JP2006252579A - 不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法 - Google Patents
不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 書き込みの高速化を行うとともに長寿命化を図れる不揮発性半導体メモリ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】選択的に書き込み消去可能な複数のブロックを有し、ブロックの消去フラグを格納する不揮発性半導体メモリ1と、消去フラグをRAM15に書き込み、更新された消去フラグを不揮発性半導体メモリに書き戻す手段と、書き換えの際には新たなデータを消去フラグが消去済みのブロックに書き込み、旧データのすべてを変更するものではない場合、旧データを消去済みのブロックにコピーする手段と、旧データが記録されたブロックに対応する消去フラグを未消去にセットする手段と、未消去にセットされたブロックのデータを選択的に消去する手段と、旧データを有していたブロックの物理アドレスに対応付けられていた論理アドレスを新たなデータが書きこまれたブロックの物理アドレスに対応付ける手段とを有する不揮発性半導体メモリ装置。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の特徴によれば、新たなデータの書き込みは、可能な限り予め消去された未使用のブロック領域に対して行われる。これにより不揮発性半導体メモリ装置において本来書き込みに先だって行う必要があり且つアクセス時間の増大を余儀なくさせる消去動作が省略されて高速書き込みが可能になる。また、同一データを更新/変更する場合でも、物理的な書き込み位置は書き込みの都度変るため、特定のブロックに対する書き込み回数の増加が回避されて長寿命化を図ることが可能となる。
2…ホストインターフェイス
3…データレジスタ
4…アドレスレジスタ
5…カウントレジスタ
6…コマンドレジスタ
7…ステータスレジスタ
8…エラーレジスタ
9…マルチプレクサ
10…データバッファ
11…コントロールロジック
12…EECジェネレータ/チェッカ
13…アドレスジェネレータ
14…未消去ブロックの消去処理、書き込み処理及びコピー処理等を実行するCPU
15…作業用RAM
16…制御プログラムROM
Claims (2)
- それぞれが選択的に書き込み及び消去可能な複数のブロックを有し、前記複数のブロックのそれぞれが消去済みか否かを示す消去フラグを格納する不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに格納された前記消去フラグをRAMに書き込み、更新された前記消去フラグの内容を前記RAMから前記不揮発性半導体メモリに書き戻す手段と、
書き換えの際には消去動作を実行することなく新たなデータを前記消去フラグが消去済みのブロックに書き込み、前記新たなデータが旧データのすべてを変更するものではない場合、変更されない前記旧データを前記消去フラグが消去済みのブロックにコピーする手段と、
前記旧データが記録されたブロックに対応する前記消去フラグを未消去にセットする手段と、
前記消去フラグが未消去にセットされた前記ブロックのデータを選択的に消去する手段と、
前記旧データを有していたブロックの物理アドレスに対応付けられていた論理アドレスを前記新たなデータが書きこまれたブロックの物理アドレスに対応付ける手段
とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - それぞれが選択的に書き込み及び消去可能な複数のブロックを有する不揮発性半導体メモリを含む不揮発性半導体メモリ装置のデータ書き換え制御方法において、
前記複数のブロックのそれぞれが消去済みか否かを示す消去フラグを前記不揮発性半導体メモリに格納するステップと、
前記不揮発性半導体メモリに格納された前記消去フラグをRAMに書き込み、更新された前記消去フラグの内容を前記RAMから前記不揮発性半導体メモリに書き戻すステップと、
書き換えの際には消去動作を実行することなく新たなデータを前記消去フラグが消去済みのブロックに書き込み、前記新たなデータが旧データのすべてを変更するものではない場合、変更されない前記旧データを前記消去フラグが消去済みのブロックにコピーするステップと、
前記旧データが記録されたブロックに対応する前記消去フラグを未消去にセットするステップと、
前記消去フラグが未消去にセットされた前記ブロックのデータを選択的に消去するステップと、
前記旧データを有していたブロックの物理アドレスに対応付けられていた論理アドレスを前記新たなデータが書きこまれたブロックの物理アドレスに対応付けるステップ
とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の制御方法。
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