JP2006254574A - Protective device of inverter - Google Patents

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正城 田中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective device of an inverter which can assure an expected lifetime by predicting the lifetime and confirming the timing of maintenance/replacement of a semiconductor having a lifetime with power cycle deterioration, and then replacing the semiconductor or altering the operating method or the constants. <P>SOLUTION: A monitor means 14 calculates the peak value of junction-case temperature of a power semiconductor element when the temperature increases and decreases based on the output frequency command value and the output current value for the power semiconductor element of a variable voltage variable frequency inverter, calculates and stores the ratio to the power cycle lifetime of the power semiconductor element from a power cycle lifetime curve indicative of iteration resistance to the temperature ΔTj-c between junction-case, and outputs a signal indicating the ratio of lifetime of the power semiconductor element from the power cycle lifetime to breakdown. When the ratio to the power cycle lifetime is calculated by 1/N of the number of times of power cycle and added every time, ratio of lifetime can be stored and displayed. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、可変電圧可変周波数インバータにおけるパワー半導体素子および主回路ヒューズの寿命予測・表示を行うことによりインバータを保護するインバータの保護装置に関する。   The present invention relates to an inverter protection device that protects an inverter by performing life prediction and display of a power semiconductor element and a main circuit fuse in a variable voltage variable frequency inverter.

インバータの保護装置として、従来からインバータの出力電流が所定の値を超えた場合にパワー半導体素子を遮断する過電流保護方式の保護装置がある。
また、出力電流とインバータ出力周波数により、パワー半導体素子のジャンクション温度を計算し、この温度が所定の値を超えた場合、パワー半導体素子を遮断する保護装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このように、従来の保護装置は、瞬間的なパワー半導体素子の破壊を防ぐためのものである。 As an inverter protection device, there is a conventional overcurrent protection type protection device that shuts off a power semiconductor element when the output current of the inverter exceeds a predetermined value.
Also, a protection device is known that calculates the junction temperature of a power semiconductor element based on the output current and the inverter output frequency, and shuts off the power semiconductor element when the temperature exceeds a predetermined value (for example, Patent Document 1). reference).
Thus, the conventional protection device is for preventing momentary destruction of the power semiconductor element.

特許第３２５３５０６号公報Japanese Patent No. 3253506

このような従来のインバータ保護装置では、パワー半導体素子の瞬間的な熱破壊に対しては保護が可能である。一方、パワー半導体素子は、比較的低い温度の繰り返しでも、パワーサイクル劣化により破壊することが知られているが、従来技術では、パワー半導体素子が持つパワーサイクル劣化による破壊に対しては予測、保護できないものとなっていた。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、パワーサイクル劣化のような寿命をもつ半導体と主回路ヒューズに対し、寿命を予測して保全交換の時期を確認し、交換を行ったり、運転方法や定数の変更を行うことで、所期の寿命を確保することができるインバータの保護装置を提供することを目的とする。 Such a conventional inverter protection device can protect against instantaneous thermal destruction of the power semiconductor element. On the other hand, power semiconductor elements are known to break down due to power cycle degradation even at relatively low temperature repetitions. However, in the prior art, power semiconductor element breakdowns due to power cycle degradation are predicted and protected. It was impossible.
Therefore, the present invention has been made in view of such problems. For semiconductors and main circuit fuses having a lifetime such as power cycle deterioration, the lifetime is predicted and the maintenance replacement timing is confirmed, and the replacement is performed. It is an object of the present invention to provide an inverter protection device that can ensure the expected life by performing the operation or changing the operation method or constants.

上記問題を解決するため、本発明の第１の構成は、インバータ電圧の大きさおよび周波数の制御が可能なパワー半導体素子から構成される可変電圧可変周波数インバータの保護装置であって、パワー半導体素子に対する出力周波数指令値と出力電流値とに基づき、パワー半導体素子のジャンクション−ケース温度の上昇時のピーク値、下降時のピーク値を計算し、パワー半導体素子が持つジャンクション−ケース間温度ΔＴj-cに対する繰り返し耐量を表すパワーサイクル寿命曲線から、パワー半導体素子のパワーサイクル寿命に対する割合を計算、記憶しておき、パワー半導体素子のパワーサイクル寿命による破壊までの、寿命の割合を表示する寿命割合表示信号を出力する監視手段を設けたものである。
本発明の第２の構成は、パワー半導体素子の寿命が、パワーサイクル寿命曲線に対し、予め設定した割合を超えた場合にアラームを出力するようにしたものである。
本発明の第３の構成は、パワー半導体素子の寿命アラーム発生時のインバータの動作として、運転継続を行うか、減速停止を行うか、パワー半導体素子のゲートブロックを行うかを選択するようにしたものである。
本発明の第４の構成は、インバータ電圧の大きさ、周波数の制御が可能なパワー半導体素子から構成される可変電圧可変周波数インバータの保護装置であって、前記インバータの主回路ヒューズに対する出力周波数指令値と出力電流値とに基づき、前記主回路ヒューズの繰り返し耐量を表すパワーサイクル寿命曲線から、主回路ヒューズのパワーサイクル寿命に対する割合を計算、記憶しておき、主回路ヒューズのパワーサイクル寿命による破壊までの、寿命の割合を表示する監視手段を設けたものである。
本発明の第５の構成は、前記主回路ヒューズの寿命が、前記パワーサイクル寿命曲線に対し、予め設定した割合を超えた場合にアラームを出力する手段を備えたものである。
本発明の第６の構成は、前記主回路ヒューズの寿命アラーム発生時のインバータの動作として、運転継続、減速停止、パワー半導体素子のゲートブロックを選択する手段を設けたものである。 In order to solve the above problem, a first configuration of the present invention is a protection device for a variable voltage variable frequency inverter composed of a power semiconductor element capable of controlling the magnitude and frequency of an inverter voltage. Based on the output frequency command value and the output current value for the power semiconductor element, the junction semiconductor-case temperature ΔTj-c of the power semiconductor element is calculated by calculating the peak value when the junction temperature of the power semiconductor element rises and the peak value when the temperature falls. A life ratio display signal that calculates and stores the ratio of the power semiconductor element to the power cycle life from the power cycle life curve that represents the repetitive tolerance to the power semiconductor element and displays the ratio of the life until the power semiconductor element breaks due to the power cycle life Is provided.
In the second configuration of the present invention, an alarm is output when the life of the power semiconductor element exceeds a preset ratio with respect to the power cycle life curve.
In the third configuration of the present invention, the operation of the inverter at the time of occurrence of the power semiconductor element life alarm is selected to continue operation, decelerate and stop, or perform gate block of the power semiconductor element. Is.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a protection device for a variable voltage variable frequency inverter composed of a power semiconductor element capable of controlling the magnitude and frequency of the inverter voltage, and an output frequency command for the main circuit fuse of the inverter. Based on the value and output current value, the power cycle life ratio of the main circuit fuse is calculated and stored from the power cycle life curve that represents the repetitive capacity of the main circuit fuse, and the main circuit fuse is destroyed by the power cycle life. The monitoring means which displays the ratio of the lifetime until is provided.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided means for outputting an alarm when the life of the main circuit fuse exceeds a preset ratio with respect to the power cycle life curve.
The sixth configuration of the present invention is provided with means for selecting operation continuation, deceleration stop, and a gate block of a power semiconductor element as the operation of the inverter when the life alarm of the main circuit fuse occurs.

本発明の第１の構成によると、パワー半導体素子のパワーサイクル劣化による破壊までの寿命が判ることにより、パワー半導体素子の寿命前の保全交換をすることができる。また、パワーサイクル寿命を延ばすため、インバータの加減速時間の設定を変更したり、繰り返しの運転にならないように、運転方法を変更するなど、パワー半導体素子の寿命が延びるような設定に変更することも可能となり、インバータ運転中のパワーサイクル劣化破壊を防ぐことができる。
本発明の第２の構成によると、パワーサイクル劣化による破壊前にパワー半導体素子を交換する時期を設定することができる。
本発明の第３の構成によると、パワーサイクル劣化による破壊前にアラームを出すように設定した場合でも、設備の重要度により、運転継続などの方法を選択することが可能となる。
本発明の第４〜６の構成では、インバータの主回路ヒューズに対しても、パワーサイクル劣化の曲線があることから、第１〜第３の構成におけるパワー半導体素子と同様の手段を、主回路ヒューズに対して適用したものであり、これにより、主回路ヒューズのパワーサイクル劣化による破壊前に、保全交換、インバータの運転方法変更などで、主回路ヒューズのインバータ運転中のパワーサイクル劣化破壊を防ぐことができる。 According to the first configuration of the present invention, it is possible to perform maintenance replacement before the lifetime of the power semiconductor element by knowing the lifetime until the destruction of the power semiconductor element due to power cycle deterioration. In order to extend the power cycle life, change the setting of the acceleration / deceleration time of the inverter, or change the setting to extend the life of the power semiconductor element, such as changing the operation method so as not to repeat the operation. This also makes it possible to prevent power cycle deterioration and destruction during inverter operation.
According to the second configuration of the present invention, it is possible to set a time for replacing the power semiconductor element before destruction due to power cycle deterioration.
According to the third configuration of the present invention, even when an alarm is set to be issued before destruction due to power cycle deterioration, it is possible to select a method such as operation continuation depending on the importance of equipment.
In the fourth to sixth configurations of the present invention, since there is a power cycle deterioration curve for the main circuit fuse of the inverter, the same means as the power semiconductor elements in the first to third configurations are used. This is applied to fuses, and this prevents power cycle deterioration and destruction during main circuit fuse inverter operation by maintenance replacement, inverter operation method change, etc. before destruction due to main circuit fuse power cycle deterioration. be able to.

以下、本発明の実施の形態に係るインバータの保護装置を、図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るインバータ装置の保護装置を適用したインバータ装置の構成を示すブロック図である。図１において、１は商用電源、２はダイオードコンバータ部、３は平滑用コンデンサ、４はパワー半導体素子により構成されたインバータ部、５，６は電流検出器、７は電動機、８はＣＰＵ（演算処理部）、９はＲＯＭ（リード・オン・メモリ）、１０はＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）、１１は表示器、１２はインバータの駆動回路、１３は電流検出回路、１４はパワー半導体素子や主回路ヒューズの寿命を監視する監視手段である。図１において、一点鎖線で囲んだ部分が、保護装置を含む制御装置Ｃである。 Hereinafter, an inverter protection device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an inverter device to which a protection device for an inverter device according to an embodiment of the present invention is applied. In FIG. 1, 1 is a commercial power source, 2 is a diode converter unit, 3 is a smoothing capacitor, 4 is an inverter unit composed of power semiconductor elements, 5 and 6 are current detectors, 7 is an electric motor, and 8 is a CPU (calculation). Processing unit), 9 ROM (read on memory), 10 RAM (random access memory), 11 display, 12 inverter drive circuit, 13 current detection circuit, 14 power semiconductor element, This is a monitoring means for monitoring the life of the main circuit fuse. In FIG. 1, a portion surrounded by a one-dot chain line is a control device C including a protection device.

本実施の形態では、商用電源１から供給される一定電圧で一定周波数の交流電力をダイオードコンバータ部２で整流し、平滑コンデンサ３で平滑して直流とし、インバータ部４により可変電圧可変周波数の交流電力に変換し、電動機７を加変速運転させる。
インバータ部４に使用されるパワー半導体素子の損失Ｐは、定常損失をＰsat、ターンオン損失をＰon、ターンオフ損失をＰoffとすると、
Ｐ＝Ｐsat＋Ｐon＋Ｐoff
で表される。ここで、一般にこれらの損失は次のように近似できる。
Ｐsat＝Ｋ1（Ｖsat＊Ｉ）
Ｐon＝Ｋ2（Ｅon＊Ｉ＊ｆc）
Ｐoff＝Ｋ3（Ｅoff＊Ｉ＊ｆc）
ここで、Ｋ1、Ｋ2、Ｋ3、Ｅon、Ｅoffは係数、Ｖsatはオン電圧、ｆcはスイッチング周波数
したがって、損失Ｐは
Ｐ＝Ｋ1(Ｖsat＊Ｉ)＋Ｋ2(Ｅon＊Ｉ＊ｆｃ)＋Ｋ3(Ｅoff＊Ｉ＊ｆｃ)・・・（１）
として表すことができ、ｆcが一定であれば電流Ｉの関数Ｐ（Ｉ）とおくことができる。 In the present embodiment, AC power of constant voltage and constant frequency supplied from the commercial power source 1 is rectified by the diode converter unit 2, smoothed by the smoothing capacitor 3 to be DC, and AC of variable voltage and variable frequency is converted by the inverter unit 4. The electric power is converted into electric power, and the electric motor 7 is subjected to the speed change operation.
The loss P of the power semiconductor element used in the inverter unit 4 is Psat as a steady loss, Pon as a turn-on loss, and Poff as a turn-off loss.
P = Psat + Pon + Poff
It is represented by Here, in general, these losses can be approximated as follows.
Psat = K 1 (Vsat * I)
Pon = K 2 (Eon * I * fc)
Poff = K 3 (Eoff * I * fc)
Here, K 1 , K 2 , K 3 , Eon, Eoff are coefficients, Vsat is an on-voltage, fc is a switching frequency, and therefore loss P is P = K 1 (Vsat * I) + K 2 (Eon * I * fc) + K 3 (Eoff * I * fc) (1)
And can be expressed as a function P (I) of the current I if fc is constant.

インバータ部４に使用されるパワー半導体素子は、図３に示すように、時間に対するジャンクション温度の熱抵抗（Ｒthj-c）曲線が存在し、ある電力損失が継続すると、パワー半導体素子のジャンクション−ケース間の温度は、電力損失＊熱抵抗＊時間で計算することができる。
Ｔj-ｃ＝Ｐ(Ｉ)＊Ｒthj-c＊ｔ ・・・（２） As shown in FIG. 3, the power semiconductor element used for the inverter unit 4 has a junction temperature-resistance (Rthj-c) curve with respect to time, and when a certain power loss continues, the junction-case of the power semiconductor element The temperature in between can be calculated by power loss * thermal resistance * time.
Tj-c = P (I) * Rthj-c * t (2)

インバータの出力は、図４(Ａ)のように、交流の電流となっており、１つのパワー半導体素子に流れる電流は、正弦波の半分の区間となる。
このときのパワー半導体素子のジャンクション−ケース間の温度Ｔj-cは、図４（Ｂ）のようになり、１周期に１度、温度上昇のピークと温度下降のピークの差ΔＴj-cが計算できる。
ここで、図５に示す曲線は、パワー半導体素子のΔＴj-cに対するパワーサイクル耐量を表すパワーサイクル寿命曲線であり、ΔＴj-cより、何回、パワーサイクル耐量があるかということが示されている。 The output of the inverter is an alternating current as shown in FIG. 4A, and the current flowing through one power semiconductor element is a half of a sine wave.
The temperature Tj-c between the junction and the case of the power semiconductor element at this time is as shown in FIG. 4B, and the difference ΔTj-c between the temperature rise peak and the temperature fall peak is calculated once per cycle. it can.
Here, the curve shown in FIG. 5 is a power cycle life curve that represents the power cycle tolerance with respect to ΔTj-c of the power semiconductor element. From ΔTj-c, it is shown how many times the power cycle tolerance exists. Yes.

この曲線は、以下の式で表すことができる。
Ｐ．Ｃ．ＬＩＦＥ（Ｎ）＝１０＾(Ｋ4−Ｋ5＊ＬＯＧ10(ΔＴj-c))・・・（３）
ここで、Ｋ4、Ｋ5は係数、Ｎはパワーサイクル回数 This curve can be expressed by the following equation.
P. C. LIFE (N) = 10 ^ (K 4 −K 5 * LOG 10 (ΔTj−c)) (3)
Where K 4 and K 5 are coefficients, N is the number of power cycles

図２に示すように、監視手段１４では、ＣＰＵ８から指令されるインバータ部４の出力周波数ｆcと、インバータ出力電流Ｉの検出結果より求めたΔＴj-cと、図５のパワーサイクル寿命曲線より、このΔＴj-cに対する１周期あたりのパワーサイクル回数Ｎが計算できる。このパワーサイクル回数をＮとすると、パワーサイクル寿命に対する割合は、逆数の１／Ｎで計算できる。
この１／Ｎを毎回加算していき、その値をＲＡＭ１０に保存していくことで、現在までのパワー半導体素子の消費した寿命の割合を保存することができる。この消費した寿命の割合ＬCは、次式で表される。
ＬC＝（１／Ｎ1＋１／Ｎ2＋１／Ｎ3＋・・・＋１／ＮP）×１００％・・・（４）
ただし、Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3，・・・，ＮPは、それぞれ１回目，２回目，３回目，・・・，現在のパワーサイクル回数を示す。
例えば、Ｎ1＝１００，Ｎ2＝５０，Ｎ3＝２００，Ｎ4＝２０とすると、
ＬC＝（１／１００＋１／５０＋１／２００＋１／２０）×１００＝８．５％
となる。
この消費した寿命の割合ＬCが１００％に達すると、このパワー半導体素子は故障する計算になる。
この値を表示器１１に表示することで、現在のパワー半導体素子の寿命の割合が判る。 As shown in FIG. 2, in the monitoring means 14, the output frequency fc of the inverter unit 4 commanded from the CPU 8, ΔTj−c obtained from the detection result of the inverter output current I, and the power cycle life curve of FIG. The number N of power cycles per period for this ΔTj-c can be calculated. When the number of power cycles is N, the ratio to the power cycle life can be calculated by 1 / N of the reciprocal number.
By adding 1 / N each time and storing the value in the RAM 10, it is possible to store the ratio of the consumed lifetime of the power semiconductor element up to now. This consumed life ratio L C is expressed by the following equation.
L C = (1 / N 1 + 1 / N 2 + 1 / N 3 +... + 1 / N P ) × 100% (4)
Here, N 1 , N 2 , N 3 ,..., N P indicate the first, second, third,.
For example, if N 1 = 100, N 2 = 50, N 3 = 200, N 4 = 20,
L C = (1/100 + 1/50 + 1/200 + 1/20) × 100 = 8.5%
It becomes.
When the consumed life ratio L C reaches 100%, the power semiconductor element is calculated to fail.
By displaying this value on the display unit 11, the current life ratio of the power semiconductor element can be determined.

また、割合を設定し、計算されたパワー半導体素子の寿命の割合が設定値（例えば８０％，９０％）を超えた場合に、アラームとして出力させることができる。
また、パワー半導体素子の寿命アラーム発生時のインバータの動作として、運転継続を行うか、減速停止を行うか、パワー半導体素子のゲートブロックを行うかを選択するように構成することができる。これにより、パワーサイクル劣化による破壊前にアラームを出すように設定した場合でも、設備の重要度により、運転継続などの方法を選択することが可能となる。 Moreover, a ratio can be set, and when the calculated ratio of the lifetime of the power semiconductor element exceeds a set value (for example, 80%, 90%), it can be output as an alarm.
Further, the operation of the inverter at the time of occurrence of the power semiconductor element lifetime alarm can be configured to select whether to continue the operation, to decelerate or stop, or to perform the gate block of the power semiconductor element. Thus, even when an alarm is set to be issued before destruction due to power cycle deterioration, it is possible to select a method such as operation continuation depending on the importance of the equipment.

以上は、パワー半導体素子に対する監視、保護を行う例を示したが、インバータの主回路ヒューズにおいてもパワー半導体素子と同様にパワーサイクル寿命曲線が存在するため、主回路ヒューズにおいても、現在の寿命表示、残り寿命表示、パワーサイクル寿命に対し設定された割合のアラーム表示、アラーム発生時の動作選択を可能とすることができる。   The above shows an example of monitoring and protecting the power semiconductor element. However, since the power cycle life curve exists in the main circuit fuse of the inverter as well as in the power semiconductor element, the current life display is also performed in the main circuit fuse. It is possible to display the remaining life, alarm display at a set ratio with respect to the power cycle life, and operation selection when an alarm occurs.

本発明は、パワー半導体素子や主回路ヒューズのパワーサイクル劣化による破壊までの寿命が判ることにより、これらの部品の寿命前の保全交換日の検討、運転方法、キャリア周波数などの設定値変更による検討が現場で可能となる技術として、可変電圧可変周波数インバータ等のインバータの保護の分野において利用することができる。   In the present invention, the life until breakdown of power semiconductor elements and main circuit fuses due to power cycle deterioration is known. Can be used in the field of inverter protection such as a variable voltage variable frequency inverter.

本発明の実施の形態に係るインバータの制御装置のブロック図である。It is a block diagram of the control apparatus of the inverter which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る制御回路のブロック図である。It is a block diagram of a control circuit concerning an embodiment of the invention. パワー半導体素子の時間−熱抵抗曲線である。It is a time-thermal resistance curve of a power semiconductor element. 本発明の実施の形態の動作を説明するための電流変化と温度変化のタイムチャートである。It is a time chart of the electric current change and temperature change for demonstrating operation | movement of embodiment of this invention. パワー半導体素子のジャンクション−ケース間温度に対するパワーサイクル寿命曲線である。It is a power cycle lifetime curve with respect to the junction-case temperature of a power semiconductor element.

符号の説明Explanation of symbols

１ 商用電源
２ ダイオードコンバータ部
３ 平滑コンデンサ
４ インバータ部
５,６ 電流検出器
７ 電動機
８ ＣＰＵ（演算処理部）
９ ＲＯＭ
１０ ＲＡＭ
１１ 表示器
１２ 駆動回路
１３ 電流検出回路
１４ 監視手段
Ｃ 制御回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Commercial power supply 2 Diode converter part 3 Smoothing capacitor 4 Inverter part 5,6 Current detector 7 Electric motor 8 CPU (arithmetic processing part)
9 ROM
10 RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Display 12 Drive circuit 13 Current detection circuit 14 Monitoring means C Control circuit

Claims (6)

インバータ電圧の大きさおよび周波数の制御が可能なパワー半導体素子から構成される可変電圧可変周波数インバータの保護装置であって、
前記パワー半導体素子に対する出力周波数指令値と出力電流値とに基づき、前記パワー半導体素子のジャンクション−ケース温度の上昇時のピーク値、下降時のピーク値を計算し、前記パワー半導体素子が持つジャンクション−ケース間温度ΔＴj-cに対する繰り返し耐量を表すパワーサイクル寿命曲線から、パワー半導体素子のパワーサイクル寿命に対する割合を計算、記憶しておき、パワー半導体素子のパワーサイクル寿命による破壊までの、寿命の割合を表示する寿命割合表示信号を出力する監視手段を設けたことを特徴とするインバータの保護装置。 A protective device for a variable voltage variable frequency inverter composed of a power semiconductor element capable of controlling the magnitude and frequency of the inverter voltage,
Based on the output frequency command value and the output current value for the power semiconductor element, the power semiconductor element junction-the peak value when the case temperature rises and the peak value when the case temperature falls are calculated, and the junction of the power semiconductor element- Calculate and store the ratio of the power semiconductor element to the power cycle life from the power cycle life curve representing the repeated tolerance against the inter-case temperature ΔTj-c, and calculate the ratio of the life until the destruction of the power semiconductor element due to the power cycle life. A protective device for an inverter, characterized in that monitoring means for outputting a life ratio display signal to be displayed is provided. 前記パワー半導体素子の寿命が、前記パワーサイクル寿命曲線に対し、予め設定した割合を超えた場合にアラームを出力する手段を備えたことを特徴とする請求項１記載のインバータの保護装置。   2. The inverter protection device according to claim 1, further comprising means for outputting an alarm when the life of the power semiconductor element exceeds a preset ratio with respect to the power cycle life curve. 前記パワー半導体素子の寿命アラーム発生時のインバータの動作として、運転継続、減速停止、パワー半導体素子のゲートブロックを選択する手段を設けたことを特徴とする請求項２記載のインバータの保護装置。   3. The inverter protection device according to claim 2, further comprising means for selecting a continuation of operation, deceleration stop, and a gate block of the power semiconductor element as an operation of the inverter when a life alarm of the power semiconductor element occurs. インバータ電圧の大きさ、周波数の制御が可能なパワー半導体素子から構成される可変電圧可変周波数インバータの保護装置であって、
前記インバータの主回路ヒューズに対する出力周波数指令値と出力電流値とに基づき、前記主回路ヒューズの繰り返し耐量を表すパワーサイクル寿命曲線から、主回路ヒューズのパワーサイクル寿命に対する割合を計算、記憶しておき、主回路ヒューズのパワーサイクル寿命による破壊までの、寿命の割合を表示する監視手段を設けたことを特徴とするインバータの保護装置。 A protection device for a variable voltage variable frequency inverter composed of power semiconductor elements capable of controlling the magnitude and frequency of the inverter voltage,
Based on the output frequency command value and the output current value for the main circuit fuse of the inverter, the ratio to the power cycle life of the main circuit fuse is calculated and stored from the power cycle life curve representing the repeated withstand capacity of the main circuit fuse. An inverter protective device comprising a monitoring means for displaying a life ratio until a main circuit fuse is destroyed due to a power cycle life. 前記主回路ヒューズの寿命が、前記パワーサイクル寿命曲線に対し、予め設定した割合を超えた場合にアラームを出力する手段を備えたことを特徴とする請求項４記載のインバータの保護装置。   5. The inverter protection device according to claim 4, further comprising means for outputting an alarm when the life of the main circuit fuse exceeds a preset ratio with respect to the power cycle life curve. 前記主回路ヒューズの寿命アラーム発生時のインバータの動作として、運転継続、減速停止、パワー半導体素子のゲートブロックを選択する手段を設けたことを特徴とする請求項５記載のインバータの保護装置。
6. The inverter protection device according to claim 5, further comprising means for selecting a continuation of operation, deceleration stop, and a gate block of a power semiconductor element as an operation of the inverter when a life alarm of the main circuit fuse occurs.
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