JP2006253444A - 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 少なくとも発光層を含む有機機能層を有する発光装置において、有機機能層の長寿命化を図ることができる発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器を提案する。
【解決手段】 陽極１４と陰極２８との間に、少なくとも発光層２０を有する有機機能層３０が配置された発光装置１０において、有機機能層３０は、有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含む。
【選択図】 図１
【解決手段】 陽極１４と陰極２８との間に、少なくとも発光層２０を有する有機機能層３０が配置された発光装置１０において、有機機能層３０は、有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含む。
【選択図】 図１
Description
本発明は、陽極と陰極との間に、発光層等が積層された有機機能層を有する発光装置、その製造方法、及び電子機器に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する。）装置は、薄膜を積層した構造を有する自発光型の高速応答性表示素子を備えるため、軽くて動画対応に優れた表示パネルを形成でき、近年ではＦＰＤ（Flat Panel Display）テレビ等の表示パネルとして非常に注目されている。
その代表的な製造方法としては、ガラス基板上に、フォトリソグラフィ技術を用いて透明陽極を所望の形状にパターニングし、更に透明陽極上に蒸着法を用いて発光層を含む複数の有機機能層を成膜し、更に陰極を順次、積層する方法が知られている。
有機機能層には、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層などの正孔輸送能を持つ材料からなる層や、電子輸送層、電子注入層などの電子輸送能を持つ材料からなる層などが含まれたものがある。そして、透明陽極と陰極との間に電界を印加することにより、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機機能層に注入され、この電子と正孔が再結合し、励起子が形成され、それが基底状態に戻るときに発光する。
その代表的な製造方法としては、ガラス基板上に、フォトリソグラフィ技術を用いて透明陽極を所望の形状にパターニングし、更に透明陽極上に蒸着法を用いて発光層を含む複数の有機機能層を成膜し、更に陰極を順次、積層する方法が知られている。
有機機能層には、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層などの正孔輸送能を持つ材料からなる層や、電子輸送層、電子注入層などの電子輸送能を持つ材料からなる層などが含まれたものがある。そして、透明陽極と陰極との間に電界を印加することにより、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機機能層に注入され、この電子と正孔が再結合し、励起子が形成され、それが基底状態に戻るときに発光する。
上述した発光層としては、蛍光材料が多く用いられていたが、燐光材料を利用することも提案されている（非特許文献１参照）。燐光材料を用いた方が、蛍光材料を用いた場合に比べて、約３倍の発光効率を達成可能であると考えられているからである。
非特許文献１においては、緑色の発光層として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（4,4′-N,N′-dicarbazol-biphenyl）に、ＣＢＰ（tris(2-phenylpyridine)iridium）を６．５質量％（wt％）ドープした混合物発光層を有する有機ＥＬ素子が開示されている。
Tetsuo Tsutsui,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38(1999)L1502-L1504
非特許文献１においては、緑色の発光層として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（4,4′-N,N′-dicarbazol-biphenyl）に、ＣＢＰ（tris(2-phenylpyridine)iridium）を６．５質量％（wt％）ドープした混合物発光層を有する有機ＥＬ素子が開示されている。
Tetsuo Tsutsui,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38(1999)L1502-L1504
ところで、上述した技術において、発光層に含まれるＣＢＰは、結晶化しやすいという性質を有する。また、発光層上に配置される正孔阻止層を形成するＢＣＰ（2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline）は、ガラス遷移温度（Ｔｇ）が６２℃と比較的低いという性質を有する。
このため、有機機能層が加熱されると、発光層等の膜構造が変化して、これにより、有機機能層の機能が低下してしまうという問題がある。具体的には、有機機能層の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下を招く。
このように、有機機能層に耐熱性の低い層が含まれる場合には、有機機能層の寿命が短くなりやすく、したがって、有機ＥＬ装置の長寿命化が困難であるという問題がある。
このため、有機機能層が加熱されると、発光層等の膜構造が変化して、これにより、有機機能層の機能が低下してしまうという問題がある。具体的には、有機機能層の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下を招く。
このように、有機機能層に耐熱性の低い層が含まれる場合には、有機機能層の寿命が短くなりやすく、したがって、有機ＥＬ装置の長寿命化が困難であるという問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、少なくとも発光層を含む有機機能層を有する発光装置において、有機機能層の長寿命化を図ることができる発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器を提案することを目的とする。
本発明に係る発光装置、発光装置、電子機器の製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機機能層が配置された発光装置において、有機機能層は、有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含むようにした。
この発明によれば、有機機能層を形成する有機機能層形成材料が、ガラス遷移温度（Ｔｇ）が比較的低い特性を有する材料の場合であっても、有機機能層が有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含む（混合される）ように構成されるので、有機機能層の耐熱性を向上させることが可能となる。これにより、高温時における膜構造の変化を防止することができ、発光装置の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下といった不具合の発生が防止できる。
第１の発明は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機機能層が配置された発光装置において、有機機能層は、有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含むようにした。
この発明によれば、有機機能層を形成する有機機能層形成材料が、ガラス遷移温度（Ｔｇ）が比較的低い特性を有する材料の場合であっても、有機機能層が有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含む（混合される）ように構成されるので、有機機能層の耐熱性を向上させることが可能となる。これにより、高温時における膜構造の変化を防止することができ、発光装置の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下といった不具合の発生が防止できる。
また、発光層が、有機材料として正孔輸送性材料を含むものでは、発光層の耐熱性を向上させると共に、発光層を正孔輸送層に良好に接合させることが可能となる。
また、正孔輸送性材料が、発光層中に５体積％（vol％）以上７０体積％以下含まれるものでは、発光層の発光性能を維持しつつ耐熱性の向上を図ることが可能となる。
また、有機機能層が、有機材料として電子輸送性材料を含む正孔阻止層を有するものでは、正孔阻止層の耐熱性を向上させると共に、正孔阻止層を電子輸送層に良好に接合させることが可能となる。
また、電子輸送性材料が、正孔阻止層中に５体積％（vol％）以上７０体積％以下含まれるものでは、正孔阻止層の正孔阻止性能を維持しつつ耐熱性の向上を図ることが可能となる。
また、正孔輸送性材料が、発光層中に５体積％（vol％）以上７０体積％以下含まれるものでは、発光層の発光性能を維持しつつ耐熱性の向上を図ることが可能となる。
また、有機機能層が、有機材料として電子輸送性材料を含む正孔阻止層を有するものでは、正孔阻止層の耐熱性を向上させると共に、正孔阻止層を電子輸送層に良好に接合させることが可能となる。
また、電子輸送性材料が、正孔阻止層中に５体積％（vol％）以上７０体積％以下含まれるものでは、正孔阻止層の正孔阻止性能を維持しつつ耐熱性の向上を図ることが可能となる。
第２の発明は、陽極を形成する工程と、陽極上に少なくとも発光層を含む有機機能層を形成する工程と、有機機能層上に陰極を形成する工程と、を含む発光装置の製造方法において、有機機能層形成工程は、有機機能層形成材料と有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を混合して成膜する工程を有するようにした。
この発明によれば、有機機能層が、有機機能層形成材料と当該有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料とが混合されて形成されるので、有機機能層の耐熱性向上を図ることができる。これにより、高温時における膜構造の変化を防止することができ、発光装置の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下といった不具合の発生が防止できる。
この発明によれば、有機機能層が、有機機能層形成材料と当該有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料とが混合されて形成されるので、有機機能層の耐熱性向上を図ることができる。これにより、高温時における膜構造の変化を防止することができ、発光装置の駆動電圧の上昇、発光輝度の低下、寿命の低下といった不具合の発生が防止できる。
また、有機機能層形成工程が、有機材料としての正孔輸送性材料と、発光材料とを共蒸着法により混合させて、発光層を形成する工程を有するものでは、発光層形成材料と正孔輸送性材料とを良好に混合させて、発光層を形成することができる。
また、有機機能層形成工程が、有機材料としての電子輸送性材料と、正孔阻止材料とを共蒸着法により混合させて、正孔阻止層を形成する工程を有するものでは、正孔阻止層形成材料と電子輸送性材料とを良好に混合させて、正孔阻止層を形成することができる。
また、有機機能層形成工程が、有機材料としての電子輸送性材料と、正孔阻止材料とを共蒸着法により混合させて、正孔阻止層を形成する工程を有するものでは、正孔阻止層形成材料と電子輸送性材料とを良好に混合させて、正孔阻止層を形成することができる。
第３の発明は、電子機器が、第１の発明の発光装置を備えるようにした。この発明によれは、表示部として、耐熱性及び発光効率が高い発光装置が用いられるので、高品質、高性能な電子機器を提供することが可能となる。
以下、本発明の発光装置、発光装置の製造方法の実施形態について図を参照して説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために、各構成要素の寸法等を適宜変更して表示している。
［有機ＥＬ装置］
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置（発光装置）１０は、陽極１４と陰極２８との間に、発光層２０を含む有機機能層３０を備えたものである。
有機機能層３０は、例えば、正孔注入層１６、正孔輸送層１８、発光層２０、正孔阻止層２２、電子輸送層２４、電子注入層２６を備えたものである。
なお、以下では、発光層２０等が低分子有機材料で構成された低分子有機ＥＬ装置の場合を例にして説明するが、発光層２０等が高分子有機材料で構成された高分子有機ＥＬ装置に対して、本発明を適用することも可能である。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置（発光装置）１０は、陽極１４と陰極２８との間に、発光層２０を含む有機機能層３０を備えたものである。
有機機能層３０は、例えば、正孔注入層１６、正孔輸送層１８、発光層２０、正孔阻止層２２、電子輸送層２４、電子注入層２６を備えたものである。
なお、以下では、発光層２０等が低分子有機材料で構成された低分子有機ＥＬ装置の場合を例にして説明するが、発光層２０等が高分子有機材料で構成された高分子有機ＥＬ装置に対して、本発明を適用することも可能である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、ガラス等の光透過性を有する基板１２の表面に形成され、発光層２０からの光を基板側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置となっている。なお、発光層２０からの光を基板１２の反対側（陰極２８側）から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置に対して、本発明を適用することも可能である。
また、基板１２の表面にはスイッチング素子等を含む回路部（不図示）が形成され、その表面に次述する有機ＥＬ素子が形成されている。そのスイッチング素子により、有機ＥＬ素子が駆動されるようになっている。
また、基板１２の表面にはスイッチング素子等を含む回路部（不図示）が形成され、その表面に次述する有機ＥＬ素子が形成されている。そのスイッチング素子により、有機ＥＬ素子が駆動されるようになっている。
陽極１４は、ＩＴＯ（indium-tin-oxide、インジウム錫酸化物）等の透明導電性材料を基板１２の表面に配置して構成される。一方、有機機能層３０を介して、陽極１４と対向配置される陰極２８は、ＡｌやＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の金属材料で構成される。このように、陰極２８を良好な光反射性を有する金属材料で形成することにより、発光層２０からの光を陰極２８で反射して基板１２側から取り出すことが可能になり、光利用効率を向上させることができる。
発光層２０は、陽極１４および陰極２８によって、電流を流すことにより発光する機能を有する。カラー表示を行う有機ＥＬ装置では、それぞれ異なる色光に発光する複数の発光層２０が、基板１２上に整列配置されている。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０においては、緑色に発光する発光層２０は、燐光を発生させる材料（燐光材料）で構成されている。
具体的には、ホスト材料として、カルバゾール基を有したＣＢＰに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３等（イリジウム錯体）の三重項励起子からの発光が可能な燐光材料を添加（ドープ）したものが好適に用いられる。なお、添加するイリジウム錯体を調整することにより、発光色を変えることができる。また、Ｉｒ（ｐｐｙ）３等の他に、白金を用いてもよい。
更に、耐熱性向上を目的として、α―ＮＰＤ（Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine）がドープされる。なお、α―ＮＰＤのガラス遷移温度（Ｔｇ）は、９５℃である。
このように、ＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３に対して、α―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０を形成するのは、ＣＢＰのガラス遷移温度（Ｔｇ）が約６０℃程度と、比較的低いという性質を有するためである。すなわち、発光層２０がＣＢＰのガラス遷移温度よりも加熱されると、発光層の膜構造が変化し、これにより、発光層２０の機能が低下してしまうからである。具体的には、発光層２０を発光させるための駆動電圧が上昇したり、発光輝度の低下、寿命の低下が発生したりする。そこで、ＣＢＰよりもガラス遷移温度が高いα―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０の耐熱性を向上させるようにしている。
また、α―ＮＰＤを用いるのは、α―ＮＰＤが正孔輸送性を有する材料であるためである。発光層２０は、正孔輸送層１８と接触するので、発光層２０に正孔輸送性を有する材料をドープして、発光層２０の耐熱性の向上、正孔輸送層１８との密着性の向上、正孔輸送層１８の正孔輸送性の維持を図るためである。
正孔輸送性を有する材料として、スピロ−ＴＡＤ（Ｔｇ＝１３３℃）、ＨＴＭ１（Ｔｇ＝１１０℃）、ＴＣＴＡ（Ｔｇ＝１５１℃），２−ＴＮＴＡ（Ｔｇ＝１１０℃）、ＴＰＴＥ１（Ｔｇ＝１４０℃）、ＴＦＬＦＬ（Ｔｇ＝１８６℃）等を用いても良い。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０においては、緑色に発光する発光層２０は、燐光を発生させる材料（燐光材料）で構成されている。
具体的には、ホスト材料として、カルバゾール基を有したＣＢＰに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３等（イリジウム錯体）の三重項励起子からの発光が可能な燐光材料を添加（ドープ）したものが好適に用いられる。なお、添加するイリジウム錯体を調整することにより、発光色を変えることができる。また、Ｉｒ（ｐｐｙ）３等の他に、白金を用いてもよい。
更に、耐熱性向上を目的として、α―ＮＰＤ（Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine）がドープされる。なお、α―ＮＰＤのガラス遷移温度（Ｔｇ）は、９５℃である。
このように、ＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３に対して、α―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０を形成するのは、ＣＢＰのガラス遷移温度（Ｔｇ）が約６０℃程度と、比較的低いという性質を有するためである。すなわち、発光層２０がＣＢＰのガラス遷移温度よりも加熱されると、発光層の膜構造が変化し、これにより、発光層２０の機能が低下してしまうからである。具体的には、発光層２０を発光させるための駆動電圧が上昇したり、発光輝度の低下、寿命の低下が発生したりする。そこで、ＣＢＰよりもガラス遷移温度が高いα―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０の耐熱性を向上させるようにしている。
また、α―ＮＰＤを用いるのは、α―ＮＰＤが正孔輸送性を有する材料であるためである。発光層２０は、正孔輸送層１８と接触するので、発光層２０に正孔輸送性を有する材料をドープして、発光層２０の耐熱性の向上、正孔輸送層１８との密着性の向上、正孔輸送層１８の正孔輸送性の維持を図るためである。
正孔輸送性を有する材料として、スピロ−ＴＡＤ（Ｔｇ＝１３３℃）、ＨＴＭ１（Ｔｇ＝１１０℃）、ＴＣＴＡ（Ｔｇ＝１５１℃），２−ＴＮＴＡ（Ｔｇ＝１１０℃）、ＴＰＴＥ１（Ｔｇ＝１４０℃）、ＴＦＬＦＬ（Ｔｇ＝１８６℃）等を用いても良い。
また、α―ＮＰＤは、ホスト材料（ＣＢＰ及びＩｒ（ｐｐｙ）３）に対して、例えば、５０体積％の割合でドープされる。好ましくは、α―ＮＰＤは、ホスト材料に対して、５体積％以上７０体積％以下の割合でドープされる。これにより、発光層２０の発光性能を維持しつつ、発光層２０の膜構造の変化を防止（ピン止め効果）して、耐熱性の向上を図ることが可能となる。
ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とα―ＮＰＤとを混合して、発光層２０を形成する方法としては、共蒸着法が用いられる。共蒸着法を用いることにより、ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とα―ＮＰＤとを良好に混合することができると共に、各材料の比率を容易に調整することが可能である。
なお、発光層２０の厚さは、例えば、３０ｎｍ程度に形成される。
ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とα―ＮＰＤとを混合して、発光層２０を形成する方法としては、共蒸着法が用いられる。共蒸着法を用いることにより、ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とα―ＮＰＤとを良好に混合することができると共に、各材料の比率を容易に調整することが可能である。
なお、発光層２０の厚さは、例えば、３０ｎｍ程度に形成される。
陽極１４と発光層２０との間には、陽極１４から供給される正孔を発光層２０に注入する正孔注入層１６が設けられる。正孔注入層１６は、ＣｕＰＣ（Phalocyanine,copper complex）等から形成され、陽極１４上に配置される。
さらに、陽極１４から供給される正孔を発光層２０に輸送する正孔輸送層１８を設けられる。正孔輸送層１８は、α―ＮＰＤ等の正孔輸送性を有する材料からなり、正孔注入層１６と発光層２０との間に配置される。なお、α―ＮＰＤに対して、更に耐熱性の高い（ＮＤＡ）ＰＰ（Ｔｇ＝１９４℃）をドープしてもよい。これにより、正孔輸送層１８の耐熱性を向上させることができる。
また、発光層２０と陰極２８との間には、陽極１４から供給された正孔（ホール）が電子輸送層２４に到達するのを阻止する正孔阻止層２２が配置される。
正孔阻止層２２は、正孔阻止性を有するＢＣＰ等により形成される。ＢＣＰは、バンドギャップ幅が非常に広く、かつ電子移動度が正孔移動度よりも高いため、正孔阻止材料として好適に用いられる。しかし、ＢＣＰのガラス遷移温度（Ｔｇ）は約６２℃と、比較的低いという性質を有する。したがって、正孔阻止層２２がＢＣＰのガラス遷移温度よりも加熱されると、正孔阻止層２２の膜構造が変化し、これにより、正孔阻止層２２の機能が低下してしまう。
そこで、ＢＣＰよりもガラス遷移温度が高いＡｌｑ３（アルミキノリノール錯体）をドープすることにより、正孔阻止層２２の耐熱性を向上させる。
なお、Ａｌｑ３を用いるのは、Ａｌｑ３が電子輸送性を有する材料であるためである。すなわち、正孔阻止層２２は、電子輸送層２４と接触するので、正孔阻止層２２に電子輸送性を有する材料をドープして、正孔阻止層２２の耐熱性の向上、電子輸送層２４との密着性の向上、電子輸送層２４の電子輸送性の維持を図るためである。
また、電子輸送性を有する材料として、ＢＰＶＢｉ、トリアゾール誘導体、オキサンジアゾール誘導体、シロール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体等を用いても良い。
正孔阻止層２２は、正孔阻止性を有するＢＣＰ等により形成される。ＢＣＰは、バンドギャップ幅が非常に広く、かつ電子移動度が正孔移動度よりも高いため、正孔阻止材料として好適に用いられる。しかし、ＢＣＰのガラス遷移温度（Ｔｇ）は約６２℃と、比較的低いという性質を有する。したがって、正孔阻止層２２がＢＣＰのガラス遷移温度よりも加熱されると、正孔阻止層２２の膜構造が変化し、これにより、正孔阻止層２２の機能が低下してしまう。
そこで、ＢＣＰよりもガラス遷移温度が高いＡｌｑ３（アルミキノリノール錯体）をドープすることにより、正孔阻止層２２の耐熱性を向上させる。
なお、Ａｌｑ３を用いるのは、Ａｌｑ３が電子輸送性を有する材料であるためである。すなわち、正孔阻止層２２は、電子輸送層２４と接触するので、正孔阻止層２２に電子輸送性を有する材料をドープして、正孔阻止層２２の耐熱性の向上、電子輸送層２４との密着性の向上、電子輸送層２４の電子輸送性の維持を図るためである。
また、電子輸送性を有する材料として、ＢＰＶＢｉ、トリアゾール誘導体、オキサンジアゾール誘導体、シロール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体等を用いても良い。
また、Ａｌｑ３は、ホスト材料（ＢＣＰ）に対して、例えば、５０体積％の割合でドープされる。好ましくは、Ａｌｑ３は、ホスト材料に対して、５体積％以上７０体積％以下の割合でドープされる。これにより、正孔阻止層２２の正孔阻止性能を維持しつつ、正孔阻止層２２の膜構造の変化を防止（ピン止め効果）して、耐熱性の向上を図ることが可能となる。
ＢＣＰとＡｌｑ３とを混合して、正孔阻止層２２を形成する方法としては、共蒸着法が用いられる。共蒸着法を用いることにより、ＢＣＰとＡｌｑ３とを良好に混合することができると共に、各材料の比率を容易に調整することが可能である。
ＢＣＰとＡｌｑ３とを混合して、正孔阻止層２２を形成する方法としては、共蒸着法が用いられる。共蒸着法を用いることにより、ＢＣＰとＡｌｑ３とを良好に混合することができると共に、各材料の比率を容易に調整することが可能である。
更に、正孔阻止層２２と陰極２８との間には、陰極２８から供給される電子を発光層２０に輸送する機能を有する電子輸送層２４が配置される。この電子輸送層２４は、Ａｌｑ３で構成することが望ましい。Ａｌｑ３は熱的に安定であり、また合成・精製が容易だからである。
また、陰極２８から供給される電子を発光層２０に注入する電子注入層２６を設けられる。電子注入層２６は、Ｌｉ等のアルカリ金属の化合物からなり、陰極２８と電子輸送層２４との間に配置される。
有機ＥＬ装置１０の製造方法としては、基板１２上に、陽極１４、正孔注入層１６、正孔輸送層１８、発光層２０、正孔阻止層２２、電子輸送層２４、電子注入層２６、陰極２８を順に積層することにより行われる。
そして、上述したように、正孔輸送層１８、発光層２０、正孔阻止層２２の形成工程においては、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを共蒸着法を用いて、混合して積層させる方法が用いられる。
共蒸着法は、複数の蒸着材料（耐熱性の低い材料、耐熱性の高い材料）を個々に電子ビーム等で加熱蒸発させ、ヒーター等によって加熱された基板１２上に薄膜として成長させる成膜法である。この方法では、材料毎に蒸着レートを決定することができるので、複数の材料を良好に混合させた薄膜を形成させることが可能である。
そして、上述したように、正孔輸送層１８、発光層２０、正孔阻止層２２の形成工程においては、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを共蒸着法を用いて、混合して積層させる方法が用いられる。
共蒸着法は、複数の蒸着材料（耐熱性の低い材料、耐熱性の高い材料）を個々に電子ビーム等で加熱蒸発させ、ヒーター等によって加熱された基板１２上に薄膜として成長させる成膜法である。この方法では、材料毎に蒸着レートを決定することができるので、複数の材料を良好に混合させた薄膜を形成させることが可能である。
上述した本実施形態の有機ＥＬ装置１０においては、陽極１４と陰極２８との間に配置される有機機能層３０のうち、耐熱性が比較的低い材料により形成されている層に、耐熱性の高い材料、具体的には、ガラス遷移温度（Ｔｇ）が高い材料を混合（ドープ）することにより、耐熱性が比較的低い材料により形成されている層の耐熱性の向上が図られる。
例えば、発光層２０がＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とから形成されている場合には、α―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０の耐熱性が向上させることができる。
また、正孔阻止層２２がＢＣＰから形成されている場合には、Ａｌｑ３をドープすることにより、正孔阻止層２２の耐熱性を向上させることができる。
更に、正孔注入層１６がＣｕＰＣから形成されている場合には、（ＮＤＡ）ＰＰをドープすることにより、正孔注入層１６の耐熱性を向上させることができる。
なお、耐熱性の低い層に対して耐熱性の高い材料を混合すればよいので、必ずしも発光層２０、正孔阻止層２２、正孔注入層１６の全てに、上述した材料を混合する必要はない。例えば、発光層２０のみが耐熱性が低い場合には、発光層２０にのみ耐熱性の高い材料を混合する。
なお、耐熱性の低い層に対して耐熱性の高い層を重ねることも考えられるが、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを混合して層を形成した方が、膜構造自体の耐熱性を向上させることができるので有利である。
例えば、発光層２０がＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）３とから形成されている場合には、α―ＮＰＤをドープすることにより、発光層２０の耐熱性が向上させることができる。
また、正孔阻止層２２がＢＣＰから形成されている場合には、Ａｌｑ３をドープすることにより、正孔阻止層２２の耐熱性を向上させることができる。
更に、正孔注入層１６がＣｕＰＣから形成されている場合には、（ＮＤＡ）ＰＰをドープすることにより、正孔注入層１６の耐熱性を向上させることができる。
なお、耐熱性の低い層に対して耐熱性の高い材料を混合すればよいので、必ずしも発光層２０、正孔阻止層２２、正孔注入層１６の全てに、上述した材料を混合する必要はない。例えば、発光層２０のみが耐熱性が低い場合には、発光層２０にのみ耐熱性の高い材料を混合する。
なお、耐熱性の低い層に対して耐熱性の高い層を重ねることも考えられるが、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを混合して層を形成した方が、膜構造自体の耐熱性を向上させることができるので有利である。
図２は、薄膜の耐熱性を示す実験結果を示す図であって、耐熱性が低い材料（ＣＢＰ、ＢＣＰ）からなる薄膜（層）と、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを混合して形成した薄膜の耐熱性を示す実験結果を示す。
薄膜の耐熱性は、膜構造に変化（結晶化）により、検知することができる。すなわち、膜構造が変化した場合には、その膜の機能は損なわれたことになる。具体的には、膜の表面粗さが悪化した場合には、膜構造が変化したと判断できる。
図２に示すように、耐熱性が低い材料からなる薄膜（ＣＢＰ、ＢＣＰ）では、８０℃以上の熱処理が施されることにより、膜の表面平均粗さが大きく変化している。
一方、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを混合して形成した薄膜（ＣＢＰ＋α‐ＮＰＤ、ＣＢＰ＋スピロ‐ＴＡＤ、ＢＣＰ＋Ａｌｑ３、ＢＣＰ＋ＢＰＶＢｉ）では、１００℃の熱処理を施した場合であっても、膜の表面平均粗さが殆ど変化していない。
これにより、有機ＥＬ装置１０の有機機能層３０の寿命としては、１２００ｃｄ／ｍ２の発光輝度おいて、半減時間が、約１００時間から約１２００時間へと、約１２倍程度向上する。
薄膜の耐熱性は、膜構造に変化（結晶化）により、検知することができる。すなわち、膜構造が変化した場合には、その膜の機能は損なわれたことになる。具体的には、膜の表面粗さが悪化した場合には、膜構造が変化したと判断できる。
図２に示すように、耐熱性が低い材料からなる薄膜（ＣＢＰ、ＢＣＰ）では、８０℃以上の熱処理が施されることにより、膜の表面平均粗さが大きく変化している。
一方、耐熱性の低い材料と耐熱性の高い材料とを混合して形成した薄膜（ＣＢＰ＋α‐ＮＰＤ、ＣＢＰ＋スピロ‐ＴＡＤ、ＢＣＰ＋Ａｌｑ３、ＢＣＰ＋ＢＰＶＢｉ）では、１００℃の熱処理を施した場合であっても、膜の表面平均粗さが殆ど変化していない。
これにより、有機ＥＬ装置１０の有機機能層３０の寿命としては、１２００ｃｄ／ｍ２の発光輝度おいて、半減時間が、約１００時間から約１２００時間へと、約１２倍程度向上する。
図３は、有機機能層３０のエネルギーバンドを表す図である。
発光層２０に対して、正孔輸送性を有する材料（α―ＮＰＤ）をドープしたことにより、発光層２０の耐熱性の向上が図られる上に、正孔輸送層１８との密着性の向上と、正孔輸送層１８の正孔輸送性の維持が図られる。
すなわち、図３に示すように、正孔輸送層１８を構成するα−ＮＰＤのイオン化ポテンシャルは小さいので、正孔の移動度が大きい。そのため、ＣＢＰとα−ＮＰＤとを混合して発光層２０を形成することにより、正孔輸送層１８から発光層２０に対して、正孔を効率よく輸送させることができる。
これにより、発光層２０における正孔と電子との再結合確率を向上させることが可能になり、有機ＥＬ装置１０の発光効率を向上させることができる。
発光層２０に対して、正孔輸送性を有する材料（α―ＮＰＤ）をドープしたことにより、発光層２０の耐熱性の向上が図られる上に、正孔輸送層１８との密着性の向上と、正孔輸送層１８の正孔輸送性の維持が図られる。
すなわち、図３に示すように、正孔輸送層１８を構成するα−ＮＰＤのイオン化ポテンシャルは小さいので、正孔の移動度が大きい。そのため、ＣＢＰとα−ＮＰＤとを混合して発光層２０を形成することにより、正孔輸送層１８から発光層２０に対して、正孔を効率よく輸送させることができる。
これにより、発光層２０における正孔と電子との再結合確率を向上させることが可能になり、有機ＥＬ装置１０の発光効率を向上させることができる。
また、正孔阻止層２２に対して、電子輸送性を有する材料（Ａｌｑ３）をドープしたことにより、正孔阻止層２２の耐熱性の向上が図られる上に、電子輸送層２４との密着性の向上と、電子輸送層２４の電子輸送性の維持が図られる。
すなわち、図３に示すように、正孔阻止層２２を構成するＢＣＰのイオン化ポテンシャルは、発光層２０を構成するＣＢＰのイオン化ポテンシャルより、０．４ｅＶ程度大きくなっている。そのため、正孔阻止層２２は十分なエネルギ障壁として機能する。これにより、正孔阻止層２２において正孔の移動が制限され、発光層２０中に正孔が効率よく蓄積される。
また、正孔阻止層２２において正孔の移動が制限されるので、陰極２８への正孔の到達が防止される。これにより、陰極２８の発熱による有機ＥＬ装置１０の輝度劣化を抑制することができる。
したがって、発光層２０における正孔と電子との再結合確率を向上させることが可能になり、有機ＥＬ装置１０の発光効率を向上させることができる。
すなわち、図３に示すように、正孔阻止層２２を構成するＢＣＰのイオン化ポテンシャルは、発光層２０を構成するＣＢＰのイオン化ポテンシャルより、０．４ｅＶ程度大きくなっている。そのため、正孔阻止層２２は十分なエネルギ障壁として機能する。これにより、正孔阻止層２２において正孔の移動が制限され、発光層２０中に正孔が効率よく蓄積される。
また、正孔阻止層２２において正孔の移動が制限されるので、陰極２８への正孔の到達が防止される。これにより、陰極２８の発熱による有機ＥＬ装置１０の輝度劣化を抑制することができる。
したがって、発光層２０における正孔と電子との再結合確率を向上させることが可能になり、有機ＥＬ装置１０の発光効率を向上させることができる。
［電子機器］
図４は、上記各実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と、受話口１３０３と、送話口１３０４と、先の実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１３０１とを備えて構成されている。そして、この携帯電話機１３００によれば、表示部に備えられた有機ＥＬ装置による高画質表示が可能になっている。
図４は、上記各実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と、受話口１３０３と、送話口１３０４と、先の実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１３０１とを備えて構成されている。そして、この携帯電話機１３００によれば、表示部に備えられた有機ＥＬ装置による高画質表示が可能になっている。
なお、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ＰＤＡ、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
１０…有機ＥＬ装置（発光装置）、 １２…基板、 １４…陽極、 １６…正孔注入層、 １８…正孔輸送層、 ２０…発光層、 ２２…正孔阻止層、 ２４…電子輸送層、 ２６…電子注入層、 ２８…陰極、 ３０…有機機能層、 １３００…携帯電話機、 １３０１…表示部（有機ＥＬ装置）
Claims (9)
- 陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機機能層が配置された発光装置において、
前記有機機能層は、有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記発光層は、前記有機材料として正孔輸送性材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
- 前記正孔輸送性材料は、前記発光層中に５体積％以上７０体積％以下含まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
- 前記有機機能層は、前記有機材料として電子輸送性材料を含む正孔阻止層を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記電子輸送性材料は、前記正孔阻止層中に５体積％以上７０体積％以下含まれることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 陽極を形成する工程と、
前記陽極上に、少なくとも発光層を有する有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に陰極を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法において、
前記有機機能層形成工程は、
有機機能層形成材料と前記有機機能層形成材料よりもガラス遷移温度が高い有機材料を混合して成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記有機機能層形成工程は、前記有機材料としての正孔輸送性材料と、発光材料とを共蒸着法により混合させて、前記発光層を形成する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
- 前記有機機能層形成工程は、前記有機材料としての電子輸送性材料と、正孔阻止材料とを共蒸着法により混合させて、正孔阻止層を形成する工程を有することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の発光装置の製造方法
- 請求項１から請求項６うちいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124268A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
| US8203262B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including a carrier transport controlling layer, light-emitting device and electronic device |
| JP2018014404A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社デンソー | 発光素子、表示装置および電子機器 |
-
2005
- 2005-03-11 JP JP2005068694A patent/JP2006253444A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124268A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2008102713A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
| JP2008235879A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、並びにキノキサリン誘導体 |
| US7875879B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
| CN101627487B (zh) * | 2007-02-21 | 2011-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件，发光器件，电子器件和喹喔啉衍生物 |
| CN102214805A (zh) * | 2007-02-21 | 2011-10-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件,发光器件,电子器件和喹喔啉衍生物 |
| JP2012074754A (ja) * | 2007-02-21 | 2012-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、及び照明装置 |
| US8362472B2 (en) | 2007-02-21 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device and quinoxaline derivative |
| US8203262B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including a carrier transport controlling layer, light-emitting device and electronic device |
| JP2018014404A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社デンソー | 発光素子、表示装置および電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |