JP2006294862A - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板の一面をなす絶縁部上に、厚さの異なる金属めっき層を、1回のめっき処理により同時に形成できる、配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る配線基板の製造方法は、第一のレジスト層108上に第二のレジスト層105を重ねて設け、各レジスト層にはそれぞれ異なる幅の第一の開口部106と第二の開口部109を重なるように配し、第二の開口部を通して第一の開口部にめっき液を供給し、第一の開口部内に金属配線部及び金属ポストをなす金属めっき層107を形成する。その結果、1回のめっき処理により、厚さの異なる金属めっき層を形成する。
【選択図】 図6
【解決手段】 本発明に係る配線基板の製造方法は、第一のレジスト層108上に第二のレジスト層105を重ねて設け、各レジスト層にはそれぞれ異なる幅の第一の開口部106と第二の開口部109を重なるように配し、第二の開口部を通して第一の開口部にめっき液を供給し、第一の開口部内に金属配線部及び金属ポストをなす金属めっき層107を形成する。その結果、1回のめっき処理により、厚さの異なる金属めっき層を形成する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に係り、より詳細には、一面をなす絶縁部上に、1回のめっき処理により、異なる厚さを有するめっき層を同時に形成する配線基板の製造方法と、この製造方法により作製された配線基板に関する。
従来、電子機器の小型化、軽量化のために、例えば、プリント回路、多層基板、CSPを構成する上で、パターニングによって、ガラス、セラミック、合成樹脂製などの集積回路の基板またはウエハの絶縁層上に金属配線部および金属ポストを形成した配線基板が用いられている。この種の配線基板は、一般に、次に示すような三区分の加工工程(図13乃至図24を参照)で構成される(例えば、特許文献1参照)。
<前処理工程>
通常、配線基板は、集積回路基板200とこれを構成する集積回路(図示せず)に電気的に接続された導電部(電極パッドとも呼ぶ)201を備えたものを用い(図13)、その表面に絶縁層202を設けた後、導電部201上に開口部203を形成する(図14)。次に、絶縁層202の上に、密着層と給電層を順に重ねてなるシード層204を形成する(図15)。
通常、配線基板は、集積回路基板200とこれを構成する集積回路(図示せず)に電気的に接続された導電部(電極パッドとも呼ぶ)201を備えたものを用い(図13)、その表面に絶縁層202を設けた後、導電部201上に開口部203を形成する(図14)。次に、絶縁層202の上に、密着層と給電層を順に重ねてなるシード層204を形成する(図15)。
<金属配線層形成工程>
次いで、シード層204の上に第一レジスト層205を形成し、パターニングすることにより、後工程で形成する金属配線層207同士を離間させる領域に相当する位置にのみ第一レジスト層205を残存させ、他の領域は開口部206とする(図16)。そして、めっき処理することにより開口部206に金属配線層207を形成した(図17)後、第一レジスト層205を除去することにより、再配線として機能する金属配線層207を得る。つまり、第一レジスト層205の除去により生じた開口部205’が存在するので、個々の金属配線層207は独立した形態となる(図18)。
次いで、シード層204の上に第一レジスト層205を形成し、パターニングすることにより、後工程で形成する金属配線層207同士を離間させる領域に相当する位置にのみ第一レジスト層205を残存させ、他の領域は開口部206とする(図16)。そして、めっき処理することにより開口部206に金属配線層207を形成した(図17)後、第一レジスト層205を除去することにより、再配線として機能する金属配線層207を得る。つまり、第一レジスト層205の除去により生じた開口部205’が存在するので、個々の金属配線層207は独立した形態となる(図18)。
<金属ポスト形成工程>
次に、後工程で形成する金属ポスト210の領域に相当する位置のみ開口部209とし、他の領域は第二レジスト層208で被覆する(図19)。そして、めっき処理することにより開口部209に金属ポスト210を形成した(図20)後、第二レジスト層208を除去する(図21)。次いで、シード層204の露出部を除去した後、封止樹脂層211を設け、その表面211aが金属ポスト210の上面210bも含む全てを被覆した状態とする(図22)。その後、CMP技術などにより、封止樹脂層211の表層を加工し、金属ポスト210を露出させる(図23)。211bは加工後の封止樹脂層211の表面であり、210cは露出した金属ポストの上面を表す。最後に、必要に応じて、金属ポストの上面210c上に半田バンプ212を形成する(図24)。
次に、後工程で形成する金属ポスト210の領域に相当する位置のみ開口部209とし、他の領域は第二レジスト層208で被覆する(図19)。そして、めっき処理することにより開口部209に金属ポスト210を形成した(図20)後、第二レジスト層208を除去する(図21)。次いで、シード層204の露出部を除去した後、封止樹脂層211を設け、その表面211aが金属ポスト210の上面210bも含む全てを被覆した状態とする(図22)。その後、CMP技術などにより、封止樹脂層211の表層を加工し、金属ポスト210を露出させる(図23)。211bは加工後の封止樹脂層211の表面であり、210cは露出した金属ポストの上面を表す。最後に、必要に応じて、金属ポストの上面210c上に半田バンプ212を形成する(図24)。
このように、従来は、複数回のめっき工程を行うことが必須であった。例えば、金属ポスト構造CSPを完成させる場合、少なくとも2回のめっき工程、すなわち、金属配線部207を形成するためのめっき工程と、その上に金属ポスト210を形成するためのめっき工程とが必要であるが、良く知られるように、これらのめっき工程にはかなりの時間と電力が必要とされるので、生産効率や製造コストの面で芳しくない。
図25は、図24の断面図に示した金属配線部207と金属ポスト210のみを抜き出して表した図であり、(a)は斜視図を、(b)は上方から見た平面図である。図25(a)に示すように、複数回のめっき工程を行う従来の製法によれば、めっき層間、すなわち金属配線部207と金属ポスト210との間に必ず界面210aが生じる。そして、この界面210aには、製造プロセスの雰囲気や製造プロセスで用いた部材や原料が付着し、不純物として残存する虞があり、ひいては両者の電気的な接続の不安定を誘発し、その信頼性を低下させる要因の一つとなっていた。
特開2001−291793号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板の一面をなす絶縁部上に、厚さの異なる金属めっき層、例えば金属配線部と金属ポストとを、1回のめっき処理により同時に形成できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。また、金属配線部と金属ポストの両者間における電気的接続の安定性や信頼性に優れた、配線基板を提供することを他の目的とする。
本発明の請求項1に係る配線基板の製造方法は、集積回路基板またはウエハ基板の一面に絶縁層を形成する工程A、前記絶縁層の上にシード層を形成する工程B、前記シード層の上に、金属ポストの高さと同等か、あるいはそれより厚く、第一のレジスト層を形成する工程C、前記第一レジスト層に、金属配線部および金属ポストを露出するための第一の開口部を形成する工程D、前記第一のレジスト層の上に、第二のレジスト層を形成する工程E、前記第二のレジスト層に、前記金属配線部に対応する個所では前記第一の開口部より狭く、前記金属ポストに対応する個所では前記第一の開口部と同等か、あるいはそれより広く、それぞれ、第二の開口部を形成する工程F、前記第二の開口部を通して前記第一の開口部にめっき液を供給し、該第一の開口部内に前記金属配線部および前記金属ポストをなす金属めっき層を形成する工程G、前記第一のレジスト層および前記第二のレジスト層を除去する工程H、を少なくとも具備することを特徴とする。
本発明の請求項2に係る配線基板の製造方法は、請求項1において、前記工程Eは、フィルム状のレジストを用い、ラミネート方式により前記第2のレジスト層を形成することを特徴とする。
本発明の請求項3に係る配線基板の製造方法は、請求項1において、前記工程Hの後に、前記金属めっき層からなる金属配線部および金属ポストをマスクとして用い、前記シード層を除去する工程Iと、前記工程Iの後に、前記金属めっき層からなる金属配線部および金属ポストを覆うように所要の封止層を形成する工程Jとを具備したことを特徴とする。
本発明の請求項4に係る配線基板の製造方法は、請求項3において、前記工程Jの後に、前記封止層の一部を除去し、前記金属ポストの頂部を露出させ、集積回路基板の導電用金属パッドを形成する工程Kを具備したことを特徴とする。
本発明の請求項5に係る配線基板は、集積回路基板またはウエハ基板の一面に絶縁層を介して配された金属配線部と、該金属配線部の上に配された金属ポストとを少なくとも備え、前記金属配線部と前記金属ポストとの間に界面が存在せず、両者が一体化されていることを特徴とする。
本発明に係る配線基板の製造方法は、レジスト層を少なくとも2層積み重ね、下層に設けた第1の開口部に繋がるように、上層に第2の開口部を設ける際に、第1の開口部に対する第2開口部の開口面積比率を調整してなる第2の開口部を形成し、次いで1回のめっき工程を施すことにより、第1の開口部内に異なる厚さを有する導電部を同時に形成できる。その際、導電部の厚さは、開口面積比率に応じて制御できる。
つまり、本発明によれば、集積回路を配した基板あるいはウエハ基板に設けられ、一面をなす絶縁部上に、例えば所定の厚さをもち、配線として機能する金属配線部と、この金属配線部より大きな厚さをもち、半田バンプの台座として機能する金属ポストとを、1回のめっき工程により同時に形成できる。よって、本発明は、配線基板の生産効率の向上および配線基板の低コスト化をもたらす。
つまり、本発明によれば、集積回路を配した基板あるいはウエハ基板に設けられ、一面をなす絶縁部上に、例えば所定の厚さをもち、配線として機能する金属配線部と、この金属配線部より大きな厚さをもち、半田バンプの台座として機能する金属ポストとを、1回のめっき工程により同時に形成できる。よって、本発明は、配線基板の生産効率の向上および配線基板の低コスト化をもたらす。
本発明に係る配線基板は、金属配線部と該金属配線部の上に配された金属ポストとの間に界面が存在せず、両者が一体化されているので、製造プロセスの雰囲気や製造プロセスで用いた部材や原料が界面に付着し、不純物として残存することがない。ゆえに、金属配線部と金属ポストの両者間における電気的接続の安定性や信頼性に優れた、配線基板が得られる。
本発明に係る配線基板の製造方法が、前述した従来の製造方法に対して特に相違する点は、以下の3点である。
(1)二つのレジスト層を重ねて設ける。
(2)下位のレジスト層に設けた開口部の幅と、その開口部と重なる位置にある上位のレジスト層に設けた開口部の幅との比率を変える。
(3)二つの開口部を通じ、めっき層を下位のレジスト層に設けた開口部内に形成する。
この構成により、作製される導電部の厚さを局所的に制御可能となる。その結果、本法によれば、所定の厚さからなり、再配線として機能する金属配線層と、この金属配線層と一体化され、これより大きな厚さを有する金属ポストとを、同時に1回のめっき工程によって形成することができる。
(1)二つのレジスト層を重ねて設ける。
(2)下位のレジスト層に設けた開口部の幅と、その開口部と重なる位置にある上位のレジスト層に設けた開口部の幅との比率を変える。
(3)二つの開口部を通じ、めっき層を下位のレジスト層に設けた開口部内に形成する。
この構成により、作製される導電部の厚さを局所的に制御可能となる。その結果、本法によれば、所定の厚さからなり、再配線として機能する金属配線層と、この金属配線層と一体化され、これより大きな厚さを有する金属ポストとを、同時に1回のめっき工程によって形成することができる。
以下では、図1乃至図12を参照して、このような特徴をもつ本発明に係る配線基板の製造方法について、その実施の態様を、具体的かつ詳細に説明する。各図において、(a)は金属配線層の延びる方向を横から見た断面図、(b)は再配線が形成されるA’部分において金属配線層の幅方向を横から見た断面図、(c)は金属ポストが形成されるB’部分において金属配線層の幅方向を横から見た断面図、をそれぞれ表している。特に図4と図5には、(d)として、レジスト層に設けた開口部を説明するためレジスト層を上方から見た平面図を示した。
まず、集積回路基板100とこれを構成する集積回路(図示せず)に電気的に接続された導電部(電極パッドとも呼ぶ)101を備えたものを用い[図1]、その表面に絶縁層102を設けた[工程A]後、導電部101上に位置する絶縁層102を除去して開口部103を形成した[図2]。次に、絶縁層102の上に、密着層と給電層を順に重ねてなるシード層104を形成した[図3:工程B]。
次に、シード層104の上に、後工程で形成する金属ポストの高さと同等か、あるいはそれより厚い第一のレジスト層108を形成した[工程C]後、第一のレジスト層108に、後工程で形成する金属配線層107同士を離間させる領域に相当する位置にのみ第一レジスト層108を残存させ、他の領域は第一の開口部106とする[図4:工程D]。なお、図4には、第一の開口部106の幅が、再配線が形成される領域A’[図4(b)]に比べて、金属ポストが形成される領域B’[図4(c)]を広く設定した例を示しているが、この大小関係は適宜選択して構わない。なお、図4(d)は、図4(a)において領域αを上方から見た平面図であり、第一レジスト層108に設けた第一の開口部106は、領域A’に比べて領域B’でその幅が広いことを示している。
次いで、第一のレジスト層108の上に、第二のレジスト層105を形成した[工程E]後、図5に示すように、第二のレジスト層105において、再配線として機能する金属配線部に対応する個所A’では第一の開口部106より狭く[図5(b)]、金属ポストに対応する個所B’では第一の開口部106と同等か、あるいはそれより広く[図5(c)]、それぞれ、第二の開口部109を形成する[工程F]。なお、図5(d)は、図5(a)において領域βを上方から見た平面図であり、第二レジスト層105に設けた第二の開口部109は、領域A’に比べて領域B’でその幅が広く、かつ、領域A’では第二の開口部109がその下に位置する第一の開口部(二点鎖線にて表示)106より狭い幅をもつことを示している。
なお、第二のレジスト層105を形成する際に、第一の開口部106が埋められないように、本発明に係る配線基板の製造方法では、第一のレジスト層108上に第二のレジスト層105としてフィルム状のレジストをラミネートする。即ち、ロールラミネートや真空ラミネートといったラミネート方式でレジストを貼り付ける。その後、フォトリソグラフィック技術を用いて、第2の開口部に対応するパターニングを施す。ここでのレジスト層の材料はめっき液耐性を有する必要がある。
次に、第二の開口部109を通して第一の開口部106にめっき液を供給し、第一の開口部106内に金属配線部および金属ポストとして機能する金属めっき層107を形成する[図6:工程G]。その際、金属配線部に対応する個所A’では第二の開口部109が比較的狭い幅をもつため、めっき液の通過量が厳しく制限され(図6(b)に示した細い矢印がこの状態を表す)、第一の開口部106内に形成される金属配線部は厚さが薄いものとなる。これに対し、金属ポストに対応する個所B’では比較的広い幅をもつため、めっき液はその通過量が殆ど制限されず(図6(c)に示した太い矢印がこの状態を表す)、第一の開口部106内に形成される金属ポストは十分な厚さを有するものとなる。しかしながら、第二の開口部109と第一の開口部106は両方とも、金属配線部に対応する個所A’と金属ポストに対応する個所B’において連通しているので、金属配線部と金属ポストは同時に一体化して形成されることから、この二者間には界面が形成されない。
なお、第二の開口部109の開口面積比率を、金属配線部に対応する個所A’と金属ポストに対応する個所B’で調整しておくことより、工程Gにおいて得られる金属配線部の厚さ(めっき成長量)と金属ポストの高さ(めっき成長量)とを予め選択・設定することができる。
なお、第二の開口部109の開口面積比率を、金属配線部に対応する個所A’と金属ポストに対応する個所B’で調整しておくことより、工程Gにおいて得られる金属配線部の厚さ(めっき成長量)と金属ポストの高さ(めっき成長量)とを予め選択・設定することができる。
この一体化した金属配線部と金属ポストをなす金属めっき層107を形成した後、第一のレジスト層108および第二のレジスト層105を除去する[図7:工程H]。この工程Hの後に、金属めっき層107からなる金属配線部および金属ポストをマスクとして用い、シード層104の露出部を除去する[図8:工程I]。これにより、金属めっき層107は個別に[図8(a)の場合は左右に示した金属めっき層107がそれぞれ)、電気的に絶縁された状態(孤立した状態)とされる。次いで、工程Iの後に、金属めっき層107からなる金属配線部および金属ポストを覆うように所要の封止層111を形成する[図9:工程J]。すなわち、封止層111の表面111aが金属ポストの上面107bも含む全てを被覆した形態が得られる[図9(a)、(c)]。
次いで、CMP技術などにより、封止層111の表層を加工し、金属ポストを露出させる(図10)。図10において、111bは加工後の封止層111の表面であり、107cは露出した金属ポストの上面を表す。最後に、必要に応じて、金属ポストの上面107cの上に半田バンプ112を形成する(図11)。
上述した一連の工程を採用すると、少なくとも二つのレジスト層を重ねて設け、1回のめっき処理を施すだけで、集積回路基板100の一面に設けた絶縁層102の上に、異なる厚さ(高さ)の金属めっき層107からなる導電部、例えば金属配線部と金属ポストとを同時に形成することが可能となる。ゆえに、本発明に係る製造方法によれば、配線基板の生産効率を著しく向上することができる。
また、この製造方法により得られた配線基板は、図12に示すように、金属配線部(A’の部分)と該金属配線部の上に配された金属ポスト(B’の部分)との間に界面(点線で表示)107aが存在せず、両者が一体化されている。したがって、製造プロセスの雰囲気や製造プロセスで用いた部材や原料が界面に付着し、不純物として残存することがない。よって、金属配線部と金属ポストの両者間における電気的接続の安定性や信頼性に優れた、配線基板がもたらされる。
なお、絶縁層102としては、従来から公知の材料を用いてもよいが、上述の実施の形態においては、パッケージ材に適した感光性ポリイミドなどの液状タイプの感光性材料を用いてもよい。その際には、スピンコート法やキャスティング法などによって基板(あるいはウエハ)の全面に塗布する。所要の乾燥工程を経た後に、フォトリソグラフィック技術によってパターニングがなされ、集積回路に構成された半導体デバイスと電気的コンタクトを得る個所などの必要な開口部を形成する。その後、高温雰囲気に曝して、熱硬化させるのである。
また、絶縁層102を介して、集積回路基板(集積回路を配した基板)やウエハ基板100の全面に、シード層104として密着層と給電層を重ねて形成するが、密着層としては、例えばクロム(Cr)、チタン(Ti)、チタン・タングステン(Ti−W)合金などの材料が、また、給電層としては、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、金(Au)などの材料が用いられる。
また、この実施の形態において、第一のレジスト層108には、第二のレジスト層105と同様に、シート状のラミネートを用いても良いが、液状タイプのものを採用しても良い。液状タイプは、基板状にスピンコートやキャスティング法により形成できる。また、金属めっきには、基板をめっき浴に浸して行う電解めっき法が用いられるが、無電解めっき法を採用しても良い。なお、めっき成長させる材料には、主として、銅(Cu)が使用されるが、その他に、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)などの金属が利用できる。
上述の実施の形態において、給電層と密着層からなるシード層104を除去するには、エッチング液を用いるウェット・エッチング法による他に、プラズマなどを用いるドライ・エッチング法も利用できる。また、封止層111には絶縁層102と同じ材料を用いても構わない。
本発明に係る配線基板の製造方法は、半導体基板上に表示デバイスやセンサデバイスが搭載されるプリント配線基板などの回路基板や半導体基板などの製造に適用することができる。また、この製造方法により得られた配線基板は、表示デバイスやセンサデバイスが搭載されるプリント配線基板などの回路基板や半導体基板として好適である。
100 集積回路基板またはウエハ基板、101 導電部、102 絶縁層、103 開口部、104 シード層、105 第二のレジスト層、106 第一の開口部、107 金属めっき層(金属配線層または金属ポスト)、108 第一のレジスト層、109 第二の開口部、112 半田バンプ。
Claims (5)
- 集積回路基板またはウエハ基板の一面に絶縁層を形成する工程A、
前記絶縁層の上に、シード層を形成する工程B、
前記シード層の上に、金属ポストの高さと同等か、あるいはそれより厚く、第一のレジスト層を形成する工程C、
前記第一のレジスト層に、金属配線部および金属ポストを露出するための第一の開口部を形成する工程D、
前記第一のレジスト層の上に、第二のレジスト層を形成する工程E、
前記第二のレジスト層に、前記金属配線部に対応する個所では前記第一の開口部より狭く、前記金属ポストに対応する個所では前記第一の開口部と同等か、あるいはそれより広く、それぞれ、第二の開口部を形成する工程F、
前記第二の開口部を通して前記第一の開口部にめっき液を供給し、該第一の開口部内に前記金属配線部および前記金属ポストをなす金属めっき層を形成する工程G、
前記第一のレジスト層および前記第二のレジスト層を除去する工程H、
を少なくとも具備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記工程Eは、フィルム状のレジストを用い、ラミネート方式により前記第2のレジスト層を形成することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記工程Hの後に、前記金属めっき層からなる金属配線部および金属ポストをマスクとして用い、前記シード層を除去する工程Iと、
前記工程Iの後に、前記金属めっき層からなる金属配線部および金属ポストを覆うように所要の封止層を形成する工程Jとを具備したことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程Jの後に、前記封止層の一部を除去し、前記金属ポストの頂部を露出させ、集積回路基板の導電用金属パッドを形成する工程Kを具備したことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。
- 集積回路基板またはウエハ基板の一面に絶縁層を介して配された金属配線部と、該金属配線部の上に配された金属ポストとを少なくとも備え、前記金属配線部と前記金属ポストとの間に界面が存在せず、両者が一体化されていることを特徴とする配線基板。
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