチ１３は、ＯＦＦに切替えられると、２つの端子間が電気的に切り離される。

電源１５は、接点１４の接続状態をマイコン１６に論理判定させるための定電圧である電源電圧ＶＢを接点腐蝕防止装置１０に供給する機能を有する。電源１５は、接点腐蝕防止装置１０の外部から接点腐蝕防止装置１０に定電圧を供給する定圧電源である。電源１５は、低電位側が接地され、高電位側が接点腐蝕防止装置１０に接続される。電源１５は、たとえば、１４Ｖである。マイコン１６は、スイッチ１３の接続状態を論理判定する機能を有する。

接点腐蝕防止装置１０は、検出導電路１７、電源導電路１８、抵抗器１９、スイッチング素子２０、基準電圧源２１および比較切替部１２を含む。検出導電路１７は、導電材料から成り、その一端がスイッチ１３の接点１４に電気的に接続され、他端がマイコン１６に電気的に接続される。電源導電路１８は、導電材料から成り、その一端に電源１５が電気的に接続される。インピーダンス手段である抵抗器１９は、その一端が検出導電路１７の接点１４とマイコン１６との間に電気的に接続され、他端が電源導電路１８の他端に電気的に接続される。抵抗器１９は、電源１５の電源電圧ＶＢによって、マイコン１６が接点１４の接続状態を論理判定するための接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電可能に構成される。接続検出電流ＩＢは、たとえば１ｍＡである。

スイッチング素子２０は、抵抗器１９より低インピーダンスであって、電源導電路１８および検出導電路１７にそれぞれ電気的に接続される２つの端子を含む。スイッチング素子２０は、これらの端子間を導通する導通状態および非導通する非導通状態に切替える機能を有する。スイッチング素子２０は、具体的には、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタによって構成される。スイッチング素子２０は、一方の端子であるドレイン２０ａが電源導電路１８に、他方の端子であるソース２０ｂが検出導電路１７に、抵抗器１９と並列して電気的に接続される。スイッチング素子２０は、ドレイン２０ａとソース２０ｂとが導通する導通状態で電源１５の電源電圧ＶＢによって、接点１４の腐蝕を除去するための腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電する機能を有する。腐蝕防止電流ＩＡは、接続検出電流ＩＢより大電流であり、たとえば２０ｍＡである。

本実施の形態では、抵抗器１９とスイッチング素子２０とを含めて可変インピーダンス手段２２と称する。可変インピーダンス手段２２は、スイッチング素子２０を非導通状態にすると、高インピーダンスになり、抵抗器１９を介して検出導電路１７に接続検出電流ＩＢを通電する。可変インピーダンス手段２２は、スイッチング素子２０を導通状態にすると、低インピーダンスになり、スイッチング素子２０を介して検出導電路１７に腐蝕電流を通電する。

基準電圧源２１は、第１分圧抵抗器２３と第２分圧抵抗器２４とを直列に電気的に接続して構成される分圧抵抗回路である。ただし、基準電圧源２１は、分圧抵抗回路に限定されず、分圧回路であってもよく、基準電圧を供給可能な構成であればよい。基準電圧源２１は、第１分圧抵抗器２３側の一端が電源導電路１８のスイッチング素子２０より電源１５側に電気的に接続され、第２分圧抵抗器２４側の他端が接地される。

比較切替手段である比較切替部１２は、いわゆるヒステリシスコンパレータであり、コンパレータ２５とヒステリシス抵抗器２６とを含む。比較切替部１２は、ヒステリシス抵抗器２６の一端および他端がコンパレータ２５の非反転入力端子２５ａおよび出力端子２５ｂに電気的にそれぞれ接続されて構成される。比較切替部１２は、反転入力端子２５ｃが検出導電路１７に電気的に接続され、非反転入力端子２５ａが第１分圧抵抗器２３と第２分圧抵抗器２４との間に電気的に接続され、出力端子２５ｂが出力導電路２７を介してスイッチング素子２０のゲート２０ｃに電気的に接続される。

比較切替部１２は、検出導電路１７の電位（以下、単に「検出電位」と称する）と腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲとを比較する機能を有する。比較切替部１２は、図５に示すように、検出電位が上昇し腐蝕電位ＶＸより大きくなると、出力信号をハイレベル（以下、単に「Ｈｉ」と称する）からローレベル（以下、単に「Ｌｏ」と称する）に切替え、検出電位が下降し回復電位ＶＲより小さくなると、出力信号をＬｏからＨｉに切替える機能を有する。腐蝕スレッショルドである腐蝕電位ＶＸは、基準電圧源２１から非反転入力端子２５ａに供給される基準電位であり、たとえば１Ｖである。基準電位は、第１分圧抵抗器２３および第２分圧抵抗器２４の電源電圧ＶＢを分圧することによって得られる。回復スレッショルドである回復電位ＶＲは、ヒステリシス抵抗器２６で決定される電位であり、たとえば４Ｖである。腐蝕電位ＶＸは、回復電位ＶＲより大きい電位を有する。

比較切替部１２は、出力信号によってスイッチング素子２０の導通状態および非導通状態を切替える機能を有する。具体的には、比較切替部１２は、スイッチング素子２０にＨｉの出力信号を入力して、スイッチング素子２０を非導通状態に切替え、スイッチング素子２０にＬｏの出力信号を入力して、スイッチング素子２０を導通状態に切替える機能を有する。

マイコン１６は、検出電位に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する機能を有する。換言すると、マイコン１６は検出導電路１７から入力される信号（以下、単に「入力信号」と称する）に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する機能を有する。具体的には、マイコン１６は、入力信号のＬｏおよびＨｉを判定し、Ｌｏの場合、接点１４の接続状態が閉状態であると判定し、Ｈｉの場合、接点１４の接続状態が開状態であると判定する。

腐蝕電位ＶＸは、接点１４の腐蝕を判定し得る電位であり、回復電位ＶＲは、接点１４の回復を判定し得る電位である。具体的には、腐蝕電位ＶＸは、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される際、マイコン１６が接点１４の腐蝕に起因して接点１４の接続状態を誤判定する可能性がある電位ＶＵ以下に設定される。回復電位ＶＲは、腐蝕防止電流ＩＡが通電される際この電位まで下降すると、接続検出電流ＩＢが通電される際、マイコン１６が、接点１４の接続状態を確実に判定する電位に設定される。

図６は、経過時間に対する検出電位Ｖ０の変化を示すグラフである。図７は、経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。図６は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図７は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０の動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、被検出値である検出電位Ｖ０が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ０）。このとき、検出電位Ｖ１が腐蝕電位ＶＸより高いので、出力信号がＬｏになる。マイコン１６は、検出電位Ｖ０に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ０が電位ＶＡになる（ｔ０≦ｔ＜ｔ１）。検出電位Ｖ０が回復電位ＶＲより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になる。これによって検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢに通電され、マイコン１６は、検出電位Ｖ０に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が開始する（ｔ＝ｔ１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ０が上昇する（ｔ１≦ｔ＜ｔ２）。検出電位Ｖ０の電位が上昇し腐蝕電位ＶＸより大きくなる（ｔ＝ｔ２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって、検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ０が上昇する（ｔ２≦ｔ＜ｔ３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ３）と、検出電位Ｖ０が下降する（ｔ３≦ｔ＜ｔ４）。検出電位Ｖ０が下降し回復電位ＶＲより小さくなる（ｔ＝ｔ４）と、出力信号がＨｉになり、スイッチング素子２０が非導通状態になる。これによって抵抗器１９を介して検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電され（ｔ４≦ｔ）る。これによってマイコン１６は、検出電位Ｖ０に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０が奏する効果について説明する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、検出電位Ｖ０を腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲと比較し、接点１４の腐蝕および回復を検出する。接点１４の腐蝕を検出すると、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡを通電する。接点１４の回復を検出すると、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する。これによって接点１４の腐蝕および回復を別個に検出でき、接点１４の接続状態を論理判定可能な状態まで回復した接点１４に、過剰な腐蝕防止電流ＩＡを通電することを抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０より寿命を長くでき、マイコン１６の寿命も長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、可変インピーダンス手段２２を低インピーダンスに切替えると、腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電し、可変インピーダンス手段２２を高インピーダンスに切替えると、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する。比較切替部１２は、検出電位Ｖ０を、腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲと比較し、その比較結果に基づいて可変インピーダンス手段２２を切替える。これによって接点１４の腐蝕および回復を別個に検出でき、接点１４の接続状態を検出可能な状態まで回復した接点１４に、過剰な腐蝕防止電流ＩＡを通電することを抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０より寿命を長くでき、マイコン１６の寿命も長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、抵抗器１９とスイッチング素子２０とが並列して検出導電路１７に接続される。スイッチング素子２０を導通状態に切替えることによって、可変インピーダンス手段２２を低インピーダンスに切替え、スイッチング素子２０を非導通状態に切替えることによって、可変インピーダンス手段２２を高インピーダンスに切替える。これによって低インピーダンスおよび高インピーダンスに切替え可能な可変インピーダンス手段２２を実現できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、腐蝕電位ＶＸは、検出電位Ｖ０と比較して、接点１４の腐蝕を判定し得る。回復電位ＶＲは、検出電位Ｖ０と比較して、接点１４の回復を判定し得る。これによって検出電位Ｖ０と腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲとの比較によって、接点１４の腐蝕および回復の判定を実現できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、腐蝕防止電流ＩＡが通電される際この電位まで下降すると、接続検出電流ＩＢが通電される際、マイコン１６が、接点１４の接続状態を判定可能な電位に設定される。したがって接点腐蝕防止装置１０は、過剰な腐蝕防止電流ＩＡを通電させることを抑制する上、マイコン１６が確実に接点１４の接続状態を論理判定可能な状態まで接点１４を回復させることができる。したがってマイコン１６の誤判定および誤動作を抑制できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０によれば、ヒステリシス抵抗器２６の抵抗を調整するだけで、回復電位ＶＲを変更することができる。回復電位ＶＲは、接点１４の材質、状態および接点１４が配設される環境によって異なる。したがって接点１４の材質、状態および環境などに合わせて前記抵抗を変更することによって、接点腐蝕防止装置１０の誤判定および誤動作をさらに抑制することができる。

図８は、実施の第２の形態の接点腐蝕防止装置１０Ａを概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１０Ａは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と構成が類似している。接点腐蝕防止装置１０Ａは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０にさらに電流検出回路４０および接地スイッチング素子３０を含み、マイコン１６が接点腐蝕防止装置１０Ａに含まれる。

電流検出回路４０は、電源導電路１８において、スイッチング素子２０と電源１５との間に介在する。電流検出回路４０は、マイコン１６Ａに電気的に接続される。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されているか否かを検出する機能を有する。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されているか否かをマイコン１６Ａに伝送する機能を有する。

休止手段であるマイコン１６Ａは、さらに電源１５に電気的に接続され、出力導電路２７のスイッチング素子２０と比較切替部１２との間に電気的に接続される。マイコン１６Ａは、実施の第１の形態のマイコン１６と同様の機能を有する。マイコン１６Ａは、出力信号を取得し、電源導電路１８に電流が通電され、かつＬｏの出力信号が出力されている時間、すなわち腐蝕防止電流ＩＡが継続して通電される通電時間を計数する機能をさらに有する。マイコン１６Ａは、通電時間が予め定められる駆動時間Ｔ１以上になると、電源１５の電圧供給を休止時間Ｔ２休止して腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止する機能を有する。本実施の形態では、駆動時間Ｔ１と休止時間Ｔ２とが同一であり、たとえば１０μsecである。ただし駆動時間Ｔ１と休止時間Ｔ２とが同一であることに限定されず、異なってもよい。

インピーダンス低下手段である接地スイッチング素子３０は、たとえばｐチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタであり、ドレイン３０ａが検出導電路１７の抵抗器１９より接点１４側に電気的に接続され、ソース３０ｂが接地され、ゲート３０ｃがマイコン１６Ａに電気的に接続される。接地スイッチング素子３０は、ゲート３０ｃに入力される信号に基づいて、ドレイン３０ａとソース３０ｂとを導通状態および非導通状態に切替える機能を有する。接地スイッチング素子３０は、それを導通状態にすることによって接点１４の入力インピーダンスを低下するために配設される。マイコン１６Ａは、電源１５からの供給を休止すると、ゲート３０ｃに信号を入力し、接地スイッチング素子３０を導通状態に切替え、電源１５が電圧を供給すると、接地スイッチング素子３０を非導通状態に切替える機能を有する。

図９は、経過時間に対する検出電位Ｖ１の変化を示すグラフである。図１０は、経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。図９は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図１０は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ａの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ１が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ１０）。検出電位Ｖ１が腐蝕電位ＶＸより高いので、出力信号がＬｏになる。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されていないことをマイコン１６Ａに伝送する。マイコン１６Ａは、検出電位Ｖ１に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ１０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ１が電位ＶＡになる（ｔ１０≦ｔ＜ｔ１１）。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されていることをマイコン１６Ａに伝送する。検出電位Ｖ１が回復電位ＶＲより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢに通電される。これによってマイコン１６Ａは、検出電位Ｖ１に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が開始する（ｔ＝ｔ１１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ１が上昇する（ｔ１１≦ｔ＜ｔ１２）。検出電位Ｖ１の電位が上昇し腐蝕電位ＶＸより大きくなる（ｔ＝ｔ１２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって、検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ１が上昇する（ｔ１２≦ｔ＜ｔ１３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ１３）と、検出電位Ｖ１が下降する（ｔ１３≦ｔ＜ｔ１４）。

通電時間が駆動時間Ｔ１以上になる（ｔ＝ｔ１４）と、電流検出回路４０が電源導電路１８に電流が通電されていることを検出しているので、マイコン１６Ａは、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させる（ｔ１４≦ｔ＜ｔ１５）。腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止することによって、出力信号がＨｉになる。このときマイコン１６Ａは、接地スイッチング素子３０を導通状態に切替えて、接点１４の入力インピーダンスを低下させる。休止時間Ｔ２が経過後、マイコン１６Ａは、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝１５）。

接点１４の腐蝕除去の進行度合いによって、接点１４が回復する場合と接点１４が回復しない場合とが生じる。これらの場合、互いに電圧供給再開後の接点腐蝕防止装置１０Ａの動作が異なる。したがって以下では、２つの場合にわけて接点腐蝕防止装置１０Ａの動作について説明する。

接点１４の腐蝕の除去によって接点１４が回復した場合、電圧供給再開すると、検出電位Ｖ１が回復電位ＶＲより小さくなり比較切替部１２が接点１４の回復を検出する。これによって出力信号がＨｉになり（ｔ１４≦ｔ＜ｔ１５の実線）、スイッチング素子２０が非導通状態に維持されて、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される（ｔ１５≦ｔの実線）。これによってマイコン１６Ａは、検出電位Ｖ１に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕の除去によって接点１４が回復しない場合、電圧供給再開すると、検出電位Ｖ１が回復電位ＶＲより大きく、比較切替部１２が接点１４の腐蝕を検出する。これによって出力信号がＬｏになり（ｔ１４≦ｔ＜ｔ１５の１点鎖線）、スイッチング素子２０が導通状態に切替えられ、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが通電される（ｔ１５≦ｔの１点鎖線）。腐蝕防止電流ＩＡを再度通電させることによって、さらに接点１４の腐蝕を除去する動作を継続して接点１４を回復させる。

本実施の接点腐蝕防止装置１０Ａによれば、マイコン１６Ａは、通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、通電を休止時間Ｔ２休止させる。しがたって腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流ＩＡが流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ａの寿命をさらに長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ａは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と同様の効果を奏する。

図１１は、実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂの経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。図１２は、経過時間に対する検出電位Ｖ２の変化を示すグラフである。図１３は、経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。図１１は、縦軸が電流を示し、横軸が時間を示す。図１２は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図１３は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。接点腐蝕防止装置１０Ｂは、実施の第２の形態の接点腐蝕防止装置１０Ａと構成が類似している。接点腐蝕防止装置１０Ｂは、第２の実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ａにおいて、比較切替部１２Ｂがコンパレータ２５のみで構成され、マイコン１６Ｂがさらに異なる機能を有する。

比較切替部１２Ｂは、コンパレータ２５によって構成される。比較切替部１２Ｂは、検出電位と腐蝕回復電位ＶＭとを比較する機能を有する。比較切替部１２Ｂは、検出電位が腐蝕回復電位ＶＭより大きくなると、出力信号をＨｉからＬｏに切替え、検出電位が腐蝕回復電位ＶＭより小さくなると、出力信号をＬｏからＨｉに切替える機能を有する。腐蝕回復スレッショルドである腐蝕回復電位ＶＭは、基準電圧源２１から非反転入力端子２５ａに供給される基準電位であり、たとえば１Ｖである。腐蝕回復電位ＶＭは、接点１４の腐蝕および回復を判定し得る電位である。具体的には、腐蝕回復電位ＶＭは、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される際、マイコン１６Ｂが、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の接続状態を誤判定する電位ＶＵ以下に設定される。腐蝕回復電位ＶＲは、接点１４の腐蝕および回復を検出可能な基準電位は、第１分圧抵抗器２３および第２分圧抵抗器２４の電源電圧ＶＢを分圧することによって得られる。比較切替部１２Ｂは、第２の実施の形態の比較切替部１２と同様に出力信号によってスイッチング素子２０の導通状態および非導通状態を切替える機能を有する。

マイコン１６Ｂは、実施の第２の形態のマイコン１６Ａと同様の機能を有し、さらに以下のような機能を有する。マイコン１６Ｂは、腐蝕防止電流ＩＡを駆動時間Ｔ１通電する通電動作と、電源１５からの電圧供給を休止時間Ｔ２休止する休止動作とを切替えて繰返す機能を有する。

以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｂの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ２が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ２０）。検出電位Ｖ２が腐蝕回復電位ＶＭより高いので、出力信号がＬｏになる。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されていないことをマイコン１６Ｂに伝送する。マイコン１６Ｂは、検出電位Ｖ２に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ２０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ２が電位ＶＡになる（ｔ２０≦ｔ＜ｔ２１）。電流検出回路４０は、電源導電路１８に電流が通電されていることをマイコン１６Ｂに伝送する。検出電位Ｖ２が腐蝕回復電位ＶＭより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢに通電される。マイコン１６Ｂは、検出電位Ｖ２に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が開始する（ｔ＝ｔ２１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ２が上昇する（ｔ２１≦ｔ＜ｔ２２）。検出電位Ｖ２の電位が上昇し腐蝕回復電位ＶＭより大きくなる（ｔ＝ｔ２２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ２が上昇する（ｔ２２≦ｔ＜ｔ２３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ２３）と、検出電位Ｖ２が下降する（ｔ２３≦ｔ＜ｔ２４）。

通電時間が駆動時間Ｔ１以上になる（ｔ＝ｔ２４）と、電流検出回路４０が電源導電路１８に電流が通電されていることを検出しているので、マイコン１６Ｂは、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させる（ｔ２４≦ｔ＜ｔ２５）。腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止することによって、出力信号がＨｉになる。このときマイコン１６Ｂは、接地スイッチング素子３０を導通状態に切替えて、接点１４の入力インピーダンスを低下させる。休止時間Ｔ２が経過後、マイコン１６Ｂは、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝２５）。電圧供給を再開すると、検出電位Ｖ１が腐蝕回復電位ＶＭより高いので、出力信号がＬｏとなる。これによってスイッチング素子２０が導通状態になり、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが通電される。このようにマイコン１６Ｂが通電動作と休止動作とを繰返し、図１１に示すようにパルス状の腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電させる（ｔ２５≦ｔ＜ｔ２８）。パルス状の腐蝕防止電流ＩＡを通電し、検出電位Ｖ２が腐蝕回復電位ＶＭより小さくなる（ｔ＝ｔ２８）と、出力信号がＨｉになり、スイッチング素子２０が非導通状態になる。これによって抵抗器１９を介して検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電され（ｔ２８≦ｔ）、マイコン１６Ｂは、検出電位Ｖ２に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂによれば、可変インピーダンス手段２２を低インピーダンスに切替えると、腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電し、可変インピーダンス手段２２を高インピーダンスに切替えると、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する。比較切替部１２Ｂは、検出電位Ｖ２を、腐蝕回復電位ＶＭと比較し、その比較結果に基づいて可変インピーダンス手段２２を切替える。通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、マイコン１６Ｂによって通電を休止時間Ｔ２休止させる。しがたって腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流ＩＡが流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｂの寿命を長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂによれば、通電動作と休止動作とを繰返して接点１４の腐蝕を除去する。これによって継続的に腐蝕防止電流ＩＡが通電される場合より、検出導電路１７に過剰な腐蝕防止電流ＩＡが通電されることを抑制できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置によれば、腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作がなされると、接地スイッチング素子３０によって接点１４の入力インピーダンスを下げる。これによって停止動作がなされても、検出導電路１７にノイズが発生することを抑制できる。

図１４は、実施の第４の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｃを概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１０Ｃは、実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂと構成が類似している。接点腐蝕防止装置１０Ｃは、実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂに、さらにタイマ３１を含み、マイコン１６Ｃがさらに異なる機能を有する。

計数手段であるタイマ３１は、マイコン１６Ｃと出力導電路２７との間に介在し、これらに電気的に接続される。タイマ３１は、Ｌｏの出力信号が比較切替部１２Ｂから出力される回数を計数する機能を有する。換言すると、タイマ３１は、通電動作の回数を計数する機能を有する。タイマ３１は、マイコン１６Ｃに通電動作の回数を伝送可能に構成される。またタイマ３１は、予め定められる時間の間、出力信号の出力レベルが切替わらない場合、通電動作の回数をリセットする機能を有する。

停止手段であるマイコン１６Ｃは、実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂのマイコン１６Ｂと同様の機能を有し、さらに以下のような機能を有する。マイコン１６Ｃは、通電動作の回数が規定回数である予め定められる停止回数以上になると、電源１５の電圧供給を停止する機能を有する。電源１５の電圧供給が停止すると、電源１５は、たとえば利用者が手動で電圧供給を再開しなければ供給されないように構成される。

図１５は、経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。図１６は、経過時間に対する検出電位Ｖ３の変化を示すグラフである。図１７は、経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。図１５は、縦軸が電流を示し、横軸が時間を示す。図１６は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図１７は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｃの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ３が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ３０）。検出電位Ｖ３が腐蝕回復電位ＶＭより高いので、出力信号がＬｏになる。マイコン１６Ｃは、検出電位Ｖ３に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ３０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ３が電位ＶＡになる（ｔ３０≦ｔ＜ｔ３１）。検出電位Ｖ３が腐蝕回復電位ＶＭより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢに通電される。これによってマイコン１６Ｃは、検出電位Ｖ３に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が始まる（ｔ＝ｔ３１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ３が上昇する（ｔ３１≦ｔ＜ｔ３２）。検出電位Ｖ３の電位が上昇し腐蝕回復電位ＶＭより大きくなる（ｔ＝ｔ３２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ３が上昇する（ｔ３２≦ｔ＜ｔ３３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ３３）と、検出電位Ｖ３が下降する（ｔ３３≦ｔ＜ｔ３４）。

腐蝕防止電流ＩＡが検出導電路１７に通電されると、マイコン１６Ｃは、接点１４の回復が比較切替部１２Ｂで検出されるまで、通電動作と休止動作を複数回繰返し、図１５に示すようにパルス状の腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電させる（ｔ３４≦ｔ＜ｔ３５）。通電動作の回数が停止回数より大きくなるまでに、接点１４の回復が検出される場合については、実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂと同様の動作であり、その動作の説明を省略する。以下では、通電動作の回数が停止回数以上になるまで、接点１４の回復が検出されない場合について説明する。

マイコン１６Ｃは、通電動作の回数が停止回数以上になると（ｔ＝３６）と、腐蝕防止電流ＩＡを通電後、電源１５の電圧供給を停止する。この際、マイコン１６Ｃは、接地スイッチング素子３０を導通させ、接点１４の入力インピーダンスを低下させる。なお、腐蝕防止電流の通電後に限定されず、腐蝕防止電流の通電前に電源１５の電圧供給を停止してもよい。

接点１４の腐蝕は、一定量の腐蝕防止電流ＩＡを通電した後に、一定時間放置することによって除去される場合がある。たとえば、接点１４の開閉動作を繰返すことによって剥離除去される場合がある。この場合、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝３７）と、出力信号がＨｉに維持され、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される（ｔ３７≦ｔの実線）。これによってマイコン１６Ｃは、検出電位Ｖ３に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。また接点１４などの故障、たとえばスイッチ１３の接触不良の場合、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝３７）と、検出電位Ｖ３が腐蝕回復電位ＶＭより小さくならず、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって腐蝕防止電流ＩＡが再び通電される（ｔ３７≦ｔ）。電源の電圧供給を再開して、検出電位接点１４の腐蝕に起因する電位上昇か、スイッチ１３の故障に起因する電位上昇かを判別することができる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｃによれば、腐蝕防止電流ＩＡを通電する通電動作の回数が、タイマ３１によって計数される。通電動作の回数が停止回数以上になると、マイコン１６Ｃによって電源１５の電圧供給を停止し、腐蝕防止電流ＩＡの通電が停止される。これによって通電動作および休止動作の繰返しによって、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが累積して過剰に通電されることを抑制できる。それ故、接点腐蝕防止装置１０Ｃの接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｃの寿命をさらに長くできる。

接点１４などの故障にともなう接点１４の腐蝕の誤判定の場合、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０Ｃでは、過剰な腐蝕防止電流ＩＡの通電が継続し続ける。これによって接点１４などの故障、たとえばスイッチ１３の接触不良に連動して、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０Ｃが故障する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｃでは、通電動作の回数が停止回数以上になると、腐蝕防止電流ＩＡの通電が停止し、接点１４などの故障に連動して接点腐蝕防止装置１０Ｃが故障することを防止できる。また電源１５の電圧供給を再開することによって、接点１４の腐蝕か接点１４などの故障かを判別することが可能となる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｃによれば、腐蝕防止電流ＩＡの通電を停止する停止動作がなされると、接地スイッチング素子３０によって接点１４の入力インピーダンスを下げる。これによって停止動作がなされても、検出導電路１７にノイズが発生することを抑制できる。

図１８は、実施の第５の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄを概略示す回路図である。図１９は、比較切替部１２Ｄの出力特性を示すグラフである。図１９は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が電位を示す。接点腐蝕防止装置１０Ｄは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と構成が類似している。

比較切替部１２Ｄは、コンパレータ２５とコンデンサ３２によって構成される。コンデンサ３２は、その一端がコンパレータ２５の反転入力端子２５ｃに、他端がコンパレータ２５の非反転入力端子２５ａに電気的に接続される。比較切替部１２Ｄは、検出電位と腐蝕電位ＶＸおよび回復電位ＶＲとを比較する機能を有する。比較切替部１２Ｄは、検出電位が腐蝕電位ＶＸより大きくなると、出力信号をＨｉからＬｏに切替える機能を有する。比較切替部１２Ｄは、検出電位が回復電位ＶＲより小さくなると、出力信号をＬｏからＨｉに切替える機能を有する。比較切替部１２Ｄは、検出電位が上昇すると、コンデンサ３２が充電される。これによって比較切替部１２Ｄは、検出電位が腐蝕電位ＶＸより大きくなると、コンデンサ３２が非反転入力端子２５ａの電位を上昇させるので、回復電位ＶＲを変動させる、具体的には、回復電位ＶＲを上昇させる機能を有する（図１９）。比較切替部１２Ｄは、実施の第１の形態の比較切替部１２Ｄと同様にスイッチング素子２０を導通状態および非導通状態に切替える機能を有する。

図２０は、経過時間に対する検出電位Ｖ４の変化を示すグラフである。図２１は、経過時間に対する比較切替部１２Ｄの出力変化を示すグラフである。図２０は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図２１は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｄの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ４が電源電圧ＶＢになり（０≦ｔ＜ｔ４０）、出力信号がＬｏになる。マイコン１６は、検出電位Ｖ４に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ４０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ４が電位ＶＡになり（ｔ４０≦ｔ＜ｔ４１）、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される。マイコン１６は、検出電位Ｖ４に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が始まる（ｔ＝ｔ４１）と、検出電位Ｖ４が上昇する（ｔ４１≦ｔ＜ｔ４２）。検出電位Ｖ４の電位が上昇し腐蝕電位ＶＸより大きくなる（ｔ＝ｔ４２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ４が上昇する（ｔ４２≦ｔ＜ｔ４３）。検出電位Ｖ４の上昇に連動して回復電位ＶＲも上昇する。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ４３）と、検出電位Ｖ４が下降する（ｔ４３≦ｔ＜ｔ４４）。検出電位Ｖ４が回復電位ＶＲより小さくなる（ｔ＝ｔ４４）と、出力信号がＨｉになり、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される（ｔ４４≦ｔ）。これによってマイコン１６は、検出電位Ｖ４に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｄが奏する効果について説明する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄによれば、比較切替部１２Ｄは、検出電位Ｖ４に基づいて、回復電位ＶＲを変動させる。これによって画一的に回復電位ＶＲを決定する場合に比べて、検出導電路１７に通電される過剰な腐蝕防止電流ＩＡを抑制できる。それ故、接点腐蝕防止装置１０Ｄの接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｄの寿命を長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄによれば、回復電位ＶＲは、コンデンサ３２の放電によって上昇するので、検出電位の上昇に対して遅延して上昇が開始し、かつ検出電位より大きい電位に設定されない。それ故、検出電位の減少を確実に検出できる、すなわち接点１４の腐蝕の除去の開始を確実に検出することができる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄによれば、検出電位Ｖ４に応じて回復電位ＶＲが変動する。腐蝕防止電流ＩＡが通電される際に検出される検出電位Ｖ４は、接点１４の腐蝕状況およびスイッチ１３の構成などによって異なる。それ故、画一的に回復電位ＶＲを決定すると、過剰な腐蝕防止電流ＩＡが通電される可能性がある。検出電位Ｖ４に応じて回復電位ＶＲが変動することによって、さらに過剰な腐蝕防止電流ＩＡの通電を抑制できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄによれば、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と同様の効果を奏する。

図２２は、実施の第６の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅを概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１０Ｅは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と構成が類似している。具体的には、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０では、スイッチ１３が検出導電路１７に対して接地側、すなわちローサイド側に配設されているけれども、実施の第６の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅでは、スイッチ１３が検出導電路１７に対して電源１５側、すなわちハイサイド側に介在する。

検出導電路１７は、一端が電源１５に、他端がマイコン１６に電気的に接続される。スイッチ１３は、検出導電路１７に介在し、接点１４が電源１５側に電気的に接続される。抵抗器１９およびスイッチング素子２０は、これらの一端が検出導電路１７に並列して電気的に接続され、他端が接地される。基準電圧源２１の一端は、検出導電路１７の電源１５と接点１４との間に電気的に接続され、他端が接地される。比較切替部１２Ｄは、反転入力端子２５ｃが検出導電路１７のスイッチング素子２０よりマイコン１６側に、非反転入力端子２５ａが基準電圧源２１に、出力端子２５ｂがスイッチング素子２０のゲート２０ｃに電気的に接続される。スイッチング素子２０には、ｎチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタが用いられる。

本実施の形態のようにスイッチ１３がハイサイド側に配設されると、腐蝕電位ＶＸが回復電位ＶＲより高く設定される。すなわち、実施の第１の形態に対して、腐蝕電位ＶＸと回復電位ＶＲとが反転している。具体的には、比較切替部１２は、検出電位が下降し腐蝕電位ＶＸより小さくなると、出力信号をＬｏからＨｉに切替え、検出電位が上昇し回復電位ＶＲより大きくなると、出力信号をＨｉからＬｏに切替える機能を有する。比較切替部１２は、出力信号がＨｉになるとスイッチング素子２０を導通状態に切替え、出力信号がＬｏになると非導通状態を切替える機能を有する。マイコン１６は、入力信号のＬｏおよびＨｉを判定し、入力信号がＬｏの場合、接点１４の接続状態が閉状態であると判定し、入力信号がＨｉの場合、接点１４の接続状態が開状態であると判定する。

図２３は、経過時間に対する検出電位Ｖ５の変化を示すグラフである。図２４は、経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。図２３は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図２４は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｅの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ５が電位ＶＡになり（０≦ｔ＜ｔ５０）、出力信号がＨｉになる。マイコン１６は、検出電位Ｖ５に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ５０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ５が電源電圧ＶＢになり（ｔ５０≦ｔ＜ｔ５１）、出力信号がＬｏになる。出力信号がＬｏになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢに通電される。マイコン１６は、検出電位Ｖ５に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が始まる（ｔ＝ｔ５１）と、検出電位Ｖ５が下降する（ｔ５１≦ｔ＜ｔ５２）。検出電位Ｖ５の電位が下降し腐蝕電位ＶＸより小さくなる（ｔ＝ｔ５２）と、出力信号がＨｉになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ５が下降する（ｔ５２≦ｔ＜ｔ５３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ５３）と、検出電位Ｖ５が上昇する（ｔ５３≦ｔ＜ｔ５４）。検出電位Ｖ５が上昇し回復電位ＶＲより大きくなる（ｔ＝ｔ５４）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が非導通状態になる。これによって接続検出電流ＩＢが通電され（ｔ５４≦ｔ）、マイコン１６は、検出電位Ｖ５に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅによれば、スイッチ１３がハイサイド側に配設される。これによってスイッチ１３がローサイド側だけでなく、ハイサイド側に配設されても、接点腐蝕防止装置１０Ｅを実現できる。

本実施の第２〜第５の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅでは、スイッチ１３がローサイド側に配設されているけれども、ハイサイド側に配設しても、各実施の形態において同様の効果を奏する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅでは、スイッチ１３が１つだけれども、これに限定されず、複数のスイッチ１３が配設されてもよい。また本実施の形態では、スイッチ１３が含まれているけれども、コネクタであってもよい。

また本実施の形態では、タイマ３１は、通電動作の回数だけを計数するけれども、休止動作の回数を計数してもよい。これによってマイコン１６Ｃ，１６Ｄは、休止動作の回数が停止回数以上になると、電源１５の電圧供給を停止させることができる。またタイマ３１が通電動作の回数および休止動作の回数の両方を計数してもよい。マイコン１６Ｃ，１６Ｄは、通電動作および休止動作の回数のうち少なくとも一方の回数が停止回数以上になると、電源１５の電圧供給を停止させることができる。これらは、マイコン１６Ｃ，１６Ｄが通電動作の回数に基づいて電源１５の電圧供給を停止させる場合と同様の効果を奏する。

図２５は、実施の第７の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆを概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１０Ｆは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と構成が類似している。接点腐蝕防止装置１０Ｆは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０にさらに接地スイッチング素子３０を含み、マイコン１６Ｆが接点腐蝕防止装置１０Ｆに含まれる。

接点腐蝕防止装置１０Ｆでは、コンパレータ２５の出力端子２５ｂがマイコン１６Ｆに電気的に接続される。休止手段であるマイコン１６Ｆは、さらにスイッチング素子２０のゲート２０ｃに電気的に接続される。マイコン１６Ｆは、実施の第１の形態のマイコン１６と同様の機能を有し、さらに以下の機能を有する。マイコン１６Ｆは、出力信号を取得し、出力信号に基づいてスイッチング素子２０の導通状態および非導通状態を切替える機能を有する。具体的には、マイコン１６Ｆは、Ｌｏの出力信号を取得すると、スイッチング素子２０にＬｏの信号を入力して、スイッチング素子２０を導通状態に切替える機能を有する。マイコン１６Ｆは、Ｈｉの出力信号を取得すると、スイッチング素子２０にＨｉの信号を入力して、スイッチング素子２０を非導通状態に切替える機能を有する。

マイコン１６Ｆは、Ｌｏの出力信号が出力されている時間、すなわち腐蝕防止電流ＩＡが継続して通電される通電時間を計数する機能をさらに有する。マイコン１６Ｆは、通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、スイッチング素子２０にＨｉの信号を休止時間Ｔ２伝送し、スイッチング素子２０を非導通状態に切替える機能を有する。換言すると、マイコン１６Ｆは、通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止し、接続検出電流ＩＢを通電する機能を有する。マイコン１６Ｆは、休止時間Ｔ２が経過すると、Ｌｏの信号をスイッチング素子２０に伝送し、スイッチング素子２０を導通状態に切替える機能を有する。

図２６は、経過時間に対する検出電位Ｖ６の変化を示すグラフである。図２７は、経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。図２６は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図２７は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｆの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ６が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ６０）。検出電位Ｖ６が腐蝕電位ＶＸより高いので、出力信号がＬｏになる。マイコン１６Ｆは、検出電位Ｖ６に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ６０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ６が電位ＶＡになる（ｔ６０≦ｔ＜ｔ６１）。検出電位Ｖ６が回復電位ＶＲより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、マイコン１６Ｆは、スイッチング素子２０を非導通状態に切替え、検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢを通電する。これによってマイコン１６Ｆは、検出電位Ｖ１に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が開始する（ｔ＝ｔ６１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ６が上昇する（ｔ６１≦ｔ＜ｔ６２）。検出電位Ｖ６の電位が上昇し腐蝕電位ＶＸより大きくなる（ｔ＝ｔ６２）と、出力信号がＬｏになり、マイコン１６Ｆは、スイッチング素子２０を導通状態に切替える。これによって、検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ６が上昇する（ｔ６２≦ｔ＜ｔ６３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ６３）と、検出電位Ｖ６が下降する（ｔ６３≦ｔ＜ｔ６４）。

通電時間が駆動時間Ｔ１以上になる（ｔ＝ｔ６４）と、マイコン１６Ｆは、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止し、接続検出電流ＩＢを通電する（ｔ６４≦ｔ＜ｔ６５）。このときマイコン１６Ｆは、接地スイッチング素子３０を導通状態に切替えて、接点１４の入力インピーダンスを低下させる。休止時間Ｔ２が経過後、マイコン１６Ｆは、Ｌｏの信号をスイッチング素子２０に伝送する（ｔ＝６５）。

接点１４の腐蝕除去の進行度合いによって、接点１４が回復する場合と接点１４が回復しない場合とが生じる。これらの場合、互いに腐蝕防止電流ＩＡの通電再開後の接点腐蝕防止装置１０Ｆの動作が異なる。したがって以下では、２つの場合にわけて接点腐蝕防止装置１０Ｆの動作について説明する。

接点１４の腐蝕の除去によって接点１４が回復した場合、腐蝕防止電流ＩＡの通電を再開すると、検出電位Ｖ１が回復電位ＶＲより小さくなり比較切替部１２が接点１４の回復を検出する。これによって出力信号がＨｉになり（ｔ６５≦ｔの実線）、スイッチング素子２０が非導通状態に維持されて、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される（ｔ６５≦ｔの実線）。これによってマイコン１６Ｆは、検出電位Ｖ６に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕の除去によって接点１４が回復しない場合、腐蝕防止電流ＩＡの通電を再開すると、検出電位Ｖ６が回復電位ＶＲより大きく、比較切替部１２が接点１４の腐蝕を検出する。これによって出力信号がＬｏになり（ｔ６５≦ｔの１点鎖線）、スイッチング素子２０が導通状態に切替えられ、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが通電される（ｔ６５≦ｔの１点鎖線）。腐蝕防止電流ＩＡを再度通電させることによって、さらに接点１４の腐蝕を除去する動作を継続して接点１４を回復させる。

本実施の接点腐蝕防止装置１０Ｆによれば、マイコン１６Ｆは、通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させる。しがたって腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流ＩＡが流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｆの寿命をさらに長くできる。

本実施の接点腐蝕防止装置１０Ｆによれば、マイコン１６Ｆは、通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止し、接続検出電流ＩＢを通電する。したがって電源１５を休止させることなく、待機電圧を供給する状態で腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆは、実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０と同様の効果を奏する。

図２８は、実施の第８の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇを概略示す回路図である。接点腐蝕防止装置１０Ｇは、実施の第２の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆと構成が類似している。接点腐蝕防止装置１０Ｇは、第２の実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆにおいて、比較切替部１２Ｆが比較切替部１２Ｂに代わり、タイマ３１が検出導電路２７に介在し、マイコン１６Ｇがさらに異なる機能を有する。

マイコン１６Ｇは、実施の第７の形態のマイコン１６Ｆと同様の機能を有し、さらに以下のような機能を有する。マイコン１６Ｇは、腐蝕防止電流ＩＡを駆動時間Ｔ１通電する通電動作と、腐蝕防止電流ＩＡを休止時間Ｔ２休止し、接続検出電流ＩＢを通電する休止動作とを切替えて繰返す機能を有する。マイコン１６Ｇは、電源１５に電気的に接続され、通電動作の回数が停止回数以上になると、電源１５の電圧供給を停止する機能を有する。

図２９は、接点腐蝕防止装置１０Ｇの経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。図３０は、経過時間に対する検出電位Ｖ７の変化を示すグラフである。図３１は、経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。図２９は、縦軸が電流を示し、横軸が時間を示す。図３０は、縦軸が電位を示し、横軸が時間を示す。図３１は、縦軸が出力信号のレベルを示し、横軸が時間を示す。以下では、このようにして構成される接点腐蝕防止装置１０Ｇの動作について説明する。スイッチ１３がＯＦＦの状態では、検出電位Ｖ７が電源電圧ＶＢになる（０≦ｔ＜ｔ７０）。検出電位Ｖ７が腐蝕回復電位ＶＭより高いので、出力信号がＬｏになる。マイコン１６Ｇは、検出電位Ｖ７に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。スイッチ１３をＯＮに切替える（ｔ＝ｔ３０）と、接点１４が接地され、検出電位Ｖ７が電位ＶＡになる（ｔ７０≦ｔ＜ｔ７１）。検出電位Ｖ７が腐蝕回復電位ＶＭより低くなり、出力信号がＨｉになる。出力信号がＨｉになると、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に抵抗器１９を介して接続検出電流ＩＢに通電される。これによってマイコン１６Ｃは、検出電位Ｖ７に基づいて接点１４の接続状態を論理判定する。

接点１４の腐蝕が始まる（ｔ＝ｔ７１）と、接点１４の腐蝕に起因する接点１４の抵抗の増加が生じ、検出電位Ｖ７が上昇する（ｔ７１≦ｔ＜ｔ７２）。検出電位Ｖ７の電位が上昇し腐蝕回復電位ＶＭより大きくなる（ｔ＝ｔ７２）と、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって検出導電路１７には、腐蝕防止電流ＩＡが通電され、検出電位Ｖ７が上昇する（ｔ７２≦ｔ＜ｔ７３）。接点１４の腐蝕の除去動作が始まる（ｔ＝ｔ７３）と、検出電位Ｖ７が下降する（ｔ７３≦ｔ＜ｔ７４）。

腐蝕防止電流ＩＡが検出導電路１７に通電されると、マイコン１６Ｇは、接点１４の回復が比較切替部１２Ｂで検出されるまで、通電動作と休止動作を複数回繰返し、図３１に示すようにパルス状の腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電させる（ｔ７４≦ｔ＜ｔ７５）。通電動作の回数が停止回数より大きくなるまでに、接点１４の回復が検出される場合については、実施の第７の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆと同様の動作であり、その動作の説明を省略する。以下では、通電動作の回数が停止回数以上になるまで、接点１４の回復が検出されない場合について説明する。

マイコン１６Ｇは、通電動作の回数が停止回数以上になると（ｔ＝７６）と、腐蝕防止電流ＩＡを通電後、電源１５の電圧供給を停止する。この際、マイコン１６Ｇは、接地スイッチング素子３０を導通させ、接点１４の入力インピーダンスを低下させる。なお、腐蝕防止電流ＩＡの通電後に限定されず、腐蝕防止電流の通電前に電源１５の電圧供給を停止してもよい。

接点１４の腐蝕は、一定量の腐蝕防止電流ＩＡを通電した後に、一定時間放置することによって除去される場合がある。たとえば、接点１４の開閉動作を繰返すことによって剥離除去される場合がある。この場合、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝７７）と、出力信号がＨｉに維持され、スイッチング素子２０が非導通状態になり、検出導電路１７に接続検出電流ＩＢが通電される（ｔ７７≦ｔの実線）。これによってマイコン１６Ｇは、検出電位Ｖ７に基づいて、接点１４の接続状態を論理判定する。また接点１４などの故障、たとえばスイッチ１３の接触不良の場合、電源１５からの電圧供給を再開する（ｔ＝７７）と、検出電位Ｖ７が腐蝕回復電位ＶＭより小さくならず、出力信号がＬｏになり、スイッチング素子２０が導通状態になる。これによって腐蝕防止電流ＩＡが再び通電される（ｔ７７≦ｔ）。電源の電圧供給を再開して、検出電位接点１４の腐蝕に起因する電位上昇か、スイッチ１３の故障に起因する電位上昇かを判別することができる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇによれば、可変インピーダンス手段２２を低インピーダンスに切替えると、腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電し、可変インピーダンス手段２２を高インピーダンスに切替えると、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する。比較切替部１２Ｂは、検出電位Ｖ７を、腐蝕回復電位ＶＭと比較し、その比較結果に基づいて可変インピーダンス手段２２を切替える。通電時間が駆動時間Ｔ１以上になると、マイコン１６Ｇによって腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させ、接続検出電流ＩＢを通電する。しがたって腐蝕防止電流ＩＡの通電を休止時間Ｔ２休止させることによって、長時間継続して腐蝕防止電流ＩＡが流れることを抑制できる、すなわち腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できる。それ故、接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生を抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｇの寿命を長くできる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇによれば、通電動作と休止動作とを繰返して接点１４の腐蝕を除去する。これによって継続的に腐蝕防止電流ＩＡが通電される場合より、検出導電路１７に過剰な腐蝕防止電流ＩＡが通電されることを抑制できる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇによれば、腐蝕防止電流ＩＡを通電する通電動作の回数が、タイマ３１によって計数される。通電動作の回数が停止回数以上になると、マイコン１６Ｇによって電源１５の電圧供給を停止し、腐蝕防止電流ＩＡの通電が停止される。これによって通電動作および休止動作の繰返しによって、検出導電路１７に腐蝕防止電流ＩＡが累積して過剰に通電されることを抑制できる。それ故、接点腐蝕防止装置１０Ｃの接点１４の接続状態の誤判定および装置の誤動作の発生をさらに抑制できる。また腐蝕防止電流ＩＡの過剰な通電を抑制できるので、接点腐蝕防止装置１０Ｇの寿命をさらに長くできる。

接点１４などの故障にともなう接点１４の腐蝕の誤判定の場合、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０Ｇでは、過剰な腐蝕防止電流ＩＡの通電が継続し続ける。これによって接点１４などの故障、たとえばスイッチ１３の接触不良に連動して、従来の技術の接点腐蝕防止装置１０Ｇが故障する。本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇでは、通電動作の回数が停止回数以上になると、腐蝕防止電流ＩＡの通電が停止し、接点１４などの故障に連動して接点腐蝕防止装置１０Ｇが故障することを防止できる。また電源１５の電圧供給を再開することによって、接点１４の腐蝕か接点１４などの故障かを判別することが可能となる。

本実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇによれば、第７の実施の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆと同様の効果を奏する。

本実施の形態では、通電時間に基づいて休止動作を行っているけれども必ずしもこれに限定されない。たとえばマイコン１６Ｃ，１６Ｄが検出導電路１７に通電される腐蝕防止電流ＩＡの電流量を計数可能に構成する。具体的には、腐蝕防止電流ＩＡの電流値を検出し、この電流値を時間で積分することによって電流量の計数が実現される。マイコン１６Ｃ，１６Ｄは、計数される総電流量が休止電流量Ｑ１以上になると、電源１５の電圧供給を休止する機能を有する。これによって検出導電路１７に通電さえる電流量に基づいて、電源１５の電圧供給を休止させることができる。それ故、過剰な腐蝕防止電流ＩＡが検出導電路１７に通電されることを抑制できる。また（１）通電時間が駆動時間Ｔ１以上になるおよび（２）計数される総電流量が休止電流量Ｑ１以上になるのうち少なくとも一方の条件を充足することによって、電源１５の電圧供給を休止する機能をマイコン１６Ｃ，１６Ｄが有していてもよい。

本実施の形態では、回復スレッショルドは、回復電位ＶＲであるけれども、必ずしもこれに限定されない。たとえば検出導電路１７に通電される腐蝕防止電流ＩＡの総電流量が回復電流量ＱＲより小さいか否かで、接点１４の回復を検出してもよい。回復電流量ＱＲは、腐蝕する接点１４を回復させるのに必要な電流量である。具体的には、マイコン１６Ｃ，１６Ｄが検出導電路１７に通電される腐蝕防止電流ＩＡの電流値を検出し、この電流値を時間積分することによって総電流量の計数を実現できる。マイコン１６Ｃ，１６Ｄは、回復電流量ＱＲ以上の電流量を検出すると、スイッチング素子２０を非導通状態に切替える機能を有する。これによって回復電位ＶＲ以外のスレッショルドであっても、接点１４の回復を検出することが実現できる。

本実施の形態では、可変インピーダンス手段２２は、抵抗器１９とスイッチング素子２０とを含んで構成されるけれども、必ずしもこのような構成に限定されない。可変インピーダンス手段２２は、可変抵抗器であってもよい。具体的には、リレーなどを用いて比較切替部１２の出力信号に基づいて可変抵抗器の抵抗を切替可能に構成することによって実現できる。

本実施の形態では、接地スイッチング素子３０のソース３０ｂが接地されているけれども、必ずしこのような構成に限定されない。たとえばソース３０ｂがプルアップ抵抗に接続されていてもよく、接点の入力インピーダンスを低下させるものであればよい。

図３２は、実施の第９の実施の形態の信号処理装置１２０を備えるＥＣＵ１４０の電気的な構成を示すブロック図である。図３３は、信号処理装置１２０の電気回路を示す回路図である。接点腐蝕防止装置を含む信号処理装置１２０は、スイッチング素子１２１に電気的に接続され、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕を除去するために、腐蝕防止電流を前記接点１２１ａに通電可能に構成される。スイッチング素子１２１の接点１２１ａは、スイッチング素子１２１の２つの端子を接触させたときの接点を意味する。信号処理装置１２０は、制御ユニットである電子制御ユニット（略称：ＥＣＵ）１４０に含まれる。ＥＣＵ１４０は、さらにマイコン１９２を含み、たとえば自動車などの車両に搭載されている。マイコン１９２には、油圧ソレノイドなどのアクチュエータ１９３に電気的に接続され、マイコン１９２は、アクチュエータ１９３を制御する機能を有する。信号処理回路１２０およびマイコン１９２には、図示しない電源が電気的に接続されている。マイコン１９２は、信号処理装置１２０を介してスイッチング素子１２１に電気的に接続されている。信号処理装置１２０は、スイッチング素子１２１の接点２１ａの接続状態、すなわち接点論理を判定し、この判定結果をマイコン１９２に出力する装置である。マイコン１９２は、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接続状態に基いて、アクチュエータ１９３を制御し、車両の駆動などを行う。スイッチング素子１２１は、たとえばオーバドライブスイッチであり、スイッチをオンにするとマイコン１９２がアクチュエータ１９３である変速油圧ソレノイドを駆動制御する。ただしスイッチング素子１２１は、オーバドライブスイッチに限定されず、ブレーキスイッチ、ハザードスイッチであってもよく、またスイッチング素子に限定されず、コネクタであってもよい。アクチュエータ１９３も、変速油圧ソレノイドに限定するものでない。車両には、これらスイッチおよびアクチュエータが含まれている。信号処理装置１２０は、ＥＣＵ１４０に含まれるものに限定されず、電化製品などに搭載される制御ユニットに含まれてもよい。信号処理装置１２０には、集積回路（信号処理回路）１２２とシリーズ抵抗１２３とが含まれている。

集積回路１２２は、入力される電気信号に基いて処理を行い、電気信号を出力する回路である。集積回路１２２は、基本的に、電源ライン１２４、検出導電路１２５、論理判定電流通電手段１２６、腐蝕防止電流通電手段１２７、サージ保護手段１２８、腐蝕検出手段１２９、接点論理判定手段１３０および発振手段１３１を含む。

電源ライン１２４は、図示しない電源に電気的に接続されている。集積回路１２２は、入力端子１３２を備え、入力端子１３２がシリーズ抵抗１２３を介して、スイッチング素子１２１に電気的に接続されている。検出導電路１２５は、入力端子１３２に電気的に接続されている。

論理判定電流通電手段１２６は、電源ライン１２４に供給される電流に基いて、検出導電路１２５に、論理判定電流を供給する回路である。論理判定電流とは、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの電気的な接続状態、つまり接点論理を判定するためにスイッチング素子１２１に通電する電流である。論理判定電流通電手段１２６は、論理判定電流通電部１４１と論理判定電流調整部１４２とを備える。論理判定電流通電部１４１は、電源ライン１２４と検出導電路１２５との間に並列的に接続されている。論理判定電流通電部１４１は、いわゆる電界効果トランジスタ（略称：ＦＥＴ）であり、ソースが電源ライン１２４に、ドレインが検出導電路１２５に電気的に接続され、基板がソースに電気的に接続されている。以下においてＦＥＴは、特に記載がなければ、デプレションモードおよびエンハンスメントモードのいずれのＦＥＴであってもよい。ただしＦＥＴに限定されず、バイポーラトランジスタであってもよい。論理判定電流通電部１４１のドレインと検出導電路１２５との間には、ダイオード１４３が電気的に介在し、電流が検出導電路１２５から電源ライン１２４に逆流することを阻止している。

論理判定電流調整部１４２は、電源ライン１２４から検出導電路１２５に、論理判定電流通電部１４１を介して流れる電流の電流値を、調整する機能を有する。論理判定電流調整部１４２は、電源ライン１２４を流れる電流の電流値に基いて、論理判定電流通電部１４１のゲートに印加する電圧を調整し、論理判定電流通電部１４１の電流を調整する機能を有する。本実施の形態では、論理判定電流調整部１４２は、２つのＦＥＴ１４２ａ，１４２ｂと、コンパレータ１４２ｃと、調整部分圧回路１４２ｄとを含んで構成される。ただし論理判定電流調整部１４２はこのような構成に限定されない。

２つのＦＥＴ１４２ａ，１４２ｂは、電源ライン１２４と接地との間に、直列的に接続される。電源ライン１２４側のＦＥＴ１４２ａ（以下では、「上流側ＦＥＴ１４２ａ」と称する場合がある）は、ソースが電源ライン１２４に、ドレインが接地側のＦＥＴ１４２ｂ（以下では、「下流側ＦＥＴ１４２ｂ」と称する場合がある）ドレインに電気的に接続されている。さらに上流側ＦＥＴ１４２ａのゲートは、上流側ＦＥＴ１４２ａのドレイン、および論理判定電流通電部１４１のゲートに電気的に接続されている。下流側ＦＥＴ１４２ｂは、ソースが抵抗２００を介して接地されている。

オペアンプ１４２ｃは、反転入力端子が下流側ＦＥＴ１４２ｂのソースに電気的に接続され、非反転入力端子が調整部分圧回路１４２ｄに電気的に接続されている。オペアンプ１４２ｃの出力端子は、下流側ＦＥＴ１４２ｂのゲートに電気的に接続されている。調整部分圧回路１４２ｄは、いわゆる分圧回路であり、電源ライン１２４に電気的に接続されて、接地されている。調整部分圧回路１４２ｄは、電源ライン１２４に印加される電圧を分圧して、その分圧された制限電圧Ｖ１をオペアンプ１４２ｃの非反転入力端子に印加するように構成されている。制限電圧Ｖ１は、たとえば７Ｖである。

腐蝕防止電流通電手段１２７は、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに腐蝕防止電流を通電する機能を有する。腐蝕防止電流は、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕を除去可能な電流であり、信号処理において伝送される電気信号の電流値よりはるかに大きい電流値の電流である。腐蝕防止電流の電流値は、論理判定電流より大きい電流値に設定されている。腐蝕防止電流は、たとえば１５ｍＡであり、論理判定電流は、たとえば１．５ｍＡである。本実施の形態では、腐蝕防止電流通電手段１２７は、ｎｐｎ型トランジスタであり、コレクタが電源ライン１２４に電気的に接続され、エミッタが検出導電路１２５に電気的に接続されている。ただしｎｐｎ型のトランジスタに限定されず、ｐｎｐ型のトランジスタであってもよい。

腐蝕防止電流通電手段１２７のエミッタとベースとが、電流値制限抵抗１４４を介して電気的に接続されており、接点論理判定時の腐蝕防止電流を抑制する。腐蝕防止電流通電手段１２７のエミッタと検出導電路１２５との間には、逆流防止手段１４５が介在している。本実施の形態では、逆流防止手段１４５は、ダイオードであり、アノードが腐蝕防止電流通電手段１２７に、カソードが検出導電路１２５に電気的に接続されており、入力端子１３２に印加される電圧が上昇した場合に電源ライン２４への流入電流を抑制する。腐蝕防止電流通電手段１２７は、シリーズ抵抗２３によって制限された腐蝕防止電流を供給する機能を有する。

サージ吸収手段であるサージ保護手段１２８は、入力端子１３２に印加されるサージ、すなわち集積回路１２２に印加されるサージを吸収する機能を有する。サージ保護手段１２８は、２つのツェナーダイオードを直列的に接続されて構成され、その一端が検出導電路１２５に電気的に接続され、他端が接地されている。２つのツェナーダイオードは、互いにカソードが電気的に接続され、一方のツェナーダイオードのアノードが検出導電路１２５に電気的に接続され、他方のツェナーダイオードのアノードが接地されている。ただし、サージ保護手段１２８の構成は、このような構成に限定されない。

腐蝕検出手段１２９は、検出導電路１２５の電圧に基いて、腐蝕防止電流通電状態と接点論理判定状態とを切換える回路である。腐蝕防止電流通電状態は、たとえばスイッチであり、発振手段３１からのＩＰＵＬＳＥ信号のオンオフに同期して、スイッチがオンオフするものであって、入力端子１３２を介してスイッチング素子１２１の接点１２１ａに腐蝕防止電流を通電している状態であり、接点論理判定状態は、入力端子１３２を介してスイッチング素子１２１の接点１２１ａに論理判定電流を通電している状態である。腐蝕検出手段１２９には、電圧比較部１５１と腐蝕除去信号生成部１５２と、通電可否検出部１５３とが含まれる。

電圧比較部１５１は、検出導電路１２５の電圧と予め定められる基準駆動電圧Ｖ２とを比較し、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕を検出する機能を有する。電圧比較部１５１は、コンパレータ１５１ａと比較部分圧回路１５１ｂとを含む。コンパレータ１５１ａは、非反転入力端子が検出導電路１２５に電気的に接続され、反転入力端子が比較部分圧回路１５１ｂに電気的に接続される。さらにコンパレータ１５１ａは、その出力端子が腐蝕除去信号生成部１５２に電気的に接続されている。比較部分圧回路１５１ｂは、いわゆる分圧回路であり、電源ライン１２４に印加される電圧を分圧して基準駆動電圧Ｖ２を生成し、コンパレータ１５１ａの反転入力端子に基準駆動電圧Ｖ２を印加する機能を有する。基準駆動電圧Ｖ２は、たとえば４．２Ｖであり、腐蝕防止電流を通電させるか否かを判定するための基準電圧である。本実施の形態では、比較部分圧回路１５１ｂは、２つの抵抗が直列的に電気的に接続され、その一端が電源ライン１２４に、他端が接地されている。

腐蝕除去信号生成部１５２は、腐蝕除去信号を生成する回路である。腐蝕除去信号は、腐蝕防止電流通電状態と接点論理判定状態とを切換えるタイミングを与えるための信号である。本実施の形態では、腐蝕除去信号生成部１５２は、ＡＮＤ回路が含まれている。腐蝕除去信号生成部１５２は、その一方の入力端子に電圧比較部１５１の出力端子、すなわちコンパレータ１５１ａの出力端子が電気的に接続され、他方の入力端子に発振手段１３１が電気的に接続されている。腐蝕除去信号生成部１５２の出力端子は、通電状態切換部１５４に電気的に接続されている。通電状態切換部１５４は、腐蝕除去信号生成部１５２から出力される腐蝕除去信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１４４との間の導通状態を切換可能に構成されている。

接点論理判定手段１３０は、検出導電路１２５の電圧、すなわち入力端子１３２の電圧に基いて、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を、間歇的に判定する機能を有する。本実施の形態では、接点論理判定手段１３０は、接点論理判定部１６１と判定結果出力部１６２とを有する。接点論理判定部１６１は、コンパレータ１６１ａと判定部分圧回路１６１ｂとを含む。

コンパレータ１６１ａは、非反転入力端子に検出導電路１２５が電気的に接続され、反転入力端子に判定部分圧回路１６１ｂが電気的に接続されている。コンパレータ１６１ａの出力端子には、判定結果出力部１６２が電気的に接続されている。判定部分圧回路１６１ｂは、いわゆる分圧回路であり、電源ライン１２４に印加される電圧を分圧して接点論理基準電圧Ｖ３を生成し、コンパレータ１６１ａの反転入力端子に接点論理基準電圧Ｖ３を印加する機能を有する。接点論理基準電圧Ｖ３は、たとえば７Ｖであり、論理判定電流を通電したときに、スイッチング素子１２１の接点１２１ａが接続されているか否かを判定するための基準電圧である。本実施の形態では、判定部分圧回路１６１ｂは、２つの抵抗が直列的に電気的に接続され、その一端が電源ライン１２４に、他端が接地されている。

判定結果出力部１６２は、接点論理判定状態における、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を出力する機能を有する。本実施の形態では、判定結果出力部１６２は、Ｄ型フリップフロップを含み、一方の入力端子であるＤ端子が接点論理判定部１６１の出力端子、つまりコンパレータ１６１ａの出力端子に、他方の入力端子であるＣＬＫ端子に発振手段１３１が電気的に接続されている。判定結果出力部１６２の出力端子であるＱ端子が、マイコンに電気的に接続されている。判定結果出力部１６２は、ＣＬＫ端子に入力されるＦＦＣＬＫ信号に基いて、Ｄ端子に入力される信号をＱ端子から出力する。

図３４は、発振手段１３１から発振されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５およびＦＦＣＬＫ信号１６６の変化のタイミングを示す図である。図３４は、横軸が経過時間であり、縦軸がＨｉレベルおよびＬｏレベルを示している。タイミング信号生成手段である発振手段１３１は、いわゆる発振回路であり、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５およびＦＦＣＬＫ信号１６６を発振可能に構成されている。発振手段１３１は、たとえば発振回路によって構成される。ただし発振回路に限定されず、中央演算処理装置（Central Processing Unit：略称ＣＰＵ）であってもよい。タイミング信号であるＩＰＬＵＳＥ信号１６５は、図３４（ａ）に示すように、周期的に信号レベルがＨｉおよびＬｏに切換わる信号であり、発振手段１３１から腐蝕除去信号生成部１５２の他方の入力端子に伝送され入力される。

発振手段１３１と判定結果出力手段１６２との間には、Ｄｅｌａｙ回路１９１が介在している。ＦＦＣＬＫ信号１６６は、周期的に信号レベルがＨｉおよびＬｏに切換わる信号であり、図３４（ｂ）に示すように、発振手段１３１から出力されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５がＬｏレベルに立ち下がったことを、すなわち通電状態切換手段２９のスイッチがオフ状態になったことをトリガとして、数μｓの安定期間を経過後に、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる信号である。ＦＦＣＬＫ信号１６６は、判定結果出力部１６２のＣＬＫ端子に伝送され入力される。

本実施の形態では、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５およびＦＦＣＬＫ信号１６６は、その周期を数百μｓである。ＩＰＬＵＳＥ信号１６５は、ＨｉおよびＬｏレベルが数十μｓ毎に切換わるデューティー比が５０％の信号である。ＦＦＣＬＫ信号１６６は、そのデューティー比が１０％の信号である。デューティー比は、１周期のうちＨｉレベルの信号が発振される期間の占める割合である。ただし周期に限定されず、デューティー比も５０％および１０％に限定されない。

電源ライン１２４、検出導電路１２５、論理判定電流通電手段１２６、腐蝕防止電流通電手段１２７、サージ保護手段１２８、腐蝕検出手段１２９、接点論理判定手段１３０、発振回路１３１および入力端子１３２を含む回路が信号処理回路である腐蝕防止回路１６４に相当し、本実施の形態では、集積回路１２２に腐蝕防止回路１６４が含まれている。

シリーズ抵抗１２３は、集積回路１２２とスイッチング素子１２１との間に、直列的に接続される抵抗である。シリーズ抵抗は、数ｋΩであり、たとえば１ｋΩであり、接点２１ａの腐蝕を除去するような腐蝕防止電流が流れるように設定されているとともに、スイッチング素子に腐蝕防止電流が通電する際、集積回路１２２内に印加する電圧、具体的には、検出導電路１２５に印加される電圧を低減させる機能と、検出導電路１２５に信号処理回路２２の外部から印加されるサージを低減し、前記サージに起因するサージ破壊を抑制する機能とを有する。シリーズ抵抗１２３は、前記２つの機能を達成する抵抗である。したがって１つのシリーズ抵抗２３だけで、腐蝕防止電流の電流値が設定され、かつサージ低減値が設定される。

以下では、スイッチング素子１２１の２つの接点を接触させた場合の、信号処理装置１２０の動作および接点論理を判定する動作を説明する。まず検出導電路１２５が接点論理基準電圧Ｖ３未満であると、Ｌｏレベルの信号がコンパレータ１５１ａから腐蝕除去信号生成手段１５２に入力される。腐蝕除去信号生成部１５２は、Ｌｏレベルの信号を通電状態切替部１５４に出力する。通電状態切換部１５４は、Ｌｏレベルの信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１４４との間を非導通状態に切替える。このように非導通状態になると、論理判定電流通電手段１２６によって、電源ライン１２４から検出導電路１２５に論理判定電流が供給される。この論理判定電流は、論理判定電流調整部１４２によって、その電流値が調整されている。

具体的には、まず下流側ＦＥＴ１４２ｂのソースの電圧が制限電圧Ｖ１未満であるので、オペアンプ１４２ｃからＨｉレベルの信号が出力され、下流側ＦＥＴ１４２ｂのソース−ドレイン間が導通される。これによって論理判定電流が流れると、電源ライン１２４から上流側および下流側ＦＥＴ１４２ａ，１４２ｂならびに抵抗２００を通る電流が流れる。このように電流が流れることによって、下流側ＦＥＴ１４２ｂのソースの電圧が制限電圧Ｖ１以上になると、オペアンプ１４２ｃからＬｏレベルの信号が出力され、下流側ＦＥＴ１４２ｂのソース−ドレイン間を流れる電流量が制限される。これによって上流側ＦＥＴ１４２ａのドレインと下流側ＦＥＴ１４２ｂのドレイン間に印加する電圧が低下する。このような電圧の低下にともなって、論理判定電流通電部１４１のゲートに印加する電圧が減少し、論理判定電流通電部１４１のソース−ドレイン間を流れる論理判定電流の電流値が減少する。このようにして電源ライン１２４から上流側および下流側ＦＥＴ１４２ａ，１４２ｂならびに抵抗２００を通って接地に流れる電流の電流値に基いて、論理判定電流の電流値を制限している。つまり抵抗２００の抵抗値によって、論理判定電流の電流値の上限値を設定することができ、電源ライン１２４の電圧の電圧値が異常に大きくなり、論理判定電流の電流値が大きくなることを抑制できる。これによってサージ破壊を抑制できる。

次にスイッチング素子１２１の接点の腐蝕が進行すると、検出導電路１２５の電圧が上昇する。検出導電路１２５の電圧が上昇し、基準駆動電圧Ｖ２以上になると、コンパレータ１５１ａからＨｉレベルの信号が出力され、腐蝕除去信号生成部１５２の一方の入力端子に入力される。腐蝕除去信号生成部１５２の他方の入力端子には、発振手段１３１から出力されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５が入力されている。このＩＰＬＵＳＥ信号１６５がＨｉレベルになると、腐蝕除去信号生成部１５２の出力端子から腐蝕除去信号が通電状態切換部１５４に出力する。通電状態切換部１５４は、この腐蝕除去信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１４４との間を導通させる。このように通電状態切換部１５４の導通状態が切換わると、腐蝕防止電流通電手段１２７によって、検出導電路１２５に腐蝕防止電流が供給され、通電状態切換部１５４、電流値制限手段１４６およびシリーズ抵抗１２３を介してスイッチング素子１２１の接点１２１ａに腐蝕防止電流が通電される。このようにＨｉレベルのＩＰＵＬＳＥ信号１６５が発振手段１３１から出力されると、腐蝕防止電流がスイッチング素子１２１に通電される腐蝕防止電流通電状態になる。このときシリーズ抵抗２３を介しているので、腐蝕防止電流の電流値が、予め定められる電流値を越えないように制限されている。

この状態において、発振手段１３１からＬｏレベルのＩＰＵＬＳＥ信号１６５が腐蝕除去信号生成部１５２が入力されると、コンパレータ１５１ａからＨｉレベルの信号があっても、腐蝕除去信号生成部１５２は、通電状態切替部１５４にＬｏレベルの信号を出力する。通電状態切換部１５４は、Ｌｏレベルの信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１４４との間を非導通状態に切替える。つまり接点腐蝕状態が検出されている間も常時通電しているわけではなく、ＩＰＵＬＳＥ信号１６５に同期して通電・非通電が繰返される。このように非導通状態になると、論理判定電流通電手段１２６によって、電源ライン１２４から検出導電路１２５に論理判定電流が供給される。論理判定電流は、検出導電路１２５を介してスイッチング素子１２１の接点１２１ａおよびコンパレータ１６１ａの非反転入力端子に通電される。コンパレータ１６１ａは、検出導電路１２５の電圧が接点論理基準電圧Ｖ３以上か否かを判定する。検出導電路１２５の電圧が接点論理基準電圧Ｖ３以上であれば、コンパレータ１６１ａは、スイッチング素子１２１の接点１２１ａが接続されていないと判定し、接点論理判定部１６１の出力は、判定結果出力部１６２のＤ端子に入力されるＨｉレベルの信号を出力する。この信号は、判定結果出力部１６２のＤ端子に入力される。検出導電路１２５の電圧が接点論理基準電圧Ｖ３未満であれば、コンパレータ１６１ａは、スイッチング素子１２１の接点１２１ａが接続されていると判定し、マイコン１９２にＬｏレベルの信号を出力する。この信号は、判定結果出力部１６２のＤ端子に入力される。このようにして接点論理を判定する。

判定結果出力部１６２は、発振手段１３１から発振されるＦＦＣＬＫ信号１６６がＬｏレベルからＨｉレベルに切換わると、Ｄ端子に入力される信号と同レベルの信号を、すなわち接点論理の判定結果をＱ端子から出力する。ＦＦＣＬＫ信号１６６は、Ｄｅｌａｙ回路１９１によって、ＩＰＵＬＳＥ信号１６５がＬｏレベルのとき、一時的にＬｏレベルからＨｉレベルに切替わる。したがって検出導電路１２５に論理判定電流が供給されているときに、判定結果出力部１６２から接点論理を表す電気信号が出力される。このように発振手段１３１からＬｏレベルのＩＰＵＬＳＥ信号１６５が出力されると、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定する接点論理判定状態になる。

以下では、このような構成を有する信号処理装置１２０が奏する効果について説明する。本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、スイッチング素子１２１の接点１２１ａと入力端子１３２との間にシリーズ抵抗１２３を介在させることによって、腐蝕防止電流の電流値を決定する抵抗、および集積回路１２２の破壊を抑制するための抵抗の機能をシリーズ抵抗１２３に兼ね備えさせることができ、かつ信号処理装置１２０の部品点数を低減することができる。これによって信号処理装置１２０の構成を簡単化することができる。さらに前記２つの抵抗の機能をシリーズ抵抗１２３に兼ね備えさせることによって、熱源を少なくすることができる。

また信号処理装置１２０は、サージによってサージ保護手段１２８が破壊した場合、入力端子に印加する電圧を低減させ、シリーズ抵抗１２３によって集積回路１２２のサージ破壊を抑制することができる。したがってシリーズ抵抗１２３を設けることによって、安全性を高めることができる。さらにこのような腐蝕防止電流の電流値を決定するためのシリーズ抵抗１２３をディスクリート部品として設けるので、発熱量が大きな発熱源を、複数の発熱源を備える集積回路１２２の外部に配置することができ、集積回路１２２の発熱を抑制できる。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、腐蝕防止電流を通電し腐蝕を除去する期間と、論理判定電流を通電し接点論理を判定する期間とを分離することによって、腐蝕防止電流より電流値が小さい論理判定電流によってスイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定できる。このように論理判定電流を通電することによって、抵抗値の大きなシリーズ抵抗を介在させても、検出導電路１２５に印加される電圧の上昇を検出し、接点論理を判定することができる。これによって抵抗値の大きなシリーズ抵抗１２３をスイッチング素子１２１の接点１２１ａと入力端子１３２との間に介在させ、前記２つの機能を兼ね備えさせても、良好にスイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定することができる。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、シリーズ抵抗１２３として大きな抵抗値の抵抗を用いることができる。これによって入力端子１３２に印加する電圧を低減させ、集積回路１２２のサージ破壊を抑制することができる。したがってシリーズ抵抗１２３を設けることによって、安全性を高めることができる。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、腐蝕防止電流通電状態と接点論理判定状態とを周期的に切換え、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を定期的に判定することが実現される。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、判定結果出力部１６２によって接点論理判定状態における判定結果を出力するので、出力に腐蝕防止電流通電状態における判定結果と接点論理判定状態における判定結果とが混在せず、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定することが容易である。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、判定結果出力部１６２は、ＦＦＣＬＫ信号１６６に基いて、出力される。ＦＦＣＬＫ信号１６６は、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５がＨｉからＬｏレベルに切替わる、つまり接点論理判定状態に切替ってから遅延時間経過後に、ＬｏからＨｉレベルに切替える、つまり判定結果を出力させる。遅延時間を設けることによって、腐蝕防止電流を通電停止後に検出導電路１２５に残存する電荷を可及的に取除き、接点論理の誤判定を抑制している。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、腐蝕防止機能を有する集積回路１２２とシリーズ抵抗１２３とを有する制御ユニット１４０を実現することができる。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、腐蝕となり得る状態が検出されている間も、通電・非通電させることにより、腐蝕があるときに常時通電させている場合に比べて無駄に電流を消費させることなく、効率よく腐蝕を防止することができる。

図３５は、実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ａの電気回路を示す回路図である。実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ａは、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と構成が類似している。したがって実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ａの構成について、実施の第９の形態の信号処理装置１２０の構成と異なる点について説明し、同一の点については同一の符号を付して、その説明については省略する。信号処理装置１２０Ａには、集積回路１２２Ａとシリーズ抵抗１２３とが含まれている。集積回路１２２Ａには、基本的に、電源ライン１２４、検出導電路１２５、論理判定電流通電手段１２６、腐蝕防止電流通電手段１２７、サージ保護手段１２８、腐蝕検出手段１２９、接点論理判定手段１３０Ａ、発信回路１３１Ａおよび入力端子１３２を含む腐蝕防止回路１６４Ａが含まれている。

接点論理判定手段１３０Ａは、接点論理判定部１６１を含み、入力端子との間に減電圧部１７０とが介在する。減電圧部１７０は、アナログ−ディジタルコンバータのサンプルホールドと等価の回路を有し、検出導電路１２５に流れる電流のうち高周波成分を保持し、電圧を低減する機能を有する。減電圧部１７０は、コンパレータ１７０ａとコンデンサ１７０ｂと基準電源１７０ｃとを含む。コンパレータ１７０ｂの非反転入力端子に検出導電路１２５が電気的に接続されている。コンデンサ１７０ｂは、コンパレータ１７０ａの非反転入力端子に対して並列に検出導電路１２５に接続され、接地されている。基準電源１７０ｃは、コンパレータ１７０ａの反転入力端子に電気的に接続され、コンパレータ１７０ａの非反転入力端子に基準電圧を印加している。コンパレータ１７０ａの出力端子は、接点論理判定部１６１のコンパレータ１６１ａの非反転入力端子に電気的に接続されている。

発振手段１３１Ａは、デューティー比が、たとえば１０％のＩＰＬＵＳＥ信号を腐蝕除去信号生成部１５２に与える。ただしデューティー比が１０％のＩＰＬＵＳＥ信号に限定されず、１０％以下でもよく、高周波成分を含むＩＰＬＵＳＥ信号であればよい。このようにして与えられるＩＰＬＵＳＥ信号に基いて、腐蝕防止電流が検出導電路１２５に供給される。

以下では、減電圧部１７０および接点論理判定手段１３０Ａの動作について説明する。検出導電路１２５に論理判定電流が流れると、コンデンサ１７０ｂを充電するとともに、コンパレータ１７０ａの非反転入力端子に電圧が印加される。コンパレータ１７０ａは、印加される電圧、すなわち検出導電路１２５の電圧と基準電圧とを比較する。

検出導電路１２５の電圧が基準電圧以上の場合、コンパレータ１７０ａからＨｉレベルの電気信号が出力され、接点論理判定部１６１の非反転入力端子に入力される。このＨｉレベルの電気信号の電圧値は、接点論理基準電圧Ｖ３より大きく設定され、コンパレータ１７０ａからＨｉレベルの電気信号が出力されると、接点論理判定部１６１のコンパレータ１６１ａからＨｉレベルの電気信号、すなわち接続されていないことを表す信号が出力される。

検出導電路１２５の電圧が基準電圧未満の場合、コンパレータ１７０ａからＬｏレベルの電気信号が出力され、接点論理判定部１６１の非反転入力端子に入力される。このＬｏレベルの電気信号の電圧値は、接点論理基準電圧Ｖ３より小さく設定され、コンパレータ１７０ａからＬｏレベルの電気信号が出力されると、接点論理判定部１６１のコンパレータ１６１ａからＬｏレベル、すなわち接続されていることを表す信号が出力される。

さらに腐蝕防止電流が検出導電路１２５に流れると、コンデンサ１７０ｂが充電される。デューティー比が、たとえば１０％の高周波成分を含むＩＰＬＵＳＥ信号が発振されているので、腐蝕防止電流の通電時間が短い。したがって腐蝕防止電流によってコンデンサ１７０ｂを充分に充電できず、コンパレータ１７０ａの非反転入力端子に印加される電圧が増加しない、すなわち低減される。このように非反転入力端子に印加される電圧が低減されるので、スイッチング素子２１の接点２１ａが接続されており、腐蝕防止電流が通電されるとき、コンパレータ１７０ａは、出力端子からＬｏレベルの電気信号を、常時出力する。したがって腐蝕防止電流によって接点論理を判定することがなく、腐蝕防止電流通電状態において、接点論理判定部１６１が接点論理を判定することが阻止されている。

本実施の形態の信号処理装置１２０Ａによれば、腐蝕防止電流通電状態において、減電圧部１７０によって、電圧を低減することができる。この低減された電圧に基いて、接点腐蝕判定部１６１がスイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定するので、低電圧の領域でスイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定することができる。これによって腐蝕防止電流のような大電流が流れて、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理に高電圧が印加されているときに、前記接点１２１ａの接点論理が判定される。したがって接点論理の誤判定を抑制でき、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定が容易になる。

本実施の形態の信号処理装置１２０Ａによれば、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と同様の構成によって、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と同様の効果を奏する。

図３６は、実施の第１１の形態の信号処理装置１２０Ｂの電気回路を示す回路図である。実施の第１１の形態の信号処理装置１２０Ｂは、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と構成が類似している。したがって実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ｂの構成について、実施の第９の形態の信号処理装置１２０の構成と異なる点について説明し、同一の点については同一の符号を付して、その説明については省略する。信号処理装置１２０Ｂには、集積回路１２２Ｂとシリーズ抵抗１２３とが含まれている。集積回路１２２Ｂには、基本的に、電源ライン１２４、検出導電路１２５、論理判定電流通電手段１２６、腐蝕防止電流通電手段１２７、サージ保護手段１２８、腐蝕検出手段１２９、接点論理判定手段１３０Ｂ、発振手段１３１Ａおよび入力端子１３２を含む腐蝕防止回路１６４Ｂが含まれている。

接点論理判定手段１３０Ｂは、接点論理判定部１６１を含み、入力端子１３２との間にローパスフィルタ１７１が介在する。ローパスフィルタ１７１は、検出導電路１２５と接点論理判定部１６１の非反転入力端子との間に介在している。ローパスフィルタ１７１は、本実施の形態では、抵抗１７１ａとコンデンサ１７１ｂとを含む。このようなローパスフィルタ１７１を介在させることによって、通電時間が短い腐蝕防止電流は、ローパスフィルタ１７１で阻止され、接点論理判定部１６１に到達しない。したがって腐蝕防止電流が通電されている状態では、接点論理を判定することが阻止される。これによって腐蝕防止電流通電状態において接点論理が判定されることを阻止し、接点論理判定状態でのみ接点論理の判定が行われる。これによって接点論理を判定することが容易である。

図３７は、実施の第１２の形態の信号処理装置１２０Ｃの電気回路を概略的に示す回路図である。実施の第１２の形態の信号処理装置１２０Ｃは、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と構成が類似している。したがって実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ｃの構成について、実施の第９の形態の信号処理装置１２０の構成と異なる点について説明し、同一の点については同一の符号を付して、その説明については省略する。信号処理装置１２０Ｃは、実施の第９の形態の信号処理装置１２０に対して、スパーク吸収手段１７３が設けられている。腐蝕防止回路１６４Ｃには、腐蝕防止回路１６４に対してスパーク吸収手段１７３がさらに含まれている。

スパーク吸収手段１７３は、接点論理判定状態と腐蝕防止電流通電状態とを切換える際、つまり論理判定電流から腐蝕防止電流に通電する電流を切換えるときに発生するスパークを吸収する機能を有する。スパークとは、電流の電流値を急激に変化させたときに、瞬間的に発生する異常電流である。スパーク吸収手段１７３は、論理判定電流通電手段１２６および腐蝕防止電流通電手段１２９と検出導電路１２５との各接点１７４，１７５の間に設けられている。

スパーク吸収手段１７３は、抵抗１７３ａとコンデンサ１７３ｂとを有する。抵抗１７３ａは、検出導電路１２５に介在し、コンデンサ１７３ｂは、抵抗１７３ａより上流側に検出導電路１２５に並列に接続され、接地されている。このようにして構成されるスパーク吸収手段１７３は、コンデンサ１７３ｂによって、検出導電路１２５に発生するスパークを吸収する。これによってスパークに起因する集積回路１２２Ｃの破壊を防止することができる。さらに本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、スパークを吸収することによって、放出電界強度の悪化を抑制できる。

以下では、実施の第１３の形態の信号処理装置１２０Ｄについて、図３３を参照しつつ説明する。実施の第１３の形態の信号処理装置１２０Ｄは、実施の第９の形態の信号処理装置１２０と構成が類似している。したがって実施の第１３の形態の信号処理装置１２０Ｄの構成について、実施の第９の形態の信号処理装置１２０の構成と異なる点について説明し、同一の点については同一の符号を付して、その説明については省略する。信号処理装置１２０Ｄの集積回路１２２Ｄは、複数の腐蝕防止回路１６４を含む。さらに詳細に説明すると、集積回路１２２Ｄには、複数のチャンネルが設けられる、すなわち複数の入力端子１３２が形成されている。集積回路１２２Ｄには、各チャンネル毎に腐蝕防止回路１６４が形成されている。さらに詳細に説明すると、各腐蝕防止回路１６４は、電源ライン１２４および接点論理判定手段１３０を共有している。集積回路１２２Ｄでは、各腐蝕防止回路１６４が接点論理判定手段１３０を共有するために、マルチプレクサ（略称：ＭＰＸ）１８１が設けられている。ＭＰＸ１８１は、各腐蝕防止回路１６４の検出導電路１２５に電気的に接続され、その出力が接点論理判定部１６１の非反転入力端子に電気的に接続されている。ＭＰＸ１８１は、接点論理判定部１６１の非反転入力端子と電気的に接続する検出導電路１２５を、複数の検出導電路１２５のうちいずれか１つの検出導電路１２５に切換える機能を有する。

発振手段１３１Ｄは、たとえばＣＰＵであり、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５、ＦＦＣＬＫ信号１６６および切替信号１８２を発振可能に構成される。発振手段１３１Ｄは、各腐蝕防止回路１６４の腐蝕除去信号生成部１５２にＩＰＬＵＳＥ信号１６５を伝送し、判定結果出力部１６２のＣＬＫ端子にＦＦＣＬＫ信号１６６を伝送する。これによって各腐蝕防止回路１６４に含まれる通電状態切換手段１２９は、発振手段１３１Ｄから出力されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５に基いて、腐蝕防止電流通電状態と接点論理判定状態とを切換える。また発振手段１３１Ｄは、さらにＭＰＸ１８１に切替信号１８２を伝送する。ＭＰＸ１８１は、発振手段１３１Ｄから出力される切替信号１８２に基いて、接続する検出導電路１２５をいずれかの検出導電路１２５に切換える。

図３８は、発振手段１３１Ｄから発振されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５、ＦＦＣＬＫ信号１６６および切替信号１８２の変化のタイミングを示す図である。図３８は、横軸が経過時間であり、縦軸がＨｉレベルおよびＬｏレベルを示している。切替信号１８２は、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５に対してＨｉおよびＬｏレベルを反転した信号である。ＭＰＸ１８２は、切替信号１８２のレベルがＬｏからＨｉに切替ると、接続する検出導電路１２５を切換える。これによって接点論理判定手段１３０に電気的に接続される検出導電路１２５が周期的に切替わる、すなわち接点論理判定手段１３０に電気的に接続されるスイッチング素子１２１を周期的に切換えることができる。これによって複数のスイッチング素子１２１が形成される集積回路１２２Ｄであっても、各スイッチング素子１２１の接点１２１ａの接点論理を判定することができる。

本実施の形態の信号処理装置１２０Ｄによれば、各腐蝕防止回路１６４に含まれる通電状態切換手段１２９は、発振手段１３１Ｄが生成するＩＰＵＬＳＥ信号１６５に基いて、腐蝕電流通電状態と接点論理判定状態とを切替える。したがって通電状態切換手段１２９毎に発振手段１３１Ｄを構成する必要がなく、構成を簡単にすることができる。

また本実施の形態の信号処理装置１２０Ｄによれば、複数の腐蝕防止回路１６４が１つの接点論理判定手段１３０を共有するので、集積回路１２２Ｄに複数の腐蝕防止回路１６４を構成する場合、その部品点数を低減でき、構成を簡単にすることができる。

図３９は、発振手段１３１Ｄから発振される第２の形態の電気信号の変化のタイミングを示す図である。図３９は、横軸が経過時間であり、縦軸がＨｉレベルおよびＬｏレベルを示している。発振手段１３１Ｄは、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃと、ＦＦＣＬＫ信号１６６と、切替信号１８２を発振可能に構成されている。本実施の形態では、説明の便宜上３つのＩＰＬＵＳＥ信号が伝送される場合について説明するけれども、４つ以上であってもよく２つであってもよい。発振手段１３１Ｄは、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃを互いに異なる腐蝕防止回路１６４の腐蝕除去信号生成部１５２に出力している。３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃは、互いに異なるタイミングで、ＬｏレベルからＨｉレベルおよびＬｏレベルからＨｉレベルに周期的に切替わる。本実施の形態では、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃは、互いに異なる時間にＨｉレベルとなっており、たとえばデューティー比が１７％である。切替信号１８２は、その電圧レベルが、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃの電圧レベルと反転するように生成され発振される。具体的には、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃのうちいずれかのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃがＨｉレベルになると、切替信号１８２がＬｏレベルになる。また３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃがＬｏレベルになると、切替信号１８２がＨｉレベルになる。したがってＭＰＸ１８１は、いずれかの腐蝕防止回路１６４が腐蝕防止電流通電状態から接点論理判定状態に切替ると、接続する検出導電路１２５を切替る。この切換える検出導電路１２５を、腐蝕防止電流通電状態から接点論理判定状態に切替わった腐蝕防止回路１６４に含まれる検出導電路１２５にすることによって、腐蝕防止電流が接点論理判定手段１３０に通電することを阻止できる。

本実施の形態の信号処理装置１２０によれば、少なくとも１つの通電状態切換手段１２９が、他の通電状態切換手段１２９と異なるタイミングで、腐蝕防止電流通電状態に切換える。これによって同時に複数の腐蝕防止回路１６４に腐蝕防止電流が通電されることを阻止することができ、同時に複数の腐蝕防止回路１６４で発熱し、電磁波を発生することを阻止できる。複数の腐蝕防止回路１６４のうち少なくとも１つの信号処理回路において、他の信号処理回路と異なるタイミングで発熱させ、電磁波を発生させるので、異常発熱を抑制し、放射電界強度の悪化を抑制できる。

本実施の形態の信号処理装置１２０Ｄによれば、電圧比較部１５１の検出結果に基いて、腐蝕防止電流の電流値を変化させることができる。たとえばスイッチング素子の接点の腐蝕が進んでいる場合、腐蝕防止電流の電流値を大きくして腐蝕の除去を促進し、スイッチング素子の接点の腐蝕が除去されていれば、腐蝕防止電流の電流値を小さくして信号処理回路における発熱を抑制することができる。

発振手段１３１をＣＰＵによって構成し、ＩＰＬＵＳＥ信号１６５およびＦＦＣＬＫ信号１６６のデューティー比を変更可能に構成してもよい。たとえば入力手段を設け、ＣＰＵに指令を与え、前記デューティー比を変更させるように構成させればよい。

図４０は、発振手段１３１Ｄから発振される第３の形態の電気信号の変化のタイミングのを示す図である。図４０は、横軸が経過時間であり、縦軸がＨｉレベルおよびＬｏレベルを示している。図４０に示すように３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃのデューティー比を８３％とし、互いに異なる時間にＬｏレベルになる。切替信号１８２は、３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃのうちいずれかのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃがＬｏレベルになると、切替信号１８２がＨｉレベルになる。また３つのＩＰＬＵＳＥ信号１６５ａ，１６５ｂ，１６５ｃがＨｉレベルになると、切替信号１８２がＬｏレベルになる。さらにＭＰＸ１８１が切換える検出導電路１２５を、腐蝕防止電流通電状態から接点論理判定状態に切替わった腐蝕防止回路１６４に含まれる検出導電路１２５にすることによって、腐蝕防止電流が接点論理判定手段１３０に通電することを阻止しつつ、接点論理を判定しない状態において、継続的に腐蝕防止電流を通電することができ、効率的に腐蝕防止電流の通電と接点論理の判定を行うことができる。

図４１は、実施の第７の形態の信号処理装置１２０Ｆに含まれる腐蝕防止電流通電手段１２７Ｆおよび通電状態切換手段１２９Ｆの電気回路を概略的に示す回路図である。実施の第７の形態の信号処理装置１２０Ｆは、実施の第１の形態の信号処理装置１２０と、腐蝕防止電流通電手段１２７および通電状態切替手段１２９の構成が異なる。信号処理装置１２０Ｆについては、腐蝕防止電流通電手段１２７の構成についてだけ説明する。腐蝕防止電流通電手段１２７Ｆは、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに通電する腐蝕防止電流の電流値を変えるための回路である。具体的には、腐蝕防止電流通電手段１２７Ｆは、第１通電手段１９７と、第２通電手段１９８と、第３通電手段１９９とを有する。

第１通電手段１９７は、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに電流値Ｉ１の腐蝕防止電流を通電する機能を有する。電流値Ｉ１は、接点論理判定電流より大きい電流値に設定されている。本実施の形態では、第１通電手段１９７は、ｎｐｎ型トランジスタ１９７ａと電流値制限抵抗１９７ｂとを含む。ｎｐｎ型トランジスタ１９７ａは、エミッタとベースとが電流値制限抵抗１９７ｂを介して電気的に接続されており、接点論理判定時の腐蝕防止電流を抑制する。またｎｐｎ型トランジスタ１９７ａは、コレクタが電源ライン１２４に電気的に接続され、エミッタが導電路１２５に電気的に接続されている。ただしｎｐｎ型のトランジスタに限定されず、ｐｎｐ型のトランジスタであってもよい。

ｎｐｎ型トランジスタ１９７ａのエミッタと導電路１２５との間には、逆流防止手段１４５が介在している。本実施の形態では、逆流防止手段１４５は、ダイオードであり、アノードが第１通電手段１２７Ｆに、カソードが導電路１２５に電気的に接続されており、入力端子１３２に印加される電圧が上昇した場合に電源ライン１２４への流入電流を抑制している。

第２通電手段１９８は、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに電流値Ｉ２の腐蝕防止電流を通電する機能を有する。電流値Ｉ２は、電流値Ｉ１より小さく接点論理判定電流より大きい電流値に設定されている。本実施の形態では、第２通電手段１９８は、ｎｐｎ型トランジスタ１９８ａと電流値制限抵抗１９８ｂと抵抗器１９８ｃとを含む。ｎｐｎ型トランジスタ１９８ａは、エミッタとベースとが電流値制限抵抗１９８ｂを介して電気的に接続されており、接点論理判定時の腐蝕防止電流を抑制する。またｎｐｎ型トランジスタ１９８ａは、コレクタが電源ライン１２４に電気的に接続され、エミッタが抵抗器１９８ｃの一端に電気的に接続されている。電流値制限抵抗１９８ｂと抵抗器１９８ｃとは、並列に接続されている。ただしｎｐｎ型のトランジスタに限定されず、ｐｎｐ型のトランジスタであってもよい。第２通電手段１９８の抵抗器１９８ｃの他端は、逆流防止手段１４５に電気的に接続され、逆流防止手段１４５を介して導電路１２５に電気的に接続されている。

第３通電手段１９９、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに電流値Ｉ３の腐蝕防止電流を通電する機能を有する。電流値Ｉ３は、電流値Ｉ２より小さく接点論理判定電流より大きい電流値に設定されている。本実施の形態では、第３通電手段１９９は、ｎｐｎ型トランジスタ１９９ａと抵抗器１９９ｂとを含む。ｎｐｎ型トランジスタ１９９ａは、エミッタとベースとが電流値制限抵抗１９９ｂを介して電気的に接続されており、接点論理判定時の腐蝕防止電流を抑制する。またｎｐｎ型トランジスタ１９９ａは、コレクタが電源ライン１２４に電気的に接続され、エミッタが抵抗器１９９ｃの一端に電気的に接続されている。電流値制限抵抗１９９ｂと抵抗器１９９ｃとは、並列に接続されている。ただしｎｐｎ型のトランジスタに限定されず、ｐｎｐ型のトランジスタであってもよい。抵抗器１９９ｃの他端は、逆流防止手段１４５に電気的に接続され、逆流防止手段１４５を介して導電路１２５に電気的に接続されている。第３通電手段１９９の抵抗器１９９ｃは、第２通電手段１９８の抵抗器１９８ｃより大きな抵抗値に設定されている。

通電状態切換手段１２９Ｆは、腐蝕防止電流通電状態と接点論理判定状態とを切換えるとともに、腐蝕防止電流の電流値を切換えるための回路である。通電状態切換手段１２９Ｆは、第１切換手段１２９ａと、第２切換手段１２９ｂと、第３切換手段１２９ｃとを含む。第１〜第３切換手段１２９ａ〜１２９ｃは、たとえばスイッチであり、発振手段３１からのＩＰＵＬＳＥ信号のオンオフに同期してスイッチがオンオフするものである。

第１切換手段１２９ａは、第１通電手段１９７の電流値制限抵抗１９７ｂに直列に電気的に接続され、その一端が電源ライン１２４に、他端が電流制限抵抗１９７ｂに電気的に接続される。第１切換手段１２９ａには、第１通電手段１９７のｎｐｎ型トランジスタ１９７ａのベースが電流制限抵抗１９７ｂと並列的に接続されている。

第２切換手段１２９ｂは、第２通電手段１９８の電流値制限抵抗１９８ｂに直列に電気的に接続され、その一端が電源ライン１２４に、他端が電流制限抵抗１９８ｂに電気的に接続される。第２切換手段１２９ｂには、第２通電手段１９８のｎｐｎ型トランジスタ１９８ａのベースが電流制限抵抗１９９ｂと並列的に接続されている。

第３切換手段１２９ｃは、第３通電手段１９９の電流値制限抵抗１９９ｂに直列に電気的に接続され、その一端が電源ライン１２４に、他端が電流制限抵抗１９９ｂに電気的に接続される。第３切換手段１２９ｃには、第３通電手段１９９のｎｐｎ型トランジスタ１９９ａのベースが電流制限抵抗１９９ｂと並列的に接続されている。

さらにマイコン１９２が発振手段３１に電気的に接続され、マイコン１９２は、接点論理判定手段３０から出力される判定結果に基いて、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕の進行状況を判定し、いずれの第１〜第３通電手段１２９ａ〜１２９ｃに発振手段３１から腐蝕除去信号を伝送すべきかを決定する機能を有する。具体的には、マイコン１９２は、予め定められる３つの閾値を有し、判定結果、具体的には出力される電圧値が前記３つの閾値のうちいずれの閾値を越えているかを判定する。越えている閾値の数に基いて、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕の進行状況を判定し、いずれの第１〜第３通電手段１２９ａ〜１２９ｃに発振手段３１から腐蝕除去信号を伝送すべきかを決定し、決定される第１〜第３通電手段１２９ａ〜１２９ｃに腐蝕除去信号を伝送する。

このようにして構成される腐蝕防止電流通電手段１２７Ｆおよび通電状態切替手段１２９Ｆの動作について説明する。マイコン１９２が腐食の進行状況がかなり進んでいる第１状態の場合、発振手段３１から第１切替手段１２９ａに腐蝕除去信号が伝送する。第１切替手段１２９ａは、この信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１９７ｂとの間を導通する。これによってｎｐｎ型トランジスタ１９７ａのコレクタ−エミッタ間が導通し、電流値Ｉ１の腐蝕防止電流がスイッチング素子１２１の接点１２１ａに通電される。

マイコン１９２が第１状態より腐蝕の進行していない場合、発振手段３１から第２切替手段１２９ｂに腐蝕除去信号を伝送する。第２切替手段１２９ｂは、この信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１９８ｂとの間を導通する。これによってｎｐｎ型トランジスタ１９８ａのコレクタ−エミッタ間が導通し、電流値Ｉ２の腐蝕防止電流がスイッチング素子１２１の接点１２１ａに通電される。

マイコン１９２が第２状態より腐蝕の進行していない場合、発振手段３１から第３切替手段１２９ｃに腐蝕除去信号が伝送されると、第３切替手段１２９ｃは、この信号に基いて、電源ライン１２４と電流制限抵抗１９９ｂとの間を導通する。これによってｎｐｎ型トランジスタ１９９ａのコレクタ−エミッタ間が導通し、電流値Ｉ３の腐蝕防止電流がスイッチング素子１２１の接点１２１ａに通電される。

このようにマイコン１９２は、判定結果に基いてスイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕の進行状態を検出し、腐蝕の進行状態に応じて、スイッチング素子１２１の接点１２１ａに通電する腐蝕防止電流の電流値を決定する。

本実施の形態の信号処理装置１２０Ｆによれば、発振手段３１から腐蝕除去信号を伝送する通電手段を第１〜第３通電手段１２９ａ〜１２９ｃのうちから選択することによって、３つの異なる電流値Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の腐蝕防止電流を通電することができる。

また本実施の形態の信号処理装置１２０Ｆによれば、接点論理判定手段３０の判定結果に基いて、腐蝕防止電流の電流値を変化させることができる。たとえばスイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕が進んでいる場合、腐蝕防止電流の電流値を大きくして腐蝕の除去を促進し、スイッチング素子１２１の接点１２１ａの腐蝕が除去されていれば、腐蝕防止電流の電流値を小さくして信号処理回路における発熱を抑制することができる。

本実施の形態では、接点論理判定状態の場合についてだけ、判定結果を出力させているけれども、腐食防止電流通電状態においても、検出導電路１２５の電圧値を検出し、この検出された電圧値に基いて、地絡および短絡などを検出し、ダイアグ検出させてもよい。

本実施の形態では、実施の第９の形態の腐蝕防止回路１６４が複数設けられる場合について説明しているけれども、実施の第１０、第１１および第１２の形態の腐蝕防止回路１６４Ａ，１６４Ｂ，１６４Ｃが複数設けられる集積回路であってもよい。

本実施の形態では、スイッチング素子１２１の接点がＬｏサイドに配置されているけれども、Ｈｉサイドに配置されてもよい。

従来の技術の接点腐蝕防止装置１を概略示す回路図である。 経過時間に対する検出導電路５の電位の変化を示すグラフである。 経過時間に対するコンパレータ６の出力変化を示すグラフである。 実施の第１の形態の接点腐蝕防止装置１０を概略示す回路図である。 比較切替部１２の出力特性を示すグラフである。 経過時間に対する検出電位Ｖ０の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。 実施の第２の形態の接点腐蝕防止装置１０Ａを概略示す回路図である。 経過時間に対する検出電位Ｖ１の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。 実施の第３の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｂの経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。 経過時間に対する検出電位Ｖ２の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。 実施の第４の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｃを概略示す回路図である。 経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。 経過時間に対する検出電位Ｖ３の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。 実施の第５の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｄを概略示す回路図である。 比較切替部１２Ｄの出力特性を示すグラフである。 経過時間に対する検出電位Ｖ４の変化を示すグラフである。

経過時間に対する比較切替部１２Ｄの出力変化を示すグラフである。 実施の第６の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｅを概略示す回路図である。 経過時間に対する検出電位Ｖ５の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。 実施の第７の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｆを概略示す回路図である。 経過時間に対する検出電位Ｖ６の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２の出力変化を示すグラフである。 実施の第８の形態の接点腐蝕防止装置１０Ｇを概略示す回路図である。 接点腐蝕防止装置１０Ｇの経過時間に対する検出導電路１７の電流の変化を示すグラフである。 経過時間に対する検出電位Ｖ７の変化を示すグラフである。 経過時間に対する比較切替部１２Ｂの出力変化を示すグラフである。 実施の第９の実施の形態の信号処理装置１２０を備えるＥＣＵ１４０の電気的な構成を示すブロック図である。 実施の第９の実施の形態の信号処理装置１２０の電気回路を示す回路図である。 発振手段１３１から発振されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５およびＦＦＣＬＫ信号１６６の変化のタイミングを示す図である。 実施の第１０の形態の信号処理装置１２０Ａの電気回路を示す回路図である。 実施の第１１の形態の信号処理装置１２０Ｂの電気回路を示す回路図である。 実施の第１２の形態の信号処理装置１２０Ｃの電気回路を概略的に示す回路図である。 発振手段１３１Ｄから発振されるＩＰＬＵＳＥ信号１６５、ＦＦＣＬＫ信号１６６および切替信号１８２の変化のタイミングを示す図である。 発振手段１３１Ｄから発振される第２の形態の電気信号の変化のタイミングを示す図である。 発振手段１３１Ｄから発振される第３の形態の電気信号の変化のタイミングを示す図である。

実施の第７の形態の信号処理装置１２０Ｆに含まれる腐蝕防止電流通電手段１２７Ｆおよび通電状態切換手段１２９Ｆの電気回路を概略的に示す回路図である。

符号の説明

１０ 接点腐蝕防止装置
１２ 比較切替部
１４ 接点
１６ マイコン
１７ 検出導電路
１９ 抵抗器
２０ スイッチング素子
２２ 可変インピーダンス手段
３０ 接地スイッチング素子
１２０ 信号処理装置
１２１ スイッチング素子
１２６ 論理判定電流通電手段
１２７ 腐蝕防止電流通電手段
１２９ 通電状態切換手段
１３０ 接点論理判定手段
１４０ 電子制御ユニット
１９１ 可変インピーダンス手段

Claims (17)

1. 被検出値を、接点の腐蝕を判定するための腐蝕スレッショルドおよび接点の回復を判定するための回復スレッショルドと比較して、接点の腐蝕および回復を検出し、
   接点の腐蝕を検出すると、腐蝕防止電流を前記接点に電気的に接続される検出導電路に通電し、
   接点の回復を検出すると、前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電することを特徴とする接点腐蝕防止方法。
2. 接点に接続される検出導電路と、
   前記検出導電路に接続される可変インピーダンス手段であって、腐蝕防止電流を前記検出導電路に通電する低インピーダンスと前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電する高インピーダンスとを切替え可能な可変インピーダンス手段と、
   被検出値を、接点の腐蝕を判定するための腐蝕スレッショルドおよび接点の回復を判定するための回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて前記可変インピーダンス手段を切替える比較切替手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置。
3. 前記可変インピーダンス手段は、
   前記検出導電路に接続される高インピーダンスのインピーダンス手段と、
   インピーダンス手段と並列して前記検出導電路に接続され、端子間が導通する導通状態と、端子間が非導通する非導通状態とを切替可能な低インピーダンスのスイッチング素子とを備えることを特徴とする請求項２に記載の接点腐蝕防止装置。
4. 前記被検出値は前記検出導電路の電位であり、
   前記腐蝕スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位であり、
   前記回復スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の回復を判定し得る回復電位であることを特徴とする請求項２または３に記載の接点腐蝕防止装置。
5. 前記被検出値は、前記検出導電路の電位および前記検出導電路を流れる電流量であり、
   前記腐蝕スレッショルドは、前記検出導電路の電位と比較して、接点の腐蝕を判定し得る腐蝕電位であり、
   前記回復スレッショルドは、前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量と比較して、接点の回復を判定し得る回復電流量であることを特徴とする請求項２または３に記載の接点腐蝕防止装置。
6. 前記比較検出手段は、前記検出導電路の電位に基づいて、前記回復電位が変動する機能を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の接点腐蝕防止装置。
7. （１）前記検出導電路に腐蝕防止電流が通電される時間が予め定められる時間以上、および（２）前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流量以上の少なくともいずれか一方を充足すると、腐蝕防止電流の通電を規定の休止時間休止させる休止手段をさらに含むことを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の接点腐蝕防止装置。
8. 接点に接続される検出導電路と、
   前記検出導電路に接続される可変インピーダンス手段であって、腐蝕防止電流を前記検出導電路に通電する低インピーダンスと前記接点の接続状態を検出するための電流を前記検出導電路に通電する高インピーダンスとを切替え可能な可変インピーダンス手段と、
   被検出値を、接点の腐蝕および回復を判定するための腐蝕回復スレッショルドと比較し、その比較結果に基づいて前記可変インピーダンス手段を切替える比較切替手段と、
   （１）前記検出導電路に腐蝕防止電流が通電される時間が予め定められる時間以上、および（２）前記検出導電路に通電される腐蝕防止電流の電流量が予め定められる電流量以上の少なくともいずれか一方を充足すると、腐蝕防止電流の通電を規定の休止時間休止させる休止手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置。
9. 前記検出導電路に腐蝕防止電流を通電する通電動作の回数、および休止手段が通電を休止させる休止動作の回数の少なくともいずれか一方を計数する計数手段と、
   前記計数手段の計数結果が規定回数以上になると、通電を停止する停止手段とをさらに含むことを特徴とする請求項７または８に記載の接点腐蝕防止装置。
10. 腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作がなされると、前記接点の入力インピーダンスを下げるインピーダンス低下手段をさらに含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の接点腐蝕防止装置。
11. 腐蝕防止電流の通電を休止する休止動作および通電を停止する停止動作のうち少なくともいずれか一方がなされると、前記接点の入力インピーダンスを下げるインピーダンス低下手段をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の接点腐蝕防止装置。
12. 接点は、スイッチの接点であり
    インピーダンス手段は、抵抗器であり、
    スイッチング素子は、電界効果型トランジスタであり、
    比較切替手段は、ヒステリシスを有するコンパレータであることを特徴とする請求項３に記載の接点腐蝕防止装置。
13. 接点に接続される検出導電路と、
    接点の腐蝕を検出する腐蝕検出手段と、
    腐蝕検出手段の検出結果に基いて、接点の腐蝕となり得る状態にある場合に接点の腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を検出導電路に通電する腐蝕防止電流通電手段であって、接点の腐蝕となり得る状態にある場合に腐蝕防止電流を予め定められる通電時間通電すると、腐蝕防止電流の通電を予め定められる休止時間休止する腐蝕防止電流通電手段とを含むことを特徴とする接点腐蝕防止装置。
14. 接点の電気的な接続状態を判定するための論理判定電流を検出導電路に通電する論理判定電流腐蝕防止電流通電手段と、
    検出導電路の電圧を検出し、この検出結果に基いて接点の電気的な接続状態を判定する接点論理判定手段とをさらに含み、
    論理判定電流通電手段は、腐蝕防止電流の通電が休止している休止状態において、論理判定電流を検出導電路に通電し、
    接点論理判定手段は、休止状態に検出導電路の電圧を検出し、この検出結果に基いて接点の電気的な接続状態を判定することを特徴とする請求項１３に記載の接点腐蝕防止装置。
15. 請求項１３または１４に記載の接点腐蝕防止装置を備え、接点論理判定手段の判定結果を出力する信号処理装置。
16. 請求項１５に記載の信号処理装置と制御手段とを備え、
    制御手段は、信号処理装置から出力される判定結果に基いて駆動装置を制御することを特徴とする制御ユニット。
17. 接点の腐蝕を検出し、その検出結果に基いて、接点に腐蝕を除去するための腐蝕防止電流を通電する腐蝕防止電流通電方法であって、
    予め定められる通電時間、腐蝕防止電流を通電すると、腐蝕防止電流の通電を予め定めれる休止時間休止することを特徴する腐蝕防止電流通電方法。

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