JP4479269B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本発明は、投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method for exposing a substrate by irradiating the substrate with exposure light via a projection optical system and a liquid.
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はKrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
R=k1・λ/NA … (1)
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
Semiconductor devices and liquid crystal display devices are manufactured by a so-called photolithography technique in which a pattern formed on a mask is transferred onto a photosensitive substrate. An exposure apparatus used in this photolithography process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and a mask pattern is transferred via a projection optical system while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. It is transferred to the substrate. In recent years, in order to cope with higher integration of device patterns, higher resolution of the projection optical system is desired. The resolution of the projection optical system becomes higher as the exposure wavelength used is shorter and the numerical aperture of the projection optical system is larger. Therefore, the exposure wavelength used in the exposure apparatus is shortened year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing. The mainstream exposure wavelength is 248 nm of the KrF excimer laser, but the 193 nm of the shorter wavelength ArF excimer laser is also being put into practical use. Also, when performing exposure, the depth of focus (DOF) is important as well as the resolution. The resolution R and the depth of focus δ are each expressed by the following equations.
R = k 1 · λ / NA (1)
δ = ± k 2 · λ / NA 2 (2)
Here, λ is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, and k 1 and k 2 are process coefficients. From the equations (1) and (2), it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower when the exposure wavelength λ is shortened and the numerical aperture NA is increased in order to increase the resolution R.
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。
ところで、投影光学系と基板との間に満たした液体の圧力が所望の圧力に維持されないと、液体の圧力の変動に伴って、例えば基板や基板ステージ、あるいはその液体に接している投影光学系の一部(最も像面側の光学素子など)が僅かながら変形し、その変形により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。また、液体の圧力に変動が生じると、その液体に接している投影光学系の一部(最も像面側の光学素子など)が振動して基板上に投影されるパターン像が劣化したり、投影光学系及び液体を介した計測精度が劣化する。 By the way, if the pressure of the liquid filled between the projection optical system and the substrate is not maintained at a desired pressure, for example, the projection optical system in contact with the substrate, the substrate stage, or the liquid in accordance with the fluctuation of the liquid pressure. A part of the optical system (such as an optical element closest to the image plane) is slightly deformed, and the exposure and measurement accuracy may be deteriorated due to the deformation. When the liquid pressure fluctuates, part of the projection optical system in contact with the liquid (such as the optical element closest to the image plane) vibrates and the pattern image projected on the substrate deteriorates, The measurement accuracy via the projection optical system and the liquid deteriorates.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an exposure apparatus capable of preventing deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to liquid pressure, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. Objective.
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図8に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)と基板(P)との間に液体(LQ)の液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と液体(LQ)とを介して基板(P)に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、投影光学系(PL)を構成する複数の光学部材のうち液体(LQ)に接する光学部材(2)の側面(2T)又は光学部材(2)を保持する保持部材(PK)の側面を囲むように設けられ、液体供給口(13)又は液体回収口(23)のうち少なくともいずれいか一方を有する環状部材(70)を備え、光学部材(2)又は保持部材(PK)の側面と環状部材(70)との間の隙間(G)に浸入した液体(LQ)が、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域(AR2)の液体(LQ)の圧力を調整することを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 8 shown in the embodiment.
The exposure apparatus (EX) of the present invention forms a liquid immersion area (AR2) of the liquid (LQ) between the projection optical system (PL) and the substrate (P), and the projection optical system (PL) and the liquid (LQ). In the exposure apparatus that exposes the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) through a liquid crystal (LQ), the liquid (LQ) among a plurality of optical members constituting the projection optical system (PL). It is provided so as to surround the side surface (2T) of the optical member (2) in contact with the side surface of the holding member (PK) that holds the optical member (2), and at least of the liquid supply port (13) or the liquid recovery port (23) A liquid (LQ) having an annular member (70) having either one of them and entering the gap (G) between the side surface of the optical member (2) or the holding member (PK) and the annular member (70) is predetermined. The pressure of the liquid (LQ) in the liquid immersion area (AR2) so as not to enter more than the height of the liquid And adjusting the.
本発明によれば、液浸領域の液体の圧力を調整することで、例えば基板や基板ステージ、あるいは投影光学系のうち液体に接する光学部材の変形(歪み)等の発生を防止することができる。また、液浸領域の液体の圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板や基板ステージ、あるいは光学部材に振動が発生することを防止することができる。特に、光学部材又は保持部材の側面と環状部材との間の隙間に浸入した液体が所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域の液体の圧力を調整することで、光学部材の側面が液体から受ける力を低減でき、光学部材の歪み変形や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。 According to the present invention, by adjusting the pressure of the liquid in the liquid immersion area, for example, deformation (distortion) of an optical member in contact with the liquid in the substrate, the substrate stage, or the projection optical system can be prevented. . Further, by adjusting the pressure of the liquid in the liquid immersion region to suppress the pressure fluctuation, it is possible to prevent the substrate, the substrate stage, or the optical member from vibrating. In particular, by adjusting the pressure of the liquid in the liquid immersion region so that the liquid that has entered the gap between the side surface of the optical member or the holding member and the annular member does not enter more than a predetermined height, the side surface of the optical member The force received from the liquid can be reduced, and distortion and deformation of the optical member can be prevented. Therefore, high exposure accuracy and measurement accuracy can be obtained.
本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置(EX)を用いることを特徴とする。本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 The device manufacturing method of the present invention uses the above-described exposure apparatus (EX). According to the present invention, it is possible to prevent deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to the pressure of the liquid in the immersion region, and thus it is possible to manufacture a device having desired performance.
本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to the pressure of the liquid in the immersion region, and thus it is possible to manufacture a device having desired performance.
以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
The exposure apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic block diagram showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage MST that supports a mask M, a substrate stage PST that supports a substrate P, and an illumination optical system IL that illuminates the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL. A projection optical system PL that projects and exposes the pattern image of the mask M illuminated by the exposure light EL onto the substrate P supported by the substrate stage PST, and a control device CONT that controls the overall operation of the exposure apparatus EX. I have.
本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体LQを供給する液体供給機構10と、基板P上の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側終端部の光学素子2と、その像面側に配置された基板P表面との間に液体LQを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンを基板Pに投影露光する。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to improve the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and substantially increase the depth of focus. A
また、後に詳述するように、露光装置EXは、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整する圧力調整機構90を備えている。圧力調整機構90は、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加可能な圧力調整用液体供給部91と、液体LQの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部92とを備えている。圧力調整機構90の動作は制御装置CONTにより制御される。
Further, as will be described in detail later, the exposure apparatus EX includes a
本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向(非走査方向)をY軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX is a scanning exposure apparatus (so-called so-called exposure apparatus EX) that exposes the pattern formed on the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in different directions (reverse directions) in the scanning direction. A case where a scanning stepper) is used will be described as an example. In the following description, the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P in the plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis direction, A direction (non-scanning direction) perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction is defined as a Y-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。
The illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL, and the exposure light source, and an optical integrator and an optical integrator for uniformizing the illuminance of the light beam emitted from the exposure light source A condenser lens that collects the exposure light EL from the light source, a relay lens system, a variable field stop that sets the illumination area on the mask M by the exposure light EL in a slit shape, and the like. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, far ultraviolet light (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (
本実施形態において、液体LQには純水が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。
In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. Pure water is not only ArF excimer laser light, but also far ultraviolet light (DUV light) such as ultraviolet emission lines (g-line, h-line, i-line) emitted from mercury lamps and KrF excimer laser light (
マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能であって、例えばマスクMを真空吸着(又は静電吸着)により固定している。マスクステージMSTは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。そして、マスクステージMSTは、X軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスクMの全面が少なくとも投影光学系PLの光軸AXを横切ることができるだけのX軸方向の移動ストロークを有している。 The mask stage MST is movable while holding the mask M. For example, the mask M is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction). The mask stage MST can be moved two-dimensionally in the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, the XY plane, and can be slightly rotated in the θZ direction by a mask stage driving device MSTD including a linear motor or the like. The mask stage MST is movable at a scanning speed specified in the X-axis direction, and the movement stroke in the X-axis direction is such that the entire surface of the mask M can cross at least the optical axis AX of the projection optical system PL. have.
マスクステージMST上には移動鏡31が設けられている。また、移動鏡31に対向する位置にはレーザ干渉計32が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)はレーザ干渉計32によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計32の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置を制御する。
A
投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(光学部材、レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification β, and includes a plurality of optical elements (optical members, lenses) 2 provided at the front end portion on the substrate P side. These optical elements are supported by a lens barrel PK. In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4 or 1/5. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system.
本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体LQが接触する。光学素子2は螢石で形成されている。螢石表面、あるいはMgF2、Al2O3、SiO2等を付着させた表面は水との親和性が高いので、光学素子2の液体接触面2Aのほぼ全面に液体LQを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子2の液体接触面2Aとの親和性が高い液体(水)LQを供給するようにしているので、光学素子2の液体接触面2Aと液体LQとの密着性が高く、光学素子2と基板Pとの間の光路を液体LQで確実に満たすことができる。なお、光学素子2は、水との親和性が高い石英であってもよい。また、光学素子2の液体接触面2Aに親水化(親液化)処理を施して、液体LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。
The
基板ステージPSTは、基板Pを保持して移動可能であって、XYステージ51と、XYステージ51上に搭載されたZチルトステージ52とを含んで構成されている。XYステージ51は、ステージベースSBの上面の上方に不図示の非接触ベアリングである気体軸受(エアベアリング)を介して非接触支持されている。XYステージ51(基板ステージPST)はステージベースSBの上面に対して非接触支持された状態で、リニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。このXYステージ51上にZチルトステージ52が搭載され、Zチルトステージ52上に不図示の基板ホルダを介して基板Pが例えば真空吸着等により保持されている。Zチルトステージ52は、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能に設けられている。基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。
The substrate stage PST is movable while holding the substrate P, and includes an
基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には移動鏡33が設けられている。また、移動鏡33に対向する位置にはレーザ干渉計34が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計34によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計34の計測結果に基づいてリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置決めを行う。
A
また、露光装置EXは、基板ステージPSTに支持されている基板Pの表面の位置を検出する後述するフォーカス・レベリング検出系(80)を備えている。フォーカス・レベリング検出系の受光結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。Zチルトステージ52は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ51は基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。
Further, the exposure apparatus EX includes a focus / leveling detection system (80) described later for detecting the position of the surface of the substrate P supported by the substrate stage PST. The light reception result of the focus / leveling detection system is output to the control device CONT. The control device CONT can detect the position information of the surface of the substrate P in the Z-axis direction and the tilt information of the substrate P in the θX and θY directions based on the detection result of the focus / leveling detection system. The
基板ステージPSTの近傍には、基板P上のアライメントマークあるいは基板ステージPST(Zチルトステージ52)上に設けられた基準マークを検出する基板アライメント系(不図示)が設けられている。また、マスクステージMSTの近傍には、マスクMと投影光学系PLとを介して基板ステージPST(Zチルトステージ52)上の基準マークを検出するマスクアライメント系(不図示)が設けられている。マスクアライメント系は、所謂TTM(スルー・ザ・マスク)方式(あるいはTTR(スルー・ザ・レチクル)方式ともいう)のアライメント系を構成している。なお、基板アライメント系の構成としては、例えば特開平4−65603号公報に開示されているものを用いることができ、マスクアライメント系の構成としては、例えば特開平7−176468号公報に開示されているものを用いることができる。 In the vicinity of the substrate stage PST, a substrate alignment system (not shown) for detecting an alignment mark on the substrate P or a reference mark provided on the substrate stage PST (Z tilt stage 52) is provided. A mask alignment system (not shown) for detecting a reference mark on the substrate stage PST (Z tilt stage 52) via the mask M and the projection optical system PL is provided in the vicinity of the mask stage MST. The mask alignment system constitutes an alignment system of a so-called TTM (through-the-mask) system (also referred to as a TTR (through-the-reticle) system). As the configuration of the substrate alignment system, for example, the one disclosed in JP-A-4-65603 can be used, and as the configuration of the mask alignment system, for example, disclosed in JP-A-7-176468. Can be used.
また、基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には、基板ステージPSTに保持された基板Pを囲むようにプレート部材56が設けられている。プレート部材56は環状部材であって、基板Pの外側に配置されている。プレート部材56は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)の平坦面(平坦部)57を有している。平坦面57は、基板ステージPSTに保持された基板Pの外側の周囲に配置されている。
A
プレート部材56は、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))などの撥液性を有する材料によって形成されている。そのため、平坦面57は撥液性を有する。なお、例えば所定の金属などでプレート部材56を形成し、その金属製のプレート部材56の少なくとも平坦面57に対して撥液処理を施すことで、平坦面57を撥液性にしてもよい。プレート部材56(平坦面57)の撥液処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。撥液性にするための撥液性材料としては液体LQに対して非溶解性の材料が用いられる。また、撥液性材料の塗布領域としては、プレート部材56の表面全域に対して塗布してもよいし、例えば平坦面57など撥液性を必要とする一部の領域のみに対して塗布するようにしてもよい。
The
基板Pの周囲に、基板P表面とほぼ面一の平坦面57を有するプレート部材56を設けたので、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときにおいても、基板Pのエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系PLの下に液体LQを保持し、投影光学系PLの像面側に液浸領域AR2を良好に形成することができる。また、平坦面57を撥液性にすることにより、液浸露光中における基板P外側(平坦面57外側)への液体LQの流出を抑え、また液浸露光後においても液体LQを円滑に回収できて、平坦面57上に液体LQが残留することを防止することができる。
Since the
液体供給機構10は、所定の液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管12(12A、12B)とを備えている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は液体LQを基板P上に供給する。
The
液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続する回収管22(22A、22B)とを備えている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。基板P上に液浸領域AR2を形成するために、液体回収機構20は液体供給機構10より供給された基板P上の液体LQを所定量回収する。
The
Zチルトステージ52のうちプレート部材56の外側には、基板Pの外側に流出した液体LQを回収する第2液体回収機構60を構成する液体回収口61が設けられている。液体回収口61はプレート部材56を囲むように形成された環状の溝部であって、その内部にはスポンジ状部材や多孔質体等からなる液体吸収部材62が配置されている。液体吸収部材62は交換可能である。また、液体回収口61には基板ステージPST内部に形成された回収流路の一端部が接続され、その回収管の他端部は基板ステージPSTの外側に設けられた第2液体回収部(いずれも不図示)が接続されている。第2液体回収部は、液体回収部21同様、真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。
A
第2液体回収機構60を設けたことにより、仮に液体LQが基板P及びプレート部材56の外側に流出したとしても、その流出した液体LQを回収することができ、流出した液体LQの気化による基板Pの置かれている環境変動等の不都合の発生を防止することができる。なお、第2液体回収機構60(第2液体回収部)に真空系を設けずに、液体吸収部材62で回収した液体LQを自重により基板ステージPSTの外側に垂れ流す構成であってもよい。更に、真空系を含む第2液体回収部を設けずに、基板ステージPST上に液体吸収部材62のみを配置しておき、液体LQを吸収した液体吸収部材62を定期的に(例えば1ロット毎に)交換する構成としてもよい。この場合、基板ステージPSTは液体LQにより重量変動するが、液体吸収部材62で回収した液体LQの重量に応じてステージ制御パラメータを変更することで、ステージ位置決め精度を維持できる。
By providing the second
投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍には流路形成部材70が配置されている。流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。流路形成部材70は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、流路形成部材70は、ガラス(石英)等の光透過性を有する透明部材(光学部材)によって構成されてもよい。
A flow
流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された液体供給口13(13A、13B)を備えている。本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体供給口13A、13Bを有している。液体供給口13A、13Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。
The flow
また、流路形成部材70は、その内部に液体供給口13(13A、13B)に対応した供給流路14(14A、14B)を有している。供給流路14A、14Bの一端部は供給管12A、12Bを介して供給部11にそれぞれ接続され、他端部は液体供給口13A、13Bにそれぞれ接続されている。
Further, the flow
供給管12A、12Bの途中には、液体供給部11から送出され、液体供給口13A、13Bのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器16A、16Bがそれぞれ設けられている。流量制御器16(16A、16B)による液体供給量の制御は制御装置CONTの指令信号の下で行われる。
In the middle of the
更に、流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された液体回収口23を備えている。本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体回収口23A、23Bを有している。液体回収口23A、23Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。
Furthermore, the flow
また、流路形成部材70は、その内部に液体回収口23(23A、23B)に対応した回収流路24(24A、24B)を有している。回収流路24A、24Bの一端部は回収管22A、22Bを介して液体回収部21にそれぞれ接続され、他端部は液体回収口23A、23Bにそれぞれ接続されている。
Further, the flow
本実施形態において、流路形成部材70は、液体供給機構10及び液体回収機構20それぞれの一部を構成している。そして、液体供給機構10を構成する液体供給口13A、13Bは、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだX軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構20を構成する液体回収口23A、23Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の液体供給口13A、13Bの外側に設けられている。
In the present embodiment, the flow
液体供給部11及び流量制御器16の動作は制御装置CONTにより制御される。基板P上に液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給部11より液体LQを送出し、供給管12A、12B、及び供給流路14A、14Bを介して、基板Pの上方に設けられている液体供給口13A、13Bより基板P上に液体LQを供給する。このとき、液体供給口13A、13Bは投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに配置されており、その液体供給口13A、13Bを介して、投影領域AR1の両側から液体LQを供給可能である。また、液体供給口13A、13Bのそれぞれから基板P上に供給される液体LQの単位時間あたりの量は、供給管12A、12Bのそれぞれに設けられた流量制御器16A、16Bにより個別に制御可能である。
The operations of the
液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板Pの上方に設けられた液体回収口23A、23Bから回収された基板P上の液体LQは、流路形成部材70の回収流路24A、24B、及び回収管22A、22Bを介して液体回収部21に回収される。
The liquid recovery operation of the
なお、本実施形態において、供給管12A、12Bは1つの液体供給部11に接続されているが、供給管の数に対応した液体供給部11を複数(ここでは2つ)設け、供給管12A、12Bのそれぞれを前記複数の液体供給部11のそれぞれに接続するようにしてもよい。また、回収管22A、22Bは、1つの液体回収部21に接続されているが、回収管の数に対応した液体回収部21を複数(ここでは2つ)設け、回収管22A、22Bのそれぞれを前記複数の液体回収部21のそれぞれに接続するようにしてもよい。
In the present embodiment, the
投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び流路形成部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。本実施形態においては、光学素子2及び流路形成部材70の液体接触面に対して親液処理が施されており、その親液処理によって光学素子2及び流路形成部材70の液体接触面が親液性となっている。換言すれば、基板ステージPSTに保持された基板Pの被露光面(表面)と対向する部材の表面のうち少なくとも液体接触面は親液性となっている。本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液処理(親水処理)としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、この光学素子2や流路形成部材70の液体接触面に親水性を付与する。すなわち、液体LQとして水を用いる場合にはOH基など極性の大きい分子構造を持ったものを前記液体接触面に設ける処理が望ましい。あるいは、MgF2、Al2O3、SiO2などを前記液体接触面に設けてもよい。
The
なお、本実施形態においては、流路形成部材70の下面(基板P側を向く面)70Aはほぼ平坦面であるが、流路形成部材70の下面70Aのうち投影光学系PLに対して液体回収口23(23A、23B)より外側の領域に、XY平面に対して傾斜した面、具体的には投影領域AR1(液浸領域AR2)に対して外側に向かうにつれて基板Pの表面に対して離れるように(上に向かうように)傾斜する所定長さを有する傾斜面(トラップ面)を設けてもよい。こうすることにより、基板Pの移動に伴って投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQが流路形成部材70の下面70Aの外側に流出しようとしても、トラップ面で捕捉されるため、液体LQの流出を防止することができる。ここで、トラップ面に親液処理を施して親液性にすることで、基板Pの表面に塗布されている膜(フォトレジスト等の感光材膜や、反射防止膜あるいは液体から感光材を保護する膜等)は通常撥液性(撥水性)なので、液体回収口23の外側に流出した液体LQはトラップ面で捕捉される。
In the present embodiment, the lower surface (surface facing the substrate P) 70A of the flow
また、基板ステージPST(Zチルトステージ52)上において、基板Pの周囲のプレート部材56の外側の所定位置には、基準部材が配置されている。基準部材には、前記基板アライメント系により検出される基準マークと、マスクアライメント系により検出される基準マークとが所定の位置関係で設けられている。また、基準部材の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。更に、基準部材の上面は基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。
On the substrate stage PST (Z tilt stage 52), a reference member is disposed at a predetermined position outside the
また、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上のうち、プレート部材56の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開昭57−117238号公報に開示されているような照度ムラセンサが配置されている。照度ムラセンサは平面視矩形状の上板を備えている。上板の上面はほぼ平坦面となっており、基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。上板の上面には、光を通過可能なピンホール部が設けられている。上面のうち、ピンホール部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
Further, on the Z tilt stage 52 (substrate stage PST), an illuminance unevenness sensor as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 57-117238 is disposed as an optical sensor at a predetermined position outside the
また、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上のうち、プレート部材56の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開2002−14005号公報に開示されているような空間像計測センサが設けられている。空間像計測センサは平面視矩形状の上板を備えている。上板の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。そして、上板の上面は基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。上板の上面には、光を通過可能なスリット部が設けられている。上面のうち、スリット部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。
Also, an aerial image measurement sensor as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-14005 is provided as an optical sensor at a predetermined position outside the
また、不図示ではあるが、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上には、例えば特開平11−16816号公報に開示されているような照射量センサ(照度センサ)も設けられており、その照射量センサの上板の上面は基板P表面やプレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。
Although not shown, an irradiation amount sensor (illuminance sensor) as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-16816 is also provided on the Z tilt stage 52 (substrate stage PST). The upper surface of the upper plate of the irradiation amount sensor is provided at substantially the same height (level) as the surface of the substrate P and the surface (flat surface) 57 of the
本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対して+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。そして、基板P上には複数のショット領域が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。 The exposure apparatus EX in the present embodiment projects and exposes a pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction). A pattern image of a part of the mask M is projected into the projection area AR1 via the liquid LQ in the area AR2 and the projection optical system PL, and is synchronized with the movement of the mask M in the −X direction (or + X direction) at the velocity V. Then, the substrate P moves in the + X direction (or −X direction) with respect to the projection area AR1 at the speed β · V (β is the projection magnification). A plurality of shot areas are set on the substrate P. After the exposure to one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the substrate P. The scanning exposure process is sequentially performed on each shot area while moving the substrate P by the scanning method.
投影光学系PLの投影領域AR1は、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。なお、プレート部材56のうち円環状に形成されている平坦面57の幅は少なくとも投影領域AR1より大きく形成されていることが好ましい。これにより、基板Pのエッジ領域Eを露光するときにおいて、露光光ELはプレート部材56の外側に照射されない。更には、平坦面57の幅は、投影光学系PLの像面側に形成される液浸領域AR2よりも大きく形成されていることが好ましい。これにより、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときに、液浸領域AR2はプレート部材56の平坦面57上に配置され、プレート部材56の外側には配置されないので、液浸領域AR2の液体LQがプレート部材56の外側に流出する等の不都合の発生を防止することができる。
The projection area AR1 of the projection optical system PL is set in a rectangular shape in plan view with the Y-axis direction as the long direction and the X-axis direction as the short direction. In addition, it is preferable that the width | variety of the
図2は流路形成部材70を示す概略斜視図である。図2に示すように、流路形成部材70は投影光学系PLの終端部の光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材であって、その中央部に投影光学系PL(光学素子2)を配置可能な穴部70Bを有している。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing the flow
露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板P表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系80を備えている。フォーカス・レベリング検出系80は、所謂斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系であって、液浸領域AR2の液体LQを介して基板Pに斜め方向から検出光Laを照射する投光部81と、基板Pで反射した検出光Laの反射光を受光する受光部82とを備えている。なお、フォーカス・レベリング検出系80の構成としては、例えば特開平8−37149号公報に開示されているものを用いることができる。
The exposure apparatus EX includes a focus / leveling
流路形成部材70のうち、−Y側及び+Y側の側面のそれぞれには、中央部側(投影光学系PL側)に向かって凹む凹部75、76がそれぞれ形成されている。一方の凹部75にはフォーカス・レベリング検出系80の投光部81から射出された検出光Laを透過可能な第1光学部材83が設けられ、他方の凹部76には基板P上で反射した検出光Laを透過可能な第2光学部材84が設けられている。第1光学部材83及び第2光学部材84はフォーカス・レベリング検出系80の光学系の一部を構成しているとともに、流路形成部材70の一部を構成している。換言すれば、本実施形態においては、流路形成部材70の一部がフォーカス・レベリング検出系80の一部を兼ねている。
そして、第1光学部材83及び第2光学部材84を含む流路形成部材70は、投影光学系PL先端の光学素子2とは分離した状態で支持されている。
The flow
投光部81及び受光部82は投影光学系PLの投影領域AR1を挟んでその両側にそれぞれ設けられている。図2に示す例では、投光部81及び受光部82は投影領域AR1を挟んで±Y側のそれぞれにおいて投影領域AR1に対して離れた位置に設けられている。フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P表面に投影光学系PLの光軸AXに対して所定の入射角θで検出光Laを照射する。投光部81から射出された検出光Laは、第1光学部材83を通過し、基板P上の液体LQを介して基板P上に斜め方向から入射角θで照射される。基板P上で反射した検出光Laの反射光は、第2光学部材84を通過した後、受光部82に受光される。ここで、フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P上に複数の検出光Laを照射する。これにより、フォーカス・レベリング検出系80は、基板P上における例えばマトリクス状の複数の各点(各位置)での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。
The
制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系80の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置を制御する。すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカス・レベリング検出系80の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角を制御して、基板Pの表面(被露光面)をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に対して最適な状態に合わせ込む。
The control device CONT drives the
また、図2に示すように、露光装置EXは、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整する圧力調整機構90を備えている。圧力調整機構90は、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加可能な圧力調整用液体供給部91と、液体LQの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部92とを備えている。
As shown in FIG. 2, the exposure apparatus EX includes a
圧力調整用液体供給部91には供給管93(93A、93B)の一端部が接続されており、供給管93(93A、93B)の他端部は流路形成部材70の内部に形成されている供給流路94(94A、94B)に接続されている。圧力調整用液体供給部91は液体LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。
One end of a supply pipe 93 (93A, 93B) is connected to the pressure adjusting
供給管93Aの他端部は流路形成部材70の凹部75に配置されている。流路形成部材70の凹部75における側面に供給流路94Aの一端部が形成されており、この供給流路94Aの一端部に供給管93Aの他端部が接続されている。また、供給管93Bの他端部は流路形成部材70の凹部76に配置されている。流路形成部材70の凹部76における側面に供給流路94Bの一端部が形成されており、この供給流路94Bの一端部に供給管93Bの他端部が接続されている。
The other end of the
圧力調整用液体回収部92には、回収管95(95A、95B)の一端部が接続されており、回収管95(95A、95B)の他端部は流路形成部材70の内部に形成されている回収流路96(96A、96B)の一端部に接続されている。圧力調整用液体回収部92は、例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。
One end of a recovery pipe 95 (95A, 95B) is connected to the pressure adjusting
回収管95Aの他端部は流路形成部材70の凹部75に配置されている。流路形成部材70の凹部75における側面に回収流路96Aの一端部が形成されており、この回収流路96Aの一端部に回収管95Aの他端部が接続されている。また、回収管95Bの他端部は流路形成部材70の凹部76に配置されている。流路形成部材70の凹部76における側面に回収流路96Bの一端部が形成されており、この回収流路96Bの一端部に回収管95Bの他端部が接続されている。
The other end of the
図3は流路形成部材70を下面70A側から見た斜視図である。図3において、投影光学系PLの投影領域AR1はY軸方向(非走査方向)を長手方向とする矩形状に設定されている。液体LQが満たされた液浸領域AR2は、投影領域AR1を含むように実質的に2つの液体回収口23A、23Bで囲まれた領域内であって且つ基板P上の一部に局所的に形成される。なお、液浸領域AR2は少なくとも投影領域AR1を覆っていればよく、必ずしも2つの液体回収口23A、23Bで囲まれた領域全体が液浸領域にならなくてもよい。
FIG. 3 is a perspective view of the flow
液体供給口13A、13Bは、基板Pに対向する流路形成部材70の下面70Aにおいて、X軸方向(走査方向)に関し、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体供給口13Aは、流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、液体供給口13Bは他方側(+X側)に設けられている。つまり液体供給口13A、13Bは投影領域AR1の近くに設けられ、走査方向(X軸方向)に関して投影領域AR1を挟むようにその両側に設けられている。液体供給口13A、13Bのそれぞれは、Y軸方向に延びる平面視略コ字状(円弧状)のスリット状に形成されている。流路形成部材70の下面70AのうちY軸方向両側には第1、第2光学部材83、84が配置されており、液体供給口13A、13Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち、第1、第2光学部材83、84が配置されている以外の領域に亘って形成されている。そして、液体供給口13A、13BのY軸方向における長さは少なくとも投影領域AR1のY軸方向における長さより長くなっている。液体供給口13A、13Bは、少なくとも投影領域AR1を囲むように設けられている。液体供給機構10は、液体供給口13A、13Bを介して投影領域AR1の両側で液体LQを同時に供給可能である。
The
液体回収口23A、23Bは、基板Pに対向する流路形成部材70の下面70Aにおいて、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bより投影光学系PLの投影領域AR1に対して外側に設けられており、X軸方向(走査方向)に関し、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。具体的には、液体回収口23Aは、流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、液体回収口23Bは他方側(+X側)に設けられている。液体回収口23A、23Bのそれぞれは、Y軸方向に延びる平面視略コ字状(円弧状)のスリット状に形成されている。液体回収口23A、23Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち、第1、第2光学部材83、84が配置されている以外の領域に亘って形成されている。そして、液体回収口23A、23Bは、投影光学系PLの投影領域AR1、及び液体供給口13A、13Bを囲むように設けられている。
The
なお、液体供給口13は投影領域AR1の両側のそれぞれに1つずつ設けられている構成であるが、複数に分割されていてもよく、その数は任意である。同様に、液体回収口23も複数に分割されていてもよい。
In addition, although the
また、投影領域AR1の両側に設けられた液体供給口13のそれぞれは互いにほぼ同じ大きさ(長さ)に形成されているが、互いに異なる大きさであってもよい。同様に、投影領域AR1の両側に設けられた液体回収口23のそれぞれが互いに異なる大きさであってもよい。
In addition, although the
また、供給口13のスリット幅と回収口23のスリット幅とは同じであってもよいし、回収口23のスリット幅を、供給口13のスリット幅より大きくしてもよいし、逆に回収口23のスリット幅を、供給口13のスリット幅より小さくしてもよい。
In addition, the slit width of the
また、流路形成部材70の下面70AにはY軸方向を長手方向とする凹部78が形成されている。そして、流路形成部材70の下面70Aのうち、凹部78の長手方向ほぼ中央部に、投影光学系PLの先端部の光学素子2が露出している。
Further, a
流路形成部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1に対して非走査方向(Y軸方向)両側のそれぞれには、第2液体回収口である圧力調整用液体回収口(圧力調整用回収口)98A、98Bが設けられている。圧力調整用回収口98A、98Bは、流路形成部材70の内部に形成されている回収流路96A、96Bの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれは、回収流路96A、96B、及び回収管95A、95Bを介して圧力調整用液体回収部92に接続されている。圧力調整用液体回収部92が駆動されることにより、圧力調整用回収口98A、98Bを介して液体LQを回収することができる。
On the
圧力調整用回収口98Aは、流路形成部材70の下面70Aに形成された凹部78のうち、投影領域AR1に対して非走査方向一方側(−Y側)に設けられ、圧力調整用回収口98Bは、他方側(+Y側)に設けられている。そして、圧力調整用回収口98A、98Bは、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置されている。
The pressure
また、圧力調整用液体回収部92は真空系を有しており、投影光学系PLの像面側の光学素子2の近傍に配置されている圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側の気体を排出する(負圧化する)ことができる。
Further, the pressure adjustment
流路形成部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1に対して非走査方向(Y軸方向)両側のそれぞれには、第2液体供給口である圧力調整用液体供給口(圧力調整用供給口)97A、97Bが設けられている。圧力調整用供給口97A、97Bは、流路形成部材70の内部に形成されている供給流路94A、94Bの他端部のそれぞれに接続されている。そして、圧力調整用供給口97A、97Bのそれぞれは、供給流路94A、94B、及び供給管93A、93Bを介して圧力調整用液体供給部91に接続されている。圧力調整用液体供給部91が駆動されることにより、圧力調整用供給口97A、97Bを介して液体LQを供給することができる。
On the
圧力調整用供給口97Aは、流路形成部材70の下面70Aに形成された凹部78のうち、投影領域AR1に対して非走査方向一方側(−Y側)に設けられ、圧力調整用供給口97Bは、他方側(+Y側)に設けられている。そして、圧力調整用供給口97A、97Bは液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置されている。
The pressure
そして、液体供給口13A、13Bは、投影領域AR1、圧力調整用供給口97(97A、97B)、及び圧力調整用回収口98(98A、98B)を囲むように設けられている。
The
なお、本実施形態においては、圧力調整用供給口97A、97Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対して圧力調整用回収口98A、98Bの外側に設けられているが、内側に設けられてもよいし、圧力調整用供給口97A、97Bと圧力調整用回収口98A、98Bとが近接して設けられていてもよい。あるいは、例えば圧力調整用供給口97A、97BをX軸方向(又はY軸方向)に関して投影領域AR1の両側のそれぞれに設け、圧力調整用回収口98A、98BをY軸方向(又はX軸方向)に関して投影領域AR1の両側のそれぞれに設けてもよい。この場合、投影領域AR1に対する圧力調整用供給口97A、97Bの距離と、投影領域AR1に対する圧力調整用回収口98A、98Bの距離とは、異なっていてもよいし、ほぼ等しくてもよい。
In the present embodiment, the pressure
図4は図2のA−A断面矢視図、図5は図2のB−B断面矢視図である。図4に示すように、供給流路14A、14Bのそれぞれは、その一端部を供給管12A、12Bに接続しており、他端部を液体供給口13A、13Bに接続している。また、供給流路14A、14Bのそれぞれは、水平流路部14hと鉛直流路部14sとを有している。液体供給部11より供給管12A、12Bを介して供給された液体LQは、供給流路14A、14Bに流入し、水平流路部14hをほぼ水平方向(XY平面方向)に流れた後、ほぼ直角に曲げられて鉛直流路部14sを鉛直方向(−Z方向)に流れ、液体供給口13A、13Bより基板Pの上方より基板P上に供給される。
4 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 2, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line BB in FIG. As shown in FIG. 4, each of the
回収流路24A、24Bのそれぞれは、その一端部を回収管22A、22Bに接続しており、他端部を液体回収口23A、23Bに接続している。また、回収流路24A、24Bのそれぞれは、水平流路部24hと鉛直流路部24sとを有している。真空系を有する液体回収部21の駆動により、基板P上の液体LQは、その基板Pの上方に設けられている液体回収口23A、23Bを介して回収流路24A、24bに鉛直上向き(+Z方向)に流入し、鉛直流路部24sを流れる。このとき、液体回収口23A、23Bからは、基板P上の液体LQとともにその周囲の気体(空気)も流入(回収)される。回収流路24A、24Bに+Z方向に流入した液体LQは、ほぼ水平方向に流れの向きを変えられた後、水平流路部24hをほぼ水平方向に流れる。その後、回収管22A、22Bを介して液体回収部21に吸引回収される。
Each of the
投影光学系PLの光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間には隙間Gが設けられている。隙間Gは、投影光学系PLの光学素子2と流路形成部材70とを振動的に分離するために設けられたものである。また、流路形成部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20と、投影光学系PLとはそれぞれ別の支持機構で支持されており、振動的に分離されている。これにより、流路形成部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20で発生した振動が、投影光学系PL側に伝達することを防止している。
A gap G is provided between the
また、隙間Gを形成する流路形成部材70の内側面70T、及び光学素子2の側面2Tのそれぞれは撥液性となっている。具体的には、内側面70T及び側面2Tのそれぞれは、撥液処理を施されることによって撥液性を有している。撥液処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。一方、上述したように、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び第1、第2光学部材83、84の下面を含む流路形成部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。
Each of the
流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して液体供給口13A、13Bの外側には溝部130が形成されている。液体回収口23A、23Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち溝部130の内部に形成されている。溝部130は、流路形成部材70の下面70Aにおいて液体回収口23に沿うように形成されているとともに、第1、第2光学部材83、84の下面においても連続して形成されており、投影領域AR1を囲むように環状に形成されている。また、投影領域AR1に対して溝部130の外側には環状の壁部131が形成されている。壁部131は基板P側に突出する凸部である。壁部131は、溝部130を含む壁部131の内側の領域の少なくとも一部に液体LQを保持可能である。
Of the
流路形成部材70の内側面70Tには流路形成部材70の内側面70Tと光学素子2の側面2Tとの間の隙間Gの圧力を検出するための圧力センサ120が設けられている。圧力センサ120は、隙間GにおいてX軸方向(走査方向)に関し投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。圧力センサ120の検出結果は制御装置CONTに出力される。
A
投影光学系PLと基板Pとの間に形成された液浸領域AR2の液体LQが光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gに浸入する場合がある。その場合、液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が変化する。また、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置とその隙間Gの圧力とは対応関係にある。例えば液浸領域AR2の液体LQの圧力が上昇すると隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置も高くなり、隙間Gの圧力も高くなる。一方、液浸領域AR2の液体LQの圧力が下降すると隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置は低くなり、隙間Gの圧力も低くなる。そして、隙間Gの圧力と隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置との関係が制御装置CONTに予め記憶されている。なお、この関係は実験あるいはシミュレーションなどによって予め求めることができる。そこで、隙間Gの圧力を圧力センサ120で検出することで、制御装置CONTは、圧力センサ120の検出結果と前記関係とに基づいて、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を求めることができる。また、基板P上の液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて隙間Gの圧力も変化するため、制御装置CONTは、圧力センサ120による隙間Gの圧力検出結果に基づいて、液浸領域AR2の液体LQの圧力を求めることができる。
In some cases, the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 formed between the projection optical system PL and the substrate P enters the gap G between the
なお圧力センサ120の設置位置としては、隙間Gの圧力を検出可能な位置であればよく、流路形成部材70の内側面70Tに限られず、例えば光学素子2の側面2Tであってもよい。また、圧力センサ120の代わりに、液体検知センサ(水検知センサ)や、液体の高さを検知する液位センサ(水位センサ)を用いてもよい。
The installation position of the
水平流路部14hは、供給管12A、12Bに対する接続部から鉛直流路部14sに向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。水平流路部14hをテーパ状に形成することで、液体供給部11から供給管12A、12Bを介して供給された液体LQは水平流路部14hにおいてY軸方向に十分に拡がった後、垂直流路部14sを介して基板P上に供給されるため、基板P上の広い領域に同時に液体LQを供給することができる。
The horizontal
水平流路部24hは、鉛直流路部24sから回収管22A、22Bに対する接続部に向かって水平方向に漸次窄まるように形成されている。水平流路部24hをテーパ状に形成することで、Y軸方向を長手方向とする液体回収口23A、23Bでの液体回収力分布が均一化され、基板P上の広い領域の液体LQを液体回収口23A、23Bを介して同時に回収することができる。
The horizontal
図5に示すように、流路形成部材70の下面70Aには凹部78が形成されており、凹部78における下面70Aは、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び第1、第2光学部材83、84の下面より高く(基板Pに対して遠く)なっている。つまり、流路形成部材70の凹部78における下面と第1、第2光学部材83、84との間に段差部が形成されているとともに、流路形成部材70の凹部78における下面と光学素子2の液体接触面2Aとの間にも段差部が形成されている。流路形成部材70の下面70Aに凹部78を設けない構成の場合、すなわち流路形成部材70の下面70Aと光学素子2の下面(液体接触面)2Aと第1、第2光学部材83、84の下面とが面一の場合、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laを所定の入射角θで基板Pの所望領域(この場合、投影領域AR1)に照射しようとすると、検出光Laの光路上に例えば流路形成部材70が配置されて検出光Laの照射が妨げられたり、あるいは検出光Laの光路を確保するために入射角θや投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離(ワーキングディスタンス)を変更しなければならないなどの不都合が生じる。しかしながら、流路形成部材70の下面70Aのうち、フォーカス・レベリング検出系80を構成する第1、第2光学部材83、84に連続するように凹部78を設けたことにより、投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離を所望の値に保ちつつ、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laの光路を確保して基板P上の所望領域に検出光Laを照射することができる。
As shown in FIG. 5, a
次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について図6に示す模式図を参照しながら説明する。
マスクMがマスクステージMSTにロードされるとともに、基板Pが基板ステージPSTにロードされた後、基板Pの走査露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、基板P上に対する液体供給動作を開始する。液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10の液体供給部11から供給された液体LQは、供給管12A、12Bを流通した後、供給流路14A、14Bを介して液体供給口13A、13Bより基板P上に供給される。
Next, a method for exposing the pattern image of the mask M onto the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described with reference to a schematic diagram shown in FIG.
When the mask M is loaded on the mask stage MST and the substrate P is loaded on the substrate stage PST and then the substrate P is scanned and exposed, the controller CONT drives the
制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に対する液体LQの供給を開始するときに、圧力調整機構90のうち、真空系を有する圧力調整用液体回収部92を駆動する。真空系を有する圧力調整用液体回収部92が駆動されることにより、投影光学系PLの像面側の光学素子2近傍に設けられている圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側近傍の空間の気体が排出され、その空間が負圧化される。このように、制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体回収部92を駆動し、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLによる投影領域AR1の近くに配置された圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液浸領域AR2を形成するための液体供給機構10による液体供給を開始する。
When starting the supply of the liquid LQ onto the substrate P using the
投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置された圧力調整用回収口98A、98Bを介して投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構10による液体LQの供給を行うことにより、その圧力調整用回収口98A、98B近傍が負圧化されるので、供給された液体LQはその負圧化された負圧化領域(空間)に円滑に配置される。圧力調整用回収口98A、98Bは液体供給口13A、13Bより投影領域AR1の近くに設けられているので、投影領域AR1を液体LQで良好に覆うことができる。
Supply of the liquid LQ by the
特に、本実施形態においては、投影光学系PLの像面側には流路形成部材70の凹部78が形成されているため、液浸領域AR2を形成するために液体LQを供給した際、供給した液体LQが凹部78に入り込まず、液浸領域AR2の液体LQ中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上に到達しない、あるいは基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上の所望の位置に到達しない、あるいは例えばフォーカス・レベリング検出系80の検出光Laが基板P上や受光部82に到達しない、あるいは検出光Laが基板P上の所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。ところが、投影光学系PLの像面側の気体を排出しながら液体供給機構10による液体供給を開始することで、前記凹部78に液体LQを円滑に配置することができる。したがって、投影光学系PLの像面側に形成される液浸領域AR2に気体部分が生成される不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。特に本実施形態では、排気手段の排気口を構成する圧力調整用回収口98A、98Bを凹部78の内側に設けたので、液体LQをより円滑に凹部78に配置することができる。
In particular, in this embodiment, since the
そして、基板P上に供給された液体LQによって、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2が形成される。ここで、供給管12A、12Bを流通した液体LQはスリット状に形成された供給流路14A、14B及び液体供給口13A、13Bの幅方向に拡がり、基板P上の広い範囲に供給される。液体供給口13A、13Bから基板P上に供給された液体LQは、投影光学系PLの先端部(光学素子2)の下端面と基板Pとの間に濡れ拡がるように供給され、投影領域AR1を含む基板P上の一部に、基板Pよりも小さく且つ投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2を局所的に形成する。このとき、制御装置CONTは、液体供給機構10のうち投影領域AR1のX軸方向(走査方向)両側に配置された液体供給口13A、13Bのそれぞれより、投影領域AR1の両側から基板P上への液体LQの供給を同時に行う。
The liquid immersion area AR2 is formed between the projection optical system PL and the substrate P by the liquid LQ supplied onto the substrate P. Here, the liquid LQ flowing through the
また、制御装置CONTは、液体供給機構10の駆動と並行して、液体回収機構20の液体回収部21を駆動し、基板P上の液体LQの回収を行う。そして、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20の駆動を制御して、液浸領域AR2を形成する。
Further, in parallel with the driving of the
液浸領域AR2が形成された後、制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体回収部92による投影光学系PLの像面側の気体排出動作を停止する。
After the liquid immersion area AR2 is formed, the control device CONT stops the gas discharge operation on the image plane side of the projection optical system PL by the pressure adjustment
制御装置CONTは、液体供給機構10による基板P上に対する液体LQの供給と並行して、液体回収機構20による基板P上の液体LQの回収を行いつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。このとき、液体供給機構10は走査方向に関して投影領域AR1の両側から液体供給口13A、13Bを介して液体LQの供給を同時に行っているので、液浸領域AR2は均一且つ良好に形成されている。
In parallel with the supply of the liquid LQ onto the substrate P by the
本実施形態において、投影領域AR1の走査方向両側から基板Pに対して液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給機構10の流量制御器16A、16Bを使って単位時間あたりの液体供給量を調整し、基板P上の1つのショット領域の走査露光中に、走査方向に関して投影領域AR1の一方側から供給する液体量(単位時間あたりの液体供給量)を、他方側から供給する液体量と異ならせる。具体的には、制御装置CONTは、走査方向に関して投影領域AR1の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。
In the present embodiment, when supplying the liquid LQ to the substrate P from both sides in the scanning direction of the projection area AR1, the control device CONT uses the
例えば、基板Pを+X方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置CONTは、投影領域AR1に対して−X側(すなわち液体供給口13A)からの液体量を、+X側(すなわち液体供給口13B)からの液体量より多くし、一方、基板Pを−X方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域AR1に対して+X側からの液体量を、−X側からの液体量より多くする。このように、制御装置CONTは、基板Pの移動方向に応じて、液体供給口13A、13Bからのそれぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。
For example, when the exposure processing is performed while moving the substrate P in the + X direction, the control device CONT sets the amount of liquid from the −X side (that is, the
基板Pを液浸露光中、隙間Gの圧力、ひいては液浸領域AR2の液体LQの圧力は圧力センサ120により常時モニタされている。圧力センサ120の検出結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、基板Pの液浸露光中に、圧力センサ120の検出結果に基づいて、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力を圧力調整機構90を使って調整する。
During immersion exposure of the substrate P, the pressure of the gap G, and thus the pressure of the liquid LQ in the immersion area AR2 is constantly monitored by the
制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体供給部91及び圧力調整用液体回収部92を介して基板P上に対する液体LQの追加、又は基板P上の液体LQの一部回収を行うことによって、光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gに浸入した液体LQが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。
The control device CONT adds the liquid LQ on the substrate P or partially recovers the liquid LQ on the substrate P via the pressure adjusting
上述したように、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置に応じて隙間Gの圧力が変化するため、例えば圧力センサ120の検出結果に基づいて、隙間Gの圧力が予め設定されている所定値(上限値)以上であると判断したとき、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が予め設定された所定値(上限値)以上であると判断する。そして、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さが前記上限値以下となるように、つまり隙間Gの圧力が上限値以下となるように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。具体的には、図6(a)に示すように、制御装置CONTは圧力調整用液体回収部92を駆動し、圧力調整用回収口98A、98Bを介して、液浸領域AR2の液体LQの一部を回収する。液体LQの一部が回収されることにより、液浸領域AR2の液体LQの圧力が下降し、これにより、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置を低くすることができる。上述したように、液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が変化するため、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を調整することができる。
As described above, since the pressure of the gap G changes according to the height position of the liquid level of the liquid LQ that has entered the gap G, the pressure of the gap G is preset based on the detection result of the
液体LQが隙間Gに浸入した場合、その隙間Gに浸入した液体LQによって光学素子2の側面2Tに力が加わり、光学素子2が変形する(歪む)等の不都合が生じる可能性がある。ところが、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さを予め設定された上限値以下とすることにより、光学素子2の側面2Tが液体LQから受ける力を低減することができ、上記不都合の発生を防止することができる。
When the liquid LQ enters the gap G, the liquid LQ that has entered the gap G applies a force to the
また、液浸領域AR2の液体LQの圧力が高い場合(陽圧化している場合)、その陽圧化した液浸領域AR2の液体LQに押されて、基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2が変形する可能性があるが、液体LQの液面の高さを上限値以下にして液浸領域AR2の液体LQの圧力も上限値以下にすることで、液体LQが基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2に及ぼす力を低減することができる。したがって、基板Pや基板ステージPSTが変形する等の不都合の発生を防止することができる。
When the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is high (when positive), the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 that has been positively pressurized is pushed by the substrate P, the substrate stage PST, or the
一方、圧力センサ120の検出結果に基づいて、液浸領域AR2の液体LQの圧力が予め設定されている所定値(下限値)以下であると判断したとき、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が予め設定された所定値(下限値)以下であると判断する。そして、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さが前記下限値以上となるように、つまり隙間Gの圧力が下限値以上になるように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。具体的には、図6(b)に示すように、制御装置CONTは圧力調整用液体供給部91を駆動し、圧力調整用供給口97A、97Bを介して、液浸領域AR2の液体LQに更に液体LQを追加する。液体LQが追加されることにより、液浸領域AR2の液体LQの圧力が上昇し、これにより、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置を高くすることができる。
On the other hand, when it is determined that the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is equal to or lower than a predetermined value (lower limit) set based on the detection result of the
また、液浸領域AR2の液体LQの圧力が低い場合(負圧化している場合)、その負圧化した液浸領域AR2の液体LQに引っ張られて、基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2が変形する可能性があるが、液体LQの液面の高さを下限値以上にして液浸領域AR2の液体LQの圧力も下限値以上にすることで、液体LQが基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2に及ぼす力を低減することができる。したがって、基板Pや基板ステージPSTが変形する等の不都合の発生を防止することができる。
In addition, when the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is low (when the pressure is negative), the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 that has been reduced in pressure is pulled to the substrate P, the substrate stage PST, or the
なお、上記上限値及び下限値は所望の露光精度で基板Pを露光できる値であって、例えば実験やシミュレーションによって予め求めておくことができる。 The upper limit value and the lower limit value are values that allow the substrate P to be exposed with desired exposure accuracy, and can be obtained in advance by, for example, experiments or simulations.
また、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が上記上限値と下限値との間になるように液浸領域AR2の液体LQの圧力調整を行うことにより、液体LQの圧力変動を低減することができる。したがって、光学素子2や基板Pあるいは基板ステージPSTなど液体LQに接触する各部材に、前記圧力変動に起因する振動が生じる不都合を防止することができる。特に、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を上記上限値と下限値との間にすることで、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置の大きな変動を抑えることができるので、光学素子2の側面2Tに接する液体LQの圧力変動を抑えることができ、光学素子2が振動する不都合を効果的に防止できる。
Further, the pressure fluctuation of the liquid LQ is adjusted by adjusting the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 so that the height position of the liquid LQ that has entered the gap G is between the upper limit value and the lower limit value. Can be reduced. Therefore, it is possible to prevent inconvenience that the vibration due to the pressure fluctuation occurs in each member that contacts the liquid LQ such as the
なお、圧力調整機構90を使って液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する場合には、複数(2つ)の圧力調整用供給口97A、97Bそれぞれから供給する単位時間当たりの液体供給量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。同様に、複数(2つ)の圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれから回収する単位時間当たりの液体回収量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。
When the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is adjusted using the
以上説明したように、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで、例えば基板Pや基板ステージPST、あるいは投影光学系PLのうち液体LQに接する光学素子2の変形(歪み)等の発生を防止することができる。また、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板Pや基板ステージPST、あるいは光学素子2に振動が発生することを防止することができる。特に、光学素子2の側面2Tと流路形成部材7との間の隙間Gに浸入した液体LQが所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで、光学素子2の側面2Tから液体LQから受ける力を低減でき、光学素子2の歪み変形や振動の発生を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。
As described above, by adjusting the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 formed on the substrate P, for example, the
特に、本実施形態においては、投影光学系PLの像面側の液浸領域AR2の液体LQに接する流路形成部材70に凹部78が設けられており、その凹部78においては液体LQの圧力変動が生じやすい。また、基板Pを走査移動することによって液体LQが移動するため、圧力変動は顕著となる。そこで、その凹部78の内側に、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整をするために液体LQを追加する圧力調整用供給口97A、97Bを設けるとともに、液体LQの一部を回収する圧力調整用回収口98A、98Bを設けたので、上記凹部78で生じる圧力変動を効果的に低減することができ、また圧力調整を良好に行うことができる。
In particular, in the present embodiment, a
なお、本実施形態では、一旦、隙間Gに浸入した液体LQが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体の圧力を圧力調整機構90によって調整している。具体的には、圧力調整機構90は、隙間Gに浸入した液体LQが所定の高さ以上になった場合に、隙間Gに存在する液体LQの高さを低く、あるいは隙間Gに液体LQが浸入しないように、液浸領域AR2の液体の圧力を調整する。この調整の際に、光学素子2の側面2Tに液体LQが残留(付着)することがある。この残留する液体LQが徐々に気化する可能性がある。液体LQの気化に伴い、残留した液体LQが光学素子2から熱を奪うために、光学素子2の温度分布を変化させ、光が宇素子2の光学性能、ひいては投影光学系PLの結像性能を変化させるおそれがある。そこで、本実施形態において、流路形成部材70の内側面70Tと、光学素子2の側面2Tとの間の隙間Gの上方に、Oリング等のシール部材を設けて隙間Gの気密性を高めればよい。このようにシール部材を設けることによって、隙間Gの湿度が、常に液浸領域AR2の湿度に近い状態に保つことができ、光学素子2の側面2Tに残留する液体LQの気化を抑制することができる。したがって、光学素子2の光学性能、又は投影光学系PLの結像性能への影響を小さくすることができる。
In the present embodiment, the pressure of the liquid in the liquid immersion area AR2 is adjusted by the
なお、上述した実施形態においては、光学素子2が鏡筒PKより露出しており、流路形成部材70の内側面70Tに光学素子2の側面2Tが対向している形態であるが、光学素子2の側面2Tを鏡筒PKの一部(先端部)、あるいは鏡筒PKとは別の保持部材(レンズセル)で保持するようにしてもよい。この場合、前記鏡筒PKの側面あるいはレンズセルの側面が流路形成部材70の内側面70Tと対向することになる。制御装置CONTは、光学素子2を保持するレンズセル(あるいは鏡筒)の側面と流路形成部材70との間の隙間に浸入した液体LQの液面が所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。
In the above-described embodiment, the
なお、上述した実施形態においては、液体LQを供給する液体供給口13A、13Bと、液体LQを回収する液体回収口23A、23Bとは、1つの流路形成部材70の下面70Aに形成されているが、液体供給口13A、13Bを有する流路形成部材(供給部材)と、液体回収口23A、23Bを有する流路形成部材(回収部材)とが別々に設けられていてもよい。
In the embodiment described above, the
なお、上述した実施形態においては、液体LQの液浸領域AR2を基板P上に形成する場合について説明したが、上述したような、基板ステージPST上に設けられた基準部材の上面に液体LQの液浸領域AR2を形成する場合もある。そして、その上面上の液浸領域AR2の液体LQを介して各種計測処理を行う場合がある。その場合、圧力調整機構90は、基準部材上に形成された液浸領域AR2の液体LQが隙間Gに所定高さ以上に浸入しないように、液体LQの圧力調整を行うことができる。このとき、圧力調整機構90は、基準部材の上面と液体LQとの親和性を考慮して、液体LQの圧力調整を行うことができる。同様に、圧力調整機構90は、照度ムラセンサの上板の上面や、空間像計測センサの上板の上面等に液体LQの液浸領域AR2が形成されたときにも、液体LQが隙間Gに所定高さ以上に浸入しないように、液体LQの圧力調整を行うことができる。更には、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上面に液浸領域AR2を形成する構成も考えられ、その場合、圧力調整機構90は、液体LQが隙間Gに所定の高さ以上に浸入しないように圧力調整を行うことができる。
In the above-described embodiment, the liquid LQ immersion area AR2 is formed on the substrate P. However, as described above, the liquid LQ is formed on the upper surface of the reference member provided on the substrate stage PST. The liquid immersion area AR2 may be formed. Various measurement processes may be performed via the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 on the upper surface. In this case, the
なお、上述した実施形態においては、圧力調整機構90は、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力調整動作を基板Pの液浸露光中に行っているが、基板Pを液浸露光する前や後に行ってもよい。
In the above-described embodiment, the
なお上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97と圧力調整用回収口98とは互いに独立した口であるが、液体供給部91及び液体回収部92が1つの口を兼用し、その1つの口を介して液体供給及び回収を行ってもよい。
In the above-described embodiment, the pressure adjustment supply port 97 and the pressure adjustment recovery port 98 are independent ports, but the
上述した実施形態において、複数(2つ)並べて設けられた圧力調整用供給口97A、97Bのそれぞれからの単位時間あたりの液体供給量を例えば基板Pの移動方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、複数並んだ圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれを介した単位時間あたりの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。
In the above-described embodiment, the liquid supply amount per unit time from each of the plurality (two) of pressure
なお、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97及び圧力調整用供給口98は、非走査方向(Y軸方向)に2つずつ並べて設けられているが、走査方向(X軸方向)に関して複数並べで設けてもよい。X軸方向に関して複数並べて設ける場合、投影領域AR1を挟んでその両側にそれぞれ設けることができる。この場合においても、液体LQ圧力調整を行うときに、X軸方向に複数並んだ圧力調整用供給口97のそれぞれからの液体供給量を、液体LQが基板Pに及ぼす力を低減するように、例えば基板Pの走査方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。同様に、X軸方向に複数並んだ圧力調整用回収口98それぞれからの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。 In the embodiment described above, two pressure adjustment supply ports 97 and two pressure adjustment supply ports 98 are provided side by side in the non-scanning direction (Y-axis direction), but in the scanning direction (X-axis direction). A plurality may be provided side by side. When a plurality of X-axis directions are provided side by side, they can be provided on both sides of the projection area AR1. Also in this case, when performing the liquid LQ pressure adjustment, the liquid supply amount from each of the plurality of pressure adjustment supply ports 97 arranged in the X-axis direction is reduced so that the force exerted by the liquid LQ on the substrate P is reduced. For example, different values may be used depending on the scanning direction and scanning speed of the substrate P. Similarly, the liquid recovery amounts from the plurality of pressure adjustment recovery ports 98 arranged in the X-axis direction may be different from each other.
また、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98はそれぞれ2つずつ設けられているが、1つずつでもよいし、2つ以上の任意の複数箇所に設けられてもよい。また、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98の形状は円形状に限られず、例えば矩形状や多角形状、円弧状、所定方向を長手方向とするスリット状であってもよい。 In the above-described embodiment, two pressure adjustment supply ports 97 and two pressure adjustment recovery ports 98 are provided. However, one may be provided, or two or more arbitrary plural locations may be provided. May be. The shape of the pressure adjustment supply port 97 and the pressure adjustment recovery port 98 is not limited to a circular shape, and may be, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, an arc shape, or a slit shape having a predetermined direction as a longitudinal direction.
なお、上述した実施形態において、液体供給口13及び液体回収口23や、それらに接続される供給流路14及び回収流路24などに、スポンジ状部材や多孔質セラミックスなどからなる多孔質体を配置してもよい。
In the above-described embodiment, a porous body made of a sponge-like member, porous ceramics, or the like is provided in the
なお、上述した実施形態においては、露光装置EXは、液浸領域AR2の液体LQの圧力を、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98を有する圧力調整機構90によって調整するが、図7に示すように、圧力調整機構90を省いた構成であっても、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整を行うことができる。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
In the above-described embodiment, the exposure apparatus EX adjusts the pressure of the liquid LQ in the immersion area AR2 by the
図7において、基板PはX軸方向に移動しながら露光光ELを照射されて露光されている。そして、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整は、液浸領域AR2を形成するための液体供給口13A、13Bからの単位時間当たりの液体供給量、あるいは液体回収口23A、23Bからの単位時間当たりの液体回収量を調整することによって行われている。このように、液体供給口13A、13Bからの液体供給量又は液体回収口23A、23Bによる液体回収量を調整することで、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整して、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さを調整することもできる。
In FIG. 7, the substrate P is exposed to exposure light EL while moving in the X-axis direction. Then, the pressure adjustment of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is performed by adjusting the liquid supply amount per unit time from the
また、光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gにおける液体LQの液面の高さに分布が生じる可能性がある。例えば基板PがX軸方向に移動することにより、投影領域AR1に対して−X側の隙間G1及び+X側の隙間G2のうち、図7に示すように、例えば−X側の隙間G1に多くの液体LQが浸入してその液体LQの液面の高さが+X側に比べて高くなる場合がある。その場合、制御装置CONTは、−X側の隙間G1に浸入した液体LQの液面の高さを上限値より低くするために、投影光学系PLの投影領域AR1を囲むように設けられた液体供給口13A、13B、及び液体回収口23A、23Bのうち、例えば−X側の隙間G1に近い位置に設けられている液体供給口13Aからの液体供給量を液体供給口13Bからの液体供給量に比べて少なくしたり、液体回収口23Aからの液体回収量を液体回収口23Bからの液体回収量に比べて多くする等の調整を行う。このように、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置の分布に応じて、複数の液体供給口13A、13Bそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口23A、23Bからの液体回収量を調整することで、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さをほぼ均一にすることができる。
In addition, there is a possibility that the liquid level of the liquid LQ in the gap G between the
この場合においても、圧力センサ120は−X側の隙間G1及び+X側の隙間G2のそれぞれに設けられている構成であるため、これら複数の圧力センサ120それぞれの出力に基づいて、複数の液体供給口13A、13Bそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口23A、23Bそれぞれからの液体回収量を調整することができる。
Also in this case, since the
上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is composed of pure water. Pure water has an advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has no adverse effect on the photoresist, optical element (lens), etc. on the substrate P. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. . When the purity of pure water supplied from a factory or the like is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 The refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1.44. When ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL, On the substrate P, the wavelength is shortened to 1 / n, that is, about 134 nm, and a high resolution can be obtained. Furthermore, since the depth of focus is enlarged by about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system PL can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that in the air. The numerical aperture can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.
なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9〜1.3になることもある。このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク(レチクル)のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク(レチクル)のパターンからは、S偏光成分(TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気(気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分(TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平6−188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法(特にダイボール照明法)等を適宜組み合わせると更に効果的である。 As described above, when the liquid immersion method is used, the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.3. When the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large in this way, the imaging performance may deteriorate due to the polarization effect with random polarized light conventionally used as exposure light. desirable. In that case, linearly polarized illumination is performed in accordance with the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) line-and-space pattern. From the mask (reticle) pattern, the S-polarized light component (TE-polarized light component), that is, the line pattern It is preferable that a large amount of diffracted light having a polarization direction component is emitted along the longitudinal direction. When the space between the projection optical system PL and the resist applied on the surface of the substrate P is filled with a liquid, the space between the projection optical system PL and the resist applied on the surface of the substrate P is filled with air (gas). Compared with the case where the transmittance of the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) contributing to the improvement of the contrast is high on the resist surface, the numerical aperture NA of the projection optical system exceeds 1.0. Even in this case, high imaging performance can be obtained. Further, it is more effective to appropriately combine a phase shift mask or an oblique incidence illumination method (particularly a die ball illumination method) or the like according to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-A-6-188169.
また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン(例えば25〜50nm程度のライン・アンド・スペース)を基板P上に露光するような場合、マスクMの構造(例えばパターンの微細度やクロムの厚み)によっては、Wave guide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりS偏光成分(TE偏光成分)の回折光が多くマスクMから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクM上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合、Wire Grid効果によりP偏光成分(TM偏光成分)がS偏光成分(TE偏光成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分(TE偏光成分)の回折光がP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 Further, for example, an ArF excimer laser is used as the exposure light, and a fine line and space pattern (for example, a line and space of about 25 to 50 nm) is formed on the substrate by using the projection optical system PL with a reduction magnification of about 1/4. When exposing on P, depending on the structure of the mask M (for example, the fineness of the pattern and the thickness of chrome), the mask M acts as a polarizing plate due to the Wave guide effect, and the P-polarized component (TM polarized light) that lowers the contrast. Since the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is emitted from the mask M more than the diffracted light of the component), it is desirable to use the above-mentioned linearly polarized illumination, but the mask M is illuminated with random polarized light Even when the numerical aperture NA of the projection optical system PL is as large as 0.9 to 1.3, high resolution performance can be obtained. When an extremely fine line-and-space pattern on the mask M is exposed on the substrate P, the P-polarized component (TM-polarized component) is larger than the S-polarized component (TE-polarized component) due to the Wire Grid effect. For example, an ArF excimer laser is used as exposure light, and a line and space pattern larger than 25 nm is exposed on the substrate P using the projection optical system PL with a reduction magnification of about 1/4. In this case, since the diffracted light of the S polarization component (TE polarization component) is emitted from the mask M more than the diffracted light of the P polarization component (TM polarization component), the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.9. High resolution performance can be obtained even when the value is as large as -1.3.
更に、マスク(レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明(S偏光照明)だけでなく、特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線(周)方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク(レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。 Furthermore, not only linearly polarized illumination (S-polarized illumination) matched to the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) but also a circle centered on the optical axis as disclosed in JP-A-6-53120. A combination of the polarization illumination method that linearly polarizes in the tangential (circumferential) direction and the oblique incidence illumination method is also effective. In particular, when a mask (reticle) pattern includes not only a line pattern extending in a predetermined direction but also a plurality of line patterns extending in different directions, the same is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-53120. In addition, by using the polarization illumination method that linearly polarizes in the tangential direction of the circle centered on the optical axis and the annular illumination method, high imaging performance can be obtained even when the numerical aperture NA of the projection optical system is large. it can.
本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。
In the present embodiment, the
なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 When the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL generated by the flow of the liquid LQ and the substrate P is large, the optical element is not exchangeable but the optical element is moved by the pressure. It may be fixed firmly so that there is no.
なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ. However, for example, the liquid with the cover glass made of a plane-parallel plate attached to the surface of the substrate P is used. The structure which satisfy | fills LQ may be sufficient.
なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。 The liquid LQ of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water. For example, when the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser light does not pass through water. The liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ. In addition, as the liquid LQ, the liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used. Also in this case, the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid LQ to be used.
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。この場合、例えば、倍率1/8の屈折系の投影光学系を備えた投影露光装置(液浸型)とし、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise. In this case, for example, a projection exposure apparatus (immersion type) having a refracting projection optical system with a magnification of 1/8 is used, and at least two patterns are transferred onto the substrate P in a partially overlapping manner. The present invention can also be applied to a type of exposure apparatus.
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-163099, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-214783, and Japanese Translation of PCT International Publication No. 2000-505958.
また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置にも適用可能である。 In the above-described embodiment, an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed. However, the present invention is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-124873. It is also applicable to an immersion exposure apparatus that moves a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.
基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 When using a linear motor (see USP5,623,853 or USP5,528,118) for the substrate stage PST and mask stage MST, use either an air levitation type using air bearings or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force. Also good. Each stage PST, MST may be a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not have a guide.
各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。 As a driving mechanism for each stage PST, MST, a planar motor that drives each stage PST, MST by electromagnetic force with a magnet unit having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil facing each other is provided. It may be used. In this case, either one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side of the stages PST and MST.
基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
As described in JP-A-8-166475 (USP 5,528,118), the reaction force generated by the movement of the substrate stage PST is not transmitted to the projection optical system PL, but mechanically using a frame member. You may escape to the floor (ground).
As described in JP-A-8-330224 (US S / N 08 / 416,558), a frame member is used so that the reaction force generated by the movement of the mask stage MST is not transmitted to the projection optical system PL. May be mechanically released to the floor (ground).
以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX according to the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 8, a microdevice such as a semiconductor device includes a
2…光学素子(光学部材)、2T…側面、10…液体供給機構、
13(13A、13B)…液体供給口、20…液体回収機構、
23(23A、23B)…液体回収口、70…流路形成部材(環状部材)、
90…圧力調整機構、97A、97B…圧力調整用供給口(第2液体供給口)、
98A、98B…圧力調整用回収口(第2液体回収口)、
120…圧力センサ(圧力検出器)、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、
EL…露光光、EX…露光装置、P…基板、PK…鏡筒(保持部材)、
PL…投影光学系、LQ…液体
2 ... optical element (optical member), 2T ... side surface, 10 ... liquid supply mechanism,
13 (13A, 13B) ... liquid supply port, 20 ... liquid recovery mechanism,
23 (23A, 23B) ... liquid recovery port, 70 ... flow path forming member (annular member),
90 ... Pressure adjustment mechanism, 97A, 97B ... Pressure adjustment supply port (second liquid supply port),
98A, 98B ... Pressure adjusting recovery port (second liquid recovery port),
120 ... Pressure sensor (pressure detector), AR1 ... Projection area, AR2 ... Immersion area,
EL ... exposure light, EX ... exposure device, P ... substrate, PK ... barrel (holding member),
PL ... Projection optical system, LQ ... Liquid
Claims (9)
前記投影光学系を構成する複数の光学部材のうち前記液体に接する光学部材の側面又は該光学部材を保持する保持部材の側面を囲むように設けられ、液体供給口又は液体回収口のうち少なくともいずれか一方を有する環状部材を備え、
前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間に浸入した液体が、所定の高さ以上に浸入しないように、前記液浸領域の液体の圧力を調整することを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that forms a liquid immersion region between the projection optical system and the substrate, and exposes the substrate by irradiating the substrate with exposure light via the projection optical system and the liquid.
Among the plurality of optical members constituting the projection optical system, provided so as to surround the side surface of the optical member in contact with the liquid or the side surface of the holding member that holds the optical member, and at least one of the liquid supply port and the liquid recovery port Comprising an annular member having one of these,
Adjusting the pressure of the liquid in the liquid immersion region so that the liquid that has entered the gap between the side surface of the optical member or the holding member and the annular member does not enter more than a predetermined height. Exposure equipment to do.
前記圧力検出器の検出結果に基づいて、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 A pressure detector for detecting the pressure in the gap;
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the pressure of the liquid is adjusted based on a detection result of the pressure detector.
前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間における液体の高さの分布に応じて、前記複数の液体供給口それぞれからの液体供給量、及び前記複数の液体回収口からの液体回収量のうち少なくともいずれか一方が調整されることを特徴とする請求項3記載の露光装置。 Each of the liquid supply port and the liquid recovery port is provided in a plurality so as to surround the projection region of the projection optical system,
Depending on the distribution of the height of the liquid in the gap between the side surface of the optical member or the holding member and the annular member, the amount of liquid supplied from each of the plurality of liquid supply ports, and the plurality of liquid recovery ports 4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein at least one of the liquid recovery amounts is adjusted.
前記液体供給口及び前記液体回収口は、前記所定方向に関し、前記投影光学系の投影領域を挟んだ両側のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項4記載の露光装置。 The substrate is exposed while moving in a predetermined direction,
The exposure apparatus according to claim 4, wherein the liquid supply port and the liquid recovery port are provided on both sides of the projection optical system with respect to the predetermined direction.
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