JP2006298902A - 2,4−置換ピロールの製造方法 - Google Patents

2,4−置換ピロールの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】安全で収率の高い2,4-置換ピロールの製造方法の提供。
【解決手段】一般式(I)で表されるヒドラゾニウム誘導体と、一般式(II)で表されるヒドラゾニウム誘導体を、3級アルコールの金属アルコキシド存在下、15℃以下で反応させることを特徴とする2,4−置換ピロールの製造方法。
Figure 2006298902

(R,R,R,及びRはアルキル基,アリール基等を;R〜R及びR〜R10はアルキル基を;X及びXはハロゲンを表す。)
【選択図】 なし

Description

本発明は、2,4−置換ピロールの製造方法に関し、さらに詳しくは、蛍光材料、レーザー用色素、顔料などの電子情報材料の中間体として有用な一般式(III)で表される2,4−置換ピロールの製造方法に関するものである。
2,4−置換ピロールの合成方法としては、ヒドラゾニウム誘導体と2級アルコールの金属アルコキシドを用いて製造する方法が知られている(例えば、非特許文献1参照。)。しかしながら、この方法では得られる2,4−置換ピロール誘導体の収率が低いという課題があった。一方、収率を改善した合成方法として、β-アルキンアミンをロジウム触媒で環化する方法が知られている(例えば、非特許文献2参照。)。しかしながら、この方法では収率の改善は見られるが、一酸化炭素と水素の混合ガス(合成ガス)を用いるため、安全性に課題があった。
「Bull.Chem.Soc.Jpn.」,1968年,第41巻,第6号,p.1440−1443 「Tetrahedron Lett.」,(米国),1991年,第32巻,第8号,p.1093−1094
本発明は前述の課題を解決し、安全で収率の高い2,4−置換ピロールの製造方法を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するため本発明は以下の方法を取る。すなわち、一般式(I)で表されるヒドラゾニウム誘導体と、一般式(II)で表されるヒドラゾニウム誘導体を、3級アルコールの金属アルコキシド存在下、15℃以下で反応させ、一般式(III)で表される2,4−置換ピロールを製造するものである。
Figure 2006298902
(一般式(I)、(II)中、R及びRは同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。R及びRは同じでも異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。R〜R及びR〜R10はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、アルキル基を表す。X及びXは同じでも異なっていてもよく、ハロゲンを表す。)
Figure 2006298902
(一般式(III)中、R11及びR13は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。またR12及びR14はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。)
本発明によれば、2,4−置換ピロールを安全に、かつ高収率で製造することができる。
本発明について詳細に説明する。本発明においては、前記一般式(I)ないしは(II)に示したヒドラゾニウム誘導体を使用する。これらの化合物は、ケトン化合物とヒドラジン誘導体を反応させ、ついでハロゲン化アルキルで4級化させることにより製造可能である(例えば「J.Org.Chem.」,1957年,第22巻,p.358)。
本発明において、アルキル基とはメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、炭素数1〜16のものが好ましい。
シクロアルキル基とは、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などの飽和脂環式炭化水素基を示す。
アラルキル基とは、ベンジル基、フェニルエチル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示す。
アリール基とは、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基、ブチルフェニル基、メトキシフェニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていても構わない。置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールエーテル基などが挙げられる。アルコシキ基とは、例えばメトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示す。アリールエーテル基とは、例えばフェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示す。
複素環基とは、フリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、メチルピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示す。これは無置換でも置換されていても構わない。置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールエーテル基などが挙げられる。
ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を示す。
一般式(I)ないしは(II)で表されるヒドラゾニウム誘導体としては、次のようなものが挙げられる。
Figure 2006298902
これらヒドラゾニウム誘導体を、後述する適当な溶媒中において3級アルコールの金属アルコキシドの存在下、15℃以下で反応させることにより2,4−置換ピロールを高収率で得ることができる。
ヒドラゾニウム誘導体を一般式(IV)及び(V)のように限定すれば、生成する可能性のあるピロールの種類が4種類となり、特定の2,4-置換ピロールを得たい場合には有利となる。
Figure 2006298902
(一般式(IV)、(V)中、R及びRは同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい複素環基を表す。R〜R及びR〜R10はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、アルキル基を表す。)
一般式(I)及び(II)に示したヒドラゾニウム誘導体の置換基RとRが等しく、且つRとRが等しい場合、生成する可能性のある2,4−置換ピロールの種類が4種類となり、特定の2,4−置換ピロールを得たい場合には有利となる。
一般式(I)及び(II)に示したヒドラゾニウム誘導体のイミンの一方のα位炭素上に存在する水素が1つ以下である場合、生成する可能性のある2,4−置換ピロールの種類が4種類となり、特定の2,4-置換ピロールを得たい場合には有利となる。このようなヒドラゾニウム誘導体としては、例えば式(VI)または(VII)で示す化合物が挙げられる。
Figure 2006298902
さらに、一般式(I)及び(II)に示したヒドラゾニウム誘導体の置換基RとRが等しく、且つRとRが等しく、且つイミンの一方のα位炭素上に存在する水素が1つ以下である場合には、生成する可能性のある2,4−置換ピロールの種類が1種類となり、特定の2,4-置換ピロールを得たい場合には極めて有利となる。具体的には、一般式(VIII)と(IX)で表されるヒドラゾニウム誘導体、一般式(X)と(XI)で表されるヒドラゾニウム誘導体などを挙げることができる。
Figure 2006298902
さらに、一般式(I)及び(II)のR及びRがアリール基または置換アリール基であると、副反応が少なく、単離収率が向上するため好ましい。具体的には、次のようなものが挙げられる。
Figure 2006298902
Figure 2006298902
Figure 2006298902
Figure 2006298902
Figure 2006298902
ヒドラゾニウム誘導体の対イオンはハロゲンから選ばれるが、製造の容易さからヨウ素が好ましく用いられる。
3級アルコールの金属アルコキシドの金属原子としては、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子の1A族原子、マグネシウム原子、カルシウム原子等の2A族原子、アルミニウム原子などの3B族原子が挙げられるが、溶解度の観点から1A族原子が好ましく、特にカリウムが好ましく用いられる。
3級アルコールの金属アルコキシドのアルコール部分としてはt−ブチルアルコール、2−メチル−2−ブタノールなどが挙げられ、t−ブチルアルコールが好ましい。
金属アルコキシドの使用量としては、ヒドラゾニウム誘導体総量に対して0.5〜2.0倍モルが好ましく、より好ましくは0.5〜1.0倍モル、更に好ましくは0.6〜0.8倍モルである。これらの金属アルコキシドは単独または2種以上を混合して使用してもよい。
ヒドラゾニウム誘導体の反応工程に使用する溶媒は、反応を阻害しない溶媒であれば特に制限がないが、通常、THF、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソランなどのエーテル系溶媒、t−ブチルアルコールや2−メチル−2−ブタノールなどの3級アルコール系溶媒、DMFやDMSOなどの非プロトン性極性溶媒が好ましい。中でも、反応速度の観点からTHF、1,4−ジオキサンなどのエーテル系溶媒が用いられる。
上記溶媒の使用量としては、ヒドラゾニウム誘導体総重量に対して0.5〜20倍が好ましく、より好ましくは1.0〜10倍、さらに好ましくは2〜5倍重量である。これらの溶媒は単独または2種以上を混合して使用してもよい。
本発明において、ヒドラゾニウム誘導体の反応温度は15℃以下である。反応温度が15℃を超えると、収率の低下が顕著となる。反応開始から終了までこの温度に保つことが望ましい。
以下、本発明の2,4−置換ピロールの製造方法を詳述する。例えば、前述したヒドラゾニウム誘導体を溶媒に溶解もしくは分散し、冷却下にて溶媒に溶解もしくは分散させた金属アルコキシドを添加するなどの方法により反応させる。反応の圧力は特に限定されないが、通常1気圧の不活性ガス下にて行う。反応は水を添加することにより停止させることができ、その後は抽出などの方法を用いて2,4−置換ピロールを単離することができる。
以下、実施例および比較例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
比較例1
ナトリウム(1.4g、61mmol)とイソプロパノール150mLから調製したナトリウムイソプロポキシド溶液に、アセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(15.0g、49.3mol)を添加し、40℃で1時間攪拌した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した後、残渣を冷却すると結晶化した。メタノール/水で再結晶を行い、1.6gの2,4−ジフェニルピロールを得た。アセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド基準の収率は14.8%であった。
比較例2
カリウム(1.4g、61mmol)とt−ブチルアルコール150mLから調製したt−ブトキシカリウム溶液に、プロピオフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(15.0g、49.3mol)を添加し、50〜55℃で1.5時間攪拌した。反応後、溶媒を留去し、残渣をn−ヘキサンで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、残渣を減圧蒸留に供し、1.2gの液状物質を得た。分析したところ、得られたものは2−フェニル−3−メチルアジリンであった。
実施例1
4’−メチルアセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(500g、1.57mol)及び脱水THF(880mL)を攪拌分散させた。内温2〜8℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(123.4g/(THF500mL))を滴下した。滴下終了後、同温度で6.5時間攪拌した。反応終了後、内温10℃以下に保持しながら水(1500mL)を滴下し、反応を終了させた。生じた沈殿を濾取し、n−ヘキサン(3000mL)、次いでメタノール(2500mL)で洗浄した。60℃で減圧乾燥し、170.4gの2,4−ビス−(4’−メチル−フェニル)−1H−ピロールを得た。収率は87.8%であった。
H−NMR(CDCl(d=ppm)):0.91(6H,s),6.76(1H,dd,J=2.6,1.6Hz),7.09(1H,dd,2.6Hz,1.6Hz),7.17(2H,d,J=8.0Hz),7.20(2H,d,J=8.0Hz),7.43(2H,d,J=13.9Hz),7.46(2H,d,J=13.9Hz),8.39(1H)。
実施例2
4’−t−ブチルアセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド (54.4g、150mmol)及び脱水THF(154mL)を攪拌分散させた。内温5〜8℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(11.8g/(THF105mL))を滴下した。滴下終了後、同温度で5時間攪拌した。反応終了後、内温10℃以下に保持しながら水(100mL)を滴下し、反応を終了させた。酢酸エチル(100mL)を加え抽出を行い、有機層を減圧留去した。残渣に水を加え、生じた沈殿を濾取し、n−ヘキサンで洗浄した。60℃で減圧乾燥して、15.9gの2,4−ビス−(4’−t−ブチル−フェニル)−1H−ピロールを得た。収率は63.9%であった。
H−NMR(CDCl(d=ppm)):1.31(18H,s),6.76(1H,dd,J=2.3,2.3Hz),7.09(1H,dd,2.3Hz,2.3Hz),7.37−7.52(8H,m),8.37(1H)。
実施例3
3’,4’,5’−トリメトキシアセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(25g,63mmol)及び脱水THF(25mL)を攪拌分散させた。内温2〜8℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(4.98g/(THF25mL))を滴下した。滴下終了後、同温度で6.5時間攪拌した。反応終了後、内温10℃以下に保持しながら水(60mL)を滴下し、反応を終了させた。常圧下、バス温90℃でTHFを留去し、残渣をメタノール(100mL)に投入すると結晶化した。結晶を濾取し、メタノールで洗浄後、60℃で減圧乾燥して、3.17gの2,4−ビス−(3’,4’,5’−トリメトキシ−フェニル)−1H−ピロールを得た。収率は55.0%であった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):3.87(9H,s),3.93(9H,s),6.67(1H),6.73(2H,s),6.77(2H,s),7.08(1H)。
実施例4
4’−n−ブチルアセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド (18.0g,0.050mol)及び脱水THF(20mL)を攪拌分散させた。内温2〜4℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(3.93g/(THF40mL))を滴下した。滴下終了後、同温度で10時間攪拌した。反応終了後、内温10℃以下に保持しながら水(60mL)を滴下し、反応を終了させた。常圧下、バス温90℃でTHFを留去した。残渣をn−ヘキサン(30mL)、水(30mL)で洗浄した。60℃で減圧乾燥し、5.35gの2,4−ビス−(4’−n−ブチル−フェニル)−1H−ピロールを得た。収率は64.6%であった。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):0.91(6H,t,J=7.2Hz),1.38(4H,m),1.61(4H,m),
2.61(4H,t,7.6Hz),6.75(1H,dd,J=2.7,1.6Hz),7.07(1H,dd,2.4Hz,1.6Hz)。
実施例5
4’−n−ブチルアセトフェノンN,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(36.0g,100mmol)及び脱水THF(60mL)を攪拌分散させた。内温3〜4℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(7.84g/(THF 60mL))を滴下した。滴下終了後、2〜4℃で2時間次いで26〜29℃で2時間攪拌した。水(125mL)を滴下し、反応を終了させた後、酢酸エチル(200mL)を加え抽出を行い、有機層を減圧留去した。残渣にn−ヘキサンを加え、生じた沈殿を濾取した。一方濾液から回収するために、濾液に更にn−ヘキサンを加え、生じた沈殿を濾取した。沈殿を合わせて60℃で減圧乾燥して、6.82gの2,4−ビス−(4’−n−ブチル−フェニル)−1H−ピロールを得た。収率は41.2%であった。
実施例6
4’−メトキシアセトフェノン N,N,N−トリメチルヒドラゾニウムヨージド(7.23g,21.6mmol)及び脱水THF(19.3mL)を攪拌分散させた。内温3〜4℃下、攪拌しながら、あらかじめ調製したt−ブトキシカリウムのTHF溶液(1.70g/(THF 7.25mL))を滴下した。滴下終了後、2〜4℃で2時間攪拌した。水(2.4mL)を滴下し、反応を終了させた後、ジクロロメタンと水で分配抽出を行った。有機層を水洗後、減圧留去した。残渣をエタノール、ジクロロメタン、n−ヘキサンで順次洗浄し、減圧乾燥して、1.51gの2,4−ビス−(4’−メトキシフェニル)−1H−ピロールを得た。収率は52.3%であった。
H−NMR(DMSO(d=ppm)):3.77(3H,s),3.80(3H,s),6.73(1H,s),6.87−6.90(2H,d,J=8.37Hz),6.93−6.96(2H,d,J=8.37Hz),7.15(1H,s),7.48−7.52(2H,d,J=8.9Hz),7.57−7.60(2H,d,J=8.9Hz), 11.2(1H,s)。

Claims (9)

  1. 一般式(I)で表されるヒドラゾニウム誘導体と、一般式(II)で表されるヒドラゾニウム誘導体を、3級アルコールの金属アルコキシド存在下、15℃以下で反応させることを特徴とする、一般式(III)で表される2,4−置換ピロールの製造方法。
    Figure 2006298902
    (一般式(I)、(II)中、R及びRは同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。R及びRは同じでも異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。R〜R及びR〜R10はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、アルキル基を表す。X及びXは同じでも異なっていてもよく、ハロゲンを表す。)
    Figure 2006298902
    (一般式(III)中、R11及びR13は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。またR12及びR14はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。)
  2. 一般式(I)、(II)で表されるヒドラゾニウム誘導体が、それぞれ一般式(IV)、(V)で表される請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
    Figure 2006298902
    (一般式(IV)、(V)中、R及びRは同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよい複素環基を表す。R〜R及びR〜R10はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、アルキル基を表す。)
  3. 一般式(I)及び(II)において、R=R且つR=Rである請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
  4. 一般式(I)及び(II)において、イミンの一方のα位炭素上に存在する水素が1つ以下である請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
  5. =R且つR=Rである請求項4記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
  6. 及びRが置換されていてもよいアリール基である請求項3記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
    (ただし、一般式(III)中、R12及びR14は置換されていてもよいアリール基を表す。)
  7. 金属アルコキシドがアルカリ金属アルコキシドであることを特徴とする請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
  8. 金属アルコキシドがt−ブトキシカリウムであることを特徴とする請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
  9. および/またはXがヨウ素であることを特徴とする請求項1記載の2,4−置換ピロールの製造方法。
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