JP2006252675A - 追記型光記録媒体及びその記録再生方法、並びに光記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用いて高密度で安定した記録が可能な追記型光記録媒体及び該追記型光記録媒体の記録再生方法、並びに光記録再生装置の提供。
【解決手段】 第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有し、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行い、前記第１基板の厚み及び前記第２基板の厚みが、０．５〜０．７ｍｍであると共に、前記記録層が、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含有する追記型光記録媒体である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用いて高密度で安定した記録が可能な追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ）光記録媒体及び該追記型光記録媒体の記録再生方法、並びに光記録再生装置に関する。

追記型光記録媒体については、超高密度の記録が可能となる青色レーザの適用が急速に進んできており、青色レーザ波長以下で記録再生が可能な追記型光記録媒体の開発が行われている。

従来の追記型光記録媒体は、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、該有機材料の分解乃至変質による屈折率変化を生じさせることによって記録ピットを形成させている。このため、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
したがって青色レーザ対応の追記型光記録媒体の記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動が適切な材料を選択する必要がある。
しかし、青色レーザ波長に対する光学的性質が従来並みの値を有する有機材料は未だ開発されていない。これは、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料を得るためには、分子骨格を小さくするか、又は共役系を短くする必要があるが、そうすると有機材料の吸収係数の低下、即ち、屈折率の低下を招くためである。
つまり、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料は多数存在しており、吸収係数を制御することは可能となるが、大きな屈折率を持たないため、大きな変調度を得ることができなくなるという課題がある。
そこで、有機材料を用いた青色レーザ対応の追記型光記録媒体では、変調度及び反射率を確保するため、記録再生波長に対して大きな屈折率と比較的小さな吸収係数（０．０５〜０．０７程度）を持つ有機材料しか用いることができないという問題がある。また、有機材料を含む記録層の厚みを薄くすることができないため、記録再生特性の各種マージンが狭くなってしまうという問題がある。

一方、金属元素等の無機材料からなる記録層を有する追記型光記録媒体についても検討が進められている。例えば、非特許文献１には、第２基板（カバー基板）／貼り合わせ層／ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層(２５ｎｍ)／ＢｉＧｅＮ層(１２ｎｍ)／ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層(１０ｎｍ)／反射層（１００ｎｍ）／第１基板という構成の光記録媒体について報告されている。
しかし、この光記録媒体では、開口数０．８５の青色レーザを用いているため、焦点距離が短くなり、厚みが０．１ｍｍという薄いカバー基板を用いている。
また、特許文献１には、基板の一方の面に光透過層と、基板の他方の面に防水層を有してなり、開口数（ＮＡ）が０．７以上のレーザを用い、前記光透過層の厚みが３〜１７７μｍである光記録媒体が提案されている。
しかし、この提案は、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用いて第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行うものではない。

また、特許文献２及び特許文献３には、Ｓｉ等からなる第１反応層と、Ｃｕ等からなる第２反応層とが記録時に共融結晶化されることにより記録する追記型光記録媒体が提案されている。
しかし、これら提案の追記型光記録媒体は、層数が多く、相変化型の書き換え可能な光記録媒体と同じような層構成の複雑さを有しており、追記型光記録媒体としての製造効率やコストメリットはないのが現状である。

国際公開第９９／００７９４号パンフレット 特開２００３−２００６６３号公報 特開２００３−２０３３８３号公報 Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ ２００３(ＩＳＯＭ ２００３)予稿集 ｐ．７４

本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用いて、単純な層構成であっても安定かつ高密度な記録を実現できる追記型光記録媒体及び該追記型光記録媒体の記録再生方法、並びに光記録再生装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有し、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行う追記型光記録媒体であって、
前記第１基板の厚み及び前記第２基板の厚みが、０．５〜０．７ｍｍであると共に、前記記録層が、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含有することを特徴とする追記型光記録媒体である。該＜１＞に記載の追記型光記録媒体においては、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有し、前記記録層が、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含有するので、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで第２基板側からレーザ光線を照射して、記録層が直接基板に接することによる不安定性を解消でき、保存特性が向上し、光記録媒体の反射率とジッタもしくはＳＤＲ等の特性が向上し、安定に高密度記録を実現できる。
＜２＞ 第２基板の厚みが、第１基板の厚みよりも薄い前記＜１＞に記載の追記型光記録媒体である。
＜３＞ 第２基板の厚みが、第１基板の厚みよりも０．００５〜０．１ｍｍ薄い前記＜２＞に記載の追記型光記録媒体である。
＜４＞ 第１基板と第２基板とが、同じ材料及び同じ条件で作製された前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜５＞ 第１基板が溝を有し、かつ第２基板が溝を有しない前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜６＞ 第１基板における溝のスパイラル方向が、通常のＣＤ及びＤＶＤにおけるレーザ光線が照射される側基板の溝のスパイラル方向と逆である前記＜５＞に記載の追記型光記録媒体である。
＜７＞ 記録層と第２基板との間に貼り合わせ層を有する前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜８＞ 記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが５〜２５ｎｍである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜９＞ 記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが７５〜１１５ｎｍである前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜１０＞ 記録層が更に元素Ｍを含み、該元素Ｍが、Ｓｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｂ及びＮｂから選択される少なくとも１種である前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜１１＞ 誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含む前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜１２＞ ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物における混合モル比率（ＺｎＳ：ＳｉＯ_２）が、７０：３０〜９０：１０である前記＜１１＞に記載の追記型光記録媒体である。
＜１３＞ 反射層が、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含む前記＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜１４＞ ３種類以上の異なる再生信号レベルを生成する記録マークを形成でき、該再生信号レベルに基づいて記録マークの種類を判断できる前記＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体である。
＜１５＞ 第１基板と第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有してなり、該記録層がビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含む追記型光記録媒体の記録再生方法であって、
開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで前記第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行うことを特徴とする追記型光記録媒体の記録再生方法である。該＜１５＞に記載の追記型光記録媒体の記録再生方法においては、安定かつ確実に情報の記録及び再生のいずれかを効率よく行うことができる。
＜１６＞ レーザ光線の波長が３５０〜５３０ｎｍである前記＜１５＞に記載の追記型光記録媒体の記録再生方法である。
＜１７＞ 光記録媒体に光源からレーザ光を照射して該光記録媒体に情報を記録及び再生する光記録再生装置において、
前記光記録媒体が、前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の追記型光記録媒体であることを特徴とする光記録再生装置である。本発明の光記録再生装置においては、安定かつ確実に情報の記録及び再生を確実に行うことができる。

本発明によると、従来における問題を解決することができ、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用いて記録再生を行う追記型光記録媒体において、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有する構成を採用することによって、記録層が直接基板に接することによる不安定性を解消することができ、保存特性が向上し、光記録媒体の反射率とジッタもしくはＳＤＲ等の特性向上にも寄与することができる追記型光記録媒体及び該追記型光記録媒体の記録再生方法、並びに光記録再生装置を提供することができる。

（追記型光記録媒体）
本発明の追記型光記録媒体は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有してなり、貼り合わせ層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記追記型光記録媒体においては、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行う。

ここで、図１０は、本発明の追記型光記録媒体の一例を示し、第１基板１と第２基板６との間に、反射層２、誘電体層３、記録層４、及び貼り合わせ層５をこの順に有してなり、第２基板側からレーザ光を照射する。
これに対し、図１１は、従来の追記型光記録媒体の一例を示し、第１基板１と第２基板６との間に、記録層４、誘電体層３、反射層２、及び貼り合わせ層５をこの順に有してなり、第１基板側からレーザ光を照射する。

前記記録層は、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含み、更に必要に応じてその他の成分を含んでなり、主たる光吸収機能を担う層である。
前記記録層がビスマスを主成分として含む場合には、記録層の組成中酸素などの気体分子を除いてビスマスが３０原子％以上存在することを意味する。
前記記録層は、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれか以外にも、Ｎ、更に元素Ｍを含み、該元素Ｍが、Ｓｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｂ及びＮｂから選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの元素を記録層に添加することにより、更に良好なジッタやＳＤＲを得ることができ、反射率が向上する。

ここで、前記記録層が、Ｂｉ、Ｏ、Ｍ、及びＮの各元素からなる材料を用いる利点は、以下に示す通りである。
（１）酸化物とすることで膜の硬度を高めることができる（Ｂｉ、Ｏ、Ｍ、及びＮの各元素からなる薄膜自体の変形、あるいは基板等の隣接層の変形を抑制することが可能である）。
（２）酸化物とすることで保存安定性を高めることができる。
（３）Ｂｉ等の５００ｎｍの波長域に対して光吸収率が高い元素を含ませることで、記録感度を向上させることができる。
（４）Ｂｉ等の低融点元素、あるいは、拡散を起こしやすい元素を含ませることで、大きな変形を伴わないにもかかわらず大きな変調度を発生させる記録マークを形成させることができる。
（５）スパッタ等の気相成長法により良好な薄膜を形成させることができる。
なお、Ｂｉ、Ｍ、及びＯの各元素からなる材料の中で、Ｂｉ_３Ｍ_５Ｏ_１２の組成を有する材料が好ましい例として挙げられる。このＢｉ_３Ｍ_５Ｏ_１２の組成は、いわゆるガーネット構造を形成する組成であり、材料の硬度を高めることができるからである。
Ｂｉ、Ｏ、Ｍ、及びＮの各元素からなる薄膜の硬度を高めることで、Ｂｉ、Ｍ、Ｏ、及びＮの各元素からなる薄膜自体の変形、あるいは基板等の隣接層の変形を抑制することが可能となるため、記録マーク間の干渉を小さくすることができる。

前記記録層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。この場合、前記記録層を成膜する際のターゲットはＢｉ酸化物、Ｂｉ合金酸化物とするか、Ｂｉ、Ｂｉ合金をアルゴンと酸素の混合雰囲気中でスパッタする方法などが挙げられる。
前記記録層の厚みは、３〜１５ｎｍが好ましい。

前記記録層は、正常分散を示す材料であり、有機材料のように、ある波長範囲内に大きな吸収帯を有する材料でないため、複素屈折率の波長依存性が小さく、レーザの個体差や、環境温度の変化等による記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという従来の問題を大幅に解消することができる。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料薄膜が記録層と光吸収層の機能を兼用していたため、記録再生波長に対して大きな屈折率ｎと比較的小さな吸収係数ｋを有することが有機材料の必須条件であり、そのため有機材料を分解させる温度まで到達させるには、比較的厚い厚みが必要となっていた。また、相変化型光記録媒体に比べて基板の溝深さが非常に深くなっていた。

しかし、本発明の追記型光記録媒体では、記録層に主たる光吸収機能や記録機能を持たせる必要がないため、記録層の厚みは従来に比べて薄くすることが可能となる。そして、記録層の薄膜化が可能となったことにより、転写性（成形性）に優れた溝深さの浅い基板を使用することが可能となり、光記録媒体の信号品質が大幅に向上すると共に従来に比べて基板を容易かつ安価に製造（成形）できる。

また、本発明の追記型光記録媒体は、上記記録原理によるため、再生時に基板の溝形状の影響を受け難く、基板形状のばらつきに対する許容度が大きくなり、従来に比べて基板の製造を容易かつ安価に行うことができる。
そこで、これらの機能を十分に発揮させるために各層の厚みの組み合わせが重要となる。即ち、本発明の各層の厚み比の範囲とすることにより、２値記録でのジッタ、多値記録でのＳＤＲが向上する。

本発明においては、第１基板上に、反射層、誘電体層、記録層とが順次積層され、そこに第２基板を貼り合わせる構成において、記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが５〜２５ｎｍであることが好ましい。
前記記録層の厚みを固定して誘電体層を振ったシミュレーションを行ったところ、上記厚み比の範囲とすることにより反射率が最適化され、２値記録でのジッタ、多値記録でのＳＤＲが向上する。また、本発明の厚み範囲の層を組み合わせることにより非常に簡素な層構成のメディアを得ることができ、安いコストで追記型光記録媒体を生産することが可能となる。
また、記録層がこの範囲以下の厚みでは十分なＣ／Ｎを得るだけの記録マークが得られず、以上では小さなマークを記録しにくくなった。また、誘電体層の範囲が本発明以下もしくは以上であれば反射率が高くなりすぎ記録に大きなパワーを要し、その結果、ジッタやＳＤＲの値が悪化することがある。

また、本発明においては、第１基板上に、反射層、誘電体層、記録層とが順次積層され、そこに第２基板を貼り合わせる構成において、記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが７５〜１１５ｎｍであることが好ましい。
前記記録層を固定して誘電体層を振ったシミュレーションを行ったところ、上記厚み比の範囲とすることにより反射率が最適化され、２値記録でのジッタ、多値記録でのＳＤＲが向上する。また、本発明の厚み範囲の層を組み合わせることにより非常に簡素な層構成のメディアを得ることができ、安いコストで追記型光記録媒体を生産することができる。
前記記録層がこの範囲以下の厚みでは十分なＣ／Ｎを得るだけの記録マークが得られず、以上では小さなマークを記録しにくくなることがある。また、誘電体層の範囲が本発明以下もしくは以上であれば反射率が高くなりすぎ記録に大きなパワーを要し、その結果、ジッタやＳＤＲの値が悪化することがある。

ここで、前記ＳＤＲとは、二値記録でのジッタに相当する指標を意味する。α種類からなる多値レベルｍｉ（ｍ０、ｍ１、ｍ２、・・・、ｍα−２、ｍα−１）の各反射レベルをＲｉ（Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２、・・・、Ｒα−２、Ｒα−１）、多値レベルｍｉにおける反射レベルＲｉの標準偏差をσｍｉとすると、下記数式１で表される値である。
＜数式１＞
ＳＤＲ＝（σｍ０＋σｍ１＋σｍ２＋・・・＋σｍα−２＋σｍα−１）／（（１＋α）×｜Ｒ０−Ｒα−１｜）

−第１基板及び第２基板−
前記第１基板の厚み及び前記第２基板の厚みは、０．５〜０．７ｍｍが好ましい。
前記第２基板の厚みは、第１基板の厚みよりも薄いことが好ましい。該第２基板の厚みは、第１基板の厚みよりも０．００５〜０．１ｍｍ薄いことが好ましく、０．０１〜０．０５ｍｍ薄いことがより好ましい。
ＤＶＤにおいては、通常、基板とカバー基板の厚みは同じであるが、本発明では、第２基板側からレーザ光線を入射し、貼り合わせ層を介して記録層に照射されるので、該貼り合わせ層の厚みの分だけ収差が発生し、このことがジッタやＳＤＲの悪化につながることがある。そこで、貼り合わせ層の厚みの分だけ第２基板の厚みを薄くすることにより、本発明の効果をより確かなものとすることができる。

また、前記第１基板と第２基板とが、同じ材料及び同じ条件で作製されることが好ましい。第２基板成型時に第１基板成形時とスタンパを用いないこと以外は成形温度、成形時間、成形圧力などを全く同じ条件とすることにより、保存試験前後の基板の機械特性を良好に保つことに大きく寄与し、ひいてはジッタ及びＳＤＲの安定性につながる。

前記第１基板が溝を有し、かつ第２基板が溝を有しないことが好ましい。このように、レーザが照射される第２基板には溝のないものを用いることで照射されるレーザが乱れることを防止し、ジッタやＳＤＲが良好な値を得ることができる。
また、前記第１基板における溝のスパイラル方向は、通常のＣＤ及びＤＶＤにおけるレーザ光線が照射される側基板の溝のスパイラル方向と逆であることが好ましい。本発明においては、レーザ光線は第２基板方向から照射されることになり、これまでと同じ第１基板における溝のスパイラル方向では基板の外周部から内周部に向かってレーザ光線が進むことになる。よって、第１基板の溝のスパイラル方向が通常のＣＤ、ＤＶＤとは逆とすることにより、これまでのシステムを全く変更すること無しに内周部から外周部に向かってレーザが進む光記録媒体とすることができる。

前記基板の材料としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録及び再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂や非晶質ポリオレフィン樹脂が特に好ましい。

前記記録層と前記第２基板との間に貼り合わせ層を有することが好ましい。これにより、記録層と第１基板とが直接接することがなく、記録層が貼り合わせ層と直接接触することにより、水分の影響を極力排除することが可能となり、安定なメディアを得ることができる。
前記貼り合わせ層としては、基板の貼り合わせの際用いられる貼り合わせ材としては、ＵＶ硬化性樹脂、カチオン重合剤、両面シートなどがある。
前記貼り合わせ層を通してレーザ照射を行う場合、貼り合わせ層がレーザを透過するに十分な透過性を有する必要がある。よって、主に白色で透過性のないカチオン重合剤は本発明には適用できないが、その他二つについては用いることができる。特に両面シートは全周において均一な貼り合わせ層を作ることができるので有用である。

−誘電体層−
前記誘電体層の材料としては、金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物等の透明性が高い高融点材料を用いることができる。具体的には、ＳｉＯ_ｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等の金属酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ_４等の硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物、などが挙げられ、単体もしくは混合物として、また２層以上からなる多層構造として用いることができる。これらの中でも、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物が良好な記録特性と適度な反射率が得られるという点から特に好ましい。
前記ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物における混合モル比率（ＺｎＳ：ＳｉＯ_２）は、７０：３０〜９０：１０が好ましく、７５：２５〜８５：１５がより好ましい。前記混合モル比率を上記範囲とすることにより、更に良好なジッタやＳＤＲを得ることができ、良好なジッタやＳＤＲを得ることができる反射率を向上させることができる。一方、上記範囲を外れると、その光学特性ｎ、ｋの値が本発明の各厚みとその組み合わせにずれが生じ、良好な特性を期待できなくなる。
前記誘電体層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

−反射層−
前記反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄなどの金属を単独で或いは合金にして用いることができる。これら中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。また、上記金属を主成分として他の元素を含んでいてもよく、他の元素としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げることができる。
これらの中でも、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかは、コストが安く高反射率が出易い点から特に好ましい。
なお、金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。

前記反射層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記反射層の厚みは、５０〜３００ｎｍが好ましく、６０〜１５０ｎｍがより好ましい。

なお、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の上引層、下引層、或いは接着層を設けることもできる。
また、前記反射層や干渉層の上に形成する保護層の材料としては、反射層や干渉層を外力から保護するものであれば特に限定されない。有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ_４、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。

前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂は適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのまま又は適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することができる。前記ＵＶ硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂が好適である。
これらの材料は単独で用いても混合して用いてもよいし、１層だけでなく多層膜にして用いてもよい。

前記保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、これらの中でも、スピンコート法が好ましい。
前記保護層の厚みは、０．１〜１００μｍが好ましく、３〜３０μｍがより好ましい。
また、反射層或いは干渉層面に更に基板を貼り合わせてもよく、また反射層や干渉層面相互を内面とし対向させて光学記録媒体を２枚を貼り合わせてもよい。
なお、基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹脂層や、無機系薄膜等を成膜しても構わない。

次に、本発明の追記型光記録媒体は、３種類以上の異なる再生信号レベルを生成する記録マークを形成でき、該再生信号レベルに基づいて記録マークの種類を判断できることが好ましい。

通常、３種類以上の異なる再生信号レベルを生成するためには、図１のように仮想された基本セルに対して、記録マ−クの面積比（光記録媒体の平面方向の面積比）を変えることが一般的である。しかし、本発明では、この面積比以外に、光記録媒体の断面方向の記録マーク形成領域の大きさを変えることで、３種類以上の異なる再生信号レベルを生成することができる。今後この記録方式を多値記録と呼ぶ。

この多値データ記録技術は、簡単に言えば、記録線密度を向上させるものである。
光記録媒体（多値データを記録する光記録媒体を「多値光記録媒体」という）に対する多値データ記録では、多値光記録媒体の記録マークの記録単位（基本セル）内に記録するマークの反射率の多値化で情報を表現する。

従来のＣＤやＤＶＤ系の光記録媒体では、記録マークの有無で１ビットを表現しているが、多値光記録媒体に対する多値データ記録では、記録マークの大きさを、例えば、８種類に変えて記録し、その大きさの異なる８種類の記録マークにレーザ光を照射したときに得られる反射光の信号レベル（反射レベル）はそれぞれ異なり（即ち、大きさの異なる８種類の記録マークを再生したときに得られる再生信号のレベルはそれぞれ異なる）、その８つのレベルの異なる反射レベルとして読み出す。

したがって、多値データ記録では１つの記録マークで３ビット分の情報を表すことができるため、光記録媒体の記録領域の記録密度を高めることができる。
この多値データ記録では、通常、再生時のレーザ光のビームスポット径は、基本セル長よりも大きい。これによって、１つの記録マークで３ビット分の信号を表現することができるため、トラックピッチを詰めることなく、記録線密度を上げて記録容量を増加させることができる。

なお、本発明では、光記録媒体の断面方向に階調を持たせて記録することが好ましいが、勿論平面方向に階調を持たせて記録することも可能である。このように、本発明の追記型光記録媒体では、上述したような層構成と厚みの組み合わせをもって、多値記録を行うことにより、良好なＳＤＲ値を得ることが可能となる。

（追記型光記録媒体の記録再生方法）
本発明の追記型光記録媒体の記録再生方法は、第１基板と第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有してなり、該記録層がビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含み、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで前記第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行うものである。
前記レーザ光線の波長は３５０〜５３０ｎｍが好ましく、その代表例としては、中心波長４０５ｎｍのレーザ光が挙げられる。

具体的には、光記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、第２基板側から開口数が０．６以上０．７未満の対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、４０５ｎｍの発振波長）等の記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体を所定の線速度で回転させながらレーザー光を第２基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

（光記録再生装置）
本発明の光記録再生装置は、光源からレーザ光を照射して該光記録媒体に情報を記録及び再生し、前記光記録媒体として本発明の前記追記型光記録媒体を用いたものである。
前記光記録再生装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、レーザ光を出射する半導体レーザ等の光源であるレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光をスピンドルに装着された光記録媒体に集光する集光レンズ、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を検出するレーザ光検出器、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光レンズとレーザ光検出器とに導く光学素子を備えてなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。

前記光記録再生装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光を光学素子により集光レンズに導き、該集光レンズによりレーザ光を光記録媒体に集光照射して光記録媒体に記録及び再生を行う。このとき、光記録再生装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部をレーザ光検出器に導き、レーザ光検出器のレーザ光の検出量に基づきレーザ光源の光量を制御する。
前記レーザ光検出器は、検出したレーザ光の検出量を電圧又は電流に変換し検出量信号として出力する。
前記その他の手段としては、制御手段等が挙げられる。前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。

＜多値記録でのＳＤＲによる評価方法＞
光ディスク評価装置（パルステック工業株式会社製、ＤＤＵ−１０００）（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５、レーザ中心強度１／ｅ^２となるビーム径：約０．５５μｍ）と、記録ストラテジの設定（記録時のレーザ光の発光波形制御）に、ソニーテクトロニクス株式会社製のＡＷＧ−６１０を用い、以下に説明する階段波形で多値記録を行った。
まず、光記録媒体に対して、基本セル長（記録マークの記録単位）０．２４μｍ、基本セル長の時間幅は４８ｎＳ、記録再生線速度５．０ｍ／ｓで８値（レベル０〜レベル７）の多値記録を行い、図２で示されるストラテジを用いて図３で示される階段波形を記録した。

図３は、多値レベルを８つとした場合の例であって、記録単位（仮想セル）５個分の連続した多値レベルｍ０（レベル０）と、記録単位（仮想セル）３２個分の連続した多値レベルｍｉを記録するパターンを基本とし、この基本パターンを全ての多値レベルｍｉ（ｉ＝０〜７）について記録するパターンをテストパターンとし、これを光記録媒体に記録し、そのテストパターンが記録された部分を再生した例である。以下、このテストパターンの記録された信号を「階段波形」と称する。

この階段波形は、明らかに符号間干渉が固定された状態であり、多値レベルｍ０（レベル０）〜多値レベルｍ７（レベル７）は一定の反射レベルを示す。
ここで、階段波形として、記録単位（仮想セル）５個分の連続した多値レベルｍ０（レベル０）と、記録単位（仮想セル）３２個分の連続した多値レベルｍｉを記録するパターンを基本とし、この基本パターンを全ての多値レベルｍｉ（ｉ＝０〜７）について記録するパターンを階段波形として選択した。

多値レベルｍｉの反射レベルが正確に判断できるような階段波形とは、連続する複数回のサンプリングにおいても、同一の多値レベルｍｉの反射レベルが得られる長さとなるように多値レベルｍｉが連続する複数の記録単位にわたるパターンを意味する。例えば、オシロスコープによる観察上、多値レベルｍｉが略直線状に観察できるようなテストパターン）、例えば、多値レベルｍｉを複数の連続する記録単位（仮想セル）にわたって繰返し記録し、その（繰返し数）×（記録単位の長さ）が、再生光の直径以上となるような階段波形が好ましい。

前記階段波形では、多値レベルｍｉが変わるごとに多値レベルｍ０が挿入されるようなパターンとしたが、このｍ０の挿入は必須ではない。ただし、ｍ０を挿入することによって、多値レベルｍｉの切替わりが明確になりサンプリングのタイミングが正確になるというメリットや、多値レベルｍｉの切替わり時に発生する符合間干渉を抑制でき、多値レベルｍｉの均一性がより高められるというメリットがある。

なお、基本セル長の時間幅は４８ｎｓに相当し、レベル１（２番目に小さな大きさ、及び／又は深さを有する記録マーク）形成用のレーザ光のパルス長設定値（レーザ光素子へ印加されるパルス電圧における時間幅の設定値。以下同様）は７．２ｎｓ、レベル２形成用のレーザ光のパルス長設定値は１０．４ｎｓ、レベル３形成用のレーザ光のパルス長設定値は１２．８ｎｓ、レベル４形成用のレーザ光のパルス長設定値は１５．２ｎｓ、レベル５形成用のレーザ光のパルス長設定値は１６．８ｎｓ、レベル６形成用のレーザ光のパルス長設定値は１９．２ｎｓ、レベル７（最大の大きさ、及び／又は深さを有する記録マーク）形成用のレーザ光のパルス長設定値は２４．０ｎｓと固定した。

実際の多値記録は上述のような階段波形ではなく、ランダムにそれぞれの多値レベルの信号が記録されるランダム信号記録であり、以下に述べる本発明の実施例もランダム信号記録によるＳＤＲ値の評価結果である。

（実施例１）
まず、成形サイクル：６秒、金型温度：９０℃、スプルー／カットパンチ：６０℃、最大型締め力：２５ｔｏｎｆ、充填時型締め制御方法：圧力制御の条件で、案内溝（溝深さ２１ｎｍ）を有するポリカーボネート樹脂製の厚み０．６ｍｍの第１基板と、厚み０．５８ｍｍの溝のない第２基板を作製した。なお、第１基板における溝のスパイラル方向は、通常のＣＤ及びＤＶＤにおけるレーザ光線が照射される側における基板の溝のスパイラル方向と逆であった。このことにより、記録再生の評価機に特に改造を施すことなく、評価できる。
次に、第１基板上に、スパッタ法により、Ａｇからなる厚み１００ｎｍの反射層を成膜した。
次に、反射層上に、スパッタ法により、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比率）からなる誘電体層の厚みを０〜１６０ｎｍまで変化させて成膜した。
次に、誘電体層上に、スパッタ法により、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる厚み１０ｎｍの記録層を成膜した。
次に、記録層の中央部に、紫外線硬化型樹脂を含む塗布液を塗布し、厚み０．５８ｍｍの溝のない第２基板を重ね合わせ、６０００回転で３秒にて塗布液を振り切った。その後、ＵＶ照射を８秒行うことにより、厚み２０μｍの接着層を形成することによって第２基板を貼り合わせた。以上により、追記型光記録媒体を作製した。

得られた追記型光記録媒体について、上記方法により多値ランダム記録を行い、誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層）の厚みと、反射率と、ＳＤＲとの関係を調べた。結果を図４に示す。

図４の結果から、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みが５〜２５ｎｍ、及び７５〜１１５ｎｍの範囲で良好なＳＤＲを示した。なお、ＳＤＲは目標値である３．２％を基準とし、その値を下回る範囲を本発明の厚みの範囲とした。
また、図４の結果から、ＳＤＲと反射率とが相関関係を有することが明らかである。また、反射率と、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みとの関係から反射率はある一定の周期で上下し、反射率が大きくなりすぎる領域ではＳＤＲが上昇してしまうことが分かる。反射率が上昇すれば自ずと感度は悪くなり、記録の際にはより大きなパワーを導入する必要があるが、大きなパワーで記録を行うと隣接マークもしくは隣接トラックへ大きな影響を及ぼし、これに起因してＳＤＲが劣化するものと推測される。

次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みを変化させた実施例１の光記録媒体について、２値ランダム記録を行い、その反射率とジッタとの関係を調べた。結果を図５に示す。
図５の結果から、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みが５〜２５ｎｍ、及び７５〜１１５ｎｍの範囲でＳＤＲと同様に良好なジッタを示した。なお、ジッタは目標値である８．２％を基準とし、その値を下回る範囲を本発明の厚みの範囲とした。
また、図５の結果から、ジッタと反射率とが相関関係を有することが明らかになった。即ち、反射率と、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みとの関係から反射率はある一定の周期で上下し、反射率が大きくなりすぎる領域ではジッタが上昇してしまうことが分かる。反射率が上昇すれば自ずと感度は悪くなり、記録の際にはより大きなパワーを導入する必要があるが、大きなパワーで記録を行うと隣接マークもしくは隣接トラックへ大きな影響を及ぼすことになり、これに起因してジッタが劣化するものと推測される。

次に、誘電体層の厚みを１５ｎｍとし、第２基板の厚みを第１基板の厚みよりも薄くしていった際のジッタの値を図９に示す。図９の結果から、第２基板の厚みを第１基板の厚みよりも０．００５〜０．１ｍｍ薄い場合には良好なジッタを示すことが認められる。

（実施例２）
実施例１と同じ第１基板上に、スパッタ法により、Ａｇからなる厚み１００ｎｍの反射層を成膜した。
次に、反射層上に、スパッタ法により、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比率）からなる厚み１５ｎｍの誘電体層を成膜した。
次に、誘電体層上に、スパッタ法により、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる記録層の厚みを２〜３０ｎｍまで変化させて成膜した。
次に、記録層の中央部に、紫外線硬化型樹脂を含む塗布液を塗布し、実施例１と同じ厚み０．５８ｍｍの溝のない第２基板を重ね合わせ、６０００回転で３秒にて塗布液を振り切った。その後、ＵＶ照射を８秒行うことにより、厚み２０μｍの接着層を形成することによって第２基板を貼り合わせた。以上により、追記型光記録媒体を作製した。

得られた追記型光記録媒体について、上記方法により多値ランダム記録を行い、記録層の厚みと、反射率と、ＳＤＲとの関係を調べた。結果を図６に示す。

図６の結果から、記録層の厚みが３〜１５ｎｍの範囲で良好なＳＤＲを示した。ＳＤＲは目標値である３．２％を基準とし、その値を下回る範囲を本発明の厚みの範囲とした。本実施例ではＳＤＲと反射率との相関関係について言及できないが、主に記録層の役割を持つＢｉ_２Ｏ_３層の厚みが３ｎｍ以下となると薄すぎるために十分な変調度が得られない。このことはＳＤＲの数式１の分母にある変調幅の値が小さくなり、ＳＤＲ値が大きくなることを意味する。また、Ｂｉ_２Ｏ_３層の厚みが１５ｎｍ以上になると厚すぎるため膜内での反応のにじみのようなものが起こってＳＤＲの値が悪化している可能性がある。

次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の厚みを振った実施例２の追記型光記録媒体に２値ランダム記録を行い、記録層厚みと、反射率とジッタとの関係を調べた。結果を図７に示す。図７の結果から、記録層の厚みが５〜１５ｎｍの範囲で良好なジッタを示した。ジッタは目標値である８．２％を基準とし、その値を下回る範囲を本発明の厚みの範囲とした。この実施例２ではジッタと反射率との相関関係について言及できないが、主に記録層の役割を持つＢｉ_２Ｏ_３層の厚みが５ｎｍ以下となると薄すぎるために十分な変調度が得られず、２Ｔ信号が潰れてしまうことが考えられる。また、Ｂｉ_２Ｏ_３層の厚みが１５ｎｍ以上になると厚すぎるため膜内での反応のにじみのようなものが起こっている可能性がある。

（比較例１）
実施例１と同じ第１基板上に、スパッタ法により、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる厚み１０ｎｍの記録層を成膜した。
次に、記録層上に、スパッタ法により、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比）からなる厚み１５ｎｍの誘電体層を成膜した。
次に、誘電体層上に、スパッタ法により、Ａｇからなる厚み１００ｎｍの反射層を成膜した。
次に、記録層の中央部に、紫外線硬化型樹脂を含む塗布液を塗布し、実施例１と同じ厚み０．５８ｍｍの溝のない第２基板を重ね合わせ、６０００回転で３秒にて塗布液を振り切った。その後、ＵＶ照射を８秒行うことにより、厚み２０μｍの接着層を形成することによって第２基板を貼り合わせた。以上により、追記型光記録媒体を作製した。
得られた比較例１及び実施例１で誘電体層の厚みを１５ｎｍとした追記型光記録媒体について、８０℃、８５％ＲＨの保存試験にかけた。
なお、比較例１では、レーザは通常のＤＶＤ等と同様第１基板を通して照射し、記録再生を行った。
比較例のメディア（メディアＡ）と実施例１で誘電体層の厚みを１５ｎｍとしたメディア（メディアＢ）とを８０℃、８５％ＲＨの保存試験にかけた後のジッタの結果を図８に示す。

図８の結果から、実施例１の追記型光記録媒体のように通常とは逆の順序で積層し、記録層と基板が直接接しない構造のメディアは保存試験でのジッタの劣化は小さかった。これに対し、比較例１の追記型光記録媒体は基板の水分などの影響を受けてジッタ劣化が大きかった。

（実施例３）
実施例１において、第２基板として溝のある第２基板（溝深さ２１ｎｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、追記型光記録媒体を作製した。
得られた追記型光記録媒体について、実施例１と同様にして、多値ランダム記録を行った。その結果、実施例１に比べて、ＳＤＲの値は全体的に０．２％低下し、ジッタの値は全体的に０．３５％低下したが、実使用可能なレベルであった。

（実施例４）
第１基板を、成形サイクル：６秒、金型温度：９０℃、スプルー／カットパンチ：６０℃、最大型締め力：２５ｔｏｎｆ、充填時型締め制御方法：圧力制御、の条件で作製した。一方、第２基板を、成形サイクル：６秒、金型温度：１０５℃、スプルー／カットパンチ：６０℃、最大型締め力：２５ｔｏｎｆ、充填時型締め制御方法：圧力制御、の条件で作製した。
得られた第１基板及び第２基板を用いた以外は、実施例１と同様にして、追記型光記録媒体を作製した。
得られた実施例４の追記型光記録媒体の機械特性は、実施例１に比べて、ラジアルティルト、タンジェンシャルティルトともに低下した。また、実施例１と同様にして、多値ランダム記録を行ったところ、実施例１に比べて、ＳＤＲの値は全体的に約０．２５％低下し、ジッタの値は全体的に約０．４５％低下したが、実使用可能なレベルであった。

（実施例５）
実施例１において、Ｂｉ_３Ｓｂ_５Ｏ_１２からなる記録層を用いた以外は、実施例１と同様にして、追記型光記録媒体を作製した。
得られた追記型光記録媒体について、実施例１と同様にして、多値ランダム記録を行ったところ、実施例１と同レベルのＳＤＲ値及びジッタ値が得られた。
なお、Ｓｂの代わりにＡｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、及びＮｂから選択される少なくとも１種の元素を用いた場合にも同様の結果が得られた。

本発明の追記型光記録媒体は、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザを用い、高密度で安定した記録が可能であるので、特にＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒなどに好適に用いられる。

図１は、記録マークの面積比を変えることによる３種類以上の異なる再生信号レベルを得る方式を説明するための図である。 図２は、本発明の多値記録におけるストラテジの一例を示すパルス図である。 図３は、本発明の多値記録における階段波形の一例を示す図である。 図４は、実施例１における誘電体層の厚みと、反射率と、ＳＤＲとの関係を示すグラフである。 図５は、実施例１における誘電体層の厚みと、反射率と、ジッタとの関係を示すグラフである。 図６は、実施例２における記録層の厚みと、反射率と、ＳＤＲとの関係を示すグラフである。 図７は、実施例２における記録層の厚みと、反射率と、ジッタとの関係を示すグラフである。 図８は、実施例１及び比較例１についての保存試験後のジッタの結果を示すグラフである。 図９は、実施例１において、第２基板の厚みを第１基板の厚みよりも薄く変えていった時のジッタの値を示すグラフである。 図１０は、本発明の追記型光記録媒体の層構成の一例を示す概略図である。 図１１は、従来の追記型光記録媒体の層構成の一例を示す概略図である。

符号の説明

１ 第１基板
２ 反射層
３ 誘電体層
４ 記録層
５ 貼り合わせ層
６ 第２基板

Claims (17)

1. 第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有し、開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行う追記型光記録媒体であって、
   前記第１基板の厚み及び前記第２基板の厚みが、０．５〜０．７ｍｍであると共に、前記記録層が、ビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含有することを特徴とする追記型光記録媒体。
2. 第２基板の厚みが、第１基板の厚みよりも薄い請求項１に記載の追記型光記録媒体。
3. 第２基板の厚みが、第１基板の厚みよりも０．００５〜０．１ｍｍ薄い請求項２に記載の追記型光記録媒体。
4. 第１基板と第２基板とが、同じ材料及び同じ条件で作製された請求項１から３のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
5. 第１基板が溝を有し、かつ第２基板が溝を有しない請求項１から４のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
6. 第１基板における溝のスパイラル方向が、通常のＣＤ及びＤＶＤにおけるレーザ光線が照射される側基板の溝のスパイラル方向と逆である請求項５に記載の追記型光記録媒体。
7. 記録層と第２基板との間に貼り合わせ層を有する請求項１から６のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
8. 記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが５〜２５ｎｍである請求項１から７のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
9. 記録層の厚みが３〜１５ｎｍであり、かつ誘電体層の厚みが７５〜１１５ｎｍである請求項１から７のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
10. 記録層が更に元素Ｍを含み、該元素Ｍが、Ｓｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｂ及びＮｂから選択される少なくとも１種である請求項１から９のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
11. 誘電体層が、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含む請求項１から１０のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
12. ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物における混合モル比率（ＺｎＳ：ＳｉＯ_２）が、７０：３０〜９０：１０である請求項１１に記載の追記型光記録媒体。
13. 反射層が、Ａｇ及びＡｇ合金のいずれかを含む請求項１から１２のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
14. ３種類以上の異なる再生信号レベルを生成する記録マークを形成でき、該再生信号レベルに基づいて記録マークの種類を判断できる請求項１から１３のいずれかに記載の追記型光記録媒体。
15. 第１基板と第２基板との間に、少なくとも反射層、誘電体層、及び記録層をこの順に有してなり、該記録層がビスマス及び酸化ビスマスの少なくともいずれかを含む追記型光記録媒体の記録再生方法であって、
    開口数（ＮＡ）が０．６以上０．７未満のレーザで前記第２基板側からレーザ光線を照射して記録及び再生を行うことを特徴とする追記型光記録媒体の記録再生方法。
16. レーザ光線の波長が３５０〜５３０ｎｍである請求項１５に記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
17. 光記録媒体に光源からレーザ光を照射して該光記録媒体に情報を記録及び再生する光記録再生装置において、
    前記光記録媒体が、請求項１から１４のいずれかに記載の追記型光記録媒体であることを特徴とする光記録再生装置。