JP2005236121A - Exposure system and device manufacturing method - Google Patents

Exposure system and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2005236121A
JP2005236121A JP2004044800A JP2004044800A JP2005236121A JP 2005236121 A JP2005236121 A JP 2005236121A JP 2004044800 A JP2004044800 A JP 2004044800A JP 2004044800 A JP2004044800 A JP 2004044800A JP 2005236121 A JP2005236121 A JP 2005236121A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
liquid
substrate
pressure
recovery
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004044800A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4479269B2 (en )
Inventor
Toshihiro Miyake
寿弘 三宅
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure system capable of preventing a pattern image which is projected on a substrate from being deteriorated by liquid pressure variations or the like. <P>SOLUTION: An exposure system EX comprises a channel forming member 70 provided to surround the side surface 2T of an optical element 2 which is in contact with a liquid LQ, among a plurality of optical members comprising an optical projection system PL, and including a liquid inlet 13 and a liquid recovery port 23; and regulates a pressure of the liquid LQ in an immersion area AR2, so that a gap between the side surface 2T of the optical element 2 and the channel forming member 70 is not immersed with the liquid LQ more than a predetermined height. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method by radiating an exposure light beam onto the substrate through a projection optical system and a liquid to expose the substrate.

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。 Semiconductor devices and liquid crystal display devices, to transfer a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, is manufactured by a so-called photolithography technique. このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。 An exposure apparatus used in this photolithographic process, and a substrate stage that supports the mask stage and the substrate supporting the mask, the pattern of the mask through a projection optical system while moving the mask stage and the substrate stage sequentially it is transferred onto the substrate. 近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 Recently for higher resolution of the projection optical system in order to cope with higher integration of the device pattern it is desired. 投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 Resolution of the projection optical system, as the exposure wavelength to be used is shorter, the higher the larger the numerical aperture of the projection optical system. そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。 Therefore, the exposure wavelength used in exposure apparatuses has shortened year by year wavelength has increased numerical aperture of projection optical systems. そして、現在主流の露光波長はKrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。 The mainstream exposure wavelength currently is a 248nm from a KrF excimer laser, it is being put to practical use yet ArF excimer laser of short wavelength 193 nm. また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。 Further, when exposure is performed, similarly to the resolution depth of focus (DOF) is also important. 解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。 The resolution R, and the depth of focus δ are represented by the following expressions.
R=k ・λ/NA … (1) R = k 1 · λ / NA ... (1)
δ=±k ・λ/NA … (2) δ = ± k 2 · λ / NA 2 ... (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k 、k はプロセス係数である。 Here, lambda is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, k 1, k 2 represent the process coefficients. (1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。 (1) and (2), in order to enhance the resolution R, then shorten the exposure wavelength lambda, and the numerical aperture NA is increased, it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower.

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。 If the depth of focus δ is too narrowed, it is difficult to match the substrate surface with respect to the image plane of the projection optical system, the focus margin during the exposure operation may be insufficient. そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。 Therefore, by substantially shortening the exposure wavelength and a method of widening the depth of focus, for example, immersion method disclosed in Patent Document 1 it has been proposed. この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。 This liquid immersion method forms an immersion area between the lower surface and the substrate surface of the projection optical system is filled with liquid such as water or an organic solvent, 1 / n of the wavelength of the exposure light in the liquid in the air (n is usually about 1.2 to 1.6 in the refractive index of the liquid) as well as improving the resolution as well be a, is that the depth of focus is magnified about n times.
国際公開第99/49504号パンフレット International Publication No. WO 99/49504

ところで、投影光学系と基板との間に満たした液体の圧力が所望の圧力に維持されないと、液体の圧力の変動に伴って、例えば基板や基板ステージ、あるいはその液体に接している投影光学系の一部(最も像面側の光学素子など)が僅かながら変形し、その変形により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。 Incidentally, the pressure of the liquid filled between the projection optical system and the substrate is not maintained at a desired pressure, with the variation of the pressure of the liquid, for example a substrate or a substrate stage or in which the projection optical system in contact with the liquid, some (most like optical element on the image side) is deformed slightly, the exposure accuracy and measurement accuracy by the deformation may deteriorate. また、液体の圧力に変動が生じると、その液体に接している投影光学系の一部(最も像面側の光学素子など)が振動して基板上に投影されるパターン像が劣化したり、投影光学系及び液体を介した計測精度が劣化する。 Further, when the variation in the pressure of the liquid occurs, it deteriorates the pattern image projected onto the substrate a part of the projection optical system liquid in contact (such as the most image plane side optical element) is vibrated, a projection optical system and the measurement accuracy via the liquid is degraded.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, the exposure due to the pressure of the liquid accuracy and an exposure apparatus capable of preventing degradation of measurement accuracy, and to provide a device manufacturing method using the exposure apparatus for the purpose.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図8に対応付けした以下の構成を採用している。 To solve the above problems, the present invention adopts the following constructions corresponding to FIGS. 1 to 8 as illustrated in embodiments.
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)と基板(P)との間に液体(LQ)の液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と液体(LQ)とを介して基板(P)に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、投影光学系(PL)を構成する複数の光学部材のうち液体(LQ)に接する光学部材(2)の側面(2T)又は光学部材(2)を保持する保持部材(PK)の側面を囲むように設けられ、液体供給口(13)又は液体回収口(23)のうち少なくともいずれいか一方を有する環状部材(70)を備え、光学部材(2)又は保持部材(PK)の側面と環状部材(70)との間の隙間(G)に浸入した液体(LQ)が、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域(AR2)の液体(LQ)の圧 The exposure apparatus of the present invention (EX) forms a projection optical system (PL) and the substrate liquid immersion area (AR2) of a liquid (LQ) between the (P), and the liquid (LQ projection optical system (PL) ) and an exposure apparatus that exposes a substrate (P) by radiating an exposure light (EL) onto the substrate (P) through the, the liquid (LQ) of the plurality of optical members constituting the projection optical system (PL) contact provided so as to surround the side surfaces of the optical member (2) (2T) or holding member for holding the optical element (2) (PK), at least one of the liquid supply port (13) or the liquid recovery port (23) an annular member (70) having either squid one optical member (2) or a liquid which has entered into the gap (G) between the side surface and the annular member of the holding member (PK) (70) (LQ) is given so as not to penetrate into more height, pressure of the liquid (LQ) of the immersion area (AR2) を調整することを特徴とする。 And adjusting the.

本発明によれば、液浸領域の液体の圧力を調整することで、例えば基板や基板ステージ、あるいは投影光学系のうち液体に接する光学部材の変形(歪み)等の発生を防止することができる。 According to the present invention, by adjusting the pressure of the liquid immersion area, it is possible to prevent for example the substrate or the substrate stage, or the occurrence of deformation of the optical member that contacts the liquid of the projection optical system (distortion) . また、液浸領域の液体の圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板や基板ステージ、あるいは光学部材に振動が発生することを防止することができる。 Further, by adjusting the pressure of the liquid immersion area by suppressing the pressure fluctuation, it is possible to prevent the substrate or the substrate stage or vibration to the optical member, occurs. 特に、光学部材又は保持部材の側面と環状部材との間の隙間に浸入した液体が所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域の液体の圧力を調整することで、光学部材の側面が液体から受ける力を低減でき、光学部材の歪み変形や振動の発生を防止することができる。 In particular, by adjusting the pressure of the liquid immersion area so that gaps penetrating the liquid does not enter more than a predetermined height between the side surface and the annular member of the optical member or the holding member, the side of the optical member can reduce the force applied from the liquid, it is possible to prevent the generation of distortion deformation or vibration of the optical member. したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain high exposure accuracy and measurement accuracy.

本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置(EX)を用いることを特徴とする。 A device manufacturing method of the present invention is characterized by using the exposure device described above (EX). 本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 According to the present invention, since the deterioration of the exposure accuracy and the measurement accuracy caused by the pressure of the liquid immersion area it can be prevented, it is possible to produce the device having the desired performance.

本発明によれば、液浸領域の液体の圧力に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 According to the present invention, since the deterioration of the exposure accuracy and the measurement accuracy caused by the pressure of the liquid immersion area it can be prevented, it is possible to produce the device having the desired performance.

以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings exposure apparatus of the present invention. 図1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 Figure 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。 1, the exposure apparatus EX includes a mask stage MST which supports a mask M, a substrate stage PST which supports a substrate P, an illumination optical system IL which illuminates the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL When the projection optical system PL which the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto exposed on the substrate P that is supported by the substrate stage PST, and a control unit CONT which collectively controls the overall operation of the exposure apparatus EX It is provided.

本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体LQを供給する液体供給機構10と、基板P上の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the exposure wavelength to a liquid immersion exposure apparatus that applies the liquid immersion method to substantially widen the depth of focus is improved substantially shortened by resolution, on the substrate P the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ, and a liquid recovery mechanism 20 which recovers the liquid LQ on the substrate P. 露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。 The exposure apparatus EX, the part on the substrate P including the projection area AR1 between the projection optical system PL by the liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 that the transfer of the pattern image of at least the mask M onto the substrate P, the small liquid immersion area AR2 than larger and the substrate P than the projection area AR1 is locally formed. 具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側終端部の光学素子2と、その像面側に配置された基板P表面との間に液体LQを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンを基板Pに投影露光する。 Specifically, the exposure apparatus EX, the optical element 2 of the image plane side end portion of the projection optical system PL, a local liquid immersion method to meet the liquid LQ between the substrate P surface that is disposed on the image side adopted, projecting a pattern of the mask M by irradiating the exposure light EL passing through the mask M via the liquid LQ and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P on the substrate P on the substrate P to exposure.

また、後に詳述するように、露光装置EXは、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整する圧力調整機構90を備えている。 Further, as described later in detail, the exposure apparatus EX is provided with a pressure adjusting mechanism 90 for adjusting the pressure of the supplied liquid LQ from the liquid supply mechanism 10. 圧力調整機構90は、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加可能な圧力調整用液体供給部91と、液体LQの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部92とを備えている。 The pressure adjustment mechanism 90 includes a liquid supply mechanism 10 can be added pressure regulating liquid supply section 91 further LQ liquid supplied liquid LQ from the pressure regulating liquid recovery section 92 which is capable of recovering a part of the liquid LQ It is equipped with a. 圧力調整機構90の動作は制御装置CONTにより制御される。 Operation of the pressure adjusting mechanism 90 is controlled by the control unit CONT.

本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。 In the present embodiment, the scanning type exposure apparatus that exposes the substrate P different orientations of the (reverse) formed on the mask M while synchronously moving the pattern from each other in the scanning direction of the mask M and the substrate P as the exposure apparatus EX (so-called It will be described as an example when using a scanning stepper). 以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向(非走査方向)をY軸方向とする。 In the following description, the optical axis AX as the Z-axis direction and a direction matching of the projection optical system PL, and the synchronous movement direction (scanning direction) of the X-axis direction between the mask M and the substrate P in the Z axis direction perpendicular to the plane, Z-axis and X-axis directions perpendicular to the direction (non-scanning direction) is the Y-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and rotation about the Z-axis (inclination) directions, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction.

照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。 The illumination optical system IL is for illuminating the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL, the exposure light source, an optical integrator for uniforming the illuminance of a light flux emitted from the exposure light source, an optical integrator a condenser lens which collects the exposure light EL from the relay lens system, and the illumination area on the mask M illuminated with the exposure light EL and a variable field diaphragm which sets a slit shape. マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。 The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. 照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, for example, emission lines in the ultraviolet region emitted from a mercury lamp (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) far ultraviolet light, such as ( DUV light) and, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) and the like. 本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。 ArF excimer laser light is used in this embodiment.

本実施形態において、液体LQには純水が用いられる。 In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. 純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 Not only the ArF excimer laser light but, for example, emission lines in the ultraviolet region emitted from a mercury lamp (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light beam) such as It can also be transparent.

マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能であって、例えばマスクMを真空吸着(又は静電吸着)により固定している。 The mask stage MST is movable while holding the mask M, is fixed by vacuum suction (or electrostatic adsorption), for example, the mask M. マスクステージMSTは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。 The mask stage MST, by a mask stage-driving unit MSTD including a linear motor or the like, the optical axis AX perpendicular to the plane of the projection optical system PL, ie a slight rotatable in the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. そして、マスクステージMSTは、X軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスクMの全面が少なくとも投影光学系PLの光軸AXを横切ることができるだけのX軸方向の移動ストロークを有している。 The mask stage MST is movable at a designated scanning speed in the X-axis direction, the movement stroke of the X-axis direction by the entire surface of the mask M can cross the optical axis AX of at least the projection optical system PL have.

マスクステージMST上には移動鏡31が設けられている。 Moving mirror 31 is provided on the mask stage MST. また、移動鏡31に対向する位置にはレーザ干渉計32が設けられている。 A laser interferometer 32 is provided at a position opposed to the movement mirror 31. マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)はレーザ干渉計32によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the mask M on the mask stage MST, and θZ directions rotation angle (sometimes .theta.X, also including the rotational angle of the θY direction) are measured in real time by the laser interferometer 32, the measurement result is the control device is output to the CONT. 制御装置CONTは、レーザ干渉計32の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置を制御する。 The control unit CONT controls the position of the mask M supported on the mask stage MST by driving the mask stage drive apparatus MSTD based on the laser interferometer 32 of the measurement results.

投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(光学部材、レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。 Multiple projection optical system PL, which includes a one that the projection exposure onto the substrate P a pattern of the mask M at a predetermined projection magnification beta, the optical element (optical member, a lens) provided at the tip portion of the substrate P side 2 of which is constituted by an optical element, these optical elements are supported by a barrel PK. 本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。 In this embodiment, the projection optical system PL is a projection magnification β which is, for example, 1/4 or 1/5 of the reduction system. なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system.

本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体LQが接触する。 The optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL of the present embodiment is exposed from the barrel PK, the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 makes contact. 光学素子2は螢石で形成されている。 The optical element 2 is formed of fluorite. 螢石表面、あるいはMgF 、Al 、SiO 等を付着させた表面は水との親和性が高いので、光学素子2の液体接触面2Aのほぼ全面に液体LQを密着させることができる。 Fluorite surface or because MgF 2, Al 2 O 3, the surface adhered with SiO 2 or the like has a high affinity for water, be substantially entire surface contact with the liquid LQ of the liquid contact surface 2A of the optical element 2 it can. すなわち、本実施形態においては光学素子2の液体接触面2Aとの親和性が高い液体(水)LQを供給するようにしているので、光学素子2の液体接触面2Aと液体LQとの密着性が高く、光学素子2と基板Pとの間の光路を液体LQで確実に満たすことができる。 That is, since in the present embodiment are adapted to supply a high affinity liquid (water) LQ of the liquid contact surface 2A of the optical element 2, adhesion between the liquid contact surface 2A and the liquid LQ of the optical element 2 high, it is possible to fill the optical path between the optical element 2 and the substrate P reliably by the liquid LQ. なお、光学素子2は、水との親和性が高い石英であってもよい。 The optical element 2, affinity for water may be a high quartz. また、光学素子2の液体接触面2Aに親水化(親液化)処理を施して、液体LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。 Also, hydrophilization liquid contact surface 2A of the optical element 2 is subjected to (lyophilic) treatment, it may be further enhance the affinity for the liquid LQ.

基板ステージPSTは、基板Pを保持して移動可能であって、XYステージ51と、XYステージ51上に搭載されたZチルトステージ52とを含んで構成されている。 The substrate stage PST is movable while holding a substrate P, an XY stage 51 is configured to include a Z-tilt stage 52 mounted on the XY stage 51. XYステージ51は、ステージベースSBの上面の上方に不図示の非接触ベアリングである気体軸受(エアベアリング)を介して非接触支持されている。 XY stage 51 is supported in a non-contact manner via the air bearings is a non-contact bearing (not shown) above the upper surface of the stage base SB. XYステージ51(基板ステージPST)はステージベースSBの上面に対して非接触支持された状態で、リニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。 XY stage 51 (substrate stage PST) is in a state of being contactlessly supported relative to the upper surface of the stage base SB, by a substrate stage-driving unit PSTD including a linear motor or the like, in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL , that is, finely rotatable in the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. このXYステージ51上にZチルトステージ52が搭載され、Zチルトステージ52上に不図示の基板ホルダを介して基板Pが例えば真空吸着等により保持されている。 This on the XY stage 51 in the Z-tilt stage 52 is mounted, is held by the substrate P via a substrate holder (not shown) on the Z tilt stage 52, for example, vacuum suction or the like. Zチルトステージ52は、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能に設けられている。 Z tilt stage 52, Z-axis direction, and also movable in θX direction, and the θY direction. 基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。 The substrate stage-driving unit PSTD is controlled by the control unit CONT.

基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には移動鏡33が設けられている。 Moving mirror 33 is provided on the substrate stage PST (Z tilt stage 52). また、移動鏡33に対向する位置にはレーザ干渉計34が設けられている。 A laser interferometer 34 is provided at a position opposed to the movement mirror 33. 基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計34によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the substrate P on the substrate stages PST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 34, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはレーザ干渉計34の計測結果に基づいてリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置決めを行う。 Controller CONT performs positioning of substrate P supported by the substrate stage PST by driving the substrate stage drive apparatus PSTD including a linear motor or the like based on the laser interferometer 34 of the measurement results.

また、露光装置EXは、基板ステージPSTに支持されている基板Pの表面の位置を検出する後述するフォーカス・レベリング検出系(80)を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a focus leveling detection system to be described later to detect a position of the surface of the substrate P supported by the substrate stage PST (80). フォーカス・レベリング検出系の受光結果は制御装置CONTに出力される。 Receiving result of the focus leveling detection system are outputted to controller CONT. 制御装置CONTはフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。 The control unit CONT can, based on the detection results of the focus leveling detection system, the position information in the Z axis direction of the surface of the substrate P, and detects the inclination information of the θX and θY directions of the substrate P. Zチルトステージ52は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ51は基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。 Z tilt stage 52, the surface of the autofocus system of the substrate P by controlling the focus position and inclination angle of the substrate P, and the auto-leveling method in match an existing image plane of the projection optical system PL, XY stage 51 of the substrate P to position in the X-axis direction and the Y-axis direction. なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。 It goes without saying that the Z tilt stage and the XY stage may be integrally provided.

基板ステージPSTの近傍には、基板P上のアライメントマークあるいは基板ステージPST(Zチルトステージ52)上に設けられた基準マークを検出する基板アライメント系(不図示)が設けられている。 In the vicinity of the substrate stages PST, the substrate alignment system for detecting a reference mark provided on the alignment mark or the substrate stage PST on the substrate P (Z tilt stage 52) (not shown) is provided. また、マスクステージMSTの近傍には、マスクMと投影光学系PLとを介して基板ステージPST(Zチルトステージ52)上の基準マークを検出するマスクアライメント系(不図示)が設けられている。 In the vicinity of the mask stage MST, a mask alignment system for detecting the reference mark on the substrate stage PST (Z tilt stage 52) via the mask M and the projection optical system PL (not shown) is provided. マスクアライメント系は、所謂TTM(スルー・ザ・マスク)方式(あるいはTTR(スルー・ザ・レチクル)方式ともいう)のアライメント系を構成している。 Mask alignment system constitutes the alignment system of the so-called TTM (through-the-mask) system (or TTR (also referred to as a through-the-reticle) method). なお、基板アライメント系の構成としては、例えば特開平4−65603号公報に開示されているものを用いることができ、マスクアライメント系の構成としては、例えば特開平7−176468号公報に開示されているものを用いることができる。 As the structure of the substrate alignment system, for example, there can be used those disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-65603, as the structure of a mask alignment system, for example is disclosed in JP-A 7-176468 JP it can be used as you are.

また、基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には、基板ステージPSTに保持された基板Pを囲むようにプレート部材56が設けられている。 Further, on the substrate stage PST (Z tilt stage 52), the plate member 56 is provided so as to surround the substrate P held by the substrate stage PST. プレート部材56は環状部材であって、基板Pの外側に配置されている。 Plate member 56 is an annular member, is disposed on the outside of the substrate P. プレート部材56は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)の平坦面(平坦部)57を有している。 Plate member 56 has approximately the same height as the surface of the substrate P held by the substrate stage PST flat surface (flush) (flat portion) 57. 平坦面57は、基板ステージPSTに保持された基板Pの外側の周囲に配置されている。 Flat surface 57 is disposed around the outside of the substrate P held by the substrate stage PST.

プレート部材56は、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))などの撥液性を有する材料によって形成されている。 Plate member 56 is formed of a material having liquid repellency such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)). そのため、平坦面57は撥液性を有する。 Therefore, the flat surface 57 has a liquid repellency. なお、例えば所定の金属などでプレート部材56を形成し、その金属製のプレート部材56の少なくとも平坦面57に対して撥液処理を施すことで、平坦面57を撥液性にしてもよい。 Incidentally, for example, a plate member 56 is formed like a predetermined metal, by performing liquid-repellent processing with respect to at least the flat surface 57 of the metallic plate member 56 may be a flat surface 57 on the liquid-repellent. プレート部材56(平坦面57)の撥液処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。 The liquid-repellent treatment of the plate member 56 (flat surface 57), for example, polyquaternary fluorine-based resin material polytetrafluoroethylene, etc., an acrylic resin material, a liquid repellent material such as silicon-based resin material coating, or the repellent attaching a thin film made of a liquid material. また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。 Further, the film for surface treatment may be a single layer film or a film formed of a plurality of layers. 撥液性にするための撥液性材料としては液体LQに対して非溶解性の材料が用いられる。 The liquid-repellent material for the liquid-repellent insoluble material is used for the liquid LQ. また、撥液性材料の塗布領域としては、プレート部材56の表面全域に対して塗布してもよいし、例えば平坦面57など撥液性を必要とする一部の領域のみに対して塗布するようにしてもよい。 As the coating region of the liquid-repellent material may be applied with respect to the entire surface of the plate member 56 is applied only to a part of the region, for example, it requires liquid repellency such as the flat surface 57 it may be so.

基板Pの周囲に、基板P表面とほぼ面一の平坦面57を有するプレート部材56を設けたので、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときにおいても、基板Pのエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系PLの下に液体LQを保持し、投影光学系PLの像面側に液浸領域AR2を良好に形成することができる。 Around the substrate P, is provided with the plate member 56 having a flat surface 57 substantially flush with the surface of the substrate P, even when the liquid immersion exposure of the substrate P in the edge area E, the outer edge portion of the substrate P since almost no step portion, and hold the liquid LQ under the projection optical system PL, the liquid immersion area AR2 on the image plane side of the projection optical system PL can be formed satisfactorily. また、平坦面57を撥液性にすることにより、液浸露光中における基板P外側(平坦面57外側)への液体LQの流出を抑え、また液浸露光後においても液体LQを円滑に回収できて、平坦面57上に液体LQが残留することを防止することができる。 Furthermore, by the flat surface 57 liquid repellent, suppress the outflow of the liquid LQ to the substrate P outside (flat surface 57 outside) during liquid immersion exposure, also smoothly recover the liquid LQ even after immersion exposure can, it is possible to prevent the liquid LQ from remaining on the flat surface 57.

液体供給機構10は、所定の液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管12(12A、12B)とを備えている。 Liquid supply mechanism 10 is for supplying the predetermined liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL, a liquid supply unit 11 capable of delivering the liquid LQ, the one end portion to the liquid supply section 11 supply pipe 12 (12A, 12B) to be connected and a. 液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。 Liquid supply unit 11 includes a tank for accommodating the liquid LQ, and a pressurizing pump. 基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は液体LQを基板P上に供給する。 When forming the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ onto the substrate P.

液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続する回収管22(22A、22B)とを備えている。 Liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, to connect the liquid LQ and the liquid recovery unit 21 capable of recovering, the one end portion to the liquid recovery section 21 recovery pipe 22 is provided (22A, 22B) and a. 液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。 Liquid recovery unit 21 is, for example, a vacuum system such as a vacuum pump (suction device), a gas-liquid separator for separating the recovered liquid LQ and gas, and a tank or the like for accommodating the recovered liquid LQ. なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。 Note as a vacuum system, without providing the vacuum pump in the exposure apparatus EX, it is also possible to use a vacuum system of a factory in which the exposure apparatus EX is arranged. 基板P上に液浸領域AR2を形成するために、液体回収機構20は液体供給機構10より供給された基板P上の液体LQを所定量回収する。 To form the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the liquid recovery mechanism 20 to recover a predetermined amount of the liquid LQ on the substrate P supplied from the liquid supply mechanism 10.

Zチルトステージ52のうちプレート部材56の外側には、基板Pの外側に流出した液体LQを回収する第2液体回収機構60を構成する液体回収口61が設けられている。 On the outside of the plate member 56 of the Z tilt stage 52, the liquid recovery port 61 that constitutes the second liquid recovery mechanism 60 which recovers the liquid LQ, which outflows to the outside of the substrate P is provided. 液体回収口61はプレート部材56を囲むように形成された環状の溝部であって、その内部にはスポンジ状部材や多孔質体等からなる液体吸収部材62が配置されている。 The liquid recovery port 61 is an annular groove formed to surround the plate member 56, the liquid absorbing member 62 made of sponge-like member or a porous body or the like is disposed therein. 液体吸収部材62は交換可能である。 Liquid absorbing member 62 is replaceable. また、液体回収口61には基板ステージPST内部に形成された回収流路の一端部が接続され、その回収管の他端部は基板ステージPSTの外側に設けられた第2液体回収部(いずれも不図示)が接続されている。 Further, the liquid recovery port 61 is connected to one end of the recovery flow passage formed in the substrate stages PST, the other end of the recovery tube and the second liquid recovery section provided outside the substrate stage PST (either not shown) are also connected. 第2液体回収部は、液体回収部21同様、真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。 The second liquid recovery unit, like the liquid recovery unit 21, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator for separating the recovered liquid LQ and gas, and collected tank or the like for accommodating the liquid LQ It is equipped with a.

第2液体回収機構60を設けたことにより、仮に液体LQが基板P及びプレート部材56の外側に流出したとしても、その流出した液体LQを回収することができ、流出した液体LQの気化による基板Pの置かれている環境変動等の不都合の発生を防止することができる。 By providing the second liquid recovery mechanism 60, the substrate according even if the liquid LQ flows out to the outside of the substrate P and the plate member 56, it is possible to recover the spilled liquid LQ, spilled vaporization of the liquid LQ the occurrence of adverse environmental change or the like which is placed with P can be prevented. なお、第2液体回収機構60(第2液体回収部)に真空系を設けずに、液体吸収部材62で回収した液体LQを自重により基板ステージPSTの外側に垂れ流す構成であってもよい。 Incidentally, without providing the vacuum system to the second liquid recovery mechanism 60 (second liquid recovery unit), the liquid LQ recovered by the liquid-absorbing member 62 may be configured to drips outside the substrate stage PST by its own weight. 更に、真空系を含む第2液体回収部を設けずに、基板ステージPST上に液体吸収部材62のみを配置しておき、液体LQを吸収した液体吸収部材62を定期的に(例えば1ロット毎に)交換する構成としてもよい。 Moreover, without providing the second liquid recovery section including the vacuum system, it should be placed in only the liquid-absorbing member 62 on the substrate stages PST, the liquid-absorbing member 62 which has absorbed the liquid LQ regularly (e.g. every 1 lot a) may be configured to be replaced. この場合、基板ステージPSTは液体LQにより重量変動するが、液体吸収部材62で回収した液体LQの重量に応じてステージ制御パラメータを変更することで、ステージ位置決め精度を維持できる。 In this case, the substrate stage PST is to weight varies with the liquid LQ, by changing the stage control parameter depending on the weight of the recovered liquid LQ in the liquid absorbing member 62 can be maintained the stage positioning accuracy.

投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍には流路形成部材70が配置されている。 The flow path forming member 70 is disposed in the vicinity of the optical element 2 of the terminal end of the projection optical system PL. 流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。 The flow path forming member 70 is an annular member provided so as to surround the optical element 2 above the substrate P (substrate stage PST). 流路形成部材70は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。 The flow path forming member 70, for example, aluminum, can be formed of an alloy comprising titanium, stainless steel, duralumin, and these. あるいは、流路形成部材70は、ガラス(石英)等の光透過性を有する透明部材(光学部材)によって構成されてもよい。 Alternatively, the flow path forming member 70 may be constituted by a glass (quartz) transparent member (optical member) having light transparency, and the like.

流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された液体供給口13(13A、13B)を備えている。 The flow path forming member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and a liquid supply port 13 disposed so as to face (13A, 13B) on the surface of the substrate P. 本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体供給口13A、13Bを有している。 In the present embodiment, the flow path forming member 70 has two liquid supply ports 13A, the 13B. 液体供給口13A、13Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。 Liquid supply ports 13A, 13B are provided on the lower surface 70A of the flow passage.

また、流路形成部材70は、その内部に液体供給口13(13A、13B)に対応した供給流路14(14A、14B)を有している。 Further, the flow path forming member 70, the liquid supply ports 13 (13A, 13B) therein supply channel 14 (14A, 14B) corresponding to have. 供給流路14A、14Bの一端部は供給管12A、12Bを介して供給部11にそれぞれ接続され、他端部は液体供給口13A、13Bにそれぞれ接続されている。 Supply channel 14A, one end of the 14B is connected to the supply unit 11 via a supply pipe 12A, 12B, the other end is connected to the liquid supply ports 13A, to 13B.

供給管12A、12Bの途中には、液体供給部11から送出され、液体供給口13A、13Bのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器16A、16Bがそれぞれ設けられている。 Supply pipe 12A, in the middle of 12B is fed from the liquid supply section 11, provided the liquid supply ports 13A, flow rate controllers 16A called mass flow controller for controlling the liquid supply amount per unit time for each of 13B, 16B, respectively It is. 流量制御器16(16A、16B)による液体供給量の制御は制御装置CONTの指令信号の下で行われる。 Flow rate controllers 16 (16A, 16B) controls the liquid supply amount by is performed under the instruction signal of the control unit CONT.

更に、流路形成部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された液体回収口23を備えている。 Further, the flow path forming member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and a liquid recovery port 23 disposed so as to face the substrate P surface. 本実施形態において、流路形成部材70は2つの液体回収口23A、23Bを有している。 In the present embodiment, the flow path forming member 70 has two liquid recovery ports 23A, the 23B. 液体回収口23A、23Bは流路形成部材70の下面70Aに設けられている。 The liquid recovery port 23A, 23B are provided on the lower surface 70A of the flow passage.

また、流路形成部材70は、その内部に液体回収口23(23A、23B)に対応した回収流路24(24A、24B)を有している。 Further, the flow path forming member 70, the liquid recovery ports 23 therein (23A, 23B) recovery channel 24 (24A, 24B) corresponding to have. 回収流路24A、24Bの一端部は回収管22A、22Bを介して液体回収部21にそれぞれ接続され、他端部は液体回収口23A、23Bにそれぞれ接続されている。 Recovery passageway 24A, one end of the 24B is connected to the liquid recovery section 21 via the recovery tubes 22A, 22B, the other end is connected to the liquid recovery ports 23A, to 23B.

本実施形態において、流路形成部材70は、液体供給機構10及び液体回収機構20それぞれの一部を構成している。 In the present embodiment, the flow path forming member 70 constitutes a portion of each liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20. そして、液体供給機構10を構成する液体供給口13A、13Bは、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだX軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構20を構成する液体回収口23A、23Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の液体供給口13A、13Bの外側に設けられている。 Then, the liquid supply ports 13A constituting the liquid supply mechanism 10, 13B are provided on the respective positions of the X-axis direction both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL, the liquid constituting the liquid recovery mechanism 20 recovery ports 23A, 23B, the liquid supply port 13A of the liquid supply mechanism 10 with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL, is provided on the outside of 13B.

液体供給部11及び流量制御器16の動作は制御装置CONTにより制御される。 Operation of the liquid supply unit 11 and the flow controller 16 is controlled by the control unit CONT. 基板P上に液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給部11より液体LQを送出し、供給管12A、12B、及び供給流路14A、14Bを介して、基板Pの上方に設けられている液体供給口13A、13Bより基板P上に液体LQを供給する。 When supplying the liquid LQ onto the substrate P, controller CONT, the liquid LQ sent from the liquid supply section 11 via supply tubes 12A, 12B, and the supply passage 14A, the 14B, provided above the substrate P its dependent liquid supply ports 13A, supplies the liquid LQ onto the substrate P from 13B. このとき、液体供給口13A、13Bは投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに配置されており、その液体供給口13A、13Bを介して、投影領域AR1の両側から液体LQを供給可能である。 In this case, the liquid supply ports 13A, 13B are disposed on respective opposite sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL, the liquid supply ports 13A, through 13B, the liquid LQ from both sides of the projection area AR1 It can be supplied. また、液体供給口13A、13Bのそれぞれから基板P上に供給される液体LQの単位時間あたりの量は、供給管12A、12Bのそれぞれに設けられた流量制御器16A、16Bにより個別に制御可能である。 The amount per unit of the liquid LQ time supplied liquid supply ports 13A, from each of 13B on the substrate P is, supply pipe 12A, the flow rate controller 16A is provided in each of 12B, individually controllable by 16B it is.

液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid recovery operation of the liquid recovery section 21 is controlled by the control unit CONT. 制御装置CONTは、液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。 The control unit CONT is capable of controlling the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery unit 21. 基板Pの上方に設けられた液体回収口23A、23Bから回収された基板P上の液体LQは、流路形成部材70の回収流路24A、24B、及び回収管22A、22Bを介して液体回収部21に回収される。 Liquid recovery port 23A which is provided above the substrate P, the liquid LQ on the substrate P that has been recovered from 23B via the recovery flow passage 24A of the flow passage forming member 70, 24B, and the recovery tube 22A, and 22B liquid recovery It is recovered in section 21.

なお、本実施形態において、供給管12A、12Bは1つの液体供給部11に接続されているが、供給管の数に対応した液体供給部11を複数(ここでは2つ)設け、供給管12A、12Bのそれぞれを前記複数の液体供給部11のそれぞれに接続するようにしてもよい。 In the present embodiment, the supply pipe 12A, while 12B is connected to one liquid supply section 11, (here, two) liquid supply section 11 corresponding to the number of supply pipes plurality, the supply pipe 12A , respectively 12B may be connected to each of the plurality of liquid supply unit 11. また、回収管22A、22Bは、1つの液体回収部21に接続されているが、回収管の数に対応した液体回収部21を複数(ここでは2つ)設け、回収管22A、22Bのそれぞれを前記複数の液体回収部21のそれぞれに接続するようにしてもよい。 The recovery tube 22A, 22B is connected to one liquid recovery portion 21, the liquid recovery section 21 corresponding to the number of recovery tubes plurality (two in this case) is provided, the recovery tube 22A, respectively 22B the may be connected to each of the plurality of liquid recovery unit 21.

投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び流路形成部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。 The liquid contact surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL, and the lower surface (liquid contact surface) 70A of the flow passage forming member 70 has lyophilic property (hydrophilic). 本実施形態においては、光学素子2及び流路形成部材70の液体接触面に対して親液処理が施されており、その親液処理によって光学素子2及び流路形成部材70の液体接触面が親液性となっている。 In the present embodiment, a lyophilic treatment is performed on the liquid contact surface of the optical element 2 and the flow path forming member 70, the liquid contact surface of the optical element 2 and the flow path forming member 70 by the lyophilic treatment It has become a lyophilic. 換言すれば、基板ステージPSTに保持された基板Pの被露光面(表面)と対向する部材の表面のうち少なくとも液体接触面は親液性となっている。 In other words, at least the liquid contact surface of the surface of the member facing the exposed surface (surface) of the substrate P held by the substrate stage PST has a lyophilic. 本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液処理(親水処理)としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、この光学素子2や流路形成部材70の液体接触面に親水性を付与する。 Since the liquid LQ in the present embodiment is a great water polar, lyophilic treatment as the (hydrophilic treatment), for example, by forming a thin film with a substance high polarity molecular structure such as alcohol, the optical element 2 and the flow path hydrophilicity is imparted to the liquid contact surface of the forming member 70. すなわち、液体LQとして水を用いる場合にはOH基など極性の大きい分子構造を持ったものを前記液体接触面に設ける処理が望ましい。 That is, the process provided in the liquid contact surface of the one having a large molecular structure of the polar such as OH groups in the case of using water as the liquid LQ is desirable. あるいは、MgF 、Al 、SiO などを前記液体接触面に設けてもよい。 Alternatively, MgF 2, Al 2 O 3 , SiO 2 or the like may be provided on the liquid contact surface.

なお、本実施形態においては、流路形成部材70の下面(基板P側を向く面)70Aはほぼ平坦面であるが、流路形成部材70の下面70Aのうち投影光学系PLに対して液体回収口23(23A、23B)より外側の領域に、XY平面に対して傾斜した面、具体的には投影領域AR1(液浸領域AR2)に対して外側に向かうにつれて基板Pの表面に対して離れるように(上に向かうように)傾斜する所定長さを有する傾斜面(トラップ面)を設けてもよい。 In the present embodiment, although the lower surface (substrate P side facing surface) 70A of the flow passage forming member 70 is a substantially flat surface, the liquid with respect to the projection optical system PL of the lower surface 70A of the flow passage recovery ports 23 (23A, 23B) in the region outside the surface which is inclined with respect to the XY plane, with respect to the surface of the substrate P toward the outside with respect to the projection area AR1 in particular (liquid immersion area AR2) apart manner (as directed above) may be provided with a sloped surface having a predetermined length which is inclined (trap surface). こうすることにより、基板Pの移動に伴って投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQが流路形成部材70の下面70Aの外側に流出しようとしても、トラップ面で捕捉されるため、液体LQの流出を防止することができる。 By doing so, because the liquid LQ between the projection optical system PL and the substrate P with the movement of the substrate P is also trying to flow out to the outside of the lower surface 70A of the flow passage, which is captured by the trap surface, it is possible to prevent the outflow of the liquid LQ. ここで、トラップ面に親液処理を施して親液性にすることで、基板Pの表面に塗布されている膜(フォトレジスト等の感光材膜や、反射防止膜あるいは液体から感光材を保護する膜等)は通常撥液性(撥水性)なので、液体回収口23の外側に流出した液体LQはトラップ面で捕捉される。 Here, by the lyophilic by performing lyophilic processing on the trap surface, film (or a photosensitive material film such as a photoresist which is applied to the surface of the substrate P, protecting the photosensitive material from the anti-reflection film or liquid Since film) is usually liquid repellency of (water-repellent), the liquid LQ, which outflows to the outside of the liquid recovery port 23 is captured by the trap surface.

また、基板ステージPST(Zチルトステージ52)上において、基板Pの周囲のプレート部材56の外側の所定位置には、基準部材が配置されている。 Further, on the substrate stage PST (Z tilt stage 52), the predetermined position outside the plate member 56 around the substrate P, the reference member is disposed. 基準部材には、前記基板アライメント系により検出される基準マークと、マスクアライメント系により検出される基準マークとが所定の位置関係で設けられている。 The reference member, and the reference mark detected by the substrate alignment system, the reference mark is detected by the mask alignment system is provided in a predetermined positional relationship. また、基準部材の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。 The upper surface of the reference member is a substantially flat surface, it may be used as a reference surface of the focus leveling detection system. 更に、基準部材の上面は基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。 Furthermore, the upper surface of the reference member is provided at substantially the same height as the surface (flat surface) 57 of the surface of the substrate P, the plate member 56 (flush).

また、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上のうち、プレート部材56の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開昭57−117238号公報に開示されているような照度ムラセンサが配置されている。 Also, among the Z tilt stage 52 (substrate stage PST), the predetermined position outside the plate member 56, the uneven illuminance sensor as disclosed in for example JP-57-117238 discloses an optical sensor is arranged ing. 照度ムラセンサは平面視矩形状の上板を備えている。 Uneven illuminance sensor is provided with a rectangular shape in plan view the upper plate. 上板の上面はほぼ平坦面となっており、基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。 The upper plate of the upper surface is a substantially flat surface is provided on the surface of the substrate P, the surface (flat surface) of the plate member 56 57 approximately the same height (flush). 上板の上面には、光を通過可能なピンホール部が設けられている。 The upper plate of the upper surface, pinhole can pass light is provided. 上面のうち、ピンホール部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 Of the upper surface, except for the pinhole portion is covered with a light-shielding material such as chromium.

また、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上のうち、プレート部材56の外側の所定位置には、光学センサとして例えば特開2002−14005号公報に開示されているような空間像計測センサが設けられている。 Also, among the Z tilt stage 52 (substrate stage PST), the predetermined position outside the plate member 56, provided with a spatial image-measuring sensor as disclosed as an optical sensor, for example in JP 2002-14005 It is. 空間像計測センサは平面視矩形状の上板を備えている。 Aerial image measuring sensor has a rectangular shape in plan view the upper plate. 上板の上面はほぼ平坦面となっており、フォーカス・レベリング検出系の基準面として使ってもよい。 The upper plate of the upper surface is a substantially flat surface, it may be used as a reference surface of the focus leveling detection system. そして、上板の上面は基板P表面、プレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。 The upper surface of the upper plate is provided at substantially the same height as the surface (flat surface) 57 of the surface of the substrate P, the plate member 56 (flush). 上板の上面には、光を通過可能なスリット部が設けられている。 The upper plate of the upper surface, the slit section capable of passing light is provided. 上面のうち、スリット部以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 Of the upper surface, except for a slit portion is covered with a light-shielding material such as chromium.

また、不図示ではあるが、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上には、例えば特開平11−16816号公報に開示されているような照射量センサ(照度センサ)も設けられており、その照射量センサの上板の上面は基板P表面やプレート部材56の表面(平坦面)57とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。 Further, although not shown, on the Z tilt stage 52 (substrate stage PST) is, for example, irradiation amount sensor (illuminance sensor) are also provided as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-16816, its upper plate of the upper surface of the irradiation amount sensor is provided at substantially the same height as the surface (flat surface) 57 of the surface of the substrate P and the plate member 56 (flush).

本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対して+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the pattern image of the mask M while moving the mask M and the substrate P in the X axis direction (scanning direction) be one which projection exposure onto the substrate P, at the time of scanning exposure, immersion part of the pattern image of the mask M is projected in the projection area AR1 via the liquid LQ and the projection optical system PL of the area AR2, synchronization to the mask M is moved at the velocity V in the -X direction (or + X direction) to, (the beta projection magnification) speed beta · V in + X direction the substrate P is with respect to the projection area AR1 (or the -X direction) to move. そして、基板P上には複数のショット領域が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。 Then, on the substrate P are set a plurality of shot areas, after exposure is completed for one shot area, the next shot region moves to the scanning start position by stepping movement of the substrate P, following the step-and scan system scanning exposure process for the respective shot areas while moving the substrate P in are sequentially performed.

投影光学系PLの投影領域AR1は、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。 Projection area AR1 of the projection optical system PL, a Y-axis direction is the longitudinal direction, are set in the X-axis direction in plan view a rectangular shape with a short direction. なお、プレート部材56のうち円環状に形成されている平坦面57の幅は少なくとも投影領域AR1より大きく形成されていることが好ましい。 The width of the flat surface 57 which is formed in an annular shape out of the plate member 56 is preferably formed larger than at least the projection area AR1. これにより、基板Pのエッジ領域Eを露光するときにおいて、露光光ELはプレート部材56の外側に照射されない。 Thus, at the time of exposing a substrate P of the edge area E, the exposure light EL is not irradiated to the outside of the plate member 56. 更には、平坦面57の幅は、投影光学系PLの像面側に形成される液浸領域AR2よりも大きく形成されていることが好ましい。 Furthermore, the width of the flat surface 57 is preferably formed larger than the liquid immersion area AR2 formed on the image plane side of the projection optical system PL. これにより、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときに、液浸領域AR2はプレート部材56の平坦面57上に配置され、プレート部材56の外側には配置されないので、液浸領域AR2の液体LQがプレート部材56の外側に流出する等の不都合の発生を防止することができる。 Thus, when the liquid immersion exposure of the substrate P in the edge area E, the liquid immersion area AR2 is arranged on the flat surface 57 of the plate member 56, since the outside of the plate member 56 is not disposed, of the liquid immersion area AR2 it can be liquid LQ to prevent the occurrence of problems such as flowing on the outside of the plate member 56.

図2は流路形成部材70を示す概略斜視図である。 Figure 2 is a schematic perspective view of a flow path forming member 70. 図2に示すように、流路形成部材70は投影光学系PLの終端部の光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材であって、その中央部に投影光学系PL(光学素子2)を配置可能な穴部70Bを有している。 As shown in FIG. 2, the flow path forming member 70 is an annular member provided so as to surround the optical element 2 of the terminating portion of the projection optical system PL, the projection optical system PL (optical element in its central part 2) it has a deployable hole 70B.

露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板P表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系80を備えている。 The exposure apparatus EX comprises a focus leveling detection system 80 which detects the surface position information about the surface of the substrate P that is held by the substrate stage PST. フォーカス・レベリング検出系80は、所謂斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系であって、液浸領域AR2の液体LQを介して基板Pに斜め方向から検出光Laを照射する投光部81と、基板Pで反射した検出光Laの反射光を受光する受光部82とを備えている。 Focus leveling detection system 80 is a focus leveling detection system Tokoroihasu incidence type, a light projecting portion 81 for the detection light La from an oblique direction to the substrate P through the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, and a light receiving portion 82 for receiving the reflected light of the reflected detection light La at the substrate P. なお、フォーカス・レベリング検出系80の構成としては、例えば特開平8−37149号公報に開示されているものを用いることができる。 As the structure of the focus leveling detection system 80 can be used those disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-37149.

流路形成部材70のうち、−Y側及び+Y側の側面のそれぞれには、中央部側(投影光学系PL側)に向かって凹む凹部75、76がそれぞれ形成されている。 Of the flow path forming member 70, on each side of the -Y side and + Y side, recesses 75 and 76 concaved toward the central portion (the projection optical system PL side) are respectively formed. 一方の凹部75にはフォーカス・レベリング検出系80の投光部81から射出された検出光Laを透過可能な第1光学部材83が設けられ、他方の凹部76には基板P上で反射した検出光Laを透過可能な第2光学部材84が設けられている。 On one recess 75 first optical member 83 can transmit the detection light La emitted from light projecting portion 81 of the focus leveling detection system 80 is provided, the other recess 76 detects reflected on the substrate P the second optical member 84 which can transmit light La are provided. 第1光学部材83及び第2光学部材84はフォーカス・レベリング検出系80の光学系の一部を構成しているとともに、流路形成部材70の一部を構成している。 Together with the first optical member 83 and the second optical member 84 constitutes a part of the optical system of the focus leveling detection system 80, it constitutes a part of the flow path forming member 70. 換言すれば、本実施形態においては、流路形成部材70の一部がフォーカス・レベリング検出系80の一部を兼ねている。 In other words, in the present embodiment, a portion of the flow path forming member 70 also serves as a part of the focus leveling detection system 80.

そして、第1光学部材83及び第2光学部材84を含む流路形成部材70は、投影光学系PL先端の光学素子2とは分離した状態で支持されている。 Then, the flow path forming member 70 including the first optical member 83 and the second optical member 84 is supported in a state of being separated from the optical element 2 of the projection optical system PL tip.

投光部81及び受光部82は投影光学系PLの投影領域AR1を挟んでその両側にそれぞれ設けられている。 Light projecting portion 81 and the light receiving portion 82 are provided on both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL. 図2に示す例では、投光部81及び受光部82は投影領域AR1を挟んで±Y側のそれぞれにおいて投影領域AR1に対して離れた位置に設けられている。 In the example shown in FIG. 2, the light projecting portion 81 and the light receiving portion 82 is provided at a position away with respect to the projection area AR1 in the respective ± Y sides of the projection area AR1. フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P表面に投影光学系PLの光軸AXに対して所定の入射角θで検出光Laを照射する。 Light projecting portion 81 of the focus leveling detection system 80 irradiates the detection light La at a predetermined incident angle θ with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL on the substrate P surface. 投光部81から射出された検出光Laは、第1光学部材83を通過し、基板P上の液体LQを介して基板P上に斜め方向から入射角θで照射される。 Detecting light La emitted from light projecting portion 81 passes through the first optical member 83 is irradiated at an incident angle θ from an oblique direction onto the substrate P through the liquid LQ on the substrate P. 基板P上で反射した検出光Laの反射光は、第2光学部材84を通過した後、受光部82に受光される。 The reflected light of the reflected detection light La on the substrate P passes through the second optical member 84, it is received by the light receiving portion 82. ここで、フォーカス・レベリング検出系80の投光部81は、基板P上に複数の検出光Laを照射する。 Here, the light projecting portion 81 of the focus leveling detection system 80 irradiates a plurality of detecting light La onto the substrate P. これにより、フォーカス・レベリング検出系80は、基板P上における例えばマトリクス状の複数の各点(各位置)での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。 Thus, the focus leveling detection system 80, for example a matrix of a plurality of points on the substrate P can be obtained each focus position at (each position), based on the focus position at a plurality of points determined Te, it is possible to detect position information in the Z axis direction of the surface of the substrate P, and the inclination information of the θX and θY directions of the substrate P.

制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系80の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置を制御する。 The control unit CONT based on the detection results of the focus leveling detection system 80, by driving the Z tilt stage 52 of the substrate stage PST via the substrate stage drive apparatus PSTD, held on the Z tilt stage 52 substrate position in the Z axis direction P (focus position), and .theta.X, to control the position in the θY direction. すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカス・レベリング検出系80の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角を制御して、基板Pの表面(被露光面)をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に対して最適な状態に合わせ込む。 That, Z tilt stage 52 is operated on the basis of the instruction from the control unit CONT based on the detection results of the focus leveling detection system 80, the focus position of the substrate P (Z position) and by controlling the tilt angle, the substrate P Komu combined surface (exposure surface) autofocusing, and the optimum state with respect to the image plane formed via the projection optical system PL and the liquid LQ in the auto-leveling manner.

また、図2に示すように、露光装置EXは、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整する圧力調整機構90を備えている。 Further, as shown in FIG. 2, the exposure apparatus EX is provided with a pressure adjusting mechanism 90 for adjusting the pressure of the supplied liquid LQ from the liquid supply mechanism 10. 圧力調整機構90は、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加可能な圧力調整用液体供給部91と、液体LQの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部92とを備えている。 The pressure adjustment mechanism 90 includes a liquid supply mechanism 10 can be added pressure regulating liquid supply section 91 further LQ liquid supplied liquid LQ from the pressure regulating liquid recovery section 92 which is capable of recovering a part of the liquid LQ It is equipped with a.

圧力調整用液体供給部91には供給管93(93A、93B)の一端部が接続されており、供給管93(93A、93B)の他端部は流路形成部材70の内部に形成されている供給流路94(94A、94B)に接続されている。 Supply pipe 93 (93A, 93B) the pressure regulating liquid supply portion 91 one end of which is connected, the other end of the supply pipe 93 (93A, 93B) is formed inside the flow path forming member 70 supply channel 94 (94A, 94B) which are connected to. 圧力調整用液体供給部91は液体LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。 The pressure regulating liquid supply section 91 is provided with a tank for accommodating the liquid LQ, and a pressurizing pump.

供給管93Aの他端部は流路形成部材70の凹部75に配置されている。 The other end of the supply tube 93A is arranged in the recess 75 of the flow path forming member 70. 流路形成部材70の凹部75における側面に供給流路94Aの一端部が形成されており、この供給流路94Aの一端部に供給管93Aの他端部が接続されている。 One end of the supply channel 94A to the side surface of the concave portion 75 of the passage forming member 70 is formed, the other end of the supply tube 93A is connected to one end of the supply flow passage 94A. また、供給管93Bの他端部は流路形成部材70の凹部76に配置されている。 The other end of the supply tube 93B is arranged in the recess 76 of the flow path forming member 70. 流路形成部材70の凹部76における側面に供給流路94Bの一端部が形成されており、この供給流路94Bの一端部に供給管93Bの他端部が接続されている。 One end of the supply channel 94B in the side surface of the concave portion 76 of the passage forming member 70 is formed, the other end of the supply tube 93B is connected to one end of the supply flow passage 94B.

圧力調整用液体回収部92には、回収管95(95A、95B)の一端部が接続されており、回収管95(95A、95B)の他端部は流路形成部材70の内部に形成されている回収流路96(96A、96B)の一端部に接続されている。 The pressure regulating liquid recovery unit 92, recovery pipe 95 (95A, 95B) is connected to one end portion of the other end of the recovery tube 95 (95A, 95B) is formed inside the flow path forming member 70 and has recovery flow passage 96 (96A, 96B) is connected to one end of the. 圧力調整用液体回収部92は、例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。 Pressure regulating liquid recovery unit 92, for example, a vacuum system such as a vacuum pump (suction device), a gas-liquid separator for separating the recovered liquid LQ and gas, and a tank for accommodating the recovered liquid LQ there. なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプを設けずに、露光装置EXが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。 Note as a vacuum system, without providing the vacuum pump in the exposure apparatus EX, it is also possible to use a vacuum system of a factory in which the exposure apparatus EX is arranged.

回収管95Aの他端部は流路形成部材70の凹部75に配置されている。 The other end of the recovery tube 95A is arranged in the recess 75 of the flow path forming member 70. 流路形成部材70の凹部75における側面に回収流路96Aの一端部が形成されており、この回収流路96Aの一端部に回収管95Aの他端部が接続されている。 One end of the recovery flow passage 96A on the side surface of the concave portion 75 of the passage forming member 70 is formed, the other end of the recovery tube 95A is connected to one end of the recovery flow passage 96A. また、回収管95Bの他端部は流路形成部材70の凹部76に配置されている。 The other end of the recovery tube 95B is disposed in the recess 76 of the flow path forming member 70. 流路形成部材70の凹部76における側面に回収流路96Bの一端部が形成されており、この回収流路96Bの一端部に回収管95Bの他端部が接続されている。 One end of the recovery flow passage 96B on the side surface of the concave portion 76 of the passage forming member 70 is formed, the other end of the recovery tube 95B is connected to one end of the recovery flow passage 96B.

図3は流路形成部材70を下面70A側から見た斜視図である。 Figure 3 is a perspective view of the flow path forming member 70 from the lower surface 70A side. 図3において、投影光学系PLの投影領域AR1はY軸方向(非走査方向)を長手方向とする矩形状に設定されている。 3, the projection area AR1 of the projection optical system PL is set to a rectangular shape of the Y-axis direction (non-scanning direction) is the longitudinal direction. 液体LQが満たされた液浸領域AR2は、投影領域AR1を含むように実質的に2つの液体回収口23A、23Bで囲まれた領域内であって且つ基板P上の一部に局所的に形成される。 Immersion area AR2 of the liquid LQ is satisfied, substantially two liquid recovery ports 23A to include a projection area AR1, on a part of the A in the region surrounded by and the substrate P in 23B locally It is formed. なお、液浸領域AR2は少なくとも投影領域AR1を覆っていればよく、必ずしも2つの液体回収口23A、23Bで囲まれた領域全体が液浸領域にならなくてもよい。 Incidentally, the liquid immersion area AR2 only needs to cover at least the projection area AR1, always two liquid recovery ports 23A, entire enclosed area in 23B may not be the liquid immersion area.

液体供給口13A、13Bは、基板Pに対向する流路形成部材70の下面70Aにおいて、X軸方向(走査方向)に関し、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。 Liquid supply ports 13A, 13B, in the lower surface 70A of the flow path forming member 70 that faces the substrate P, relates the X-axis direction (scanning direction), provided in each of both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL there. 具体的には、液体供給口13Aは、流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、液体供給口13Bは他方側(+X側)に設けられている。 Specifically, the liquid supply ports 13A, of the lower surface 70A of the flow passage, provided in the scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-X side), the liquid supply port 13B and the other side (+ X It is provided on the side). つまり液体供給口13A、13Bは投影領域AR1の近くに設けられ、走査方向(X軸方向)に関して投影領域AR1を挟むようにその両側に設けられている。 That liquid supply ports 13A, 13B is provided near the projection area AR1, is provided on both sides so as to sandwich the projection area AR1 in the scanning direction (X axis direction). 液体供給口13A、13Bのそれぞれは、Y軸方向に延びる平面視略コ字状(円弧状)のスリット状に形成されている。 Liquid supply ports 13A, each of 13B, are formed in a slit-shaped extending in the Y-axis direction viewed from substantially U-shaped (arc-shaped). 流路形成部材70の下面70AのうちY軸方向両側には第1、第2光学部材83、84が配置されており、液体供給口13A、13Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち、第1、第2光学部材83、84が配置されている以外の領域に亘って形成されている。 The Y-axis direction on both sides of the lower surface 70A of the flow passage first and second optical members 83, 84 are arranged, the liquid supply ports 13A, 13B, of the lower surface 70A of the flow passage , first and second optical members 83 and 84 are formed over the region other than being disposed. そして、液体供給口13A、13BのY軸方向における長さは少なくとも投影領域AR1のY軸方向における長さより長くなっている。 Then, the liquid supply ports 13A, a length in the Y-axis direction 13B is longer than the length in the Y-axis direction of at least the projection area AR1. 液体供給口13A、13Bは、少なくとも投影領域AR1を囲むように設けられている。 Liquid supply ports 13A, 13B are provided so as to surround at least the projection area AR1. 液体供給機構10は、液体供給口13A、13Bを介して投影領域AR1の両側で液体LQを同時に供給可能である。 Liquid supply mechanism 10 simultaneously is capable of supplying the liquid LQ on the both sides of the projection area AR1 via the liquid supply ports 13A, the 13B.

液体回収口23A、23Bは、基板Pに対向する流路形成部材70の下面70Aにおいて、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bより投影光学系PLの投影領域AR1に対して外側に設けられており、X軸方向(走査方向)に関し、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。 The liquid recovery port 23A, 23B, in the lower surface 70A of the flow path forming member 70 that faces the substrate P, is provided outside the liquid supply ports 13A, the projection area AR1 of the projection optical system PL than 13B of the liquid supply mechanism 10 and which relates to X-axis direction (scanning direction), are provided on each of both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL. 具体的には、液体回収口23Aは、流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して走査方向一方側(−X側)に設けられ、液体回収口23Bは他方側(+X側)に設けられている。 Specifically, the liquid recovery ports 23A, of the lower surface 70A of the flow passage, provided in the scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-X side), the liquid recovery port 23B and the other side (+ X It is provided on the side). 液体回収口23A、23Bのそれぞれは、Y軸方向に延びる平面視略コ字状(円弧状)のスリット状に形成されている。 The liquid recovery port 23A, each of 23B, are formed in a slit-shaped extending in the Y-axis direction viewed from substantially U-shaped (arc-shaped). 液体回収口23A、23Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち、第1、第2光学部材83、84が配置されている以外の領域に亘って形成されている。 The liquid recovery port 23A, 23B, of the lower surface 70A of the flow passage, first and second optical members 83, 84 are formed over the region other than being disposed. そして、液体回収口23A、23Bは、投影光学系PLの投影領域AR1、及び液体供給口13A、13Bを囲むように設けられている。 Then, the liquid recovery ports 23A, 23B is the projection area AR1, and the liquid supply ports 13A of the projection optical system PL, and is provided so as to surround the 13B.

なお、液体供給口13は投影領域AR1の両側のそれぞれに1つずつ設けられている構成であるが、複数に分割されていてもよく、その数は任意である。 Although the liquid supply port 13 has a configuration provided one on each of opposite sides of the projection area AR1, may be divided into a plurality, the number is arbitrary. 同様に、液体回収口23も複数に分割されていてもよい。 Similarly, it may be a liquid recovery ports 23 may be divided into a plurality.

また、投影領域AR1の両側に設けられた液体供給口13のそれぞれは互いにほぼ同じ大きさ(長さ)に形成されているが、互いに異なる大きさであってもよい。 Although each of the liquid supply port 13 provided on both sides of the projection area AR1 is formed in substantially the same size as each other (length), or may be different sizes. 同様に、投影領域AR1の両側に設けられた液体回収口23のそれぞれが互いに異なる大きさであってもよい。 Similarly, each of the liquid recovery port 23 provided on both sides of the projection area AR1 may be different sizes.

また、供給口13のスリット幅と回収口23のスリット幅とは同じであってもよいし、回収口23のスリット幅を、供給口13のスリット幅より大きくしてもよいし、逆に回収口23のスリット幅を、供給口13のスリット幅より小さくしてもよい。 Further, it may be the same as the slit width of the slit width and the recovery port 23 of the supply port 13, the slit width of the recovery port 23 may be larger than the slit width of the supply port 13, collected in the reversed the slit width of the mouth 23 may be smaller than the slit width of the supply port 13.

また、流路形成部材70の下面70AにはY軸方向を長手方向とする凹部78が形成されている。 The recess 78 for the Y-axis direction is the longitudinal direction of the lower surface 70A of the flow passage is formed. そして、流路形成部材70の下面70Aのうち、凹部78の長手方向ほぼ中央部に、投影光学系PLの先端部の光学素子2が露出している。 Of the lower surface 70A of the flow passage, the longitudinal substantially central portion of the recess 78, the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL is exposed.

流路形成部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1に対して非走査方向(Y軸方向)両側のそれぞれには、第2液体回収口である圧力調整用液体回収口(圧力調整用回収口)98A、98Bが設けられている。 In the lower surface 70A of the flow passage forming member 70, each with respect to the projection area AR1 in the non-scanning direction (Y axis direction) on both sides of the projection optical system PL, and the pressure regulating liquid recovery port which is the second liquid recovery port (pressure adjusting recovery ports) 98A, 98B are provided. 圧力調整用回収口98A、98Bは、流路形成部材70の内部に形成されている回収流路96A、96Bの他端部のそれぞれに接続されている。 Pressure regulating recovery ports 98A, 98B, the recovery flow passage is formed inside of the flow path forming member 70 96A, is connected to each of the other end of 96B. そして、圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれは、回収流路96A、96B、及び回収管95A、95Bを介して圧力調整用液体回収部92に接続されている。 Then, the pressure regulating recovery ports 98A, each of 98B, recovery flow path 96A, and is connected 96B, and the recovery tube 95A, the pressure regulating liquid recovery section 92 via the 95B. 圧力調整用液体回収部92が駆動されることにより、圧力調整用回収口98A、98Bを介して液体LQを回収することができる。 By the pressure adjusting liquid recovery section 92 is driven, the pressure regulating recovery ports 98A, it is possible to recover the liquid LQ via 98B.

圧力調整用回収口98Aは、流路形成部材70の下面70Aに形成された凹部78のうち、投影領域AR1に対して非走査方向一方側(−Y側)に設けられ、圧力調整用回収口98Bは、他方側(+Y側)に設けられている。 Pressure regulating recovery ports 98A, among the recesses 78 formed in the lower surface 70A of the flow passage, provided in the non-scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-Y side), the pressure regulating recovery ports 98B is provided on the other side (+ Y side). そして、圧力調整用回収口98A、98Bは、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置されている。 Then, the pressure regulating recovery ports 98A, 98B, the liquid supply port 13A of the liquid supply mechanism 10 is disposed near the projection area AR1 of the projection optical system PL than 13B.

また、圧力調整用液体回収部92は真空系を有しており、投影光学系PLの像面側の光学素子2の近傍に配置されている圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側の気体を排出する(負圧化する)ことができる。 The pressure regulating liquid recovery unit 92 has a vacuum system, the pressure regulating recovery ports 98A disposed in the vicinity of the optical element 2 of the image plane side of the projection optical system PL, via 98B, projection it is possible to discharge the gas on the image plane side of the optical system PL (to a negative pressure).

流路形成部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1に対して非走査方向(Y軸方向)両側のそれぞれには、第2液体供給口である圧力調整用液体供給口(圧力調整用供給口)97A、97Bが設けられている。 In the lower surface 70A of the flow passage forming member 70, each with respect to the projection area AR1 in the non-scanning direction (Y axis direction) on both sides of the projection optical system PL, and the pressure regulating liquid supply port which is the second liquid supply ports (pressure adjusting supply ports) 97A, 97B are provided. 圧力調整用供給口97A、97Bは、流路形成部材70の内部に形成されている供給流路94A、94Bの他端部のそれぞれに接続されている。 Pressure regulating supply ports 97A, 97B, the supply passage is formed inside of the flow path forming member 70 94A, is connected to each of the other end of 94B. そして、圧力調整用供給口97A、97Bのそれぞれは、供給流路94A、94B、及び供給管93A、93Bを介して圧力調整用液体供給部91に接続されている。 Then, the pressure regulating supply ports 97A, each of 97B, the supply channel 94A, are connected 94B, and the supply pipe 93A, the pressure regulating liquid supply unit 91 via a 93B. 圧力調整用液体供給部91が駆動されることにより、圧力調整用供給口97A、97Bを介して液体LQを供給することができる。 By the pressure adjusting liquid supply section 91 is driven, the pressure regulating supply ports 97A, it is possible to supply the liquid LQ via 97B.

圧力調整用供給口97Aは、流路形成部材70の下面70Aに形成された凹部78のうち、投影領域AR1に対して非走査方向一方側(−Y側)に設けられ、圧力調整用供給口97Bは、他方側(+Y側)に設けられている。 Pressure regulating supply ports 97A, among the recesses 78 formed in the lower surface 70A of the flow passage, provided in the non-scanning direction one side with respect to the projection area AR1 (-Y side), the pressure regulating supply ports 97B is provided on the other side (+ Y side). そして、圧力調整用供給口97A、97Bは液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置されている。 Then, the pressure regulating supply ports 97A, 97B is the liquid supply port 13A of the liquid supply mechanism 10 is disposed near the projection area AR1 of the projection optical system PL than 13B.

そして、液体供給口13A、13Bは、投影領域AR1、圧力調整用供給口97(97A、97B)、及び圧力調整用回収口98(98A、98B)を囲むように設けられている。 Then, the liquid supply ports 13A, 13B is the projection area AR1, the pressure-adjusting supply ports 97 (97A, 97B), and a pressure-adjusting recovery ports 98 (98A, 98B) is provided to surround the.

なお、本実施形態においては、圧力調整用供給口97A、97Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対して圧力調整用回収口98A、98Bの外側に設けられているが、内側に設けられてもよいし、圧力調整用供給口97A、97Bと圧力調整用回収口98A、98Bとが近接して設けられていてもよい。 In the present embodiment, the pressure regulating supply ports 97A, 97B, the pressure-adjusting recovery ports 98A with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL, but is provided on the outside of 98B, provided on the inside may be, the pressure-adjusting supply ports 97A, 97B and the pressure-adjusting recovery ports 98A, may be provided in close proximity and the 98B. あるいは、例えば圧力調整用供給口97A、97BをX軸方向(又はY軸方向)に関して投影領域AR1の両側のそれぞれに設け、圧力調整用回収口98A、98BをY軸方向(又はX軸方向)に関して投影領域AR1の両側のそれぞれに設けてもよい。 Alternatively, for example, a pressure-adjusting supply ports 97A, 97B in the X-axis direction (or the Y-axis direction) is provided on each of both sides of the projection area AR1 with respect to the pressure-adjusting recovery ports 98A, the 98B Y-axis direction (or the X-axis direction) it may be provided on each of both sides of the projection area AR1 with respect. この場合、投影領域AR1に対する圧力調整用供給口97A、97Bの距離と、投影領域AR1に対する圧力調整用回収口98A、98Bの距離とは、異なっていてもよいし、ほぼ等しくてもよい。 In this case, the pressure-adjusting supply ports 97A to the projected area AR1, the distance 97B, the pressure-adjusting recovery ports 98A to the projected area AR1, the distance 98B, may be different, may be approximately equal.

図4は図2のA−A断面矢視図、図5は図2のB−B断面矢視図である。 Figure 4 is A-A sectional view on arrows of FIG. 2, FIG. 5 is a cross section B-B arrow view of FIG. 図4に示すように、供給流路14A、14Bのそれぞれは、その一端部を供給管12A、12Bに接続しており、他端部を液体供給口13A、13Bに接続している。 As shown in FIG. 4, the supply flow passage 14A, each of 14B, the supply pipe 12A and one end portion and connected to 12B, connects the other end the liquid supply ports 13A, to 13B. また、供給流路14A、14Bのそれぞれは、水平流路部14hと鉛直流路部14sとを有している。 The supply passage 14A, each of 14B, and a horizontal flow passage portion 14h and a vertical flow passage portion 14s. 液体供給部11より供給管12A、12Bを介して供給された液体LQは、供給流路14A、14Bに流入し、水平流路部14hをほぼ水平方向(XY平面方向)に流れた後、ほぼ直角に曲げられて鉛直流路部14sを鉛直方向(−Z方向)に流れ、液体供給口13A、13Bより基板Pの上方より基板P上に供給される。 Liquid supply unit 11 from the supply pipe 12A, the liquid LQ, which is supplied via 12B, the supply channel 14A, flows into the 14B, after flowing through the horizontal flow passage portion 14h in a substantially horizontal direction (XY plane direction), approximately orthogonally bent flows through the vertical flow passage portion 14s in the vertical direction (-Z direction), the liquid supply ports 13A, is supplied from above the substrate P from 13B on the substrate P.

回収流路24A、24Bのそれぞれは、その一端部を回収管22A、22Bに接続しており、他端部を液体回収口23A、23Bに接続している。 Recovery flow passage 24A, each 24B, the one end portion recovery pipe 22A, are connected to 22B, it connects the other end the liquid recovery ports 23A, to 23B. また、回収流路24A、24Bのそれぞれは、水平流路部24hと鉛直流路部24sとを有している。 The recovery flow passage 24A, each of 24B, and a horizontal flow passage portion 24h and a vertical flow passage portion 24s. 真空系を有する液体回収部21の駆動により、基板P上の液体LQは、その基板Pの上方に設けられている液体回収口23A、23Bを介して回収流路24A、24bに鉛直上向き(+Z方向)に流入し、鉛直流路部24sを流れる。 The driving of the liquid recovery section 21 having the vacuum system, the liquid LQ on the substrate P, the liquid recovery port 23A which is provided above the substrate P, the recovery flow passage 24A through 23B, vertically upward to 24b (+ Z flows in the direction) flows through the vertical flow passage portions 24s. このとき、液体回収口23A、23Bからは、基板P上の液体LQとともにその周囲の気体(空気)も流入(回収)される。 In this case, the liquid recovery ports 23A, from 23B, the surrounding gas with the liquid LQ on the substrate P (air) also is introduced (recovered). 回収流路24A、24Bに+Z方向に流入した液体LQは、ほぼ水平方向に流れの向きを変えられた後、水平流路部24hをほぼ水平方向に流れる。 Recovery passageway 24A, the liquid LQ that has flowed in the + Z direction. 24B, after being changed flow direction in a substantially horizontal direction, through a horizontal flow passage portion 24h in a substantially horizontal direction. その後、回収管22A、22Bを介して液体回収部21に吸引回収される。 Thereafter, the recovery tube 22A, is sucked and recovered by the liquid recovery section 21 via the 22B.

投影光学系PLの光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間には隙間Gが設けられている。 Gap G is provided between the side surface 2T and the flow path forming member 70 of the optical element 2 of the projection optical system PL. 隙間Gは、投影光学系PLの光学素子2と流路形成部材70とを振動的に分離するために設けられたものである。 The gap G is for an optical element 2 and the flow path forming member 70 of the projection optical system PL is provided for vibrationally isolated. また、流路形成部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20と、投影光学系PLとはそれぞれ別の支持機構で支持されており、振動的に分離されている。 Further, the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 including the flow passage-forming member 70, the projection optical system PL are supported in separate support mechanism, it is vibrationally separated. これにより、流路形成部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20で発生した振動が、投影光学系PL側に伝達することを防止している。 Accordingly, vibrations generated by the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 includes a flow path forming member 70 is prevented from being transmitted to the projection optical system PL side.

また、隙間Gを形成する流路形成部材70の内側面70T、及び光学素子2の側面2Tのそれぞれは撥液性となっている。 Further, the respective inner surfaces 70T, and side surface 2T of the optical element 2 of the flow path forming member 70 that forms the gap G has a liquid repellency. 具体的には、内側面70T及び側面2Tのそれぞれは、撥液処理を施されることによって撥液性を有している。 Specifically, each of the inner side surface 70T and the side surface 2T, has liquid repellency by being subjected to the lyophobic process. 撥液処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する。 As the liquid-repellent treatment is stuck fluorine-based resin material, an acrylic resin material, applying a liquid-repellent material of the silicon-based resin material or the like, or a thin film made of the liquid-repellent material. また、表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。 Further, the film for surface treatment may be a single layer film or a film formed of a plurality of layers. 一方、上述したように、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び第1、第2光学部材83、84の下面を含む流路形成部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。 On the other hand, as described above, the projection liquid contact surface 2A, and the first optical element 2 of the optical system PL, the lower surface of the flow path forming member 70 including the lower surface of the second optical member 83 (liquid contact surface) 70A is It has lyophilic property (hydrophilic).

流路形成部材70の下面70Aのうち、投影領域AR1に対して液体供給口13A、13Bの外側には溝部130が形成されている。 Of the lower surface 70A of the flow passage forming member 70, the liquid supply ports 13A, groove 130 on the outside of 13B are formed with respect to the projection area AR1. 液体回収口23A、23Bは、流路形成部材70の下面70Aのうち溝部130の内部に形成されている。 The liquid recovery port 23A, 23B are formed on the inside of the groove 130 of the lower surface 70A of the flow passage. 溝部130は、流路形成部材70の下面70Aにおいて液体回収口23に沿うように形成されているとともに、第1、第2光学部材83、84の下面においても連続して形成されており、投影領域AR1を囲むように環状に形成されている。 Groove 130, together are formed along the liquid recovery ports 23 in the lower surface 70A of the flow passage, the first, are formed continuously also in the lower surface of the second optical member 83, the projection It is formed in an annular shape to surround the area AR1. また、投影領域AR1に対して溝部130の外側には環状の壁部131が形成されている。 Further, on the outside of the groove 130 with respect to the projection area AR1 is formed with an annular wall portion 131. 壁部131は基板P側に突出する凸部である。 The wall portion 131 is a protrusion protruding to the substrate P side. 壁部131は、溝部130を含む壁部131の内側の領域の少なくとも一部に液体LQを保持可能である。 The wall portion 131 is capable of holding the liquid LQ in at least part of the inner region of the wall portion 131 including a groove 130.

流路形成部材70の内側面70Tには流路形成部材70の内側面70Tと光学素子2の側面2Tとの間の隙間Gの圧力を検出するための圧力センサ120が設けられている。 The inner side surface 70T of the flow passage forming member 70 a pressure sensor 120 for detecting the pressure of the gap G between the side surface 2T of the inner side surface 70T and the optical element 2 of the flow path forming member 70 is provided. 圧力センサ120は、隙間GにおいてX軸方向(走査方向)に関し投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだ両側のそれぞれに設けられている。 The pressure sensor 120 is provided on each of both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL relates X-axis direction (scanning direction) in the gap G. 圧力センサ120の検出結果は制御装置CONTに出力される。 Detection result of the pressure sensor 120 is outputted to the control unit CONT.

投影光学系PLと基板Pとの間に形成された液浸領域AR2の液体LQが光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gに浸入する場合がある。 There are cases where the liquid LQ of the immersion area AR2 formed between the projection optical system PL and the substrate P from entering the gap G between the side surface 2T and the flow path forming member 70 of the optical element 2. その場合、液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が変化する。 In that case, according to the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, the height position of the liquid surface of the liquid has penetrated into the gap G LQ is changed. また、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置とその隙間Gの圧力とは対応関係にある。 Also, the height position of the liquid surface of the entering into the gap G the liquid LQ and the pressure of the gap G is in correspondence. 例えば液浸領域AR2の液体LQの圧力が上昇すると隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置も高くなり、隙間Gの圧力も高くなる。 For example, if the liquid LQ of the pressure of the liquid immersion area AR2 is increased even higher height position of the liquid surface of the liquid has penetrated into the gap G LQ, a pressure of the gap G is also increased. 一方、液浸領域AR2の液体LQの圧力が下降すると隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置は低くなり、隙間Gの圧力も低くなる。 On the other hand, the height position of the liquid surface of the liquid LQ pressure of the liquid LQ has penetrated into the gap G when the descent of the liquid immersion area AR2 is lower, the pressure of the gap G is also low. そして、隙間Gの圧力と隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置との関係が制御装置CONTに予め記憶されている。 The relationship between the height position of the pressure and enters into the gap G liquid level of the liquid LQ of the gap G is previously stored in the control unit CONT. なお、この関係は実験あるいはシミュレーションなどによって予め求めることができる。 Note that this relationship can be obtained in advance by an experiment or simulation. そこで、隙間Gの圧力を圧力センサ120で検出することで、制御装置CONTは、圧力センサ120の検出結果と前記関係とに基づいて、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を求めることができる。 Therefore, by detecting the pressure of the gap G by the pressure sensor 120, the control unit CONT based on said relationship between the detection result of the pressure sensor 120, the height position of the liquid surface of the liquid has penetrated into the gap G LQ it can be determined. また、基板P上の液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて隙間Gの圧力も変化するため、制御装置CONTは、圧力センサ120による隙間Gの圧力検出結果に基づいて、液浸領域AR2の液体LQの圧力を求めることができる。 Further, in order to change the pressure in the gap G according to the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 on the substrate P, controller CONT, on the basis of the pressure detection result of the gap G by the pressure sensor 120, the liquid immersion area AR2 it can be obtained the pressure of the liquid LQ.

なお圧力センサ120の設置位置としては、隙間Gの圧力を検出可能な位置であればよく、流路形成部材70の内側面70Tに限られず、例えば光学素子2の側面2Tであってもよい。 Note The installation position of the pressure sensor 120 may be any detectable position the pressure of the gap G, not limited to the inner side surface 70T of the flow path forming member 70, for example it may be a side surface 2T of the optical element 2. また、圧力センサ120の代わりに、液体検知センサ(水検知センサ)や、液体の高さを検知する液位センサ(水位センサ)を用いてもよい。 Further, instead of the pressure sensor 120, a liquid detection sensor (water detection sensor) and liquid level sensor (water level sensor) for detecting the height of the liquid may be used.

水平流路部14hは、供給管12A、12Bに対する接続部から鉛直流路部14sに向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。 Horizontal flow passage portion 14h is formed so as to gradually spread horizontally toward the vertical flow passage portions 14s from the connection to the feed pipe 12A, 12B. 水平流路部14hをテーパ状に形成することで、液体供給部11から供給管12A、12Bを介して供給された液体LQは水平流路部14hにおいてY軸方向に十分に拡がった後、垂直流路部14sを介して基板P上に供給されるため、基板P上の広い領域に同時に液体LQを供給することができる。 By forming a horizontal flow passage portion 14h is tapered, after supply pipe 12A from the liquid supply unit 11, the liquid LQ supplied via 12B that has spread sufficiently in the Y-axis direction in the horizontal flow passage portion 14h, vertical to be supplied onto the substrate P through the flow path portion 14s, it is possible to simultaneously supply the liquid LQ in a wide area on the substrate P.

水平流路部24hは、鉛直流路部24sから回収管22A、22Bに対する接続部に向かって水平方向に漸次窄まるように形成されている。 Horizontal flow passage portion 24h, the recovery pipe 22A from the vertical flow passage portions 24s, is formed so as narrowed gradually in the horizontal direction toward the connection to 22B. 水平流路部24hをテーパ状に形成することで、Y軸方向を長手方向とする液体回収口23A、23Bでの液体回収力分布が均一化され、基板P上の広い領域の液体LQを液体回収口23A、23Bを介して同時に回収することができる。 By forming a horizontal flow passage portion 24h is tapered, the liquid recovery ports 23A to the Y-axis direction is the longitudinal direction, the liquid recovery force distribution at 23B is made uniform, the liquid of the liquid LQ in a wide area on the substrate P recovery ports 23A, through 23B can be recovered simultaneously.

図5に示すように、流路形成部材70の下面70Aには凹部78が形成されており、凹部78における下面70Aは、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A、及び第1、第2光学部材83、84の下面より高く(基板Pに対して遠く)なっている。 Figure 5 As shown in, in the lower surface 70A of the flow passage forming member 70 is formed with a recess 78, the lower surface 70A is in the recess 78, the liquid contact surface 2A, and the first optical element 2 of the projection optical system PL, and It is higher than the lower surface of the second optical member 83, 84 (distance to the substrate P). つまり、流路形成部材70の凹部78における下面と第1、第2光学部材83、84との間に段差部が形成されているとともに、流路形成部材70の凹部78における下面と光学素子2の液体接触面2Aとの間にも段差部が形成されている。 That is, the flow path forming lower surface first in the recess 78 of the member 70, together with the step portion is formed between the second optical member 83, the lower surface and the optical element in the recess 78 of the flow path forming member 70 2 the step portion is formed also between the liquid contact surface 2A of. 流路形成部材70の下面70Aに凹部78を設けない構成の場合、すなわち流路形成部材70の下面70Aと光学素子2の下面(液体接触面)2Aと第1、第2光学部材83、84の下面とが面一の場合、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laを所定の入射角θで基板Pの所望領域(この場合、投影領域AR1)に照射しようとすると、検出光Laの光路上に例えば流路形成部材70が配置されて検出光Laの照射が妨げられたり、あるいは検出光Laの光路を確保するために入射角θや投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離(ワーキングディスタンス)を変更しなければならないなどの不都合が生じる。 For configuration without the concave portion 78 provided on the lower surface 70A of the flow passage, i.e. the lower surface 70A and the lower surface of the optical element 2 (liquid contact surface) of the flow path forming member 70 2A and first and second optical members 83, 84 If the lower surface of the flush, the desired region (in this case, the projection area AR1) of the substrate P with detection light La of the focus leveling detection system 80 at a predetermined incident angle θ when you try to irradiation, the detection light La light or irradiation is prevented of the detection light La is located for example the passage forming member 70 is on the road, or the lower surface of the optical element 2 of the incidence angle θ and the projection optical system PL in order to secure the optical path of the detection light La (liquid contact problems such must change the distance between the surface) 2A and the substrate P surface (working distance) is generated. しかしながら、流路形成部材70の下面70Aのうち、フォーカス・レベリング検出系80を構成する第1、第2光学部材83、84に連続するように凹部78を設けたことにより、投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2Aと基板P表面との距離を所望の値に保ちつつ、フォーカス・レベリング検出系80の検出光Laの光路を確保して基板P上の所望領域に検出光Laを照射することができる。 However, among the lower surface 70A of the flow passage, the first constituting the focus leveling detection system 80, by providing the concave portion 78 so as to be continuous to the second optical member 83, the projection optical system PL while maintaining the distance between the lower surface of the optical element 2 (liquid contact surface) 2A and the substrate P surface to a desired value, the detection in a desired region on the substrate P by securing the optical path of the detecting light beam La of the focus leveling detection system 80 it can be irradiated with light La.

次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について図6に示す模式図を参照しながら説明する。 Next, the pattern image of the mask M will be described with reference to the schematic diagram shown in FIG. 6, a method for exposing the substrate P by using the exposure apparatus EX constructed as described above.
マスクMがマスクステージMSTにロードされるとともに、基板Pが基板ステージPSTにロードされた後、基板Pの走査露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、基板P上に対する液体供給動作を開始する。 The mask M is loaded on the mask stage MST, after the substrate P is loaded on the substrate stages PST, when performing the scanning exposure process for the substrate P, controller CONT drives the liquid supply mechanism 10, with respect to the upper substrate P to start the liquid supply operation. 液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10の液体供給部11から供給された液体LQは、供給管12A、12Bを流通した後、供給流路14A、14Bを介して液体供給口13A、13Bより基板P上に供給される。 Liquid LQ supplied from the liquid supply unit 11 of the liquid supply mechanism 10 in order to form the liquid immersion area AR2 is supply pipe 12A, after flowing through the 12B, the supply channel 14A, the liquid supply ports 13A through 14B, It is supplied onto the substrate P from 13B.

制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に対する液体LQの供給を開始するときに、圧力調整機構90のうち、真空系を有する圧力調整用液体回収部92を駆動する。 The control apparatus CONT uses the liquid supply mechanism 10 when starting the supply of the liquid LQ with respect to the upper substrate P, out of the pressure regulating mechanism 90, drives the pressure regulating liquid recovery section 92 having the vacuum system. 真空系を有する圧力調整用液体回収部92が駆動されることにより、投影光学系PLの像面側の光学素子2近傍に設けられている圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側近傍の空間の気体が排出され、その空間が負圧化される。 By pressure regulating liquid recovery section 92 having the vacuum system is driven, the pressure regulating recovery ports 98A provided in the optical element 2 near the image plane side of the projection optical system PL, via 98B, the projection optical gas space of the image surface side near the system PL is discharged, the space is a negative pressure. このように、制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体回収部92を駆動し、液体供給機構10の液体供給口13A、13Bよりも投影光学系PLによる投影領域AR1の近くに配置された圧力調整用回収口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液浸領域AR2を形成するための液体供給機構10による液体供給を開始する。 Thus, the control unit CONT drives the pressure regulating liquid recovery section 92 of the pressure adjustment mechanism 90, located near the liquid supply ports 13A, the projection area AR1 by the projection optical system PL than 13B of the liquid supply mechanism 10 pressure adjusting recovery ports 98A, through 98B, while the discharge of the gas on the image plane side of the projection optical system PL, to start the supply of the liquid by the liquid supply mechanism 10 for forming the liquid immersion area AR2.

投影光学系PLの投影領域AR1の近くに配置された圧力調整用回収口98A、98Bを介して投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構10による液体LQの供給を行うことにより、その圧力調整用回収口98A、98B近傍が負圧化されるので、供給された液体LQはその負圧化された負圧化領域(空間)に円滑に配置される。 Projection optical system PL of the projection for adjusting pressure recovery ports were located near the region AR1 98A, while the discharge of the image surface side of the gas of the projection optical system PL via 98B, supplied by the liquid supply mechanism 10 of the liquid LQ by performing, the pressure-adjusting recovery ports 98A, since 98B vicinity is negative pressure, supplied liquid LQ is smoothly arranged in the negative pressure is negative pressure regions (spaces). 圧力調整用回収口98A、98Bは液体供給口13A、13Bより投影領域AR1の近くに設けられているので、投影領域AR1を液体LQで良好に覆うことができる。 Pressure regulating recovery ports 98A, since 98B are provided near the liquid supply ports 13A, 13B from the projection area AR1, it is possible to satisfactorily cover the projection area AR1 in the liquid LQ.

特に、本実施形態においては、投影光学系PLの像面側には流路形成部材70の凹部78が形成されているため、液浸領域AR2を形成するために液体LQを供給した際、供給した液体LQが凹部78に入り込まず、液浸領域AR2の液体LQ中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。 Particularly, in the present embodiment, since the image plane side of the projection optical system PL and the recess 78 of the flow path forming member 70 is formed, upon supplying the liquid LQ to form the liquid immersion area AR2, supplied the liquid LQ does not enter the recess 78, a possibility that a gas portion of the bubbles in the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is generated becomes high. 気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上に到達しない、あるいは基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上の所望の位置に到達しない、あるいは例えばフォーカス・レベリング検出系80の検出光Laが基板P上や受光部82に到達しない、あるいは検出光Laが基板P上の所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。 When gas portion is generated, by the gas portion, the exposure light EL to form a pattern image on the substrate P does not arrive on the substrate P, or the exposure light EL for forming a pattern image onto the substrate P There reaches a desired position on the desired does not reach the position, or, for example detecting light beam La of the focus leveling detection system 80 does not reach the substrate P and the light receiving unit 82, or the detection light La is the substrate P on the substrate P phenomena such as not occur, leading to deterioration of the exposure accuracy and measurement accuracy. ところが、投影光学系PLの像面側の気体を排出しながら液体供給機構10による液体供給を開始することで、前記凹部78に液体LQを円滑に配置することができる。 However, while discharging the gas on the image plane side of the projection optical system PL by starting the supply of the liquid by the liquid supply mechanism 10, it is possible to smoothly arrange the liquid LQ into the recess 78. したがって、投影光学系PLの像面側に形成される液浸領域AR2に気体部分が生成される不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。 Therefore, it is possible to prevent a disadvantage that the gas portion is generated in the immersion area AR2 formed on the image plane side of the projection optical system PL, it is possible to obtain a high exposure accuracy and measurement accuracy. 特に本実施形態では、排気手段の排気口を構成する圧力調整用回収口98A、98Bを凹部78の内側に設けたので、液体LQをより円滑に凹部78に配置することができる。 In this embodiment in particular, the pressure-adjusting recovery ports 98A which constitutes the outlet of the outlet means, is provided with the 98B on the inner side of the recess 78 can be arranged the liquid LQ more smoothly in the recess 78.

そして、基板P上に供給された液体LQによって、投影光学系PLと基板Pとの間に液浸領域AR2が形成される。 Then, the liquid LQ supplied onto the substrate P, the liquid immersion area AR2 is formed between the projection optical system PL and the substrate P. ここで、供給管12A、12Bを流通した液体LQはスリット状に形成された供給流路14A、14B及び液体供給口13A、13Bの幅方向に拡がり、基板P上の広い範囲に供給される。 Here, the supply pipe 12A, the liquid LQ that has flowed through 12B spreads supply passage 14A which is formed in a slit shape, 14B and the liquid supply ports 13A, in the width direction of 13B, are supplied to a wide range on the substrate P. 液体供給口13A、13Bから基板P上に供給された液体LQは、投影光学系PLの先端部(光学素子2)の下端面と基板Pとの間に濡れ拡がるように供給され、投影領域AR1を含む基板P上の一部に、基板Pよりも小さく且つ投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2を局所的に形成する。 The liquid supply ports 13A, liquid LQ supplied from 13B onto the substrate P is supplied to wets and spreads between the lower end surface and the substrate P at the end portion of the projection optical system PL (optical element 2), the projection area AR1 on a part of the substrate P including, locally form a large liquid immersion area AR2 than and the projection area AR1 smaller than the substrate P. このとき、制御装置CONTは、液体供給機構10のうち投影領域AR1のX軸方向(走査方向)両側に配置された液体供給口13A、13Bのそれぞれより、投影領域AR1の両側から基板P上への液体LQの供給を同時に行う。 At this time, the control unit CONT, the liquid supply ports 13A disposed in the X axis direction (scanning direction) on both sides of the projection area AR1 of the liquid supply mechanism 10, from each of 13B, from both sides of the projection area AR1 on the substrate P performing the supply of the liquid LQ at the same time.

また、制御装置CONTは、液体供給機構10の駆動と並行して、液体回収機構20の液体回収部21を駆動し、基板P上の液体LQの回収を行う。 Further, the control unit CONT, in parallel with the driving of the liquid supply mechanism 10, drives the liquid recovery section 21 of the liquid recovery mechanism 20, performing recovery of the liquid LQ on the substrate P. そして、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20の駆動を制御して、液浸領域AR2を形成する。 Then, the control unit CONT controls the driving of the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 to form the liquid immersion area AR2.

液浸領域AR2が形成された後、制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体回収部92による投影光学系PLの像面側の気体排出動作を停止する。 After the liquid immersion area AR2 is formed, the control unit CONT stops the image plane side of the gas discharge operation of the projection optical system PL by a pressure regulating liquid recovery section 92 of the pressure adjusting mechanism 90.

制御装置CONTは、液体供給機構10による基板P上に対する液体LQの供給と並行して、液体回収機構20による基板P上の液体LQの回収を行いつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。 The control unit CONT, in parallel with the supply of the liquid LQ with respect to the upper substrate P by the liquid supply mechanism 10, while performing recovery of the liquid LQ on the substrate P by the liquid recovery mechanism 20, a substrate stage PST which supports a substrate P X while moving in the axial direction (scanning direction), a pattern image of the mask M via the liquid LQ and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P to the projection exposure onto the substrate P. このとき、液体供給機構10は走査方向に関して投影領域AR1の両側から液体供給口13A、13Bを介して液体LQの供給を同時に行っているので、液浸領域AR2は均一且つ良好に形成されている。 At this time, since the liquid supply mechanism 10 is performed a liquid supply ports 13A from the both sides of the projection area AR1 in the scanning direction, the supply of the liquid LQ via 13B at the same time, liquid immersion area AR2 is uniform and well formed .

本実施形態において、投影領域AR1の走査方向両側から基板Pに対して液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給機構10の流量制御器16A、16Bを使って単位時間あたりの液体供給量を調整し、基板P上の1つのショット領域の走査露光中に、走査方向に関して投影領域AR1の一方側から供給する液体量(単位時間あたりの液体供給量)を、他方側から供給する液体量と異ならせる。 In this embodiment, when supplying the liquid LQ from the both sides in the scanning direction of the projection area AR1 on the substrate P, controller CONT flow controller 16A, the liquid supply per unit time using 16B of the liquid supply mechanism 10 adjust the amount, during scanning exposure of a shot area on the substrate P, the liquid amount supplied from one side of the projection area AR1 in the scanning direction (liquid supply amount per unit time), the liquid is supplied from the other side varying the amount. 具体的には、制御装置CONTは、走査方向に関して投影領域AR1の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、その反対側で供給する液体供給量よりも多く設定する。 More specifically, the control unit CONT, the liquid supply amount per unit supplied time from the front of the projection area AR1 in the scanning direction is set larger than the liquid supply amount supplied from the opposite side.

例えば、基板Pを+X方向に移動しつつ露光処理する場合、制御装置CONTは、投影領域AR1に対して−X側(すなわち液体供給口13A)からの液体量を、+X側(すなわち液体供給口13B)からの液体量より多くし、一方、基板Pを−X方向に移動しつつ露光処理する場合、投影領域AR1に対して+X側からの液体量を、−X側からの液体量より多くする。 For example, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the + X direction, the control unit CONT, the liquid amount from the -X side with respect to the projection area AR1 (i.e. liquid supply port 13A), + X side (i.e. liquid supply port and more than the liquid amount from 13B), whereas, when the exposure process is performed while moving the substrate P in the -X direction, the liquid amount from the + X side with respect to the projection area AR1, more than the liquid amount from the -X side to. このように、制御装置CONTは、基板Pの移動方向に応じて、液体供給口13A、13Bからのそれぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。 Thus, the control unit CONT depending on the direction of movement of the substrate P, changing the liquid supply ports 13A, the liquid supply amount per each unit time from 13B.

基板Pを液浸露光中、隙間Gの圧力、ひいては液浸領域AR2の液体LQの圧力は圧力センサ120により常時モニタされている。 Immersion exposure of the substrate P, the pressure of the gap G, thus the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is always monitored by the pressure sensor 120. 圧力センサ120の検出結果は制御装置CONTに出力される。 Detection result of the pressure sensor 120 is outputted to the control unit CONT. 制御装置CONTは、基板Pの液浸露光中に、圧力センサ120の検出結果に基づいて、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力を圧力調整機構90を使って調整する。 Controller CONT, in the immersion exposure of the substrate P, based on the detection result of the pressure sensor 120 is adjusted using the pressure adjustment mechanism 90 the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 formed on the substrate P .

制御装置CONTは、圧力調整機構90の圧力調整用液体供給部91及び圧力調整用液体回収部92を介して基板P上に対する液体LQの追加、又は基板P上の液体LQの一部回収を行うことによって、光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gに浸入した液体LQが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。 The control unit CONT performs additional liquid LQ, or some recovery of the liquid LQ on the substrate P with respect to the upper substrate P via the pressure regulating liquid supply section 91 and the pressure regulating liquid recovery section 92 of the pressure adjustment mechanism 90 it allows entering the liquid LQ to the gap G between the side surface 2T and the flow path forming member 70 of the optical element 2 is, so as not to penetrate into more than a predetermined height, adjusting the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 to.

上述したように、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置に応じて隙間Gの圧力が変化するため、例えば圧力センサ120の検出結果に基づいて、隙間Gの圧力が予め設定されている所定値(上限値)以上であると判断したとき、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が予め設定された所定値(上限値)以上であると判断する。 As described above, for changing the pressure of the gap G according to the height position of the liquid surface of the infiltrated into the gap G liquid LQ, for example, based on the detection result of the pressure sensor 120, the pressure of the gap G is set in advance and it has a predetermined value when it is determined that the (upper limit value) or more, the control unit CONT, if it is the height of the liquid level of the liquid has penetrated into the gap G LQ is a predetermined value (upper limit value) or higher to decide. そして、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さが前記上限値以下となるように、つまり隙間Gの圧力が上限値以下となるように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。 Then, the control unit CONT, as the liquid level of the entering into the gap G the liquid LQ is equal to or less than the upper limit, i.e. such that the pressure in the gap G is equal to or less than the upper limit, the liquid immersion area AR2 to adjust the pressure of the LQ. 具体的には、図6(a)に示すように、制御装置CONTは圧力調整用液体回収部92を駆動し、圧力調整用回収口98A、98Bを介して、液浸領域AR2の液体LQの一部を回収する。 Specifically, as shown in FIG. 6 (a), the control unit CONT drives the pressure regulating liquid recovery unit 92, the pressure-adjusting recovery ports 98A, through 98B, of the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ to recover the part. 液体LQの一部が回収されることにより、液浸領域AR2の液体LQの圧力が下降し、これにより、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置を低くすることができる。 By part of the liquid LQ is recovered, the pressure of the liquid LQ is lowered in the liquid immersion area AR2, which makes it possible to lower the height position of the liquid surface of the liquid LQ in the gap G. 上述したように、液浸領域AR2の液体LQの圧力に応じて隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が変化するため、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を調整することができる。 As described above, since the height position of the liquid surface of the liquid LQ which has entered into the gap G according to the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is changed, by adjusting the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 it is possible to adjust the height position of the liquid surface of the liquid has penetrated into the gap G LQ.

液体LQが隙間Gに浸入した場合、その隙間Gに浸入した液体LQによって光学素子2の側面2Tに力が加わり、光学素子2が変形する(歪む)等の不都合が生じる可能性がある。 If the liquid LQ has penetrated into the gap G, the by the gap and entering the G liquid LQ force is applied to the side surface 2T of the optical element 2, there is a possibility that inconvenience such as the optical element 2 is deformed (distorted) occurs. ところが、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さを予め設定された上限値以下とすることにより、光学素子2の側面2Tが液体LQから受ける力を低減することができ、上記不都合の発生を防止することができる。 However, by the following preset upper limit value of the height of the liquid level of the liquid has penetrated into the gap G LQ, can side surface 2T of the optical element 2 is to reduce the force received from the liquid LQ, of the disadvantages it is possible to prevent the occurrence.

また、液浸領域AR2の液体LQの圧力が高い場合(陽圧化している場合)、その陽圧化した液浸領域AR2の液体LQに押されて、基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2が変形する可能性があるが、液体LQの液面の高さを上限値以下にして液浸領域AR2の液体LQの圧力も上限値以下にすることで、液体LQが基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2に及ぼす力を低減することができる。 Also, (if positive pressurization) the liquid LQ in the pressure of the liquid immersion area AR2 is high when, pushed by the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 which is the positive pressurization, the substrate P and the substrate stage PST or the optical element 2 Although but may be deformed, the liquid LQ of the pressure of the liquid level of the liquid LQ in the upper limit or less liquid immersion area AR2 also be below the upper limit, the liquid LQ is the substrate P and the substrate stage PST or to reduce the force exerted on the optical element 2. したがって、基板Pや基板ステージPSTが変形する等の不都合の発生を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent problems such as the substrate P and the substrate stage PST is deformed.

一方、圧力センサ120の検出結果に基づいて、液浸領域AR2の液体LQの圧力が予め設定されている所定値(下限値)以下であると判断したとき、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が予め設定された所定値(下限値)以下であると判断する。 On the other hand, based on the detection result of the pressure sensor 120, a predetermined value the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is preset when it is determined that the (lower limit) or less, the control unit CONT, enters the gap G the height position of the liquid surface of the liquid LQ is judged to be less than a predetermined value (lower limit value). そして、制御装置CONTは、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さが前記下限値以上となるように、つまり隙間Gの圧力が下限値以上になるように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。 Then, the control unit CONT, as the liquid level of the entering into the gap G the liquid LQ is equal to or greater than the lower limit, i.e. such that the pressure in the gap G is equal to or greater than the lower limit, the liquid immersion area AR2 to adjust the pressure of the LQ. 具体的には、図6(b)に示すように、制御装置CONTは圧力調整用液体供給部91を駆動し、圧力調整用供給口97A、97Bを介して、液浸領域AR2の液体LQに更に液体LQを追加する。 Specifically, as shown in FIG. 6 (b), the control unit CONT drives the pressure regulating liquid supply unit 91, pressure adjusting supply ports 97A, through 97B, the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 to add more liquid LQ. 液体LQが追加されることにより、液浸領域AR2の液体LQの圧力が上昇し、これにより、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置を高くすることができる。 By the liquid LQ is added, the pressure of the liquid LQ is increased in the liquid immersion area AR2, which makes it possible to increase the height position of the liquid surface of the liquid LQ in the gap G.

また、液浸領域AR2の液体LQの圧力が低い場合(負圧化している場合)、その負圧化した液浸領域AR2の液体LQに引っ張られて、基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2が変形する可能性があるが、液体LQの液面の高さを下限値以上にして液浸領域AR2の液体LQの圧力も下限値以上にすることで、液体LQが基板Pや基板ステージPSTあるいは光学素子2に及ぼす力を低減することができる。 Also, (if negative pressure) pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is lower case, it is pulled by the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 which is the negative pressure, the substrate P and the substrate stage PST or the optical element 2 Although but may be deformed, the liquid LQ of the pressure in the liquid immersion area AR2 of the liquid level of the liquid LQ in the above lower limit may be to more than the lower limit, the liquid LQ is the substrate P and the substrate stage PST or to reduce the force exerted on the optical element 2. したがって、基板Pや基板ステージPSTが変形する等の不都合の発生を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent problems such as the substrate P and the substrate stage PST is deformed.

なお、上記上限値及び下限値は所望の露光精度で基板Pを露光できる値であって、例えば実験やシミュレーションによって予め求めておくことができる。 Incidentally, the upper limit value and the lower limit value can be determined in advance by the desired a value capable of exposing the substrate P with the exposure accuracy, e.g., experiments and simulations.

また、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置が上記上限値と下限値との間になるように液浸領域AR2の液体LQの圧力調整を行うことにより、液体LQの圧力変動を低減することができる。 Further, by the height position of the liquid surface of the liquid has penetrated into the gap G LQ performs pressure regulation of the liquid LQ of the immersion area AR2 to be between the upper limit and the lower limit value, the liquid LQ of the pressure variation it is possible to reduce the. したがって、光学素子2や基板Pあるいは基板ステージPSTなど液体LQに接触する各部材に、前記圧力変動に起因する振動が生じる不都合を防止することができる。 Therefore, it is possible to each member in contact with the liquid LQ and optical element 2 and the substrate P or the substrate stages PST, to prevent a disadvantage that the vibrations caused due to the pressure fluctuations. 特に、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置を上記上限値と下限値との間にすることで、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さ位置の大きな変動を抑えることができるので、光学素子2の側面2Tに接する液体LQの圧力変動を抑えることができ、光学素子2が振動する不都合を効果的に防止できる。 In particular, the height position of the liquid surface of the entering into the gap G the liquid LQ by between the upper and lower limit values, suppress large variation in the height position of the liquid surface of the infiltrated into the gap G the liquid LQ it is possible, it is possible to suppress the pressure fluctuation of the liquid LQ in contact with the side surface 2T of the optical element 2, can effectively prevent a disadvantage that the optical element 2 vibrates.

なお、圧力調整機構90を使って液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する場合には、複数(2つ)の圧力調整用供給口97A、97Bそれぞれから供給する単位時間当たりの液体供給量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。 In the case of adjusting the pressure of the liquid LQ of the immersion area AR2 by using the pressure adjustment mechanism 90 includes a plurality liquid supply amount per unit time supplied from the pressure adjusting supply ports 97A, 97B respectively (2) may be different amounts from each other, it may be the same amount. 同様に、複数(2つ)の圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれから回収する単位時間当たりの液体回収量は互いに異なる量であってもよいし、同じ量であってもよい。 Similarly, multiple pressure regulating recovery port (2) 98A, may be a different amount of liquid recovery amount per unit recovering time from each 98B, may be the same amount.

以上説明したように、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで、例えば基板Pや基板ステージPST、あるいは投影光学系PLのうち液体LQに接する光学素子2の変形(歪み)等の発生を防止することができる。 As described above, by adjusting the pressure of the liquid LQ of the immersion area AR2 formed on the substrate P, for example, the substrate P and the substrate stage PST optical element 2 or in contact with the liquid LQ of of the projection optical system PL, and deforming the generation of (distortion) can be prevented. また、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整して圧力変動を抑えることで、基板Pや基板ステージPST、あるいは光学素子2に振動が発生することを防止することができる。 Further, by adjusting the pressure of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 suppress pressure fluctuations, it is possible to prevent the vibration substrate P and the substrate stage PST or the optical element 2, is generated. 特に、光学素子2の側面2Tと流路形成部材7との間の隙間Gに浸入した液体LQが所定の高さ以上に浸入しないように液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整することで、光学素子2の側面2Tから液体LQから受ける力を低減でき、光学素子2の歪み変形や振動の発生を防止することができる。 In particular, by adjusting the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 so that the clearance between the liquid LQ that infiltrates the G is not penetrate more than a predetermined height between the side surface 2T and the flow path formation member 7 of the optical element 2 , it is possible to reduce the force applied from the side surface 2T of the optical element 2 from the liquid LQ, it is possible to prevent the generation of distortion deformation or vibration of the optical element 2. したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain high exposure accuracy and measurement accuracy.

特に、本実施形態においては、投影光学系PLの像面側の液浸領域AR2の液体LQに接する流路形成部材70に凹部78が設けられており、その凹部78においては液体LQの圧力変動が生じやすい。 Particularly, in the present embodiment, a recess 78 is provided in the flow path forming member 70 in contact with the liquid LQ on the image plane side of the liquid immersion area AR2 of the projection optical system PL, and the pressure fluctuation of the liquid LQ in the concave portion 78 likely to occur. また、基板Pを走査移動することによって液体LQが移動するため、圧力変動は顕著となる。 Further, since the liquid LQ is moved by moving scanning the substrate P, the pressure fluctuation becomes noticeable. そこで、その凹部78の内側に、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整をするために液体LQを追加する圧力調整用供給口97A、97Bを設けるとともに、液体LQの一部を回収する圧力調整用回収口98A、98Bを設けたので、上記凹部78で生じる圧力変動を効果的に低減することができ、また圧力調整を良好に行うことができる。 Therefore, the inside of the recess 78, the pressure adjusting supply ports to add the liquid LQ to the pressure adjustment of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 97A, provided with a 97B, pressure adjustment to recover a portion of the liquid LQ use the recovery port 98A, is provided with the 98B, a pressure variation caused by the recess 78 can be effectively reduced, it is possible to satisfactorily perform the pressure adjustment.

なお、本実施形態では、一旦、隙間Gに浸入した液体LQが、所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体の圧力を圧力調整機構90によって調整している。 In the present embodiment, once the liquid LQ which has entered into the gap G is, so as not to penetrate into more than a predetermined height, it is adjusted by the pressure adjusting mechanism 90 the pressure of the liquid immersion area AR2. 具体的には、圧力調整機構90は、隙間Gに浸入した液体LQが所定の高さ以上になった場合に、隙間Gに存在する液体LQの高さを低く、あるいは隙間Gに液体LQが浸入しないように、液浸領域AR2の液体の圧力を調整する。 Specifically, the pressure adjustment mechanism 90, when the liquid LQ has entered into the gap G is equal to or higher than a predetermined height, lower the liquid LQ height which exists in the gap G, or the liquid LQ to the gap G as not enter, to adjust the pressure of the liquid immersion area AR2. この調整の際に、光学素子2の側面2Tに液体LQが残留(付着)することがある。 During this adjustment, there is the liquid LQ from remaining (adhering) on ​​the side surface 2T of the optical element 2. この残留する液体LQが徐々に気化する可能性がある。 There is a possibility that the liquid LQ that this residual is vaporized gradually. 液体LQの気化に伴い、残留した液体LQが光学素子2から熱を奪うために、光学素子2の温度分布を変化させ、光が宇素子2の光学性能、ひいては投影光学系PLの結像性能を変化させるおそれがある。 With the vaporization of the liquid LQ, in the residual liquid LQ deprives heat from the optical element 2, by changing the temperature distribution of the optical element 2, the optical performance of the light 宇素Ko 2, hence the imaging performance of the projection optical system PL there is a possibility to change the. そこで、本実施形態において、流路形成部材70の内側面70Tと、光学素子2の側面2Tとの間の隙間Gの上方に、Oリング等のシール部材を設けて隙間Gの気密性を高めればよい。 Therefore, in this embodiment, the inner side surface 70T of the flow path forming member 70, above the gap G between the side surface 2T of the optical element 2, which enhances the airtightness of the gap G is provided a seal member such as an O-ring Bayoi. このようにシール部材を設けることによって、隙間Gの湿度が、常に液浸領域AR2の湿度に近い状態に保つことができ、光学素子2の側面2Tに残留する液体LQの気化を抑制することができる。 By providing the sealing member, that the humidity of the gap G, can always be kept in a state close to the humidity of the liquid immersion area AR2, to suppress the vaporization of the liquid LQ remaining on the side surface 2T of the optical element 2 it can. したがって、光学素子2の光学性能、又は投影光学系PLの結像性能への影響を小さくすることができる。 Therefore, it is possible to reduce the influence of optical performance of the optical element 2, or to the imaging performance of the projection optical system PL.

なお、上述した実施形態においては、光学素子2が鏡筒PKより露出しており、流路形成部材70の内側面70Tに光学素子2の側面2Tが対向している形態であるが、光学素子2の側面2Tを鏡筒PKの一部(先端部)、あるいは鏡筒PKとは別の保持部材(レンズセル)で保持するようにしてもよい。 In the embodiment described above, the optical element 2 is exposed from the barrel PK, the inner side surface 70T of the flow passage forming member 70 has side surface 2T of the optical element 2 is in the form of opposed, optical elements the second aspect 2T part of the barrel PK (tip), or may be held in another holding member (lens cell) the barrel PK. この場合、前記鏡筒PKの側面あるいはレンズセルの側面が流路形成部材70の内側面70Tと対向することになる。 In this case, the side surfaces or the lens cells of the lens barrel PK is opposed to the inner side surface 70T of the flow passage-forming member 70. 制御装置CONTは、光学素子2を保持するレンズセル(あるいは鏡筒)の側面と流路形成部材70との間の隙間に浸入した液体LQの液面が所定の高さ以上に浸入しないように、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整する。 The control unit CONT, as the liquid surface of the liquid LQ which has entered the gap between the side surface and the flow path forming member 70 of the lens cell holding the optical element 2 (or barrel) does not penetrate more than a predetermined height to adjust the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2.

なお、上述した実施形態においては、液体LQを供給する液体供給口13A、13Bと、液体LQを回収する液体回収口23A、23Bとは、1つの流路形成部材70の下面70Aに形成されているが、液体供給口13A、13Bを有する流路形成部材(供給部材)と、液体回収口23A、23Bを有する流路形成部材(回収部材)とが別々に設けられていてもよい。 In the embodiment described above, and supplies the liquid LQ liquid supply ports 13A, and 13B, the liquid recovery ports 23A which recovers the liquid LQ, and 23B, are formed on the lower surface 70A of the one flow path forming member 70 it is, but the liquid supply ports 13A, a flow path forming member having 13B (supply member), the liquid recovery ports 23A, a flow path forming member (collecting member) having 23B and may be provided separately.

なお、上述した実施形態においては、液体LQの液浸領域AR2を基板P上に形成する場合について説明したが、上述したような、基板ステージPST上に設けられた基準部材の上面に液体LQの液浸領域AR2を形成する場合もある。 In the embodiment described above, the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 has been described a case where formed on the substrate P, as described above, the liquid LQ on the upper surface of the reference member provided on the substrate stage PST it may form the liquid immersion area AR2. そして、その上面上の液浸領域AR2の液体LQを介して各種計測処理を行う場合がある。 Then, it may perform various measurement process through the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 on the upper surface thereof. その場合、圧力調整機構90は、基準部材上に形成された液浸領域AR2の液体LQが隙間Gに所定高さ以上に浸入しないように、液体LQの圧力調整を行うことができる。 In that case, the pressure adjustment mechanism 90, the liquid LQ of the immersion area AR2 formed on the reference member so as not to penetrate into more than a predetermined height in the gap G, it is possible to perform pressure regulation of the liquid LQ. このとき、圧力調整機構90は、基準部材の上面と液体LQとの親和性を考慮して、液体LQの圧力調整を行うことができる。 At this time, the pressure adjustment mechanism 90, taking into account the upper surface and affinity for the liquid LQ of the reference member, it is possible to perform pressure regulation of the liquid LQ. 同様に、圧力調整機構90は、照度ムラセンサの上板の上面や、空間像計測センサの上板の上面等に液体LQの液浸領域AR2が形成されたときにも、液体LQが隙間Gに所定高さ以上に浸入しないように、液体LQの圧力調整を行うことができる。 Similarly, the pressure adjustment mechanism 90, and the upper plate of the upper surface of the uneven illuminance sensor, even when the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is formed on the upper surface or the like of the spatial image measuring sensor upper plate, the liquid LQ to the gap G so as not to penetrate into more than a predetermined height, it is possible to perform pressure regulation of the liquid LQ. 更には、Zチルトステージ52(基板ステージPST)上面に液浸領域AR2を形成する構成も考えられ、その場合、圧力調整機構90は、液体LQが隙間Gに所定の高さ以上に浸入しないように圧力調整を行うことができる。 Furthermore, also considered configured to form a Z-tilt stage 52 immersion area AR2 (substrate stage PST) top, in which case, the pressure adjustment mechanism 90, so that the liquid LQ does not enter more than a predetermined height in the gap G it is possible to perform pressure adjustment.

なお、上述した実施形態においては、圧力調整機構90は、基板P上に形成された液浸領域AR2の液体LQの圧力調整動作を基板Pの液浸露光中に行っているが、基板Pを液浸露光する前や後に行ってもよい。 In the embodiment described above, the pressure adjusting mechanism 90 is the liquid LQ of the pressure regulating operation of the liquid immersion area AR2 formed on the substrate P is performed in the immersion exposure of the substrate P, the substrate P immersion may be performed before and after the exposure.

なお上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97と圧力調整用回収口98とは互いに独立した口であるが、液体供給部91及び液体回収部92が1つの口を兼用し、その1つの口を介して液体供給及び回収を行ってもよい。 Note In the embodiment described above, although the pressure regulating supply ports 97 and the pressure-adjusting recovery ports 98 is independent mouth together, the liquid supply unit 91 and the liquid recovery unit 92 also serves as a one port, Part 1 One of the may be performed a liquid supply and recovery via the mouth.

上述した実施形態において、複数(2つ)並べて設けられた圧力調整用供給口97A、97Bのそれぞれからの単位時間あたりの液体供給量を例えば基板Pの移動方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。 In the embodiment described above, a plurality (two) side by side provided pressure adjusting supply ports 97A, different values ​​depending on the moving direction and the scanning speed of the liquid supply amount for example the substrate P per unit time from each of 97B it may be. 同様に、複数並んだ圧力調整用回収口98A、98Bのそれぞれを介した単位時間あたりの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。 Similarly, multiple aligned pressure-adjusting recovery ports 98A, may be different from each other the liquid recovery amount per unit time through the respective 98B.

なお、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97及び圧力調整用供給口98は、非走査方向(Y軸方向)に2つずつ並べて設けられているが、走査方向(X軸方向)に関して複数並べで設けてもよい。 In the embodiment described above, the pressure adjusting supply ports 97 and the pressure-adjusting supply ports 98 is provided side by side two by two in the non-scanning direction (Y axis direction), the scanning direction (X axis direction) it may be provided in multiple side by side with respect to. X軸方向に関して複数並べて設ける場合、投影領域AR1を挟んでその両側にそれぞれ設けることができる。 When providing side by side a plurality in the X-axis direction, it may be provided respectively on both sides of the projection area AR1. この場合においても、液体LQ圧力調整を行うときに、X軸方向に複数並んだ圧力調整用供給口97のそれぞれからの液体供給量を、液体LQが基板Pに及ぼす力を低減するように、例えば基板Pの走査方向や走査速度に応じて互いに異なる値にしてもよい。 In this case, when performing the liquid LQ pressure adjustment, the amount of liquid supplied from each of the pressure regulating supply ports 97 aligned plurality in the X-axis direction, so that the liquid LQ to reduce the force exerted on the substrate P, for example it may be a different value from each other according to the scanning direction and the scanning speed of the substrate P. 同様に、X軸方向に複数並んだ圧力調整用回収口98それぞれからの液体回収量を互いに異なる値にしてもよい。 Similarly, it may be a liquid recovery amount from the respective pressure-adjusting recovery ports 98 aligned plurality in the X-axis direction different from each other.

また、上述した実施形態においては、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98はそれぞれ2つずつ設けられているが、1つずつでもよいし、2つ以上の任意の複数箇所に設けられてもよい。 Further, in the above embodiment, the pressure-adjusting supply ports 97 and the pressure-adjusting recovery ports 98 are provided two each, may be the one provided in two or more arbitrary plural positions it may be. また、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98の形状は円形状に限られず、例えば矩形状や多角形状、円弧状、所定方向を長手方向とするスリット状であってもよい。 The shape of the pressure regulating supply ports 97 and the pressure-adjusting recovery ports 98 is not limited to a circular shape, for example rectangular or polygonal, arcuate, or may be a slit shape whose longitudinal direction in a predetermined direction.

なお、上述した実施形態において、液体供給口13及び液体回収口23や、それらに接続される供給流路14及び回収流路24などに、スポンジ状部材や多孔質セラミックスなどからなる多孔質体を配置してもよい。 Incidentally, in the embodiment described above, and the liquid supply port 13 and the liquid recovery port 23, and the like supply channel 14 and the recovery flow passage 24 is connected to, a porous body made of a sponge-like member or a porous ceramics it may be arranged.

なお、上述した実施形態においては、露光装置EXは、液浸領域AR2の液体LQの圧力を、圧力調整用供給口97及び圧力調整用回収口98を有する圧力調整機構90によって調整するが、図7に示すように、圧力調整機構90を省いた構成であっても、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整を行うことができる。 In the embodiment described above, the exposure apparatus EX, the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, is adjusted by the pressure adjusting mechanism 90 having a pressure regulating supply ports 97 and the pressure-adjusting recovery ports 98, Fig. as shown in 7, be configured omitting the pressure adjustment mechanism 90, it is possible to perform the liquid LQ of the pressure adjustment of the liquid immersion area AR2. 以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。 In the following description, the same reference numerals are given to identical or similar to those in the embodiments described above, simplified or omitted.

図7において、基板PはX軸方向に移動しながら露光光ELを照射されて露光されている。 7, the substrate P is exposed is irradiated with the exposure light EL while moving in the X-axis direction. そして、液浸領域AR2の液体LQの圧力調整は、液浸領域AR2を形成するための液体供給口13A、13Bからの単位時間当たりの液体供給量、あるいは液体回収口23A、23Bからの単位時間当たりの液体回収量を調整することによって行われている。 The pressure adjustment of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, the liquid supply ports 13A for forming the liquid immersion area AR2, the liquid supply amount per unit time from 13B, or the liquid recovery port 23A, the unit time from 23B is performed by adjusting the liquid recovery amount per. このように、液体供給口13A、13Bからの液体供給量又は液体回収口23A、23Bによる液体回収量を調整することで、液浸領域AR2の液体LQの圧力を調整して、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さを調整することもできる。 Thus, by adjusting the liquid supply ports 13A, liquid supply amount or the liquid recovery port 23A from 13B, the liquid recovery amount by 23B, by adjusting the pressure of the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, enters the gap G it is also possible to adjust the the height of the liquid surface of the liquid LQ.

また、光学素子2の側面2Tと流路形成部材70との間の隙間Gにおける液体LQの液面の高さに分布が生じる可能性がある。 Further, there is a possibility that the distribution of the liquid level of the liquid LQ may occur in the gap G between the side surface 2T and the flow path forming member 70 of the optical element 2. 例えば基板PがX軸方向に移動することにより、投影領域AR1に対して−X側の隙間G1及び+X側の隙間G2のうち、図7に示すように、例えば−X側の隙間G1に多くの液体LQが浸入してその液体LQの液面の高さが+X側に比べて高くなる場合がある。 By the substrate P is moved in the X-axis direction, for example, of the gap G2 of the gap G1 and the + X side of the -X side with respect to the projection area AR1, as shown in FIG. 7, for example, many on the -X side of the gap G1 sometimes LQ of the liquid to the height of the liquid surface of the liquid LQ is higher than the + X side intrusion. その場合、制御装置CONTは、−X側の隙間G1に浸入した液体LQの液面の高さを上限値より低くするために、投影光学系PLの投影領域AR1を囲むように設けられた液体供給口13A、13B、及び液体回収口23A、23Bのうち、例えば−X側の隙間G1に近い位置に設けられている液体供給口13Aからの液体供給量を液体供給口13Bからの液体供給量に比べて少なくしたり、液体回収口23Aからの液体回収量を液体回収口23Bからの液体回収量に比べて多くする等の調整を行う。 In that case, the control unit CONT, the height of the -X side surface of the liquid LQ which has entered into the gap G1 in order to lower than the upper limit value, the liquid which is provided to surround the projection area AR1 of the projection optical system PL the supply ports 13A, 13B, and the liquid recovery ports 23A, among 23B, for example, the liquid supply amount of the liquid supply amount from the liquid supply port 13B from the liquid supply ports 13A which is provided at a position closer to the gap G1 of the -X side adjusted such that many compared or less, the liquid recovery amount from the liquid recovery ports 23A to the liquid recovery amount from the liquid recovery port 23B in comparison with. このように、隙間Gにおける液体LQの液面の高さ位置の分布に応じて、複数の液体供給口13A、13Bそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口23A、23Bからの液体回収量を調整することで、隙間Gに浸入した液体LQの液面の高さをほぼ均一にすることができる。 Thus, according to the distribution of the height position of the liquid surface of the liquid LQ in the gap G, a plurality of liquid supply ports 13A, 13B liquid supply amount from each or a plurality of liquid recovery ports 23A,, liquid recovery from 23B by adjusting the amount, it is possible to substantially uniform the liquid level of the liquid has penetrated into the gap G LQ.

この場合においても、圧力センサ120は−X側の隙間G1及び+X側の隙間G2のそれぞれに設けられている構成であるため、これら複数の圧力センサ120それぞれの出力に基づいて、複数の液体供給口13A、13Bそれぞれからの液体供給量、あるいは複数の液体回収口23A、23Bそれぞれからの液体回収量を調整することができる。 Also in this case, since the pressure sensor 120 has a configuration is provided in each of the gap G2 of the gap G1 and the + X side of the -X side, based on the outputs of the plurality of pressure sensors 120, respectively, a plurality of liquid supply it can be adjusted liquid supply amount from each mouth 13A, 13B, or a plurality of liquid recovery ports 23A, the liquid recovery amount from 23B respectively.

上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is constituted by pure water. 純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。 Pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and the optical element (lens) and the like on the substrate P. また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。 Further, pure water has no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface of the optical element provided at the end face of the surface, and the projection optical system PL of the substrate P can be expected . なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 When the purity of pure water supplied from the factory or the like is low, the exposure apparatus may be provided with an ultrapure water-producing unit.

そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。 Then, when the wavelength is using pure water refractive index of the (water) n is said to substantially 1.44, ArF excimer laser light as the light source of the exposure light EL (wavelength 193 nm) for the exposure light EL of about 193 nm, is on the substrate P 1 / n, i.e. high resolution is shortened wavelength can be obtained about 134 nm. 更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 Furthermore, approximately n times the depth of focus than in the air, namely to be enlarged to about 1.44 times, when the depth of focus approximately the same as that when used in air may be secured, the projection optical system PL numerical aperture can be further increased, and also the resolution is improved in this respect.

なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9〜1.3になることもある。 In the case of using the liquid immersion method as described above, the numerical aperture NA of the projection optical system is 0.9 to 1.3. このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。 Since the when the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large, a random polarized light conventionally used as the exposure light sometimes the image formation performance is deteriorated due to the polarization effect, to use a polarized illumination desirable. その場合、マスク(レチクル)のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク(レチクル)のパターンからは、S偏光成分(TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。 In that case, it is appropriate that the linear polarized illumination, which is adjusted to the longitudinal direction of the line pattern of the line-and-space pattern of the mask (reticle), from the pattern of the mask (reticle), S-polarized light component (TE-polarized component), i.e. the line pattern may be as diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction is many injection of. 投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気(気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分(TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 If between coated on the projection optical system PL and the substrate P surface resist it is filled with a liquid, between the resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface is filled with air (gas) as compared with the case where there, since the transmittance of the resist surface of the diffracted light that contributes S-polarized light component to improve the contrast (TE-polarized component) is high, the numerical aperture NA of the projection optical system that exceeds 1.0 it is possible to obtain high imaging performance even when. また、位相シフトマスクや特開平6−188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法(特にダイボール照明法)等を適宜組み合わせると更に効果的である。 Moreover, it is further effective when combined oblique incidence illumination method, which is adjusted to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-phase shift masks and JP 6-188169 (particularly the dipole illumination method) or the like as appropriate.

また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン(例えば25〜50nm程度のライン・アンド・スペース)を基板P上に露光するような場合、マスクMの構造(例えばパターンの微細度やクロムの厚み)によっては、Wave guide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりS偏光成分(TE偏光成分)の回折光が多くマスクMから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 Further, for example, ArF excimer laser as the exposure light, 1/4 about using the projection optical system PL having a reduction magnification, the substrate fine line-and-space pattern (e.g. 25~50nm line-and-space of about) If such is exposed on P, depending on the structure of the mask M (for example, the pattern fineness and the thickness of chromium), the mask M acts as a polarizing plate due to the Wave guide effect, P-polarized light component lowering the contrast (TM-polarized light since the diffracted light of the S-polarized light component from the diffracted light component) (TE-polarized component) is radiated from the mask M, it is desirable to use the linear polarized illumination as described above, the mask M is illuminated with random polarized light also, it is the numerical aperture NA of the projection optical system PL obtain the high resolution performance even when large as 0.9 to 1.3. また、マスクM上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合、Wire Grid効果によりP偏光成分(TM偏光成分)がS偏光成分(TE偏光成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分(TE偏光成分)の回折光がP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 Further, when an extremely fine line-and-space pattern on the mask M such that the exposure on the substrate P, greater than P-polarized light components by Wire Grid effect (TM-polarized light component). The S-polarized light component (TE-polarized component) Although some potentially, for example, an ArF excimer laser as the exposure light, such as by using the projection optical system PL having a reduction magnification of about 1/4, to expose the 25nm line-and-space pattern larger than the substrate P in this case, since the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is radiated from the mask M than the diffracted light of the P polarized light component (TM-polarized light component), the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.9 it is possible to obtain the high resolution performance even when such large for 1.3.

更に、マスク(レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明(S偏光照明)だけでなく、特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線(周)方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。 Further, the line pattern of the mask (reticle) aligned in the longitudinal direction linearly polarized light illumination (S polarized light illumination) as well, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-53120, of a circle centering on the optical axis the combination of a tangent (circumference) polarized illumination method that linearly polarizes in a direction oblique incidence illumination method is also effective. 特に、マスク(レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。 In particular, not only the line pattern the pattern of the mask (reticle) extends in a predetermined direction, as in the case where the line patterns extending in a plurality of different directions in a mixed manner, are also disclosed in JP-A-6-53120 to, in the tangential direction of a circle centering on the optical axis by a combination of a polarization illumination method and the zonal illumination method that linearly polarized, it is possible to obtain high imaging performance even when the numerical aperture NA of the projection optical system is large it can.

本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。 In the present embodiment, the optical element 2 is attached to the end portion of the projection optical system PL, the optical characteristics of the projection optical system PL by the lens can be performed, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) to adjust the. なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。 The optical element to be attached to the tip of the projection optical system PL, and may be an optical plate used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL. あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 Alternatively the exposure light EL may be a plane parallel plate that can transmit.

なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 Incidentally, if the pressure between the substrate P and the optical element at the tip of the projection optical system PL caused by the flow of the liquid LQ is large, instead of the replaceable its optical element, the optical element is moved by the pressure it may be firmly fixed so as not.

なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the liquid state is between is a configuration which is filled with the liquid LQ, for example, fitted with a cover glass comprising a plane parallel plate to the surface of the substrate P and the projection optical system PL and the substrate P surface it may be configured to satisfy the LQ.

なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF レーザである場合、このF レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 Although the liquid LQ of this embodiment is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is not transmitted through water , as the liquid LQ that can transmit the F 2 laser light may include, for example, fluorine-based fluid such as perfluoropolyether (PFPE) or fluorine based oil. この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 In this case, the portion in contact with the liquid LQ, lyophilic treatment by forming a thin film, for example having a molecular structure with small polarity including fluorine material. また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 Further, as the liquid LQ, Besides, if there is transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, stable ones (e.g. cedar the photo resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface oil) can also be used. この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。 In this case, the surface treatment is performed depending on the polarity of the liquid LQ to be used.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices but glass substrates for display devices, the original plate of a mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary. この場合、例えば、倍率1/8の屈折系の投影光学系を備えた投影露光装置(液浸型)とし、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 In this case, for example, a refracting system projection exposure apparatus having a projection optical system of the magnification 1/8 and (immersion), a step-and-stitch to be transferred partially overlapping at least two patterns on the substrate P It can be applied to an exposure apparatus of a type.

また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。 Further, the present invention, JP-A 10-163099, JP-A No. 10-214783, JP-can also be applied to a twin stage type exposure apparatus are disclosed in, JP-T-2000-505958.

また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置にも適用可能である。 In the embodiment described above adopts the exposure apparatus in which the liquid is locally filled between the projection optical system PL and the substrate P, the present invention is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-124873 even a stage holding a substrate subject to exposure, such as being in an immersion exposure apparatus that moves in the liquid tank is applicable.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ) or it can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.

基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 When the linear motor is used for the substrate stage PST or the mask stage MST (see USP5,623,853 or USP5,528,118), using either a magnetic levitation type that uses an air floating type Lorentz force or reactance force using air bearings it may be. また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 Further, each of the stages PST, MST may be a type that moves along a guide or may be the guideless type in which no guide is provided.

各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。 As each of the stages PST, MST driving mechanism, a magnet unit in which magnets are two-dimensional, each of the stages PST by an electromagnetic force is opposed to the armature unit in which to place the coils in a two-dimensional, MST is driven it may be used. この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。 In this case, either one stage PST of the magnet unit and the armature unit is connected MST, and may be provided and the other of the magnet unit and the armature unit stage PST, the moving surface side of the MST.

基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Generated by the movement of the substrate stage PST reaction force so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-166475 discloses (USP5,528,118), mechanically using a frame member it may be released to the floor (ground).
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Reaction force generated by the movement of the mask stage MST, so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-330224 discloses (US S / N 08 / 416,558), using a frame member mechanically it may be released to the floor (ground) Te.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy , it is manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 8, step 201 that designs the functions and performance of the microdevice, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate a step 203 of producing the exposure process step 204 of exposing a pattern of a mask onto a substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment described above, a device assembly step (dicing, bonding, including packaging step) 205, an inspection step 206, etc. It is produced through.

本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 流路形成部材を示す斜視図である。 It is a perspective view showing a flow path forming member. 流路形成部材を下面側から見た斜視図である。 It is a perspective view of the flow path forming member from the lower surface side. 図2のA−A断面矢視図である。 Is an A-A sectional view on arrows of FIG. 図2のB−B断面矢視図である。 A B-B sectional view on arrows of FIG. 本発明の露光装置の動作の一例を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing an example of the operation of the exposure apparatus of the present invention. 本発明の露光装置の別の実施形態を示す断面図である。 Another embodiment of the exposure apparatus of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 Is a flow chart showing an example of a manufacturing process of semiconductor devices.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2…光学素子(光学部材)、2T…側面、10…液体供給機構、 2 ... optical element (optical member), 2T ... side, 10 ... liquid supply mechanism,
13(13A、13B)…液体供給口、20…液体回収機構、 13 (13A, 13B) ... liquid supply port, 20 ... liquid recovery mechanism,
23(23A、23B)…液体回収口、70…流路形成部材(環状部材)、 23 (23A, 23B) ... liquid recovery port, 70 ... flow path forming member (annular member),
90…圧力調整機構、97A、97B…圧力調整用供給口(第2液体供給口)、 90 ... pressure adjustment mechanism, 97A, 97B ... for adjusting pressure supply port (second liquid supply ports),
98A、98B…圧力調整用回収口(第2液体回収口)、 98A, 98B ... pressure adjusting recovery ports (second liquid recovery port),
120…圧力センサ(圧力検出器)、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、 120 ... pressure sensor (pressure detector), AR1 ... projection area, AR2 ... immersion area,
EL…露光光、EX…露光装置、P…基板、PK…鏡筒(保持部材)、 EL ... exposure light, EX ... exposure apparatus, P ... substrate, PK ... barrel (holding member),
PL…投影光学系、LQ…液体 PL ... projection optical system, LQ ... liquid

Claims (9)

  1. 投影光学系と基板との間に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射して該基板を露光する露光装置において、 In the exposure apparatus to form the liquid immersion area of ​​the liquid, to expose the substrate by radiating an exposure light beam onto the substrate through said said projection optical system liquid between the projection optical system and the substrate,
    前記投影光学系を構成する複数の光学部材のうち前記液体に接する光学部材の側面又は該光学部材を保持する保持部材の側面を囲むように設けられ、液体供給口又は液体回収口のうち少なくともいずれか一方を有する環状部材を備え、 Provided to surround the side surface of the holding member for holding the side or the optical member of the optical member in contact with the liquid of the plurality of optical members constituting the projection optical system, one at least of the liquid supply port or the liquid recovery port or an annular member having one,
    前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間に浸入した液体が、所定の高さ以上に浸入しないように、前記液浸領域の液体の圧力を調整することを特徴とする露光装置。 And characterized in that the liquid having entered a gap between the side surface of the optical member and the holding member and the annular member, so as not penetrate more than a predetermined height, for adjusting the pressure of liquid in the liquid immersion area exposure apparatus that.
  2. 前記隙間の圧力を検出する圧力検出器を備え、 A pressure detector for detecting the pressure of the gap,
    前記圧力検出器の検出結果に基づいて、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 On the basis of the detection result of the pressure detector, the exposure apparatus according to claim 1, characterized in that the pressure adjustment of the liquid.
  3. 前記液浸領域を形成するための前記液体供給口からの単位時間当たりの液体供給量、及び前記液体回収口からの単位時間当たりの液体回収量のうち少なくともいずれか一方を調整することによって、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 Liquid supply amount per unit time from the liquid supply port for forming the liquid immersion area, and by adjusting at least one of the liquid recovery amount per unit time from the liquid recovery port, wherein exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein the performing pressure adjustment of the liquid.
  4. 前記液体供給口及び前記液体回収口のそれぞれは、前記投影光学系の投影領域を囲むように複数設けられ、 Each of the liquid supply port and the liquid recovery port, a plurality provided to surround the projection area of ​​the projection optical system,
    前記光学部材又は前記保持部材の側面と前記環状部材との間の隙間における液体の高さの分布に応じて、前記複数の液体供給口それぞれからの液体供給量、及び前記複数の液体回収口からの液体回収量のうち少なくともいずれか一方が調整されることを特徴とする請求項3記載の露光装置。 Wherein according to the height of the distribution of the liquid in the gap between the side surface of the optical member and the holding member and the annular member, the liquid supply amount from each of the plurality of liquid supply ports, and the plurality of liquid recovery ports the exposure apparatus according to claim 3, wherein the at least one can be adjusted out of the liquid recovery amount.
  5. 前記基板は所定方向に移動しながら露光され、 The substrate is exposed while being moved in a predetermined direction,
    前記液体供給口及び前記液体回収口は、前記所定方向に関し、前記投影光学系の投影領域を挟んだ両側のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項4記載の露光装置。 The liquid supply port and the liquid recovery port, the For a given direction, the exposure apparatus according to claim 4, characterized in that provided on each of both sides of the projection area of ​​the projection optical system.
  6. 前記液体回収口は前記液体供給口より前記投影光学系の投影領域に対して外側に設けられていることを特徴とする請求項4又は5記載の露光装置。 The liquid recovery port exposure apparatus according to claim 4 or 5 further characterized in that provided on the outside with respect to the projection area of ​​the projection optical system from the liquid supply port.
  7. 前記液体供給口及び前記液体回収口とは別の第2液体供給口及び第2液体回収口を備え、前記第2液体供給口及び前記第2液体回収口を介して液体の追加又は液体の一部回収を行うことによって、前記液体の圧力調整を行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。 Wherein with another second liquid supply port and the second liquid recovery port and the liquid inlet and the liquid recovery port, additional or liquid in the liquid through said second liquid inlet and said second liquid recovery port one by performing part recovery, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the pressure adjustment of the liquid.
  8. 前記第2液体供給口及び前記第2液体回収口は、前記液体供給口よりも前記投影光学系の投影領域の近くに配置されていることを特徴とする請求項7記載の露光装置。 The second liquid supply port and the second liquid recovery port, exposure apparatus according to claim 7, characterized in that it is located near the projection area of ​​the projection optical system than said liquid supply port.
  9. 請求項1〜請求項8のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。 Device manufacturing method comprising using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to claim 8.
JP2004044800A 2004-02-20 2004-02-20 Exposure apparatus and device manufacturing method Active JP4479269B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004044800A JP4479269B2 (en) 2004-02-20 2004-02-20 Exposure apparatus and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004044800A JP4479269B2 (en) 2004-02-20 2004-02-20 Exposure apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005236121A true true JP2005236121A (en) 2005-09-02
JP4479269B2 JP4479269B2 (en) 2010-06-09

Family

ID=35018735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004044800A Active JP4479269B2 (en) 2004-02-20 2004-02-20 Exposure apparatus and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4479269B2 (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006054468A (en) * 2004-08-13 2006-02-23 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
JP2007110109A (en) * 2005-10-06 2007-04-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
JP2007180271A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corp Imaging optical system, method of manufacturing same, method of adjusting same, method of manufacturing exposure apparatus and device
JP2008147652A (en) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008182241A (en) * 2007-01-23 2008-08-07 Nikon Corp Liquid recovery system, apparatus for immersion exposure, method for immersion exposure, and method of fabricating device
JP2009508327A (en) * 2005-09-13 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Optical imaging characteristic setting method and a projection exposure apparatus
JPWO2007055373A1 (en) * 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン The liquid recovery member, an exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2009164622A (en) * 2004-12-07 2009-07-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101010297B1 (en) 2007-09-27 2011-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP2012124539A (en) * 2005-06-21 2012-06-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
JP2012138631A (en) * 2008-09-17 2012-07-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating lithographic apparatus
JP2012147015A (en) * 2005-02-22 2012-08-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012064982A (en) * 2004-08-13 2012-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9268242B2 (en) 2004-08-13 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater and a temperature sensor
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US7804575B2 (en) 2004-08-13 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method having liquid evaporation control
JP2014027308A (en) * 2004-08-13 2014-02-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2009105443A (en) * 2004-08-13 2009-05-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2006054468A (en) * 2004-08-13 2006-02-23 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and device manufacturing method
JP2009164622A (en) * 2004-12-07 2009-07-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012094892A (en) * 2004-12-07 2012-05-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012147015A (en) * 2005-02-22 2012-08-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8902404B2 (en) 2005-02-22 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9268236B2 (en) 2005-06-21 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method having heat pipe with fluid to cool substrate and/or substrate holder
JP2012124539A (en) * 2005-06-21 2012-06-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
JP2009508327A (en) * 2005-09-13 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー Optical imaging characteristic setting method and a projection exposure apparatus
US8004654B2 (en) 2005-10-06 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8958054B2 (en) 2005-10-06 2015-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4502993B2 (en) * 2005-10-06 2010-07-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007110109A (en) * 2005-10-06 2007-04-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of manufacturing device
JPWO2007055373A1 (en) * 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン The liquid recovery member, an exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2007180271A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corp Imaging optical system, method of manufacturing same, method of adjusting same, method of manufacturing exposure apparatus and device
JP2008147652A (en) * 2006-12-07 2008-06-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011097107A (en) * 2006-12-07 2011-05-12 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9645506B2 (en) 2006-12-07 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2013239741A (en) * 2007-01-23 2013-11-28 Nikon Corp Liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
JP2013070074A (en) * 2007-01-23 2013-04-18 Nikon Corp Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2008182241A (en) * 2007-01-23 2008-08-07 Nikon Corp Liquid recovery system, apparatus for immersion exposure, method for immersion exposure, and method of fabricating device
JP2015035628A (en) * 2007-01-23 2015-02-19 株式会社ニコン Liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
KR101496478B1 (en) 2007-01-23 2015-02-26 가부시키가이샤 니콘 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JP2012142605A (en) * 2007-01-23 2012-07-26 Nikon Corp Liquid recovery system, the immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and device manufacturing method
JP2012209592A (en) * 2007-01-23 2012-10-25 Nikon Corp Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, device manufacturing method, and immersion member
KR101010297B1 (en) 2007-09-27 2011-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP2012138631A (en) * 2008-09-17 2012-07-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP4479269B2 (en) 2010-06-09 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070177125A1 (en) Substrate holding unit, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
US7535550B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080106707A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20060176456A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20060098177A1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and exposure method for producing device
US20070269294A1 (en) Substrate Holding Device, Exposure Apparatus, and Device Manufacturing Method
US20070216889A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
EP1571698A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
US20070146663A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US20080266533A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20080043210A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
US20080018866A1 (en) Exposure Apparatus and Device Producing Method
JP2005191557A (en) Exposure apparatus and method, and manufacturing method of device
JP2005252247A (en) Exposure device, exposure method, and method of fabricating the device
JP2004259966A (en) Aligner and device manufacturing method
US20070132976A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2005109426A (en) Aligner, exposure method, and device manufacturing method
JP2006165500A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2006019720A (en) Exposure apparatus, exposure method and method of manufacturing device
JP2005045232A (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing device
JP2005268700A (en) Staging device and aligner
US20090115977A1 (en) Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method
JP2005303167A (en) Stage device and exposure device
JP2005101488A (en) Aligner, exposure method, and manufacturing method of device
JP2005191344A (en) Aligner and manufacturing method of device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100223

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100308

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250