JP2006294859A - 有機fetおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来の構成では、SAMのダイポールを用いてしきい値を制御するので、それに見合うように分子設計をしなければならず、制御が困難であるという課題があった。
【解決手段】 本発明の有機FETによれば、フッ素イオンをゲート絶縁膜3であるポリイミドにハロゲン化反応によって固着させた第二の絶縁膜4を挿入することでしきい値の制御が可能になり、制御が簡便になる。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明の有機FETによれば、フッ素イオンをゲート絶縁膜3であるポリイミドにハロゲン化反応によって固着させた第二の絶縁膜4を挿入することでしきい値の制御が可能になり、制御が簡便になる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、有機FETに関わり、特にチャネルドープによるしきい値制御に関する。
近年、有機半導体を用いたデバイスの研究開発が盛んに行なわれている。その中で、有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence: EL)は、ディスプレイ装置用として実用化されつつある。また、有機半導体を活性層に用いた有機電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor: FET)もスイッチング素子として注目されている。
これらの有機半導体を用いたデバイスは、有機半導体を印刷法によって作製できるため、低温プロセス、低コストの利点がある。また、プラスティックなどのフレキシブル基板上にデバイスを作製できるため、機械的な柔軟性がある。これらの特徴を生かし、従来の無機半導体を用いたデバイスとは異なった応用が期待されている。
有機FETは、無機半導体と同様に、ゲート、ソース、ドレインの三つの電極を備えた構成になっている。ゲート電極に印加される電圧により、ドレイン・ソース電極間を流れるドレイン電流を制御する。そのドレイン電流を正確に制御するには、チャネルドープによるしきい値制御が必要になる。しかし、これまで有機半導体には有効なチャネルドープがなく、しきい値の制御が不可能であった。
チャネルドープさせるために、有機半導体層と絶縁膜との間にSelf Assembly Monolayer(SAM)を挿入した有機FETが提案されている(非特許文献1、特許文献1を参照)。図6は、前記非特許文献1に記載された従来例のSAMを挿入した有機FETの断面図を示す。
図7は、従来例のSAMを挿入した有機FETの製造方法を示した図である。この図7を用いて、従来例の製造方法について説明する。P型Si基板111上に400nmの熱酸化膜112を形成し、Alを蒸着、フォトリソグラフィーとエッチングによってドレイン電極113とソース電極114を形成した後、SAM(115)を形成する。SAMは、CF3(CF2)7(CH2)2Si(OC2H5)3 (以下、F−SAM), CH3(CH2)7Si(OC2H5)3 (以下、CH−SAM), NH2(CH2)3Si(OC2H)3 (以下、NH−SAM)の三種類用意する。F−SAMとCH−SAMは、基板温度を120℃にして、Chemical Vapor Deposition(CVD)によって作製した。また、NH−SAMは、化学吸着によって作製する。SAMを作製後、有機半導体層116であるフラーレン(C60)を蒸着によって作製する。
このように作製された有機FETのしきい値を測定し、その変化分を調べると、F−SAM, CH−SAM, NH−SAMの順に大きかった。また、NH−SAMの場合、他の二種類の値とは反対の符号を示す。これらのしきい値の変化は、SAMの単分子中のダイポールによって起こる。つまり、F−SAM中のFは最も電気陰性度が大きいため、F原子の方に電子が吸引される。CH−SAMの場合、C原子の方に電子を吸引される大きさは、F−SAMの場合より小さい。また、NH−SAMのN原子は電子を供与するので、他の二種類とダイポールの方向が逆になる。以上のように、あるダイポールをもつSAMを有機半導体層と絶縁膜の間に挿入することで、有機FETのしきい値を変化させることが可能である。
特開2005−32774号公報
Nature Material 2004, Vol. 3, p317−p322
しかしながら、SAMの単分子中のダイポールを用いるため、あるしきい値変化分を制御させるためには、それに見合うダイポールを発生させるように分子設計をしなければならない。また、SAMのぬれ性によっては表面全体に均一に膜を作製できないという課題を有していた。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、フッ素イオンをポリイミドに固着させることで、分子設計のような複雑なことをせずに、簡便に、しきい値を制御させることが可能な有機FETを提供することを目的とする。
本発明の第一の実施形態の構成は、基板とゲート電極と第一の絶縁膜と第二の絶縁膜と有機半導体層とドレイン電極およびソース電極とによって構成され、
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
前記第一の絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記有機半導体層は前記第一の絶縁膜上に形成され、
前記第二の絶縁膜は前記第一の絶縁膜と前記有機半導体層との間で、前記ゲート電極の直上の領域のみに挿入され、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は前記有機半導体層上に形成され、
前記第二の絶縁膜は制御された固定電荷を含むことを特徴とする。
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
前記第一の絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記有機半導体層は前記第一の絶縁膜上に形成され、
前記第二の絶縁膜は前記第一の絶縁膜と前記有機半導体層との間で、前記ゲート電極の直上の領域のみに挿入され、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は前記有機半導体層上に形成され、
前記第二の絶縁膜は制御された固定電荷を含むことを特徴とする。
基板とゲート電極と絶縁膜と第一の有機半導体層と第二の有機半導体層とドレイン電極およびソース電極とによって構成され、
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
本発明の第一の実施形態の製造方法は、前記絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記第一の有機半導体層は前記絶縁膜上に、前記第二の有機半導体層は前記第一の有機半導体層上に、前記ドレイン電極およびソース電極は前記第二の有機半導体層上に形成され、
前記第一の有機半導体はn型有機半導体材料とアルカリ金属ハロゲン化合物とによって構成され、
前記第二の有機半導体はn型有機半導体材料で構成された有機FETにおいて、
前記ゲート電極に正の電圧を、前記ドレイン電極およびソース電極のいずれか一方に負の電圧を印加する第一のステップと、
第一のステップの後に、前記有機FETの上部からUV照射を行なう第二のステップによって構成され、
前記第一ステップにおいて、電流をモニターし、前記電流が1e−12A以下になった後、前記第二のステップに移行することで、製造されることを特徴とする。
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
本発明の第一の実施形態の製造方法は、前記絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記第一の有機半導体層は前記絶縁膜上に、前記第二の有機半導体層は前記第一の有機半導体層上に、前記ドレイン電極およびソース電極は前記第二の有機半導体層上に形成され、
前記第一の有機半導体はn型有機半導体材料とアルカリ金属ハロゲン化合物とによって構成され、
前記第二の有機半導体はn型有機半導体材料で構成された有機FETにおいて、
前記ゲート電極に正の電圧を、前記ドレイン電極およびソース電極のいずれか一方に負の電圧を印加する第一のステップと、
第一のステップの後に、前記有機FETの上部からUV照射を行なう第二のステップによって構成され、
前記第一ステップにおいて、電流をモニターし、前記電流が1e−12A以下になった後、前記第二のステップに移行することで、製造されることを特徴とする。
本発明の第二の実施形態は、有機EL素子の回路において、有機FETを選択トランジスタとして用いることを特徴とする。
本発明の有機FETによれば、フッ素イオンをポリイミドに固着させることでしきい値を制御可能にすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(第一の実施形態)
<構成>
図1(A)は、本実施形態の有機FETの断面図である。図1(B)は、本実施形態の有機FETの上から見た図である。1は基板、2はゲート電極、3は第一の絶縁膜、4は第二の絶縁膜、5は有機半導体層、6はドレイン電極、7はソース電極である。
<構成>
図1(A)は、本実施形態の有機FETの断面図である。図1(B)は、本実施形態の有機FETの上から見た図である。1は基板、2はゲート電極、3は第一の絶縁膜、4は第二の絶縁膜、5は有機半導体層、6はドレイン電極、7はソース電極である。
本実施形態では、一例として、基板1にフレキシブル基板であるポリエチレンナフタレート(PEN)基板を用いる。PEN基板上に、パターニングされたAlであるゲート電極2を形成する。パターニングされたゲート電極2上にポリイミドである第一の絶縁膜3を、その第一の絶縁膜3上にn型有機半導体フッ素化銅フタロシアン(FCuPc)である有機半導体層5を形成する。図1(B)のように、ゲート電極2上の部分の領域で、第一の絶縁膜3と有機半導体層5との間にフッ素イオンが固着されたポリイミドである第二の絶縁膜4を挿入する。有機半導体層5上にAlであるドレイン電極6、ソース電極7を形成する。
フッ素イオンが固着されたポリイミドである第二の絶縁膜4は、負の電荷を帯びている。この負電荷が、第二の絶縁膜4と有機半導体層5と界面付近で形成されるチャネルに影響を与えることで、有機FETのしきい値を変化させることが可能となる。
<原理>
次に、フッ素イオンが固着されたポリイミドである第二の絶縁膜4を、第一のゲート絶縁膜3と有機半導体層5と間に挿入することで、有機FETのしきい値が変化することについて、図2を用いて説明する。図2は有機半導体層5がn型有機半導体の場合を示している。
次に、フッ素イオンが固着されたポリイミドである第二の絶縁膜4を、第一のゲート絶縁膜3と有機半導体層5と間に挿入することで、有機FETのしきい値が変化することについて、図2を用いて説明する。図2は有機半導体層5がn型有機半導体の場合を示している。
図2(A)は、ゲート電極2−ゲート絶縁膜3・4−有機半導体層5の構成を示している。このときのバンドダイアグラムは、図2(B)のようになる。ここでは、簡単のため、ゲート電極2であるAlのフェルミ準位と有機半導体層5であるn型有機半導体のFCuPcのフェルミ準位とが同じとする。FCuPcの伝導帯と価電子帯との間は禁制帯となる。
いま、第二のゲート絶縁膜4に、ある一定量のフッ素イオンが固着されると、絶縁膜中に負の電荷が存在することになり、内部電界が発生する。これにより、伝導帯が曲がる。このとき、図2(C)のようなバンドダイアグラムになる。したがって、絶縁膜とFCuPcの界面付近に電子が蓄積されることになり、チャネルが形成される。つまり、第二のゲート絶縁膜4にフッ素イオンが固着されると、有機FETのしきい値は低減される。
このように、有機半導体層5がn型有機半導体の場合、第二の絶縁膜4にフッ素イオンが固着されることで、有機FETのしきい値は低減させることが可能となる。
<製造方法>
図3は、本発明の第一の実施形態の製造方法を表した図である。
図3は、本発明の第一の実施形態の製造方法を表した図である。
(1)まず、図3(A)を参照しながら説明する。基板1として、PEN基板を用いた。この基板1の表面にシャドウマスクを用いてAlを蒸着することで、パターニングされたゲート電極2を形成する。
その表面に、N−メチルピロリドン(NMP)を溶媒とするポリアミド酸をスピンコートによって成膜させる。
成膜後、90℃のオーブンに10分間ほどプリベイクを行なって、膜表面の水分および溶媒NMPを飛ばす。
この後、窒素雰囲気下で180℃のオーブンに1時間ほどでイミド化を行なうことで、ポリイミドが作製される。
本実施形態では、一例として、スピンコートの条件として、5000rpmを60秒間にすることで、ポリイミドの膜厚を約600nmとした。このポリイミドをゲート絶縁膜3にする。
ポリイミド上にn型有機半導体材料であるFCuPcとアルカリ金属ハロゲン化合物であるLiFとを約10nmほど共蒸着させた第一の有機半導体層51を形成後、n型有機半導体である材料であるFCuPcを約50nmほど蒸着させて第二の有機半導体層52を形成する。
本実施形態では、一例として、第一の有機半導体層51のFCuPcとLiFとの割合を9:1とした。この割合は、各材料の成膜レートを変化させることで、制御可能である。また、第一の有機半導体層51は、ゲート電極直上の領域のみに成膜するようにシャドウマスクを用いた。
この後、シャドウマスクを用いてAlを蒸着し、ドレイン電極6とソース電極7を形成することで、有機FETを構成する。本実施形態では、一例として、チャネル長は100μm、チャネル幅は800μmとした。第一の有機半導体層51を成膜するのに用いたシャドウマスクのチャネル長方向の長さ、チャネル幅方向の長さは、それぞれ両側25μmのマージンを設置した。
(2)次に、図3(B)を参照しながら説明する。ゲート電極2にプラス電圧、ドレイン電極6にマイナス電圧を印加させる。アルカリ金属ハロゲン化合物であるLiFがn型有機半導体材料であるFCuPc中で化学式1に示すようにイオン分解される。
LiF → Li+ + F- (FCuPc中) (化学式1)
イオン分解されたLi+(リチウムイオン)とF-(フッ素イオン)がゲート電極とドレイン電極との間に印加された電界によって移動する。リチウムイオンはドレイン電極6の下部付近、フッ素イオンはゲート電極2の上部付近に集まる。ゲート電極2である陽極側では、ゲート電極2とFCuPcとの間に絶縁膜3であるポリイミドのため、ゲート電極2の上部付近でFCuPcとポリイミドからなる絶縁膜3の界面付近にフッ素イオンが蓄積される。
一方、ドレイン電極6である陰極側では、電極から電子が注入されることで、化学式2に示すようにリチウムイオンがリチウムとなる。このように生成されたリチウムがドレイン電極6付近に蓄積される。このため、リチウムイオンの量に応じた電流が流れる。
Li+ + e- → Li (FCuPc中) (化学式2)
本実施形態では、一例として、プラス電圧として100V、マイナス電圧として0Vを用いた。この場合、リチウムイオンが存在している間、約1e−6A程度の電流が流れる。
(3)最後に、図3(C)を参照しながら説明する。
電圧を印加してから、電流をモニターする。その電流の値が約1e−12A以下になった後、リチウムイオン、フッ素イオンの移動が完了したとする。その後、基板上部から紫外光(UV)照射を行なう。
これにより、ゲート電極2の上部付近に集まっていたフッ素イオンがポリイミドとハロゲン化反応によって、ポリイミドからなる絶縁膜3の内部の水素原子と置換することで固着する。
以上、<構成>の中で示した第二の絶縁膜4を形成することが可能となる。また、このハロゲン化反応では、ポリイミド内部の1,2個程度の水素原子のみフッ素イオンと置換される。したがって、フッ素イオンが固着されたポリイミドと元のポリイミドとの誘電率はあまり異ならない。また、電荷のもつ第二の絶縁膜4はゲート電極2の上部の領域のみであるから、フッ素イオンによる素子間のリークが起こらない。したがって、有機半導体層5の分離は必要ない。さらに、この場合の有機FETのしきい値の変化分は、約10Vとなった。
<しきい値の変化分とLiFの換算膜厚との関係>
図4は、本実施形態の有機FETのしきい値の変化分であるΔVthとLiFの換算膜厚dの関係を表した図である。LiFの換算膜厚dとは、<製造方法>における第一の有機半導体層51中における、共蒸着の約10nm中でLiFの占める膜厚である。つまり、第一の有機半導体層51中でのLiFの割合を表わす。LiFがイオン分解され、フッ素イオンが電界によりゲート電極2の上部付近に集まり、UV照射によってハロゲン化される。このフッ素イオンが負の電荷を持っているので、<原理>で上述したように、内部電界が発生し、しきい値が変化する。この図から分かるように、dが1nmでΔVthは約15V、dが3nmでΔVthは約40V、dが5nmでΔVthは約70Vとなり、LiFの換算膜厚dによってΔVthが幅広く制御できることが分かる。
図4は、本実施形態の有機FETのしきい値の変化分であるΔVthとLiFの換算膜厚dの関係を表した図である。LiFの換算膜厚dとは、<製造方法>における第一の有機半導体層51中における、共蒸着の約10nm中でLiFの占める膜厚である。つまり、第一の有機半導体層51中でのLiFの割合を表わす。LiFがイオン分解され、フッ素イオンが電界によりゲート電極2の上部付近に集まり、UV照射によってハロゲン化される。このフッ素イオンが負の電荷を持っているので、<原理>で上述したように、内部電界が発生し、しきい値が変化する。この図から分かるように、dが1nmでΔVthは約15V、dが3nmでΔVthは約40V、dが5nmでΔVthは約70Vとなり、LiFの換算膜厚dによってΔVthが幅広く制御できることが分かる。
また、供給されたLiFから発生したフッ素イオンがすべてポリイミドからなる絶縁膜3に固着されるわけではない。供給されたLiFと有効にフッ素イオンがポリイミドからなる絶縁膜3に固着された割合を、しきい値変化分から見積もると、約0.005%であった。このように低い収率でも、しきい値変化では非常に有効に働くことが分かる。
以上説明したように、本発明の第一の実施形態の有機FETのフッ素イオンが固着されたゲート絶縁膜3・4によって、しきい値変化を制御することが可能となる。従来例では、SAMの単分子中のダイポールを用いるため、あるしきい値変化分を制御させるためには、それに見合うダイポールを発生させるように分子設計をしなければならず、制御が困難であった。しかし、本発明では、アルカリ金属ハロゲン化合物とn型有機半導体の共蒸着(すなわち、第1の有機半導体層51)中のアルカリ金属ハロゲン化合物の割合を変化させることで、しきい値が変化するので制御が簡便である。
また、従来例では、SAMのぬれ性によっては表面全体に均一に膜を作製できない。しかし、本発明では、アルカリ金属ハロゲン化合物とn型有機半導体の共蒸着(すなわち、第1の有機半導体層51の蒸着)を行なうことで、基板全体に均一に成膜をすることができる。
(第二の実施形態)
図5は、本実施形態を表わした図である。11は第一の実施形態の有機FET、12は有機EL素子、13はビット線(BL)、14はワード線(WL)、15は接地端子(SS)である。
図5は、本実施形態を表わした図である。11は第一の実施形態の有機FET、12は有機EL素子、13はビット線(BL)、14はワード線(WL)、15は接地端子(SS)である。
図5に示すように、有機EL素子12の第一の実施形態の有機FET11を選択トランジスタとして用いる。つまり、第一の実施形態の有機FET11のゲートにWL(14)を、ドレインにBL(13)を、ソースに有機EL素子12を接続し、有機EL素子12の第一の実施形態の有機FET11のソースに接続していない他方の端子をSS(15)に接続する。
実施の形態1で述べた電界によるアルカリ金属イオンであるリチウムイオンとハロゲンイオンであるフッ素イオンの移動を行なうために、WL(14)にプラスの電圧、BL(13)にマイナスの電圧を印加させる。電流をモニターし、その電流が1e−12A以下になった後、基板表面からUV照射を行ない、フッ素イオンをポリイミドに固着させる。このように、本実施形態の回路における第一の実施形態の有機FETのしきい値を制御することが可能になる。これにより、選択トランジスタのしきい値バラツキが小さくなり、回路の特性が向上する。
以上説明したように、第一の実施形態の有機FETを選択トランジスタとして用いることで、しきい値バラツキが小さくなり、回路の特性が向上することが可能となる。なお、本実施形態では、有機EL素子を用いたが、液晶素子やメモリーなどアレイ状の回路であればどのようなものでも構わない。
本発明にかかる有機FETは、アレイ状の回路の選択トランジスタ等として有用である。また、有機ELの用途にも応用できる。
1 基板
2 ゲート電極
3 第一のゲート絶縁膜
4 第二のゲート絶縁膜
5 有機半導体層
6 ドレイン電極
7 ソース電極
11 本発明の第一の実施形態
12 有機EL素子
13 BL
14 WL
15 SS
111 p型Si基板
112 熱酸化膜
113 ドレイン電極
114 ソース電極
115 SAM
116 有機半導体層
2 ゲート電極
3 第一のゲート絶縁膜
4 第二のゲート絶縁膜
5 有機半導体層
6 ドレイン電極
7 ソース電極
11 本発明の第一の実施形態
12 有機EL素子
13 BL
14 WL
15 SS
111 p型Si基板
112 熱酸化膜
113 ドレイン電極
114 ソース電極
115 SAM
116 有機半導体層
Claims (5)
- 基板とゲート電極と第一の絶縁膜と第二の絶縁膜と有機半導体層とドレイン電極およびソース電極とによって構成され、
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
前記第一の絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記有機半導体層は前記第一の絶縁膜上に形成され、
前記第二の絶縁膜は前記第一の絶縁膜と前記有機半導体層との間で、前記ゲート電極の直上の領域のみに挿入され、
前記ドレイン電極および前記ソース電極は前記有機半導体層上に形成され、
前記第二の絶縁膜は制御された固定電荷を含むことを特徴とする有機FET。 - 前記有機半導体層がn型有機半導体によって構成され、前記固定電荷の符号が負であることを特徴とする請求項1に記載の有機FET。
- 基板とゲート電極と絶縁膜と第一の有機半導体層と第二の有機半導体層とドレイン電極およびソース電極とによって構成され、
前記ゲート電極は基板上にパターニングされ、
前記絶縁膜は前記ゲート電極上に、前記第一の有機半導体層は前記絶縁膜上に、前記第二の有機半導体層は前記第一の有機半導体層上に、前記ドレイン電極およびソース電極は前記第二の有機半導体層上に形成され、
前記第一の有機半導体はn型有機半導体材料とアルカリ金属ハロゲン化合物とによって構成され、
前記第二の有機半導体はn型有機半導体材料で構成された有機FETにおいて、
前記ゲート電極に正の電圧を、前記ドレイン電極およびソース電極のいずれか一方に負の電圧を印加する第一のステップと、
第一のステップの後に、前記有機FETの上部からUV照射を行なう第二のステップによって製造されることを特徴とする有機FETの製造方法。 - 前記第一ステップにおいて、電流をモニターし、前記電流が1e−12A以下になった後、前記第二のステップに移行することを特徴とする請求項3に記載の有機FETの製造方法。
- 請求項4に記載の有機FETを選択トランジスタとして用いることを特徴とする有機EL素子。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283332A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 有機トランジスター、有機トランジスターの製造方法、電気光学装置および電子機器 |
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2005
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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