JP2006309602A - Data access device, data access method, program and recording medium - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate simultaneous acquisition of a plurality of pixel data corresponding to an access pattern at each setting position of the pattern. <P>SOLUTION: In the Kth (K=1 to 3) phase processing, a data storage control part 120 defines each pixel column of a picture as the repetition of the first to third pixel columns with the Kth pixel column as the first pixel column, and stores the pixel data of the first to third pixel columns in host memory banks BK0 to BK2. In the Kth phase processing, a data access control part 140 simultaneously reads the pixel data of 12 pieces of pixels to be specified by an access pattern ACP at each setting position of the pattern ACP from 12 pieces of low rank memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13 and BK20 to BK23, and when moving the setting position of the pattern ACP, executes the movement processing of the pixel data so that the pixel data of the 12 pieces of pixels to be specified by this can be respectively stored in those different low rank memory banks. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、所定画面上に設定される複数の画素のパターンをアクセスパターンとし、このアクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、このアクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するデータアクセス装置、データアクセス方法、プログラムおよび記録媒体に関する。   In the present invention, a pattern of a plurality of pixels set on a predetermined screen is used as an access pattern, and the setting position of the access pattern is specified by the access pattern at each setting position sequentially moved in the pixel column direction from the start position. The present invention relates to a data access device, a data access method, a program, and a recording medium that simultaneously acquire pixel data of a plurality of pixels.

詳しくは、この発明は、アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、当該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データがそれぞれ異なるメモリバンクに格納された状態として、当該複数の画素データを同時にアクセスできるようにしたことによって、当該複数の画素データの同時取得を容易としたデータアクセス装置等に係るものである。   Specifically, according to the present invention, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are stored in different memory banks at each setting position where the access pattern setting position is sequentially moved in the pixel column direction from the start position. The present invention relates to a data access device that facilitates simultaneous acquisition of the plurality of pixel data by allowing the plurality of pixel data to be accessed simultaneously.

従来、半導体メモリMYは、図29に示すように、ワード線WLとビット線BLを指定してメモリセルMCをアクセスする構造となっており、指定されたワード線WLとビット線BLが交差する位置にあるメモリセルMCに格納されたデータが読み出される。このような構造の半導体メモリMYでは、複数のワード線WLで同じビット線BLを共有している。したがって、図30に示すように、例えば2つのワード線WL1,WL2を指定すると、ビット線BLにはこれらワード線WL1,WL2のデータが混じり合って出てくるため、異なるワード線WLのデータには同時アクセスできない。   Conventionally, as shown in FIG. 29, the semiconductor memory MY has a structure in which a memory cell MC is accessed by designating a word line WL and a bit line BL, and the designated word line WL and the bit line BL intersect. Data stored in the memory cell MC at the position is read out. In the semiconductor memory MY having such a structure, a plurality of word lines WL share the same bit line BL. Therefore, as shown in FIG. 30, for example, when two word lines WL1 and WL2 are designated, the data of these word lines WL1 and WL2 are mixed and appear on the bit line BL. Cannot be accessed simultaneously.

これに対して、図31に示すように、メモリMYを複数のメモリバンクBK0〜BKn−1に分け、それぞれのメモリバンクBK0〜BKn−1に異なるアドレスを指定することで、複数のワード線WLのデータに同時にアクセスできるが、メモリバンク内の異なるワード線WLのデータには同時にアクセスできない。   On the other hand, as shown in FIG. 31, the memory MY is divided into a plurality of memory banks BK0 to BKn-1, and a plurality of word lines WL are designated by designating different addresses to the memory banks BK0 to BKn-1. However, data of different word lines WL in the memory bank cannot be accessed simultaneously.

一般に、同時に複数データにアクセスが可能なのは、その複数データが異なるメモリバンクに格納されているか、あるいはその複数データが同一ワード線上に格納されているかのいずれかである。   In general, a plurality of data can be accessed at the same time either by storing the plurality of data in different memory banks or by storing the plurality of data on the same word line.

また従来、入力データに含まれる特定のデータ配列を認識することにより、パターン認識や動き検出等の処理が行われている。例えば、数ラインの画素データを蓄積でき画素単位で出力できるバッファメモリと、数ビット幅データを処理し得る複数のプロセッサエレメントを含み、この複数のプロセッサエレメントで同時並行してデータ処理ができるデータ処理器と、マッチング参照データと制御データを格納する制御情報メモリとを備え、データ処理器の各プロセッサエレメントが、バッファメモリが出力した画像データの中の、自己に宛てられた注目画素中心のマトリクスの画素データ群を、閾値を用いて2値化して該プロセッサエレメントが処理可能なシリアル配列のビット幅に区切った対象データに変換し、同形式で制御情報メモリにあった参照データと合致するか否かを判定することが行われている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, processing such as pattern recognition and motion detection is performed by recognizing a specific data array included in input data. For example, data processing that includes a buffer memory that can store pixel data of several lines and that can output in units of pixels, and a plurality of processor elements that can process several bits of width data, and that can process data in parallel with the plurality of processor elements And a control information memory for storing matching reference data and control data, and each processor element of the data processor has a pixel center matrix of the pixel of interest addressed to itself in the image data output from the buffer memory. Whether the pixel data group is binarized using a threshold value, converted into target data divided into serial array bit widths that can be processed by the processor element, and whether the data matches the reference data in the control information memory in the same format Is determined (see, for example, Patent Document 1).

また、動画像の処理の分野において、動き、すなわち、時間的に異なる画像中の物体の動き方向と大きさ(または速さ)が用いられており、例えば画像の高能率符号化における動き補償フレーム間符号化や、フレーム間時間領域フィルタによるテレビジョン雑音低減装置における動きによるパラメータ制御等に動きが用いられる。動きを求める動き検出方法としては、ブロックマッチング法が知られている。本件出願人は、画像信号中の動きを検出する動き検出方法において、(a)1画面全体または1画面を複数に分割した比較的大きなブロック毎に、マッチング法によって積算値テーブルを生成し、この積算値テーブルを用いて、1画面全体または1画面を複数に分割した比較的大きなブロック毎に、1または複数の候補ベクトルを抽出するステップと、(b)この候補ベクトルのみを対象としてマッチングを行い、1画素または比較的小さいブロック毎に動きベクトルを検出するステップとからなる2ステップの動き検出方法を先に提案している。この2ステップの動き検出方法では、画像の動き検出を2ステップ方式の代表点マッチングにより行う代表点マッチング、ベクトル割り当ての2ステップの過程において、いずれも画面内における任意の複数の画素データを同時に読み出す必要がある(例えば、特許文献2参照)。   Also, in the field of moving image processing, motion, that is, the motion direction and size (or speed) of an object in a temporally different image is used. For example, a motion compensation frame in high-efficiency encoding of an image Motion is used for inter-coding, parameter control by motion in a television noise reduction device using an inter-frame time domain filter, and the like. A block matching method is known as a motion detection method for obtaining motion. In the motion detection method for detecting motion in an image signal, the applicant of the present application generates (a) an integrated value table by a matching method for each relatively large block obtained by dividing the entire screen or a screen into a plurality of blocks. A step of extracting one or a plurality of candidate vectors for each relatively large block obtained by dividing an entire screen or a plurality of screens using an integrated value table; and (b) performing matching only on the candidate vectors. A two-step motion detection method that includes a step of detecting a motion vector for each pixel or relatively small block has been proposed. In this two-step motion detection method, any two or more pixel data in the screen are simultaneously read out in the two-step process of representative point matching and vector assignment in which image motion detection is performed by two-step method representative point matching. There is a need (see, for example, Patent Document 2).

特開2003−203236号公報JP 2003-203236 A 特開2001−61152号公報JP 2001-61152 A

ここで、水平または垂直の方向に伸びる画素列が垂直または水平の方向に順次配列された所定画面の上に複数の画素のパターンをアクセスパターンとして設定し、このアクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に1画素ずつ順に移動した各設定位置で、アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得することを考える。   Here, a plurality of pixel patterns are set as an access pattern on a predetermined screen in which pixel rows extending in the horizontal or vertical direction are sequentially arranged in the vertical or horizontal direction, and the setting position of the access pattern is set from the start position. Consider simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by an access pattern at each set position sequentially moved pixel by pixel in the pixel column direction.

例えば、図32に示すように、水平方向に伸びる画素列が垂直方向に順次配列された画面SRNの上に4個の画素IM1〜IM4のパターンをアクセスパターンACPとして設定し、このアクセスパターンACPの設定位置を開始位置から画素列方向に移動していく場合を考える。この場合、画素列方向は水平方向であり、アクセスパターンACPの設定位置はラスタスキャン順に移動していく。また、図32の「□」は1画素を示しており、この図32におけるアクセスパターンACPの設定位置は、その開始位置を示している。   For example, as shown in FIG. 32, a pattern of four pixels IM1 to IM4 is set as an access pattern ACP on a screen SRN in which pixel columns extending in the horizontal direction are sequentially arranged in the vertical direction. Consider a case where the set position is moved in the pixel column direction from the start position. In this case, the pixel column direction is the horizontal direction, and the setting position of the access pattern ACP moves in the raster scan order. Further, “□” in FIG. 32 indicates one pixel, and the setting position of the access pattern ACP in FIG. 32 indicates the start position.

この画面SRNの各画素列の画素のデータを、図33に示すように、4個のメモリバンクBK0〜BK3に、ラスタスキャン順に格納したとする。図33の□内の数字はバンクアドレス0〜3を示している。この場合、アクセスパターンACPの設定位置が開始位置にあるとき、図34に示すように、このアクセスパターンACPで特定される4個の画素IM1〜IM4の画素データは、メモリバンクBK0〜BK3の○印で示すアドレス位置に格納されていることから、4個の画素データに同時にアクセスして読み出すことができる。   It is assumed that the pixel data of each pixel column on the screen SRN is stored in the four memory banks BK0 to BK3 in the raster scan order as shown in FIG. The numbers in the squares in FIG. 33 indicate the bank addresses 0-3. In this case, when the setting position of the access pattern ACP is at the start position, as shown in FIG. 34, the pixel data of the four pixels IM1 to IM4 specified by this access pattern ACP are stored in the memory banks BK0 to BK3. Since it is stored at the address position indicated by the mark, it is possible to simultaneously access and read the four pixel data.

アクセスパターンACPの設定位置が開始位置から1画素ずつ移動して9画素の移動までは、上述した設定位置が開始位置にある場合と同様に、4個の画素データに同時にアクセスして読み出すことができる。しかし、図35に示すように、アクセスパターンACPの設定位置が10画素移動したとき、アクセスパターンACPで特定される4個の画素IM1〜IM4の画素データは、図36に示すように、メモリバンクBK0〜BK3の○印で示すアドレス位置に格納されており、メモリバンクBK1で複数のワード線のデータにアクセスすることが必要になるので、4個の画素データに同時アクセスして読み出すことができなくなる。   Until the set position of the access pattern ACP moves one pixel at a time from the start position to 9 pixels, four pixel data can be simultaneously accessed and read out as in the case where the set position is at the start position. it can. However, as shown in FIG. 35, when the set position of the access pattern ACP moves by 10 pixels, the pixel data of the four pixels IM1 to IM4 specified by the access pattern ACP are stored in the memory bank as shown in FIG. Since it is stored in the address positions indicated by ◯ in BK0 to BK3 and it is necessary to access data of a plurality of word lines in the memory bank BK1, four pixel data can be accessed and read simultaneously. Disappear.

なお、アクセスパターンに対応した複数の画素データに時分割でアクセスし、キャッシュやバッファに一時記憶し、見かけ上の同時アクセスを達成することが提案されているが(実開昭63−35146号公報、実開平8−896号公報参照)、時間的な遅れが発生するという問題点があった。   It has been proposed that a plurality of pixel data corresponding to an access pattern is accessed in a time-sharing manner and temporarily stored in a cache or buffer to achieve apparent simultaneous access (Japanese Utility Model Publication No. 63-35146). And Japanese Utility Model Laid-Open No. 8-896), there is a problem that a time delay occurs.

この発明の目的は、アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、当該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得することを容易に行い得るようにすることにある。   An object of the present invention is to easily obtain pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at each setting position where the setting position of the access pattern is moved in the pixel column direction from the start position. Is to make it.

この発明の概念は、
それぞれ、下位バンクアドレスで特定される下位メモリバンクからなり、上位バンクアドレスで特定される複数の上位メモリバンクを有するメモリ部と、
水平または垂直に伸びる画素列が垂直または水平の方向に順次配列された所定画面における各画素列の画素を順に注目画素とし、該注目画素の画素データを、上記所定画面上に設定される複数の画素のパターンであるアクセスパターンに基づき、上記複数の上位メモリバンクに振り分けて格納するための制御を行うデータ格納制御部と、
上記複数の上位メモリバンクから、上記アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するための制御を行うデータアクセス制御部とを備え、
上記データ格納制御部は、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、それぞれ、上記所定画面における各画素列を、K番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、該第1〜第Nの画素列の画素データを、それぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとし、
上記第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ上記第Mの上位メモリバンクに格納する際、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、上記注目画素の画素データを上記第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始し、その後上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに該当するとき、上記注目画素の画素データを格納する上記第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを順次切り替え、
上記データアクセス制御部は、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、上記画素列方向に順次移動した上記アクセスパターンの各設定位置で、該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを、上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出し、上記設定位置が上記画素列方向に移動した際に、上記設定位置における上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを該画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する
ことを特徴とするデータアクセス装置にある。
The concept of this invention is
A memory unit comprising a lower memory bank specified by a lower bank address, and having a plurality of upper memory banks specified by an upper bank address;
A pixel in each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending horizontally or vertically are sequentially arranged in a vertical or horizontal direction is set as a target pixel in order, and pixel data of the target pixel is set to a plurality of pixels set on the predetermined screen. A data storage control unit that performs control for allocating and storing in the plurality of upper memory banks based on an access pattern that is a pixel pattern;
Control for simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern from each of the plurality of upper memory banks at each setting position where the setting position of the access pattern is moved in the pixel column direction from the start position. A data access control unit to perform,
The data storage control unit
It is assumed that first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and each pixel column on the predetermined screen is Kth in the Kth (K = 1 to N) phase processing. And the first to Nth pixel columns are repeated, and the pixel data of the first to Nth pixel columns are stored in the first to Nth upper memory banks, respectively. Shall be
When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank at the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) Based on a plurality of pixels specified by an access pattern set at a position shifted by a pixel, when a target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels, When the pixel data of the pixel of interest starts to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank, and then the pixel of interest in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels , Sequentially switching lower memory banks of the Mth upper memory bank for storing pixel data of the target pixel,
The data access control unit
The first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and in the Kth (K = 1 to N) phase processing, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) The position shifted by the pixel is set as the first set position, and each time the movement for one column is finished, the column moves to the beginning of the column shifted by N pixels, and each of the access patterns sequentially moved in the pixel column direction At the set position, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are simultaneously read from the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and the set position is moved in the pixel column direction. In this case, each upper memory bank is read from a predetermined lower memory bank so that pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at the set position is stored in different lower memory banks. Certain pixel data in the data access device, characterized in that stored in the previous lower memory banks of the lower memory bank pixel data has been stored.

この発明においては、水平または垂直の方向に伸びる画素列が垂直または水平の方向に順次配列された所定画面における各画素列の画素が順に注目画素とされ、この注目画素の画素データが複数の上位メモリバンクに振り分けて格納される。   In the present invention, pixels of each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending in the horizontal or vertical direction are sequentially arranged in the vertical or horizontal direction are set as the target pixels in order, and the pixel data of the target pixel is a plurality of higher-order pixels. Sorted and stored in memory banks.

例えば、データ格納制御部は、第K(K=1〜N)の位相処理時に、注目画素が、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に一致する画素であるか否かを判定する一致判定部と、注目画素が画素列の最初から何番目の画素であるかをカウントするカウント部と、第Kの位相処理時に、一致判定部の判定出力およびカウント部のカウント値に基づいて、注目画素毎に、メモリ部に対する書き込みアドレスを生成するアドレス生成部とを有する。   For example, the data storage control unit sets the target pixel at a position shifted by (K−1) pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position during the K-th (K = 1 to N) phase processing. A matching determination unit that determines whether or not the pixel matches a plurality of pixels specified by the access pattern, a counting unit that counts the first pixel in the pixel row from the beginning of the pixel column, An address generation unit that generates a write address for the memory unit for each target pixel based on the determination output of the coincidence determination unit and the count value of the count unit during the K phase processing.

この場合、第Kの位相処理時において、所定画面における各画素列を、K番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、この第1〜第Nの画素列のデータを、それぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとされる。   In this case, at the time of the K-th phase processing, each pixel column on the predetermined screen is a repetition of the first to N-th pixel columns with the K-th pixel column as the first pixel column. The pixel column data is stored in the first to Nth upper memory banks, respectively.

そして、第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ第Mの上位メモリバンクに格納する際、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、第Mの画素列の注目画素が複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、注目画素の画素データが第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することが開始される。また、その後、第Mの画素列の注目画素が複数の画素のいずれかに該当するとき、注目画素の画素データを格納する第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクが切り替えられる。   When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank in the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position (K -1) When the target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels based on the plurality of pixels specified by the access pattern set at the position shifted by the pixel, the pixel of the target pixel Data is stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank. Thereafter, when the target pixel of the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels, the lower memory bank of the Mth upper memory bank that stores the pixel data of the target pixel is switched.

また、この発明においては、アクセスパターンの設定位置が開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、アクセスパターンで特定される複数の画素(アクセス画素)の画素データが複数の上位メモリバンクから同時に取得される。   In the present invention, the pixel data of a plurality of pixels (access pixels) specified by the access pattern is received from a plurality of upper memory banks at each setting position where the setting position of the access pattern is moved in the pixel column direction from the start position. Acquired at the same time.

例えば、データアクセス制御部は、第Kの位相処理時に第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクの読み出しアドレスを生成する読み出しアドレス生成部と、第Kの位相処理時に第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクの書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成部とを有する。   For example, the data access control unit includes a read address generation unit that generates read addresses of lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks during the Kth phase processing, and first to first data during the Kth phase processing. A write address generation unit that generates a write address of a lower memory bank constituting the Nth upper memory bank.

そして、読み出しアドレス生成部は、第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対し、最初の読み出しアドレスを、外部から与えられる読み出し開始アドレスにセットし、各設定位置で画素データの読み出しが行われるとき、読み出しアドレスをインクリメントして次の読み出しアドレスを生成する。また、書き込みアドレス生成部は、第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対し、最初の書き込みアドレスを、外部から与えられる書き込み開始アドレスにセットし、各設定位置で画素データの書き込みが行われるとき、書き込みアドレスをインクリメントして次の書き込みアドレスを生成する。   Then, the read address generation unit sets the first read address to the read start address given from the outside for each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and sets the pixel at each setting position. When data is read, the read address is incremented to generate the next read address. The write address generation unit sets the first write address to the write start address given from the outside for each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and sets the pixel at each setting position. When data is written, the write address is incremented to generate the next write address.

この場合、第Kの位相処理時において、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、画素列方向に順次移動したアクセスパターンの各設定位置で、このアクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが、第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出される。   In this case, at the time of the K-th phase processing, a position shifted by (K−1) pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position is set as the first set position, and N pixels are obtained each time movement for one column is completed. The pixel data of a plurality of pixels specified by this access pattern form the first to Nth upper memory banks at each setting position of the access pattern moved to the head of the shifted column and sequentially moved in the pixel column direction. Are simultaneously read from the lower memory bank.

そして、この設定位置が画素列方向に移動した際に、設定位置におけるアクセスパターンで特定される複数の画素の画素データがそれぞれ異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出された画素データを、この画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する画素データの移動処理が行われる。   Then, when this set position moves in the pixel column direction, the pixel data of the plurality of pixels specified by the access pattern at the set position are stored in different lower memory banks, for each upper memory bank, The pixel data read from a predetermined lower memory bank is subjected to pixel data movement processing for storing the pixel data in the lower memory bank immediately preceding the lower memory bank in which the pixel data was stored.

このように、アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、当該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データがそれぞれ異なる下位メモリバンクに格納された状態とし、当該複数の画素データを同時にアクセスできるようにしたものであり、当該複数の画素データの同時取得を容易に行うことができる。   As described above, the pixel data of the plurality of pixels specified by the access pattern are stored in different lower memory banks at the setting positions where the access pattern setting position is sequentially moved in the pixel column direction from the start position. The plurality of pixel data can be accessed simultaneously, and the plurality of pixel data can be easily acquired simultaneously.

また、初期格納時に第1〜第Nの画素列の画素データのそれぞれを第1〜第Nの上位メモリバンクに振り分けて格納し、データアクセス時に上位メモリバンク毎にデータの移動処理を行うものであり、データアクセス時における画素データの移動処理を少なくできる。   Further, each of the pixel data of the first to Nth pixel columns is distributed and stored in the first to Nth upper memory banks at the time of initial storage, and data movement processing is performed for each upper memory bank at the time of data access. In addition, it is possible to reduce pixel data movement processing during data access.

例えば、複数の画素のパターンは、複数の中心画素および各中心画素の周辺に位置する周辺画素のパターンである。この場合、アクセスパターンを構成する画素の数が多くなるが、上述したように第1〜第Nの画素列の画素データのそれぞれを第1〜第Nの上位メモリバンクに振り分けて格納することで、データアクセス時に画素データの移動処理を少なくできる。   For example, the pattern of a plurality of pixels is a pattern of a plurality of central pixels and peripheral pixels located around each central pixel. In this case, the number of pixels constituting the access pattern increases, but as described above, the pixel data of the first to Nth pixel columns are distributed and stored in the first to Nth upper memory banks. In addition, it is possible to reduce pixel data movement processing during data access.

また例えば、中心画素とこの中心画素の周辺に位置する周辺画素からなる画素群がL本の画素列に渡るとき、NはLと等しくされる。この場合、第K(K=1〜N)の位相処理時に、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素が、第1〜第Nの画素列に分散されるので、各上位メモリバンクにおける下位メモリバンクの必要個数のバラツキを小さくできる。   Further, for example, when a pixel group including a central pixel and peripheral pixels located around the central pixel extends over L pixel columns, N is set equal to L. In this case, during the K-th (K = 1 to N) phase processing, a plurality of access patterns specified by access patterns set at positions shifted by (K−1) pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position Since the pixels are distributed in the first to Nth pixel columns, it is possible to reduce the required number of lower memory banks in each upper memory bank.

また、例えば、データアクセス制御部に与えられる読み出し開始アドレスおよび書き込み開始アドレスは、データ格納制御部から与えられる。この場合、データ格納制御部は、第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対応した読み出し開始アドレスおよび書き込み開始アドレスを生成する開始アドレス生成部をさらに有し、この開始アドレス生成部は、それぞれのメモリバンクに対して、最初の画素データが格納されたアドレスを読み出し開始アドレスとし、最後の画素データが格納されたアドレスのつぎのアドレスを書き込み開始アドレスとする。   Further, for example, the read start address and the write start address given to the data access control unit are given from the data storage control unit. In this case, the data storage control unit further includes a start address generation unit that generates a read start address and a write start address corresponding to each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks. The address generation unit sets, for each memory bank, an address at which the first pixel data is stored as a read start address, and an address next to the address at which the last pixel data is stored as a write start address.

このように、データ格納制御部からデータアクセス制御部に読み出し開始アドレスおよび書き込み開始アドレスを与えることで、例えばこれらデータ格納制御部およびデータアクセス制御部を制御する制御装置が、アクセスパターンに基づいて読み出し開始アドレスおよび書き込み開始アドレスを生成して、データアクセス制御部に与えることが必要でなくなる。   As described above, by giving the read start address and the write start address from the data storage control unit to the data access control unit, for example, the control device that controls the data storage control unit and the data access control unit reads based on the access pattern. It is not necessary to generate a start address and a write start address and give them to the data access control unit.

この発明によれば、アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、当該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データがそれぞれ異なるメモリバンクに格納された状態として、当該複数の画素データを同時にアクセスできるようにしたものであり、当該複数の画素データの同時取得を容易に行うことができる。   According to the present invention, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern is stored in different memory banks at each setting position where the setting position of the access pattern is sequentially moved from the start position in the pixel column direction. The plurality of pieces of pixel data can be accessed simultaneously, and the plurality of pieces of pixel data can be easily acquired simultaneously.

以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態としてのデータアクセス装置100の構成を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration of a data access apparatus 100 as an embodiment.

このデータアクセス装置100は、メモリ部110と、データ格納制御部120と、データアクセス制御部140とを備えている。   The data access device 100 includes a memory unit 110, a data storage control unit 120, and a data access control unit 140.

メモリ部110は、それぞれ、上位バンクアドレスで特定される、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2を有している。上位メモリバンクBK0は、それぞれ、下位バンクアドレスで特定される、4個の下位メモリバンクBK00〜BK03からなっている。上位メモリバンクBK1は、それぞれ、下位バンクアドレスで特定される、4個の下位メモリバンクBK10〜BK13からなっている。上位メモリバンクBK2は、それぞれ、下位バンクアドレスで特定される、4個の下位メモリバンクBK20〜BK23からなっている。このメモリ部110は、図示しない制御装置から入力端子150を介して与えられる制御信号SCLに基づいて動作する。   Each of the memory units 110 includes three upper memory banks BK0 to BK2 that are specified by upper bank addresses. The upper memory bank BK0 is composed of four lower memory banks BK00 to BK03 each specified by a lower bank address. The upper memory bank BK1 is composed of four lower memory banks BK10 to BK13, each specified by a lower bank address. The upper memory bank BK2 is composed of four lower memory banks BK20 to BK23, each specified by a lower bank address. The memory unit 110 operates based on a control signal SCL given from a control device (not shown) via the input terminal 150.

このメモリ部110には、初期格納時に、入力端子111から、格納すべき所定画面の画素データDiが入力される。ここで、所定画面は、水平方向に伸びる画素列が垂直方向に順次配列された構成となっており、メモリ部110には各画素列の画素データが順に注目画素としてラスタスキャン順に入力されていく。この所定画面上に、複数の画素のパターンがアクセスパターンACPとして設定される。注目画素の画素データは、アクセスパターンACPに基づき、メモリ部110の3個の上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納される。   The memory unit 110 receives pixel data Di of a predetermined screen to be stored from the input terminal 111 at the time of initial storage. Here, the predetermined screen has a configuration in which pixel columns extending in the horizontal direction are sequentially arranged in the vertical direction, and pixel data of each pixel column is sequentially input to the memory unit 110 as a target pixel in the raster scan order. . A plurality of pixel patterns are set as an access pattern ACP on the predetermined screen. The pixel data of the target pixel is distributed and stored in the three upper memory banks BK0 to BK2 of the memory unit 110 based on the access pattern ACP.

図2は、この実施の形態における、画面SRN上に設定されるアクセスパターンACPを示している。このアクセスパターンACPは、4個の中心画素IM1〜IM4、および各中心画素の上下に位置する8個の周辺画素IM1U,IM1D,IM2U,IM2D,IM3U,IM3D,IM4U,IM4Dのパターンである。図2の「□」は画面SRNを構成する画素を示している。また、図2に示すアクセスパターンACPの設定位置は、その開始位置である。   FIG. 2 shows an access pattern ACP set on the screen SRN in this embodiment. This access pattern ACP is a pattern of four central pixels IM1 to IM4 and eight peripheral pixels IM1U, IM1D, IM2U, IM2D, IM3U, IM3D, IM4U, and IM4D positioned above and below each central pixel. “□” in FIG. 2 indicates pixels constituting the screen SRN. Further, the setting position of the access pattern ACP shown in FIG. 2 is its start position.

また、データアクセス時に、アクセスパターンACPの設定位置が開始位置(図2参照)から画素列方向に1画素ずつ移動した各設定位置で、アクセスパターンACPで特定される12個の画素(以下、適宜、「アクセス画素」という)の画素データDo01〜D12が、上位メモリバンクBK0〜BK2を構成する下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23から同時に読み出されて、出力端子112に出力される。なお、このように各設定位置で読み出される画素データDo01〜Do12は、他の下位メモリバンクへのデータ移動処理のために、メモリ部110に再入力される。   Further, at the time of data access, the 12 positions specified in the access pattern ACP (hereinafter referred to as appropriate) at each setting position in which the setting position of the access pattern ACP is moved by one pixel in the pixel column direction from the start position (see FIG. 2). Pixel data Do01 to D12 (referred to as “access pixels”) are simultaneously read from the lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 constituting the upper memory banks BK0 to BK2 and output to the output terminal 112. Is done. The pixel data Do01 to Do12 read out at each setting position in this way are re-input to the memory unit 110 for data movement processing to other lower memory banks.

データ格納制御部120は、図示しない制御装置から入力端子150を介して供給される制御信号SCLに基づいて動作する。このデータ格納制御部120は、上述したように、各注目画素の画素データをメモリ部110の3個の上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納するための制御を行う。   The data storage control unit 120 operates based on a control signal SCL supplied from a control device (not shown) via the input terminal 150. As described above, the data storage control unit 120 performs control for distributing and storing the pixel data of each target pixel in the three upper memory banks BK0 to BK2 of the memory unit 110.

データ格納制御部120は、第1〜第3の位相処理を順次行う。そして、データ格納制御部120は、第K(K=1〜3)の位相処理時において、画面SRNにおける各画素列を、K番目の画素列を最初の画素列として第1〜第3の画素列の繰り返しであるとし、この第1〜第3の画素列のデータをそれぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2に格納する。   The data storage control unit 120 sequentially performs the first to third phase processes. Then, the data storage control unit 120, in the K-th (K = 1 to 3) phase processing, sets each pixel column on the screen SRN as the first pixel column to the first pixel column with the Kth pixel column as the first pixel column. Assuming that the column is repeated, the data of the first to third pixel columns are stored in the upper memory banks BK0 to BK2, respectively.

データ格納制御部120は、第Kの位相処理時に、第M(M=1〜3)の画素列の画素データをそれぞれ第Mの上位メモリバンクに格納する際、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンACPで特定される12個の画素(以下、適宜、「初期アクセス画素」という)に基づき、第Mの画素列の注目画素がこの12個の初期アクセス画素のいずれかに最初に該当するとき、注目画素の画素データを第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始する。また、その後、第Mの画素列の注目画素が複数の画素のいずれかに該当するとき、注目画素の画素データを格納する第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを切り替える。   When storing the pixel data of the Mth (M = 1 to 3) pixel columns in the Mth upper memory bank during the Kth phase processing, the data storage control unit 120 is orthogonal to the pixel column direction from the start position. Attention of the Mth pixel column based on 12 pixels (hereinafter referred to as “initial access pixels” as appropriate) specified by the access pattern ACP set at a position shifted by (K−1) pixels in the direction of When the pixel first corresponds to one of the 12 initial access pixels, the pixel data of the pixel of interest is started to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank. Thereafter, when the target pixel in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels, the lower memory bank of the Mth upper memory bank that stores the pixel data of the target pixel is switched.

データ格納制御部120についてさらに詳細に説明する。図3は、このデータ格納制御部120の構成を示している。このデータ格納制御部120は、カウンタ(カウンタA)121と、カウンタ(カウンタB)122と、一致判定部123と、上位バンクアドレスカウンタ124と、下位バンクアドレスカウンタ125と、ビット線アドレスカウンタ126と、ワード線アドレスカウンタ127と、アドレス生成部128とを有している。   The data storage control unit 120 will be described in further detail. FIG. 3 shows the configuration of the data storage control unit 120. The data storage control unit 120 includes a counter (counter A) 121, a counter (counter B) 122, a match determination unit 123, an upper bank address counter 124, a lower bank address counter 125, and a bit line address counter 126. A word line address counter 127 and an address generation unit 128.

カウンタ(カウンタA)121は、第K(K=1〜3)の位相処理時に、上述したメモリ部110に順に入力される各注目画素の画素データの入力個数をカウントする。このカウンタ121には、メモリ部110に入力される各注目画素の画素データに同期したデータクロックDCKが供給される。このデータクロックDCKは、上述した制御信号SCLのひとつを構成しており、図示しない制御装置から供給される。このカウンタ121は、最初にそのカウント値が0とされ、その後はメモリ部110に各注目画素の画素データが入力される毎に、データクロックDCKによってインクリメントされていく。   The counter (counter A) 121 counts the number of input pixel data of each pixel of interest that is sequentially input to the memory unit 110 during the K-th (K = 1 to 3) phase processing. The counter 121 is supplied with a data clock DCK synchronized with the pixel data of each pixel of interest input to the memory unit 110. The data clock DCK constitutes one of the control signals SCL described above and is supplied from a control device (not shown). The counter 121 is initially set to 0, and thereafter incremented by the data clock DCK each time pixel data of each pixel of interest is input to the memory unit 110.

一致判定部123は、第Kの位相処理時に、上述したメモリ部110に所定の注目画素の画素データが入力される毎に、その注目画素が、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンACPで特定される12個の初期アクセス画素に一致するか否かを判定する。そのため、この一致判定部123には、第1〜第3の位相処理時のそれぞれで、注目画素が当該12個の初期アクセス画素となる際に上述したカウンタ121から出力されるカウント値CN1〜CN12に対応した値が、アクセスパターン情報IAPとして供給される。このアクセスパターン情報IAPは、上述した制御信号SCLのひとつを構成しており、図示しない制御装置から供給される。この一致判定部123は、ある注目画素におけるカウンタ121のカウント値が、カウント値CN1〜CN12と一致するとき、それぞれ、当該注目画素は1番目〜12番目の初期アクセス画素であると判定する。   When the pixel data of a predetermined pixel of interest is input to the memory unit 110 described above during the K-th phase processing, the coincidence determination unit 123 causes the pixel of interest to be in a direction orthogonal to the pixel column direction from the start position ( K-1) It is determined whether or not it matches the 12 initial access pixels specified by the access pattern ACP set at the position shifted by the pixel. For this reason, the match determination unit 123 receives the count values CN1 to CN12 output from the counter 121 when the target pixel becomes the 12 initial access pixels in each of the first to third phase processes. A value corresponding to is supplied as access pattern information IAP. This access pattern information IAP constitutes one of the control signals SCL described above, and is supplied from a control device (not shown). When the count value of the counter 121 at a certain target pixel matches the count values CN1 to CN12, the match determination unit 123 determines that the target pixel is the first to twelfth initial access pixel.

カウンタ(カウンタB)122は、注目画素が画素列の最初から何番目の画素であるかをカウントする。このカウンタ122には、メモリ部110に入力される各注目画素の画素データに同期したデータクロックDCKが供給される。このカウンタ122は、最初はそのカウント値が0とされ、その後はメモリ部110に各注目画素の画素データが入力される毎に、データクロックDCKによってインクリメントされていく。そして、カウント値が画素列の画素数m(この実施の形態では22)と等しくなる毎に、0にリセットされる。   The counter (counter B) 122 counts the number of pixels from the beginning of the pixel column of the pixel of interest. The counter 122 is supplied with a data clock DCK synchronized with the pixel data of each pixel of interest input to the memory unit 110. The counter 122 initially has a count value of 0, and thereafter is incremented by the data clock DCK every time pixel data of each pixel of interest is input to the memory unit 110. Each time the count value becomes equal to the number m of pixels in the pixel column (22 in this embodiment), the count value is reset to zero.

上位バンクアドレスカウンタ124は、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2のうち、注目画素の画素データを格納すべき上位メモリバンクを示すカウント値、つまり上位バンクアドレスを出力する。このカウンタ124には、上述したカウンタ(カウンタB)122のカウント値が供給される。このカウンタ124は、最初はそのカウント値が0とされ、注目画素がK番目以降の画素列の画素となった後に、カウンタ122のカウント値が0にリセットされるとき、インクリメントされる。このカウンタ124は、カウント値2の次はカウント値0となり、3進カウンタの構成となっている。このカウンタ124のカウント値0〜2、つまり上位バンクアドレス0〜2は、それぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2を示している。   The upper bank address counter 124 outputs a count value indicating the upper memory bank in which the pixel data of the pixel of interest should be stored, that is, the upper bank address, among the three upper memory banks BK0 to BK2. The counter 124 is supplied with the count value of the counter (counter B) 122 described above. The counter 124 is initially incremented when the count value of the counter 122 is reset to 0 after the count value is set to 0 and the target pixel becomes a pixel in the Kth and subsequent pixel columns. The counter 124 has a count value of 0 after the count value of 2, and is configured as a ternary counter. The count values 0 to 2 of the counter 124, that is, the upper bank addresses 0 to 2, indicate the upper memory banks BK0 to BK2, respectively.

下位バンクアドレスカウンタ125は、上述した上位バンクアドレスカウンタ124のカウント値で示される上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのうち、実際に注目画素の画素データを格納すべき下位メモリバンクを示すカウント値、つまり下位バンクアドレスを出力する。このカウンタ125は、上位メモリバンクBK0〜BK2にそれぞれ対応した3個のカウンタ125-0〜125-2からなっている。このカウンタ125には、上述した一致判定部123の判定出力が供給されると共に、上述したカウンタ124のカウント値(上位バンクアドレス)が供給される。 The lower bank address counter 125 is a count value indicating a lower memory bank that actually stores pixel data of the pixel of interest among lower memory banks constituting the upper memory bank indicated by the count value of the upper bank address counter 124 described above. That is, the lower bank address is output. The counter 125 includes three counters 125 -0 to 125 -2 corresponding to the upper memory banks BK0 to BK2, respectively. The counter 125 is supplied with the determination output of the coincidence determination unit 123 and the count value (upper bank address) of the counter 124 described above.

これらのカウンタ125-0〜125-2は、最初はそのカウント値、つまり下位バンクアドレスが0とされ、その後は、上位バンクアドレス(カウンタ124のカウント値)が0〜2のそれぞれにあるとき、注目画素が初期アクセス画素に該当し、かつ当該上位バンクアドレスでは最初の初期アクセス画素でない場合、当該上位バンクアドレスに対応したカウンタがインクリメントされる。 These counters 125 -0 to 125 -2 are initially set to their count value, that is, the lower bank address is 0, and thereafter the upper bank address (count value of the counter 124) is 0 to 2, respectively. When the target pixel corresponds to the initial access pixel and is not the first initial access pixel at the upper bank address, the counter corresponding to the upper bank address is incremented.

ビット線アドレスカウンタ126は、上位メモリバンクBK0〜BK2を構成する12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23にそれぞれ対応した12個のカウンタからなっている。このビット線アドレスカウンタ126には、メモリ部110に入力される各注目画素の画素データに同期したデータクロックDCKが供給されると共に、カウンタ124,125のカウント値(バンクアドレス)が供給される。   The bit line address counter 126 is composed of 12 counters respectively corresponding to the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 constituting the upper memory banks BK0 to BK2. The bit line address counter 126 is supplied with a data clock DCK synchronized with the pixel data of each pixel of interest input to the memory unit 110, and with the count values (bank addresses) of the counters 124 and 125.

12個のカウンタは、最初はそのカウント値、つまりビット線アドレスが0とされ、その後はメモリ部110に各注目画素の画素データが入力されて格納される毎に、当該12個のカウンタのうち、バンクアドレスに対応したカウンタがインクリメントされていく。この実施の形態では、各下位メモリバンクのワード線長は10とされ、当該12個のカウンタは、カウント値9の次はカウント値0となり、10進カウンタの構成となっている。ここで、バンクアドレスは、カウンタ124のカウント値(上位バンクアドレス)と、この上位バンクアドレスに対応したカウンタ125内のカウンタのカウント値(下位バンクアドレス)からなる。   The twelve counters are initially set to the count value, that is, the bit line address is set to 0, and thereafter, every time pixel data of each pixel of interest is input and stored in the memory unit 110, The counter corresponding to the bank address is incremented. In this embodiment, the word line length of each lower-order memory bank is 10, and the 12 counters have a count value 0 after the count value 9 and have a decimal counter configuration. Here, the bank address includes a count value (upper bank address) of the counter 124 and a count value (lower bank address) of the counter in the counter 125 corresponding to the upper bank address.

ワード線アドレスカウンタ127は、上位メモリバンクBK0〜BK2を構成する12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23にそれぞれ対応した12個のカウンタからなっている。当該12個のカウンタには、それぞれ、上述したカウンタ126内の12個のカウンタの桁上げ信号であるキャリーCAが供給される。当該12個のカウンタは、それぞれ、キャリーCAが供給される毎に、インクリメントされていく。   The word line address counter 127 is composed of 12 counters respectively corresponding to the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 constituting the upper memory banks BK0 to BK2. Each of the 12 counters is supplied with a carry CA that is a carry signal of 12 counters in the counter 126 described above. The twelve counters are incremented each time carry CA is supplied.

アドレス生成部128は、メモリ部110に供給する書き込みアドレスWを生成する。このアドレス生成部128には、カウンタ124〜127のカウント値が供給される。このアドレス生成部128は、上位バンクアドレス、下位バンクアドレス、ビット線アドレスおよびワード線アドレスを合成して、メモリ部110に供給する書き込みアドレスWを生成する。   The address generation unit 128 generates a write address W to be supplied to the memory unit 110. The address generation unit 128 is supplied with the count values of the counters 124 to 127. The address generation unit 128 combines the upper bank address, the lower bank address, the bit line address, and the word line address to generate a write address W to be supplied to the memory unit 110.

ここで、上位バンクアドレスは、カウンタ124のカウント値で与えられる。下位バンクアドレスは、カウンタ125を構成するカウンタ125-0〜125-2のうち上位バンクアドレスに対応したカウンタのカウント値で与えられる。ビット線アドレスは、カウンタ126を構成する12個のカウンタのうちバンクアドレス(上位バンクアドレスおよび下位バンクアドレス)に対応したカウンタのカウント値で与えられる。そして、ワード線アドレスは、カウンタ127を構成する12個のカウンタのうちバンクアドレス(上位バンクアドレスおよび下位バンクアドレス)に対応したカウンタのカウント値で与えられる。 Here, the upper bank address is given by the count value of the counter 124. The lower bank address is given by the count value of the counter corresponding to the upper bank address among the counters 125 -0 to 125 -2 constituting the counter 125. The bit line address is given by the count value of the counter corresponding to the bank address (upper bank address and lower bank address) among the 12 counters constituting the counter 126. The word line address is given by the count value of the counter corresponding to the bank address (upper bank address and lower bank address) among the 12 counters constituting the counter 127.

また、アドレス生成部128は、データアクセス制御部140で用いられる、各下位メモリバンクに対する、読み出し開始アドレスRSおよび書き込み開始アドレスWSを生成する。この場合、アドレス生成部128は、各下位メモリバンクの、最初の書き込みアドレスW、つまり最初に画素データが格納されたアドレスを読み出し開始アドレスRSとし、また最後の画素データが格納されたアドレスの次のアドレスを書き込み開始アドレスWSとする。   The address generator 128 generates a read start address RS and a write start address WS for each lower memory bank used in the data access controller 140. In this case, the address generation unit 128 uses the first write address W of each lower memory bank, that is, the address where the pixel data is first stored as the read start address RS, and the address next to the address where the last pixel data is stored. Is set as a write start address WS.

次に、図3に示すデータ格納制御部120の制御による初期格納時(第Kの位相処理時)の動作を、図4のフローチャートを用いて説明する。なお、データ格納制御部120は、例えばマイクロプロセッサで構成され、図示しないプログラムメモリに格納されたデータ格納制御プログラムに従って制御動作をする。   Next, the operation at the time of initial storage (during the K-th phase process) under the control of the data storage control unit 120 shown in FIG. 3 will be described using the flowchart of FIG. The data storage control unit 120 is constituted by, for example, a microprocessor and performs a control operation according to a data storage control program stored in a program memory (not shown).

ステップST1で、動作を開始し、ステップST2で、上位バンクアドレスカウンタ124のカウント値(上位バンクアドレス)、下位バンクアドレスカウンタ125を構成する3個のカウンタ125-0〜125-2のカウント値(下位バンクアドレス)、ビット線アドレスカウンタ126を構成する12個のカウンタのカウント値(ビット線アドレス)、およびワード線アドレスカウンタ127を構成する12個のカウンタのカウント値(ワード線アドレス)をそれぞれ0にし、カウンタ(カウンタA)121およびカウンタ(カウンタB)122のカウント値をそれぞれ0にする。 In step ST1, and starts operating, in step ST2, the count value of the higher bank address counter 124 (higher bank address), three counters 125 -0 to 125 -2 count value constituting the lower bank address counter 125 ( Lower bank address), the count values (bit line addresses) of the 12 counters constituting the bit line address counter 126, and the count values (word line addresses) of the 12 counters constituting the word line address counter 127 are each 0. The count values of the counter (counter A) 121 and the counter (counter B) 122 are set to 0, respectively.

次に、ステップST3で、注目画素の画素データが入力されたか否かを判定する。この場合、データクロックDCKが供給されるとき、注目画素の画素データが入力されたと判定する。注目画素の画素データが入力されたと判定するとき、ステップST4で、カウンタ(カウンタA)121をインクリメントし、さらにステップST5で、カウンタ(カウンタB)122をインクリメントする。   Next, in step ST3, it is determined whether pixel data of the target pixel has been input. In this case, when the data clock DCK is supplied, it is determined that the pixel data of the target pixel has been input. When it is determined that the pixel data of the target pixel has been input, the counter (counter A) 121 is incremented in step ST4, and the counter (counter B) 122 is incremented in step ST5.

次に、ステップST6で、ステップST3で入力された注目画素が、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンACPで特定される12個の初期アクセス画素のいずれかであるか否かを、一致判定部123で判定する。この場合、カウンタ(カウンタA)121のカウント値が、アクセスパターン情報IAPとしてのカウント値CN1〜CN12のいずれかと一致するとき、注目画素が初期アクセス画素であると判定する。   Next, in step ST6, the target pixel input in step ST3 is specified by the access pattern ACP set at a position shifted by (K-1) pixels in a direction orthogonal to the pixel column direction from the start position 12. The coincidence determination unit 123 determines whether the pixel is one of the initial access pixels. In this case, when the count value of the counter (counter A) 121 matches any of the count values CN1 to CN12 as the access pattern information IAP, it is determined that the target pixel is the initial access pixel.

注目画素が初期アクセス画素であると判定するとき、ステップST7で、その初期アクセス画素が現在の上位バンクアドレスで最初の初期アクセス画素であるか否かを判定する。現在の上位バンクアドレスは、上位バンクアドレスカウンタ124のカウント値で与えられる。   When it is determined that the target pixel is the initial access pixel, it is determined in step ST7 whether or not the initial access pixel is the first initial access pixel at the current upper bank address. The current upper bank address is given by the count value of the upper bank address counter 124.

最初の初期アクセス画素であると判定するとき、直ちに、ステップST10に進む。一方、最初の初期アクセス画素でないと判定するとき、ステップST8で、書き込みアドレスWを、バンクアドレスに対応した下位メモリバンクの書き込み開始アドレスWSにする。   When it is determined that the pixel is the first initial access pixel, the process immediately proceeds to step ST10. On the other hand, when it is determined that the pixel is not the first initial access pixel, in step ST8, the write address W is set to the write start address WS of the lower memory bank corresponding to the bank address.

ここで、バンクアドレスは、上位バンクアドレスおよび下位バンクアドレスからなる。上位バンクアドレスは、カウンタ124のカウント値で与えられる。下位バンクアドレスは、上位バンクアドレスに対応したカウンタ125内のカウンタのカウント値で与えられる。書き込みアドレスWは、アドレス生成部128で、上述したバンクアドレスの他に、ビット線アドレスおよびワード線アドレスを合成することで生成されている。ビット線アドレスは、バンクアドレスに対応したカウンタ126内のカウンタのカウント値で与えられる。ワード線アドレスは、バンクアドレスに対応したカウンタ127内のカウンタのカウント値で与えられる。   Here, the bank address includes an upper bank address and a lower bank address. The upper bank address is given by the count value of the counter 124. The lower bank address is given by the count value of the counter in the counter 125 corresponding to the upper bank address. The write address W is generated by the address generator 128 by combining the bit line address and the word line address in addition to the bank address described above. The bit line address is given by the count value of the counter in the counter 126 corresponding to the bank address. The word line address is given by the count value of the counter in the counter 127 corresponding to the bank address.

次に、ステップST9で、上位バンクアドレスに対応したカウンタ125内のカウンタのカウント値(下位バンクアドレス)をインクリメントする。その後に、ステップST10に進む。ステップST10では、書き込みアドレスWを、バンクアドレスに対応した下位メモリバンクの読み出し開始アドレスRSにする。   Next, in step ST9, the count value (lower bank address) of the counter in the counter 125 corresponding to the upper bank address is incremented. Thereafter, the process proceeds to step ST10. In step ST10, the write address W is set to the read start address RS of the lower memory bank corresponding to the bank address.

次に、ステップST11に進む。上述のステップST6で、注目画素が初期アクセス画素でないと判定されるとき、ステップST12で、注目画素が現在の上位バンクアドレスで最初の初期アクセス画素の後の画素であるか否かを判定する。注目画素が最初の初期アクセス画素の後の画素であると判定するとき、直ちに、ステップST11に進む。このステップST11では、アドレス生成部128で生成されている書き込みアドレスWに基づき、当該書き込みアドレスWのバンクアドレスで指定される下位メモリバンクの、当該書き込みアドレスWのビット線アドレスおよびワード線アドレスで指定されるアドレス位置に、注目画素の画素データを格納する。   Next, the process proceeds to step ST11. When it is determined in step ST6 that the target pixel is not the initial access pixel, it is determined in step ST12 whether the target pixel is a pixel after the first initial access pixel at the current upper bank address. When it is determined that the target pixel is a pixel after the first initial access pixel, the process immediately proceeds to step ST11. In this step ST11, based on the write address W generated by the address generation unit 128, specified by the bit line address and word line address of the write address W of the lower memory bank specified by the bank address of the write address W The pixel data of the target pixel is stored at the address position.

次に、ステップST13で、ビット線アドレスカウンタ126のバンクアドレスに対応したカウンタのカウント値(ビット線アドレス)をインクリメントする。そして、ステップST14で、ステップST13で、カウンタのカウント値が0となったとき、そのカウンタから出力されるキャリーCAにより、ワード線アドレスカウンタ127のバンクアドレスに対応したカウンタのカウント値(ワード線アドレス)をインクリメントする。その後に、ステップST15に進む。   Next, in step ST13, the count value (bit line address) of the counter corresponding to the bank address of the bit line address counter 126 is incremented. In step ST14, when the count value of the counter becomes 0 in step ST13, the count value (word line address) of the counter corresponding to the bank address of the word line address counter 127 is generated by the carry CA output from the counter. ) Is incremented. Thereafter, the process proceeds to step ST15.

上述のステップST12で、注目画素が最初の初期アクセス画素の後の画素でないと判定するとき、直ちに、ステップST15に進む。このステップST15では、カウンタ(カウンタB)122のカウント値が画素列の画素数mと等しいか否かを判定する。カウント値がmと等しいとき、ステップST16で、注目画素がK番目以降の画素列の画素であるか否かを判定する。   When it is determined in step ST12 that the target pixel is not a pixel after the first initial access pixel, the process immediately proceeds to step ST15. In step ST15, it is determined whether or not the count value of the counter (counter B) 122 is equal to the number of pixels m in the pixel column. When the count value is equal to m, it is determined in step ST16 whether or not the pixel of interest is a pixel in the Kth and subsequent pixel columns.

注目画素がK番目以降の画素列の画素であると判定するときは、ステップST17で、上位バンクアドレスカウンタ124のカウント値(上位バンクアドレス)をインクリメントし、ステップST18に進む。注目画素がK番目以降の画素列の画素でないと判定するときは、直ちに、ステップST18に進む。このステップST18では、カウンタ(カウンタB)122を0にリセットし、その後に、ステップST19に進む。   When it is determined that the target pixel is a pixel in the Kth and subsequent pixel columns, the count value (upper bank address) of the upper bank address counter 124 is incremented in step ST17, and the process proceeds to step ST18. If it is determined that the target pixel is not a pixel in the Kth and subsequent pixel columns, the process immediately proceeds to step ST18. In step ST18, the counter (counter B) 122 is reset to 0, and then the process proceeds to step ST19.

上述のステップST15で、カウント値がmと等しくないとき、直ちに、ステップST19に進む。このステップST19では、画面SRNの全ての画素の画素データが入力されたか否かを判定する。この場合、カウンタ(カウンタA)121のカウント値が、画面SRNを構成する画素の個数に等しいとき、全ての画素の画素データが入力されたと判定する。全ての画素の画素データが入力されたと判定するとき、ステップST20で、動作を終了する。一方、全ての画素の画素データが入力されていないと判定するとき、ステップST3に戻り、次の注目画素の画素データの入力を待つ。   When the count value is not equal to m in step ST15 described above, the process immediately proceeds to step ST19. In this step ST19, it is determined whether or not the pixel data of all the pixels on the screen SRN has been input. In this case, when the count value of the counter (counter A) 121 is equal to the number of pixels constituting the screen SRN, it is determined that the pixel data of all the pixels has been input. When it is determined that the pixel data of all the pixels has been input, the operation ends in step ST20. On the other hand, when it is determined that the pixel data of all the pixels has not been input, the process returns to step ST3 and waits for the input of the pixel data of the next pixel of interest.

上述した初期格納時の動作により、画面SRNの各画素のデータは、上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けられて格納される。   By the operation at the time of initial storage described above, the data of each pixel of the screen SRN is distributed and stored in the upper memory banks BK0 to BK2.

図5は、第1の位相処理時におけるアクセスパターンACPの初期設定位置を示している。このアクセスパターンACPの初期設定位置は、アクセスパターンACPの設定位置の開始位置となっている。この図5の「□」は上述の図2と同様に1画素を示している。以下の同種の図においても同様である。この図5の□内の数字は、各画素列が0〜2のいずれの画素列であるかを示している。この場合、画面SRNにおける各画素列は、1番目の画素列が最初の画素列とされて、0〜2の画素列の繰り返しであるとされ、この0〜2の画素列の画素データがそれぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2に格納される。ここで、0〜2の画素列は、それぞれ、第1〜第3の画素列を構成する。   FIG. 5 shows the initial setting position of the access pattern ACP during the first phase processing. The initial setting position of the access pattern ACP is the start position of the setting position of the access pattern ACP. “□” in FIG. 5 indicates one pixel as in FIG. The same applies to the following similar figures. The numbers in the squares in FIG. 5 indicate which pixel column each pixel column is 0 to 2. In this case, in each pixel column in the screen SRN, the first pixel column is the first pixel column and the pixel columns 0 to 2 are repeated, and the pixel data of the pixel columns 0 to 2 are respectively Stored in the upper memory banks BK0 to BK2. Here, the pixel columns 0 to 2 constitute first to third pixel columns, respectively.

図6は、第1の位相処理時における、各画素の画素データの初期格納状態を示している。この図6の□内の数字は、その画素の画素データが格納される下位メモリバンクのバンクアドレスを示している。ここで、「00」〜「03」は、それぞれ、上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK00〜BK03を示している。「10」〜「13」は、それぞれ、上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK10〜BK13を示している。「20」〜「23」は、それぞれ、上位メモリバンクBK2を構成する下位メモリバンクBK20〜BK23を示している。   FIG. 6 shows an initial storage state of pixel data of each pixel during the first phase processing. The numbers in the squares in FIG. 6 indicate the bank addresses of the lower memory banks in which the pixel data of the pixels are stored. Here, “00” to “03” indicate the lower memory banks BK00 to BK03 constituting the upper memory bank BK0, respectively. “10” to “13” indicate the lower memory banks BK10 to BK13 constituting the upper memory bank BK1, respectively. “20” to “23” indicate the lower memory banks BK20 to BK23 constituting the upper memory bank BK2, respectively.

図7は、上位メモリバンクBK0に係る画面SRN上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK00〜BK03への画素振り分けを示している。そして、図8は、下位メモリバンクBK00〜BK03のデータ格納状態を示している。ここで、「■」は画素データが格納されているメモリセルMCを示し、「□」は画素データが格納されていないメモリセルMCを示している。これは、以下の図においても同様である。   FIG. 7 shows an access pattern on the screen SRN related to the upper memory bank BK0 and pixel allocation to the lower memory banks BK00 to BK03. FIG. 8 shows the data storage state of the lower memory banks BK00 to BK03. Here, “■” indicates a memory cell MC in which pixel data is stored, and “□” indicates a memory cell MC in which pixel data is not stored. The same applies to the following drawings.

図9は、上位メモリバンクBK1に係る画面SRN上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK10〜BK13への画素振り分けを示している。そして、図10は、下位メモリバンクBK10〜BK13のデータ格納状態を示している。さらに、図11は、上位メモリバンクBK2に係る画面SRN上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK20〜BK23への画素振り分けを示している。そして、図12は、下位メモリバンクBK20〜BK23のデータ格納状態を示している。   FIG. 9 shows an access pattern on the screen SRN related to the upper memory bank BK1 and pixel allocation to the lower memory banks BK10 to BK13. FIG. 10 shows the data storage state of the lower memory banks BK10 to BK13. Further, FIG. 11 shows an access pattern on the screen SRN related to the upper memory bank BK2 and pixel allocation to the lower memory banks BK20 to BK23. FIG. 12 shows the data storage state of the lower memory banks BK20 to BK23.

最初、上位バンクアドレスは「0」となっており、また各上位バンクアドレスに対応した下位バンクアドレスも「0」となっている。この状態で、第1列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、アクセスパターンACPで特定される12個の初期アクセス画素のいずれでもなく、また現在の上位バンクアドレス「0」で最初の初期アクセス画素IM1Uより後の画素でもない。そのため、この注目画素の画素データは上位バンクアドレスBK0に格納されない。   Initially, the upper bank address is “0”, and the lower bank address corresponding to each upper bank address is also “0”. In this state, the first pixel in the first column becomes the target pixel. This target pixel is not any of the twelve initial access pixels specified by the access pattern ACP, and is not a pixel after the first initial access pixel IM1U at the current upper bank address “0”. For this reason, the pixel data of the target pixel is not stored in the upper bank address BK0.

その後、第1列の2番目の画素が注目画素となる。この注目画素は現在の上位バンクアドレス「0」で最初の初期アクセス画素IM1Uであり、この画素IM1Uから上位メモリバンクBK0を構成する最初の下位メモリバンクBK00への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM1Uの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK00の読み出し開始アドレスRSとされる(図8のバンクBK00参照)。   Thereafter, the second pixel in the first column becomes the target pixel. The target pixel is the first initial access pixel IM1U at the current upper bank address “0”, and storage of pixel data from the pixel IM1U to the first lower memory bank BK00 constituting the upper memory bank BK0 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM1U is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK00 (see bank BK00 in FIG. 8).

その後、この画素IM1Uに続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK00に格納されていくが、第1列の9番目の画素は現在の上位バンクアドレス「0」で2番目の初期アクセス画素IM2Uであり、この画素IM2Uが注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「0」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK01となる。   After that, the pixel following this pixel IM1U becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK00. The ninth pixel in the first column is the second with the current upper bank address “0”. When this is the initial access pixel IM2U and this pixel IM2U is the target pixel, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “0” is incremented to “1”, and the lower memory bank to store the pixel data is BK01.

そのため、下位メモリバンクBK00は、7画素の画素データが格納された状態となる(図8のバンクBK00の最初の7個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK00の書き込み開始アドレスWSは、7画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図8のバンクBK00参照)。   Therefore, the lower memory bank BK00 is in a state where pixel data of 7 pixels is stored (see the first seven address positions of the bank BK00 in FIG. 8). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK00 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of the seven pixels (see bank BK00 in FIG. 8). ).

上述したように画素IM2Uが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK01となり、この画素IM2Uから上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK01への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM2Uの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK01の読み出し開始アドレスRSとされる(図8のバンクBK01参照)。   As described above, when the pixel IM2U becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK01, and storage of the pixel data from the pixel IM2U to the lower memory bank BK01 constituting the upper memory bank BK0 is started. . In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM2U is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK01 (see the bank BK01 in FIG. 8).

その後、この画素IM2Uに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK01に格納されていくが、第1列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixels following the pixel IM2U become the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK01. When the pixel data of the 22nd pixel in the first column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “1”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第2列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、アクセスパターンACPで特定される12個の初期アクセス画素のいずれでもなく、また現在の上位バンクアドレス「1」で最初の初期アクセス画素IM1より後の画素でもない。そのため、この注目画素の画素データは上位バンクアドレスBK1に格納されない。   In this state, the first pixel in the second column becomes the target pixel. This target pixel is not any of the twelve initial access pixels specified by the access pattern ACP, and is not a pixel after the first initial access pixel IM1 at the current upper bank address “1”. For this reason, the pixel data of the target pixel is not stored in the upper bank address BK1.

その後、第2列の2番目の画素が注目画素となる。この注目画素は現在の上位バンクアドレス「1」で最初の初期アクセス画素IM1であり、この画素IM1から上位メモリバンクBK1を構成する最初の下位メモリバンクBK10への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM1の画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK10の読み出し開始アドレスRSとされる(図10のバンクBK10参照)。   Thereafter, the second pixel in the second column becomes the target pixel. This target pixel is the first initial access pixel IM1 at the current upper bank address “1”, and storage of pixel data from this pixel IM1 to the first lower memory bank BK10 constituting the upper memory bank BK1 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM1 is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK10 (see bank BK10 in FIG. 10).

その後、この画素IM1に続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK10に格納されていくが、第2列の9番目の画素は現在の上位バンクアドレス「1」で2番目の初期アクセス画素IM2であり、この画素IM2が注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「1」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK11となる。   Thereafter, the pixel subsequent to the pixel IM1 becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK10. The ninth pixel in the second column is the second one at the current upper bank address “1”. When it is the initial access pixel IM2 and this pixel IM2 is the target pixel, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “1” is incremented to “1”, and the lower memory bank to store the pixel data is BK11.

そのため、下位メモリバンクBK10は、7画素の画素データが格納された状態となる(図10のバンクBK10の最初の7個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK10の書き込み開始アドレスWSは、7画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図10のバンクBK10参照)。   Therefore, the lower memory bank BK10 is in a state where pixel data of 7 pixels is stored (see the first seven address positions of the bank BK10 in FIG. 10). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK10 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of the seven pixels (see the bank BK10 in FIG. 10). ).

上述したように画素IM2が注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK11となり、この画素IM2から上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK11への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM2の画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK11の読み出し開始アドレスRSとされる(図10のバンクBK11参照)。   As described above, when the pixel IM2 is the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK11, and storage of the pixel data from the pixel IM2 to the lower memory bank BK11 constituting the upper memory bank BK1 is started. . In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM2 is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK11 (see the bank BK11 in FIG. 10).

その後、この画素IM2に続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK11に格納されていくが、第2列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   After that, the pixel following this pixel IM2 becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK11. When the pixel data of the 22nd pixel in the second column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “2”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第3列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、アクセスパターンACPで特定される12個の初期アクセス画素のいずれでもなく、また現在の上位バンクアドレス「2」で最初の初期アクセス画素IM1Dより後の画素でもない。そのため、この注目画素の画素データは上位バンクアドレスBK2に格納されない。   In this state, the first pixel in the third column becomes the target pixel. This target pixel is not any of the twelve initial access pixels specified by the access pattern ACP, and is not a pixel after the first initial access pixel IM1D at the current upper bank address “2”. Therefore, the pixel data of the target pixel is not stored in the upper bank address BK2.

その後、第3列の2番目の画素が注目画素となる。この注目画素は現在の上位バンクアドレス「2」で最初の初期アクセス画素IM1Dであり、この画素IM1Dから上位メモリバンクBK2を構成する最初の下位メモリバンクBK20への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM1Dの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK20の読み出し開始アドレスRSとされる(図12のバンクBK20参照)。   Thereafter, the second pixel in the third column becomes the target pixel. The target pixel is the first initial access pixel IM1D at the current upper bank address “2”, and storage of pixel data from the pixel IM1D to the first lower memory bank BK20 constituting the upper memory bank BK2 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM1D is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK20 (see the bank BK20 in FIG. 12).

その後、この画素IM1Dに続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK20に格納されていくが、第3列の9番目の画素は現在の上位バンクアドレス「2」で2番目の初期アクセス画素IM2Dであり、この画素IM2Dが注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「2」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK21となる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM1D becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK20. The ninth pixel in the third column is the second pixel at the current upper bank address “2”. When it is the initial access pixel IM2D and this pixel IM2D becomes the target pixel, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “2” is incremented to “1”, and the lower memory bank to store the pixel data is It becomes BK21.

そのため、下位メモリバンクBK20は、7画素の画素データが格納された状態となる(図12のバンクBK20の最初の7個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK20の書き込み開始アドレスWSは、7画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図12のバンクBK10参照)。   Therefore, the lower memory bank BK20 is in a state in which pixel data of 7 pixels is stored (see the first seven address positions of the bank BK20 in FIG. 12). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK20 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of the seven pixels (see bank BK10 in FIG. 12). ).

上述したように画素IM2Dが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK21となり、この画素IM2Dから上位メモリバンクBK2を構成する下位メモリバンクBK21への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM2Dの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK21の読み出し開始アドレスRSとされる(図12のバンクBK21参照)。   As described above, when the pixel IM2D becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK21, and storage of the pixel data from the pixel IM2D to the lower memory bank BK21 constituting the upper memory bank BK2 is started. . In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM2D is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK21 (see the bank BK21 in FIG. 12).

その後、この画素IM2Dに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK21に格納されていくが、第3列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて再び「0」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixels following this pixel IM2D become the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK21. When the pixel data of the 22nd pixel in the third column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the higher bank address is incremented to become “0” again, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第4列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「0」で最初の初期アクセス画素IM1Uより後の画素である。そのため、この画素から上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK01への画素データの格納が再度開始される。   In this state, the first pixel in the fourth column becomes the target pixel. The target pixel is a pixel after the first initial access pixel IM1U at the current upper bank address “0”. Therefore, storage of pixel data from this pixel to the lower memory bank BK01 constituting the upper memory bank BK0 is started again.

その後、この画素に続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK01に格納されていくが、第4列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK01. When the pixel data of the 22nd pixel in the fourth column is stored, the counter 122 The count value B becomes equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “1”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第5列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「1」で最初の初期アクセス画素IM1より後の画素である。そのため、この画素から上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK11への画素データの格納が再度開始される。   In this state, the first pixel in the fifth column becomes the target pixel. The target pixel is a pixel after the first initial access pixel IM1 at the current upper bank address “1”. Therefore, storage of pixel data from this pixel to the lower memory bank BK11 constituting the upper memory bank BK1 is started again.

その後、この画素に続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK11に格納されていくが、第5列の5番目の画素は現在の上位バンクアドレス「1」で3番目の初期アクセス画素IM3Uであり、この画素IM3Uが注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「1」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK12となる。   Thereafter, the pixel following this pixel becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK11. The fifth pixel in the fifth column is the third initial initial value at the current upper bank address “1”. When the access pixel IM3U is the pixel of interest, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “1” is incremented to “2”, and the lower memory bank to store the pixel data is BK12. It becomes.

そのため、下位メモリバンクBK11は、18画素の画素データが格納された状態となる(図10のバンクBK11の最初の18個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK11の書き込み開始アドレスWSは、18画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図10のバンクBK11参照)。   Therefore, the lower memory bank BK11 is in a state where pixel data of 18 pixels is stored (see the first 18 address positions of the bank BK11 in FIG. 10). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK11 is an address indicating the address position next to the address position where the last pixel data of the 18-pixel pixel data is stored (see bank BK11 in FIG. 10). ).

上述したように画素IM3Uが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK12となり、画素IM3Uから上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK12への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM3Uの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK12の読み出し開始アドレスRSとされる(図10のバンクBK12参照)。   As described above, when the pixel IM3U becomes the pixel of interest, the lower memory bank to store the pixel data is BK12, and storage of the pixel data from the pixel IM3U to the lower memory bank BK12 constituting the upper memory bank BK1 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM3U is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK12 (see bank BK12 in FIG. 10).

その後、この画素IM3Uに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK12に格納されていくが、第5列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM3U becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK12. When the pixel data of the 22nd pixel in the fifth column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “2”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第6列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「2」で最初の初期アクセス画素IM1Dより後の画素である。そのため、この画素から上位メモリバンクBK2を構成する下位メモリバンクBK21への画素データの格納が再度開始される。   In this state, the first pixel in the sixth column becomes the target pixel. This pixel of interest is a pixel after the first initial access pixel IM1D at the current upper bank address “2”. Therefore, storage of pixel data from this pixel to the lower memory bank BK21 constituting the upper memory bank BK2 is started again.

その後、この画素に続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK21に格納されていくが、第6列の5番目の画素は現在の上位バンクアドレス「2」で3番目の初期アクセス画素IM3であり、この画素IM3が注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「2」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK22となる。   Thereafter, the pixel following this pixel becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK21. The fifth pixel in the sixth column is the third initial initial value at the current upper bank address “2”. When it is the access pixel IM3 and this pixel IM3 is the target pixel, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “2” is incremented to “2”, and the lower memory bank to store the pixel data is BK22. It becomes.

そのため、下位メモリバンクBK21は、18画素の画素データが格納された状態となる(図12のバンクBK21の最初の18個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK21の書き込み開始アドレスWSは、18画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図12のバンクBK21参照)。   Therefore, the lower memory bank BK21 is in a state where pixel data of 18 pixels is stored (see the first 18 address positions of the bank BK21 in FIG. 12). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK21 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of 18 pixels (see bank BK21 in FIG. 12). ).

上述したように画素IM3が注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK22となり、画素IM3から上位メモリバンクBK2を構成する下位メモリバンクBK22への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM3の画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK22の読み出し開始アドレスRSとされる(図12のバンクBK22参照)。   As described above, when the pixel IM3 becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK22, and storage of the pixel data from the pixel IM3 to the lower memory bank BK22 constituting the upper memory bank BK2 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM3 is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK22 (see the bank BK22 in FIG. 12).

その後、この画素IM3に続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK22に格納されていくが、第6列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて再び「0」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM3 becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK22. When the pixel data of the 22nd pixel in the sixth column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the higher bank address is incremented to become “0” again, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第7列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「0」で最初の初期アクセス画素IM1Uより後の画素である。そのため、この画素から上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK01への画素データの格納が再度開始される。   In this state, the first pixel in the seventh column becomes the target pixel. The target pixel is a pixel after the first initial access pixel IM1U at the current upper bank address “0”. Therefore, storage of pixel data from this pixel to the lower memory bank BK01 constituting the upper memory bank BK0 is started again.

その後、この画素に続く画素が順に注目画素となり、その画素データが下位メモリバンクBK01に格納されていくが、第7列の5番目の画素は現在の上位バンクアドレス「0」で3番目の初期アクセス画素IM3Dであり、この画素IM3Dが注目画素となるとき、現在の上位バンクアドレス「0」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK02となる。   Thereafter, the pixel following this pixel becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK01, but the fifth pixel in the seventh column is the third initial initial at the current upper bank address “0”. When the access pixel IM3D is the pixel of interest, the lower bank address corresponding to the current upper bank address “0” is incremented to “2”, and the lower memory bank to store the pixel data is BK02. It becomes.

そのため、下位メモリバンクBK01は、40画素の画素データが格納された状態となる(図8のバンクBK01の最初の40個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK01の書き込み開始アドレスWSは、40画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図8のバンクBK01参照)。   Therefore, the lower memory bank BK01 is in a state where pixel data of 40 pixels is stored (see the first 40 address positions of the bank BK01 in FIG. 8). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK01 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of 40 pixels (see the bank BK01 in FIG. 8). ).

上述したように画素IM3Dが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK02となり、画素IM3Dから上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK02への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM3Dの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK02の読み出し開始アドレスRSとされる(図8のバンクBK02参照)。   As described above, when the pixel IM3D becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK02, and storage of the pixel data from the pixel IM3D to the lower memory bank BK02 constituting the upper memory bank BK0 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM3D is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK02 (see the bank BK02 in FIG. 8).

その後、この画素IM3Dに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK02に格納されていくが、第7列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM3D becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK02. When the pixel data of the 22nd pixel in the seventh column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “1”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第8列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「1」で4番目の初期アクセス画素IM4Uであり、現在の上位バンクアドレス「1」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「3」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK13となる。   In this state, the first pixel in the eighth column becomes the target pixel. This pixel of interest is the fourth initial access pixel IM4U at the current upper bank address “1”, and the lower bank address corresponding to the current upper bank address “1” is incremented to “3”, and the pixel data is The lower memory bank to be stored is BK13.

そのため、下位メモリバンクBK12は、18画素の画素データが格納された状態となる(図10のバンクBK12の最初の18個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK12の書き込み開始アドレスWSは、18画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図10のバンクBK12参照)。   Therefore, the lower memory bank BK12 is in a state where pixel data of 18 pixels is stored (see the first 18 address positions of the bank BK12 in FIG. 10). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK12 is an address indicating the address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of 18 pixels (see bank BK12 in FIG. 10). ).

上述したように画素IM4Uが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK13となり、画素IM4Uから上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK13への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM4Uの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK13の読み出し開始アドレスRSとされる(図10のバンクBK13参照)。   As described above, when the pixel IM4U becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK13, and storage of the pixel data from the pixel IM4U to the lower memory bank BK13 constituting the upper memory bank BK1 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM4U is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK13 (see the bank BK13 in FIG. 10).

その後、この画素IM4Uに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK13に格納されていくが、第8列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixels following this pixel IM4U become the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK13. When the pixel data of the 22nd pixel in the eighth column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “2”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第9列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「2」で4番目の初期アクセス画素IM4であり、現在の上位バンクアドレス「2」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「3」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK23となる。   In this state, the first pixel in the ninth column becomes the target pixel. The target pixel is the fourth initial access pixel IM4 at the current upper bank address “2”, and the lower bank address corresponding to the current upper bank address “2” is incremented to “3”, and the pixel data is The lower memory bank to be stored is BK23.

そのため、下位メモリバンクBK22は、18画素の画素データが格納された状態となる(図12のバンクBK22の最初の18個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK22の書き込み開始アドレスWSは、18画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図12のバンクBK22参照)。   For this reason, the lower memory bank BK22 is in a state where pixel data of 18 pixels is stored (see the first 18 address positions of the bank BK22 in FIG. 12). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK22 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of 18 pixels (see bank BK22 in FIG. 12). ).

上述したように画素IM4が注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK23となり、画素IM4から上位メモリバンクBK2を構成する下位メモリバンクBK23への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM4の画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK23の読み出し開始アドレスRSとされる(図12のバンクBK23参照)。   As described above, when the pixel IM4 becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK23, and storage of the pixel data from the pixel IM4 to the lower memory bank BK23 constituting the upper memory bank BK2 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM4 is to be stored is used as the read start address RS of the lower memory bank BK23 (see bank BK23 in FIG. 12).

その後、この画素IM4に続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK23に格納されていくが、第9列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて再度「0」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM4 becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK23. When the pixel data of the 22nd pixel in the ninth column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to become “0” again, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第10列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「0」で4番目の初期アクセス画素IM4Dであり、現在の上位バンクアドレス「0」に対応した下位バンクアドレスがインクリメントされて「3」となり、画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK03となる。   In this state, the first pixel in the tenth column becomes the target pixel. The target pixel is the fourth initial access pixel IM4D at the current upper bank address “0”, and the lower bank address corresponding to the current upper bank address “0” is incremented to “3”, and the pixel data is The lower memory bank to be stored is BK03.

そのため、下位メモリバンクBK02は、18画素の画素データが格納された状態となる(図8のバンクBK02の最初の18個のアドレス位置参照)。この場合、この下位メモリバンクBK02の書き込み開始アドレスWSは、18画素の画素データのうち最後の画素データが格納されたアドレス位置の次のアドレス位置を示すアドレスとされる(図8のバンクBK02参照)。   Therefore, the lower memory bank BK02 is in a state where pixel data of 18 pixels is stored (see the first 18 address positions of the bank BK02 in FIG. 8). In this case, the write start address WS of the lower memory bank BK02 is an address indicating an address position next to the address position where the last pixel data is stored among the pixel data of 18 pixels (see bank BK02 in FIG. 8). ).

上述したように画素IM4Dが注目画素となるとき画素データを格納すべき下位メモリバンクはBK03となり、画素IM4Dから上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK03への画素データの格納が開始される。この場合、この画素IM4Dの画素データを格納すべきアドレス位置を示す書き込みアドレスWが、当該下位メモリバンクBK03の読み出し開始アドレスRSとされる(図8のバンクBK03参照)。   As described above, when the pixel IM4D becomes the target pixel, the lower memory bank to store the pixel data is BK03, and storage of the pixel data from the pixel IM4D to the lower memory bank BK03 constituting the upper memory bank BK0 is started. In this case, the write address W indicating the address position where the pixel data of the pixel IM4D is to be stored is set as the read start address RS of the lower memory bank BK03 (see the bank BK03 in FIG. 8).

その後、この画素IM4Dに続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK03に格納されていくが、第10列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「1」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel IM4D becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK03. When the pixel data of the 22nd pixel in the 10th column is stored, the counter 122 Is equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “1”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

この状態で、第11列の先頭画素が注目画素となる。この注目画素は、現在の上位バンクアドレス「1」で最初の初期アクセス画素IM1より後の画素である。そのため、この画素から上位メモリバンクBK1を構成する下位メモリバンクBK13への画素データの格納が再度開始される。   In this state, the first pixel in the eleventh column becomes the target pixel. The target pixel is a pixel after the first initial access pixel IM1 at the current upper bank address “1”. Therefore, storage of pixel data from this pixel to the lower memory bank BK13 constituting the upper memory bank BK1 is started again.

その後、この画素に続く画素が順に注目画素となって、その画素データが下位メモリバンクBK03に格納されていくが、第11列の22番目の画素の画素データまで格納されると、カウンタ122のカウント値Bが画素列の画素数m(=22)と等しくなり、上位バンクアドレスがインクリメントされて「2」となり、またカウンタ122のカウント値Bも「0」にリセットされる。   Thereafter, the pixel following this pixel becomes the target pixel in order, and the pixel data is stored in the lower memory bank BK03. When the pixel data of the 22nd pixel in the 11th column is stored, the counter 122 The count value B becomes equal to the number of pixels m (= 22) in the pixel column, the upper bank address is incremented to “2”, and the count value B of the counter 122 is also reset to “0”.

以下、同様にして、下位メモリバンクBK23,BK03,BK13に順次1画素列ずつ画素データが格納されていくことが繰り返し行われ、全画素の画素データの格納が行われる(図12のBK23、図8のBK03、図10のBK13参照)。   Similarly, the pixel data is sequentially stored in the lower memory banks BK23, BK03, and BK13 sequentially for each pixel column, and the pixel data of all the pixels is stored (BK23 in FIG. 12, FIG. 12). 8 BK03, see FIG. 10 BK13).

上述の図5〜図12を使用した説明は、第1の位相処理時における初期格納の動作を説明したものである。詳細説明は省略するが、第2の位相処理時および第3の位相処理時における初期格納の動作も同様にして行われる。   The above description using FIGS. 5 to 12 describes the initial storage operation during the first phase processing. Although detailed description is omitted, the initial storage operation during the second phase processing and the third phase processing is performed in the same manner.

なお、図13は、第2の位相処理時におけるアクセスパターンACPの初期設定位置を示している。このアクセスパターンACPの初期設定位置は、開始位置から画素列方向に直交する方向に1画素分ずれた位置となっている。この場合、画面SRNにおける各画素列は、2番目の画素列が最初の画素列とされて、0〜2の画素列の繰り返しであるとされ、この0〜2の画素列の画素データがそれぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2に格納される。図14は、第2の位相処理時における、各画素の画素データの、下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23への初期格納状態を示している。   FIG. 13 shows the initial setting position of the access pattern ACP during the second phase processing. The initial setting position of the access pattern ACP is a position shifted by one pixel in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. In this case, in each pixel column in the screen SRN, the second pixel column is the first pixel column and the pixel columns 0 to 2 are repeated, and the pixel data of the pixel columns 0 to 2 are respectively Stored in the upper memory banks BK0 to BK2. FIG. 14 shows an initial storage state of pixel data of each pixel in the lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 during the second phase processing.

また、図15は、第3の位相処理時におけるアクセスパターンACPの初期設定位置を示している。このアクセスパターンACPの初期設定位置は、開始位置から画素列方向に直交する方向に2画素分ずれた位置となっている。この場合、画面SRNにおける各画素列は、3番目の画素列が最初の画素列とされて、0〜2の画素列の繰り返しであるとされ、この0〜2の画素列の画素データがそれぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2に格納される。図16は、第3の位相処理時における、各画素の画素データの、下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23への初期格納状態を示している。   FIG. 15 shows the initial setting position of the access pattern ACP during the third phase processing. The initial setting position of the access pattern ACP is a position shifted by two pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. In this case, in each pixel column in the screen SRN, the third pixel column is the first pixel column, and the pixel columns 0 to 2 are repeated. The pixel data of the pixel columns 0 to 2 are respectively Stored in the upper memory banks BK0 to BK2. FIG. 16 shows an initial storage state of pixel data of each pixel in the lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 during the third phase processing.

図1に戻って、データアクセス制御部140は、図示しない制御装置から入力端子150を介して供給される制御信号SCLに基づいて動作する。このデータアクセス制御部140は、アクセスパターンACPの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、このアクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データを、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2から同時に読み出すための制御を行う。   Returning to FIG. 1, the data access control unit 140 operates based on a control signal SCL supplied from a control device (not shown) via the input terminal 150. The data access control unit 140 has twelve access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U specified by the access pattern ACP at each setting position where the setting position of the access pattern ACP is moved in the pixel column direction from the start position. Control is performed to simultaneously read out the pixel data of IM1D to IM4D from the three upper memory banks BK0 to BK2.

データアクセス制御部140は、第1〜第3の位相処理を順次行う。そして、データアクセス制御部140は、第K(K=1〜3)の位相処理時において、開始位置から画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置(初期設定位置)とし、一列分の移動が終わる毎に3画素分ずれた列の先頭に移動し、画素列方向に順次移動したアクセスパターンACPの各設定位置で、このアクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データを、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2を構成する12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23から同時に読み出す。   The data access control unit 140 sequentially performs the first to third phase processes. Then, the data access control unit 140 sets a position shifted by (K−1) pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position at the initial setting position during the K-th (K = 1 to 3) phase processing. (Initial setting position), each time the movement for one column is completed, the position is shifted to the top of the column shifted by 3 pixels, and each access pattern ACP is sequentially moved in the pixel column direction. The pixel data of 12 access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U, IM1D to IM4D are divided into 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, BK20 to Read simultaneously from BK23.

また、このデータアクセス制御部140は、アクセスパターンACPの設定位置が画素列方向に移動した際に、その設定位置におけるアクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データがそれぞれ異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを、その画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する。   In addition, when the setting position of the access pattern ACP moves in the pixel column direction, the data access control unit 140 includes twelve access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U specified by the access pattern ACP at the setting position. As the pixel data of IM1D to IM4D are stored in different lower memory banks, the pixel data read out from a predetermined lower memory bank for each upper memory bank is stored in the lower memory bank in which the pixel data is stored. Store in the previous lower memory bank.

データアクセス制御部140についてさらに詳細に説明する。図17は、このデータアクセス制御部140の構成を示している。このデータアクセス制御部140は、カウンタ141と、アドレスカウンタ制御部142と、読み出しアドレスカウンタ143と、書き込みアドレスカウンタ144と、読み出しアドレス生成部145と、書き込みアドレス生成部146とを有している。   The data access control unit 140 will be described in further detail. FIG. 17 shows the configuration of the data access control unit 140. The data access control unit 140 includes a counter 141, an address counter control unit 142, a read address counter 143, a write address counter 144, a read address generation unit 145, and a write address generation unit 146.

カウンタ141は、アクセスパターンACPの設定位置を示すカウント値を出力する。このカウンタ141には、アクセスパターンACPの設定位置を移動するための移動クロックMCKが供給される。この移動クロックMCKは、上述した制御信号SCLのひとつを構成しており、図示しない制御装置から供給される。このカウンタ141は、最初にそのカウント値が0とされ、その後アクセスパターンACPの設定位置を開始位置とするとき最初の移動クロックMCKでインクリメントされてカウント値が1となり、その後はこの設定位置が画素列方向に1画素ずつ移動する毎に、移動クロックMCKでインクリメントされていく。   The counter 141 outputs a count value indicating the set position of the access pattern ACP. The counter 141 is supplied with a moving clock MCK for moving the set position of the access pattern ACP. The moving clock MCK constitutes one of the control signals SCL described above and is supplied from a control device (not shown). The counter 141 is first set to 0, and then incremented by the first moving clock MCK when the set position of the access pattern ACP is set as the start position, and then the count value becomes 1. Thereafter, the set position is set to the pixel. Each time the pixel moves in the column direction, it is incremented by the moving clock MCK.

読み出しアドレスカウンタ143は、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23にそれぞれ対応した12個のカウンタからなっている。この12個のカウンタのそれぞれは、ビット線アドレスを示すカウント値を得るためのビット線アドレスカウンタと、ワード線アドレスを示すカウント値を得るためのワード線アドレスカウンタとからなっている(図3のビット線アドレスカウンタ126およびワード線アドレスカウンタ127参照)。カウンタ143内の12個のカウンタは、アドレスカウンタ制御部142の制御のもと、それぞれ、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23に対する読み出しアドレス(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)を示すカウント値を出力する。   The read address counter 143 includes 12 counters corresponding to the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23, respectively. Each of the twelve counters includes a bit line address counter for obtaining a count value indicating a bit line address and a word line address counter for obtaining a count value indicating a word line address (in FIG. 3). (See bit line address counter 126 and word line address counter 127). The twelve counters in the counter 143 are read addresses (bit line addresses and word lines) for the twelve lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23, respectively, under the control of the address counter control unit 142. A count value indicating (address) is output.

書き込みアドレスカウンタ144は、9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22にそれぞれ対応した9個のカウンタからなっている。この9個のカウンタのそれぞれも、ビット線アドレスを示すカウント値を得るためのビット線アドレスカウンタと、ワード線アドレスを示すカウント値を得るためのワード線アドレスカウンタとからなっている。カウンタ144内の9個のカウンタは、アドレスカウンタ制御部142の制御のもと、それぞれ、9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22に対する書き込みアドレス(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)を示すカウント値を出力する。   The write address counter 144 includes nine counters corresponding to the nine lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22, respectively. Each of the nine counters includes a bit line address counter for obtaining a count value indicating a bit line address and a word line address counter for obtaining a count value indicating a word line address. Under the control of the address counter control unit 142, the nine counters in the counter 144 are write addresses (bit line addresses and word lines) for the nine lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22, respectively. A count value indicating (address) is output.

アドレスカウンタ制御部142は、上述した読み出しアドレスカウンタ143および書き込みアドレスカウンタ144の動作を制御する。このアドレスカウンタ制御部142には、アクセスパターンACPの設定位置を移動するための移動クロックMCKと、さらに上述したデータ格納制御部120のアドレス生成部128で生成された、それぞれの下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23に対する読み出し開始アドレスRSおよび書き込み開始アドレスWSが供給される。   The address counter control unit 142 controls the operations of the read address counter 143 and the write address counter 144 described above. The address counter control unit 142 includes a movement clock MCK for moving the set position of the access pattern ACP and each of the lower memory banks BK00 to BK00 generated by the address generation unit 128 of the data storage control unit 120 described above. A read start address RS and a write start address WS are supplied to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23.

このアドレスカウンタ制御部142は、最初に、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23のそれぞれに対する読み出し開始アドレスRSをカウンタ143内の12個のカウンタにセットし、9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22のそれぞれに対する書き込み開始アドレスWSをカウンタ144内の9個のカウンタにセットする。   The address counter control unit 142 first sets the read start address RS for each of the twelve lower-level memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 to the twelve counters in the counter 143, and nine Write start addresses WS for the lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22 are set in nine counters in the counter 144, respectively.

また、アドレスカウンタ制御部142は、アクセスパターンACPの各設定位置で、画素データの読み出しが行われる毎にカウンタ143内の12個のカウンタをインクリメントすると共に、画素データの書き込みが行われる毎にカウンタ144内の9個のカウンタをインクリメントする。   Further, the address counter control unit 142 increments the 12 counters in the counter 143 every time pixel data is read at each setting position of the access pattern ACP, and each time pixel data is written. The nine counters in 144 are incremented.

読み出しアドレス生成部145は、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23のそれぞれに対する読み出しアドレスRを生成する。この読み出しアドレス生成部145には、読み出しアドレスカウンタ143を構成する各カウンタのカウント値(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)が供給される。読み出しアドレス生成部145は、各カウンタのカウント値(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)に、それぞれ、上位バンクアドレスおよび下位バンクアドレスを合成することで、それぞれの下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23に対する読み出しアドレスRを生成する。   The read address generation unit 145 generates a read address R for each of the twelve lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23. The read address generation unit 145 is supplied with count values (bit line address and word line address) of each counter constituting the read address counter 143. The read address generation unit 145 combines the upper bank address and the lower bank address with the count values (bit line address and word line address) of each counter, respectively, so that the lower memory banks BK00 to BK03 and BK10 to BK13 are combined. , BK20 to BK23 are generated.

書き込みアドレス生成部146は、9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22のそれぞれに対する書き込みアドレスWを生成する。この書き込みアドレス生成部146には、書き込み込みアドレスカウンタ144を構成する各カウンタのカウント値(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)が供給される。書き込みアドレス生成部146は、各カウンタのカウント値(ビット線アドレスおよびワード線アドレス)に、それぞれ、上位バンクアドレスおよび下位バンクアドレスを合成することで、それぞれの下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22に対する書き込みアドレスWを生成する。   The write address generator 146 generates a write address W for each of the nine lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22. The write address generation unit 146 is supplied with count values (bit line address and word line address) of each counter constituting the write address counter 144. The write address generation unit 146 combines the upper bank address and the lower bank address with the count values (bit line address and word line address) of each counter, respectively, so that the lower memory banks BK00 to BK02 and BK10 to BK12 are combined. , BK20 to BK22 are generated.

次に、図17に示すデータアクセス制御部140の制御によるデータアクセス時(第Kの位相処理時)の動作を、図18のフローチャートを用いて説明する。なお、データアクセス制御部140は、例えばマイクロプロセッサで構成され、図示しないプログラムメモリに格納されたデータアクセス制御プログラムに従って制御動作をする。   Next, the operation at the time of data access (during the K-th phase process) under the control of the data access control unit 140 shown in FIG. 17 will be described using the flowchart of FIG. The data access control unit 140 is composed of, for example, a microprocessor, and performs a control operation according to a data access control program stored in a program memory (not shown).

ステップST31で、動作を開始し、ステップST32で、アドレスカウンタ制御部142は、読み出しアドレスRおよび書き込みアドレスWをセットする。この場合、読み出しアドレスカウンタ143内の12個のカウンタのカウント値(読み出しアドレス)は、それぞれ、データ格納制御部120から供給された、第Kの位相処理時の読み出し開始アドレスRSと等しくなるようにセットされる。また、書き込みアドレスカウンタ144内の9個のカウント値(書き込みアドレス)は、それぞれ、データ格納制御部120から供給された、第Kの位相処理時の書き込み開始アドレスWSと等しくなるようにセットされる。   In step ST31, the operation is started. In step ST32, the address counter control unit 142 sets the read address R and the write address W. In this case, the count values (read addresses) of the twelve counters in the read address counter 143 are equal to the read start address RS at the time of the K-th phase process supplied from the data storage control unit 120, respectively. Set. The nine count values (write addresses) in the write address counter 144 are set to be equal to the write start address WS supplied from the data storage control unit 120 during the K-th phase process. .

次に、ステップST33で、移動クロックMCKにより、カウンタ141をインクリメントする。そして、ステップST34で、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23の、読み出しアドレス生成部145で生成された読み出しアドレスRで示されるアドレス位置から、アクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データDo01〜Do12を読み出して出力する。   Next, in step ST33, the counter 141 is incremented by the moving clock MCK. In step ST34, the access pattern ACP is specified from the address position indicated by the read address R generated by the read address generator 145 in the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23. The pixel data Do01 to Do12 of the 12 access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U, and IM1D to IM4D are read and output.

この場合、下位メモリバンクBK00,BK01,BK02,BK03からはそれぞれアクセス画素IM1U,IM2U,IM3D,IM4Dの画素データが読み出され、下位メモリバンクBK10,BK11,BK12,BK13からはそれぞれアクセス画素IM1,IM2,IM3U,IM4Uの画素データが読み出され、さらに下位メモリバンクBK20,BK21,BK22,BK23からはそれぞれアクセス画素IM1D,IM2D,IM3,IM4の画素データが読み出される(図7、図9、図11参照)。   In this case, the pixel data of the access pixels IM1U, IM2U, IM3D, and IM4D are read from the lower memory banks BK00, BK01, BK02, and BK03, respectively, and the access pixels IM1, UK11, BK12, and BK13 are accessed from the lower memory banks BK10, BK11, BK12, and BK13, respectively. Pixel data of IM2, IM3U, and IM4U are read out, and pixel data of access pixels IM1D, IM2D, IM3, and IM4 are read out from lower memory banks BK20, BK21, BK22, and BK23, respectively (FIGS. 7, 9, and FIG. 11).

次に、ステップST35で、上述のステップST34で画素データの読み出しを行った12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23に対応する読み出しアドレスカウンタ143内の12個のカウンタのカウント値(読み出しアドレス)を、インクリメントする。   Next, in step ST35, the twelve counters in the read address counter 143 corresponding to the twelve lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 from which the pixel data has been read in step ST34 described above are stored. The count value (read address) is incremented.

次に、ステップST36で、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを、1つ前の下位メモリバンクに格納する。この場合、下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22の、書き込みアドレス生成部146で生成された書き込みアドレスWで示されるアドレス位置に、それぞれ、下位メモリバンクBK01〜BK03,BK11〜BK13,BK21〜BK23から読み出された画素データが書き込まれる。   Next, in step ST36, pixel data read from a predetermined lower memory bank is stored in the previous lower memory bank for each upper memory bank. In this case, in the lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22, the lower memory banks BK01 to BK03, BK11 to BK13 are respectively located at the address positions indicated by the write address W generated by the write address generator 146. , Pixel data read from BK21 to BK23 are written.

次に、ステップST37で、上述のステップST36で画素データの書き込みを行った9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22に対応する書き込みアドレスカウンタ144内の9個のカウンタのカウント値(書き込みアドレス)を、インクリメントする。   Next, in step ST37, the nine counters in the write address counter 144 corresponding to the nine lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22 to which the pixel data was written in step ST36 described above are stored. The count value (write address) is incremented.

次に、ステップST38で、全てアクセスしたか否か、つまりアクセスパターンACPが、第Kの位相処理時の初期設定位置から終了位置まで移動したか否かを判定する。この場合、カウンタ141のカウント値が終了位置を示す値となるとき、全てアクセスしたと判定する。全てアクセスしたと判定するときは、ステップST39で、動作を終了する。全てアクセスしていないと判定するときは、ステップST33に戻って、アクセスパターンACPの次の設定位置の処理に移る。   Next, in step ST38, it is determined whether or not all accesses have been made, that is, whether or not the access pattern ACP has moved from the initial setting position to the end position during the K-th phase processing. In this case, when the count value of the counter 141 is a value indicating the end position, it is determined that all have been accessed. If it is determined that all have been accessed, the operation is terminated in step ST39. If it is determined that all are not accessed, the process returns to step ST33, and the process proceeds to the process for the next set position of the access pattern ACP.

ここで、第1の位相処理時のアクセスパターンACPの初期設定位置は開始位置である(図5参照)。第2の位相処理時のアクセスパターンACPの初期設定位置は、開始位置から画素列方向に直交する方向に1画素分ずれた位置である(図13参照)。さらに、第3の位相処理時のアクセスパターンACPの初期設定位置は、開始位置から画素列方向に直交する方向に2画素分ずれた位置である(図15参照)。   Here, the initial setting position of the access pattern ACP at the time of the first phase processing is the start position (see FIG. 5). The initial setting position of the access pattern ACP at the time of the second phase processing is a position shifted by one pixel in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position (see FIG. 13). Furthermore, the initial setting position of the access pattern ACP at the time of the third phase processing is a position shifted by two pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position (see FIG. 15).

上述したデータアクセス時の動作をさらに説明する。上述したように、初期格納時の動作により、画面SRNの各画素の画素データは、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納されている。図19は、第1の位相処理時において、アクセスパターンACPが開始位置(第1の位相処理時の初期設定位置)にある状態を示している。図20は、図19のうち、例えば上位メモリバンクBK0に係る部分のみを取り出したものである。   The operation at the time of data access will be further described. As described above, the pixel data of each pixel of the screen SRN is distributed and stored in the three upper memory banks BK0 to BK2 by the operation at the time of initial storage. FIG. 19 shows a state in which the access pattern ACP is at the start position (initial setting position at the time of the first phase process) during the first phase process. FIG. 20 shows only the part related to the upper memory bank BK0, for example, extracted from FIG.

第1の位相処理時の動作開始時に、下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23の読み出しアドレスRおよび書き込み開始アドレスWがセットされる。この場合、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23の読み出しアドレスRは、データ格納制御部120のアドレス生成部128で生成された、第1の位相処理時の読み出し開始アドレスRSと同じアドレスにセットされる。またこの場合、9個の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22の書き込みアドレスWは、データ格納制御部120のアドレス生成部128で生成された、第1の位相処理時の書き込み開始アドレスWSと同じアドレスにセットされる。   At the start of the operation during the first phase processing, the read address R and the write start address W of the lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 are set. In this case, the read addresses R of the twelve lower-level memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 are generated by the address generation unit 128 of the data storage control unit 120, and start of reading during the first phase processing. Set to the same address as the address RS. In this case, the write addresses W of the nine lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22 are generated by the address generation unit 128 of the data storage control unit 120 and written during the first phase processing. Set to the same address as the start address WS.

図21は、初期状態における、メモリバンクBK00〜BK03のデータ格納状態および読み出しアドレスRおよび書き込みアドレスWのアドレス位置を示している。なお、メモリバンクBK10〜BK13,BK20〜23のデータ格納状態および読み出しアドレスRおよび書き込みアドレスWのアドレス位置は、メモリバンクBK00〜BK03の場合と同様であるので、その図示を省略する。以下の各状態においても同様である。   FIG. 21 shows the data storage state of the memory banks BK00 to BK03 and the address positions of the read address R and the write address W in the initial state. Since the data storage states of memory banks BK10 to BK13 and BK20 to 23 and the address positions of read address R and write address W are the same as those of memory banks BK00 to BK03, their illustration is omitted. The same applies to the following states.

カウンタ141のカウントが開始され、上述の図19に示すように、アクセスパターンACPの設定位置が開始位置とされると、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23の、読み出しアドレスRで示されるアドレス位置から、開始位置のアクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データDo01〜Do12が同時に読み出される。そして、12個の下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23の読み出しアドレスRはそれぞれインクリメントされる。   When the count of the counter 141 is started and the setting position of the access pattern ACP is set to the start position as shown in FIG. 19, the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, BK20 to BK23 From the address position indicated by the read address R, the pixel data Do01 to Do12 of the 12 access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U, and IM1D to IM4D specified by the access pattern ACP at the start position are simultaneously read. Then, the read addresses R of the 12 lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 are respectively incremented.

下位メモリバンクBK01〜BK03,BK11〜BK13,BK21〜BK23から読み出された画素データは、図22に示すように、1つ前の下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22の、書き込み込みアドレスWで示されるアドレス位置に書き込まれる(画素データの移動)。そして、下位メモリバンクBK00〜BK02,BK10〜BK12,BK20〜BK22の書き込みアドレスWはそれぞれインクリメントされる。   As shown in FIG. 22, the pixel data read from the lower memory banks BK01 to BK03, BK11 to BK13, BK21 to BK23 are stored in the previous lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, BK20 to BK22. Writing is performed at an address position indicated by a write-in address W (movement of pixel data). Then, the write addresses W of the lower memory banks BK00 to BK02, BK10 to BK12, and BK20 to BK22 are respectively incremented.

その後、移動クロックMCKの入力に伴ってアクセスパターンACPの設定位置が画素列方向(水平方向)に1画素移動する毎に、上述したと同様に、アクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データDo01〜Do12が同時に読み出され、読み出しアドレスRのインクリメント、画素データの移動、書き込みアドレスWのインクリメントの処理が行われる。   Thereafter, every time the setting position of the access pattern ACP moves one pixel in the pixel column direction (horizontal direction) in accordance with the input of the movement clock MCK, the 12 access pixels specified by the access pattern ACP are the same as described above. Pixel data Do01 to Do12 of IM1 to IM4, IM1U to IM4U, and IM1D to IM4D are read simultaneously, and processing for incrementing the read address R, moving the pixel data, and incrementing the write address W is performed.

図23は、第1の位相処理時において、アクセスパターンACPが1画素移動した状態を示している。図24は、図23のうち、例えば上位メモリバンクBK0に係る部分のみを取り出したものである。さらに、図25は、アクセスパターンACPが1画素移動した状態における、メモリバンクBK00〜BK03のデータ格納状態および読み出しアドレスRおよび書き込みアドレスWのアドレス位置を示している。   FIG. 23 shows a state in which the access pattern ACP has moved by one pixel during the first phase processing. FIG. 24 shows only the part related to the upper memory bank BK0, for example, extracted from FIG. Further, FIG. 25 shows the data storage state of the memory banks BK00 to BK03 and the address positions of the read address R and the write address W when the access pattern ACP is moved by one pixel.

また、図26は、第1の位相処理時において、アクセスパターンACPが22画素移動した状態を示している。図27は、図26のうち、例えば上位メモリバンクBK0に係る部分のみを取り出したものである。さらに、図28は、アクセスパターンACPが22画素移動した状態における、メモリバンクBK00〜BK03のデータ格納状態および読み出しアドレスRおよび書き込みアドレスWのアドレス位置を示している。   FIG. 26 shows a state in which the access pattern ACP has moved by 22 pixels during the first phase processing. FIG. 27 shows only the part related to the upper memory bank BK0, for example, extracted from FIG. Further, FIG. 28 shows the data storage state of the memory banks BK00 to BK03 and the address positions of the read address R and the write address W when the access pattern ACP is moved by 22 pixels.

この場合、図26に示すように、アクセスパターンACPの設定位置は、開始位置から画素列方向に直交する方向に3画素分ずれた列の先頭に移動する。なお、1画素分ずれた列についてのデータアクセス動作は第2の位相処理時に行われ、2画素分ずれた列についてのデータアクセス動作は第3の位相処理時に行われる。   In this case, as shown in FIG. 26, the setting position of the access pattern ACP moves to the beginning of a column shifted by 3 pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. The data access operation for the column shifted by one pixel is performed during the second phase processing, and the data access operation for the column shifted by two pixels is performed during the third phase processing.

以下、アクセスパターンACPが22画素移動する毎に、アクセスパターンACPの設定位置は、画素列方向に直交する方向に3画素分ずれた列の先頭に移動する。   Hereinafter, every time the access pattern ACP moves by 22 pixels, the setting position of the access pattern ACP moves to the top of the column shifted by 3 pixels in the direction orthogonal to the pixel column direction.

上述の図19〜図28を使用した説明は、第1の位相処理時におけるデータアクセスの動作を説明したものである。詳細説明は省略するが、第2の位相処理時および第3の位相処理時におけるデータアクセスの動作も同様にして行われる。これら第1〜第3の位相処理時におけるデータアクセスの動作が行われることで、アクセスパターンACPの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、このアクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データDo01〜Do12を、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2から同時に取得できる。   The above description using FIGS. 19 to 28 describes the data access operation during the first phase processing. Although detailed description is omitted, the data access operation during the second phase processing and the third phase processing is performed in the same manner. By performing the data access operation during the first to third phase processes, the access pattern ACP is specified by the access pattern ACP at each setting position where the setting position of the access pattern ACP is moved in the pixel column direction from the start position. Pixel data Do01 to Do12 of 12 access pixels IM1 to IM4, IM1U to IM4U, and IM1D to IM4D can be simultaneously acquired from the three upper memory banks BK0 to BK2.

なお、データ格納制御部120の制御による初期格納の第1〜第3の位相処理と、データアクセス制御部140の制御によるデータアクセスの第1〜第3の位相処理との処理時間の関係については、初期格納とデータアクセスの各位相の処理を交互に行うか、あるいは初期格納の全ての位相の処理を行った後に、データアクセスの全ての位相の処理を行うようにする。ただし、初期格納の全ての位相の処理をまとめて行う場合には、上位メモリバンクBK0〜BK2が3セット必要となる。   Regarding the relationship between the processing times of the first to third phase processes of initial storage controlled by the data storage control unit 120 and the first to third phase processes of data access controlled by the data access control unit 140 The processing of each phase of initial storage and data access is performed alternately, or the processing of all phases of data access is performed after the processing of all phases of initial storage. However, if all phases of initial storage are performed together, three sets of upper memory banks BK0 to BK2 are required.

図1に示すデータアクセス装置100によれば、アクセスパターンACPの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、当該アクセスパターンACPで特定される12個のアクセス画素IM1〜IM4,IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dの画素データがそれぞれ異なる下位メモリバンクBK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23に格納された状態として、当該12個の画素データを同時にアクセスできるようにしたものであり、当該12個の画素データの同時取得を容易に行うことができる。   According to the data access device 100 shown in FIG. 1, twelve access pixels IM1 to IM4 specified by the access pattern ACP at each setting position where the setting position of the access pattern ACP is sequentially moved from the start position in the pixel column direction. , IM1U to IM4U, and IM1D to IM4D are stored in different lower memory banks BK00 to BK03, BK10 to BK13, and BK20 to BK23 so that the 12 pixel data can be accessed simultaneously. Yes, simultaneous acquisition of the twelve pixel data can be easily performed.

また、図1に示すデータアクセス装置100によれば、初期格納時に、第1〜第3の画素列の画素データのそれぞれが上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納され、データアクセス時に上位メモリバンク毎にデータの移動処理を行うものであり、データアクセス時における画素データの移動処理を少なくできる。   Further, according to the data access apparatus 100 shown in FIG. 1, each of the pixel data of the first to third pixel columns is distributed and stored in the upper memory banks BK0 to BK2 at the time of initial storage. Data movement processing is performed every time, and pixel data movement processing during data access can be reduced.

例えば、アクセスパターンACPが上述実施の形態にように12個の画素のパターンであるとき、初期格納時に、各画素列の画素データを、12個のメモリバンクに、それぞれ、開始位置に設定されたアクセスパターンACPで特定される12個の画素の画素データを先頭にして格納すると共に、データアクセス時に、アクセスパターンで特定される12個の画素の画素データが12個のメモリバンクに格納されているようにデータ移動処理を行うものにあっては、このデータ移動処理として11個分の移動処理が必要となるが、図1に示すデータアクセス装置110では、1個の上位メモリバンクでは3個分の移動処理でよく(図22参照)、3個の上位メモリバンクBK0〜BK2では合計で9個分の移動処理で済む。   For example, when the access pattern ACP is a pattern of 12 pixels as in the above-described embodiment, the pixel data of each pixel column is set in the 12 memory banks at the start position during initial storage. The pixel data of 12 pixels specified by the access pattern ACP is stored at the head, and the pixel data of 12 pixels specified by the access pattern is stored in 12 memory banks at the time of data access. In the case of performing the data movement processing as described above, 11 data movement processes are required as the data movement process. However, in the data access device 110 shown in FIG. (See FIG. 22), the three upper memory banks BK0 to BK2 require a total of nine transfer processes.

また、図1に示すデータアクセス装置100によれば、アクセスパターンACPは、4個の中心画素IM1〜IM4および各中心画素の上下に位置する周辺画素IM1U〜IM4U,IM1D〜IM4Dのパターンであって、アクセスパターンACPを構成する画素の数が12個と多くなるが、上述したように第1〜第3の画素列の画素データのそれぞれを3個の上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納し、またデータアクセス時に上位メモリバンク毎にデータの移動処理を行うものであり、データアクセス時における画素データの移動処理を少なくできる。   Further, according to the data access device 100 shown in FIG. 1, the access pattern ACP is a pattern of four central pixels IM1 to IM4 and peripheral pixels IM1U to IM4U and IM1D to IM4D positioned above and below each central pixel. Although the number of pixels constituting the access pattern ACP is as large as twelve, as described above, each of the pixel data of the first to third pixel columns is distributed and stored in the three upper memory banks BK0 to BK2. In addition, data movement processing is performed for each upper memory bank during data access, and pixel data movement processing during data access can be reduced.

また、図1に示すデータアクセス装置100によれば、中心画素とその上下に位置する周辺画素からなる画素群が3本の画素列に渡っており、上述したように第1〜第3の画素列の画素データのそれぞれを3個の上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納することで、各上位メモリバンクにおける下位メモリバンクの必要個数はそれぞれ4個であり、そのバラツキを抑えている。   Further, according to the data access device 100 shown in FIG. 1, the pixel group composed of the central pixel and the peripheral pixels positioned above and below it extends over three pixel columns, and as described above, the first to third pixels. By distributing and storing each of the pixel data of the columns in the three upper memory banks BK0 to BK2, the required number of lower memory banks in each upper memory bank is four, and the variation is suppressed.

また、図1に示すデータアクセス装置100によれば、データ格納制御部120からデータアクセス制御部140に各メモリバンクBK0〜BK5の読み出し開始アドレスRSおよび書き込み開始アドレスWSを与えるものであり、例えばこれらデータ格納制御部120およびデータアクセス制御部140を制御する制御装置が、アクセスパターンACPの情報に基づいて各下位メモリバンクの読み出し開始アドレスRSおよび書き込み開始アドレスWSを生成して、データアクセス制御部140に与えることが必要でなくなる。   Further, according to the data access device 100 shown in FIG. 1, the data storage control unit 120 gives the data access control unit 140 the read start address RS and the write start address WS of each of the memory banks BK0 to BK5. The control device that controls the data storage control unit 120 and the data access control unit 140 generates the read start address RS and the write start address WS of each lower memory bank based on the information of the access pattern ACP, and the data access control unit 140 No need to give to.

なお、上述実施の形態においては、アクセスパターンACPは、図2に示すように、4個の中心画素IM1〜IM4、および各中心画素の上下に位置する8個の周辺画素IM1U,IM1D,IM2U,IM2D,IM3U,IM3D,IM4U,IM4Dからなる12個の画素のパターンであるが、これに限定されるものではない。例えば、中心画素の個数は4個に限られるものではなく、また周辺画素は、中心画素の上下に位置する代わりに、左右、上下左右、または斜め方向に位置するものであってもよく、さらには中心画素に隣接していなくてもよい。   In the above-described embodiment, as shown in FIG. 2, the access pattern ACP includes four central pixels IM1 to IM4 and eight peripheral pixels IM1U, IM1D, IM2U positioned above and below each central pixel. Although it is a pattern of 12 pixels composed of IM2D, IM3U, IM3D, IM4U, and IM4D, it is not limited to this. For example, the number of center pixels is not limited to four, and the peripheral pixels may be positioned in the left, right, up, down, left, right, or diagonal directions instead of being positioned above and below the center pixel. May not be adjacent to the central pixel.

また、上述実施の形態においては、アクセスパターンACPは、図2に示すように、中心画素と周辺画素とを組み合わせたパターンとして考えているが、必ずしも、中心画素と周辺画素とを組み合わせた画素パターンとして捉える必要はない。すなわち、この発明は、アクセスパターンACPが中心画素と周辺画素とを組み合わせた画素パターンであるか否かに拘わらず、当該アクセスパターンACPを構成する画素の数が大きい場合に有効なものとなる。   In the above-described embodiment, the access pattern ACP is considered as a pattern in which the central pixel and the peripheral pixels are combined as shown in FIG. 2, but is not necessarily limited to a pixel pattern in which the central pixel and the peripheral pixels are combined. There is no need to consider it as That is, the present invention is effective when the number of pixels constituting the access pattern ACP is large, regardless of whether or not the access pattern ACP is a pixel pattern obtained by combining the central pixel and the peripheral pixels.

また、上述実施の形態においては、画面SRNにおける各画素列を第1〜第3の画素列の繰り返しであるとして、この第1〜第3の画素列の画素データをそれぞれ上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納するものを示したが、上位メモリバンクの個数は3個に限定されない。一般にN個(Nは2以上の整数)の上位メモリバンクを使用する場合、画面SRNにおける各画素列は第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとして、この第1〜第Nの画素列の画素データがそれぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納されることになる。このように第1〜第Nの上位メモリバンクを用いる場合、データ格納制御部120およびデータアクセス制御部140は、それぞれ、第1〜第Nの位相処理を行うことになる。   In the above-described embodiment, each pixel column in the screen SRN is a repetition of the first to third pixel columns, and the pixel data of the first to third pixel columns are respectively stored in the upper memory banks BK0 to BK2. However, the number of upper memory banks is not limited to three. In general, when N (N is an integer of 2 or more) upper memory banks are used, it is assumed that each pixel column in the screen SRN is a repetition of the first to Nth pixel columns, and the first to Nth pixel columns. Pixel data is stored in the first to Nth upper memory banks, respectively. When the first to Nth upper memory banks are used in this way, the data storage control unit 120 and the data access control unit 140 perform the first to Nth phase processing, respectively.

また、上述実施の形態においては、画面SRNが水平方向に伸びる画素列が垂直方向に順次配列された構成であるとし、初期格納時には、各画素列の画素を順に注目画素とし、この注目画素の画素データを各上位メモリバンクBK0〜BK2に振り分けて格納し、データアクセス時には、アクセスパターンACPの設定位置を画素列方向に移動した各設定位置で当該アクセスパターンACPで特定される12個の画素の画素データDo01〜Do12を同時に得るものを示したが、画面SRNが垂直方向に伸びる画素列が水平方向に順次配列された構成であるとして、初期格納時およびデータアクセス時の動作を行うように構成することもできる。   In the above-described embodiment, it is assumed that the screen SRN has a configuration in which pixel columns extending in the horizontal direction are sequentially arranged in the vertical direction, and during initial storage, the pixels in each pixel column are sequentially set as the target pixels. The pixel data is distributed and stored in each of the upper memory banks BK0 to BK2, and at the time of data access, the 12 positions of the 12 pixels specified by the access pattern ACP are set at each setting position where the setting position of the access pattern ACP is moved in the pixel column direction. Although the pixel data Do01 to Do12 are obtained at the same time, the screen SRN has a configuration in which pixel columns extending in the vertical direction are sequentially arranged in the horizontal direction and configured to perform operations during initial storage and data access. You can also

また、上述実施の形態においては、データ格納制御部120からデータアクセス制御部140に開始アドレスRS,WSを与えるものを示したが、これら開始アドレスRS,WSを、データ格納制御部120およびデータアクセス制御部140の動作を制御する制御装置から、データアクセス制御部140に与える構成とすることもできる。   In the above embodiment, the data storage control unit 120 gives the data access control unit 140 with the start addresses RS and WS. However, the data storage control unit 120 and the data access are provided with the start addresses RS and WS. A configuration may also be adopted in which the data access control unit 140 is given from a control device that controls the operation of the control unit 140.

この発明は、アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に順次移動した各設定位置で、当該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データの同時取得を容易に行い得るものであり、例えば特定のデータ配列を認識してパターン認識や動き検出等の処理を行う装置に適用できる。   The present invention can easily simultaneously acquire pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at each setting position where the access pattern setting position is sequentially moved in the pixel column direction from the start position. For example, the present invention can be applied to an apparatus that recognizes a specific data array and performs processing such as pattern recognition and motion detection.

実施の形態としてのデータアクセス装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the data access apparatus as embodiment. 実施の形態で、画面上に設定されるアクセスパターンを示す図である。It is a figure which shows the access pattern set on a screen in embodiment. データアクセス装置を構成するデータ格納制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the data storage control part which comprises a data access apparatus. データ格納制御部の制御による初期格納時の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement at the time of the initial storage by control of a data storage control part. 第1の位相処理時におけるアクセスパターンの設定位置を示す図である。It is a figure which shows the setting position of the access pattern at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における画素データの初期格納状態を示す図である。It is a figure which shows the initial storage state of the pixel data at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK0に係る画面上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK00〜BK03への画素振り分けを示す図である。It is a figure which shows the access pattern on the screen which concerns on upper memory bank BK0 at the time of 1st phase processing, and pixel allocation to lower memory bank BK00-BK03. 第1の位相処理時における、下位メモリバンクBK00〜BK03のデータ格納状態を示す図である。It is a figure which shows the data storage state of low-order memory bank BK00-BK03 at the time of 1st phase processing. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK1に係る画面上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK10〜BK13への画素振り分けを示す図である。It is a figure which shows the access pattern on the screen which concerns on the high-order memory bank BK1, and the pixel allocation to the low-order memory banks BK10-BK13 at the time of 1st phase processing. 第1の位相処理時における、下位メモリバンクBK10〜BK13のデータ格納状態を示す図である。It is a figure which shows the data storage state of low-order memory bank BK10-BK13 at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK2に係る画面上のアクセスパターン、および下位メモリバンクBK20〜BK23への画素振り分けを示す図である。It is a figure which shows the access pattern on the screen which concerns on high-order memory bank BK2, and the pixel allocation to low-order memory banks BK20-BK23 at the time of 1st phase processing. 第1の位相処理時における、下位メモリバンクBK20〜BK23のデータ格納状態を示す図である。It is a figure which shows the data storage state of low-order memory bank BK20-BK23 at the time of a 1st phase process. 第2の位相処理時におけるアクセスパターンの設定位置を示す図である。It is a figure which shows the setting position of the access pattern at the time of a 2nd phase process. 第2の位相処理時における画素データの初期格納状態を示す図である。It is a figure which shows the initial storage state of the pixel data at the time of 2nd phase processing. 第3の位相処理時におけるアクセスパターンの設定位置を示す図である。It is a figure which shows the setting position of the access pattern at the time of a 3rd phase process. 第3の位相処理時における画素データの初期格納状態を示す図である。It is a figure which shows the initial storage state of the pixel data at the time of a 3rd phase process. データアクセス装置を構成するデータアクセス制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the data access control part which comprises a data access apparatus. データアクセス制御部の制御によるデータアクセス時の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement at the time of the data access by control of a data access control part. 第1の位相処理時における、アクセスパターンが開始位置にある状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has an access pattern in a starting position at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、アクセスパターンが開始位置にある状態(上位メモリバンクBK0に係る部分)を示す図である。It is a figure which shows the state (part which concerns on the high-order memory bank BK0) which has an access pattern in the start position at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK00〜BK03の初期状態を示す図である。It is a figure which shows the initial state of the low-order memory bank BK00-BK03 which comprises the high-order memory bank BK0 at the time of a 1st phase process. 画素データの読み出し後の移動処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the movement process after the reading of pixel data. 第1の位相処理時における、画面上に設定されたアクセスパターンが開始位置から1画素移動した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which moved 1 pixel from the starting position in the access pattern set on the screen at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、アクセスパターンが開始位置から1画素移動した状態(上位メモリバンクBK0に係る部分)を示す図である。It is a figure which shows the state (part which concerns on the high-order memory bank BK0) which the access pattern moved 1 pixel from the starting position at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK00〜BK03の1画素移動後の状態を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a state after moving one pixel in the lower memory banks BK00 to BK03 constituting the upper memory bank BK0 during the first phase processing. 第1の位相処理時における、画面上に設定されたアクセスパターンが開始位置から22画素移動した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which 22 pixels moved from the starting position in the access pattern set on the screen at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、アクセスパターンが開始位置から22画素移動した状態(上位メモリバンクBK0に係る部分)を示す図である。It is a figure which shows the state (part which concerns on the high-order memory bank BK0) which 22 pixels moved from the starting position at the time of a 1st phase process. 第1の位相処理時における、上位メモリバンクBK0を構成する下位メモリバンクBK00〜BK03の22画素移動後の状態を示す図である。It is a figure which shows the state after 22 pixel movement of low-order memory bank BK00-BK03 which comprises high-order memory bank BK0 at the time of 1st phase processing. 一般的な半導体メモリの構造を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a structure of a general semiconductor memory. 同時アクセスできない状態を示す図である。It is a figure which shows the state which cannot access simultaneously. 複数メモリバンクのメモリ構成を示す図である。It is a figure which shows the memory structure of a several memory bank. 画面上に設定されたアクセスパターンの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the access pattern set on the screen. 4個のメモリバンクへの画素データの格納例を示す図である。It is a figure which shows the example of storage of the pixel data to four memory banks. アクセスパターンが開始位置にあるときの各メモリバンクにおけるデータアクセス位置を示す図である。It is a figure which shows the data access position in each memory bank when an access pattern exists in a start position. アクセスパターンが10画素移動した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the access pattern moved 10 pixels. アクセスパターンが10画素移動した位置にあるときの各メモリバンクにおけるデータアクセス位置を示す図である。It is a figure which shows the data access position in each memory bank when the access pattern exists in the position which moved 10 pixels.

符号の説明Explanation of symbols

100・・・データアクセス装置、110・・・メモリ部、111・・・入力端子、112・・・出力端子、BK0〜BK2・・・上位メモリバンク、BK00〜BK03,BK10〜BK13,BK20〜BK23・・・下位メモリバンク、120・・・データ格納制御部、121・・・カウンタ(カウンタA)、122・・・カウンタ(カウンタB)、123・・・一致判定部、124・・・上位バンクアドレスカウンタ、125・・・下位バンクアドレスカウンタ、126・・・ビット線アドレスカウンタ、127・・・ワードアドレス線カウンタ、128・・・アドレス生成部、140・・・データアクセス制御部、141・・・カウンタ、142・・・アドレスカウンタ制御部、143・・・読み出しアドレスカウンタ、144・・・書き込みアドレスカウンタ、145・・・読み出しアドレス生成部、146・・・書き込みアドレス生成部、150・・・入力端子   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Data access apparatus, 110 ... Memory part, 111 ... Input terminal, 112 ... Output terminal, BK0-BK2 ... Upper memory bank, BK00-BK03, BK10-BK13, BK20-BK23 ... Lower memory bank, 120 ... Data storage control unit, 121 ... Counter (counter A), 122 ... Counter (counter B), 123 ... Match determination unit, 124 ... Higher bank Address counter 125 ... Lower bank address counter 126 ... Bit line address counter 127 ... Word address line counter 128 ... Address generation unit 140 ... Data access control unit 141 ...・ Counter 142... Address counter control unit 143... Read address counter 144. Scan counter, 145 ... read address generator, 146 ... write address generator, 150 ... input terminal

Claims (10)

それぞれ、下位バンクアドレスで特定される下位メモリバンクからなり、上位バンクアドレスで特定される複数の上位メモリバンクを有するメモリ部と、
水平または垂直に伸びる画素列が垂直または水平の方向に順次配列された所定画面における各画素列の画素を順に注目画素とし、該注目画素の画素データを、上記所定画面上に設定される複数の画素のパターンであるアクセスパターンに基づき、上記複数の上位メモリバンクに振り分けて格納するための制御を行うデータ格納制御部と、
上記複数の上位メモリバンクから、上記アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するための制御を行うデータアクセス制御部とを備え、
上記データ格納制御部は、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記所定画面における各画素列を、K番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、該第1〜第Nの画素列の画素データを、それぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとし、
上記第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ上記第Mの上位メモリバンクに格納する際、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、上記注目画素の画素データを上記第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始し、その後上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに該当するとき、上記注目画素の画素データを格納する上記第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを順次切り替え、
上記データアクセス制御部は、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、上記画素列方向に順次移動した上記アクセスパターンの各設定位置で、該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを、上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出し、上記設定位置が上記画素列方向に移動した際に、上記設定位置における上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを該画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する
ことを特徴とするデータアクセス装置。
A memory unit comprising a lower memory bank specified by a lower bank address, and having a plurality of upper memory banks specified by an upper bank address;
A pixel in each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending horizontally or vertically are sequentially arranged in a vertical or horizontal direction is set as a target pixel in order, and pixel data of the target pixel is set to a plurality of pixels set on the predetermined screen. A data storage control unit that performs control for allocating and storing in the plurality of upper memory banks based on an access pattern that is a pixel pattern;
Control for simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern from each of the plurality of upper memory banks at each setting position where the setting position of the access pattern is moved in the pixel column direction from the start position. A data access control unit to perform,
The data storage control unit
It is assumed that first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and each pixel column on the predetermined screen is represented as a Kth pixel during the Kth (K = 1 to N) phase processing. It is assumed that the first to Nth pixel columns are repeated with the column as the first pixel column, and the pixel data of the first to Nth pixel columns are stored in the first to Nth upper memory banks, respectively. ,
When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank at the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) Based on a plurality of pixels specified by an access pattern set at a position shifted by a pixel, when a target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels, When the pixel data of the pixel of interest starts to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank, and then the pixel of interest in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels , Sequentially switching lower memory banks of the Mth upper memory bank for storing pixel data of the target pixel,
The data access control unit
The first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and in the Kth (K = 1 to N) phase processing, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) The position shifted by the pixel is set as the first set position, and each time the movement for one column is finished, the column moves to the beginning of the column shifted by N pixels, and each of the access patterns sequentially moved in the pixel column direction At the set position, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are simultaneously read from the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and the set position is moved in the pixel column direction. In this case, each upper memory bank is read from a predetermined lower memory bank so that pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at the set position is stored in different lower memory banks. Data access apparatus characterized by storing pixel data in a previous lower memory banks of the lower memory bank pixel data has been stored.
上記複数の画素のパターンは、複数の中心画素および各中心画素の周辺に位置する周辺画素のパターンである
ことを特徴とする請求項1に記載のデータアクセス装置。
The data access apparatus according to claim 1, wherein the pattern of the plurality of pixels is a pattern of a plurality of central pixels and peripheral pixels located around each central pixel.
上記中心画素と該中心画素の周辺に位置する周辺画素からなる画素群がL本の画素列に渡るとき、上記Nは上記Lと等しくされる
ことを特徴とする請求項2に記載のデータアクセス装置。
3. The data access according to claim 2, wherein N is equal to L when a pixel group including the central pixel and peripheral pixels located around the central pixel extends over L pixel columns. apparatus.
上記データ格納制御部は、
上記第Kの位相処理時に、それぞれ、上記注目画素が、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に一致する画素であるか否かを判定する一致判定部と、
上記注目画素が上記画素列の最初から何番目の画素であるかをカウントするカウント部と、
上記第Kの位相処理時に、上記一致判定部の判定出力およびカウント部のカウント値に基づいて、上記注目画素毎に、上記メモリ部に対する書き込みアドレスを生成するアドレス生成部とを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のデータアクセス装置。
The data storage control unit
At the time of the K-th phase processing, each of the target pixels is identified by an access pattern set at a position shifted by (K−1) pixels in a direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. A match determination unit that determines whether or not the pixel matches the pixel;
A counting unit that counts the number of pixels from the beginning of the pixel row of the pixel of interest;
An address generation unit that generates a write address for the memory unit for each pixel of interest based on the determination output of the coincidence determination unit and the count value of the count unit during the K-th phase processing; The data access device according to claim 1.
上記データ格納制御部は、
上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対応した読み出し開始アドレスおよび書き込み開始アドレスを生成する開始アドレス生成部をさらに有し、
上記開始アドレス生成部は、それぞれのメモリバンクに対して、最初の画素データが格納されたアドレスを上記読み出し開始アドレスとし、最後の画素データが格納されたアドレスのつぎのアドレスを上記書き込み開始アドレスとする
ことを特徴とする請求項4に記載のデータアクセス装置。
The data storage control unit
A start address generator for generating a read start address and a write start address corresponding to each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks;
The start address generation unit sets, for each memory bank, an address at which the first pixel data is stored as the read start address, and an address next to the address at which the last pixel data is stored as the write start address. The data access device according to claim 4, wherein:
上記データアクセス制御部は、
上記第Kの位相処理時のそれぞれで上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクの読み出しアドレスを生成する読み出しアドレス生成部と、
上記第Kの位相処理時のそれぞれで上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクの書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成部とを有し、
上記読み出しアドレス生成部は、
上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対し、最初の読み出しアドレスを、外部から与えられる読み出し開始アドレスにセットし、各設定位置で画素データの読み出しが行われるとき、上記読み出しアドレスをインクリメントして次の読み出しアドレスを生成し、
上記書き込みアドレス生成部は、
上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクのそれぞれに対し、最初の書き込みアドレスを、外部から与えられる書き込み開始アドレスにセットし、
各設定位置で画素データの書き込みが行われるとき、上記書き込みアドレスをインクリメントして次の書き込みアドレスを生成する
ことを特徴とする請求項1に記載のデータアクセス装置。
The data access control unit
A read address generator for generating read addresses of lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks at each of the K-th phase processes;
A write address generator for generating a write address of a lower memory bank constituting the first to Nth upper memory banks at each of the K-th phase processes;
The read address generation unit
When the first read address is set to the read start address given from the outside for each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and pixel data is read at each setting position , Increment the read address to generate the next read address,
The write address generation unit
For each of the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, the first write address is set to the write start address given from the outside,
The data access device according to claim 1, wherein when pixel data is written at each set position, the write address is incremented to generate a next write address.
上記外部から与えられる上記書き込み開始アドレスおよび上記読み出し開始アドレスは、上記データ格納制御部から与えられる
ことを特徴とする請求項6に記載のデータアクセス装置。
The data access apparatus according to claim 6, wherein the write start address and the read start address given from the outside are given from the data storage control unit.
水平または垂直の方向に伸びる画素列が垂直または水平の方向の順次配列された所定画面における各画素列の画素を順に注目画素とし、該注目画素の画素データを、上記所定画面上に設定される複数の画素のパターンであるアクセスパターンに基づき、それぞれ下位バンクアドレスで特定される下位メモリバンクからなり、上位バンクアドレスで特定される複数の上位メモリバンクに振り分けて格納するデータ格納工程と、
上記複数の上位メモリバンクから、上記アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するデータアクセス工程とを備え、
上記データ格納工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記所定画面における各画素列をK番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、該第1〜第Nの画素列の画素データをそれぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとし、
上記第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ上記第Mの上位メモリバンクに格納する際、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、上記注目画素の画素データを上記第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始し、その後上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに該当するとき、上記注目画素の画素データを格納する上記第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを順次切り替え、
上記データアクセス工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、上記画素列方向に順次移動した上記アクセスパターンの各設定位置で、該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを、上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出し、上記設定位置が上記画素列方向に移動した際に、上記設定位置における上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを該画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する
ことを特徴とするデータアクセス方法。
A pixel in each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending in the horizontal or vertical direction are sequentially arranged in the vertical or horizontal direction is set as a target pixel in order, and pixel data of the target pixel is set on the predetermined screen. Based on an access pattern that is a pattern of a plurality of pixels, a data storage step that consists of a lower memory bank specified by a lower bank address, and is distributed and stored in a plurality of upper memory banks specified by an upper bank address;
A data access step of simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at each setting position obtained by moving the access pattern setting position from the start position in the pixel column direction from the plurality of upper memory banks; With
In the above data storage process,
It is assumed that first to Nth (N is an integer equal to or greater than 2) phase processing is sequentially performed, and each pixel column on the predetermined screen is represented as a Kth pixel column during the Kth (K = 1 to N) phase processing. Is the repetition of the first to Nth pixel columns, and the pixel data of the first to Nth pixel columns are respectively stored in the first to Nth upper memory banks,
When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank at the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) Based on a plurality of pixels specified by an access pattern set at a position shifted by a pixel, when a target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels, When the pixel data of the pixel of interest starts to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank, and then the pixel of interest in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels , Sequentially switching lower memory banks of the Mth upper memory bank for storing pixel data of the target pixel,
In the above data access process,
The first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and in the Kth (K = 1 to N) phase processing, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) The position shifted by the pixel is set as the first set position, and each time the movement for one column is finished, the column moves to the beginning of the column shifted by N pixels, and each of the access patterns sequentially moved in the pixel column direction At the set position, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are simultaneously read from the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and the set position is moved in the pixel column direction. In this case, each upper memory bank is read from a predetermined lower memory bank so that pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at the set position is stored in different lower memory banks. Data access method characterized by storing pixel data in a previous lower memory banks of the lower memory bank pixel data has been stored.
水平または垂直の方向に伸びる画素列が垂直または水平の方向の順次配列された所定画面における各画素列の画素を順に注目画素とし、該注目画素の画素データを、上記所定画面上に設定される複数の画素のパターンであるアクセスパターンに基づき、それぞれ下位バンクアドレスで特定される下位メモリバンクからなり、上位バンクアドレスで特定される複数の上位メモリバンクに振り分けて格納するデータ格納工程と、
上記複数の上位メモリバンクから、上記アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するデータアクセス工程とを備え、
上記データ格納工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記所定画面における各画素列をK番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、該第1〜第Nの画素列の画素データをそれぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとし、
上記第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ上記第Mの上位メモリバンクに格納する際、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、上記注目画素の画素データを上記第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始し、その後上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに該当するとき、上記注目画素の画素データを格納する上記第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを順次切り替え、
上記データアクセス工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、上記画素列方向に順次移動した上記アクセスパターンの各設定位置で、該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを、上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出し、上記設定位置が上記画素列方向に移動した際に、上記設定位置における上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを該画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する
データアクセス方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
A pixel in each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending in the horizontal or vertical direction are sequentially arranged in the vertical or horizontal direction is set as a target pixel in order, and pixel data of the target pixel is set on the predetermined screen. Based on an access pattern that is a pattern of a plurality of pixels, a data storage step that consists of a lower memory bank specified by a lower bank address, and is distributed and stored in a plurality of upper memory banks specified by an upper bank address;
A data access step of simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at each setting position obtained by moving the access pattern setting position from the start position in the pixel column direction from the plurality of upper memory banks; With
In the above data storage process,
It is assumed that first to Nth (N is an integer equal to or greater than 2) phase processing is sequentially performed, and each pixel column on the predetermined screen is represented as a Kth pixel column during the Kth (K = 1 to N) phase processing. Is the repetition of the first to Nth pixel columns, and the pixel data of the first to Nth pixel columns are respectively stored in the first to Nth upper memory banks,
When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank at the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) Based on a plurality of pixels specified by an access pattern set at a position shifted by a pixel, when a target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels, When the pixel data of the pixel of interest starts to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank, and then the pixel of interest in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels , Sequentially switching lower memory banks of the Mth upper memory bank for storing pixel data of the target pixel,
In the above data access process,
The first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and in the Kth (K = 1 to N) phase processing, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) The position shifted by the pixel is set as the first set position, and each time the movement for one column is finished, the column moves to the beginning of the column shifted by N pixels, and each of the access patterns sequentially moved in the pixel column direction At the set position, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are simultaneously read from the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and the set position is moved in the pixel column direction. In this case, each upper memory bank is read from a predetermined lower memory bank so that pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at the set position is stored in different lower memory banks. Program for executing a data access method of storing pixel data in a previous lower memory banks of the lower memory bank pixel data is stored in the computer.
水平または垂直の方向に伸びる画素列が垂直または水平の方向の順次配列された所定画面における各画素列の画素を順に注目画素とし、該注目画素の画素データを、上記所定画面上に設定される複数の画素のパターンであるアクセスパターンに基づき、それぞれ下位バンクアドレスで特定される下位メモリバンクからなり、上位バンクアドレスで特定される複数の上位メモリバンクに振り分けて格納するデータ格納工程と、
上記複数の上位メモリバンクから、上記アクセスパターンの設定位置を開始位置から画素列方向に移動した各設定位置で、上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを同時に取得するデータアクセス工程とを備え、
上記データ格納工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記所定画面における各画素列をK番目の画素列を最初の画素列として第1〜第Nの画素列の繰り返しであるとし、該第1〜第Nの画素列の画素データをそれぞれ第1〜第Nの上位メモリバンクに格納するものとし、
上記第Kの位相処理時に、第M(M=1〜N)の画素列の画素データをそれぞれ上記第Mの上位メモリバンクに格納する際、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置に設定されたアクセスパターンで特定される複数の画素に基づき、上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに最初に該当するとき、上記注目画素の画素データを上記第Mの上位メモリバンクの最初の下位メモリバンクに格納することを開始し、その後上記第Mの画素列の注目画素が上記複数の画素のいずれかに該当するとき、上記注目画素の画素データを格納する上記第Mの上位メモリバンクの下位メモリバンクを順次切り替え、
上記データアクセス工程では、
第1〜第N(Nは2以上の整数)の位相処理を順次行うものとし、第K(K=1〜N)の位相処理時において、上記開始位置から上記画素列方向に直交する方向に(K−1)画素分ずれた位置を最初の設定位置とし、一列分の移動が終わる毎にN画素分ずれた列の先頭に移動し、上記画素列方向に順次移動した上記アクセスパターンの各設定位置で、該アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データを、上記第1〜第Nの上位メモリバンクを構成する下位メモリバンクから同時に読み出し、上記設定位置が上記画素列方向に移動した際に、上記設定位置における上記アクセスパターンで特定される複数の画素の画素データが異なる下位メモリバンクに格納されているように、上位メモリバンク毎に、所定の下位メモリバンクから読み出した画素データを該画素データが格納されていた下位メモリバンクの1つ前の下位メモリバンクに格納する
データアクセス方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
A pixel in each pixel column in a predetermined screen in which pixel columns extending in the horizontal or vertical direction are sequentially arranged in the vertical or horizontal direction is set as a target pixel in order, and pixel data of the target pixel is set on the predetermined screen. Based on an access pattern that is a pattern of a plurality of pixels, a data storage step that consists of a lower memory bank specified by a lower bank address, and is distributed and stored in a plurality of upper memory banks specified by an upper bank address;
A data access step of simultaneously acquiring pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at each setting position obtained by moving the access pattern setting position from the start position in the pixel column direction from the plurality of upper memory banks; With
In the above data storage process,
It is assumed that first to Nth (N is an integer equal to or greater than 2) phase processing is sequentially performed, and each pixel column on the predetermined screen is represented as a Kth pixel column during the Kth (K = 1 to N) phase processing. Is the repetition of the first to Nth pixel columns, and the pixel data of the first to Nth pixel columns are respectively stored in the first to Nth upper memory banks,
When the pixel data of the Mth (M = 1 to N) pixel columns are stored in the Mth upper memory bank at the K-th phase processing, respectively, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) Based on a plurality of pixels specified by an access pattern set at a position shifted by a pixel, when a target pixel in the Mth pixel column first corresponds to any of the plurality of pixels, When the pixel data of the pixel of interest starts to be stored in the first lower memory bank of the Mth upper memory bank, and then the pixel of interest in the Mth pixel column corresponds to any of the plurality of pixels , Sequentially switching lower memory banks of the Mth upper memory bank for storing pixel data of the target pixel,
In the above data access process,
The first to Nth (N is an integer of 2 or more) phase processing is sequentially performed, and in the Kth (K = 1 to N) phase processing, in the direction orthogonal to the pixel column direction from the start position. (K-1) The position shifted by the pixel is set as the first set position, and each time the movement for one column is finished, the column moves to the beginning of the column shifted by N pixels, and each of the access patterns sequentially moved in the pixel column direction At the set position, pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern are simultaneously read from the lower memory banks constituting the first to Nth upper memory banks, and the set position is moved in the pixel column direction. In this case, each upper memory bank is read from a predetermined lower memory bank so that pixel data of a plurality of pixels specified by the access pattern at the set position is stored in different lower memory banks. A computer-readable recording medium storing a program for executing a pixel data a data access method for storing the previous lower memory banks of the lower memory bank pixel data is stored in the computer with.
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