JP2006277736A5 - - Google Patents

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  1. 不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備える不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
    前記不揮発性メモリは、
    複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
    前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
    前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
    前記コントローラが、外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける第1のステップと、
    前記コントローラが、前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する第2のステップと、
    前記コントローラが、前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む第3のステップと、を有する
    不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  2. 前記第3のステップは、前記データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
    請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  3. 前記不揮発性メモリは、少なくとも2つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
    請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  4. 前記不揮発性メモリは、2つの不揮発性メモリチップを1つのパッケージとして構成する、
    請求項3に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  5. 前記不揮発性メモリは、1つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
    請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  6. 前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
    前記第2のステップは、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
    請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
  7. 不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備え、
    前記不揮発性メモリは、
    複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
    前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
    前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
    前記コントローラは、
    外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける受付手段と、
    前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する検知手段と、
    前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む書込手段と、を有する、
    不揮発性記憶装置。
  8. 前記書込手段は、
    データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
    請求項7に記載の不揮発性記憶装置。
  9. 前記不揮発性メモリは、少なくとも2つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
    請求項7に記載の不揮発性記憶装置。
  10. 前記不揮発性メモリは、2つの不揮発性メモリチップを1つのパッケージとして構成する、
    請求項9に記載の不揮発性記憶装置。
  11. 前記不揮発性メモリは、1つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
    請求項7に記載の不揮発性記憶装置。
  12. 前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
    前記検知手段は、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
    請求項7に記載の不揮発性記憶装置。
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KR100918707B1 (ko) 2007-03-12 2009-09-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 한 메모리 시스템
EP2359369B1 (en) * 2008-12-18 2015-01-21 Conversant Intellectual Property Management Inc. Semiconductor device with main memory unit and auxiliary memory unit requiring preset operation

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081878A (en) * 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
JPH11203885A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Hitachi Ltd 記憶装置
JP2004030784A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置

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