JP2006253456A - Exposure device and method for manufacturing device - Google Patents

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Katsushi Nakano
勝志 中野
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株式会社ニコン
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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device for preventing or suppressing the leakage of liquid filled in the optical path space of exposure rays of light at the image face side of a projection optical system. <P>SOLUTION: An exposure device EX is provided with a feed port 12 for feeding liquid LQ, a collection port 22 formed outside the feed port 12 for an optical path space K1 for collecting the liquid LQ, and an injection port 32 formed outside the collection port 22 for the optical path space K1 for injecting the liquid LQ. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, and a device manufacturing method.

半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。 The photolithography process is one of semiconductor devices and liquid crystal display devices such as a micro device manufacturing process, an exposure apparatus is used for projection exposure a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate. この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持して移動可能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。 The exposure apparatus includes a mask stage which is movable while holding the mask, and a movable substrate stage holding the substrate, a projection optical system a pattern of a mask while moving the mask stage and the substrate stage sequentially it is to the projection exposure onto the substrate via. マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。 In the manufacture of microdevices for densification of the device, miniaturization of a pattern to be formed on the substrate is required. この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。 Higher resolution of the exposure apparatus in order to meet this requirement are desired. その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献1に開示されているような、投影光学系と基板との間の露光光の光路空間を液体で満たし、投影光学系と液体とを介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。 As a means for realizing this higher resolution, satisfying as disclosed in Patent Document 1, the optical path space of the exposure light between the projection optical system and the substrate with a liquid, the projection optical system immersion exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid is devised.
国際公開第99/49504号パンフレット International Publication No. WO 99/49504

ところで、露光装置においては、デバイスの生産性向上等を目的として、基板(基板ステージ)の移動速度の高速化が要求される。 Incidentally, in the exposure apparatus, the purpose of the device productivity, etc., speed of movement of the substrate (substrate stage) is required. ところが、基板(基板ステージ)を高速で移動した場合、光路空間に液体を良好に保持することが困難となり、例えば、光路空間に満たされた液体が漏出する可能性がある。 However, when you move the substrate (substrate stage) at a high speed, good it is difficult to retain the liquid in the optical path space, for example, filled in the optical path space liquid may leak. 液体が漏出すると、周辺部材・機器が腐食したり故障する等の不都合が生じる。 When liquid leaks occur inconveniences such as peripheral members and equipment fails or corrosion. また、漏出した液体が液滴となって基板上に残留した場合、その残留した液体(液滴)が気化することによって基板に液体の付着跡(所謂ウォーターマーク)が形成される不都合が生じる可能性もある。 Also, if the leaked liquid remaining on the substrate as droplets, can the disadvantage that the liquid adhesion mark (so-called water mark) is formed on the substrate by the residual liquid (liquid droplets) is vaporized resulting sex also. また、漏出した液体の気化熱により基板や基板ステージが熱変形したり、露光装置の置かれている環境(湿度、クリーン度等)が変動し、基板上でのパターン重ね合わせ精度等を含む露光精度の劣化を招いたり、干渉計等を使った各種計測精度の劣化を招く虞がある。 Moreover, leaking or substrate and substrate stage by vaporization heat of the liquid heat deformation, placed in that environment (humidity, cleanness) of the exposure apparatus varies, exposure including accuracy and the like superimposed patterns on the substrate possibly bringing or cause accuracy degradation, the various measurement accuracy deterioration using an interferometer or the like. また、漏出した液体によって基板が濡れると、その濡れた基板を保持する搬送系にも液体が付着し、被害が拡大する虞がある。 Further, when the substrate is wetted by the spilled liquid, also adhered liquid transport system to hold the wet substrate, there is a possibility to increase the damage.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、露光光の光路空間に満たされた液体の漏出を防止又は抑制することができる露光装置、及びその露光装置を使ったデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, an exposure apparatus, and device manufacturing method using the exposure apparatus capable of preventing or suppressing the leakage of the liquid filled in the optical path space of the exposure light an object of the present invention is to provide a.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。 To solve the above problems, the present invention adopts the following constructions corresponding to respective drawings as illustrated in embodiments. 但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 However, parenthesized reference numerals affixed to respective elements merely exemplify the elements by way of example and are not intended to limit the respective elements.

本発明の第1の態様に従えば、液体(LQ)を介して基板(P)に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、液体(LQ)を供給する供給口(12)と、光路空間(K1)に対して供給口(12)の外側に設けられ、液体(LQ)を回収する回収口(22)と、光路空間(K1)に対して回収口(22)の外側に設けられ、液体(LQ)を噴射する噴射口(32)とを備えた露光装置(EX)が提供される。 According to a first aspect of the present invention, an exposure apparatus that exposes a substrate (P) by radiating an exposure light (EL) onto the substrate (P) through a liquid (LQ), supplying the liquid (LQ) the supply port (12), is provided outside the supply port with respect to the optical path space (K1) (12), the recovery port for recovering the liquid (LQ) and (22), the recovery port with respect to the optical path space (K1) (22) provided on the outside of, the liquid exposure apparatus equipped with an injection port for injecting the (LQ) (32) (EX) is provided.

本発明の第1の態様によれば、噴射口から液体を噴射することによって、露光光の光路空間に満たされた液体の漏出を防止することができる。 According to a first aspect of the present invention, by injecting the liquid from the injection port, it is possible to prevent leakage of liquid filled in the optical path space of the exposure light.

本発明の第2の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, a device manufacturing method using the exposure apparatus of the above aspect (EX) is provided.

本発明の第2の態様によれば、光路空間に満たされた液体の漏出が防止された露光装置を使ってデバイスを製造することができる。 According to a second aspect of the present invention, a device can be manufactured using the exposure apparatus leaking filled in the optical path space liquid is prevented.

本発明によれば、露光光の光路空間に満たされた液体の漏出を防止又は抑制し、露光精度及び計測精度を維持することができる。 According to the present invention, to prevent or suppress the leakage of the liquid filled in the optical path space of the exposure light, it is possible to maintain the exposure accuracy and measurement accuracy.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Will be explained below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto.

<第1実施形態> <First Embodiment>
図1は第1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 Figure 1 is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to the first embodiment. 図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。 1, the exposure apparatus EX includes a mask stage MST which is movable while holding a mask M, a substrate stage PST which is movable while holding a substrate P, the mask M held by the mask stage MST exposure light an illumination optical system IL that illuminates with EL, a projection optical system PL the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto exposed substrate P held on the substrate stage PST, the operation of the entire exposure apparatus EX and a control unit CONT which integrally controls. また、制御装置CONTには、露光処理に関する各種情報を記憶した記憶装置MRYが接続されているとともに、制御装置CONTに対して露光処理に関する各種情報を入力可能な入力装置INPが接続されている。 The control device CONT, along with storage unit MRY which stores various kinds of information concerning the exposure process is connected, can enter the input device INP is connected to various kinds of information concerning the exposure process to the control unit CONT.

本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構1を備えている。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the exposure wavelength to a liquid immersion exposure apparatus that applies the liquid immersion method to substantially widen the depth of focus is improved substantially shortened by resolution, the projection optical system the optical path space K1 for the exposure light EL on the image plane side of the PL and a liquid immersion mechanism 1 for filling with liquid LQ. 液浸機構1は、光路空間K1の近傍に設けられ、光路空間K1に液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、第1供給管13を介して供給口12に液体LQを供給する第1液体供給装置11と、回収口22及び回収管23を介して液体LQを回収する液体回収装置21とを備えている。 The liquid immersion mechanism 1 is provided in the vicinity of the optical path space K1, and the nozzle member 70 having a recovery port 22 in the optical path space K1 is recovered the supply port 12 and the liquid LQ is supplied to the liquid LQ, via the first supply pipe 13 It includes a first liquid supply unit 11 supplies the liquid LQ, a liquid recovery device 21 for recovering the liquid LQ via the recovery ports 22 and the recovery pipe 23 to the supply port 12 Te. 後に詳述するように、ノズル部材70の内部には、供給口12と第1供給管13とを接続する流路(供給流路)14が設けられているとともに、回収口22と回収管23とを接続する流路(回収流路)24が設けられている。 As described later in detail, inside the nozzle member 70, with the flow path which connects the supply port 12 and the first supply pipe 13 (supply passage) 14 is provided, the recovery port 22 and the recovery pipe 23 passage connecting (recovery flow passage) 24 is provided and. ノズル部材70は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。 Nozzle member 70, the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, is formed annularly to surround the first optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL.

また、本実施形態の露光装置EXは、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, a part of the substrate P including the projection area AR of the projection optical system PL, and the local and large and the liquid immersion area LR of the light liquid LQ than the substrate P than the projection area AR It adopts a local liquid immersion method in which formed. 露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板Pに転写している間、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1と、投影光学系PLの像面側に配置された基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、投影光学系PLと光路空間K1に満たされた液体LQとを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによって、マスクMのパターン像を基板Pに投影露光する。 The exposure apparatus EX, while transferring the pattern image of at least the mask M onto the substrate P, a first optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL, is arranged on the image plane side of the projection optical system PL the optical path space K1 for the exposure light EL between the substrate P is filled with the liquid LQ, exposure light EL passing through the mask M via the liquid LQ filled in the projection optical system PL and the optical path space K1 on the substrate P by, for projection exposure of the pattern image of the mask M onto the substrate P. 制御装置CONTは、液浸機構1の第1液体供給装置11を使って液体LQを所定量供給するとともに、液体回収装置21を使って液体LQを所定量回収することで、光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。 The control unit CONT, together with a predetermined amount of supplying the liquid LQ using the first liquid supply unit 11 of the liquid immersion mechanism 1, the liquid LQ by a predetermined amount recovered with the liquid recovery device 21, the optical path space K1 Liquid filled with LQ, locally forming the liquid immersion region LR of the liquid LQ onto the substrate P.

なお、以下の説明においては、投影光学系PLと基板Pとが対向している状態で光路空間K1が液体LQで満たされている場合を主に説明しているが、基板P以外の物体(例えば基板ステージPSTの上面94)が投影光学系PLと対向している状態で光路空間K1が液体LQで満たされている場合も同様である。 In the following description, the projection optical system PL and the substrate P are mainly described the case where the optical path space K1 in a state of facing is filled with the liquid LQ, an object other than the substrate P ( for example, the same when the optical path space K1 in a state where the upper surface 94 of the substrate stage PST) is facing the projection optical system PL is filled with the liquid LQ.

また、露光装置EXは、液体LQを噴射する液体噴射機構3を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a liquid ejecting mechanism 3 for ejecting liquid LQ. 液体噴射機構3は、ノズル部材70に設けられ、液体LQを噴射する噴射口32と、第2供給管33を介して噴射口32に液体LQを供給する第2液体供給装置31とを備えている。 Liquid ejection mechanism 3 is provided in the nozzle member 70, provided with injection port 32 for injecting the liquid LQ, and a second liquid supply device 31 supplies the liquid LQ to the injection port 32 through the second supply pipe 33 there. 後に詳述するように、ノズル部材70の内部には、噴射口32と第2供給管33とを接続する流路(供給流路)34が設けられている。 As described later in detail, inside the nozzle member 70, the passage (supply passage) 34 is provided for connecting the injection port 32 and the second supply pipe 33. 回収口22は、光路空間K1に対して供給口12の外側に設けられており、噴射口32は、光路空間K1に対して回収口22の更に外側に設けられている。 Recovery port 22 is provided outside of the supply port 12 with respect to the optical path space K1, the injection port 32 is further provided on the outside of the recovery port 22 with respect to the optical path space K1.

本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。 In the present embodiment, the scanning type exposure apparatus that the pattern formed on the mask M while synchronously moving the mask M and the substrate P in the scanning direction to expose the substrate P as the exposure apparatus EX when using the (so-called scanning stepper) It will be described as an example. 以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。 In the following description, the synchronous movement direction of the mask M and the substrate P in a horizontal plane (scanning direction) of the X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane a Y-axis direction (non-scanning direction), the X-axis and the direction that matches the optical axis AX of the projection optical system PL in the vertical to the Z-axis direction in the Y-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and rotation about the Z-axis (inclination) directions, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction. なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材(フォトレジスト)を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 The term "substrate" referred to herein includes those obtained photosensitive material on a substrate such as a semiconductor wafer (photoresist) is applied, and the term "mask" includes a reticle formed with a device pattern that is reduction projected onto the substrate .

露光装置EXは、床面上に設けられたベースBPと、そのベースBP上に設けられたメインコラム9とを備えている。 The exposure apparatus EX comprises a base BP provided on the floor surface, and a main column 9 which is provided on the base BP. メインコラム9には、内側に向けて突出する上側段部7及び下側段部8が形成されている。 The main column 9, the upper step portion 7 and the lower step 8 protruding toward the inside is formed. 照明光学系ILは、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明するものであって、メインコラム9の上部に固定された支持フレーム10により支持されている。 The illumination optical system IL is for illuminating the mask M held on the mask stage MST with exposure light EL, and is supported by a support frame 10 fixed to the top of the main column 9.

照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。 The illumination optical system IL is by exposure light source, an optical integrator for uniforming the illuminance of a light flux emitted from the exposure light source, a condenser lens which collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and the exposure light EL and a field diaphragm which sets the illumination area on the mask M. マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。 The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. 照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light beam) such as and, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) and the like. 本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。 ArF excimer laser light is used in this embodiment.

本実施形態においては、第1液体供給装置11と第2液体供給装置31とは同じ液体LQを供給する。 In the present embodiment, the first liquid supply unit 11 and the second liquid supply unit 31 for supplying the same liquid LQ. 液体LQとしては純水が用いられる。 As the liquid LQ is pure water is used. 純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 Not only the ArF excimer laser light but, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light) such as permeable it is.

マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。 The mask stage MST is movable while holding the mask M. マスクステージMSTは、マスクMを真空吸着(又は静電吸着)により保持する。 The mask stage MST holds the mask M by vacuum suction (or electrostatic adsorption). マスクステージMSTの下面には非接触軸受である気体軸受(エアベアリング)85が複数設けられている。 The lower surface of the mask stage MST air bearings 85 is provided with a plurality of non-contact bearings. マスクステージMSTは、エアベアリング85によりマスクステージ定盤2の上面(ガイド面)に対して非接触支持されている。 The mask stage MST is supported in a non-contact manner with respect to the upper surface of the mask stage supporting plate 2 (guide surface) by the air bearing 85. マスクステージMST及びマスクステージ定盤2の中央部にはマスクMのパターン像を通過させる開口部がそれぞれ形成されている。 The central portion of the mask stage MST and the mask stage supporting plate 2 openings for passing the image of the pattern of the mask M are formed. マスクステージ定盤2は、メインコラム9の上側段部7に防振装置86を介して支持されている。 The mask stage surface plate 2 is supported via a vibration isolating apparatus 86 to the upper step portion 7 of the main column 9. すなわち、マスクステージMSTは、防振装置86及びマスクステージ定盤2を介してメインコラム9の上側段部7に支持された構成となっている。 In other words, the mask stage MST has a supported configuration to the upper step portion 7 of the main column 9 via an anti-vibration device 86 and the mask stage supporting plate 2. 防振装置86によって、メインコラム9の振動がマスクステージMSTを支持するマスクステージ定盤2に伝わらないように、マスクステージ定盤2とメインコラム9とが振動的に分離されている。 The vibration isolator 86, so as not transmitted to the mask stage surface plate 2 which vibrations of the main column 9 supports the mask stage MST, and the mask stage surface plate 2 and the main column 9 are vibrationally separated.

マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、マスクステージ定盤2上において、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。 The mask stage MST is driven by mask stage driving unit MSTD including a linear motor or the like controlled by the control device CONT, while holding the mask M, on the mask stage supporting plate 2, the optical axis AX of the projection optical system PL in a plane perpendicular, i.e. it is possible small rotation to the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. マスクステージMST上には移動鏡81が設けられている。 Movement mirror 81 is provided on the mask stage MST. また、移動鏡81に対向する位置にはレーザ干渉計82が設けられている。 A laser interferometer 82 is provided at a position opposed to the movement mirror 81. マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)はレーザ干渉計82によりリアルタイムで計測される。 Dimensional position of the mask M on the mask stage MST, and θZ directions rotation angle (sometimes .theta.X, also including the rotational angle of the θY direction) are measured in real time by the laser interferometer 82. レーザ干渉計82の計測結果は制御装置CONTに出力される。 Measurement results of the laser interferometer 82 is outputted to the control unit CONT. 制御装置CONTは、レーザ干渉計82の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。 The control unit CONT drives the mask stage drive apparatus MSTD based on the measurement results of the laser interferometer 82, to control the position of the mask M held on the mask stage MST.

投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。 Projection optical system PL is for projection exposing the substrate P with the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification beta, is composed of a plurality of optical elements, those optical elements are held by a lens barrel PK . 本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。 In this embodiment, the projection optical system PL is the reduction system having the projection magnification β of, for example, 1 / 4,1 / 5, or 1/8. なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system. また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。 Further, the projection optical system PL, a dioptric system including no catoptric element, a catoptric system that does not include refractive optical element may be either a catadioptric system comprising a reflecting optical element and the refractive optical element. 投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1は鏡筒PKより露出している。 The plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, the first optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL is exposed from the barrel PK.

投影光学系PLを保持する鏡筒PKの外周にはフランジPFが設けられており、投影光学系PLはフランジPFを介して鏡筒定盤5に支持されている。 The outer circumference of the barrel PK which holds the projection optical system PL has a flange PF is provided, the projection optical system PL is supported by the barrel surface plate 5 via a flange PF. 鏡筒定盤5は、メインコラム9の下側段部8に防振装置87を介して支持されている。 Barrel surface plate 5 is supported via the vibration isolating apparatus 87 to the lower step 8 of the main column 9. すなわち、投影光学系PLは、防振装置87及び鏡筒定盤5を介してメインコラム9の下側段部8に支持された構成となっている。 That is, the projection optical system PL has a supported configurations in the lower step 8 of the main column 9 via an anti-vibration device 87 and the barrel surface plate 5. また、防振装置87によって、メインコラム9の振動が投影光学系PLを支持する鏡筒定盤5に伝わらないように、鏡筒定盤5とメインコラム9とが振動的に分離されている。 Also, the vibration isolator 87, so as not transmitted to the barrel surface plate 5 which vibration of the main column 9 supports the projection optical system PL, a lens barrel surface plate 5 and the main column 9 are vibrationally separated .

基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを有しており、基板ホルダPHを支持して移動可能である。 The substrate stage PST has a substrate holder PH which holds the substrate P, which is movable while supporting a substrate holder PH. 基板ホルダPHは、例えば真空吸着等により基板Pを保持する。 The substrate holder PH holds the substrate P, for example, by vacuum suction or the like. 基板ステージPST上には凹部93が設けられており、基板Pを保持するための基板ホルダPHは凹部93に配置されている。 The substrate stage PST has the recess 93 is provided, the substrate holder PH for holding the substrate P is disposed in the recess 93. そして、基板ステージPSTのうち凹部93以外の上面94は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面となっている。 The upper surface 94 other than the recess 93 of the substrate stage PST has a flat surface such that at substantially the same height as the the surface of the substrate P held by the substrate holder PH (flush). なお、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面と基板ステージPSTの上面94との間に僅かな段差があってもよい。 Incidentally, there may be a slight difference in level between the upper surface 94 of the surface and the substrate stage PST of the substrate P held by the substrate holder PH.

基板ステージPSTの下面には非接触軸受である気体軸受(エアベアリング)88が複数設けられている。 The lower surface of the substrate stage PST air bearings 88 is provided with a plurality of non-contact bearings. 基板ステージPSTは、エアベアリング88により基板ステージ定盤6の上面(ガイド面)に対して非接触支持されている。 The substrate stage PST is supported in a non-contact manner with respect to the upper surface of the substrate stage surface plate 6 (guide surface) by the air bearing 88. 基板ステージ定盤6は、ベースBP上に防振装置89を介して支持されている。 Substrate stage surface plate 6 is supported via the vibration isolator 89 on the base BP. また、防振装置89によって、ベースBP(床面)やメインコラム9の振動が基板ステージPSTを支持する基板ステージ定盤6に伝わらないように、基板ステージ定盤6とメインコラム9及びベースBP(床面)とが振動的に分離されている。 Also, the vibration isolator 89, the base BP so that the vibration of the (floor) and the main column 9 is not transmitted to the substrate stage surface plate 6 which supports the substrate stages PST, the substrate stage surface plate 6 and the main column 9 and the base BP (floor) and are vibrationally separated.

基板ステージPSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDの駆動により、基板Pを基板ホルダPHを介して保持した状態で、基板ステージ定盤6上でXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。 The substrate stage PST is driven by a substrate stage-driving unit PSTD including a linear motor or the like controlled by the control device CONT, the substrate P while holding via the substrate holder PH, in the XY plane on the substrate stage surface plate 6 in a two-dimensional movable and θZ directions can be microspheroidal. 更に基板ステージPSTは、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能である。 Further, the substrate stage PST is also movable in the Z axis direction, the θX direction, and the θY direction. したがって、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。 Thus, the surface of the substrate P held by the substrate stage PST, X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and is movable in the direction of the θZ direction of six degrees of freedom. 基板ステージPSTの側面には移動鏡83が設けられている。 The side surface of the substrate stage PST movable mirror 83 is provided. また、移動鏡83に対向する位置にはレーザ干渉計84が設けられている。 A laser interferometer 84 is provided at a position opposed to the movement mirror 83. 基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計84によりリアルタイムで計測される。 Dimensional position of the substrate P on the substrate stages PST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 84. また、露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板Pの表面の面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a focus leveling detection system of oblique incidence type which detects the surface position information of the surface of the substrate P held by the substrate stage PST. レーザ干渉計84の計測結果は制御装置CONTに出力される。 Measurement results of the laser interferometer 84 is outputted to the control unit CONT. フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置CONTに出力される。 Detection results of the focus leveling detection system is also outputted to the control unit CONT. 制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角(θX、θY)を制御して、基板Pの表面を投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計84の計測結果に基づいて、基板PのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行う。 The control unit CONT based on the detection results of the focus leveling detection system, drives the substrate stage drive apparatus PSTD, by controlling the focus position of the substrate P (Z position) and inclination angle (.theta.X, [theta] Y), the substrate P with the surface of Komu suit image plane formed via the projection optical system PL and the liquid LQ, based on the measurement results of the laser interferometer 84, X-axis direction of the substrate P, Y-axis direction, and the position in the θZ direction It performs control.

なお、本実施形態においては、基板ステージPSTに保持されている基板Pの表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系は、光路空間K1に対して噴射口32よりも外側で基板Pの面位置情報を検出するようになっている。 In this embodiment, the focus leveling detection system that detects the surface position information of the surface of the substrate P held by the substrate stage PST, the substrate P outside than the injection port 32 with respect to the optical path space K1 and detects the surface position information. 具体的には、フォーカス・レベリング検出系は、光路空間K1の液体LQを介さずに、光路空間K1に対して噴射口32よりも外側の基板Pの表面に基板Pの面位置情報を検出するための検出光を照射するようになっている。 Specifically, the focus leveling detection system, not through the liquid LQ of the optical path space K1, detects surface position information of the substrate P on the surface of the outside of the substrate P than the injection port 32 with respect to the optical path space K1 It adapted to the detection light for. 図1には、フォーカス・レベリング検出系による検出光Laの照射位置が示されており、走査方向(X軸方向)に関して光路空間K1の両側のそれぞれの基板Pの表面に検出光Laが照射されるようになっている。 In FIG. 1, the irradiation position of the detecting light La by the focus leveling detection system is shown, the detecting light beam La is irradiated to the respective surface of the substrate P of each side of the optical path space K1 with respect to the scanning direction (X axis direction) It has become so. もちろん、特開2000−323404号公報に開示されているように、投影光学系PLから十分に離れた位置にフォーカス・レベリング検出系を設けて、基板Pの面位置情報を液体LQを介さずに検出してもよい。 Of course, Japanese Patent 2000-323404 Patent as disclosed in Japanese, by providing a focus leveling detection system to a position sufficiently away from projection optical system PL, the surface position information of the substrate P not through the liquid LQ it may be detected.

液浸機構1の第1液体供給装置11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット、供給する液体LQの温度を調整する温調装置、及び供給する液体LQを脱気する脱気装置等を備えている。 The first liquid supply unit 11 of the liquid immersion mechanism 1, temperature control apparatus for adjusting tank for accommodating the liquid LQ, a pressurizing pump, the filter unit for removing foreign objects supplied liquid LQ, the temperature of the supplied liquid LQ, and and a degassing unit, which degassed liquid LQ is supplied. 図1には、一例として温調装置11A及び脱気装置11Bが図示されている。 1 is temperature control device 11A and degassing apparatus 11B is shown as an example. 第1液体供給装置11には第1供給管13の一端部が接続されており、第1供給管13の他端部はノズル部材70に接続されている。 The first liquid supply unit 11 is connected one end of the first supply pipe 13, the other end portion of the first supply pipe 13 is connected to the nozzle member 70. 第1液体供給装置11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。 Liquid supply operation of the first liquid supply unit 11 is controlled by the control unit CONT. なお、第1液体供給装置11のタンク、加圧ポンプ、フィルタユニット、温調装置、脱気装置等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。 Incidentally, the tank of the first liquid supply unit 11, pressurizing pump, filter unit, temperature control device, the deaeration device and the like need not have all the exposure apparatus EX, the factory in which the exposure apparatus EX is installed it may be substituted for the equipment and the like.

また、第1供給管13の途中には、第1液体供給装置11から送出され、投影光学系PLの像面側に供給される液体LQの単位時間当たりの量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器19が設けられている。 Further, in the middle of the first supply pipe 13, the flow rate is fed from the first liquid supply device 11, called mass flow controller for controlling the amount per unit time of the liquid LQ to be supplied to the image plane side of the projection optical system PL controller 19 are provided. 流量制御器19による液体供給量の制御は制御装置CONTの指令信号のもとで行われる。 Control of the liquid supply amount by the flow controller 19 is performed under the instruction signal of the control unit CONT.

液浸機構1の液体回収装置21は、真空ポンプ等の真空系、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。 Liquid recovery apparatus 21 of the liquid immersion mechanism 1 has a tank for accommodating a vacuum system such as a vacuum pump, a gas-liquid separator for separating the recovered liquid LQ and gas, and the recovered liquid LQ. 液体回収装置21には回収管23の一端部が接続されており、回収管23の他端部はノズル部材70に接続されている。 The liquid recovery unit 21 has one end portion of the recovery pipe 23 is connected, the other end of the recovery tube 23 is connected to the nozzle member 70. 液体回収装置21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid recovery operation of the liquid recovery device 21 is controlled by the control unit CONT. なお、液体回収装置21の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。 The liquid recovery apparatus 21 vacuum system, the gas-liquid separator, tank, etc., need not all of them have the exposure apparatus EX is provided with, may be substituted by equipment of the factory or the like in which the exposure apparatus EX is installed .

液体噴射機構3の第2液体供給装置31は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット、供給する液体LQの温度を調整する温調装置、及び供給する液体LQを脱気する脱気装置等を備えている。 The second liquid supply unit 31 of the liquid ejection mechanism 3 includes a tank for accommodating the liquid LQ, a pressurizing pump, the filter unit for removing foreign objects supplied liquid LQ, temperature control device for adjusting the temperature of the supplied liquid LQ, and and a degassing unit, which degassed liquid LQ is supplied. 図1には、一例として温調装置31A及び脱気装置31Bが図示されている。 1 is temperature control device 31A and degassing apparatus 31B is shown as an example. 第2液体供給装置31には第2供給管33の一端部が接続されており、第2供給管33の他端部はノズル部材70に接続されている。 The second liquid supply unit 31 is connected to one end of the second supply pipe 33, the other end of the second supply pipe 33 is connected to the nozzle member 70. 第2液体供給装置31の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid supply operation of the second liquid supply unit 31 is controlled by the control unit CONT. なお、第2液体供給装置31のタンク、加圧ポンプ、フィルタユニット、温調装置、脱気装置等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。 Incidentally, the tank of the second liquid supply unit 31, pressurizing pump, filter unit, temperature control device, the deaeration device and the like need not have all the exposure apparatus EX, the factory in which the exposure apparatus EX is installed it may be substituted for the equipment and the like.

また、液体噴射機構3は、第2供給管33の流路の途中に設けられ、第2液体供給装置31からノズル部材70の噴射口32に供給される液体LQの単位時間当たりの量を調整可能な調整装置38を備えている。 The liquid ejection mechanism 3 is provided in the middle of the flow path of the second supply pipe 33, adjusting the amount per unit time of the liquid LQ supplied from the second liquid supply unit 31 to the injection port 32 of the nozzle member 70 and a possible adjustment device 38. 調整装置38としては、例えば上述のマスフローコントローラを用いることができる。 As an adjusting device 38 can be used, for example above a mass flow controller. 制御装置CONTは、調整装置38を使って、噴射口32に対する単位時間当たりの液体供給量を調整することによって、噴射口32より噴射される液体LQの単位時間当たりの量を調整可能である。 The control apparatus CONT uses the adjusting device 38, by adjusting the liquid supply amount per unit time for the injection port 32, it is possible to adjust the amount per unit time of the liquid LQ to be injected from the injection port 32. ここで、以下の説明においては、噴射口32より噴射される液体LQの量を適宜、「噴射量」と称する。 Here, in the following description, the amount of liquid LQ ejected from the ejection nozzle 32 appropriately referred to as "injection amount".

また、制御装置CONTは、調整装置38を使って、噴射口32に対する単位時間当たりの液体供給量を調整することにより、噴射口32から噴射される液体LQの流速を調整することができる。 Further, the control apparatus CONT uses the adjusting device 38, by adjusting the liquid supply amount per unit time for the injection port 32, it is possible to adjust the liquid LQ flow rate ejected from the ejection nozzle 32. 本実施形態においては、噴射口32より噴射される液体LQの流速が、供給口12より供給される液体LQの流速よりも十分に大きくなるように調整される。 In the present embodiment, the flow rate of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 is adjusted to be sufficiently greater than the flow rate of the liquid LQ supplied from the supply port 12.

また上述したように、本実施形態においては、第1液体供給装置11と第2液体供給装置31とは同じ液体LQを送出しており、第1液体供給装置11から送出され、供給口12より供給される液体LQの温度と、第2液体供給装置31から送出され、噴射口32より噴射される液体LQの温度とはほぼ同じ値に設定されている。 Also as mentioned above, in the present embodiment, the first liquid supply unit 11 and the second liquid supply unit 31 and sends the same liquid LQ, is sent from the first liquid supply unit 11, the supply port 12 and the temperature of the liquid LQ to be supplied, is delivered from the second liquid supply unit 31, are set to approximately the same value of the temperature of the liquid LQ to be injected from the injection port 32.

また、供給口12より供給される液体の溶存気体濃度と、噴射口32より噴射される液体の溶存気体濃度ともほぼ同じ値(5ppm以下)に設定されており、露光光ELの光路中における気泡の発生や透過率の低下が抑制されている。 Further, a dissolved gas concentration of the liquid supplied from the supply port 12, is set to substantially the same value with the dissolved gas concentration of the liquid ejected from the ejection nozzle 32 (5 ppm or less), the bubble in the optical path of the exposure light EL reduction of generation and transmission is suppressed.

ノズル部材70は支持機構91に支持されており、支持機構91はメインコラム9の下側段部8に接続されている。 The nozzle member 70 is supported by a support mechanism 91, support mechanism 91 is connected to the lower step 8 of the main column 9. ノズル部材70を支持機構91を介して支持しているメインコラム9と、投影光学系PLの鏡筒PKをフランジPFを介して支持している鏡筒定盤5とは、防振装置87を介して振動的に分離されている。 A main column 9 which supports the nozzle member 70 via the support mechanism 91, a lens barrel surface plate 5 which supports the barrel PK of the projection optical system PL via the flange PF is a vibration isolator 87 It is vibrationally separated through. したがって、ノズル部材70で発生した振動が投影光学系PLに伝達されることは防止されている。 Therefore, the vibration generated by the nozzle member 70 is transmitted to the projection optical system PL is prevented. また、メインコラム9と、基板ステージPSTを支持している基板ステージ定盤6とは、防振装置89を介して振動的に分離されている。 Further, the main column 9, and the substrate stage surface plate 6 which supports the substrate stages PST, are vibrationally separated through a vibration isolator 89. したがって、ノズル部材70で発生した振動がメインコラム9及びベースBPを介して基板ステージPSTに伝達されることが防止されている。 Accordingly, there is prevented that the vibration generated by the nozzle member 70 is transmitted to the substrate stage PST via the main column 9 and the base BP. また、メインコラム9と、マスクステージMSTを支持しているマスクステージ定盤2とは、防振装置86を介して振動的に分離されている。 Further, the main column 9, and the mask stage supporting plate 2 which supports the mask stage MST, it is vibrationally isolated via the vibration isolating apparatus 86. したがって、ノズル部材70で発生した振動がメインコラム9を介してマスクステージMSTに伝達されることが防止されている。 Accordingly, there is prevented that the vibration generated by the nozzle member 70 is transmitted to the mask stage MST via the main column 9.

次に、図2〜図5を参照しながら、ノズル部材70について説明する。 Next, with reference to FIGS. 5 to describe the nozzle member 70. 図2はノズル部材70近傍を示す概略斜視図の一部破断図、図3はノズル部材70を下側から見た斜視図、図4はYZ平面と平行な側断面図、図5はXZ平面と平行な側断面図である。 Figure 2 is a partially cutaway view of a schematic perspective view showing the vicinity of the nozzle member 70, FIG. 3 is a perspective view of the nozzle member 70 from below, Figure 4 is parallel to a side sectional view and a YZ plane, Figure 5 is the XZ plane is parallel cross-sectional side view.

ノズル部材70は、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の近傍に設けられている。 The nozzle member 70 is provided in the vicinity of the first optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL. ノズル部材70は環状部材であって、基板P(基板ステージPST)の上方において第1光学素子LS1を囲むように配置されている。 The nozzle member 70 an annular member, is disposed so as to surround the first optical element LS1 above the substrate P (substrate stage PST). ノズル部材70は、その中央部に投影光学系PL(第1光学素子LS1)を配置可能な穴部70Hを有している。 The nozzle member 70 has a deployable hole 70H projection optical system PL (first optical element LS1) at its center. ノズル部材70は、複数の部材を組み合わせて構成されており、全体として平面視略円形状に形成されている。 The nozzle member 70 is configured by combining a plurality of members, and is formed into a generally circular shape in plane view as a whole. なお、ノズル部材70は一つの部材によって構成されていてもよい。 The nozzle member 70 may be constituted by a single member.

ノズル部材70の穴部70Hの内側面70Tは、投影光学系PLの第1光学素子LS1の側面LTと対向して、第1光学素子LS1の側面LTに沿うようにすり鉢状に形成されている。 Inner side surface 70T of the hole 70H of the nozzle member 70 is opposed to the side surface LT of the first optical element LS1 of the projection optical system PL, and is formed in a bowl shape along the side surface LT of the first optical element LS1 . 具体的には、第1光学素子LS1の側面LT及びノズル部材70の内側面70Tは、光路空間K1の外側から内側に向かうにつれて基板Pとの間隔(距離)が小さくなるように傾斜している。 Specifically, the inner side surface 70T of the side surface LT and the nozzle member 70 of the first optical element LS1, the distance from the outside of the optical path space K1 between the substrate P toward the inside (distance) is inclined so as to decrease . そして、ノズル部材70の内側面70Tと第1光学素子LS1の側面LTとの間には所定のギャップG1が設けられている。 Then, a predetermined gap G1 is provided between the side surface LT of the inner side surface 70T and the first optical element LS1 of the nozzle member 70. ギャップG1が設けられていることにより、ノズル部材70で発生した振動が、投影光学系PL(第1光学素子LS1)側に直接的に伝達することが防止されている。 By the gap G1 is provided, the vibration generated by the nozzle member 70 is prevented from being directly transmitted to the projection optical system PL (first optical element LS1) side.

ノズル部材70は、Z軸方向に関して、投影光学系PLの第1光学素子LS1の下面T1と基板P(基板ステージPST)との間に配置される底板部70Dを有している。 Nozzle member 70, the Z-axis direction, and a bottom plate portion 70D disposed between the lower surface T1 and the substrate P of the first optical element LS1 of the projection optical system PL (substrate stage PST). 底板部70Dの中央部には、露光光ELが通過する開口部74が形成されている。 The central portion of the bottom plate portion 70D, the opening 74 through which the exposure light EL passes is formed. 開口部74は、露光光ELが照射される投影領域ARよりも大きく形成されている。 Opening 74 is larger than the projection area AR of the exposure light EL is irradiated. 本実施形態においては、開口部74は平面視略十字状に形成されている。 In the present embodiment, the opening 74 is formed in plan view substantially cross shape. なお開口部74は、十字状に限られず、投影領域ARと合わせた矩形状であってもよい。 Note opening 74 is not limited to a cross shape but may be a rectangular shape to fit the projection area AR. 底板部70Dは、第1光学素子LS1の下面T1及び基板P(基板ステージPST)とは接触しないように設けられている。 The bottom plate portion 70D is provided so as not to contact with the lower surface T1 and the substrate P of the first optical element LS1 (substrate stage PST). そして、第1光学素子LS1の下面T1と底板部70Dの上面との間には、所定のギャップG2を有する空間が設けられている。 Further, between the upper surface of the lower surface T1 and the bottom plate portion 70D of the first optical element LS1, the space having a predetermined gap G2 is provided. 以下の説明においては、第1光学素子LS1の下面T1と底板部70Dの上面との間の空間を含むノズル部材70の内側の空間を適宜、「内部空間G2」と称する。 In the following description, appropriately the space inside the nozzle member 70 including the space between the upper surface of the lower surface T1 and the bottom plate portion 70D of the first optical element LS1, referred to as "internal space G2."

ノズル部材70のうち、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と対向する下面75は、XY平面と平行な平坦面となっている。 Of the nozzle member 70, lower surface 75 which faces the surface of the substrate P held by the substrate stage PST has a XY plane parallel to the flat surface. ノズル部材70の下面75には、底板部70Dの下面が含まれる。 The lower surface 75 of the nozzle member 70 includes a lower surface of the bottom plate portion 70D. ここで、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面はXY平面とほぼ平行であるため、ノズル部材70の下面75は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と対向するように、且つ基板Pの表面と略平行となるように設けられた構成となっている。 Here, since the surface of the substrate P held by the substrate stage PST is substantially parallel to the XY plane, the lower surface 75 of the nozzle member 70, so as to face the surface of the substrate P held on the substrate stage PST, and It has a configuration which is provided so as to be a surface of the substrate P substantially parallel.

ノズル部材70は、液体LQを供給する供給口12、及び液体LQを回収する回収口22を備えている。 The nozzle member 70 is provided with a recovery port 22 for the supply port 12 for supplying the liquid LQ, and the liquid LQ recovered. また、ノズル部材70は、供給口12に接続する供給流路14、及び回収口22に接続する回収流路24を備えている。 The nozzle member 70 has a recovery flow passage 24 connected to the supply channel 14, and the recovery port 22 connected to the supply port 12. また、図2〜図5においてはその図示を省略若しくは簡略しているが、供給流路14は第1供給管13の他端部と接続され、回収流路24は回収管23の他端部と接続される。 In addition, although omitted or simplified illustration thereof in Figures 2-5, the supply passage 14 is connected to the other end of the first supply pipe 13, the other end of the recovery flow passage 24 recovery pipe 23 It is connected to.

供給流路14は、ノズル部材70の内部を傾斜方向に沿って貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。 Supply channel 14 is formed by a slit-shaped through-hole penetrating along the interior of the nozzle member 70 in the inclined direction. 供給流路14は、光路空間K1の外側から内側に向かうにつれて基板Pとの間隔(距離)が小さくなるように傾斜しており、本実施形態においては、内側面70Tとほぼ平行に設けられている。 Supply channel 14, the distance from the outside of the optical path space K1 between the substrate P toward the inside (distance) is inclined so as to become smaller, in this embodiment, provided substantially parallel to the inner side surface 70T there. また、本実施形態においては、供給流路14は、光路空間K1(投影領域AR)に対してY軸方向両側のそれぞれに設けられている。 In the present embodiment, the supply passage 14 is provided in each of the Y-axis direction sides respect to the optical path space K1 (projection area AR). そして、供給流路(貫通孔)14の上端部と第1供給管13の他端部とが接続され、これにより、供給流路14が第1供給管13を介して第1液体供給装置11に接続される。 The upper end of the supply channel (through-hole) 14 and the other end of the first supply pipe 13 is connected, thereby, the supply channel 14 is the first liquid supply unit 11 via the first supply pipe 13 It is connected to. 一方、供給流路14の下端部は、第1光学素子LS1と底板部70Dとの間の内部空間G2に接続されており、この供給流路14の下端部が供給口12となっている。 On the other hand, the lower end portion of the supply channel 14 is connected to the internal space G2 between the first optical element LS1 and the bottom plate portion 70D, the lower end portion of the supply channel 14 has a supply port 12. 供給口12は、露光光ELの光路空間K1の外側において、光路空間K1を挟んだY軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。 Supply port 12 is outside of the optical path space K1 for the exposure light EL, it is provided in the respective predetermined positions of sandwiching the optical path space K1 Y-axis direction on both sides. 供給口12は、内部空間G2に液体LQを供給可能である。 Supply port 12 is capable of supplying the liquid LQ in the internal space G2.

また、ノズル部材70は、内部空間G2の気体を外部空間(大気空間)K3に排出(排気)する排出口16と、排出口16に接続する排出流路15とを備えている。 The nozzle member 70 includes a discharge port 16 for discharging (exhaust) gas in the internal space G2 to the external space (atmospheric space) K3, and a discharge passage 15 connecting the discharge port 16. 排出流路15は、ノズル部材70の内部を傾斜方向に沿って貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。 Discharge passage 15 is formed by a slit-shaped through-hole penetrating along the interior of the nozzle member 70 in the inclined direction. 排出流路15は、光路空間K1の外側から内側に向かうにつれて基板Pとの間隔(距離)が小さくなるように傾斜しており、本実施形態においては、内側面70Tとほぼ平行に設けられている。 Discharge passage 15, the distance from the outside of the optical path space K1 between the substrate P toward the inside (distance) is inclined so as to become smaller, in this embodiment, provided substantially parallel to the inner side surface 70T there. また、本実施形態においては、排出流路15は、光路空間K1(投影領域AR)に対してX軸方向両側のそれぞれに設けられている。 In the present embodiment, the discharge passage 15 is provided in each of the X-axis direction sides respect to the optical path space K1 (projection area AR). そして、排出流路(貫通孔)15の上端部は外部空間(大気空間)K3に接続されており、大気開放された状態となっている。 The upper end of the discharge channel (through-hole) 15 is connected to the external space (atmospheric space) K3, which is a state of being open to the atmosphere. 一方、排出流路15の下端部は、第1光学素子LS1と底板部70Dとの間の内部空間G2に接続されており、この排出流路15の下端部が排出口16となっている。 On the other hand, the lower end of the discharge passage 15 is connected to the internal space G2 between the first optical element LS1 and the bottom plate portion 70D, the lower end portion of the discharge passage 15 has a discharge port 16. 排出口16は、露光光ELの光路空間K1の外側において、光路空間K1を挟んだX軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。 Discharge port 16, the outside of the optical path space K1 for the exposure light EL, is provided in the respective predetermined positions in the X-axis direction both sides of the optical path space K1. 排出口16は、内部空間G2の気体、すなわち投影光学系PLの像面周囲の気体と接続されている。 Discharge port 16, the gas in the internal space G2, that is, connected to the gas on the image plane around the projection optical system PL. したがって、内部空間G2の気体は、排出口16を介して、排出流路15の上端部より、外部空間(大気空間)K3に排出(排気)可能となっている。 Therefore, the gas in the internal space G2, via the outlet 16, the upper end portion of the discharge flow channel 15, and can discharge (exhaust) to the external space (atmospheric space) K3. なお、内部空間G2に接続された排気流路15の上端を吸引装置と接続して、内部空間G2の気体を強制的に排出するようにしてもよい。 Incidentally, the upper end of the exhaust passage 15 connected to the internal space G2 and connected to a suction device may be forcibly discharged gas of the internal space G2.

底板部70Dは、供給口12から供給された液体LQの流れをガイドするガイド部材としての機能を有している。 The bottom plate portion 70D has a function as a guide member for guiding the flow of the liquid LQ supplied from the supply port 12. 底板部70Dは、供給口12から供給された液体LQが、排出口16が設けられている位置又はその近傍に向かって流れるようにガイドする。 The bottom plate portion 70D, the liquid LQ supplied from the supply port 12, to guide the flow towards the position or its vicinity outlet 16 is provided.

ノズル部材70は、下向きに開口する空間部24を有している。 The nozzle member 70 has a space 24 which is open downward. 回収口22は、空間部24の開口部によって構成されている。 Recovery port 22 is constituted by an opening of the space 24. また、回収流路は空間部24によって構成されている。 The recovery flow passage is constituted by the space portion 24. 空間部24は、光路空間K1に対して供給流路14及び排出流路15の外側に設けられている。 Space portion 24 is provided on the outer side of the supply channel 14 and the discharge flow path 15 with respect to the optical path space K1. そして、回収流路(空間部)24の一部と回収管23の他端部とがノズル部材70の側面において接続されている。 Then, a part of the recovery flow passage (space) 24 and the other end of the recovery pipe 23 is connected at the side surface of the nozzle member 70.

回収口22は、基板ステージPSTに保持された基板Pの上方において、その基板Pの表面と対向する位置に設けられている。 Recovery port 22, above the substrate P held on the substrate stage PST, are provided at a position facing the surface of the substrate P. 基板ステージPSTに保持された基板Pの表面とノズル部材70に設けられた回収口22とは所定距離だけ離れている。 The recovery port 22 provided on the surface and the nozzle member 70 of the substrate P held by the substrate stage PST are separated by a predetermined distance. 回収口22は、投影光学系PLの像面側の光路空間K1に対して供給口12の外側に設けられており、光路空間K1(投影領域AR)及び供給口12を囲むように環状に形成されている。 Recovery port 22 is formed annularly to surround the projection is provided on the outer side of the supply port 12 with respect to the optical path space K1 on the image plane side of the optical system PL, the optical path space K1 (projection area AR) and the supply port 12 It is. すなわち、光路空間K1に対して供給口12の外側に回収口22が設けられた構成となっている。 That is, the recovery port 22 has a configuration that is provided outside the supply port 12 with respect to the optical path space K1. 本実施形態においては、回収口22は平面視円環状に形成されている。 In this embodiment, the recovery port 22 is formed in plan view a circular ring. なお、回収口22は平面視円環状に限らず、例えば平面視矩形環状であってもよい。 The recovery port 22 is not limited in plan view an annular, for example, it is a plan view rectangular ring.

ノズル部材70は、回収口22を覆うように配置された、複数の孔を有する多孔部材25を備えている。 The nozzle member 70 is arranged to cover the recovery port 22, and a porous member 25 having a plurality of holes. 本実施形態においては、多孔部材25は複数の孔を有したメッシュ部材により構成されている。 In the present embodiment, the porous member 25 is formed of a mesh member having a plurality of holes. 多孔部材25としては、例えば略六角形状の複数の孔からなるハニカムパターンを形成されたメッシュ部材やチタンなどの板状部材に多数の孔を形成したメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔部材によって構成可能である。 As the porous member 25, it can be configured for example substantially hexagonal shape of a number of holes formed mesh member into a plurality of plate-like members such as mesh members and titanium honeycomb pattern formed consisting of the hole or by ceramic porous members, it is.

多孔部材25は、基板ステージPSTに保持された基板Pと対向する下面25Bを有している。 Porous member 25 has a lower surface 25B opposite to the substrate P held by the substrate stage PST. 多孔部材25の基板Pと対向する下面25Bはほぼ平坦である。 Substrate P facing the lower surface 25B of the porous member 25 is substantially flat. 多孔部材25は、その下面25Bが基板ステージPSTに保持された基板Pの表面(すなわちXY平面)とほぼ平行になるように回収口22に設けられている。 Porous member 25 has its lower surface 25B is provided on the recovery port 22 so as to be substantially parallel to the surface of the substrate P held by the substrate stage PST (i.e., the XY plane). また、多孔部材25は、その下面25Bとノズル部材70の下面75とがZ軸方向においてほぼ同じ位置(高さ)になるように、且つ下面25Bとノズル部材70の下面75とが連続するように、回収口22に設けられている。 The porous member 25, so that the lower surface 75 of the lower surface 25B and the nozzle member 70 is to be approximately the same position (height) in the Z axis direction, and the lower surface 75 of the lower surface 25B and the nozzle member 70 are continuous a, it is provided in the recovery port 22. 液体LQは、回収口22に配置された多孔部材25を介して回収される。 The liquid LQ is recovered via the by porous member 25 disposed in the recovery port 22.

次に、液体噴射機構3について説明する。 Next, a description will be given liquid jet mechanism 3. ノズル部材70は、液体LQを噴射する噴射口32を備えている。 The nozzle member 70 includes an injection port 32 for injecting the liquid LQ. ノズル部材70は、基板ステージPSTに保持された基板Pの上方において、その基板Pの表面と対向する下面75を有しており、噴射口32は下面75に設けられている。 Nozzle member 70, above the substrate P held on the substrate stage PST, has a lower surface 75 facing the surface of the substrate P, the injection port 32 are provided on the lower surface 75. したがって、噴射口32は、基板ステージPSTに保持された基板Pの上方において、その基板Pの表面と対向する位置に設けられた構成となっている。 Accordingly, the injection port 32, above the substrate P held on the substrate stage PST, has a configuration that is provided at a position facing the surface of the substrate P. 基板ステージPSTに保持された基板Pの表面とノズル部材70の下面75に設けられた噴射口32とは所定距離だけ離れている。 The injection port 32 provided on the lower surface 75 of the surface and the nozzle member 70 of the substrate P held by the substrate stage PST are separated by a predetermined distance.

噴射口32は、投影光学系PLの像面側の光路空間K1に対して回収口22の外側に設けられており、光路空間K1(投影領域AR)、及び回収口22を囲むように環状に設けられている。 Injection port 32 is provided outside of the recovery port 22 with respect to the optical path space K1 on the image plane side of projection optical system PL, the optical path space K1 (projection area AR), and into an annular shape so as to surround the recovery port 22 It is provided. 本実施形態においては、噴射口32は平面視円環状に形成され、所定のスリット幅D1(図4参照)を有するスリット状に形成されている。 In the present embodiment, the injection port 32 is formed in plan view a circular annular shape, and is formed in a slit shape having a predetermined slit width D1 (see FIG. 4). なお、噴射口32は平面視円環状に限らず、例えば平面視矩形環状であってもよい。 Incidentally, the injection port 32 is not limited in plan view an annular, for example, it is a plan view rectangular ring.

ノズル部材70は、噴射口32に液体LQを供給する供給流路34を有している。 The nozzle member 70 has a supply passage 34 for supplying the liquid LQ to the injection port 32. 供給流路34はノズル部材70の内部に設けられており、その下端部は噴射口32に接続されている。 Supply passage 34 is provided in the nozzle member 70, the lower end portion is connected to the injection port 32. また、供給流路34の一部には第2供給管33の他端部が接続されている。 Further, a part of the supply channel 34 at the other end of the second supply pipe 33 is connected.

供給流路34は、噴射口32に接続する第1流路部34Aと、第1流路部34Aよりも大きいバッファ空間37を含む第2流路部34Bとを有している。 Supply passage 34 has a first flow passage portion 34A to be connected to the injection port 32, and a second flow passage portion 34B including the buffer space 37 is larger than the first flow path portion 34A. 第2流路部34Bは、光路空間K1に対して第1流路部34Aの外側に設けられており、第2供給管33と接続されている。 Second flow passage portion 34B, to the optical path space K1 is provided on the outer side of the first flow path portion 34A, and is connected to the second supply pipe 33. 第1流路部34Aは、傾斜領域と、光路空間K1に対して傾斜領域よりも外側に設けられた水平領域とを有している。 The first flow passage portion 34A has an inclined region, a horizontal region provided outside the inclined area with respect to the optical path space K1. 第1流路部34Aの傾斜領域は、光路空間K1の外側から内側に向かうにつれて、すなわち光路空間K1に近づくにつれて基板Pとの間隔(距離)が漸次小さくなるように傾斜している。 Slope region of the first flow passage portion 34A is toward the outside of the optical path space K1 on the inside, i.e. distance between the substrate P as it approaches the optical path space K1 (distance) is inclined to gradually become smaller. そして、第1流路部34Aの傾斜領域の下端部が噴射口32となっている。 A lower end portion of the inclined area of ​​the first flow passage portion 34A is in the injection port 32. 本実施形態においては、第1流路部34Aの傾斜領域は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面(XY平面)に対して所定角度(例えば30°程度)傾斜している。 In the present embodiment, the inclined region of the first flow passage portion 34A has a predetermined angle (e.g. 30 ° or so) inclined with respect to the surface of the substrate P held by the substrate stage PST (XY plane). 第1流路部34Aの水平領域は、XY平面とほぼ平行に設けられており、第1流路部34Aの傾斜領域の上端部と第2流路部34Bのバッファ空間37とを接続している。 Horizontal area of ​​the first flow passage portion 34A is an XY plane is provided substantially in parallel, and connect the upper end portion of the inclined area of ​​the first flow passage portion 34A and the buffer space 37 of the second flow path portion 34B there.

第1流路部34Aの傾斜領域は、環状のスリット状に形成された噴射口32に対応するように、XY平面に沿った断面視において環状に形成されたスリット状の流路である。 Slope region of the first flow path portion 34A so as to correspond to the injection port 32 formed in the annular slit, a slit-shaped flow path formed annularly in the cross-sectional view taken along the XY plane. 傾斜領域の上端部近傍の流路の幅は広く、噴射口32に向かうにつれて漸次狭くなるように設けられている。 The width of the flow path of the vicinity of an upper end portion of the inclined region is wide, provided to become gradually narrower toward the injection port 32. そして、傾斜領域の下端部は、噴射口32のスリット幅D1とほぼ同じ幅を一様に有したスリット状の流路となっている。 A lower end portion of the inclined area has a substantially slit-shaped flow path of the same width uniformly having a slit width D1 of the injection port 32. バッファ空間37は、光路空間K1に対して第1流路部34Aの水平領域の外側に設けられ、第1流路部34Aの水平領域を囲むように環状に形成された空間であり、第1流路部34Aの幅よりも十分に大きい幅D2(図4参照)を一様に有している。 Buffer space 37, with respect to the optical path space K1 disposed outside the horizontal area of ​​the first flow path portion 34A, a space formed in an annular shape to surround the horizontal area of ​​the first flow path portion 34A, the first and uniformly have a sufficiently large width D2 (see FIG. 4) than the width of the flow path portion 34A.

すなわち、供給流路34は、Z軸方向において幅D2を有するバッファ空間37を含む第2流路部34Bと、第2流路部34Bよりも流路下流側に設けられ、幅D2よりも小さい幅を有する第1流路部34Aとを有した構成となっている。 That is, the supply passage 34 includes a second channel portion 34B including the buffer space 37 having a width D2 in the Z-axis direction, disposed in the flow path downstream of the second flow passage portion 34B, smaller than the width D2 It has a configuration having a first flow passage portion 34A having a width. 第1流路部34Aは、流路上流側に設けられたバッファ空間37よりも狭められた構成となっている。 The first flow passage portion 34A has a configuration that is narrower than the buffer space 37 provided in the flow path upstream side.

バッファ空間37を含む第2流路部34Bには第2供給管33の他端部が接続される。 The second flow passage portion 34B including the buffer space 37 is connected to the other end of the second supply pipe 33. 本実施形態においては、供給流路34の第2流路部34Bと第2供給管33との接続位置は、ノズル部材70の側面において周方向(θZ方向)にほぼ等間隔で複数設定されており、それら複数の接続位置のそれぞれに第2供給管33の他端部が接続されている。 In the present embodiment, the connection position of the second flow path portion 34B and the second supply pipe 33 of the supply channel 34, with a plurality set at substantially equal intervals in a side surface of the nozzle member 70 in the circumferential direction (.theta.Z direction) cage, the other end of the second supply pipe 33 is connected to each of the plurality of connection locations. なお図では、供給流路34の第2供給管33との接続位置は4箇所のように示されているが、例えば8箇所など任意の複数の位置に設定されてよい。 Note in the figure, the connection position of the second supply pipe 33 of the supply channel 34 is shown as a four positions may be set to any of a plurality of positions, for example eight. 噴射口32と第2液体供給装置31とは、供給流路34及び第2供給管33を介して接続されている。 And the injection port 32 and the second liquid supply unit 31 are connected via the supply flow passage 34 and the second supply pipe 33.

第2液体供給装置31から送出された液体LQは、第2供給管33を介して供給流路34のうちバッファ空間37を含む第2流路部34Bに流入した後、第2流路部34B及び第1流路部34Aを介して噴射口32に供給される。 Liquid LQ fed from the second liquid supply unit 31, after flowing into the second flow passage portion 34B including the buffer space 37 of the supply channel 34 through the second supply pipe 33, the second flow path portion 34B and it is supplied to the injection port 32 through the first flow path portion 34A. 第2流路部34B及び第1流路部34Aを含む供給流路34より噴射口32に供給された液体LQは、噴射口32よりノズル部材70の外部に噴射される。 Liquid LQ supplied to the injection port 32 from the supply passage 34 including a second flow path portion 34B and the first flow passage portion 34A is injected from the injection port 32 to the outside of the nozzle member 70.

このとき、第1流路部34Aの傾斜領域の幅は、噴射口32に向かうにつれて漸次狭くなっているため、第2流路部34Bのバッファ空間37を介して第1流路部34Aの傾斜領域の上端部に流入した液体LQは、ノズル効果によりその流速を高めつつ噴射口32に向かって流れ、噴射口32より所定の流速で噴射される。 The width of the inclined region of the first flow passage portion 34A, since that is gradually narrowed toward the injection port 32, the inclination of the first channel part 34A through the buffer space 37 of the second flow path portion 34B liquid LQ that flows into the upper end region, flows toward the injection port 32 while increasing the flow rate by the nozzle effect, is injected at a predetermined flow rate from the ejection nozzle 32.

また、第1流路部34Aの傾斜領域は、光路空間K1に近づくにつれて基板Pとの間隔(距離)が漸次小さくなるように所定角度(30°程度)傾斜しており、第1流路部34Aの傾斜領域の下端部に設けられた噴射口32は、光路空間K1に向けて傾斜方向に液体LQを噴射する。 Further, the inclined region of the first flow passage portion 34A is predetermined angle (about 30 °) and the distance between the substrate P (distance) becomes gradually smaller toward the optical path space K1 is inclined, the first flow path portion injection port 32 provided at the lower end of the inclined region of the 34A injects the liquid LQ in the inclined direction toward the optical path space K1.

また、バッファ空間37は、第2液体供給装置31から第2供給管33を介して供給された液体LQのエネルギー(圧力、流速)を分散して均一化し、バッファ空間37から第1流路部34Aに流入する液体LQの単位時間当たりの量(流速)を、スリット状の流路である第1流路部34Aの各位置において均一化する。 Further, the buffer space 37, second from the liquid supply device 31 of the liquid LQ supplied through the second supply pipe 33 energy (pressure, flow rate) was dispersed and homogenized, the first channel part from the buffer space 37 the amount per unit of the liquid LQ time entering the 34A (flow rate), homogenizing at each position of the first flow path portion 34A is a slit-shaped flow path. バッファ空間37を設けたことにより、液体噴射機構3は、バッファ空間37を含む第2流路部34B及び第1流路部34Aを介して噴射口32に供給された液体LQを、スリット状の噴射口32からほぼ均一に噴射することができる。 By providing the buffer space 37, the liquid ejection mechanism 3, the liquid LQ supplied to the injection port 32 through the second flow path portion 34B and the first flow passage portion 34A includes a buffer space 37, the slit-shaped it can be substantially uniformly ejected from the ejection nozzle 32. つまり、バッファ空間37が設けられていない場合、第1流路部34Aを流れる単位時間当たりの液体LQの量は、第2供給管33の他端部が接続された位置近傍のほうがその他の位置より多くなるため、所定長さに形成されたスリット状の噴射口32の各位置において噴射される液体LQの単位時間当たりの噴射量(流速)が不均一となる場合がある。 In other words, if the buffer space 37 is not provided, the amount of the liquid LQ per unit time flowing through the first flow passage portion 34A, the position of the other better position near the other end is connected to the second supply pipe 33 to become more, there is a case where the injection amount per unit time of the liquid LQ to be injected at each position of a predetermined form to the length a slit-shaped injection opening 32 (flow rate) is not uniform. しかしながら、バッファ空間37を設けて第2供給管33から供給された液体LQのエネルギーを分散して均一化することによって、第1流路部34Aを介してスリット状の噴射口32の各位置に供給される液体LQの流量(流速)を均一化することができ、液体LQは、円環状のスリット状の噴射口32の各位置においてほぼ均一な噴射量で噴射される。 However, by homogenizing and dispersing the energy of the supplied liquid LQ from the second supply pipe 33 provided with a buffer space 37, the respective positions of the slit-shaped injection port 32 through the first flow passage portion 34A the supplied liquid LQ flow rate (flow velocity) can be made uniform, the liquid LQ is injected with a substantially uniform injection quantity at each position of the annular slit-shaped injection port 32.

また、第2液体供給装置31は脱気装置31Bを有しているので、液体噴射機構3は、脱気装置31Bを使って、噴射口32から噴射される液体LQ中の気体成分を低減することができる。 Further, since the second liquid supply unit 31 has a degassing device 31B, a liquid ejection mechanism 3, using the deaerator 31B, to reduce the gas component in the liquid LQ to be injected from the injection port 32 be able to.

図6は、第2液体供給装置31に設けられている脱気装置31Bの一例を示す概略構成図である。 Figure 6 is a schematic diagram showing an example of a degassing device 31B provided in the second liquid supply unit 31. なお、第1液体供給装置11に設けられている脱気装置11Bも、第2液体供給装置31の脱気装置31Bと同等の構成を有する。 Incidentally, degasser 11B provided in the first liquid supply unit 11 also has a degassing device 31B equivalent to the configuration of the second liquid supply unit 31. 図6において、脱気装置31Bは、ハウジング171と、ハウジング171の内部に空間173を介して収容された中空糸束172とを備えている。 6, deaerator 31B includes a housing 171, a hollow fiber bundle 172 contained through the space 173 inside the housing 171. 中空糸束172は、複数のストロー状の中空糸膜174を互いに平行に束ねたものである。 Hollow fiber bundle 172 is obtained by bundling a plurality of straw-like hollow fiber membranes 174 in parallel to each other. 各中空糸膜174は、疎水性が高く気体透過性に優れた素材(例えば、ポリ4メチルペンテン1)で形成されている。 Each hollow fiber membrane 174 is formed of a material hydrophobic and excellent high gas permeability (e.g., poly 4-methylpentene-1). ハウジング171の両端には真空キャップ部材175a、175bが固定されており、ハウジング171の両端外側に密閉空間176a、176bを形成している。 Vacuum cap member 175a at both ends of the housing 171, 175b are fixed, closed space 176a at both ends outside the housing 171 to form a 176b. 真空キャップ部材175a、175bには不図示の真空ポンプに接続された脱気口177a、177bが設けられている。 Vacuum cap members 175a, the 175b are degassing port 177a, 177b is provided which is connected to a vacuum pump (not shown). また、ハウジング171の両端には、中空糸束172の両端のみが密閉空間176a、176bに連結されるように封止部178a、178bが形成されている。 Further, at both ends of the housing 171, only the ends of the hollow fiber bundle 172 is sealed space 176a, the sealing portion 178a to be coupled to 176b, 178b are formed. 脱気口177a、177bには真空ポンプが接続されており、制御装置CONTは真空ポンプを駆動することで各中空糸膜174の内側を減圧状態にすることができる。 Deaeration port 177a, is connected to a vacuum pump to 177b, the control unit CONT can make the inside of the hollow fiber membranes 174 by driving the vacuum pump to a reduced pressure state. また、中空糸束172の内部には、未だ脱気処理されていない液体LQを流入させるための管179が設けられている。 Inside the hollow fiber bundle 172, a tube 179 for flowing is provided a liquid LQ that has not yet been degassed. 管179には複数の液体供給穴180が設けられており、封止部178a、178b及び中空糸束172で囲まれた空間181に、液体供給穴180から液体LQが供給される。 The tube 179 has a plurality of liquid supply holes 180 are provided, the sealing portion 178a, the space 181 surrounded by 178b and the hollow fiber bundle 172, the liquid LQ is supplied from the liquid supply hole 180. 液体供給穴180から空間181への液体LQの供給を続けると、液体LQは平行に束ねた中空糸膜174の層を横切るように外側へ向かって流れ、中空糸膜174の外表面と接触する。 When the liquid supply hole 180 continues the supply of the liquid LQ to the space 181, the liquid LQ flows outwardly across the layers of hollow fiber membranes 174 bundled in parallel, in contact with the outer surface of the hollow fiber membrane 174 . 上述したように、中空糸膜174のそれぞれは、疎水性が高く気体透過性に優れた素材で形成されているので、液体LQは中空糸膜174の内側に入ることなく、各中空糸膜174の間を通って中空糸束172の外側の空間173に移動する。 As described above, each of the hollow fiber membrane 174, because it is formed of a material hydrophobic and excellent high gas permeability, the liquid LQ without entering the inside of the hollow fiber membrane 174, the hollow fiber membranes 174 It passes between the move to the outside of the space 173 of the hollow fiber bundle 172. 一方、液体LQ中に溶解している気体(分子)は、中空糸膜174の内側が減圧状態(20Torr程度)になっているので、各中空糸膜174の内側へ移動する(吸収される)。 Meanwhile, the gas dissolved in the liquid LQ (molecules), since the inside of the hollow fiber membrane 174 is in the vacuum state (about 20 Torr), moves to the inside of the hollow fiber membranes 174 (absorbed) . このように、中空糸膜174の層を横切る間に液体LQから除去(脱気)された気体成分は、矢印183で示すように、中空糸束172の両端から密閉空間176a、176b介して脱気口177a、177bから排出される。 Thus, the gas component is removed (deaerated) from the liquid LQ during crossing the layer of the hollow fiber membrane 174, as indicated by arrow 183, the closed space 176a from both ends of the hollow fiber bundle 172, via 176b de exhaust ports 177a, and is discharged from 177b. また、脱気処理された液体LQは、ハウジング151に設けられた液体出口182を介して第2供給管33(噴射口32)に供給される。 Further, deaerated liquid LQ is supplied to the second supply pipe 33 through the liquid outlet 182 provided on the housing 151 (injection port 32). 本実施形態においては、脱気装置31Bは、液体LQの溶存気体濃度が5ppm以下となるように脱気を行う。 In the present embodiment, the degassing device 31B performs degassing so that the dissolved gas concentration of the liquid LQ becomes 5ppm or less.

次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について説明する。 Next, the pattern image of the mask M will be described a method for exposing the substrate P by using the exposure apparatus EX constructed as described above.

露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすために、制御装置CONTは、第1液体供給装置11及び液体回収装置21のそれぞれを駆動する。 To meet the optical path space K1 for the exposure light EL with the liquid LQ, the controller CONT drives each of the first liquid supply unit 11 and the liquid recovery device 21. 制御装置CONTの制御のもとで第1液体供給装置11から送出された液体LQは、第1供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路14を介して、供給口12より投影光学系PLの第1光学素子LS1と底板部70Dとの間の内部空間G2に供給される。 Based liquid LQ fed from the first liquid supply unit 11 of the control of the control unit CONT, after flowing through the first supply pipe 13, via the supply channel 14 of the nozzle member 70, the projection from the supply port 12 It is supplied to the internal space G2 between the first optical element LS1 and the bottom plate portion 70D of the optical system PL. 内部空間G2に液体LQが供給されることにより、内部空間G2に存在していた気体部分は排出口16や開口部74を介して外部に排出される。 By the liquid LQ is supplied to the internal space G2, the gas portion that existed in the internal space G2 is discharged to the outside through the discharge port 16 and opening 74. したがって、内部空間G2に対する液体LQの供給開始時に、内部空間G2に気体が留まってしまうといった不都合を防止することができ、光路空間K1の液体LQ中に気体部分(気泡)が生成される不都合を防止することができる。 Thus, at the start of the supply of the liquid LQ with respect to the internal space G2, the internal space G2 can be prevented disadvantage gas from remaining in the liquid LQ in the optical path space K1 a disadvantage that gas portion (bubble) is generated it is possible to prevent.

内部空間G2に供給された液体LQは、ノズル部材70の開口部74を介して下面75と基板P(基板ステージPST)との間の空間に流入し、光路空間K1を満たす。 Supplied liquid LQ in the internal space G2 flows into the space between the lower surface 75 and the substrate P (substrate stage PST) through the opening 74 of the nozzle member 70, fill the optical path space K1. このとき、制御装置CONTの制御のもとで駆動されている液体回収装置21は、単位時間当たり所定量の液体LQを回収している。 In this case, the liquid recovery apparatus 21 is driven under the control of the control unit CONT, it is collected a predetermined amount of the liquid LQ per unit time. ノズル部材70の下面75と基板Pとの間の空間の液体LQは、ノズル部材70の回収口22を介して回収流路24に流入し、回収管23を流れた後、液体回収装置21に回収される。 Liquid LQ of the space between the lower surface 75 and the substrate P of the nozzle member 70, after flowing into the recovery flow passage 24 via the recovery port 22 of the nozzle member 70, flows through the recovery tube 23, the liquid recovery apparatus 21 It is recovered.

ここで、供給口12から内部空間G2に対して供給された液体LQは、底板部70Dに形成された開口部74の内側面にガイドされつつ露光光ELの光路空間K1(投影領域AR)に向かって流れた後、露光光ELの光路空間K1の外側に向かって流れるので、仮に液体LQ中に気体部分(気泡)が生成されても、液体LQの流れによって、その気泡を露光光ELの光路空間K1の外側に排出することができる。 Here, the liquid LQ supplied to the internal space G2 from the supply port 12, the optical path space K1 (projection area AR) of the exposure light EL while being guided by the inner surface of the opening portion 74 formed in the bottom plate portion 70D after headed flows, so it flows toward the outside of the optical path space K1 for the exposure light EL, even been tentatively generated gas portion (bubbles) in the liquid LQ, by the flow of the liquid LQ, the exposure light EL that bubbles it can be discharged to the outside of the optical path space K1. そして、本実施形態においては、底板部70Dは、液体LQを排出口16に向けて流すので、液体LQ中に存在している気体部分(気泡)は、排出口16を介して外部空間K3に円滑に排出される。 Then, in the present embodiment, the bottom plate portion 70D, so flow toward the liquid LQ to the outlet 16, the gas portion are present in the liquid LQ (bubbles) is the external space K3 via the outlet 16 It is smoothly discharged. また、液浸機構1は、液体LQを開口部74の内側面でガイドしつつ流すことにより、露光光ELの光路空間K1内において、渦流が生成されることを抑制している。 Further, the liquid immersion mechanism 1, by flowing while guiding the liquid LQ on the inside surface of the opening 74, the exposure light EL in the optical path space K1, is suppressed that the vortex flow is generated.

以上のように、制御装置CONTは、液浸機構1を使って、光路空間K1に液体LQを所定量供給するとともに基板P上の液体LQを所定量回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。 As described above, the control apparatus CONT uses the liquid immersion mechanism 1, by a predetermined amount recovers the liquid LQ on the substrate P with the optical path space K1 for a predetermined amount of supply of the liquid LQ, the projection optical system PL and the substrate It satisfies the optical path space K1 between the P liquid LQ, locally forming the liquid immersion region LR of the liquid LQ onto the substrate P. 制御装置CONTは、光路空間K1を液体LQで満たした状態で、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しながらマスクMのパターン像を投影光学系PL及び光路空間K1の液体LQを介して基板P上に投影露光する。 The control unit CONT, a state where the optical path space K1 is filled with the liquid LQ, the liquid LQ of the projection optical system PL and the pattern image projection optical system of the mask M while relatively moving the substrate P PL and the optical path space K1 through projection exposure onto the substrate P.

制御装置CONTは、供給口12から液体LQを供給するときに、液体噴射機構3の第2液体供給装置31を駆動する。 The control unit CONT, when supplying the liquid LQ from the supply ports 12, for driving the second liquid supply unit 31 of the liquid jet mechanism 3. 制御装置CONTは、基板Pの走査露光中に噴射口32の液体噴射動作を継続する。 The control unit CONT continues the liquid ejecting operation of the injection port 32 during the scanning exposure of the substrate P. すなわち、制御装置CONTは、液浸機構1を使って光路空間K1に対する液体LQの供給動作及び回収動作を行っている最中、あるいは、供給動作及び回収動作が停止していても、液浸領域LRが形成されている最中には、液体噴射機構3の第2液体供給装置31の駆動を継続する。 That is, the control unit CONT while doing supply operation and recovery operation of the liquid LQ with respect to the optical path space K1 with the liquid immersion mechanism 1, or even supply operation and recovery operation is stopped, the liquid immersion area while the LR is formed, it continues to drive the second liquid supply unit 31 of the liquid jet mechanism 3.

上述のように、本実施形態の露光装置EXは、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しつつ露光を行う走査型露光装置である。 As described above, the exposure apparatus EX of this embodiment is a scanning exposure apparatus for performing relatively moved while exposing the projection optical system PL and the substrate P. 具体的には、露光装置EXは、マスクMと基板Pとを投影光学系PLに対してX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光する。 Specifically, the exposure apparatus EX projects and exposes the pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X axis direction (scanning direction) with respect to the projection optical system PL. このような走査型露光装置において、例えば走査速度(スキャン速度)の高速化に伴って、回収口22を介して液体LQを十分に回収することができず、光路空間K1に満たされた液体LQが光路空間K1に対して回収口22よりも外側へ漏出する可能性がある。 In such scanning exposure apparatus, for example, with the speed of the scanning speed (scanning speed), can not be sufficiently recover the liquid LQ via the recovery port 22, the liquid filled in the optical path space K1 LQ there may leak to the outside than the recovery port 22 with respect to the optical path space K1. 例えば、図7(A)の模式図に示す初期状態から、液浸領域LRに対して基板Pを+X方向に所定速度で所定距離だけスキャン移動し、図7(B)に示すように、液浸領域LRの液体LQとその外側の空間との界面LGが移動したとする。 For example, the schematic initial state shown in Figure of FIG. 7 (A), and a predetermined distance scan moving at a predetermined speed of the substrate P in the + X direction with respect to the liquid immersion area LR, as shown in FIG. 7 (B), the liquid interface LG of the liquid LQ of the immersion region LR and its outer space and has moved. スキャン速度を高速化した場合、液界面LGの移動速度が大きくなったり、あるいは界面LGの形状が大きく変化して、液体LQが回収口22の外側に漏出する可能性がある。 If faster scan speed, or the moving speed is increased liquid interface LG, or shape of the interface LG is significantly changed, there is a possibility that the liquid LQ leaks to the outside of the recovery port 22. 特に、液体LQは基板Pの移動方向前方側(図7においては+X側)に漏出する可能性が高くなる。 In particular, the liquid LQ is more likely to leak to the (+ X side in Fig. 7) moves forward side of the substrate P.

本実施形態においては、制御装置CONTは、噴射口32を介した液体LQの噴射動作を行うことで、噴射した液体LQの力によって投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1に満たされた液体LQの漏出や、液浸領域LRの巨大化を防止する。 In the present embodiment, the control unit CONT, by performing the injection operation of the liquid LQ via the injection port 32, the optical path of the exposure light EL between the projection optical system PL and the substrate P by the force of the injected liquid LQ leakage of the liquid LQ filled in the space K1, prevents giant of the liquid immersion area LR.

図8は液体噴射機構3の動作を説明するための要部を拡大した模式図である。 Figure 8 is a schematic view enlarging a main part for describing the operation of the liquid jet mechanism 3. 図8に示すように、制御装置CONTは、第2液体供給装置31を駆動して、光路空間K1を囲むように形成された回収口22の内側に液体LQ(液浸領域LR)を閉じこめるように、光路空間K1に対して回収口22の外側に設けられた噴射口32より液体LQを噴射する。 8, the control unit CONT, the second liquid supply unit 31 is driven, the inside of the optical path space K1 recovery port 22 formed so as to surround the to confine the liquid LQ (the liquid immersion area LR) to, to inject the liquid LQ from the ejection nozzle 32 provided on the outside of the recovery port 22 with respect to the optical path space K1.

具体的には、制御装置CONTは、第2液体供給装置31を駆動して、単位時間当たり所定量の液体LQの送出する。 More specifically, the control unit CONT drives the second liquid supply unit 31, and sends the amount of the predetermined unit time of the liquid LQ. 第2液体供給装置31から送出された液体LQは、第2供給管33を介して、ノズル部材70の供給流路34の第2流路部34Bに流入する。 Liquid LQ fed from the second liquid supply unit 31 via a second supply pipe 33, flows into the second flow path portion 34B of the supply channel 34 of the nozzle member 70. 第2流路部34Bに流入した液体LQは、第2流路部34Bのバッファ空間37を介して第1流路部34Aに流入し、第1流路部34Aの下端部に設けられた噴射口32に供給される。 Liquid LQ having flowed into the second flow passage portion 34B via the buffer space 37 of the second flow path section 34B flows into the first flow passage portion 34A, provided at the lower end of the first flow passage portion 34A injection It is supplied to the mouth 32. 上述のように、供給流路34の途中にバッファ空間37が設けられていることにより、バッファ空間37を含む供給流路34を介してスリット状の噴射口32に供給された液体LQは、噴射口32の各位置からほぼ均一に噴射される。 As described above, by the buffer space 37 is provided in the middle of the supply channel 34, the liquid LQ, which is supplied to the slit-shaped injection port 32 via a supply passage 34 which includes a buffer space 37, injection It is substantially uniformly ejected from the position of the mouth 32. また、第1流路部34Aの傾斜領域の流路の幅は、噴射口32に向かうにつれて漸次狭くなっているので、液体LQは高い流速で噴射口32より噴射される。 The width of the flow path of the inclined region of the first flow passage portion 34A, since become gradually narrower toward the injection port 32, the liquid LQ is injected from the injection port 32 at high flow rates.

噴射口32は、光路空間K1に向けて傾斜方向に基板Pに対して液体LQを噴射するようになっており、本実施形態においては、基板Pのうち回収口22と対向する領域、すなわち基板Pのうち回収口22の直下の領域に向けて液体LQを噴射する。 Injection port 32 is adapted to inject the liquid LQ in the inclined direction toward the optical path space K1 with respect to the substrate P, in this embodiment, it faces the recovery port 22 of the substrate P region, or substrate injecting the liquid LQ toward the region directly below the recovery port 22 of the P. ここで、液浸領域LRの液体LQとその外側の空間との界面LGは、回収口22と基板Pとの間に形成されるため、噴射口32より噴射された液体LQは、液浸領域LRの液体LQの界面LG(界面LGの下端部)に当たる。 Here, the interface LG of the liquid LQ of the immersion region LR and its outer space, because it is formed between the recovery port 22 and the substrate P, liquid LQ ejection from the ejection nozzle 32, the liquid immersion area It strikes the liquid LQ interface LG (lower end of the interface LG) of the LR. これにより、光路空間K1に満たされた液体LQ(液体LQの界面LG)が、光路空間K1の外側に移動しようとしても、噴射口32から噴射された液体LQの力によって、光路空間K1を含む所定空間の外側への液体LQの漏出を防止することができる。 This includes liquid filled in the optical path space K1 LQ (the liquid LQ of the interface LG) is, attempting to move to the outside of the optical path space K1, by the force of the liquid LQ that has been injected from the injection port 32, the optical path space K1 it is possible to prevent leakage of the liquid LQ to the outside of the predetermined space. ここで、所定空間とは、投影光学系PLの像面側の空間であって、光路空間K1に対して回収口22よりも内側の空間を含む。 Here, the predetermined space, a space on the image plane side of the projection optical system PL, including an inner space than the recovery port 22 with respect to the optical path space K1.

すなわち、基板Pが所定方向(例えば+X方向)に移動する場合、液体LQは基板Pの移動方向前方側(+X側)に漏出する可能性が高いが、光路空間K1に対して基板Pの移動方向前方側(+X側)にある噴射口32から噴射された液体LQによって、漏出しようとする液体LQに逆方向の運動量を与えることができる。 That is, when the substrate P moves in the predetermined direction (e.g., the + X direction), the liquid LQ is likely to leak to the moving direction front side of the substrate P (+ X side), movement of the substrate P with respect to the optical path space K1 it can be given by the liquid LQ that has been ejected from the ejection nozzle 32 on the forward side (+ X side), the reverse momentum to the liquid LQ to be leakage. 換言すれば、漏出しようとする液体LQに対して、漏出方向前方側から液体LQを噴射することにより、その液体LQに逆方向の運動量を与えることができる。 In other words, with respect to the liquid LQ to be leak by injecting the liquid LQ from leaking forward side, it is possible to provide a reverse momentum to the liquid LQ. これにより、光路空間K1に満たされた液体LQの漏出を防止することができる。 Thus, it is possible to prevent leakage of filled in the optical path space K1 liquid LQ.

また、基板PはY軸方向にステッピング移動するため、ステッピング移動時においては、液体LQはY軸方向に漏出する可能性があるが、噴射口32は光路空間K1を囲むように環状に形成されているため、光路空間K1に対して基板Pの移動方向前方側(例えば+Y側)にある噴射口32から噴射された液体LQによって、漏出しようとする液体LQに逆方向の運動量を与えることができる。 Furthermore, the substrate P is to stepping movement in the Y-axis direction, during the stepping movement is the liquid LQ is likely to leak to the Y-axis direction, the injection port 32 is formed annularly to surround the optical path space K1 and for that, by the liquid LQ that has been injected from the injection port 32 in the moving direction front side of the substrate P (for example, + Y side) with respect to the optical path space K1, is to provide a reverse momentum to the liquid LQ to be leak it can.

そして、噴射口32より光路空間K1に向けて勢い良く噴射された液体LQは、回収口22の外側に漏出することなく、光路空間LQに満たされている液体LQと一緒に回収口22より回収される。 The vigorously injected liquid LQ toward the optical path space K1 from the ejection nozzle 32, without leaking to the outside of the recovery port 22, recovered from the recovery port 22 together with the liquid LQ filled in the optical path space LQ It is.

また、制御装置CONTは、露光条件に応じて、噴射口32の噴射条件を調整する。 Further, the control unit CONT depending on the exposure conditions, adjusting the injection conditions of the injection port 32. 本実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しつつ露光が行われるが、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板P(基板ステージPST)との相対的な移動速度に応じて、噴射口32から噴射する液体LQの流速(圧力、エネルギー)を調整する。 In the present embodiment, the exposure while relatively moving the projection optical system PL and the substrate P is performed, the control unit CONT, relative movement of the projection optical system PL and the substrate P (substrate stage PST) depending on the speed, to adjust the liquid LQ of the flow rate to be injected from the injection port 32 (pressure, energy). 制御装置CONTは、調整装置38を使って、供給流路34を介した噴射口32に対する単位時間当たりの液体供給量を調整することにより、噴射口32から光路空間K1に向けて噴射する液体LQの流速を調整する。 The control apparatus CONT uses the adjusting device 38, by adjusting the liquid supply amount per unit time for the injection port 32 through the supply flow passage 34, the liquid LQ that jetted from the injection port 32 to the optical path space K1 the flow rate to adjust the of.

具体的には、制御装置CONTは、噴射口32から噴射する液体LQの流速を、投影光学系PLに対する基板Pの移動速度よりも大きくする。 More specifically, the control unit CONT, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the injection port 32 is made larger than the moving speed of the substrate P with respect to the projection optical system PL. 例えば、図9(A)の模式図に示すように、投影光学系PL(光路空間K1)に対して基板Pが+X方向に速度V1で移動している場合には、噴射口32から噴射される液体LQの流速VL1が、基板Pの速度V1よりも大きくなるように制御される。 For example, as shown in the schematic diagram of FIG. 9 (A), the in the case where the substrate P with respect to the projection optical system PL (optical path space K1) is moving at a velocity V1 in the + X direction is injected from the injection port 32 that the liquid LQ of the flow velocity VL1 is controlled to be greater than the speed V1 of the substrate P. 好ましくは、噴射口32から噴射される液体LQの基板Pの移動方向(すなわちX軸方向)に関する速度成分VL1xが、基板Pの速度V1よりも大きくなるように制御されることが望ましい。 Preferably, velocity component VL1x on the movement direction (i.e. X-axis direction) of the substrate P of the liquid LQ to be injected from the injection port 32, it is desirable to be controlled to be greater than the speed V1 of the substrate P. これにより、基板Pが移動した場合でも、光路空間K1からの液体LQの漏出を良好に防止することができる。 Accordingly, even when the substrate P moves, the leakage of the liquid LQ from the optical path space K1 can be satisfactorily prevented.

また、図9(B)の模式図に示すように、投影光学系PLに対して基板Pが+X方向に速度V1よりも遅い速度V2で移動している場合には、噴射口32から噴射される液体LQの流速は、上記流速VL1よりも低い流速VL2に制御される。 Further, as shown in the schematic diagram of FIG. 9 (B), when moving at a slower speed V2 than the speed V1 to the substrate P with respect to the projection optical system PL is the + X direction is injected from the injection port 32 that the liquid LQ of the flow rate is controlled to a low flow rate VL2 than the flow velocity VL1. この場合においても、噴射口32から噴射される液体LQの流速VL2は、基板Pの移動速度V2よりも大きくなるように制御される。 In this case, the flow rate of the liquid LQ VL2 ejected from the ejection nozzle 32 is controlled to be greater than the moving speed V2 of the substrate P.

このように、噴射口32から噴射する液体LQの流速を、投影光学系PLに対する基板Pの移動速度よりも高くすることで、液体LQの漏出を良好に防止することができる。 Thus, the liquid LQ of the flow rates injected from the injection port 32, is made higher than the moving speed of the substrate P with respect to the projection optical system PL, it is possible to satisfactorily prevent the leakage of the liquid LQ. また、基板Pの移動速度に応じて、噴射口32から噴射する液体LQの流速を適宜調整することで、噴射した液体LQによって光路空間K1に満たされた液体LQの流れが乱れたり、光路空間K1の液体LQ中に気泡が形成されたり、液体LQが漏出する等の不都合を防止することができる。 Further, according to the moving speed of the substrate P, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the injection port 32 by appropriately adjusting the, or disturbed flow of the liquid LQ filled in the optical path space K1 by the injected liquid LQ, an optical path space or bubbles formed in the liquid LQ of the K1, it is possible to the liquid LQ to prevent disadvantages such as leaking. すなわち、例えば基板Pを比較的低い速度V2で所定方向(例えば+X方向)移動している状態で、光路空間K1に対して流速の高い(運動量の大きい)液体LQを噴射した場合、その噴射した液体LQによって光路空間K1の液体LQの流れが乱れたり、光路空間K1の液体LQ中に気泡が形成される可能性が高くなる。 That is, for example in a state in which the substrate P at a relatively low speed V2 by a predetermined direction (e.g., the + X direction) movement, when injected (large momentum) the liquid LQ having high flow rates with respect to the optical path space K1, and the injection distorted or the liquid LQ flows in the optical path space K1 by the liquid LQ, a possibility that bubbles are formed in the liquid LQ in the optical path space K1 is increased. 本実施形態においては、光路空間K1を囲むように環状に形成された噴射口32からほぼ一様の流速で液体LQが噴射されるため、過剰な流速の液体LQを噴射すると、その噴射された液体LQの力に起因して、光路空間K1の液体LQの流れが乱れたり、光路空間K1の液体LQ中に気泡が形成されたり、基板Pが変形・変位したり、振動が発生したり、液体LQが漏出する可能性がある。 In the present embodiment, since the liquid LQ is injected at substantially uniform flow rate from the injection port 32 formed annularly to surround the optical path space K1, when ejecting liquid LQ excessive flow rate, which is the injection due to the force of the liquid LQ, or disturbed liquid LQ flows in the optical path space K1, or or are bubbles formed in the liquid LQ in the optical path space K1, or the substrate P is deformed and displacement, vibration is generated, there is a possibility that the liquid LQ leaks. また、基板Pを比較的低い速度V2で所定方向(例えば+X方向)に移動している状態で、光路空間K1に対して基板Pの移動方向前方側(+X側)から流速の高い(運動量の大きい)液体LQを噴射した場合、その噴射した液体LQの力によって、光路空間K1に満たされている液体LQが基板Pの移動方向後方側(−X側)から漏出する可能性もある。 Further, in a state where moving in the predetermined direction of the substrate P at a relatively low speed V2 (e.g., the + X direction), the movement direction front side of the substrate P with respect to the optical path space K1 from (+ X side) with high flow rates (momentum large) that ejects liquid LQ, by the force of the injected liquid LQ, LQ liquid filled in the optical path space K1 is a possibility of leakage from the moving direction rear side of the substrate P (-X side). そこで、投影光学系PLと基板Pとの相対的な移動速度に応じて、噴射口32から噴射する液体LQの流速を調整することで、上述の不都合を防止することができる。 Therefore, depending on the relative moving speed of the projection optical system PL and the substrate P, by adjusting the liquid LQ flow rate injected from injection port 32, it is possible to prevent a disadvantage described above.

また、基板Pを走査露光するとき、基板P(基板ステージPST)は、例えば加速区間、定常区間(定速区間)、及び減速区間の順に移動するが、制御装置CONTは、基板P(基板ステージPST)の加速区間、定常区間、及び減速区間に応じて、噴射口32から噴射する液体LQの流速を調整することができる。 Also, when scanning exposure of the substrate P, the substrate P (substrate stage PST), for example the acceleration section, constant interval (constant speed), and moves in the order of the deceleration zone, the control unit CONT, the substrate P (substrate stage acceleration section of PST), in accordance with the steady-state period, and the deceleration section, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the injection port 32 can be adjusted.

以上説明したように、光路空間K1に対して回収口22の外側に設けられた噴射口32から液体LQを噴射することで、光路空間K1を液体LQで満たした状態で投影光学系PLと基板Pとを相対移動させた場合においても、光路空間K1に満たされた液体LQの漏出を防止することができる。 As described above, from the injection port 32 provided on the outside of the recovery port 22 by injecting the liquid LQ with respect to the optical path space K1, the projection optical system PL and the substrate an optical path space K1 in a state filled with the liquid LQ in the case where the P are relatively moved, it is possible to prevent the leakage of filled in the optical path space K1 liquid LQ. すなわち、本実施形態においては、十分な運動量を有した液体LQを液浸領域LRの液体LQの界面LGに当てているので、液体LQの漏出を良好にに防止することができる。 That is, in this embodiment, the liquid LQ having sufficient momentum so that against the interface LG of the liquid LQ of the immersion region LR, it is possible to prevent leakage of the liquid LQ to the well. また、光路空間K1に向けて液体LQを噴射することで、液浸領域LRの大きさや形状を所望状態に維持することができ、露光装置EX全体のコンパクト化を図ることもできる。 Further, by injecting the liquid LQ toward the optical path space K1, the size and shape of the immersion region LR can be maintained in the desired state, it is also possible to reduce the size of the entire exposure apparatus EX.

また、噴射口32はスリット状に形成されているので、噴射する液体LQを断面視においてスリット状にすることができる。 Also, injection port 32 is so formed in a slit shape, the liquid LQ to be injected can be slit-shaped in cross section. したがって、噴射する液体LQの位置制御を容易に行うことができるとともに、噴射する液体LQの運動量を十分に高めることができる。 Therefore, it is possible to control the position of the liquid LQ to be injected easily, can be sufficiently increased momentum of the liquid LQ to be injected.

また本実施形態は、噴射口32より噴射した液体LQを使って光路空間K1に満たされた液体LQの漏出を防止する構成であるため、気体を噴射して液体LQの漏出を防止する構成と異なり、液体LQの気化を抑制することができる。 In the first embodiment, since using the liquid LQ injected from the ejection nozzle 32 is configured to prevent leakage of the liquid LQ filled in the optical path space K1, the configuration by injecting gas to prevent leakage of the liquid LQ different, it is possible to suppress the vaporization of the liquid LQ. したがって、液体LQの気化に起因する気化熱によって基板Pの温度が変動したり、露光装置EXの置かれている環境が変動する等の不都合を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent the inconvenience such or temperature varies the substrate P, the environment where the exposure apparatus EX varies with evaporation heat resulting from the vaporization of the liquid LQ.

また、噴射口32は光路空間K1に向けて傾斜方向に液体LQを噴射するので、光路空間K1を囲むように形成された回収口22の内側に液体LQを閉じこめることができる。 Also, injection port 32 so to inject the liquid LQ in the inclined direction toward the optical path space K1, can be on the inside of the formed recovery port 22 to surround the optical path space K1 confining the liquid LQ. また、噴射口32は基板Pに対向する位置に設けられているので、噴射口32より噴射された液体LQを液浸領域LRの界面LGあるいは基板Pの表面に円滑に当てることができる。 Also, injection port 32 is so provided at a position opposed to the substrate P, it is possible to smoothly apply the liquid LQ injected from the injection port 32 to the interface LG or the surface of the substrate P in the liquid immersion area LR. また、噴射口32は、基板Pのうち回収口22と対向する領域に向けて液体LQを噴射するので、回収口22の直下に形成される液浸領域LRの界面LGに液体LQを噴射し、回収口22の直下の領域から外側への液体LQの漏出を良好に防止することができる。 Also, injection port 32, so injecting the liquid LQ toward the region facing the recovery port 22 of the substrate P, and the liquid LQ is injected to the interface LG of the immersion region LR that is formed just below the recovery port 22 , it is possible to satisfactorily prevent leakage from the area to the outside of the liquid LQ immediately below the recovery port 22. また、基板Pのうち回収口22と対向する領域に向けて液体LQを噴射することにより、噴射した液体LQにより、光路空間K1に満たされた液体LQの流れが乱れる等の不都合を防止することができる。 Further, by injecting the liquid LQ toward the region facing the recovery port 22 of the substrate P by ejecting the liquid LQ, to prevent a disadvantage such as a liquid LQ flow is disturbed filling the optical path space K1 can. また上述のように、基板Pの移動速度に応じて噴射口32から噴射される液体LQの流速を調整することによっても、光路空間K1に満たされた液体LQの流れが乱れたり、液体LQが漏出する等の不都合を防止することができる。 Also as described above, by adjusting the liquid LQ flow rate ejected from the ejection nozzle 32 according to the moving speed of the substrate P, or disturbed liquid LQ flows filled in the optical path space K1, the liquid LQ it is possible to prevent a disadvantage such as leaking.

また、噴射口32は光路空間K1を囲むように環状に形成されているので、光路空間K1を囲む外側の全ての方向から光路空間K1に向けて液体LQを噴射することができ、液体LQの漏出をより確実に防止することができる。 Also, injection port 32 is so formed in an annular shape to surround the optical path space K1, toward all directions outwardly surrounding the optical path space K1 on the optical path space K1 can be injected liquid LQ, the liquid LQ it is possible to prevent leakage more reliably. また、噴射口32に液体LQを供給する供給流路34はバッファ空間37を有しているので、スリット状の噴射口32から均一に液体LQを噴射することができる。 The supply channel 34 for supplying the liquid LQ to the injection port 32 so that a buffer space 37, it is possible to uniformly inject the liquid LQ from the slit-shaped injection port 32.

また、液体噴射機構3は、噴射口32から噴射される液体LQ中の気体成分を低減する脱気装置31Bを有しているので、十分に脱気された液体LQを光路空間K1に満たされた液体LQに噴射することができる。 Further, the liquid jet mechanism 3, since it has a degassing device 31B to reduce the gas component in the liquid LQ, which is injected from the injection port 32, filled with well-degassed liquid LQ to the optical path space K1 it can be injected into the liquid LQ. したがって、噴射口32から噴射された液体LQと光路空間K1に満たされた液体LQとが混合されても、光路空間K1上の液体LQ中に気泡(気体成分)が形成されるといった不都合を防止することができる。 Therefore, preventing the inconvenience and the liquid LQ filled in the liquid LQ to the optical path space K1, which is injected from the injection port 32 be mixed, bubbles (gas component) is formed in the liquid LQ on the optical path space K1 can do.

また、上述のように、フォーカス・レベリング検出系が光路空間K1に対して噴射口32よりも外側で、光路空間K1の液体LQを介さずに基板Pの面位置情報を検出する構成の場合、噴射口32より噴射された液体LQによって噴射口32よりも外側への液体LQの漏出を防止することで、フォーカス・レベリング検出系の検出精度を維持することができる。 Further, as described above, outwardly than the injection port 32 to the focus leveling detection system optical path space K1, in the configuration that detects the surface position information of the substrate P not through the liquid LQ of the optical path space K1, the liquid LQ injected from the injection port 32 from the ejection nozzle 32 by preventing leakage of the liquid LQ to the outside, it is possible to maintain the detection accuracy of the focus leveling detection system.

なお本実施形態においては、噴射口32は、基板Pのうち回収口22と対向する領域(回収口22の直下の領域)に向けて液体LQを噴射しているが、回収口22と基板Pとの間の空間に向けて液体LQを噴射するようにしてもよい。 In the present embodiment, the injection port 32 is toward a region facing the recovery port 22 of the substrate P (the region immediately below the recovery port 22) is ejecting liquid LQ, the recovery port 22 and the substrate P it may be to inject the liquid LQ toward the space between the. 例えば、噴射口32は、基板Pのうち、光路空間K1に対して回収口22よりも内側のノズル部材70の下面75と対向する領域に向けて液体LQを噴射するようにしてもよい。 For example, injection port 32, of the substrate P, may be to inject the liquid LQ toward the lower surface 75 facing the area of ​​the inner nozzle member 70 than the recovery port 22 with respect to the optical path space K1. この場合においても、光路空間K1に満たされた液体LQの漏出を防止することができる。 Also in this case, it is possible to prevent leakage of filled in the optical path space K1 liquid LQ. なお、噴射口32から噴射される液体LQの噴射角度(方向)は、光路空間K1に満たされた液体LQの流れを乱すことなく、且つ光路空間K1から液体LQを漏出させないように最適に設定される。 Incidentally, the injection angle of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 (direction), without disturbing the flow of the liquid LQ filled in the optical path space K1, and optimally set so as not to leak the liquid LQ from the optical path space K1 It is.

なお本実施形態において、制御装置CONTは、基板ステージPSTが移動していないときには、噴射口32からの液体LQの噴射を停止するようにしてもよい。 In the present embodiment, the control unit CONT, when the substrate stage PST is not moving, may be stopped injection of the liquid LQ from the injection port 32. 換言すれば、制御装置CONTは、基板ステージPSTが駆動しているときだけ、噴射口32から液体LQを噴射するようにしてもよい。 In other words, the control unit CONT, only when the substrate stage PST is driven, may be to inject the liquid LQ from the injection port 32. もちろん、基板ステージPSTの駆動にかかわらず、液浸機構1を使って光路空間K1に対する液体LQの供給動作及び回収動作を行っている最中には、制御装置CONTは、噴射口32から液体LQを噴射するようにしてもよい。 Of course, regardless of the driving of the substrate stages PST, while the use of liquid immersion mechanism 1 is performing the supply operation and the recovery operation of the liquid LQ with respect to the optical path space K1, the control unit CONT, the liquid LQ from the injection port 32 it is also possible to inject.

<第2実施形態> <Second Embodiment>
次に第2実施形態について説明する。 Next a second embodiment will be described. 第2実施形態の特徴的な部分は、基板P上の液体接触面に形成される膜部材と液体LQとの接触角条件に応じて、噴射口32の噴射条件が調整される点にある。 Feature of the second embodiment in accordance with the contact angle condition between the film member and the liquid LQ formed on the liquid contact surface on the substrate P, lies in the injection condition of the injection port 32 is adjusted. 以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 In the following description, the same reference numerals for the embodiment identical or similar to those of the aforementioned, simplified or omitted.

図10(A)は基板Pの断面図の一例である。 FIG. 10 (A) is an example of a cross-sectional view of the substrate P. 図10(A)において、基板Pは、基材100と、その基材100の上面100Aに設けられた膜部材101とを有している。 In FIG. 10 (A), the substrate P has a base material 100, a film member 101 provided on the upper surface 100A of the substrate 100. 基材100は半導体ウエハを含むものである。 Substrate 100 are those containing a semiconductor wafer. 膜部材101は感光材(フォトレジスト)によって形成されており、基材100の上面100Aの中央部の殆どを占める領域に所定の厚みで被覆されている。 Film member 101 is coated with a photosensitive material (photoresist) is formed by a predetermined thickness in a region which occupies most of the central portion of the upper surface 100A of the substrate 100. なお、図10(A)において、基材100の上面100Aの周縁部の感光材(膜部材)101は除去されている。 Incidentally, in FIG. 10 (A), the photosensitive material of the peripheral portion of the upper surface 100A of the substrate 100 (film member) 101 is removed. 図10(A)においては、膜部材(感光材)101が基板Pの最上層に設けられており、この膜部材101が液浸露光時において液体LQと接触する液体接触面となる。 In FIG. 10 (A), the film member (photosensitive member) 101 is provided on the uppermost layer of the substrate P, the film member 101 is the liquid contact surface that contacts the liquid LQ during the liquid immersion exposure.

図10(B)は基板Pの別の例を示す図である。 FIG. 10 (B) is a diagram showing another example of the substrate P. 図10(B)において、基板Pは、膜部材101の表面を覆う第2膜部材102を有している。 In FIG. 10 (B), the substrate P has a second film member 102 covering the surface of the film member 101. 第2膜部材102はトップコート膜と呼ばれる保護膜によって形成されている。 The second film member 102 is formed by a protective film called a topcoat film. 図10(B)においては、第2膜部材(保護膜)102が基板Pの最上層に設けられており、この第2膜部材102が液浸露光時において液体LQを接触する液体接触面となる。 In FIG. 10 (B), the second film member (protective film) 102 is provided on the uppermost layer of the substrate P, a liquid contact surface the second membrane member 102 is in contact with the liquid LQ during the liquid immersion exposure Become.

本実施形態の露光装置EXは、液体接触面を形成する膜部材の種類(物性)が互いに異なる複数種類の基板Pを順次露光する。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the type (physical properties) of the film member forming the liquid contact surface is successively exposed different plural kinds of substrates P together. 記憶装置MRYには、複数種類の基板Pの液浸露光を行うための噴射口32の噴射条件に関する情報が予め記憶されている。 The storage device MRY, information about the injection conditions of the injection port 32 for performing liquid immersion exposure of a plurality of types of substrates P are stored in advance. 具体的には、記憶装置MRYには、液浸露光時において基板P上の液体LQに接触する液体接触面に形成される膜部材と液体LQとの親和性と、その親和性に対応する噴射口32の噴射条件との関係がマップデータとして複数記憶されている。 Specifically, the storage unit MRY, the affinity between the film member and the liquid LQ formed on the liquid contact surface that contacts the liquid LQ on the substrate P during the liquid immersion exposure, corresponding to the affinity injection relationship between the injection conditions of the mouth 32 has a plurality stored as map data. ここで、膜部材と液体LQとの親和性に関する情報は、膜部材と液体LQとの接触角(動的接触角及び静的接触角を含む)に関する情報を含む。 Here, the information on the affinity between the film member and the liquid LQ, including information relating to the contact angle between the film member and the liquid LQ (including the dynamic contact angle and the static contact angle).

液浸露光処理を行うに際し、露光処理されるべき基板Pの膜部材に関する情報が入力装置INPを介して制御装置CONTに入力される。 Upon performing the liquid immersion exposure process, information about the film member of the substrate P to be subjected to the exposure process is input to the control unit CONT via the input apparatus INP. 入力される膜部材に関する情報には、膜部材と液体LQとの接触角に関する情報(接触角条件)が含まれている。 The information about the film member to be input includes information regarding the contact angle between the film member and the liquid LQ (contact angle condition). 制御装置CONTは、入力された膜部材に関する情報(接触角条件)に応じて、記憶装置MRYに予め記憶されている、膜部材と液体LQとの接触角と、その接触角に対応する噴射口32の噴射条件との関係(マップデータ)を参照し、露光処理されるべき基板Pに対する最適な噴射条件を選択し、決定する。 The control unit CONT depending on the information (contact angle condition) about the inputted film member, the storage device is stored in advance in the MRY, the contact angle between the film member and the liquid LQ, injection openings corresponding to the contact angle Referring to 32 relationship between the injection condition (the map data), and select the optimum injection conditions for the substrate P to be subjected to the exposure process is determined.

ここで、噴射口32の噴射条件とは、噴射口32から光路空間K1に向けて噴射する液体LQの流速(単位時間当たりの液体LQの噴射量)を含む。 Here, the injection conditions of the injection port 32, including the liquid LQ of the flow rate to be injected toward the optical path space K1 from the injection port 32 (injection amount of the liquid LQ per unit time). 制御装置CONTは、膜部材と液体LQとの接触角条件に応じて、調整装置38を使って、噴射口32から噴射する液体LQの流速を調整する。 The control unit CONT depending on the contact angle condition between the film member and the liquid LQ, with an adjusting device 38 to adjust the liquid LQ flow rate injected from the injection port 32. 具体的には、膜部材と液体LQの接触角が小さい場合、膜部材は液体LQに対して親液性(親水性)を有していることになるので、液浸機構1を使って基板P(膜部材)上に液体LQを供給した際、この液体LQは濡れ拡がりやすいため、光路空間K1(回収口22)の外側へ漏出する可能性が高くなる。 Specifically, when the contact angle of the film member and the liquid LQ is small, the film member becomes to have lyophilic property (hydrophilic) with respect to the liquid LQ, by using the liquid immersion mechanism 1 substrate when supplying the liquid LQ on the P (film member), because this liquid LQ easy spreading wetting, may leak to the outside of the optical path space K1 (recovery port 22) increases. したがって、この膜部材上で液浸領域LRを形成する場合、調整装置38は、噴射口32より噴射する液体LQの流速を高くする。 Therefore, when forming the liquid immersion area LR by the membrane member, adjusting device 38, to increase the liquid LQ of the flow velocity of injected from the injection port 32. こうすることにより、その噴射された液体LQの力によって、液体LQの漏出を防止することができる。 By doing so, it is possible by the force of the injected liquid LQ, to prevent leakage of the liquid LQ.

一方、膜部材と液体LQとの接触角が大きい場合、膜部材は液体LQに対して撥液性(撥水性)を有していることになるので、液浸機構1を使って基板P(膜部材)上に液体LQを供給した際、この液体LQは過剰に濡れ拡がらない。 On the other hand, when the contact angle between the film member and the liquid LQ is large, since the membrane member so that it has liquid-repellent (water-repellent) with respect to the liquid LQ, the substrate using the liquid immersion mechanism 1 P ( when supplying the liquid LQ to the film member) on, the liquid LQ is not excessively wet spread. したがって、この膜部材に対して液体LQを供給する場合、調整装置38は、噴射口32より噴射する液体LQの流速を低くする。 Therefore, when supplying the liquid LQ with respect to the film member, the adjusting device 38, to lower the liquid LQ of the flow velocity of injected from the injection port 32. こうすることにより、噴射される液体LQによって、光路空間K1に満たされた液体LQが乱れたり、液体LQが漏出しやすくなったり、あるいは噴射される液体LQの力に起因して基板Pが変形・変位したり、振動が発生する等の不都合を防止することができる。 By doing so, the liquid LQ to be injected, or disturbed optical path liquid LQ filled in the space K1, or become liquid LQ tends to leak, or the substrate P due to the force of the liquid LQ to be injected is deformed · or displacement, it is possible to prevent a disadvantage such that vibration is generated.

以上説明したように、本実施形態においては、基板P上の液体接触面に形成される膜部材と液体LQとの接触角に対応する最適な液体噴射条件(噴射口32から噴射される液体LQの流速)が予め求められており、この最適な液体噴射条件に関する情報が記憶装置MRYに記憶されている。 As described above, in the present embodiment, the liquid LQ to be injected from the optimum liquid ejecting conditions (injection port 32 corresponding to the contact angle between the film member and the liquid LQ formed on the liquid contact surface on the substrate P flow rate) is obtained in advance, information about the optimum liquid ejecting conditions are stored in the storage apparatus MRY. 制御装置CONTは、入力装置INPを介して入力された露光処理されるべき基板Pの膜部材に関する情報(膜部材と液体LQとの接触角に関する情報)に基づいて、複数記憶されている液体噴射条件のなかから最適な液体噴射条件を選択して決定し、この決定された液体噴射条件に基づいて、基板Pの液浸露光を行うことにより、液体LQの漏出を防止しつつ、基板Pを良好に露光することができる。 The control unit CONT based on the information about the film member of the substrate P to be subjected to the exposure process that has been input via the input device INP (information regarding the contact angle between the film member and the liquid LQ), a liquid jet which is more storage determined by selecting an optimal liquid jet condition from among the conditions, based on the determined liquid ejection condition, by performing the liquid immersion exposure for the substrate P, while preventing leakage of the liquid LQ, the substrate P it can be satisfactorily exposed.

なおここでは、基板P上の膜部材の種類が変更される場合について説明したが、液体LQの種類(物性)が変更される場合もある。 Note that while description has been made about the case where the type of the film member on the substrate P is changed, there is a case where the type of the liquid LQ (physical properties) are changed. その場合においても、制御装置CONTは、調整装置38を使って、基板P上の膜部材と液体LQとの親和性に応じて、噴射口32から噴射する液体の流速を調整することができる。 Also in this case, the control apparatus CONT uses the adjusting device 38, depending on the affinity between the film member and the liquid LQ on the substrate P, the flow rate of the liquid to be injected can be adjusted from the injection port 32.

なお、液浸領域LRは、基板ステージPSTの上面94など基板Pとは異なる物体上に形成される場合もあるので、基板Pだけでなく、液浸領域LRが形成される物体表面の条件(接触角など)に応じて、調整装置38を使って噴射口32から噴射される液体LQの流速を調整するようにしてもよい。 Incidentally, the immersion region LR is, since the substrate P such as the upper surface 94 of the substrate stage PST also be formed on different objects, as well as the substrate P, the surface of an object liquid immersion area LR is formed conditions ( depending on the contact angle), may be adjusted the flow rate of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 with the adjustment device 38.

上述のように、液体LQと膜部材との接触角は、静的接触角及び動的接触角を含むものであり、制御装置CONTは、静的接触角及び動的接触角の双方を考慮して、噴射口32の噴射条件を調整することができる。 As described above, the contact angle between the liquid LQ and the film member, which includes a static contact angle and the dynamic contact angle, the control unit CONT, considering both the static contact angle and the dynamic contact angle Te, it is possible to adjust the injection conditions of the injection port 32. 一方、図7などを参照して説明したように、光路空間K1の液体LQの漏出の主な原因が、投影光学系PLと基板Pとの相対的な移動である場合、制御装置CONTは、主に液体LQと膜部材との動的接触角(後退角)を考慮して噴射口32の噴射条件を調整することができる。 On the other hand, as described with reference to FIG. 7 and the like, if the main cause of the liquid LQ leaks optical path space K1 is the relative movement of the projection optical system PL and the substrate P, controller CONT, It may be mainly adjusted dynamic contact angle injection conditions (receding angle) in consideration of the injection port 32 of the liquid LQ and the film member.

<第3実施形態> <Third Embodiment>
次に第3実施形態について説明する。 Next a third embodiment will be described. 本実施形態の特徴的な部分は、噴射口32が光路空間K1に対して複数方向から液体LQを噴射可能に設けられており、投影光学系PLに対する基板Pの移動方向に応じて、噴射口32から液体LQを噴射する方向が調整される点にある。 The feature of this embodiment, the injection port 32 is provided the liquid LQ to be injected from a plurality of directions with respect to the optical path space K1, in response to the movement direction of the substrate P with respect to the projection optical system PL, the injection port 32 lies in the direction of ejecting the liquid LQ is adjusted from.

図11は、第3実施形態に係るノズル部材70を下方(−Z側)から見た図である。 Figure 11 is a view of the nozzle member 70 according to the third embodiment from below (-Z side). 図11に示すように、本実施形態においては、噴射口32(32A〜32D)は、光路空間K1及び回収口22を囲むように複数設けられている。 As shown in FIG. 11, in this embodiment, the injection port 32 (32A through 32D) is provided with a plurality so as to surround the optical path space K1 and the recovery port 22. 本実施形態においては、4つの噴射口32A〜32Dが設けられている。 In the present embodiment, it is provided with four injection ports 32A through 32D. 噴射口32A〜32Dのそれぞれは平面視略円弧状であって、所定の長さを有するスリット状に形成されている。 Each injection port 32A~32D is a plan view substantially circular arc shape, and is formed in a slit shape having a predetermined length. 4つの噴射口32A〜32Dのうち、第1噴射口32Aは光路空間K1に対して+X側に配置され、第2噴射口32Bは光路空間K1に対して+Y側に配置され、第3噴射口32Cは光路空間K1に対して−X側に配置され、第4噴射口32Dは光路空間K1に対して−Y側に配置されている。 Of the four injection ports 32A through 32D, the first injection port 32A is disposed on the + X side with respect to the optical path space K1, the second injection port 32B is arranged on the + Y side with respect to the optical path space K1, the third injection port 32C is disposed on the -X side with respect to the optical path space K1, the fourth injection port 32D is arranged on the -Y side with respect to the optical path space K1. したがって、第1噴射口32Aは光路空間K1に対して+X側から−X方向に向けて液体LQを噴射可能であり、第2噴射口32Bは光路空間K1に対して+Y側から−Y方向に向けて液体LQを噴射可能であり、第3噴射口32Cは光路空間K1に対して−X側から+X方向に向けて液体LQを噴射可能であり、第4噴射口32Dは光路空間K1に対して−Y側から+Y方向に向けて液体LQを噴射可能である。 Accordingly, the first ejection port 32A is capable of injecting the liquid LQ toward the + X side with respect to the optical path space K1 in the -X direction, the second ejection port 32B in the -Y direction from the + Y side with respect to the optical path space K1 the liquid LQ may be injected to the third injection port 32C is capable of injecting the liquid LQ toward the + X direction from the -X side with respect to the optical path space K1, the fourth injection port 32D whereas the optical path space K1 it is possible to inject the liquid LQ toward the -Y side in the + Y direction Te. また、液体噴射機構3は、第1〜第4噴射口32A〜32Dによる液体噴射動作をそれぞれ独立して行うことができる。 The liquid ejection mechanism 3 is capable of performing liquid ejection operation by the first to fourth ejection openings 32A~32D independently. そして、制御装置CONTは、投影光学系PLに対する基板Pの移動方向に応じて、4つの噴射口32A〜32Dのうち液体LQを噴射する噴射口を選択し、選択された噴射口のみから液体LQを噴射する。 Then, the control unit CONT depending on the direction of movement of the substrate P with respect to the projection optical system PL, 4 one injection port of the liquid LQ to select the injection port for injecting of 32A through 32D, the liquid LQ from only the selected injection port to inject.

図12は、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しつつ露光するときの投影光学系PL及び噴射口32と基板Pとの位置関係を模式的に示した図である。 Figure 12 is a diagram schematically showing the positional relationship between the projection optical system PL and the injection port 32 and the substrate P at the time of exposure while relatively moving the projection optical system PL and the substrate P. 図12において、基板P上には、マスクMのパターンが露光される複数のショット領域S1〜S21がマトリクス状に設定されている。 12, on the substrate P, a plurality of shot areas S1~S21 which the pattern of the mask M is exposed is set in a matrix. 制御装置CONTは、図12中、矢印y1で示すように、投影光学系PLの光軸AXと基板Pとを相対的に移動しつつ、各ショット領域S1〜S21のそれぞれを順次露光する。 The control unit CONT, in FIG 12, as shown by the arrow y1, while relatively moving the optical axis AX and the substrate P of the projection optical system PL, and successively exposes the respective shot areas S1 to S21. このように、制御装置CONTは、投影光学系PLに対して基板Pを、X軸方向、Y軸方向、及びX軸(Y軸)に対して傾斜方向のそれぞれの方向に移動しつつ露光する。 Thus, the control unit CONT, the substrate P with respect to the projection optical system PL, the X axis direction, Y axis direction, and is exposed while moving in each direction in the inclined direction with respect to the X-axis (Y-axis) .

図13は、本実施形態に係る露光装置EXの動作を説明するための模式図である。 Figure 13 is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus EX of the present embodiment. 本実施形態において、記憶装置MRYには、投影光学系PLと基板Pとを相対的に移動しつつ露光するときの移動条件に関する情報が予め記憶されている。 In this embodiment, the storage device MRY, information on movement conditions to be used during the exposure while relatively moving the projection optical system PL and the substrate P are stored in advance. 具体的には、記憶装置MRYには、各ショット領域S1〜S21を液浸露光するときの投影光学系PLと基板Pとの相対的な移動方向と、その移動方向に対応する噴射口32の噴射条件との関係が記憶されている。 Specifically, the storage unit MRY, the respective shot areas S1~S21 and relative moving direction of the projection optical system PL and the substrate P when the immersion exposure, the injection port 32 corresponding to the direction of movement the relationship between the injection conditions are stored.

ここで、本実施形態における噴射口32の噴射条件とは、光路空間K1に対して噴射口32(32A〜32D)から液体LQを噴射する方向を含む。 Here, the injection conditions of the injection port 32 in this embodiment includes a direction for injecting the liquid LQ from the injection port 32 (32A through 32D) with respect to the optical path space K1. 制御装置CONTは、投影光学系PLに対する基板Pの移動方向に応じて、複数の噴射口32A〜32Dのうち液体LQを噴射させる噴射口を選択することによって、光路空間K1に対して液体LQを噴射する方向を調整する。 The control unit CONT depending on the direction of movement of the substrate P with respect to the projection optical system PL, by selecting the injection port for injecting the liquid LQ of the plurality of injection ports 32A through 32D, the liquid LQ with respect to the optical path space K1 to adjust the direction in which the injection. 具体的には、制御装置CONTは、複数の噴射口32A〜32Dのうち、基板Pの移動方向前方側に設けられている噴射口から液体LQを噴射させる。 More specifically, the control unit CONT, among the plurality of injection ports 32A through 32D, to inject the liquid LQ from the ejection port provided in the moving direction front side of the substrate P.

例えば、図13(A)に示すように、投影光学系PLに対して基板Pが+X方向に移動している場合には、制御装置CONTは、光路空間K1の+X側に設けられている第1噴射口32Aから液体LQを噴射させ、他の噴射口32B、32C、32Dからの液体LQの噴射を停止する。 For example, as shown in FIG. 13 (A), when the substrate P with respect to the projection optical system PL is moved in the + X direction, the control unit CONT, a are provided on the + X side of the optical path space K1 to inject the liquid LQ from 1 injection port 32A, to the other ejection port 32B, 32C, the injection of the liquid LQ from 32D stop. こうすることにより、基板Pの+X側への移動に伴って、光路空間K1の液体LQが+X側に漏出しようとしても、第1噴射口32Aから噴射された液体LQの力によって、逆方向(−X方向)の運動量を与えることができ、液体LQの漏出を防止することができる。 By doing so, in accordance with the movement of the + X side of the substrate P, even if an attempt leak liquid LQ + X side of the optical path space K1, by the force of the liquid LQ that has been injected from the first injection port 32A, reverse ( can give momentum in the -X direction), it is possible to prevent leakage of the liquid LQ.

一方、図13(B)に示すように、投影光学系PLに対して基板Pが−X方向に移動している場合には、制御装置CONTは、光路空間K1の−X側に設けられている第3噴射口32Cから液体LQを噴射させ、他の噴射口32A、32B、32Dからの液体LQの噴射を停止する。 On the other hand, as shown in FIG. 13 (B), when the substrate P is moved in the -X direction with respect to the projection optical system PL, the control unit CONT, provided on the -X side of the optical path space K1 the liquid LQ is injected from the third injection openings 32C which are, to stop other injection openings 32A, 32B, the injection of the liquid LQ from 32D. こうすることにより、基板Pの−X側への移動に伴って、光路空間K1の液体LQが−X側に漏出しようとしても、第3噴射口32Cから噴射された液体LQの力によって、逆方向(+X方向)の運動量を与えることができ、液体LQの漏出を防止することができる。 By doing so, with the movement of the -X side of the substrate P, also the liquid LQ of the optical path space K1 is trying to leak the -X side, by the force of the liquid LQ that has been injected from the third injection openings 32C, reverse can give momentum direction (+ X direction), it is possible to prevent leakage of the liquid LQ.

図14は、基板Pの移動方向と、その移動方向に応じて選択された噴射口との関係を説明するための模式図である。 Figure 14 is a schematic view for explaining the relationship between the direction of movement of the substrate P, a selected injection ports in accordance with the direction of movement. 図14(A)の矢印y で示すように、基板Pが+X方向に移動する場合には、図13(A)を参照して説明したように、制御装置CONTは、第1噴射口32Aから液体LQを噴射する。 As shown by the arrow y P of FIG. 14 (A), when moving the substrate P in the + X direction, as described with reference to FIG. 13 (A), the control unit CONT, the first injection port 32A injecting the liquid LQ from. また、図14(B)に示すように、基板Pが+Y方向に移動する場合には、制御装置CONTは、基板Pの移動方向前方側に設けられた第2噴射口32Bから液体LQを噴射する。 Further, as shown in FIG. 14 (B), when the substrate P moves in the + Y direction, the control unit CONT, ejecting the liquid LQ from the second injection port 32B provided in the moving direction front side of the substrate P to. また、図14(C)に示すように、基板Pが+X方向に対して+Y側の傾斜方向に移動する場合には、制御装置CONTは、基板Pの移動方向前方側に設けられた第1噴射口32A及び第2噴射口32Bのそれぞれから液体LQを噴射する。 Further, as shown in FIG. 14 (C), when moving in the direction of inclination of + Y side of the substrate P in the + X direction, the control unit CONT, first provided in the moving direction front side of the substrate P injecting the liquid LQ from the respective injection opening 32A and the second injection port 32B. また、図14(D)に示すように、基板Pが+X方向に対して−Y側の傾斜方向に移動する場合には、制御装置CONTは、基板Pの移動方向前方側に設けられた第1噴射口32A及び第4噴射口32Dのそれぞれから液体LQを噴射する。 Further, as shown in FIG. 14 (D), first when moving in the direction of inclination of the -Y side of the substrate P in the + X direction, the control unit CONT, are provided in the moving direction front side of the substrate P 1 injects the liquid LQ from the respective injection opening 32A and the fourth injection port 32D. また、図14(E)に示すように、基板Pが−X方向に対して−Y側の傾斜方向に移動する場合には、制御装置CONTは、基板Pの移動方向前方側に設けられた第3噴射口32C及び第4噴射口32Dのそれぞれから液体LQを噴射する。 Further, as shown in FIG. 14 (E), when the substrate P moves in the direction of inclination of the -Y side relative to the -X direction, the control unit CONT, are provided in the moving direction front side of the substrate P injecting the liquid LQ from the respective third injection openings 32C and fourth injection port 32D. また、図14(F)に示すように、基板Pが−X方向に対して+Y側の傾斜方向に移動する場合には、制御装置CONTは、基板Pの移動方向前方側に設けられた第2噴射口32B及び第3噴射口32Cのそれぞれから液体LQを噴射する。 Further, as shown in FIG. 14 (F), first when the substrate P moves in the direction of inclination of + Y side with respect to the -X direction, the control unit CONT, are provided in the moving direction front side of the substrate P 2 ejects liquid LQ from the respective injection opening 32B and the third injection port 32C.

以上説明したように、光路空間K1(投影光学系PL)に対する基板Pの移動方向に応じて、噴射口32から液体LQを噴射する方向を調整することで、液体LQの漏出を良好に抑制することができる。 As described above, according to the moving direction of the substrate P with respect to the optical path space K1 (projection optical system PL), by adjusting the direction for injecting the liquid LQ from the injection port 32, favorably suppress the leakage of the liquid LQ be able to. そして、基板Pの移動方向前方側から光路空間K1に対して液体LQを噴射することで、光路空間K1に満たされた液体LQに対して基板Pの移動方向後方側への運動量を与えて、液体LQの漏出を良好に防止することができる。 Then, by injecting the liquid LQ to the optical path space K1 from the moving direction front side of the substrate P, giving momentum to the movement direction rear side of the substrate P with respect to the liquid LQ filled in the optical path space K1, the leakage of the liquid LQ can be satisfactorily prevented. また、基板Pの移動方向後方側からは液体LQを噴射しないようにすることで、光路空間K1に満たされた液体LQの流れが乱れたり、液体LQが漏出する等の不都合を防止することができる。 Further, from the moving direction rear side of the substrate P it is possible not to eject liquid LQ, or disturbed liquid LQ flows filled in the optical path space K1, that the liquid LQ to prevent a disadvantage such as leaking it can. また、過剰に液体LQを噴射しないことにより、噴射される液体LQの力に起因して基板Pが変形・変位したり、振動が発生する等の不都合を防止することができる。 Also, by not excessively eject liquid LQ, it is possible to prevent or deformed and displacement substrate P due to the force of the liquid LQ to be injected, a disadvantage of such vibration occurs.

なお、本実施形態においても、基板Pの移動速度に応じて、各噴射口32A〜32Dのそれぞれから噴射する液体LQの流速を調整することができる。 Also in this embodiment, it is possible according to the moving speed of the substrate P, and adjust the liquid LQ flow rate injected from each of the injection ports 32A through 32D. 例えば、記憶装置MRYに、基板Pの移動方向に加えて、基板Pの移動速度(X軸方向へのスキャン速度、Y軸方向へのステッピング速度を含む)に関する情報を予め記憶させておくことにより、制御装置CONTは、その記憶情報に基づいて、複数の噴射口32A〜32Dのうち液体LQを噴射する噴射口を選択することによって液体LQを噴射する方向を調整するとともに、その選択した噴射口から噴射する液体LQの流速を調整することができる。 For example, the storage device MRY, in addition to the direction of movement of the substrate P, the moving speed of the substrate P by keeping information is stored in advance regarding (scanning speed in the X-axis direction, it includes a stepping speed of the Y-axis direction) , the control unit CONT based on the stored information, as well as adjust the direction of ejecting the liquid LQ by selecting the injection port for injecting the liquid LQ of the plurality of injection ports 32A through 32D, the selected injection ports thereof liquid LQ flow rate injected from the can be adjusted. なお、基板P(基板ステージPST)の移動方向及び移動速度を検出可能なセンサを設けておくことにより、制御装置CONTは、そのセンサの検出結果に基づいて、複数の噴射口32A〜32Dのうち液体LQを噴射する噴射口を選択することによって液体LQを噴射する方向を調整するとともに、その選択した噴射口から噴射する液体LQの流速を調整することができる。 Incidentally, by providing a sensor capable of detecting a moving direction and a moving speed of the substrate P (substrate stage PST), the control unit CONT based on the detection result of the sensor, among the plurality of injection ports 32A~32D with adjusting the direction of ejecting the liquid LQ by selecting the injection port for injecting the liquid LQ, it is possible to adjust the liquid LQ flow rate injected from the selected ejection nozzle. また、基板Pを走査露光するとき、基板P(基板ステージPST)は、例えば加速区間、定常区間(定速区間)、及び減速区間の順に移動するが、制御装置CONTは、基板P(基板ステージPST)の加速区間、定常区間、及び減速区間に応じて、噴射口32から噴射する液体LQの流速を調整することができる。 Also, when scanning exposure of the substrate P, the substrate P (substrate stage PST), for example the acceleration section, constant interval (constant speed), and moves in the order of the deceleration zone, the control unit CONT, the substrate P (substrate stage acceleration section of PST), in accordance with the steady-state period, and the deceleration section, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the injection port 32 can be adjusted.

なお、本実施形態においては、噴射口32は、第1〜第4噴射口32A〜32Dの4つであるが、もちろん任意の複数(例えば8つ)設けることができる。 In the present embodiment, the injection port 32, although four of the first to fourth injection port 32A through 32D, can be of course any multiple (eg, eight) provided.

なお、本実施形態においては、複数の噴射口のうち、基板Pの移動方向に応じて選択された特定の噴射口(例えば32A)から液体LQを噴射しているときには、他の噴射口(32B、32C、32D)からの液体LQの噴射を停止しているが、液体LQの漏出や、光路空間K1の液体LQの流れの乱れを引き起こさない程度であれば、他の噴射口から所定の流速(流量)で液体LQを噴射するようにしてもよい。 In the present embodiment, among the plurality of injection ports, when the specific injection port which is selected according to the direction of movement of the substrate P from (e.g. 32A) and ejecting the liquid LQ, the other injection ports (32B , 32C, although stop ejection of the liquid LQ from 32D), leakage of the liquid LQ, as long as not to cause disturbance of the liquid LQ flows in the optical path space K1, the predetermined other jets flow rate it may be to inject the liquid LQ by (flow rate).

<第4実施形態> <Fourth Embodiment>
次に、第4実施形態について図15を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 15 for the fourth embodiment. 図15において、ノズル部材70の下面75には、光路空間K1に対して回収口22の外側に設けられた内側噴射口32Eと、光路空間K1に対して内側噴射口32Eよりも更に外側に設けられた外側噴射口32Fとが設けられている。 15, the lower surface 75 of the nozzle member 70, provided with an inner injection port 32E which is provided on the outside of the recovery port 22 with respect to the optical path space K1, further outward than the inner injection port 32E with respect to the optical path space K1 an outer injection port 32F is provided that is. 内側噴射口32Eは、回収口22と基板Pとの間の空間、又は基板Pのうち回収口22と対向する所定の領域に向けて液体LQを噴射し、外側回収口32Fは、基板Pのうち内側噴射口32Eからの液体LQが噴射される領域よりも外側であって、回収口22と対向する領域に向けて液体LQを噴射するように設けられている。 Inner injection port 32E is the space between the recovery port 22 and the substrate P, or the liquid LQ is injected toward the predetermined region opposed to the recovery port 22 of the substrate P, the outer recovery port 32F, the substrate P of a outside a than the region where the liquid LQ is injected from the inner injection port 32E, are provided so as to inject the liquid LQ toward the region facing the recovery port 22. このように、液体噴射機構3は、液浸領域LRの液体LQの界面LGに、Z軸方向に関して互いに異なる位置に液体LQを噴射するようにしてもよい。 Thus, the liquid ejection mechanism 3, the interface LG of the liquid LQ of the immersion region LR, may be to inject the liquid LQ in different positions with respect to the Z-axis direction.

<第5実施形態> <Fifth Embodiment>
次に、第5実施形態について図16を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 16, a fifth embodiment. 図16において、ノズル部材70の上面には、投影光学系PLを囲むように形成された内側周壁部71と、投影光学系PLに対して内側周壁部71よりも外側に設けられ、投影光学系PL及び内側周壁部71を囲むように設けられた外側周壁部72とが設けられている。 16, on the upper surface of the nozzle member 70, an inner peripheral wall 71 formed to surround the projection optical system PL, it is provided on the outer side than the inner circumferential wall portion 71 with respect to the projection optical system PL, the projection optical system an outer peripheral wall portion 72 is provided which is provided to surround the PL and the inner peripheral wall 71. そして、ノズル部材70は、その上面と内側周壁部71と外側周壁部72とで囲まれた空間70Gに液体LQを保持可能となっている。 Then, the nozzle member 70 is capable of retaining the liquid LQ in the space 70G surrounded by the upper surface thereof and the inner peripheral wall 71 and the outer peripheral wall portion 72. また、液浸機構1は、空間70Gに保持されている液体LQを回収可能な液体回収機構190を有している。 Further, the liquid immersion mechanism 1 includes a liquid recovery mechanism 190 as the liquid LQ recoverable held in the space 70G. 液体回収機構190は、液体LQを吸引回収可能な真空系を含む液体回収部191と、その一端部を液体回収部191に接続し、他端部を空間70Gに配置した回収管192とを備えている。 Liquid recovery mechanism 190 includes a liquid recovery section 191 including the liquid LQ suction recoverable vacuum system, the one end portion connected to the liquid recovery unit 191, and a recovery tube 192 is arranged and the other end into the space 70G ing. 制御装置CONTは、液体回収部191を駆動することにより、空間70Gに保持された液体LQを回収管192を介して回収可能である。 Controller CONT, by driving the liquid recovery unit 191, is capable of recovering the liquid LQ that is held in the space 70G via the recovery pipe 192.

本実施形態の液浸機構1は、光路空間K1に液体LQを満たすとともに、投影光学系PLの側面LTとノズル部材70の内側面70Tとの間のギャップG1を形成する空間にも液体LQを満たす程度に、液体LQの供給及び回収を行う。 Immersion mechanism 1 of the present embodiment, with satisfying the liquid LQ to the optical path space K1, the liquid LQ in the space to form a gap G1 between the inner side surface 70T of the side LT and the nozzle member 70 of the projection optical system PL to the extent that satisfy, for supplying and recovering the liquid LQ. 更に、液浸機構1は、ギャップG1を形成する空間に満たされた液体LQが内側周壁部71の上面を通過して空間70Gに流出する程度に、液体LQの供給及び回収を行う。 Furthermore, the liquid immersion mechanism 1, to the extent that the liquid LQ filled in the space forming the gap G1 from flowing into the space 70G through the upper surface of the inner peripheral wall 71, for supplying and recovering the liquid LQ. すなわち、液浸機構1は、少なくとも基板Pの露光中においては、光路空間K1及びギャップG1を形成する空間を液体LQで満たすとともに、光路空間K1及びギャップG1を形成する空間に満たされた液体LQを内側周壁部71より空間70Gにオーバーフローさせている。 That is, the liquid immersion mechanism 1 is, during the exposure of at least the substrate P, and spaces for forming the optical path space K1 and the gap G1 with filled with the liquid LQ, the liquid filled in a space for forming the optical path space K1 and the gap G1 LQ and overflow the more space 70G inner peripheral wall 71. そして、液体回収機構190は、ギャップG1を形成する空間から内側周壁部71をオーバーフローし、空間70Gに満たされた液体LQを回収するように設けられている。 Then, the liquid recovery mechanism 190 overflows the inner peripheral wall portion 71 from the space for forming a gap G1, is provided to recover the liquid filled in the space 70G LQ.

制御装置CONTは、液浸機構1を使って、ギャップG1を形成する空間の液体LQを空間70Gに常にオーバーフローさせるように、光路空間K1に対して液体LQを供給し続けることで、液体LQの液面の高さをほぼ一定に維持することができる。 The control apparatus CONT uses the liquid immersion mechanism 1, so as to always overflowing to the liquid LQ space 70G space forming the gap G1, that with respect to the optical path space K1 continue to supply the liquid LQ, the liquid LQ it can be maintained the liquid level substantially constant. したがって、ギャップG1を形成する空間及びその空間に接続する光路空間K1に満たされた液体LQの圧力をほぼ一定に維持することができる。 Therefore, it is possible to maintain a substantially constant space and pressure of the liquid LQ filled in the optical path space K1 for connecting to the space to form a gap G1. そのため、光路空間K1を満たす液体LQに噴射口32より噴射された液体LQが追加されても、液体LQは内側周壁部71を介して空間70Gに流出するため、光路空間K1の液体LQの圧力をほぼ一定に維持することができる。 Therefore, even if added liquid LQ, which is injected from the injection port 32 to the liquid LQ to fill the optical path space K1 is because the liquid LQ is flowing out to the space 70G through the inner peripheral wall portion 71, the liquid LQ of the pressure in the optical path space K1 it can be maintained substantially constant. したがって、光路空間K1の液体LQの圧力変動に伴う基板Pや第1光学素子LS1の変位又は変形といった不都合の発生を防止することができる。 Thus, the occurrence of inconvenience displacement or deformation of the substrate P and the first optical element LS1 with the pressure fluctuation of the liquid LQ in the optical path space K1 can be prevented.

<第6実施形態> <Sixth Embodiment>
次に、第6実施形態について図17を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 17, a sixth embodiment. 図17に示すように、噴射口32から噴射された液体LQの噴射方向を途中で曲げるようにしてもよい。 As shown in FIG. 17, the ejection direction of the liquid LQ that has been ejected from the ejection nozzle 32 may be bent in the middle. 噴射口32より噴射された液体LQの噴射方向を曲げるためには、例えば、噴射口32よりも光路空間K1側のノズル部材70の下面75に、流れの抵抗となる突起部を設けることで、液体LQの噴射方向を曲げることができる。 To bend the direction of injection is injected from the ejection nozzle 32 the liquid LQ, for example, the lower surface 75 of the optical path space K1 of the nozzle member 70 than the injection port 32, by providing the protruding portion serving as a flow resistor, it can be bent in the direction of injection liquid LQ. あるいは、電力又は磁力によって、液体LQの噴射方向を曲げることもできる。 Alternatively, the power or force, it is also possible to bend the direction of the injection liquid LQ. あるいは、噴射された液体LQに気体を吹き付けることで、液体LQの噴射方向を曲げることもできる。 Alternatively, by blowing a gas to the injected liquid LQ, it is also possible to bend the direction of the injection liquid LQ.

あるいは、図18の模式図に示すように、ノズル部材70の下面75に、光路空間K1に対して回収口22の外側に設けられた内側噴射口32Gと、光路空間K1に対して内側噴射口32Gよりも更に外側に設けられた外側噴射口32Hとを設け、内側噴射口32Gから第1の流速で液体LQを噴射するとともに、外側噴射口32Hから第1の流速よりも速い第2の流速で液体LQを噴射し、第1の流速で噴射された液体LQと第2の流速で噴射された液体LQとを合流させることによって、外側噴射口32Hから噴射された液体LQの噴射方向を曲げることもできる。 Alternatively, as shown in the schematic diagram of FIG. 18, the lower surface 75 of the nozzle member 70, an inner injection port 32G which is provided on the outside of the recovery port 22 with respect to the optical path space K1, the inner injection port with respect to the optical path space K1 further provided an outer injection port 32H provided outside than 32G, while injecting the liquid LQ in the first flow rate from the inner injection port 32G, a second flow rate higher than the first flow rate from the outer injection port 32H in injecting the liquid LQ, by merging the first and the flow velocity at the liquid LQ ejecting a second flow rate the liquid LQ that has been injected, the bending is the direction from which the injection liquid LQ injected from the outer injection port 32H it is also possible. 速い流速(第2の流速)で噴射された液体LQ上に遅い流速(第1の流速)で噴射された液体LQを合流させると、速い流速(第2の流速)で噴射された液体LQと遅い流速(第1の流速)で噴射された液体LQとの合流部において、速い流速(第2の流速)で噴射された液体LQにモーメントが発生し、速い流速で噴射された液体LQの流れにブレーキがかかった状態となり、速い流速で噴射された液体LQは、遅い流速で噴射された液体LQ側に曲げられる。 When the merge for faster flow rates (second velocity) at the liquid LQ that has been injected at a slower flow rate ejected liquid on LQ (the first flow rate), it has been the liquid LQ injected at high flow rate (second flow rate) slow flow rate at the confluence portion with the liquid LQ injected in (first velocity), high flow rate moment (second velocity) liquid LQ injected in occurs, the flow of the liquid LQ that has been injected at a high flow rate a state in which the brake is applied, the liquid LQ that has been injected at a high flow rate is bent liquid LQ valve injection at a slow flow rate. そのため、外側噴射口32Hから噴射された液体LQの噴射方向を曲げることができる。 Therefore, it is possible to bend the ejection direction of the liquid LQ that has been injected from the outer injection port 32H.

噴射口32から噴射される液体LQの噴射方向と基板P表面との角度θをできるだけ小さくしたほうが液体LQの漏出をより良好に抑えることができるが、噴射口32から噴射された液体LQの噴射方向を途中で曲げるようにすることで、噴射口32を光路空間K1に近い位置に設けた場合でも、液体LQの界面LG近傍における液体LQの噴射方向と基板P表面との角度θを小さくすることができる。 While better to as small as possible angle θ between the injection direction and the surface of the substrate P of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 can be suppressed leakage of the liquid LQ better, have been of the liquid LQ jet ejected from the ejection nozzle 32 by the bend the direction in the middle, even in the case where the injection port 32 at a position close to the optical path space K1, to reduce the angle θ between the injection direction and the surface of the substrate P of the liquid LQ at the interface LG vicinity of the liquid LQ be able to. したがって、ノズル部材70のコンパクト化、ひいては露光装置EX全体のコンパクト化を図りつつ、液体LQの漏出を良好に防止することができる。 Therefore, downsizing of the nozzle member 70, and thus while achieving compactness of the entire exposure apparatus EX, it is possible to satisfactorily prevent the leakage of the liquid LQ.

また、噴射口32から噴射される液体LQの噴射方向と基板P表面との角度θを適宜調整することで、基板Pに対して液体LQを吹き付ける位置を適宜調整することができる。 Further, the angle θ between the injection direction and the surface of the substrate P of the liquid LQ to be ejected from the ejection nozzle 32 by appropriately adjusting, it is possible to appropriately adjust the position for spraying the liquid LQ to the substrate P. 例えば、上述の図18において、内側噴射口32Gから噴射する液体LQの流速、及び外側噴射口32Hから噴射する液体LQの流速の少なくとも一方を調整することにより、基板Pに対して液体LQを吹き付ける位置を調整することができる。 For example, in FIG. 18 described above, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the inner injection port 32G, and by adjusting at least one of the liquid LQ of the flow rate to be injected from the outer injection port 32H, spray the liquid LQ to the substrate P position can be adjusted. 基板Pに対して液体LQを吹き付ける位置を調整することにより、基板Pの液体LQとの接触角条件が変わっても、その基板P上に形成された液体LQの液浸領域LRの所望位置(例えば液浸領域LRの液体LQの界面LGの下端部)に、噴射口32から噴射した液体LQを当てることができる。 By adjusting the position for spraying the liquid LQ to the substrate P, even if the contact angle condition between the liquid LQ of the substrate P is changed, the desired position of the liquid immersion area LR of the liquid LQ formed on the substrate P ( for example at the lower end portion of the interface of the liquid LQ LG) of the immersion region LR, it is possible to apply the liquid LQ that ejected from the ejection nozzle 32. すなわち、図10等を参照して説明したように、基板Pの基材100上に被覆された膜(レジスト、トップコート膜)に応じて基板Pの液体LQとの接触角が変化するが、その基板Pの液体LQとの接触角に応じて、基板P上に形成された液浸領域LRの界面LGの下端部の光路空間K1に対する位置が変動する。 That is, as described with reference to FIG. 10 or the like, a film coated on the base material 100 of the substrate P (resist, topcoat film), but the contact angle between the liquid LQ of the substrate P is changed depending on, depending on the contact angle with a liquid LQ of the substrate P, the position with respect to the optical path space K1 of the lower end of the interface LG of the immersion region LR formed on the substrate P varies. 具体的には、図19(A)に示すように、基板Pの液体LQとの接触角が大きい場合には、界面LGの下端部は、光路空間K1に近い位置に設けられる可能性がある。 Specifically, as shown in FIG. 19 (A), when the contact angle between the liquid LQ of the substrate P is large, the lower end of the interface LG, the position could be provided closer to the optical path space K1 . そのような場合には、内側噴射口32Gから噴射する液体LQの流速、及び外側噴射口32Hから噴射する液体LQの流速の少なくとも一方を適宜調整して、噴射口から噴射した液体LQの噴射方向を調整することにより、噴射口から噴射した液体LQを液浸領域LRの界面LGの下端部に当てることができる。 In such a case, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the inner injection port 32G, and at least one liquid LQ flow rate injected from the outer injection port 32H appropriately adjusted and the injection direction of the liquid LQ that has ejected from the ejection nozzle by adjusting the can shed liquid LQ injected from the injection port to the lower end of the interface LG of the immersion region LR. 一方、図19(B)に示すように、基板Pの液体LQとの接触角が小さい場合には、界面LGの下端部は、光路空間K1から遠い位置に設けられる可能性がある。 On the other hand, as shown in FIG. 19 (B), when the contact angle between the liquid LQ of the substrate P is small, the lower end of the interface LG is likely to be provided at a position farther from the optical path space K1. そのような場合には、内側噴射口32Gから噴射する液体LQの流速、及び外側噴射口32Hから噴射する液体LQの流速の少なくとも一方を適宜調整して、噴射口から噴射した液体LQの噴射方向を調整することにより、噴射口から噴射した液体LQを液浸領域LRの界面LGの下端部に当てることができる。 In such a case, the liquid LQ of the flow rate to be injected from the inner injection port 32G, and at least one liquid LQ flow rate injected from the outer injection port 32H appropriately adjusted and the injection direction of the liquid LQ that has ejected from the ejection nozzle by adjusting the can shed liquid LQ injected from the injection port to the lower end of the interface LG of the immersion region LR.

<第7実施形態> <Seventh Embodiment>
次に、第7実施形態について図20を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 20 for the seventh embodiment. 本実施形態の特徴的な部分は、液体LQを噴射する噴射口32が、ノズル部材70とは別の第2ノズル部材30に設けられている点にある。 The feature of this embodiment, the injection port 32 for injecting the liquid LQ, lies in that the nozzle member 70 is provided on another of the second nozzle member 30. 図20において、第2ノズル部材30は、ノズル部材70とは別の部材であって、ノズル部材70の近傍に設けられ、光路空間K1に対してノズル部材70よりも外側に設けられている。 In Figure 20, the second nozzle member 30 is a separate member from the nozzle member 70, is provided in the vicinity of the nozzle member 70, is provided outside the nozzle member 70 with respect to the optical path space K1. 第2ノズル部材30は環状部材であって、基板P(基板ステージPST)の上方において、光路空間K1及びノズル部材70を囲むように配置されている。 The second nozzle member 30 is an annular member, over the substrate P (substrate stage PST), is arranged to surround the optical path space K1 and the nozzle member 70. そして、第2ノズル部材30のうち、基板P(基板ステージPST)と対向する下面35に、噴射口32が設けられている。 Then, in the second nozzle member 30, the lower surface 35 facing the substrate P (substrate stage PST), injection port 32 is provided.

第2ノズル部材30は第2支持機構92に支持されており、第2支持機構92はメインコラム9の下側段部8に接続されている。 The second nozzle member 30 is supported by the second support mechanism 92, the second support mechanism 92 is connected to the lower step 8 of the main column 9. 第1支持機構91に支持されたノズル部材70と第2支持機構92に支持された第2ノズル部材30とは離れている。 The nozzle member 70 supported by the first support mechanism 91 and the second nozzle member 30 supported by the second support mechanism 92 are away. また、第2支持機構92は、第2ノズル部材30を駆動する駆動装置95を備えている。 The second support mechanism 92 includes a drive device 95 for driving the second nozzle member 30. 駆動装置95は、第2支持機構92に支持されている第2ノズル部材30をX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。 Drive device 95, the second nozzle member 30 is supported by the second support mechanism 92 X-axis, Y-axis, a Z-axis, movable .theta.X, [theta] Y, and the direction of the θZ direction of six degrees of freedom.

駆動装置95の動作は制御装置CONTにより制御される。 Operation of the drive device 95 is controlled by the controller CONT. 制御装置CONTは、駆動装置95を駆動することにより、第2支持機構92に支持されている第2ノズル部材30の位置及び姿勢(傾き)を調整可能である。 Controller CONT, by driving the driving device 95 is adjustable position and orientation of the second nozzle member 30 is supported by the second support mechanism 92 (slope). また、第2ノズル部材30が駆動装置95によって駆動されるので、第2ノズル部材30に設けられた噴射口32は、ノズル部材70に設けられた回収口22や、光路空間K1に満たされた液体LQの界面LGに対して可動となっている。 Further, since the second nozzle member 30 is driven by a drive device 95, injection port 32 provided in the second nozzle member 30, and the recovery port 22 provided in the nozzle member 70, filled in the optical path space K1 and it has a movable relative to the liquid LQ of the interface LG.

また、露光装置EXは、メインコラム9と第2ノズル部材30との位置関係を検出するノズル位置検出装置96を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a nozzle position detector 96 for detecting the positional relationship of the main column 9 and the second nozzle member 30. 本実施形態においては、ノズル位置検出装置96は複数のレーザ干渉計を含んで構成されており、それら複数のレーザ干渉計はメインコラム9の所定位置に固定されている。 In the present embodiment, the nozzle position detector 96 is configured to include a plurality of laser interferometers, the plurality of laser interferometers is fixed at a predetermined position of the main column 9. また、第2ノズル部材30の複数の所定位置のそれぞれには、ノズル位置検出装置96を構成するレーザ干渉計用の反射面97が設けられている。 Further, each of the plurality of predetermined positions of the second nozzle member 30, the reflection surface 97 of the laser interferometer constituting the nozzle position detector 96 is provided. 制御装置CONTは、複数の干渉計を有するノズル位置検出装置96の検出結果に基づいて、6自由度の方向(X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向)に関するメインコラム9に対する第2ノズル部材30の位置を求めることができるようになっている。 The control unit CONT based on the detection result of the nozzle position detector 96 having a plurality of interferometers, 6 degrees of freedom directions (X axis, Y axis, Z axis, .theta.X, [theta] Y, and θZ directions) Main relates column 9 thereby making it possible to determine the position of the second nozzle member 30 against.

また、制御装置CONTは、ノズル位置検出装置96の検出結果に基づいて、メインコラム9に対する第2ノズル部材30の位置をモニタすることができ、そのノズル位置検出装置96の検出結果に基づいて駆動装置95を駆動することにより、第2ノズル部材30をメインコラム9に対して所望位置に位置決めすることができる。 Further, the control unit CONT based on the detection result of the nozzle position detector 96 may monitor the position of the second nozzle member 30 with respect to the main column 9, based on the detection result of the nozzle position detector 96 driven by driving the device 95 may be positioned at a desired position of the second nozzle member 30 relative to the main column 9. また、基板Pの表面の面位置情報をフォーカス・レベリング検出系によって検出している場合には、制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、メインコラム9に対する基板Pの表面の位置情報を求めることができる。 Further, when detecting the surface position information of the surface of the substrate P by the focus leveling detection system, the control unit CONT based on the detection result of the focus leveling detection system, the surface of the substrate P with respect to the main column 9 You can determine the position information. したがって、制御装置CONTは、メインコラム9を基準として、第2ノズル部材30と基板Pの表面との位置関係、ひいては噴射口32と基板Pの表面との位置関係を制御することができる。 Accordingly, the control unit CONT is capable of controlling the positional relationship between the reference main column 9, positional relationship between the second nozzle member 30 and the front surface of the substrate P, and thus injection port 32 and the front surface of the substrate P.

このように、ノズル部材70とは別の第2ノズル部材30を設け、その第2ノズル部材30に液体LQを噴射する噴射口32を設けてもよい。 Thus, it provided a different second nozzle member 30 and nozzle member 70 may be an injection port 32 for injecting the liquid LQ disposed on the second nozzle member 30.

なお、本実施形態においては、第2ノズル部材30の位置を調整するための駆動装置95を搭載しているが、駆動装置95を省いて、第2ノズル部材30をメインコラム9に対して固定支持するようにしてもよい。 In the present embodiment, it is equipped with a drive device 95 for adjusting the position of the second nozzle member 30, omitting the drive device 95, fixing the second nozzle member 30 relative to the main column 9 it may be supported.

なお、上述の第1〜第7実施形態において、噴射口32より噴射される液体LQの単位時間当たりの噴射量は、供給口12より供給される単位時間当たりの液体供給量より多くてもよいし、少なくてもよいし、ほぼ同量でもよい。 Incidentally, in the first through seventh embodiments discussed above, the injection amount per unit time of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 may be greater than the liquid supply amount per unit time supplied from the supply port 12 and, it may be less, may be in approximately the same amount. 噴射口32より噴射される液体LQの単位時間当たりの噴射量は、基板Pの移動条件や接触角条件等を含む露光条件に応じて適宜調整可能である。 The injection amount per unit time of the liquid LQ to be injected from the injection port 32 can be appropriately adjusted according to exposure conditions including the movement conditions and contact angle conditions of the substrate P and the like.

なお、上述の第1〜第7実施形態において、光路空間K1に対して噴射口32の外側に、回収口22とは別の、液体LQを回収する第2回収口を設けてもよい。 Incidentally, in the first through seventh embodiments discussed above, the outside of the injection port 32 with respect to the optical path space K1, separate from the recovery port 22 may be provided with a second recovery port for recovering the liquid LQ.

なお、上述の第1〜第7実施形態においては、第1液体供給装置11と第2液体供給装置31とは別々に設けられているが、液浸機構1及び液体噴射機構3が1つの液体供給装置を兼用してもよい。 In the first to seventh embodiments described above, the first liquid supply unit 11 is provided separately from the second liquid supply unit 31, but the liquid immersion mechanism 1 and the liquid ejection mechanism 3 is one liquid the supply device may also be combined.

以上のように、第1〜第7実施形態においては、噴射口32を有するノズル部材70(又は第2ノズル部材30)が、回収口22よりも内側に液体LQを封じ込めるシール機構として機能し、回収口22の外側への液体LQの漏出を防止又は抑制することができる。 As described above, in the first to seventh embodiment, the nozzle member 70 having an injection port 32 (or the second nozzle member 30), functions as a sealing mechanism that confines the liquid LQ on the inner side of the recovery port 22, the leakage of the liquid LQ to the outside of the recovery port 22 can be prevented or suppressed.

なお、上述した各実施形態において、液浸機構1は、回収口22を介して液体LQのみを回収するように設けられている。 In each embodiment described above, the liquid immersion mechanism 1 is provided so as to collect only the liquid LQ via the recovery port 22. 以下、図21を参照しながら、液浸機構1による液体回収動作の原理について説明する。 Hereinafter, with reference to FIG. 21, a description will be given of the principle of the liquid recovery operation by the liquid immersion mechanism 1. 図21は多孔部材25の一部を拡大した断面図であって、多孔部材25を介して行われる液体回収動作を説明するための模式図である。 Figure 21 is a sectional view enlarging a portion of the porous member 25 is a schematic diagram for explaining the liquid recovery operation performed through the porous member 25.

図21において、回収口22には多孔部材25が設けられている。 In Figure 21, the porous member 25 is provided on the recovery port 22. また、多孔部材25の下側には基板Pが設けられている。 Furthermore, the substrate P is provided on the lower side of the porous member 25. そして、多孔部材25と基板Pとの間には、気体空間及び液体空間が形成されている。 Further, between the porous member 25 and the substrate P, gas space and the liquid space is formed. より具体的には、多孔部材25の第1孔25Haと基板Pとの間には気体空間が形成され、多孔部材25の第2孔25Hbと基板Pとの間には液体空間が形成されている。 More specifically, between the first hole 25Ha and the substrate P of the porous member 25 is a gas space is formed, between the second hole 25Hb and the substrate P of the porous member 25 is formed liquid space there. また、多孔部材25の上側には、回収流路(流路空間)24が形成されている。 Further, on the upper side of the porous member 25, the recovery flow passage (channel space) 24 is formed.

多孔部材25の第1孔25Haと基板Pとの間の空間K3の圧力(多孔部材25Hの下面での圧力)をPa、多孔部材25の上側の流路空間24の圧力(多孔部材25の上面での圧力)をPc、孔25Ha、25Hbの孔径(直径)をd、多孔部材25(孔25Hの内側面)の液体LQとの接触角をθ、液体LQの表面張力をγとした場合、本実施形態の液浸機構1は、 The upper surface of the pressure Pa (the porous member pressure at the lower surface of 25H), pressure in the upper flow path space 24 of the porous member 25 (porous member 25 of the space K3 between the first hole 25Ha and the substrate P of the porous member 25 If the pressure) were Pc, pore 25Ha, and pore size (diameter) d of 25 hb, the contact angle between the liquid LQ of the porous member 25 (inner surface of the hole 25H) theta, the surface tension of the liquid LQ gamma in, immersion mechanism 1 of this embodiment,
(4×γ×cosθ)/d ≧ (Pa−Pc) …(1) (4 × γ × cosθ) / d ≧ (Pa-Pc) ... (1)
の条件を満足するように設定されている。 It is set so as to satisfy the conditions. なお、上記(1)式においては、説明を簡単にするために多孔部材25の上側の液体LQの静水圧は考慮してない。 In the above (1), the upper hydrostatic pressure of the liquid LQ of the porous member 25 in order to simplify the explanation is not considered.

この場合において、多孔部材25(孔25Hの内側面)の液体LQとの接触角θは、 In this case, the contact angle θ between the liquid LQ of the porous member 25 (inner surface of the hole 25H),
θ ≦ 90° …(2) θ ≦ 90 ° ... (2)
の条件を満足する必要がある。 It is necessary to satisfy the conditions.

上記条件が成立する場合、多孔部材25の第1孔25Haの下側(基板P側)に気体空間が形成された場合でも、多孔部材25の下側の空間K3の気体が孔25Haを介して多孔部材25の上側の流路空間24に移動(侵入)することが防止される。 If the above condition is satisfied, even if the first hole gas space on the lower side (the substrate P side) of 25Ha of the porous member 25 is formed, the lower gas space K3 of the porous member 25 via the hole 25Ha It is prevented from moving to the upper side of the flow path space 24 of the porous member 25 (penetration). すなわち、上記条件を満足するように、多孔部材25の孔径d、多孔部材25の液体LQとの接触角(親和性)θ、液体LQの表面張力γ、及び圧力Pa、Pcを最適化することにより、液体LQと気体との界面を多孔部材25の第1孔25Haの内側に維持することができ、第1孔25Haを介して空間K3から流路空間24へ気体が侵入することを抑えることができる。 In other words, so as to satisfy the above conditions, pore diameter d of the porous member 25, the contact angle (affinity) of the liquid LQ of the porous member 25 theta, the surface tension of the liquid LQ gamma, and pressure Pa, to optimize the Pc Accordingly, it is possible to maintain the interface between the liquid LQ and the gas inside the first hole 25Ha of the porous member 25, the gas to channel space 24 from the space K3 via the first hole 25Ha is suppressed from entering can. 一方、多孔部材25の第2孔25Hbの下側(基板P側)には液体空間が形成されているので、第2孔25Hbを介して液体LQのみを回収することができる。 On the other hand, since the lower side of the second hole 25 hb of the porous member 25 (substrate P side) is formed the liquid space, it is possible to recover only the liquid LQ via the second hole 25 hb.

本実施形態においては、多孔部材25の下側の空間K3の圧力Pa、孔径d、多孔部材25(孔25Hの内側面)の液体LQとの接触角θ、液体(純水)LQの表面張力γはほぼ一定であり、液浸機構1は、液体回収装置21の吸引力を制御して、上記条件を満足するように、多孔部材25の上側の流路空間24の圧力Pcを調整する。 In the present embodiment, the pressure Pa of the space K3 of the lower side of the porous member 25, hole diameter d, the contact angle theta, the liquid (pure water) LQ of the surface tension of the liquid LQ of the porous member 25 (inner surface of the hole 25H) γ is substantially constant, the liquid immersion mechanism 1 controls the suction force of the liquid recovery device 21, so as to satisfy the above conditions, to adjust the pressure Pc in the upper flow path space 24 of the porous member 25.

なお、上記(1)式において、(Pa−Pc)の絶対値が大きいほど、すなわち、((4×γ×cosθ)/d)の絶対値が大きいほど、上記条件を満足するような圧力Pcの制御が容易になるので、孔径dは可能な限り小さく、多孔部材25の液体LQとの接触角θは可能な限り小さいことが望ましい。 In the above (1), as the absolute value of (Pa-Pc) is large, i.e., the larger the absolute value of ((4 × γ × cosθ) / d), the pressure Pc so as to satisfy the above conditions the control of it is easy, pore diameter d is as small as possible, it is desirable that the contact angle θ between the liquid LQ of the porous member 25 as small as possible. 本実施形態においては、多孔部材25は液体LQに対して親液性を有しており、十分に小さい接触角θを有している。 In this embodiment, the porous member 25 has a parent with respect to the liquid LQ, and has a sufficiently small contact angle theta.

このように、本実施形態では、多孔部材25が濡れた状態で、多孔部材25の上側の空間24と下側の空間K3との圧力差(多孔部材25の上面と下面との圧力差)を、上記条件を満足するように制御することで、多孔部材25の孔25Hから液体LQのみを回収する。 Thus, in the present embodiment, in a state where the porous member 25 is wet, the pressure difference between the space K3 of the upper space 24 and the lower side of the porous member 25 (pressure difference between the upper and lower surfaces of the porous member 25) , by controlling so as to satisfy the above condition, it recovers only the liquid LQ from the hole 25H of the porous member 25. これにより、液体LQと気体とを一緒に吸引することに起因する振動の発生を抑制することができる。 Thus, it is possible to suppress the occurrence of vibration caused by sucking the liquid LQ and the gas together.

上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is constituted by pure water. 純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。 Pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and the optical element (lens) and the like on the substrate P. また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。 Further, pure water has no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface of the optical element provided at the end face of the surface, and the projection optical system PL of the substrate P can be expected .

そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。 Then, when the wavelength is using pure water refractive index of the (water) n is said to approximately 1.44, ArF excimer laser light as the light source of the exposure light EL (wavelength 193nm) with respect to the exposure light EL of about 193nm , 1 / n, i.e. to reduce the wavelength is high resolution of about 134nm obtained on the substrate P. 更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 Furthermore, approximately n times the depth of focus than in the air, namely to be enlarged to about 1.44 times, when the depth of focus approximately the same as that when used in air may be secured, the projection optical system PL numerical aperture can be further increased, and also the resolution is improved in this respect.

本実施形態では、投影光学系PLの先端に第1光学素子LS1が取り付けられており、この光学素子により投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。 In the present embodiment, the first optical element LS1 is attached to the tip of the projection optical system PL, to perform the optical characteristic of the projection optical system PL by the optical element, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) to adjust the can. なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。 The optical element to be attached to the tip of the projection optical system PL, and may be an optical plate used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL. あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 Alternatively the exposure light EL may be a plane parallel plate that can transmit.

なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の第1光学素子LS1と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 Incidentally, if the pressure between the first optical element LS1 and the substrate P at the tip of the projection optical system PL caused by the flow of the liquid LQ is large, instead of the replaceable its optical elements, optical by the pressure may be firmly fixed to the element does not move.

なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the liquid state is between is a configuration which is filled with the liquid LQ, for example, fitted with a cover glass comprising a plane parallel plate to the surface of the substrate P and the projection optical system PL and the substrate P surface it may be configured to satisfy the LQ.

また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 The projection optical system of the embodiment described above, although the optical path space on the image plane side of the optical element at the tip is filled with liquid, as disclosed in International Publication No. WO 2004/019128, the tip optics it is also possible to adopt a projection optical system that the optical path space on the mask side of the element is also filled with the liquid.

なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF レーザである場合、このF レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 Although the liquid LQ of this embodiment is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is not transmitted through water , as the liquid LQ that can transmit the F 2 laser light may include, for example, fluorine-based fluid such as perfluoropolyether (PFPE) or fluorine based oil. この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 In this case, the portion in contact with the liquid LQ, lyophilic treatment by forming a thin film, for example having a molecular structure with small polarity including fluorine material. また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 Further, as the liquid LQ, Besides, if there is transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, stable ones (e.g. cedar the photo resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface oil) can also be used.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices but glass substrates for display devices, the original plate of a mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary.

また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。 Further, As for the exposure apparatus EX, in the first pattern and the first pattern projection optical system a reduced image of the substrate P in a state where substantially stationary (e.g., 1/8 refractive type projection optical system including no catoptric element with a reduction magnification) It can also be applied to an exposure apparatus of a system that full-field exposure of the substrate P using. この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。 In this case, further subsequently, a reduced image of the second pattern in a state where the second pattern and the substrate P are substantially stationary with the projection optical system, the one-shot exposure in the first pattern partially superposes the substrate P It can also be applied to a stitching type full-field exposure apparatus that. また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Also, the stitching type exposure apparatus, and transferring at least two patterns are partially overlaid and the substrate P, it is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch type and the substrate P is successively moved.

また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。 Further, the present invention, JP-A 10-163099, JP-A No. 10-214783, JP-can also be applied to a twin stage type exposure apparatus are disclosed in, JP-T-2000-505958.

更に、特開平11−135400号公報や特開2000−164504号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in JP-A 11-135400 and JP-2000-164504, JP-measurement stage equipped with a photoelectric sensor of the reference member and a variety of substrate stage and the reference mark is formed for holding a substrate to an exposure apparatus provided with the door it can be applied to the present invention.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ) or it can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクにかえて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。 In the embodiment described above, a light transmitting type mask is used to form a predetermined light shielding pattern (or a phase pattern or a light attenuation pattern) on a transparent substrate, instead of this mask, for example, U.S. Pat. as disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, based on the electronic data of the pattern to be exposed, transmission pattern or reflection pattern, or may be an electron mask for forming a light-emitting pattern.

また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in WO 2001/035168 pamphlet, the interference fringes by forming on the substrate P, the exposure apparatus that exposes a line-and-space pattern on the substrate P (lithography system) it is also possible to apply the present invention.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy , it is manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図22に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 22, a step 201 that performs microdevice function and performance design, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate a step 203 of producing the exposure process step 204 of exposing a pattern of a mask onto a substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment described above, a device assembly step (dicing, bonding, including packaging step) 205, an inspection step 206, etc. It is produced through.

第1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の要部を拡大した概略斜視図の一部破断図である。 It is a partially cutaway view of a schematic perspective view of an enlarged main part of an exposure apparatus according to a first embodiment. 図2を下側から見た斜視図である。 Figure 2 is a perspective view from below. 図2のYZ平面と平行な側断面図である。 A parallel side cross-sectional view the YZ plane of FIG. 2. 図2のXZ平面と平行な側断面図である。 A parallel side sectional view and a XZ plane of FIG. 脱気装置の一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of a degasser. 基板の移動に伴う液体の挙動を説明するための模式図である。 It is a schematic view for explaining the behavior of the liquid caused by the movement of the substrate. 第1実施形態に係る露光装置の動作を説明するための要部を拡大した模式図である。 It is an enlarged schematic view of the main parts for describing the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る露光装置の動作を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第2実施形態を説明するための図であって、基板を示す側断面図である。 A diagram for explaining the second embodiment, a side sectional view showing a substrate. 第3実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 It is a view showing a main part of an exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the third embodiment. 第3実施形態に係る露光装置の動作を説明するための模式図である。 It is a schematic diagram for explaining the operation of the exposure apparatus according to the third embodiment. 第4実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 Is a view showing a main part of an exposure apparatus according to the fourth embodiment. 第5実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 It is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a fifth embodiment. 第6実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 Is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a sixth embodiment. 第6実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 Is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a sixth embodiment. 第6実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 Is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a sixth embodiment. 第7実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 It is a view showing a main part of an exposure apparatus according to the seventh embodiment. 液浸機構による液体回収動作の原理を説明するための図である。 It is a diagram for explaining the principle of the liquid recovery operation by the liquid immersion mechanism. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 Is a flowchart showing an example of a process of fabricating a microdevice.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…液浸機構、3…液体噴射機構、12…供給口、22…回収口、31B…脱気装置、32…噴射口、34…供給流路、34A…第1流路部、34B…第2流路部、37…バッファ空間、70…ノズル部材、100…基材、101…膜部材、102…第2膜部材、CONT…制御装置、EL…露光光、EX…露光装置、K1…光路空間、LQ…液体、P…基板、PL…投影光学系 1 ... liquid immersion mechanism, 3 ... liquid ejecting mechanism, 12 ... inlet, 22 ... recovery port, 31B ... degasser, 32 ... injection port, 34 ... supply passage, 34A ... first flow path portion, 34B ... second 2 the channel section, 37 ... buffer space, 70 ... nozzle member, 100 ... substrate, 101 ... film member, 102 ... second film member, CONT ... controller, EL ... exposure light, EX ... exposure apparatus, K1 ... optical path space, LQ ... liquid, P ... substrate, PL ... projection optical system

Claims (16)

  1. 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、 In an exposure apparatus that exposes a substrate by radiating an exposure light onto the substrate through a liquid,
    前記液体を供給する供給口と、 A supply port for supplying the liquid,
    前記光路空間に対して前記供給口の外側に設けられ、液体を回収する回収口と、 Provided outside the supply port with respect to the optical path space, and a recovery port for recovering the liquid,
    前記光路空間に対して前記回収口の外側に設けられ、液体を噴射する噴射口とを備えた露光装置。 It provided outside the recovery port relative to the optical path space, exposure apparatus provided with an injection port for injecting the liquid.
  2. 前記噴射口は前記基板と対向する位置に設けられ、前記光路空間に向けて傾斜方向に液体を噴射する請求項1記載の露光装置。 The injection port is provided at a position opposite to the substrate, the exposure apparatus according to claim 1, wherein for ejecting a liquid in the inclination direction toward the optical path space.
  3. 前記回収口は前記基板と対向する位置に設けられ、前記噴射口は前記回収口と前記基板との間に向けて液体を噴射する請求項1又は2記載の露光装置。 The recovery port is provided at a position opposed to the substrate, wherein the injection port is exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein ejecting a liquid toward between the substrate and the recovery port.
  4. 前記回収口は前記基板と対向する位置に設けられ、前記噴射口は前記基板のうち前記回収口と対向する領域に向けて液体を噴射する請求項1又は2記載の露光装置。 The recovery port is provided at a position opposed to the substrate, wherein the injection port is exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein ejecting a liquid toward the recovery port opposite to region of the substrate.
  5. 前記噴射口は前記光路空間を囲むように設けられている請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。 The ejection port exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4 is provided so as to surround the optical path space.
  6. 前記噴射口に液体を供給する流路を有し、 Has a flow path for supplying liquid to the injection port,
    前記流路は、前記噴射口に接続する第1流路部と、前記第1流路部よりも大きいバッファ空間を含む第2流路部とを有する請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 Said flow path, said a first flow path portion connected to the injection port, any one of claims 1 to 5 and a second channel portion which includes a large buffer space than the first flow path portion of the exposure apparatus.
  7. 前記噴射口は所定の長さを有するスリット状に形成されている請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。 The ejection port exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, which is formed in a slit shape having a predetermined length.
  8. 前記噴射口から噴射される液体中の気体成分を低減する脱気装置を備えた請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。 Exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7 comprising a deaerator for reducing the gas components in the liquid ejected from the ejection nozzle.
  9. 露光条件に応じて、前記噴射口の噴射条件を調整する制御装置を備えた請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置。 Depending on exposure conditions, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8 having a control device for adjusting the injection conditions of the injection port.
  10. 前記露光条件は、前記基板を移動しつつ露光するときの移動条件を含み、 The exposure conditions include the movement conditions to be used during the exposure while moving the substrate,
    前記制御装置は、前記移動条件に応じて、前記噴射条件を調整する請求項9記載の露光装置。 Wherein the control device, in response to said movement conditions, the exposure apparatus according to claim 9, wherein adjusting the injection conditions.
  11. 前記移動条件は、前記投影光学系と前記基板との相対的な移動速度を含み、 It said moving condition includes a relative moving speed between the substrate and the projection optical system,
    前記制御装置は、前記移動速度に応じて、前記噴射口から噴射する液体の流速を調整する請求項10記載の露光装置。 Wherein the control device, in response to said moving speed, exposure apparatus according to claim 10, wherein adjusting the flow rate of the liquid to be injected from the injection port.
  12. 前記制御装置は、前記噴射口から噴射する液体の流速を、前記移動速度よりも大きくする請求項11記載の露光装置。 Wherein the control device, the flow rate of the liquid to be injected from the injection port, the exposure apparatus of claim 11 wherein greater than the moving speed.
  13. 前記移動条件は、前記投影光学系と前記基板との相対的な移動方向を含み、 It said moving condition includes a relative moving direction of the substrate and the projection optical system,
    前記噴射口は前記光路空間に対して複数方向から液体を噴射可能であり、 The injection port is jettable liquid from a plurality of directions with respect to the optical path space,
    前記制御装置は、前記移動方向に応じて、前記噴射口から液体を噴射する方向を調整する請求項10〜12のいずれか一項記載の露光装置。 Wherein the control device, in response to said movement direction, the exposure apparatus according to any one of claims 10 to 12 for adjusting the direction of ejecting the liquid from the injection port.
  14. 前記露光条件は、前記基板上の液体接触面に形成される膜部材と前記液体との接触角条件を含み、 The exposure condition includes a contact angle condition between the liquid and the film member is formed on the liquid contact surface on the substrate,
    前記制御装置は、前記接触角条件に応じて、前記噴射条件を調整する請求項9記載の露光装置。 It said controller, in response to the contact angle condition, the exposure apparatus according to claim 9, wherein adjusting the injection conditions.
  15. 前記基板の露光中に前記噴射口の液体噴射動作を継続する請求項1〜14のいずれか一項記載の露光装置。 Exposure apparatus according to any one of claims 1 to 14 to continue the ejection port of the liquid injection operation during exposure of the substrate.
  16. 請求項1〜請求項15のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。 Device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to claim 15.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288185A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009521105A (en) * 2005-12-22 2009-05-28 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Immersion exposure apparatus and an immersion exposure method
JP2010062558A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of manufacturing device
JP2010103532A (en) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithography apparatus and method of producing device
JP2010147466A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, table, lithography device, immersion lithography device, and device manufacturing method
JP2010205914A (en) * 2009-03-03 2010-09-16 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and method for manufacturing device
CN103064258A (en) * 2011-10-24 2013-04-24 Asml荷兰有限公司 Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
JP2013239741A (en) * 2007-01-23 2013-11-28 Nikon Corp Liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
CN104035290A (en) * 2014-06-24 2014-09-10 浙江大学 Airtight and two-level porous gas-liquid recycling device for immersion-type photoetching machine
CN104614949A (en) * 2015-02-10 2015-05-13 河南理工大学 High depth-to-width ratio super-resolution nano photoetching structure and method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093159A2 (en) * 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
JP2005012228A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Asml Holding Nv Immersion photolithographic system and method of using microchannel nozzle
JP2005019864A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc Exposure device and method
JP2005026334A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp Stage apparatus and charged particle beam exposure device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093159A2 (en) * 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
JP2005012228A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Asml Holding Nv Immersion photolithographic system and method of using microchannel nozzle
JP2005019864A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc Exposure device and method
JP2005026334A (en) * 2003-06-30 2005-01-27 Nikon Corp Stage apparatus and charged particle beam exposure device

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009521105A (en) * 2005-12-22 2009-05-28 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Immersion exposure apparatus and an immersion exposure method
JP2011035423A (en) * 2006-04-14 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithography device and method of manufacturing device
US8634059B2 (en) 2006-04-14 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007288185A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8891059B2 (en) 2007-01-23 2014-11-18 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JP2015035628A (en) * 2007-01-23 2015-02-19 株式会社ニコン Liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
JP2013239741A (en) * 2007-01-23 2013-11-28 Nikon Corp Liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
KR101227636B1 (en) * 2008-09-02 2013-01-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010062558A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of manufacturing device
US8508712B2 (en) 2008-10-23 2013-08-13 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010103532A (en) * 2008-10-23 2010-05-06 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithography apparatus and method of producing device
JP2010147466A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, table, lithography device, immersion lithography device, and device manufacturing method
JP2010205914A (en) * 2009-03-03 2010-09-16 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and method for manufacturing device
JP2015084455A (en) * 2011-10-24 2015-04-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101521953B1 (en) * 2011-10-24 2015-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. A fluid handling structure, a lithogrphic apparatus and a device manufacturing method
US9140995B2 (en) 2011-10-24 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
JP2013093576A (en) * 2011-10-24 2013-05-16 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103064258A (en) * 2011-10-24 2013-04-24 Asml荷兰有限公司 Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
CN104035290A (en) * 2014-06-24 2014-09-10 浙江大学 Airtight and two-level porous gas-liquid recycling device for immersion-type photoetching machine
CN104614949A (en) * 2015-02-10 2015-05-13 河南理工大学 High depth-to-width ratio super-resolution nano photoetching structure and method

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