JP2006286737A - 発光素子モジュール、電気/光変換装置および光送信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】E/O変換装置内のメモリに発光素子の特性を記憶しておき、発光素子の温度特性等に対応できるようにした場合、発光素子の初期特性のばらつきについての問題は解決することができず、E/O変換装置の調整・検査は必要となる。
【解決手段】E/O変換装置に用いる発光素子モジュール10において、発光素子12と同じパッケージ11内に、当該発光素子12の特性データを格納する不揮発性メモリ14を収納し、E/O変換装置10の起動時に不揮発性メモリ14にアクセスし、当該不揮発性メモリ14に格納されている特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子12に対して最適な駆動条件を設定するようにする。
【選択図】図1
【解決手段】E/O変換装置に用いる発光素子モジュール10において、発光素子12と同じパッケージ11内に、当該発光素子12の特性データを格納する不揮発性メモリ14を収納し、E/O変換装置10の起動時に不揮発性メモリ14にアクセスし、当該不揮発性メモリ14に格納されている特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子12に対して最適な駆動条件を設定するようにする。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子モジュール、当該発光素子モジュールを組み込んだ電気/光変換装置および当該電気/光変換装置を用いた光送信装置に関する。
光通信システムを構築する光送信装置では、電気/光変換装置(以下、「E/O変換装置」と記す)の変換素子として、レーザダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)等の半導体発光素子が用いられている。この半導体発光素子は、その特性のばらつきが通常の電気回路用半導体ICに比べて大きかったり、あるいはその動作条件が厳密に求められたりする。
そのため、E/O変換装置へ半導体発光素子を組み込んだ後に、当該発光素子の特性や動作条件を調整・検査する必要があった。この調整・検査工程では、例えば、発光素子が最適な駆動条件となるようにバイアス電流と変調電流の調整が行われる。発光素子や光学系等の特性のばらつきは、この調整・検査工程で吸収される。
しかし、発光素子の製造工程では、組立後に発光素子の特性をあらかじめ全数検査するということは通常に行われている。したがって、検査済みの発光素子をE/O変換装置へ組み込んだ後、再度当該発光素子について調整・検査するのは部分的に重複する作業を行っていることであり、無駄である。
このような無駄を省くために、従来、例えば光通信モジュールにおいて、E/O変換装置内のメモリに発光素子の特性を記憶しておき、発光素子の温度特性等に対応できるようにした技術がある(例えば、特許文献1参照)。また、発光素子の特性を動作中に監視することにより、光信号を安定化させるようにした技術も知られている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献1記載の従来技術では、発光素子の初期特性のばらつきについての問題は解決することができず、E/O変換装置の調整・検査は必要となる。一方、特許文献2記載の従来技術については、データ信号のパターンによりその動作点が動き、さらに発光素子の構造が複雑になる等の理由から、実際に使用することは難しい。
また、E/O変換装置が単独でのテストが可能である場合には、調整・検査を比較的容易に行うことができるが、E/O変換装置から調整用のテスト信号を出力するのが困難である場合や、E/O変換後の光出力を評価するのが難しい場合なども考えられ、このような場合にはE/O変換装置の調整・検査は難しいという問題がある。複数の発光素子をアレイ状、マトリクス状に配置した場合には、E/O変換装置の調整・検査はさらに難しい問題となる。
そこで、本発明は、電気/光変換装置に組み込んだ後の調整・検査の作業を省き、調整コストと工数の削減を可能にした発光素子モジュール、当該発光素子モジュールを組み込んだ電気/光変換装置および当該電気/光変換装置を用いた光送信装置を提供することを目的とする。
本発明による発光素子モジュールは、発光素子と、前記発光素子と同じパッケージ内に収納され、当該発光素子の特性データを格納する不揮発性メモリとを具備する構成となっている。そして、この発光素子モジュールは、電気/光変換装置に組み込まれて電気/光変換素子として用いられる。この発光素子モジュールを組み込んだ電気/光変換装置は、光通信システムを構築する光送信装置に用いられる。
上記構成の発光素子モジュール、当該発光素子モジュールを組み込んだ電気/光変換装置または当該電気/光変換装置を用いた光送信装置において、発光素子と同じパッケージ内に、当該発光素子の特性データを格納する不揮発性メモリを具備することで、例えば電気/光変換装置の起動時に不揮発性メモリにアクセスし、当該不揮発性メモリに格納されている特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子に対して最適な駆動条件を設定することが可能になる。これにより、発光素子の特性ばらつきを吸収でき、しかも電気/光変換装置での調整・検査工程を省略することが可能になる。
本発明によれば、発光素子と同じパッケージに不揮発性メモリを収納し、当該不揮発性メモリに発光素子の特性データを格納するようにしたことで、当該特性データを基に最適な駆動条件を設定することによって発光素子の特性ばらつきを吸収でき、しかも電気/光変換装置での調整・検査工程を省略できるため調整コストと工数の削減が可能になる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[発光素子モジュール]
図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子モジュールの構成の概略を示す断面図である。また、図2は、光学部品を除いた状態での発光素子モジュールの上面図である。
図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子モジュールの構成の概略を示す断面図である。また、図2は、光学部品を除いた状態での発光素子モジュールの上面図である。
図1および図2に示すように、本実施形態に係る発光素子モジュール10は、パッケージ11、レーザダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)等の半導体発光素子(以下、単に「発光素子」と記す)12、モニタ素子13、不揮発性メモリ14およびレンズ15等を有する構成となっている。
発光素子12、モニタ素子13および不揮発性メモリ14は、サブマウント部材16に搭載されて同じパッケージ11内に収納されている。モニタ素子13は、フォトダイオード等の受光素子からなり、発光素子12の近傍に配置されることで、当該発光素子12の光出力強度をモニタし、その光出力強度に比例したモニタ信号を出力する。
不揮発性メモリ14には、本発光素子モジュール10の検査工程で、その検査結果である発光素子モジュール10の特性データが記憶される。ここで、発光素子モジュール10の特性データとしては、発光素子12の電流−光出力(I−L)特性、微分効率、微分抵抗、しきい値電流およびモニタ電流、さらには発光素子12およびモニタ素子12のそれぞれの温度特性等が挙げられる。これらの特性データを基に、本発光素子モジュール10をE/O変換装置(電気/光変換装置)に組み込んだ際に、当該E/O変換装置のバイアス電流、変調電流、温度特性等が決められる。
レンズ15は、レンズ保持スリーブ17によって保持され、発光素子12との光学的位置関係を保った状態でパッケージ11に固定される。レンズ15とレンズ保持スリーブ17は、発光素子12が発する光を外部の光伝送媒体、例えば光ファイバーに光学的に結合する光学系を構成している。
本実施形態に係る発光素子モジュール10はさらに、例えば6本の端子21〜26を有している。これら6本の端子21〜26は、パッケージ11を貫通して設けられている。6本の端子21〜26のうち、端子21は発光素子モジュール10内に電源電圧VCCを供給する端子、端子22は接地(GND)端子である。
また、端子23は発光素子12のカソードが接続されるカソード端子、端子24はモニタ素子13、例えばフォトダイオードのアノードが接続されるモニタ端子、端子25は不揮発性メモリ14にデータ信号を供給するデータ端子、端子26は不揮発性メモリ14にクロック信号を供給するクロック端子である。
図3に、本発光素子モジュール10の等価回路(電気系の接続)を示す。図3から明らかなように、本発光素子モジュール10において、電源端子21からモジュール10内に取り込まれる電源電圧VCCは、発光素子12のアノード、モニタ素子のカソードおよび不揮発性メモリ14の電源ラインに供給される。GND端子22は、不揮発性メモリ14の接地ラインに接続される。
また、カソード端子23を介して外部の変調回路(図示せず)から発光素子14に対して変調電流が供給されることで、当該発光素子14が発光/非発光の動作を行う。このとき、モニタ素子13は、発光素子12の光出力強度をモニタし、その光出力強度に比例したモニタ信号を、モニタ端子24を介して外部へ出力する。
不揮発性メモリ14に対しては、データ端子25およびクロック端子26を用いてシリアル通信にてアクセスが行われる。このときのアクセス速度は約400kbps程度である。光通信の用途では、この程度のアクセス速度で十分である。そして、クロック端子26から供給されるクロック信号に同期して、不揮発性メモリ14に対してデータ信号の書き込み/読み出しが行われる。
上述したように、発光素子12と同じパッケージ11内に、当該発光素子12の特性データを格納する不揮発性メモリ14を具備することで、例えば本発光素子モジュール10をE/O変換装置にE/O変換素子として用いた場合において、例えばE/O変換装置の起動時に不揮発性メモリ14にアクセスし、当該不揮発性メモリ14に格納されている特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子12に対して最適な駆動条件を設定することが可能になる。これにより、発光素子12の特性ばらつきを吸収でき、しかもE/O変換装置での調整・検査工程を省略することができるため調整コストと工数の削減が可能になる。
なお、本実施形態では、発光素子モジュール10内に搭載される発光素子12が一つの場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、発光素子モジュール10内に搭載される発光素子12が複数の場合にも同様に適用可能である。この場合には、複数の発光素子の特性データを個別に不揮発性メモリ14に格納するようにすれば良い。
また、上記実施形態では、不揮発性メモリ14のアクセス方式として、データ端子25およびクロック端子26を介してアクセスする2線アクセス方式を例に挙げたが、これ以外のアクセス方式を採ることも可能である。以下に、他のアクセス方式を採る発光素子モジュール10の変形例について説明する。
(第1変形例)
図4は、第1変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Aの等価回路を示す回路図である。
図4は、第1変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Aの等価回路を示す回路図である。
本発光素子モジュール10Aは、図3のデータ端子25とクロック端子26を兼用してデータ・クロック端子27とし、データ信号とクロック信号の伝送を1線で行う1線アクセス方式を採用している。
このように、不揮発性メモリ14のアクセス方式として1線アクセス方式を採用することで、不揮発性メモリ14を発光素子モジュール10A内に収納するに当たって追加するピン(端子)数が1ピンで済むため、パッケージ11を複雑化することなく、また簡単な組立作業にて、所期の目的を達成できる利点がある。
(第2変形例)
図5は、第2変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Bの等価回路を示す回路図である。
図5は、第2変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Bの等価回路を示す回路図である。
本発光素子モジュール10Bは、図3のデータ端子25とクロック端子26を省略し、データ信号とクロック信号を電源電圧VCCに重畳して伝送するアクセス方式を採用している。これにより、不揮発性メモリ14を発光素子モジュール10B内に収納するに当たって新たにピンを追加する必要がないため、より簡単な構成にて所期の目的を達成できる利点がある。
(第3変形例)
図6は、第3変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Cの等価回路を示す回路図である。
図6は、第3変形例に係るアクセス方式を採る発光素子モジュール10Cの等価回路を示す回路図である。
本発光素子モジュール10Cは、図3のデータ端子25とクロック端子26を省略し、データアクセスにRF(無線周波数)アクセスを用いたアクセス方式を採用している。このRFアクセスは、不揮発性メモリ14としてRFID(Radio Frequency Identification)用のワンチップ無線メモリ(不揮発性メモリ)14′を用いることで実現できる。
このように、データアクセスにRFアクセスを用いたアクセス方式を採用することで、第2変形例の場合と同様に、不揮発性メモリ14を発光素子モジュール10C内に収納するに当たって新たにピンを追加する必要がないため、より簡単な構成にて所期の目的を達成できる利点がある。
以上説明した本実施形態に係る発光素子モジュール10およびその変形例に係る発光素子モジュール10A,10B,10Cは、E/O変換装置に組み込まれて、当該E/O変換装置におけるE/O変換素子として用いられる。
[E/O変換装置]
図7は、本発明に係るE/O変換装置の構成を示す回路図である。図3に示すように、本発明に係るE/O変換装置30は、E/O変換素子である発光素子モジュール31と、当該発光素子モジュール31内の発光素子を駆動する発光素子駆動回路32を有する構成となっている。
図7は、本発明に係るE/O変換装置の構成を示す回路図である。図3に示すように、本発明に係るE/O変換装置30は、E/O変換素子である発光素子モジュール31と、当該発光素子モジュール31内の発光素子を駆動する発光素子駆動回路32を有する構成となっている。
そして、発光素子モジュール31として、先述した実施形態に係る発光素子モジュール10またはその変形例に係る発光素子モジュール10A,10B,10Cが用いられる。この発光素子モジュール31において、レーザダイオード等の発光素子12は、励起電流のしきい値電流Ith以上の電流を変化することによって直接変調ができる。
発光素子駆動回路32は、APC(Auto Power Control;自動光出力制御)回路321、変調回路322および駆動条件設定回路323を有する構成となっている。
APC回路321は、発光素子モジュール31内の発光素子12に対してインダクタLを介して直列に接続され、当該発光素子12に対してその動作点を決めるバイアス電流Ibiasを流すバイアス電流源(図示せず)を有するとともに、モニタ素子13の出力電圧(モニタ信号)をAPC設定電圧と比較し、その差分電圧に応じてバイアス電流Ibiasを制御することにより、発光素子12の光出力を常に一定にする制御を行う。
変調回路322は、その出力端がコンデンサCを介して発光素子12のカソードにAC結合されており、APC回路321によって設定されるバイアス電流Ibiasに対し、クロックやデータ等の信号を振幅変調として重畳することによって発光素子12を駆動する。これにより、発光素子12は、電流の変化にほぼ直線的に比例した被変調出力光を出力する。
駆動条件設定回路323は、A/D変換器を内蔵しており、本E/O変換装置30の起動時に、発光素子モジュール31内の不揮発性メモリ14にアクセスし、当該不揮発性メモリ14に格納されている発光素子12の特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子12に対して最適な駆動条件を設定する。具体的には、変調回路322の変調電流やAPC回路のAPC設定電圧などの設定を行う。
駆動条件設定回路323はさらに、温度特性を持たない(0ppm)変調電流源と、例えば5000ppmの温度特性を持つ変調電流源とを有し、これら2つの変調電流源の出力振幅で発光素子12を駆動するようにすることで、2つの変調電流源の温度特性の比により、変調電流Imodに対して任意の温度特性を設定することができる。
また、発光素子12の温度を検出する温度センサを設け、この温度センサで検出した温度を基に、不揮発性メモリ14に格納されている特性データから発光素子12の最適な動作点を設定するようにすることも可能である。
上述したように、E/O変換装置30において、発光素子モジュール31として、先述した本実施形態に係る発光素子モジュール10またはその変形例に係る発光素子モジュール10A,10B,10C、即ち発光素子12と同じパッケージ11内に、当該発光素子12の特性データを格納する不揮発性メモリ14を具備する発光素子モジュールを用いることで、本E/O変換装置30の起動時に不揮発性メモリ14にアクセスし、当該不揮発性メモリ14に格納されている特性データを読み込んで、当該特性データを基に発光素子12に対して最適な駆動条件を設定することができるため、発光素子12の特性ばらつきを吸収でき、しかもE/O変換装置30での調整・検査工程を省略することができるため調整コストと工数の削減が可能になる。
かかるE/O変換装置30は、例えば、光通信システムを構築する光送信装置の発光素子モジュールとして用いることができる。
[光送信装置]
図8は、本発明が適用される光通信システムの構成の概略を示すブロック図である。図8に示すように、本光通信システムは、光送信装置40、光伝送媒体50および光受信装置60によって構成されている。
光送信装置40は、レーザダイオード等の発光素子を含む発光素子モジュール41と、この発光素子モジュール41内の発光素子をクロックやデータ等の信号に応じて駆動(変調)する発光素子駆動回路42を有する構成となっている。光伝送媒体50は、例えば光ファイバからなり、発光素子モジュール41から出力される光信号を光受信装置60側へ伝送する。光受信装置60は、光伝送媒体50によって伝送された光信号を受光するフォトダイオード等の受光素子61と、この受光素子61の受光出力を復調する復調回路62を有する構成となっている。
上記構成の光通信システムにおける光送信装置60のE/O変換装置として、図7に示すE/O変換装置30、即ち発光素子モジュール41として先述した実施形態に係る発光素子モジュール10またはその変形例に係る発光素子モジュール10A,10B,10Cを用い、発光素子駆動回路42として図7の発光素子駆動回路32を用いたE/O変換装置30が用いられる。
光通信では光出力振幅の減少が通信エラーの大きな原因となるが、図7に示すE/O変換装置30を用いることで、当該E/O変換装置30は、発光素子12の特性ばらつきを吸収でき、しかもE/O変換装置30での調整・検査工程を省略することができる利点を持つことから、光送信装置60の調整コストと工数の削減が可能になる
なお、ここでは、光通信システムにおける光送信装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、発光素子モジュールや変調回路等を含むE/O変換回路を用いる装置全般に対して適用可能である。
10,10A,10B,10C,31,41…発光素子モジュール、11…パッケージ、12…半導体発光素子、13…モニタ素子、14,14′…不揮発性メモリ、15…レンズ、17…レンズ保持スリーブ、30…E/O(電気/光)変換装置、32,42…発光素子駆動回路、40…光送信装置、50…光伝送媒体、60…光受信装置
Claims (12)
- 発光素子と、
前記発光素子と同じパッケージ内に収納され、当該発光素子の特性データを格納する不揮発性メモリと
を具備することを特徴とする発光素子モジュール。 - 前記不揮発性メモリに電源を供給する電源端子と、前記不揮発性メモリにデータ信号を供給するデータ端子と、前記不揮発性メモリにクロック信号を供給するクロック端子とを有する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記不揮発性メモリに電源を供給する電源端子と、前記不揮発性メモリにデータ信号およびクロック信号を供給するデータ・クロック端子とを有する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記不揮発性メモリに電源を供給する電源端子を有し、前記不揮発性メモリに前記電源端子を通してデータ信号およびクロック信号を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記不揮発性メモリにRFアクセスによって電源、データ信号およびクロック信号を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記不揮発性メモリに電源を供給する電源端子を有するとともに、前記不揮発性メモリにRFアクセスによってデータ信号およびクロック信号を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記発光素子が複数であり、これら複数の発光素子の特性データを個別に前記不揮発性メモリに格納する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 前記発光素子が発する光を外部の光伝送媒体に光学的に結合する光学系を有し、前記発光素子および前記光学系の特性データを前記不揮発性メモリに格納する
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子モジュール。 - 発光素子と、前記発光素子と同じパッケージに収納され、当該発光素子の特性データを格納する不揮発性メモリとを有する発光素子モジュールと、
入力信号に応じて前記発光素子に変調電流を流す変調手段と、
前記不揮発性メモリに格納されている前記特性データに基づいて前記発光素子の駆動条件を設定する駆動条件設定手段と
を具備することを特徴とする電気/光変換装置。 - 前記駆動条件設定手段は、前記不揮発性メモリから前記特性データを起動時に読み込んで前記発光素子の駆動条件を設定する
ことを特徴とする請求項9記載の電気/光変換装置。 - 前記駆動条件設定手段は、前記発光素子の温度を検出し、この検出した温度を基に前記特性データから前記発光素子の最適な動作点を設定する
ことを特徴とする請求項9記載の電気/光変換装置。 - 入力信号に応じた光信号を出力する電気/光変換装置を有する光送信装置であって、
前記電気/光変換装置は、
発光素子と、前記発光素子と同じパッケージ内に収納され、当該発光素子の特性データを格納する不揮発性メモリとを有する発光素子モジュールと、
入力信号に応じて前記発光素子に変調電流を流すとともに、前記不揮発性メモリに格納されている前記特性データに基づいて前記発光素子の駆動条件を設定する発光素子駆動手段とを具備する
ことを特徴とする光送信装置。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2008229239A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Hitachi Ltd | 生体光計測装置および生体計測用半導体レーザ装置 |
JP2018093556A (ja) * | 2011-12-28 | 2018-06-14 | 株式会社ニコン | 信号処理装置、撮像素子および電子機器 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008229239A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Hitachi Ltd | 生体光計測装置および生体計測用半導体レーザ装置 |
US8369913B2 (en) | 2007-03-23 | 2013-02-05 | Hitachi, Ltd. | Optical measurement instrument for living body semiconductor laser installation for living body light measuring device |
JP2018093556A (ja) * | 2011-12-28 | 2018-06-14 | 株式会社ニコン | 信号処理装置、撮像素子および電子機器 |
US10256263B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-04-09 | Nikon Corporation | Imaging device |
JP2019193310A (ja) * | 2011-12-28 | 2019-10-31 | 株式会社ニコン | 信号処理装置 |
US10734418B2 (en) | 2011-12-28 | 2020-08-04 | Nikon Corporation | Imaging device and imaging sensor having a plurality of pixels |
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