JP2006268935A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006268935A JP2006268935A JP2005083696A JP2005083696A JP2006268935A JP 2006268935 A JP2006268935 A JP 2006268935A JP 2005083696 A JP2005083696 A JP 2005083696A JP 2005083696 A JP2005083696 A JP 2005083696A JP 2006268935 A JP2006268935 A JP 2006268935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- input
- terminals
- output
- selection signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
この発明は、接続試験機能を備えた半導体装置に関し、例えばマルチチップパッケージにおける外部端子と半導体チップ内の配線や信号の取り出し箇所(ボンディングパッド)との間のボンディングワイヤの接続チェック、あるいは外部端子と試験測定機器または応用機器間の接触や接続のチェック(これらを総じて接続試験と称する)を容易化するためのものである。 The present invention relates to a semiconductor device having a connection test function. For example, a connection check of a bonding wire between an external terminal in a multichip package and a wiring or a signal extraction point (bonding pad) in the semiconductor chip, or an external terminal This is for facilitating checking of contact and connection between test and measurement devices or application devices (collectively referred to as connection test).
従来、半導体装置の接続試験は、電流が測定できる環境下では半導体チップの各ボンディングパッドに対応して設けられている保護用ダイオード素子の順方向電流を測定することで行っている(電流モニタ方式)。 Conventionally, a semiconductor device connection test is performed by measuring a forward current of a protective diode element provided corresponding to each bonding pad of a semiconductor chip in an environment where current can be measured (current monitoring method). ).
しかし、複数の半導体チップを1つのパッケージ内に封止したマルチチップパッケージ(MCP)においては、パッケージの内部で複数のチップに共通配線される端子が存在するため、上記電流モニタ方式では共通配線の一部に接続不良が存在する、いわゆる片落ちと呼ばれる接続不良が発見できない。また、NOR型フラッシュメモリを例に取ると、コマンドの入力に必要な端子がアドレス端子A0−A10等の15端子に限定されるため、その他の残りの端子の接続試験が不可能である。更に、隣接する端子間の電気的ショート等の不具合に対しては、端子間のリーク電流測定しかチェック方法がない等の種々の問題がある。 However, in a multi-chip package (MCP) in which a plurality of semiconductor chips are sealed in one package, there are terminals that are commonly wired to the plurality of chips inside the package. It is impossible to find a connection failure called so-called drop-out, in which connection failure exists in part. Taking a NOR flash memory as an example, the terminals required for command input are limited to 15 terminals such as the address terminals A0 to A10, so that it is impossible to test the connection of the remaining terminals. Furthermore, there are various problems, such as a method of checking only leakage current measurement between terminals, for problems such as electrical shorts between adjacent terminals.
このような問題を解決するために、例えば特許文献1には任意の入力データの演算結果を出力するファンクションを用いて全端子の接続試験を行う技術が開示されている。しかし、この特許文献1に記載されている技術では変換回路や演算回路が必要になるため、チップサイズに少なからず影響を与える。しかも、接続試験の良否判定を行う際には、入力値に対する演算結果をホスト側でも同様に計算処理しなければならない。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、接続試験を容易化できる半導体装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device capable of facilitating a connection test.
この発明の一態様によると、コマンドの入力に応答して動作し、選択信号を出力する選択制御回路と、第1及び第2の端子を有し、前記選択制御回路から出力される選択信号で制御され、前記選択信号が第1のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を直結し、前記選択信号が第2のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を電気的に分離する切替回路とを具備する半導体装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a selection control circuit that operates in response to an input of a command and outputs a selection signal, and a selection signal output from the selection control circuit, the first and second terminals. When the selection signal is at the first level, the first and second terminals are directly connected, and when the selection signal is at the second level, the first and second terminals are electrically separated. A switching device is provided.
また、この発明の一態様によると、複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップを封止するパッケージと、前記複数の半導体チップの少なくとも1つに設けられ、コマンドの入力に応答して動作し、選択信号を出力する選択制御回路と、前記複数の半導体チップの少なくとも1つに設けられ、第1及び第2の端子を有し、前記選択制御回路から出力される選択信号で制御され、前記選択信号が第1のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を直結し、前記選択信号が第2のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を電気的に分離する切替回路とを具備する半導体装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, the semiconductor chip is provided in at least one of the plurality of semiconductor chips, the package for sealing the plurality of semiconductor chips, and the plurality of semiconductor chips, and operates in response to a command input. A selection control circuit for outputting a selection signal; and provided in at least one of the plurality of semiconductor chips, having first and second terminals, controlled by the selection signal output from the selection control circuit, A switching circuit for directly connecting the first and second terminals when the selection signal is at the first level and electrically separating the first and second terminals when the selection signal is at the second level; A semiconductor device is provided.
この発明によれば、接続試験を容易化できる半導体装置が得られる。 According to the present invention, a semiconductor device that can facilitate a connection test is obtained.
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、この発明の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、半導体記憶装置を例にとって、発明に関係する要部を抽出して概略構成を示すブロック図である。半導体チップ11中には、メモリ部12のプレーン12−1,12−2,12−3,…,12−xと選択制御回路13が設けられている。各プレーン12−1,12−2,12−3,…,12−xの入力端子(入力パッド)IN1,IN2,IN3,…,INxと出力端子(出力パッド)OUT1,OUT2,OUT3,…,OUTx間には、それぞれ切替回路14−1,…,14−xが設けられている。上記入力端子と出力端子の組み合わせは、本例では1対1になっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram for explaining a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration by extracting a main part related to the invention, taking a semiconductor memory device as an example. In the
上記選択制御回路13は、コマンドの入力に応答して動作が制御され、選択信号SS1,SS2,SS3,…,SSxを出力する。選択信号SS1,SS2,SS3,…,SSxは、コマンドの種類に応じた単独あるいは複数の任意の信号であり、上記半導体チップ11中の各切替回路14−1,…,14−xに選択的に供給される。これら切替回路14−1,…,14−xはそれぞれ、選択信号SS1,SS2,SS3,…,SSxが“H”レベル(または“L”レベル)の時に上記入力端子IN1,IN2,IN3,…,INxと上記出力端子OUT1,OUT2,OUT3,…,OUTx間をそれぞれ実質的に直結し、選択信号SS1,SS2,SS3,…,SSxが“L”レベル(または“H”レベル)の時に上記入力端子IN1,IN2,IN3,…,INxと上記出力端子OUT1,OUT2,OUT3,…,OUTx間をそれぞれ電気的に分離するものである。
The operation of the
上記各切替回路14−1,…,14−xで直結する入力端子と出力端子の組み合わせは、1:1だけでなく自由に組み合わせることができる。例えば、入力端子IN2と出力端子OUT1、入力端子IN1と出力端子OUT2のように、同一端子が異なるペアになる場合も許容できる。 The combination of the input terminal and the output terminal directly connected by the switching circuits 14-1,..., 14-x is not limited to 1: 1 but can be freely combined. For example, the same terminal can be allowed to be in different pairs, such as the input terminal IN2 and the output terminal OUT1, and the input terminal IN1 and the output terminal OUT2.
各々の切替回路14−1,…,14−x(14)は、例えば図2に示すようにPチャネル型MOSトランジスタQ1,Q2、Nチャネル型MOSトランジスタQ3,Q4及びインバータ21,22を含んで構成されている。上記MOSトランジスタQ1〜Q4の電流通路は、電源Vcc,Vss間に直列接続される。上記MOSトランジスタQ1,Q4のゲートは入力端子INに接続される。上記MOSトランジスタQ2のゲートには、上記インバータ21の出力端が接続される。このインバータ21の入力端及び上記MOSトランジスタQ3のゲートには、上記選択制御回路11から選択信号SSが供給される。また、上記インバータ22の入力端は上記MOSトランジスタQ2,Q3の電流通路の接続点に接続され、出力端は出力端子OUTに接続されている。
Each switching circuit 14-1,..., 14-x (14) includes, for example, P channel type MOS transistors Q1, Q2, N channel type MOS transistors Q3, Q4 and
上記のような構成において、選択信号SSが“H”レベルの時にはMOSトランジスタQ2,Q3がオンする。これによって、MOSトランジスタQ1,Q4がインバータ動作し、入力端子INが“H”レベルの時に出力端子OUTが“H”レベル、入力端子INが“L”レベルの時に出力端子OUTが“L”レベルという入出力関係が成立する。すなわち、入力端子INと出力端子OUT間を直結したのと等価になる。 In the above configuration, when the selection signal SS is at “H” level, the MOS transistors Q2 and Q3 are turned on. As a result, the MOS transistors Q1 and Q4 operate as inverters. When the input terminal IN is at “H” level, the output terminal OUT is at “H” level, and when the input terminal IN is at “L” level, the output terminal OUT is at “L” level. The input / output relationship is established. That is, it is equivalent to a direct connection between the input terminal IN and the output terminal OUT.
一方、選択信号SSが“L”レベルの時にはMOSトランジスタQ2,Q3がオフするので、入力端子INと出力端子OUTは電気的に分離され、半導体チップ内の他の回路の動作には何ら影響を与えない。半導体チップの通常動作時にはこの状態になる。 On the other hand, when the selection signal SS is at “L” level, the MOS transistors Q2 and Q3 are turned off, so that the input terminal IN and the output terminal OUT are electrically separated and have no influence on the operation of other circuits in the semiconductor chip. Don't give. This is the state during normal operation of the semiconductor chip.
図2では、切替回路14の入力端子INと出力端子OUTをボンディングワイヤ25,26により外部端子23と24に1対1に接続している例を示しているが、各入力端子IN1,IN2,IN3,…,INxと各出力端子OUT1,OUT2,OUT3,…,OUTxを選択的に接続しても良く、複数を共通接続しても良い。
2 shows an example in which the input terminal IN and the output terminal OUT of the
次に、上記のような構成の半導体装置において、図3乃至図5のタイミングチャート、及び図6乃至図8の入力端子(入力バッファ)−出力端子(出力バッファ)の組み合わせ例を参照しつつ接続試験について説明する。 Next, in the semiconductor device configured as described above, connection is made with reference to the timing charts of FIGS. 3 to 5 and the input terminal (input buffer) -output terminal (output buffer) combination examples of FIGS. The test will be described.
図3に示すように、チップイネーブル信号/CEとライトイネーブル信号/WEが“L”レベルの状態で、コマンドを入力して選択制御回路13から選択信号SSを発生させる(この時、アウトプットイネーブル信号/OEは“H”レベル)。この選択信号SSにより切替回路14の状態を制御し、選択した切替回路の入力端子INと出力端子OUTを実質的に直結状態にし、非選択の切替回路の入力端子INと出力端子OUTは電気的に分離する。この状態で、入出力端子DQ(OUTx)から期待値CMD1を入力する。
As shown in FIG. 3, when the chip enable signal / CE and the write enable signal / WE are at the “L” level, a command is input to generate the selection signal SS from the selection control circuit 13 (at this time, the output enable signal) Signal / OE is at “H” level. The state of the
そして、チップイネーブル信号/CEとアウトプットイネーブル信号/OEが“L”レベルの状態(この時、ライトイネーブル信号/WEは“H”レベル)では、切替回路の状態に応じて上記アドレス端子ADD(INx)と入出力端子DQ(OUTx)とが固定される。 When the chip enable signal / CE and the output enable signal / OE are at "L" level (at this time, the write enable signal / WE is at "H" level), the address terminal ADD ( INx) and the input / output terminal DQ (OUTx) are fixed.
上記入出力端子DQ(OUTx)から出力されるデータDATA1,DATA2,DATA3は、アドレス端子ADDから入力される信号INxの内容と、図6に例示するような入力端子(入力バッファ)と出力端子(出力バッファ)のペアの組み合わせにより決まる。本例の場合には、入力期待値は、データDATA1,DATA2,DATA3の組み合わせ通り分の期待値CMD1,CMD2,CMD3が必要になる。 The data DATA1, DATA2, and DATA3 output from the input / output terminal DQ (OUTx) are the contents of the signal INx input from the address terminal ADD, the input terminal (input buffer) and the output terminal (as illustrated in FIG. Output buffer) pair combination. In the case of this example, the input expected value requires expected values CMD1, CMD2, and CMD3 corresponding to combinations of data DATA1, DATA2, and DATA3.
すなわち、期待値CMD1を入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A17〜A24から上記期待値CMD1と同じデータDATA1が出力される。期待値CMD2を入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A9〜A16から上記期待値CMD2と同じデータDATA2が出力される。期待値CMD3を入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A1〜A8から上記期待値CMD3と同じデータDATA3が出力される。このように、コマンドによって3通りの組み合わせを切り替えることにより、入出力端子DQ0〜DQ7とアドレス端子A1〜A24の接続のチェックができる。 That is, when the expected value CMD1 is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, the same data DATA1 as the expected value CMD1 is output from the address terminals A17 to A24 if the connection is normal. When the expected value CMD2 is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, if the connection is normal, the same data DATA2 as the expected value CMD2 is output from the address terminals A9 to A16. When the expected value CMD3 is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, if the connection is normal, the same data DATA3 as the expected value CMD3 is output from the address terminals A1 to A8. In this way, the connection between the input / output terminals DQ0 to DQ7 and the address terminals A1 to A24 can be checked by switching the three combinations according to the command.
なお、コマンド入力には1サイクルを割り当てても良いし、複数サイクルを割り当てても良い。また、上記期待値の内容は任意で良く、アドレス端子に限らず他の入力端子を用いることもできる。期待値を入力する端子と結果を出力する端子の組み合わせは任意である。 Note that one cycle may be assigned to the command input, or a plurality of cycles may be assigned. The content of the expected value may be arbitrary, and other input terminals can be used instead of the address terminals. The combination of the terminal that inputs the expected value and the terminal that outputs the result is arbitrary.
また、図4に示すように、チップイネーブル信号/CEとライトイネーブル信号/WEが“L”レベルの状態で、コマンドを入力して選択制御回路13から選択信号SSを発生させる(この時、アウトプットイネーブル信号/OEとリセット信号/RESETはともに“H”レベル)。この選択信号SSにより切替回路14の状態を制御し、選択した切替回路の入力端子INと出力端子OUTを実質的に直結状態にし、非選択の切替回路の入力端子INと出力端子OUTは電気的に分離する。この状態で、入出力端子DQ(OUTx)から期待値CMDを入力する。
Also, as shown in FIG. 4, when the chip enable signal / CE and the write enable signal / WE are at the “L” level, a command is input to generate the selection signal SS from the selection control circuit 13 (at this time, the output signal). Enable signal / OE and reset signal / RESET are both at "H" level). The state of the switching
そして、チップイネーブル信号/CEとアウトプットイネーブル信号/OEがともに“L”レベルの状態(この時、ライトイネーブル信号/WEは“H”レベル)では、切替回路の状態に応じて上記アドレス端子ADD(INx)と入出力端子DQ(OUTx)とが固定される。また、上記入出力端子DQ(OUTx)から出力されるデータDATA1,DATA2は、アドレス端子ADDから入力される信号INxの内容と、図7に例示するような入力端子(入力バッファ)と出力端子(出力バッファ)のペアの組み合わせにより決まる。本例では、入力端子(ADD/CTRL)32本を、出力端子(DQx)16本と組み合わせており、2グループに分けてリセット信号/RESET等の制御入力端子の“L”レベル/“H”レベルで組み合わせを切り替えている。よって、入力期待値CMDは、一種類で十分である(組み合わせはリセット信号/RESETで切り替える)。 When the chip enable signal / CE and the output enable signal / OE are both at the “L” level (at this time, the write enable signal / WE is at the “H” level), the address terminal ADD depends on the state of the switching circuit. (INx) and the input / output terminal DQ (OUTx) are fixed. Further, the data DATA1 and DATA2 output from the input / output terminal DQ (OUTx) include the contents of the signal INx input from the address terminal ADD, the input terminal (input buffer) and the output terminal (as illustrated in FIG. Output buffer) pair combination. In this example, 32 input terminals (ADD / CTRL) are combined with 16 output terminals (DQx), and divided into two groups, the “L” level / “H” level of the control input terminal such as the reset signal / RESET. The combination is switched by level. Therefore, one type of input expected value CMD is sufficient (the combination is switched by the reset signal / RESET).
すなわち、リセット信号/RESETが“L”レベルでは、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ15から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A9〜A24から上記期待値CMDと同じデータDATA1が出力される。これに対し、リセット信号/RESETが“H”レベルでは、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ15から入力すると、接続が正常であれば端子CLK,ACC,/WP,/BYTE,/WE,/OE,/CE,A8〜A0から上記期待値CMDと同じデータDATA2が出力される。このように、複数のグループに分けた組み合わせを、リセット信号/RESET(他の制御入力端子に供給される信号でも良い)のレベルに応じて切り替えることができる。 That is, when the reset signal / RESET is “L” level and the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ15, the same data DATA1 as the expected value CMD is output from the address terminals A9 to A24 if the connection is normal. The On the other hand, when the reset signal / RESET is “H” level and the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ15, the terminals CLK, ACC, / WP, / BYTE, / WE, / The same data DATA2 as the expected value CMD is output from OE, / CE, A8 to A0. In this manner, combinations divided into a plurality of groups can be switched according to the level of the reset signal / RESET (which may be a signal supplied to another control input terminal).
更に、図5に示すように、チップイネーブル信号/CEとライトイネーブル信号/WEが“L”レベルの状態で、コマンドを入力して選択制御回路13から選択信号SSを発生させる(この時、アウトプットイネーブル信号/OEは“H”レベル)。この選択信号SSにより切替回路14の状態を制御し、選択した切替回路の入力端子INと出力端子OUTを実質的に直結状態にし、非選択の切替回路の入力端子INと出力端子OUTは電気的に分離する。この状態で、入出力端子DQ(OUTx)から期待値CMDを入力する。
Further, as shown in FIG. 5, when the chip enable signal / CE and the write enable signal / WE are at the “L” level, a command is input to generate the selection signal SS from the selection control circuit 13 (at this time, the output signal is output). Enable signal / OE is at “H” level). The state of the switching
そして、チップイネーブル信号/CEとアウトプットイネーブル信号/OEが“L”レベルの状態(この時、ライトイネーブル信号/WEは“H”レベル)では、切替回路の状態に応じて上記アドレス端子ADD(INx)と入出力端子DQ(OUTx)とが固定される。また、上記入出力端子DQ(OUTx)から出力されるデータDATA1,DATA2は、アドレス端子ADDから入力される信号INxの内容と、図8に例示するような入力端子(入力バッファ)と出力端子(出力バッファ)のペアの組み合わせにより決まる。本例では、入力(出力)端子32本を、出力端子8本と組み合わせており、4グループに分けてアドレス端子A0/A1の“L”レベル/“H”レベルの状態(“L/L”、“H/L”、“L/H”、“H/H”)に応じて組み合わせを切り替えている。よって、入力期待値CMDは、一種類で十分である(組み合わせはアドレス信号A1/A0で切り替える)。 When the chip enable signal / CE and the output enable signal / OE are at "L" level (at this time, the write enable signal / WE is at "H" level), the address terminal ADD ( INx) and the input / output terminal DQ (OUTx) are fixed. Further, the data DATA1 and DATA2 output from the input / output terminal DQ (OUTx) include the contents of the signal INx input from the address terminal ADD, the input terminal (input buffer) and the output terminal (as illustrated in FIG. Output buffer) pair combination. In this example, 32 input (output) terminals are combined with 8 output terminals, and the address terminals A0 / A1 are divided into four groups in the state of “L” level / “H” level (“L / L”). , “H / L”, “L / H”, “H / H”). Therefore, one type of input expected value CMD is sufficient (the combination is switched by the address signal A1 / A0).
すなわち、アドレス端子A0/A1が“L/L”では、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A17〜A24から上記期待値CMDと同じデータDATA1が出力される。アドレス端子A0/A1が“H/L”では、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であればアドレス端子A9〜A16から上記期待値CMDと同じデータDATA2が出力される。アドレス端子A0/A1が“L/H”では、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であれば端子R/B,A2〜A8から上記期待値CMDと同じデータDATA3が出力される。アドレス端子A0/A1が“H/H”では、期待値CMDを入出力端子DQ0〜DQ7から入力すると、接続が正常であれば入出力端子DQ8〜DQ15から上記期待値CMDと同じデータDATA4が出力される。 That is, when the address terminal A0 / A1 is “L / L”, when the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, if the connection is normal, the same data DATA1 as the expected value CMD is output from the address terminals A17 to A24. Is output. When the address terminal A0 / A1 is “H / L”, when the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, the same data DATA2 as the expected value CMD is output from the address terminals A9 to A16 if the connection is normal. The When the address terminal A0 / A1 is “L / H”, when the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, if the connection is normal, the same data DATA3 from the terminals R / B and A2 to A8 as the expected value CMD. Is output. When the address terminal A0 / A1 is “H / H”, when the expected value CMD is input from the input / output terminals DQ0 to DQ7, if the connection is normal, the same data DATA4 as the expected value CMD is output from the input / output terminals DQ8 to DQ15. Is done.
このように、種々の端子のペアを組むことができ、全端子を網羅して全端子に対する接続試験が可能である。 In this way, various terminal pairs can be assembled, and all terminals can be covered and a connection test for all terminals can be performed.
なお、入力端子と出力端子の1対1だけのチェックでは、接続の有無の確認しかできないが、入力/出力データの組み合わせをチェックすることにより、端子間のショート等の異常も検出が可能となる。入力データは任意に入力することができるので、アドレス端子Axと入出力端子DQxの8ペアの組み合わせの場合において、図9及び図10に示すように入力データを順番に8回入力して、その際の出力データをチェックすることにより、端子間のショートによる不良箇所が検出できる。
Note that only a one-to-one check between the input terminal and the output terminal can only confirm the presence / absence of connection, but by checking the combination of input / output data, it is possible to detect an abnormality such as a short circuit between the terminals. . Since input data can be input arbitrarily, in the case of a combination of 8 pairs of address terminal Ax and input / output terminal DQx, input data is
また、アドレス端子A1とA2間で(もしくは入出力端子DQ1とDQ2間で)ショートがある場合には、入力値2と入力値3で入力と異なる出力データとなる。
In addition, when there is a short circuit between the address terminals A1 and A2 (or between the input / output terminals DQ1 and DQ2), the input value 2 and the
このように、入力データと出力データの関係をチェックすることにより、ショートを検出するだけでなく、ショート箇所も特定できる。 In this way, by checking the relationship between input data and output data, not only short-circuits can be detected, but also short-circuit locations can be identified.
従って、上記のような構成によれば、任意の端子に対して、任意の組み合わせの並列データを与え、出力端子から並列データをそのまま出力できるので良否判定が容易である。入力データは自由に設定することができるので、ホスト側での試験自由度が高い。また、試験サイクル数は、(入力端子数÷出力端子数)回に最小化が可能であり、試験時間が短くて済む。更に、接続試験専用の演算回路が不要であり、切替回路(スイッチ)のみで形成できるため、チップ面積に与える影響が小さい。また、専用の試験端子を設ける必要もなく、予め備えている端子のみで接続試験を実行できる。更に、入力データの組み合わせを変えて繰り返し試験すれば、接触不良箇所を特定することも可能となり、不良解析の目的にも流用できる。 Therefore, according to the configuration as described above, it is easy to determine pass / fail because it is possible to give any combination of parallel data to any terminal and output the parallel data as it is from the output terminal. Since input data can be set freely, the degree of freedom in testing on the host side is high. Further, the number of test cycles can be minimized (number of input terminals ÷ number of output terminals) times, and the test time can be shortened. Furthermore, since an arithmetic circuit dedicated to connection testing is not required and can be formed only by a switching circuit (switch), the influence on the chip area is small. In addition, it is not necessary to provide a dedicated test terminal, and the connection test can be performed using only terminals provided in advance. Furthermore, by repeatedly testing by changing the combination of input data, it is possible to identify a contact failure location, which can be used for the purpose of failure analysis.
上述したように、この発明の実施形態によれば、半導体記憶装置の全端子、もしくは任意の端子に対して、半導体記憶装置と、これを実装した回路基板、もしくは、これを一時的に接触させる試験装置との接続試験が可能となる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the semiconductor memory device and the circuit board on which the semiconductor memory device is mounted, or the terminal is temporarily brought into contact with all terminals or arbitrary terminals of the semiconductor memory device. Connection test with test equipment is possible.
また、社内及び/または社外にて、ソケット使用や半田実装状態での任意の端子、もしくは任意の組み合わせの端子に対して、接続試験を容易に行うことができる。 In addition, it is possible to easily perform a connection test on an arbitrary terminal in a socket use state or a solder mounting state, or an arbitrary combination of terminals, in-house and / or outside the company.
更に、入力データの組み合わせを変えて繰り返し試験すれば、接触不良箇所を特定することも可能となり、不良解析目的にも流用できる。この結果、出荷テストの不良分類の簡素化や歩留向上が図れ、時短・合理化も期待できる。 Furthermore, if the test is repeated by changing the combination of input data, it is possible to specify a contact failure location, which can be used for failure analysis purposes. As a result, it is possible to simplify the defect classification of the shipping test and improve the yield, and to expect a reduction in time and rationalization.
以上実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 Although the present invention has been described above using the embodiment, the present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage. . The above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the embodiment, at least one of the problems described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and is described in the column of the effect of the invention. When at least one of the effects is obtained, a configuration in which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
11…半導体チップ(半導体記憶装置)、12…メモリ部、12−1,12−2,12−3,…,12−x…プレーン、13…選択制御回路、14,14−1,…,14−x…切替回路、21,22…インバータ、23,24…外部端子、25,26…ボンディングワイヤ、IN1,IN2,IN3,…,INx…入力端子(入力パッド)、OUT1,OUT2,OUT3,…,OUTx…出力端子(出力パッド)、SS1,SS2,SS3,…,SSx…選択信号、Q1,Q2…Pチャネル型MOSトランジスタ、Q3,Q4…Nチャネル型MOSトランジスタ。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
第1及び第2の端子を有し、前記選択制御回路から出力される選択信号で制御され、前記選択信号が第1のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を直結し、前記選択信号が第2のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を電気的に分離する切替回路と
を具備することを特徴とする半導体装置。 A selection control circuit that operates in response to a command input and outputs a selection signal;
The first and second terminals are controlled by a selection signal output from the selection control circuit, and when the selection signal is at a first level, the first and second terminals are directly connected, and the selection is performed. And a switching circuit for electrically separating the first and second terminals when the signal is at the second level.
前記複数の半導体チップを封止するパッケージと、
前記複数の半導体チップの少なくとも1つに設けられ、コマンドの入力に応答して動作し、選択信号を出力する選択制御回路と、
前記複数の半導体チップの少なくとも1つに設けられ、第1及び第2の端子を有し、前記選択制御回路から出力される選択信号で制御され、前記選択信号が第1のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を直結し、前記選択信号が第2のレベルの時に前記第1及び第2の端子間を電気的に分離する切替回路と
を具備することを特徴とする半導体装置。 A plurality of semiconductor chips;
A package for sealing the plurality of semiconductor chips;
A selection control circuit that is provided in at least one of the plurality of semiconductor chips, operates in response to an input of a command, and outputs a selection signal;
Provided in at least one of the plurality of semiconductor chips, having first and second terminals, controlled by a selection signal output from the selection control circuit, and when the selection signal is at a first level, A switching circuit that directly connects the first and second terminals and electrically isolates the first and second terminals when the selection signal is at a second level.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005083696A JP2006268935A (en) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005083696A JP2006268935A (en) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006268935A true JP2006268935A (en) | 2006-10-05 |
Family
ID=37204735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005083696A Pending JP2006268935A (en) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006268935A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11392478B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-07-19 | Kioxia Corporation | Semiconductor device |
-
2005
- 2005-03-23 JP JP2005083696A patent/JP2006268935A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11392478B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-07-19 | Kioxia Corporation | Semiconductor device |
US11726895B2 (en) | 2019-09-06 | 2023-08-15 | Kioxia Corporation | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8080873B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor package, and method for testing semiconductor device | |
TW523848B (en) | Manufacturing method for semiconductor wafer, semiconductor chip, and semiconductor device | |
US20070051949A1 (en) | Method and arrangment for testing a stacked die semiconductor device | |
JP4103010B2 (en) | Semiconductor wafer | |
KR20070109434A (en) | Method for open test and short test of semiconductor chip and semiconductor test system | |
JP4618598B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2006268935A (en) | Semiconductor device | |
JP2008140530A (en) | Semiconductor device and its test method | |
KR100481184B1 (en) | Semiconductor memory integrated circuit | |
JP2010266254A (en) | Open test circuit of semiconductor device, and semiconductor chip and semiconductor device equipped with open test circuit | |
JP4710443B2 (en) | Multi-chip module | |
US10574238B2 (en) | Inspection circuit, semiconductor storage element, semiconductor device, and connection inspection method | |
KR101024074B1 (en) | Method, device and recording medium for testing multi-chip package | |
JP3963259B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5358125B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor chip crack detection method | |
JP2009004083A (en) | Method for testing operation of semiconductor device, and semiconductor device | |
US11892503B2 (en) | Semiconductor device and test method of semiconductor device | |
JP6509697B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2008090989A (en) | Semiconductor memory device | |
JP4591241B2 (en) | Multi-chip module | |
JP2014160524A (en) | Semiconductor device and test method | |
JP2015041400A (en) | Laminated semiconductor device | |
KR20130069028A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2010287733A (en) | Semiconductor device | |
JP2008309741A (en) | Semiconductor device and evaluation method thereof |