JP2006267154A - Optical device and device for optical monitoring - Google Patents

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康範 岩崎
Akihiro Ide
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To promote small size various optical communication equipment etc., mounted with an optical device by reducing the size and thickness of the optical device. <P>SOLUTION: The optical device 10 has a base 12, an optical component 14 which is mounted on the base 12 and has at least one element, and a transparent gap member 16 which is fixed onto the base 12 to cover the optical component 14 and is a single body and transparent. Then the angle θ between the bottom 22a and side wall 22b of a recessed portion 22 is ≤90° and and the boundary 22c between the bottom 22a and side wall 22b of the recessed portion 22 is curved. Further, the depth (h) of the recessed portion 22 is ≤1.0 mm. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、光素子や光電子集積回路を有する光部品が封止された光デバイスと、該光デバイスを使用した光監視用デバイスに関する。   The present invention relates to an optical device in which an optical component having an optical element or an optoelectronic integrated circuit is sealed, and an optical monitoring device using the optical device.

一般に、光素子や光電子集積回路等の光部品を封止した光デバイスにおいては、高信頼性を得るために、高信頼性を得るために気密(ハーメチック)パッケージが用いられる。   In general, in an optical device in which an optical component such as an optical element or an optoelectronic integrated circuit is sealed, a hermetic package is used to obtain high reliability in order to obtain high reliability.

光部品を気密封止するには光を入出射する透明窓が必要である。通常は、リードの付いた金属のベースに光部品をダイボンドし、予め入出射用ガラスと金属キャップを低融点ガラスあるいは半田で接合しておき、そのキャップとベースを半田や溶接により接合し気密封止を行う方法が一般的である(カンパッケージ)。   In order to hermetically seal optical components, a transparent window for entering and exiting light is required. Normally, optical components are die-bonded to a metal base with leads, and the glass for input / output and the metal cap are joined in advance with low-melting glass or solder, and the cap and base are joined together by soldering or welding for airtightness. The method of stopping is common (can package).

イメージセンサなどのアレイ形状のものを封止する場合も、まず、ベースにチップをダイボンドし、キャップとして予め金属と入射用窓を接合しておいてから、封止する方法が一般的である(特許文献1〜7参照)。   In the case of sealing an array-shaped one such as an image sensor, a method is generally employed in which a chip is die-bonded to a base and a metal and an incident window are bonded in advance as a cap and then sealed ( (See Patent Documents 1 to 7).

また、封止方法として、ベースにダイボンドしたチップに透明樹脂をポッティングし、簡易封止を行う方法もある(特許文献8〜10参照)。   Further, as a sealing method, there is a method of performing simple sealing by potting a transparent resin on a chip die-bonded to a base (see Patent Documents 8 to 10).

なお、簡易な封止構造としては、例えば特許文献11に示すように、ガラス等からなる透明部材に枠部を設け、枠部にて形成される空間に受光エリアを位置させる構造がある。これによれば、実装サイズの小型化、薄型化及び軽量化が可能となる。   As a simple sealing structure, for example, as shown in Patent Document 11, there is a structure in which a frame portion is provided on a transparent member made of glass or the like, and a light receiving area is positioned in a space formed by the frame portion. According to this, the mounting size can be reduced, the thickness can be reduced, and the weight can be reduced.

特開平6−53454号公報JP-A-6-53454 特開平6−120460号公報JP-A-6-120460 特開平6−151620号公報JP-A-6-151620 特開平9−130678号公報JP-A-9-130678 特開平9−321261号公報JP-A-9-32261 特開2002−151705号公報JP 2002-151705 A 特開2002−203920号公報JP 2002-203920 A 特開平5−55537号公報JP-A-5-55537 特開平5−182999号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-182999 特開平8−274290号公報JP-A-8-274290 特開平11−26782号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-26782

ところで、現在の光通信技術において、通信品質の監視技術は重要な項目となっている。中でも光出力の監視については、特に、波長多重通信技術の分野において重要な位置付けを占めている。近年こうした光出力監視技術に対する小型化(薄型)、低コスト化の要求が高まりつつある。   By the way, in the present optical communication technology, the communication quality monitoring technology is an important item. In particular, monitoring of optical output occupies an important position especially in the field of wavelength division multiplexing technology. In recent years, there is an increasing demand for downsizing (thinning) and cost reduction for such optical output monitoring technology.

このような状況において、カンパッケージタイプの封止構造は、部品点数が多くなり、小型化には向かず、しかも、コストダウンや小型化の障害となる。樹脂封止するタイプは、気密的には完全ではなく、耐湿試験で信頼性上問題となる場合がある。   In such a situation, the can package type sealing structure has a large number of parts and is not suitable for miniaturization, and also becomes an obstacle to cost reduction and miniaturization. The resin-encapsulated type is not perfect in terms of airtightness and may cause a problem in reliability in a moisture resistance test.

特許文献11の封止構造は、半導体素子に形成された受光エリアに対して透明部材で気密封止する構造であるが、基台上に実装された半導体素子自体を気密封止する場合は、上述したカンパッケージタイプや樹脂封止タイプにて行うこととなる。また、透明部材の枠部の根元部分が断面直角形状とされている。確かに、受光エリアという微小な面積を覆う場合、直角形状でもよいが、半導体素子自体を覆うには、寸法効果等によって疲労強度が低下し、それに伴って信頼性も低下することとなる。   The sealing structure of Patent Document 11 is a structure in which a light receiving area formed in a semiconductor element is hermetically sealed with a transparent member, but when the semiconductor element itself mounted on the base is hermetically sealed, The above can package type or resin sealed type is used. Moreover, the base part of the frame part of the transparent member has a cross-sectional right-angle shape. Certainly, when covering a small area called a light receiving area, a right-angled shape may be used, but to cover the semiconductor element itself, the fatigue strength decreases due to the size effect or the like, and the reliability decreases accordingly.

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、基台上に実装された少なくとも1つの光素子を有する光部品を単体のキャップ部材で気密封止することができ、光デバイスの小型化及び薄型化を図ることができ、該光デバイスを実装した各種光通信機器等の小型化も促進させることができる光デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such problems, and an optical component having at least one optical element mounted on a base can be hermetically sealed with a single cap member. It is an object of the present invention to provide an optical device that can be reduced in size and thickness, and that can promote the downsizing of various optical communication devices mounted with the optical device.

また、本発明の他の目的は、例えば波長多重通信技術における通信品質の監視に用いられる光監視用デバイスの小型化、薄型化を促進させることができる光監視用デバイスを提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an optical monitoring device capable of promoting the downsizing and thinning of the optical monitoring device used for monitoring the communication quality in the wavelength division multiplexing communication technique, for example.

本発明に係る光デバイスは、基台と、前記基台上に実装され、少なくとも1つの光素子を有する光部品と、前記基台上に前記光部品を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材とを有することを特徴とする。   An optical device according to the present invention includes a base, an optical component mounted on the base and having at least one optical element, and fixed on the base so as to cover the optical component. And a transparent cap member.

これにより、基台上に実装された少なくとも1つの光素子を有する光部品を単体のキャップ部材で気密封止することができ、光デバイスの小型化及び薄型化を図ることができ、該光デバイスを実装した各種光通信機器等の小型化も促進させることができる。   Accordingly, an optical component having at least one optical element mounted on a base can be hermetically sealed with a single cap member, and the optical device can be reduced in size and thickness. It is also possible to promote downsizing of various optical communication devices and the like that are mounted.

そして、前記構成において、前記基台と前記キャップ部材との熱膨張率の差が50×10-7/℃以下であることが好ましい。この場合、前記キャップ部材をガラスにて構成することができる。 And in the said structure, it is preferable that the difference of the thermal expansion coefficient of the said base and the said cap member is 50 * 10 < -7 > / degrees C or less. In this case, the cap member can be made of glass.

前記キャップ部材は、プレス加工で作製されていてもよい。例えば、ガラスを研削で加工すると削痕が残り、そこで光が散乱され損失となる。しかし、プレス加工であれば、鏡面に近い状態に加工することができ、損失を抑えることができる。また、エッチングなどで鏡面にする方法も考えられるが、加工工程とエッチング工程が必要となり、工程が増えてしまう。それに比べプレス加工なら、プレス加工のみで鏡面に近い状態に加工することができ、工程の増加を抑えることができる。これは、コストの低減に有利である。   The cap member may be made by press working. For example, when glass is processed by grinding, a scar remains, and light is scattered and lost. However, if it is press processing, it can process in the state close | similar to a mirror surface, and can suppress loss. Moreover, although the method of making it into a mirror surface by etching etc. is also considered, a process process and an etching process will be needed and a process will increase. On the other hand, if it is press processing, it can process in the state near a mirror surface only by press processing, and it can control an increase in a process. This is advantageous for cost reduction.

前記キャップ部材は、少なくとも1つの凹部を有し、該凹部内に前記光部品が収容されるように、前記基台に固定されていてもよい。この場合、前記凹部の深さが1.0mm以下であることが好ましい。これにより、光デバイスの薄型化をさらに促進させることができる。なお、凹部の深さを3.5mm等にしてもよい。この程度の深さであれば、例えばφ1.5mmのレンズでの集光が可能となる。   The cap member may have at least one recess, and may be fixed to the base so that the optical component is accommodated in the recess. In this case, the depth of the recess is preferably 1.0 mm or less. Thereby, the thinning of the optical device can be further promoted. Note that the depth of the recess may be 3.5 mm or the like. With such a depth, for example, it is possible to collect light with a lens of φ1.5 mm.

また、前記凹部の底部と側壁とのなす角が90°未満であることが好ましい。さらに、好ましくは、前記凹部の底部と側壁との境界部分が湾曲形状とされていることである。前記凹部の底部と側壁との境界部分を断面直角形状にしてもよいが、収容する光部品が後述するように、複数の光素子がアレイ状に配列された光部品とした場合、凹部の寸法、特に、収容容積を大きくする必要が出てくる。その場合、寸法効果等によって、疲労強度が低下することから、応力が集中し易い直角形状の角部分において亀裂が生じ易くなるおそれがある。そこで、前記凹部の底部と側壁とのなす角を90°未満とすることで、応力集中を分散することが可能となり、強度的にも優れたものとなる。   Moreover, it is preferable that the angle | corner which the bottom part and side wall of the said recessed part make is less than 90 degrees. Furthermore, it is preferable that the boundary portion between the bottom portion and the side wall of the concave portion has a curved shape. The boundary portion between the bottom and the side wall of the recess may have a right-angled cross section. However, when the optical component to be accommodated is an optical component in which a plurality of optical elements are arranged in an array as will be described later, the size of the recess In particular, it is necessary to increase the accommodation volume. In this case, fatigue strength is reduced due to dimensional effects and the like, and there is a risk that cracks are likely to occur at the corners of a right-angled shape where stress is likely to concentrate. Therefore, by making the angle formed between the bottom of the concave portion and the side wall less than 90 °, it is possible to disperse the stress concentration and to improve the strength.

また、前記構成において、前記光部品は、複数の光素子がアレイ状に配列されていてもよい。   In the above configuration, the optical component may include a plurality of optical elements arranged in an array.

次に、本発明に係る光監視用デバイスは、1以上の光伝達手段と、前記光伝達手段に設けられ、該光伝達手段を伝搬する信号光の一部を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段からの分岐光を受光する光デバイスとを有する光監視用デバイスであって、前記光デバイスは、基台と、前記基台上に実装され、前記分岐光を受光する少なくとも1つの受光素子を有する光部品と、前記基台上に前記光部品を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材とを有することを特徴とする。   Next, an optical monitoring device according to the present invention includes at least one optical transmission unit, an optical branching unit provided in the optical transmission unit, and branching a part of signal light propagating through the optical transmission unit, An optical monitoring device having an optical device for receiving the branched light from the optical branching means, the optical device being mounted on the base and at least one light receiving the branched light An optical component having an element and a cap member that is fixed on the base so as to cover the optical component, and that is a single member and is transparent.

これにより、例えば波長多重通信技術における通信品質の監視に用いられる光監視用デバイスの小型化、薄型化を促進させることができる。   Thereby, for example, the downsizing and thinning of the optical monitoring device used for monitoring the communication quality in the wavelength division multiplexing communication technology can be promoted.

以上説明したように、本発明に係る光デバイスによれば、基台上に実装された少なくとも1つの光素子を有する光部品を単体のキャップ部材で気密封止することができ、光デバイスの小型化及び薄型化を図ることができ、該光デバイスを実装した各種光通信機器等の小型化も促進させることができる。   As described above, according to the optical device according to the present invention, an optical component having at least one optical element mounted on a base can be hermetically sealed with a single cap member, and the optical device can be compact. The size and thickness of the optical device can be reduced, and the downsizing of various optical communication devices mounted with the optical device can be promoted.

また、本発明に係る光監視用デバイスによれば、例えば波長多重通信技術における通信品質の監視に用いられる光監視用デバイスの小型化、薄型化を促進させることができる。   Further, according to the optical monitoring device according to the present invention, it is possible to promote the downsizing and thinning of the optical monitoring device used for monitoring the communication quality in the wavelength division multiplexing communication technology, for example.

以下、本発明に係る光デバイス及び光監視用デバイスの実施の形態例を図1〜図15を参照しながら説明する。   Embodiments of an optical device and an optical monitoring device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

まず、本実施の形態に係る光デバイス10は、図1A及び図1Bに示すように、基台12と、該基台12上に実装され、少なくとも1つの光素子を有する光部品14と、基台12上に光部品14を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材16とを有する。基台12上には光部品14に電気的に接続される配線18が形成され、該配線18は基台12を貫通するリード20を通じて外部に導出されるようになっている。   First, as shown in FIGS. 1A and 1B, an optical device 10 according to the present embodiment includes a base 12, an optical component 14 mounted on the base 12, and having at least one optical element, and a base. It is fixed on the base 12 so as to cover the optical component 14 and has a single and transparent cap member 16. A wiring 18 electrically connected to the optical component 14 is formed on the base 12, and the wiring 18 is led out to the outside through a lead 20 that penetrates the base 12.

基台12とキャップ部材16との熱膨張率の差は、50×10-7/℃以下となっている。この実施の形態では、キャップ部材16をガラスにて構成している。 The difference in coefficient of thermal expansion between the base 12 and the cap member 16 is 50 × 10 −7 / ° C. or less. In this embodiment, the cap member 16 is made of glass.

また、図2にも示すように、キャップ部材16は、少なくとも1つの凹部22を有し、該凹部22内に光部品14が収容されるように基台12に固定されている。この場合、凹部22の深さhが1.0mm以下であることが好ましい。これにより、光デバイス10の薄型化をさらに促進させることができる。なお、凹部22の深さhを3.5mm等にしてもよい。この程度の深さであれば、例えばφ1.5mmのレンズでの集光が可能となる。   Further, as shown in FIG. 2, the cap member 16 has at least one recess 22 and is fixed to the base 12 so that the optical component 14 is accommodated in the recess 22. In this case, it is preferable that the depth h of the recess 22 is 1.0 mm or less. Thereby, thickness reduction of the optical device 10 can further be promoted. The depth h of the recess 22 may be set to 3.5 mm or the like. With such a depth, for example, it is possible to collect light with a lens of φ1.5 mm.

また、凹部22の底部22aと側壁22bとのなす角θを90°未満とし、さらに、凹部22の底部22aと側壁22bとの境界部分22cを湾曲形状としている。もちろん、前記境界部分18cを断面直角形状にしてもよいが、収容する光部品14として、例えば図3A〜図3Cに示す変形例に係る光デバイス10aのように、複数の光素子がアレイ状に配列された光部品24とした場合、凹部22の寸法、特に、収容容積を大きくする必要が出てくる。その場合、寸法効果等によって、疲労強度が低下することから、応力が集中し易い直角形状の角部分において亀裂が生じ易くなるおそれがある。そこで、図2の場合と同様に、凹部22の底部22aと側壁22bとのなす角を90°未満とすることで、応力集中を分散することが可能となり、強度的にも優れたものとなる。   Further, the angle θ formed by the bottom 22a of the recess 22 and the side wall 22b is less than 90 °, and the boundary portion 22c between the bottom 22a and the side wall 22b of the recess 22 is curved. Of course, the boundary portion 18c may have a right-angle cross section, but as the optical component 14 to be accommodated, a plurality of optical elements are arranged in an array like the optical device 10a according to the modification shown in FIGS. 3A to 3C, for example. In the case of the arranged optical components 24, it is necessary to increase the size of the concave portion 22, in particular, the accommodation volume. In this case, fatigue strength is reduced due to dimensional effects and the like, and there is a risk that cracks are likely to occur at the corners of a right-angled shape where stress is likely to concentrate. Therefore, as in the case of FIG. 2, by making the angle formed between the bottom 22a of the recess 22 and the side wall 22b less than 90 °, it is possible to disperse the stress concentration and to improve the strength. .

なお、変形例に係る光デバイス10aは、図3A〜図3Bに示すように、表面実装が可能でリード20が基台12に対して水平に取り付けられ、光部品24として12チャネルフォトダイオードのチップを実装した光デバイスとなっている。   3A to 3B, the optical device 10a according to the modification can be surface-mounted, the leads 20 are mounted horizontally with respect to the base 12, and a 12-channel photodiode chip as the optical component 24 It is an optical device mounted with.

このように、本実施の形態に係る光デバイス10(変形例に係る光デバイス10aを含む)においては、基台12上に実装された少なくとも1つの光素子を有する光部品14(又は24)を単体のキャップ部材16で気密封止することができ、光デバイス10(及び10a)の小型化及び薄型化を図ることができ、該光デバイス10(及び10a)を実装した各種光通信機器等の小型化も促進させることができる。   As described above, in the optical device 10 according to the present embodiment (including the optical device 10a according to the modification), the optical component 14 (or 24) having at least one optical element mounted on the base 12 is provided. The single cap member 16 can be hermetically sealed, and the optical device 10 (and 10a) can be reduced in size and thickness, and various optical communication devices mounted with the optical device 10 (and 10a) can be used. Miniaturization can also be promoted.

次に、本実施の形態に係る光監視用デバイス100について図4及び図5を参照しながら説明する。   Next, the optical monitoring device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

この実施の形態に係る光監視用デバイス100は、図4に示すように、上述した変形例に係る光デバイス10aと、光分岐デバイス102とが接合されて構成されている。この場合、光監視用デバイス100に実装される光部品24は、複数の受光素子(フォトダイオード)が配列されたPDアレイ104となる。   As shown in FIG. 4, the optical monitoring device 100 according to this embodiment is configured by joining the optical device 10 a according to the above-described modification and the optical branching device 102. In this case, the optical component 24 mounted on the optical monitoring device 100 is a PD array 104 in which a plurality of light receiving elements (photodiodes) are arranged.

光分岐デバイス102は、基板106と、該基板106に設けられた複数のV溝(図示せず)に固定された1以上の光ファイバ108からなる光ファイバアレイ110と、各光ファイバ108の各上面から基板106にかけて設けられたスリット112(図5参照)と、該スリット112内に挿入された光分岐部材114とを有する。このスリット112と光分岐部材114は光分岐手段116として機能することとなる。   The optical branching device 102 includes a substrate 106, an optical fiber array 110 including one or more optical fibers 108 fixed to a plurality of V grooves (not shown) provided on the substrate 106, and each optical fiber 108. A slit 112 (see FIG. 5) provided from the upper surface to the substrate 106 and an optical branching member 114 inserted into the slit 112 are provided. The slit 112 and the light branching member 114 function as the light branching means 116.

また、光分岐デバイス102の基板106のうち、光ファイバアレイ110が固定された面と、光デバイス10aのキャップ部材16の上面とが対向され、さらに、基板106に設けられたスペーサ118を介してこれら光分岐デバイス102と光デバイス10aとが接合されている。   In addition, the surface of the substrate 106 of the optical branching device 102 on which the optical fiber array 110 is fixed and the upper surface of the cap member 16 of the optical device 10 a are opposed to each other, and further, via a spacer 118 provided on the substrate 106. The optical branching device 102 and the optical device 10a are joined.

光分岐デバイス102と光デバイス10aの周辺部分には固定用樹脂120が介在され、光分岐デバイス102の少なくともスリット112が形成された部分と光デバイス10aのキャップ部材16の上面との間には屈折率整合材122が介在される。屈折率整合材122は、その屈折率が、光ファイバ108のコアの屈折率や光分岐部材114の例えば石英基板の屈折率とほぼ同じになるように、シリコーン系の樹脂を用いることができる。   The fixing resin 120 is interposed between the optical branching device 102 and the peripheral portion of the optical device 10a, and refraction is made between the portion of the optical branching device 102 where the slit 112 is formed and the upper surface of the cap member 16 of the optical device 10a. A rate matching material 122 is interposed. The refractive index matching material 122 can be made of a silicone-based resin so that the refractive index thereof is substantially the same as the refractive index of the core of the optical fiber 108 or the refractive index of the optical branching member 114 such as a quartz substrate.

そして、図5に示すように、各光ファイバ108を透過する信号光124のうち、少なくとも光分岐部材114等にて分岐された光(分岐光)126が光ファイバ108外に出射されて、屈折率整合材122及びキャップ部材16を介してPDアレイ104に入射されることになる。   As shown in FIG. 5, out of the signal light 124 transmitted through each optical fiber 108, light (branched light) 126 branched at least by the optical branching member 114 or the like is emitted out of the optical fiber 108 and refracted. The light is incident on the PD array 104 through the rate matching material 122 and the cap member 16.

なお、図5に示すように、スリット112の傾斜角度αは、15°〜25°とした。傾斜角度αが小さすぎると、光分岐部材114からの分岐光126の広がりが大きくなりすぎてしまい、多チャネルに適用した場合に、クロストークの悪化を招くおそれがある。一方、傾斜角度αが大きすぎると、光分岐部材114からの分岐光126の偏光依存性が大きくなり、特性の劣化につながるおそれがあるからである。   In addition, as shown in FIG. 5, the inclination | tilt angle (alpha) of the slit 112 was 15 degrees-25 degrees. When the inclination angle α is too small, the spread of the branched light 126 from the light branching member 114 becomes too large, and there is a possibility that the crosstalk is deteriorated when applied to a multi-channel. On the other hand, if the inclination angle α is too large, the polarization dependency of the branched light 126 from the light branching member 114 increases, which may lead to deterioration of characteristics.

このように、本実施の形態に係る光監視用デバイス100においては、変形例に係る光デバイス10aを用いるようにしたので、例えば波長多重通信技術における通信品質の監視に用いられる光監視用デバイスの小型化、薄型化を促進させることができる。   Thus, in the optical monitoring device 100 according to the present embodiment, since the optical device 10a according to the modification is used, for example, the optical monitoring device used for monitoring the communication quality in the wavelength division multiplexing communication technology is used. Reduction in size and thickness can be promoted.

次に、図1A及び図1Bに示す本実施の形態に係る光デバイス10の実施例(第1の実施例に係る光デバイス200A)について図2、図6A〜図9Bを参照しながら説明する。   Next, an example of the optical device 10 according to the present embodiment shown in FIGS. 1A and 1B (optical device 200A according to the first example) will be described with reference to FIGS. 2 and 6A to 9B.

第1の実施例に係る光デバイス200Aは、図6A及び図6Bに示すように、φ5mmのアルミナ(Al2O3)製の基台12上に金(Au)で配線18を施した。この基台12上にフォトダイオードのチップ(以下、PDチップ202と記す)にて構成された光部品14を実装する。PDチップ202の実装はAu半田で行った。Au半田に代えて銀ペーストなどの樹脂を用いてもよい。また、基台12にはコバールなどの金属を用いてガラス封止したピン上にPDチップ202を実装してもよい。   In the optical device 200A according to the first example, as shown in FIGS. 6A and 6B, wiring 18 is provided with gold (Au) on a base 12 made of alumina (Al 2 O 3) with a diameter of 5 mm. On the base 12, an optical component 14 composed of a photodiode chip (hereinafter referred to as a PD chip 202) is mounted. The PD chip 202 was mounted with Au solder. A resin such as a silver paste may be used in place of the Au solder. Moreover, the PD chip 202 may be mounted on the base 12 on a glass-sealed pin using a metal such as Kovar.

第1の実施例に係る光デバイス200Aでは、受光部分の大きさ(受光径)がφ80μm、サイズが0.4mm(縦)×0.4mm(横)×0.3mm(厚み)の裏面入射型のPDチップ202を用いた。もちろん、表面入射型のPDチップを用いてもよい。   In the optical device 200A according to the first embodiment, the back-illuminated type in which the size of the light receiving portion (light receiving diameter) is φ80 μm and the size is 0.4 mm (vertical) × 0.4 mm (horizontal) × 0.3 mm (thickness). PD chip 202 was used. Of course, a front-illuminated PD chip may be used.

図7A〜図7Cに示すように、キャップ部材16としてコバールガラス204を用いた。PDチップ202を覆うように収容するためにコバールガラス204をプレス加工し、コバールガラス204に窪み(凹部22)を形成し、キャップ形状に成形した。プレス加工では、PDチップ202を収容するのに十分な広さと高さの窪み(凹部22)を有するキャップ形状に加工した。また、このプレス加工においては、例えば図2に示すように、凹部22の底部22aとPDチップ202との距離Lは、凹部22の底部22aがPDチップ202に接触しない程度で十分であるが、この第1の実施例では、凹部22の径D(図7A参照)をφ1.0mm、凹部22の深さhを0.4mmとした。なお、このプレス加工においては、光を集光するためにキャップ部材16をレンズ形状にプレスし、さらに、PDチップ202を収容可能な形状としてもよい。また、このプレス加工においては、プレス加工後の凹部22の形状、特に、図2に示すように、凹部22の底部22aと側壁22bとのなす角θは、例えば半田によって封止したとき等に応力が集中しないように直角ではなく、テーパー(凹部22の底部22aが平坦である場合に、その平坦面を基準として55°)が形成されるように成形を行った。   As shown in FIGS. 7A to 7C, Kovar glass 204 was used as the cap member 16. In order to accommodate the PD chip 202 so as to cover it, the Kovar glass 204 was pressed to form a recess (concave portion 22) in the Kovar glass 204 and formed into a cap shape. In the press processing, the cap was processed into a cap shape having a recess (concave portion 22) having a width and height sufficient to accommodate the PD chip 202. In this pressing, for example, as shown in FIG. 2, the distance L between the bottom 22a of the recess 22 and the PD chip 202 is sufficient so that the bottom 22a of the recess 22 does not contact the PD chip 202. In the first embodiment, the diameter D (see FIG. 7A) of the recess 22 is φ1.0 mm, and the depth h of the recess 22 is 0.4 mm. In this pressing process, the cap member 16 may be pressed into a lens shape in order to collect light, and the PD chip 202 may be accommodated. In this pressing, the shape of the recess 22 after the pressing, particularly the angle θ formed between the bottom 22a and the side wall 22b of the recess 22, as shown in FIG. Molding was performed so that a taper (55 ° with respect to the flat surface when the bottom 22a of the recess 22 is flat) was formed instead of a right angle so that the stress was not concentrated.

キャップ部材16の受光窓となる部分(凹部22の底部22a)の厚みt(図2参照)は、この第1の実施例では0.1mmとした。また、基台12に実装されたPDチップ202にキャップ部材16をかぶせたときのPDチップ202の表面と凹部22の底部22aとの距離L(図2参照)が0.1mmとなるように設計した。表面入射型のPDチップを用いる場合は、ワイアボンドが凹部22の底部22aに接触しないように設計を行えばよい。   The thickness t (see FIG. 2) of the portion (the bottom 22a of the recess 22) that becomes the light receiving window of the cap member 16 was set to 0.1 mm in the first embodiment. The distance L (see FIG. 2) between the surface of the PD chip 202 and the bottom 22a of the recess 22 when the cap member 16 is placed on the PD chip 202 mounted on the base 12 is designed to be 0.1 mm. did. When a front-illuminated PD chip is used, the wire bond may be designed so as not to contact the bottom 22 a of the recess 22.

キャップ部材16のPDチップ202側の面、すなわち、凹部22の底部22aは、光が入射したときにPDチップ202の表面と凹部22の底部22aにおいてエタロン効果により干渉が起こる可能性があるので、ARコートを行うのが望ましい。あるいはPDチップ202の表面と凹部22の底部22a(平坦面)とを非平行にして、干渉を防ぐようにしてもよい。   Since the surface of the cap member 16 on the PD chip 202 side, that is, the bottom 22a of the recess 22 may interfere with the surface of the PD chip 202 and the bottom 22a of the recess 22 due to the etalon effect when light enters, It is desirable to perform AR coating. Alternatively, interference may be prevented by making the surface of the PD chip 202 and the bottom 22a (flat surface) of the recess 22 non-parallel.

プレス加工を終えたコバールガラス204からキャップ部材16を作製する際に、凹部22以外の部分であって、基台12との封止が行われる部分(封止部分)にTi/Pt/Auの多層膜による枠状のメタライズパターン206(図7A参照)をスパッタで形成した。その後、コバールガラス204をφ4mmにカットしてキャップ部材16を作製した。   When the cap member 16 is produced from the Kovar glass 204 that has been pressed, a portion other than the concave portion 22 that is sealed with the base 12 (sealing portion) is made of Ti / Pt / Au. A frame-like metallized pattern 206 (see FIG. 7A) using a multilayer film was formed by sputtering. Thereafter, the Kovar glass 204 was cut into φ4 mm to produce the cap member 16.

基台12上にもPDチップ202を囲むように、Ti/Pt/Auの多層膜による枠状のメタライズパターン208(図6A参照)をスパッタにて形成した。基台12上への枠状のメタライズパターン208の面積は、コバールガラス204への枠状のメタライズパターン206の面積よりも大きい面積とした。なお、これらメタライズパターン206及び208の面積は、基台12へのメタライズパターン208の面積が、コバールガラス204へのメタライズパターン206の面積よりも大きくても、あるいは小さくても、あるいは同じでもよい。また、シール用の低融点ガラスを用いる場合は、これらメタライズパターン206及び208の形成を省略してもよい。   A frame-like metallized pattern 208 (see FIG. 6A) made of a Ti / Pt / Au multilayer film was also formed on the base 12 so as to surround the PD chip 202 by sputtering. The area of the frame-like metallized pattern 208 on the base 12 was larger than the area of the frame-like metallized pattern 206 on the Kovar glass 204. The areas of the metallized patterns 206 and 208 may be the same as the area of the metallized pattern 208 on the base 12 or larger or smaller than the area of the metallized pattern 206 on the kovar glass 204. Further, when a low-melting glass for sealing is used, the formation of these metallized patterns 206 and 208 may be omitted.

その後、図8Aに示すように、キャップ部材16と基台12間にAuSn半田層210を挟み、その後、図8Bに示すように、上方から荷重を加えてリフロー工程に投入することで、図9A及び図9Bに示すように、この第1の実施例に係る光デバイス200Aを作製した。図8Aに示すAuSn半田層210は、枠状にプリフォームしたものを使用した。プリフォームの大きさはコバールガラス204へのメタライズパターン206(図7A参照)と同じ形状にし、厚さ50μmとした。図8Bに示す荷重は900g/cm2とし、リフロー温度は、最高で300℃とし、280℃以上3分間保持した。 Thereafter, as shown in FIG. 8A, the AuSn solder layer 210 is sandwiched between the cap member 16 and the base 12, and then, as shown in FIG. And as shown to FIG. 9B, the optical device 200A based on this 1st Example was produced. As the AuSn solder layer 210 shown in FIG. 8A, a frame-preformed layer was used. The size of the preform was the same shape as the metallized pattern 206 (see FIG. 7A) on the Kovar glass 204, and the thickness was 50 μm. The load shown in FIG. 8B was 900 g / cm 2 , the reflow temperature was 300 ° C. at maximum, and the temperature was maintained at 280 ° C. or higher for 3 minutes.

このとき、基台12(アルミナ)とキャップ部材16(コバールガラス204)の熱膨張率の差は15×10-7/℃程度であり、熱応力の差によるキャップ部材16の割れは発生しない。従って、キャップ部材16と基台12の熱膨張率の差は50×10-7/℃以下であれば割れは発生しない。 At this time, the difference in coefficient of thermal expansion between the base 12 (alumina) and the cap member 16 (Kovar glass 204) is about 15 × 10 −7 / ° C., and the crack of the cap member 16 due to the difference in thermal stress does not occur. Therefore, if the difference in the coefficient of thermal expansion between the cap member 16 and the base 12 is 50 × 10 −7 / ° C. or less, cracks do not occur.

上述の封止方法で行った第1の実施例に係る光デバイス200Aをリークチェックしたところ、10-8(Pa・m3/s)台と良好な封止結果が得られた。信頼性試験並びに液槽熱衝撃試験(0℃→100℃×15サイクル、保持時間5分)においてもリークの劣化は観察されず、良好な封止結果を得られた。 When the leak check was performed on the optical device 200A according to the first example performed by the above-described sealing method, a favorable sealing result of 10 −8 (Pa · m 3 / s) was obtained. In the reliability test and the liquid tank thermal shock test (0 ° C. → 100 ° C. × 15 cycles, holding time 5 minutes), no deterioration of leakage was observed, and good sealing results were obtained.

次に、図3A〜図3Cに示す変形例に係る光デバイス10aの実施例(第2の実施例に係る光デバイス200B)について図2、図10A〜図13Cを参照しながら説明する。   Next, an example of the optical device 10a according to the modification shown in FIGS. 3A to 3C (an optical device 200B according to the second example) will be described with reference to FIGS. 2 and 10A to 13C.

第2の実施例に係る光デバイスは、図10A〜図10Cに示すように、アルミナ(Al23)製の基台12上に金(Au)で配線18を施した。この基台12上に光部品24として12チャネルフォトダイオードのチップ(以下、12chPDチップ212と記す)を実装する。12chPDチップ212の実装はACP(異方性導伝ペースト)を用いた。ACPに代えてAuGe、AuSnなどの半田や銀ペーストなどの樹脂を用いてもよい。基台12は表面実装が可能でリード20が基台12に対して水平に取り付けられた表面実装型のものを用いた。 In the optical device according to the second example, as shown in FIGS. 10A to 10C, wiring 18 was applied with gold (Au) on a base 12 made of alumina (Al 2 O 3 ). A 12-channel photodiode chip (hereinafter referred to as a 12ch PD chip 212) is mounted on the base 12 as the optical component 24. The 12ch PD chip 212 was mounted using ACP (anisotropic conductive paste). Instead of ACP, solder such as AuGe or AuSn, or resin such as silver paste may be used. The base 12 is a surface-mount type that can be surface-mounted and the leads 20 are mounted horizontally to the base 12.

第2の実施例に係る光デバイス200Bでは、受光部分の大きさ(受光径)がφ80μm、サイズが0.5mm(縦)×3.0mm(横)×0.2mm(厚み)の裏面入射型の12chPDチップ212を用いた。もちろん、表面入射型の12chPDチップを用いてもよい。   In the optical device 200B according to the second embodiment, the back-illuminated type in which the size of the light receiving portion (light receiving diameter) is φ80 μm and the size is 0.5 mm (vertical) × 3.0 mm (horizontal) × 0.2 mm (thickness). 12ch PD chip 212 was used. Of course, a front-illuminated 12ch PD chip may be used.

図11A〜図11Cに示すように、キャップ部材16としてコバールガラス204を用いた。12chPDチップ212を覆うように収容するためにコバールガラス204をプレス加工し、コバールガラス204に窪み(凹部22)を形成し、キャップ形状に成形した。プレス加工では、12chPDチップ212を収容するのに十分な広さと高さの直方体の窪み(凹部22)を有するキャップ形状に加工した。このとき、このプレス加工においては、図2に示す場合と同様に、凹部22の底部22aと12chPDチップ212との距離Lは、凹部22の底部22aが12chPDチップ212に接触しない程度で十分であるが、この第2の実施例では、図11A〜図11Cに示すように、1.0(縦)×4.0(横)×0.3mm(深さ)の窪み(凹部22)を作製した。なお、このプレス加工においては、光を集光するためにキャップ部材16をレンズ形状にプレスし、さらに、12chPDチップ212を収容可能な形状としてもよい。また、このプレス加工においては、プレス加工後の凹部22の形状、図2に示す場合と同様に、特に、凹部22の底部22aと側壁22bとのなす角θは、例えば半田によって封止したとき等に応力が集中しないように直角ではなく、テーパー(凹部22の底部22aが平坦である場合に、その平坦面を基準として55°)を形成されるように成形を行った。   As shown in FIGS. 11A to 11C, Kovar glass 204 was used as the cap member 16. In order to accommodate the 12ch PD chip 212 so as to cover it, the Kovar glass 204 was pressed to form a recess (concave portion 22) in the Kovar glass 204, and formed into a cap shape. In the press working, the cap was formed into a rectangular parallelepiped recess (concave portion 22) having a width and height sufficient to accommodate the 12ch PD chip 212. At this time, in this press work, as in the case shown in FIG. 2, the distance L between the bottom 22a of the recess 22 and the 12ch PD chip 212 is sufficient so that the bottom 22a of the recess 22 does not contact the 12ch PD chip 212. However, in this second embodiment, as shown in FIGS. 11A to 11C, a depression (concave portion 22) of 1.0 (vertical) × 4.0 (horizontal) × 0.3 mm (depth) was produced. . In this pressing process, the cap member 16 may be pressed into a lens shape to collect light, and the 12ch PD chip 212 may be accommodated. Further, in this pressing, as in the case of the shape of the recess 22 after the pressing, as shown in FIG. 2, in particular, the angle θ formed between the bottom 22 a and the side wall 22 b of the recess 22 is, for example, sealed with solder In order to prevent stress from concentrating on the surface, molding was performed such that a taper (55 ° with respect to the flat surface when the bottom 22a of the recess 22 is flat) was formed instead of a right angle.

また、図2に示す場合と同様に、キャップ部材16の受光窓となる部分(凹部22の底部22a)の厚みtは、この第2の実施例では0.1mmとした。また、基台12に実装された12chPDチップ212にキャップ部材16をかぶせたときの12chPDチップ212の表面と凹部22の底部22aとの距離Lが0.1mmとなるように設計した。表面入射型の12chPDチップを用いる場合は、ワイアボンドが凹部22の底部22aに接触しないように設計を行えばよい。   Similarly to the case shown in FIG. 2, the thickness t of the portion (the bottom 22a of the recess 22) that becomes the light receiving window of the cap member 16 is set to 0.1 mm in this second embodiment. In addition, the distance L between the surface of the 12ch PD chip 212 and the bottom 22a of the recess 22 when the cap member 16 is put on the 12ch PD chip 212 mounted on the base 12 is designed to be 0.1 mm. When a front-illuminated 12ch PD chip is used, the wire bond may be designed so as not to contact the bottom 22a of the recess 22.

キャップ部材16の12chPDチップ212側の面、すなわち、凹部22の底部22aは、光が入射したときに12chPDチップ212の表面と凹部22の底部22aにおいてエタロン効果により干渉が起こる可能性があるので、ARコートを行うのが望ましい。あるいは12chPDチップ212の表面と凹部22の底部22a(平坦面)とを非平行にして、干渉を防ぐようにしてもよい。   Since the surface of the cap member 16 on the 12ch PD chip 212 side, that is, the bottom 22a of the recess 22 may interfere with the surface of the 12ch PD chip 212 and the bottom 22a of the recess 22 due to the etalon effect when light is incident, It is desirable to perform AR coating. Alternatively, interference may be prevented by making the surface of the 12ch PD chip 212 and the bottom 22a (flat surface) of the recess 22 non-parallel.

プレス加工を終えたコバールガラス204からキャップ部材16を作製する際に、凹部22以外の部分であって、基台12との封止が行われる部分(封止部分)にTi/Pt/Auの多層膜による枠状のメタライズパターン206(図11A参照)をスパッタで形成した。その後、コバールガラス204を7.0×6.0mmにカットしてキャップ部材16を作製した。   When the cap member 16 is produced from the Kovar glass 204 that has been pressed, a portion other than the concave portion 22 that is sealed with the base 12 (sealing portion) is made of Ti / Pt / Au. A frame-like metallized pattern 206 (see FIG. 11A) made of a multilayer film was formed by sputtering. Thereafter, the Kovar glass 204 was cut into 7.0 × 6.0 mm to produce the cap member 16.

基台12上にも12chPDチップ212を囲むように、Ti/Pt/Auの多層膜による枠状のメタライズパターン208(図10A参照)をスパッタにて形成した。基台12上への枠状のメタライズパターン208の面積は、コバールガラス204への枠状のメタライズパターン206の面積よりも大きい面積とした。なお、これらメタライズパターン206及び208の面積は、基台12へのメタライズパターン208の面積が、コバールガラス204へのメタライズパターン206の面積よりも大きくても、あるいは小さくても、あるいは同じでもよい。また、シール用の低融点ガラスを用いる場合は、これらメタライズパターン206及び208の形成を省略してもよい。   A frame-like metallized pattern 208 (see FIG. 10A) made of a multilayer film of Ti / Pt / Au was also formed on the base 12 so as to surround the 12ch PD chip 212 by sputtering. The area of the frame-like metallized pattern 208 on the base 12 was larger than the area of the frame-like metallized pattern 206 on the Kovar glass 204. The areas of the metallized patterns 206 and 208 may be the same as the area of the metallized pattern 208 on the base 12 or larger or smaller than the area of the metallized pattern 206 on the kovar glass 204. Further, when a low-melting glass for sealing is used, the formation of these metallized patterns 206 and 208 may be omitted.

その後、図12Aに示すように、キャップ部材16と基台12間にAuSn半田層210を挟み、その後、図12Bに示すように、上方から荷重を加えてリフロー工程に投入することで、図13A〜図13Cに示すように、この第2の実施例に係る光デバイス200Bを作製した。図12Aに示すAuSn半田層210は、枠状にプリフォームしたものを使用した。プリフォームの大きさはコバールガラス204へのメタライズパターン206(図11A参照)と同じ形状にし、厚さ50μmとした。図12Bに示す荷重は900g/cm2とし、リフロー温度は、最高で300℃とし、280℃以上3分間保持した。 Thereafter, as shown in FIG. 12A, the AuSn solder layer 210 is sandwiched between the cap member 16 and the base 12, and then, as shown in FIG. As shown in FIG. 13C, an optical device 200B according to the second example was manufactured. The AuSn solder layer 210 shown in FIG. 12A was pre-formed in a frame shape. The size of the preform was the same as the metallized pattern 206 (see FIG. 11A) on the Kovar glass 204, and the thickness was 50 μm. The load shown in FIG. 12B was 900 g / cm 2 , the reflow temperature was 300 ° C. at the maximum, and the temperature was maintained at 280 ° C. or higher for 3 minutes.

このとき、基台12(アルミナ)とキャップ部材16(コバールガラス204)の熱膨張率の差は15×10-7/℃程度であり、熱応力の差によるキャップ部材16の割れは発生しない。従って、キャップ部材16と基台12の熱膨張率の差は50×10-7/℃以下であれば割れは発生しない。 At this time, the difference in coefficient of thermal expansion between the base 12 (alumina) and the cap member 16 (Kovar glass 204) is about 15 × 10 −7 / ° C., and the crack of the cap member 16 due to the difference in thermal stress does not occur. Therefore, if the difference in the coefficient of thermal expansion between the cap member 16 and the base 12 is 50 × 10 −7 / ° C. or less, cracks do not occur.

上述の封止方法で行った第2の実施例に係る光デバイス200Bをリークチェックしたところ、10-8(Pa・m3/s)台と良好な封止結果が得られた。 When the leak check was performed on the optical device 200B according to the second example performed by the above-described sealing method, a favorable sealing result of 10 −8 (Pa · m 3 / s) was obtained.

次に、図4に示す本実施の形態に係る光監視用デバイス100の実施例(第3の実施例に係る光監視用デバイス200C)について図14及び図15を参照しながら説明する。   Next, an example of the optical monitoring device 100 according to the present embodiment shown in FIG. 4 (an optical monitoring device 200C according to a third example) will be described with reference to FIGS.

この第3の実施例に係る光監視用デバイス200Cは、上述した第2の実施例に係る光デバイスの上に図4に示す光分岐デバイス102を接合することで作製される。   The optical monitoring device 200C according to the third embodiment is manufactured by joining the optical branching device 102 shown in FIG. 4 on the optical device according to the second embodiment.

まず、光分岐デバイス102においては、250μmの配列ピッチで整列させた12chの光ファイバアレイ110に30μmのスリット112を作製し、このスリット112内に25μmの光分岐部材114(図5参照)を挿入した。この光分岐部材114は、反射率7%のものを使用し、分岐した光(分岐光126)は光ファイバ108の上面に対して垂直に立ち上がるように分岐光126の光路の設計をした。   First, in the optical branching device 102, a 30 μm slit 112 is formed in a 12-channel optical fiber array 110 aligned at an arrangement pitch of 250 μm, and a 25 μm optical branching member 114 (see FIG. 5) is inserted into the slit 112. did. The light branching member 114 has a reflectance of 7%, and the optical path of the branched light 126 is designed so that the branched light (branched light 126) rises perpendicularly to the upper surface of the optical fiber 108.

光ファイバアレイ110からの分岐光126が、第2の実施例に係る光デバイス200Bの12chPDアレイ212に対して、キャップ部材16における凹部22の底部22a(図5参照)を介して入射するように、ピーク調芯を行った。このとき、光分岐デバイス102と第2の実施例に係る光デバイス200Bの周辺部分に固定用樹脂120を塗布し、光ファイバアレイ110とキャップ部材16の間(光分岐デバイス102の基板106上に固定したスペーサ118にて区画される空間)に屈折率整合材122を入れ、屈折率のマッチングを行った。そして、図15に示すように、調芯した状態で12chPDアレイ212と光ファイバアレイ110を固定してこの第3の実施例に係る光監視用デバイス200Cを作製した。   The branched light 126 from the optical fiber array 110 is incident on the 12ch PD array 212 of the optical device 200B according to the second embodiment via the bottom 22a (see FIG. 5) of the recess 22 in the cap member 16. , Peak alignment was performed. At this time, the fixing resin 120 is applied to the periphery of the optical branching device 102 and the optical device 200B according to the second embodiment, and between the optical fiber array 110 and the cap member 16 (on the substrate 106 of the optical branching device 102). Refractive index matching material 122 was placed in a space defined by fixed spacers 118, and refractive index matching was performed. Then, as shown in FIG. 15, the 12ch PD array 212 and the optical fiber array 110 were fixed in the aligned state, and the optical monitoring device 200C according to the third example was manufactured.

この光監視用デバイス200Cにカバー(図示せず)を取り付け、インライン型光監視装置(図示せず)を作製した。   A cover (not shown) was attached to the optical monitoring device 200C to produce an inline type optical monitoring device (not shown).

この光監視装置は、12chPDチップ212がキャップ部材16によって気密封止してあるため、耐湿性の非常に優れたものとなった。また、キャップ部材212のガラスを0.4mmと非常に薄く設計したため、非常に薄く小型の光監視装置を作製できた。加えて、12chPDチップ212の気密封止部材としてのキャップ部材16が1部品であるため、コストダウンにも成功している。   This optical monitoring device is very excellent in moisture resistance because the 12ch PD chip 212 is hermetically sealed by the cap member 16. In addition, since the glass of the cap member 212 was designed to be as thin as 0.4 mm, a very thin and small optical monitoring device could be manufactured. In addition, since the cap member 16 as the hermetic sealing member of the 12ch PD chip 212 is one component, the cost has been successfully reduced.

上述した第1及び第2の実施例に係る光デバイス200A及び200B並びに第3の実施例に係る光監視用デバイス200Cにおいては、コバールガラス204にプレス加工を施して凹部22を有するキャップ部材16を作製するようにしたが、その他、研削加工又はウェットエッチングやドライエッチングを用いてもよい。ただ、ガラスを研削で加工すると削痕が残り、そこで光が散乱され損失となるが、プレス加工であれば、鏡面に近い状態に加工することができ、損失を抑えることができる。また、エッチングなどで鏡面にする方法も考えられるが、加工工程とエッチング工程が必要となり、工程が増えてしまう。それに比べプレス加工なら、プレス加工のみで鏡面に近い状態に加工することができ、工程の増加を抑えることができる。つまり、本例のように、プレス加工を用いることで、凹部22の底部22aに平坦面やレンズ形状を簡単に形成することができ、コスト的にも有利である。   In the optical devices 200A and 200B according to the first and second embodiments described above and the optical monitoring device 200C according to the third embodiment, the cap member 16 having the recess 22 by pressing the Kovar glass 204 is provided. In addition to the above, grinding or wet etching or dry etching may be used. However, when glass is processed by grinding, scars remain, and light is scattered and lost there. However, if press processing is performed, the glass can be processed in a state close to a mirror surface, and loss can be suppressed. Moreover, although the method of making it into a mirror surface by etching etc. is also considered, a process process and an etching process will be needed and a process will increase. On the other hand, if it is press processing, it can process in the state near a mirror surface only by press processing, and it can control an increase in a process. That is, as in this example, by using press working, a flat surface or a lens shape can be easily formed on the bottom 22a of the recess 22, which is advantageous in terms of cost.

また、上述の例では、コバールガラス204を用いてキャップ部材16を作製したが、透明性を有し、基台12との熱膨張率の差が50×10-7/℃以下であれば、どのような材料でも適用可能である。 Moreover, in the above-mentioned example, the cap member 16 was produced using the Kovar glass 204. However, the cap member 16 has transparency, and if the difference in thermal expansion coefficient from the base 12 is 50 × 10 −7 / ° C. or less, Any material is applicable.

なお、本発明に係る光デバイス及び光監視用デバイスは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。   Of course, the optical device and the optical monitoring device according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

図1Aは本実施の形態に係る光デバイスを一部破断して示す側面図であり、図1Bはその上面図である。FIG. 1A is a side view showing a partially broken optical device according to the present embodiment, and FIG. 1B is a top view thereof. 本実施の形態に係る光デバイス、第1の実施例に係る光デバイス及び第2の実施例に係る光ディスクを説明するための拡大断面図である。It is an expanded sectional view for demonstrating the optical device which concerns on this Embodiment, the optical device which concerns on a 1st Example, and the optical disk which concerns on a 2nd Example. 図3Aは本実施の形態の変形例に係る光デバイスを示す上面図であり、図3Bは本実施の形態の変形例に係る光デバイスを一部破断して示す正面図であり、図3Cは本実施の形態の変形例に係る光デバイスを一部破断して示す側面図である。FIG. 3A is a top view showing an optical device according to a modification of the present embodiment, FIG. 3B is a front view showing a partially broken optical device according to the modification of the present embodiment, and FIG. It is a side view which shows the optical device which concerns on the modification of this Embodiment partially fractured | ruptured. 本実施の形態に係る光監視用デバイスを一部破断して示す側面図である。It is a side view which shows the optical monitoring device which concerns on this Embodiment partially fractured | ruptured. 本実施の形態に係る光監視用デバイスを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the optical monitoring device which concerns on this Embodiment. 図6Aは第1の実施例に係る光デバイスの製造過程を示し、基台上にPDチップを実装した状態を示す上面図であり、図6Bはその側面図である。FIG. 6A is a top view showing a manufacturing process of the optical device according to the first embodiment, and shows a state where a PD chip is mounted on a base, and FIG. 6B is a side view thereof. 図7Aは第1の実施例に係る光デバイスに使用されるキャップ部材を示す上面図であり、図7Bはその正面図であり、図7Cはその側面図である。7A is a top view showing a cap member used in the optical device according to the first embodiment, FIG. 7B is a front view thereof, and FIG. 7C is a side view thereof. 図8Aは第1の実施例に係る光デバイスの製造過程を示し、PDチップが実装された基台上にAuSn半田層とキャップ部材を載置する状態を示す工程図であり、図8Bは上方から荷重をかけた状態を示す工程図である。FIG. 8A shows a manufacturing process of the optical device according to the first embodiment, and is a process diagram showing a state in which an AuSn solder layer and a cap member are placed on a base on which a PD chip is mounted. FIG. It is process drawing which shows the state which applied the load from. 図9Aは第1の実施例に係る光デバイスを一部破断して示す側面図であり、図9Bはその正面図である。FIG. 9A is a side view showing a partially broken optical device according to the first embodiment, and FIG. 9B is a front view thereof. 図10Aは第2の実施例に係る光デバイスの製造過程を示し、基台上に12chPDチップを実装した状態を示す上面図であり、図10Bはその正面図であり、図10Cはその側面図である。10A shows a manufacturing process of the optical device according to the second embodiment, and is a top view showing a state in which a 12ch PD chip is mounted on a base, FIG. 10B is a front view thereof, and FIG. 10C is a side view thereof. It is. 図11Aは第2の実施例に係る光デバイスに使用されるキャップ部材を示す上面図であり、図11Bはキャップ部材を正面から見て示す断面図であり、図11Cはキャップ部材を側面から見て示す断面図である。FIG. 11A is a top view showing a cap member used in the optical device according to the second embodiment, FIG. 11B is a sectional view showing the cap member from the front, and FIG. 11C shows the cap member from the side. FIG. 図12Aは第2の実施例に係る光デバイスの製造過程を示し、12chPDチップが実装された基台上にAuSn半田層とキャップ部材を載置する状態を示す工程図であり、図12Bは上方から荷重をかけた状態を示す工程図である。FIG. 12A shows a process of manufacturing an optical device according to the second embodiment, and is a process diagram showing a state in which an AuSn solder layer and a cap member are placed on a base on which a 12ch PD chip is mounted, and FIG. It is process drawing which shows the state which applied the load from. 図13Aは第2の実施例に係る光デバイスを示す上面図であり、図13Bは第2の実施例に係る光デバイスを一部破断して示す正面図であり、図13Cは第2の実施例に係る光デバイスを一部破断して示す側面図である。FIG. 13A is a top view showing the optical device according to the second embodiment, FIG. 13B is a front view showing the optical device according to the second embodiment in a partially broken view, and FIG. 13C is the second embodiment. It is a side view which shows a partially broken optical device according to an example. 第3の実施例に係る光監視用デバイスの製造過程を示し、第2の実施例に係る光デバイス上に光分岐デバイスを調芯しながら接合している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing process of the optical monitoring device which concerns on a 3rd Example, and shows the state which has joined the optical branching device on the optical device which concerns on a 2nd Example, aligning. 第3の実施例に係る光監視用デバイスを一部破断して示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a partially broken optical monitoring device according to a third embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10、10a、200A、200B…光デバイス
12…基台 14、24…光部品
16…キャップ部材 22…凹部
22a…底部 22b…側壁
22c…境界部分 100、200C…光監視用デバイス
102…光分岐デバイス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10a, 200A, 200B ... Optical device 12 ... Base 14, 24 ... Optical component 16 ... Cap member 22 ... Recess 22a ... Bottom 22b ... Side wall 22c ... Boundary part 100, 200C ... Optical monitoring device 102 ... Optical branching device

Claims (10)

基台と、
前記基台上に実装され、少なくとも1つの光素子を有する光部品と、
前記基台上に前記光部品を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材とを有することを特徴とする光デバイス。
The base,
An optical component mounted on the base and having at least one optical element;
An optical device fixed on the base so as to cover the optical component, and having a single and transparent cap member.
請求項1記載の光デバイスにおいて、
前記基台と前記キャップ部材との熱膨張率の差が50×10-7/℃以下であることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 1.
The optical device characterized in that a difference in coefficient of thermal expansion between the base and the cap member is 50 × 10 −7 / ° C. or less.
請求項1又は2記載の光デバイスにおいて、
前記キャップ部材がガラスにて構成されていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 1 or 2,
An optical device, wherein the cap member is made of glass.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の光デバイスにおいて、
前記キャップ部材は、プレス加工で作製されていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to any one of claims 1 to 3,
The said cap member is produced by press work, The optical device characterized by the above-mentioned.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の光デバイスにおいて、
前記キャップ部材は、少なくとも1つの凹部を有し、該凹部内に前記光部品が収容されるように、前記基台に固定されていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to any one of claims 1 to 4,
The cap member has at least one recess, and is fixed to the base so that the optical component is accommodated in the recess.
請求項5記載の光デバイスにおいて、
前記凹部の深さが1.0mm以下であることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 5.
The depth of the said recessed part is 1.0 mm or less, The optical device characterized by the above-mentioned.
請求項5又は6記載の光デバイスにおいて、
前記凹部の底部と側壁とのなす角が90°未満であることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 5 or 6,
An optical device characterized in that an angle formed between a bottom portion and a side wall of the concave portion is less than 90 °.
請求項5〜7のいずれか1項に記載の光デバイスにおいて、
前記凹部の底部と側壁との境界部分が湾曲形状とされていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to any one of claims 5 to 7,
An optical device, wherein a boundary portion between a bottom portion and a side wall of the concave portion has a curved shape.
請求項1〜8のいずれか1項に記載の光デバイスにおいて、
前記光部品は、複数の光素子がアレイ状に配列されていることを特徴とする光デバイス。
The optical device according to claim 1,
The optical component is characterized in that a plurality of optical elements are arranged in an array.
1以上の光伝達手段と、
前記光伝達手段に設けられ、該光伝達手段を伝搬する信号光の一部を分岐する光分岐手段と、
前記光分岐手段からの分岐光を受光する光デバイスとを有する光監視用デバイスであって、
前記光デバイスは、
基台と、
前記基台上に実装され、前記分岐光を受光する少なくとも1つの受光素子を有する光部品と、
前記基台上に前記光部品を覆うように固定され、単体で、かつ、透明性のキャップ部材とを有することを特徴とする光監視用デバイス。
One or more light transmission means;
An optical branching unit provided in the optical transmission unit and branching a part of the signal light propagating through the optical transmission unit;
An optical monitoring device having an optical device for receiving the branched light from the optical branching means,
The optical device is:
The base,
An optical component mounted on the base and having at least one light receiving element for receiving the branched light;
An optical monitoring device, which is fixed on the base so as to cover the optical component and has a single and transparent cap member.
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