JP2006251201A - 発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の劣化を個別かつ簡易に防止し、長期の安定した画像表示を行うことが可能な発光表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素１１の有機ＥＬ素子ＥＬが、線順次発光する。所定の位置に配置したマイクロプリズム１１２が、この出射光を反射する。線順次動作方向Ｘで隣接する画素の有機ＥＬ素子ＥＬが、この反射光を線順次で受光する。映像データ補正回路３４が、検出された受光信号ＲＤに基づいて、次のフレームの入力画像データＶＤＩを補正する。各画素１１の有機ＥＬ素子ＥＬは、次のフレームにおいて、補正された後の補正画像データＶＤＯに基づいて発光する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、各発光素子の劣化を個別に防止する機能を備えた発光表示装置に関する。

現在、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ；Flat Panel Display）としては、液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が主流である。しかしながら、ＬＣＤは自発光デバイスではないため、バックライトなどの光源や偏光板などの部材を必要とすることから、装置の厚みが増す、輝度が不足するなどの問題点がある。そこで近年、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示装置への関心が高まっている。

有機ＥＬ表示装置は自発光デバイスであり、バックライトなどの光源や偏光版などの部材が原理的に不要であることから、ＬＣＤと比較して薄型化、高輝度化することが可能である。特に、各画素にスイッチング素子を形成したアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置では、各画素にホールド点灯させることで消費電流を低く抑えることができ、また大画面化および高精細化が比較的容易に行えることなどから、次世代ＦＰＤの主流になると期待されており、各社で開発が進められている。

しかしながら、この有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子では、通電する電流量に応じて素子が劣化し、発光輝度が低下してしまうという問題がある。そのため、この有機ＥＬ素子を用いて画像表示を行った場合、表示する画像によって、表示面内での劣化状況が異なるという現象が生じることとなる。

したがって、有機ＥＬ表示装置を例えばテレビジョン受像機の表示部として用いた場合、受信チャンネル情報を常に画面の隅に表示するようにすると、その部分だけの劣化が早まり、明るい画面を表示していた場合には文字表示部が暗く焼き付いてしまうこととなる。このような有機ＥＬ素子における通電による劣化は、非可逆性であることが知られており、一度劣化した有機ＥＬ素子が元に戻ることはない。

そこで、このような有機ＥＬ表示装置における焼き付きを防止するため、従来から様々な試みがなされている。

例えば、特許文献１には、連続して固定的に表示される画像を所定の周期で反転させて表示する方法や、所定の周期でずらして表示する方法が開示されている。

また、特許文献２には、表示領域外にダミー画素を設け、有機ＥＬ素子の劣化度合いとして、このダミー画素内における有機ＥＬ素子の発光時の端子電圧を検出することにより、映像信号を補正し、長寿命化する方法が開示されている。

さらに、例えば本出願人は特許文献３において、各画素内に有機ＥＬ素子の他にフォトダイオードを配置し、各有機ＥＬ素子からの発光光をフォトダイオードで検出することによって、各有機ＥＬ素子に流れる電流を制御する方法を提案している。

特開２０００−２２１９０８号公報 特開２００２−３５１４０３号公報 特開２００３−１７３８６９号公報

しかしながら、上記特許文献１の技術には、以下のような問題点があった。まず、表示画像を所定の周期で反転させる表示方法は、モノクロ表示に対しては有効であるものの、カラー表示においては、反転画像が全く異質な画像となってしまうため、カラー表示を行う表示装置への適用が困難である。また、表示画像を所定の周期でずらす表示方法では、表示位置にずれが生じることとなるため、静止画の表示には不向きである。

また、上記特許文献２の技術は、表示領域の画素の発光情報ではなく、ダミー画素の発光情報に基づいて補正を行っていることから、表示領域内の画素に対して個別に補正を行うことができず、各有機ＥＬ素子の劣化を個別に防止することもできないものである。

また、上記特許文献３の技術では、各画素内に、有機ＥＬ素子の他にフォトダイオードなどの光検出素子も配置する必要があることから、製造工程が複雑化してしまうこととなり、改善の余地があった。

このように、従来の技術では、有機ＥＬ素子の劣化を個別かつ簡易に防止し、長期の安定した画像表示を行うことは困難であった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光素子の劣化を個別かつ簡易に防止し、長期の安定した画像表示を行うことが可能な発光表示装置を提供することにある。

本発明の発光表示装置は、マトリクス状に配置された複数の発光素子と、入力映像データに基づいて複数の発光素子を線順次で駆動する発光駆動手段と、この発光駆動手段により駆動されている第１の発光素子の出射光を、この第１の発光素子と線順次駆動方向で隣接する第２の発光素子に反射させる反射体と、この反射体からの反射光を受光するように第２の発光素子を線順次で駆動する受光駆動手段と、上記入力映像データと第２の発光素子から得られた受光信号とに基づいて、それ以降の入力映像データを補正する補正手段とを備えたものである。この場合において、上記補正手段が、入力画像データとこの入力画像データから得られるべき受光信号とを対応付けた対応テーブルを有し、入力画像データに基づいてこの対応テーブルから得られた受光信号と第２の発光素子から得られた受光信号とを比較することにより、それ以降の入力映像データを補正するようにすることが好ましい。また、上記発光素子が、有機ＥＬ素子により構成されているようにすることが可能である。

ここで「マトリクス状」とは、複数の発光素子が、発光表示装置の表示部全面にわたって、画面の水平ライン方向および垂直ライン方向に行列配置されている状態を意味し、この配置された各要素を画素と言う。また、「線順次で駆動」とは、ある１水平ライン分の各画素に含まれる発光素子が、１水平ラインごとに順次、発光動作または受光動作する態様の動作となるように駆動することを意味する。このような線順次発光動作または線順次受光動作を表示部全面にわたって行うことにより、１画面分の映像データの表示および１画面分の各画素についての受光をすることが可能となる。なお、「線順次駆動方向」とは、文字通り線順次駆動をする方向、すなわち画面の垂直ライン方向を意味する。

本発明の発光表示装置では、各発光素子が線順次に発光する。また、第１の発光素子から出射され反射体で反射された光が、第２の発光素子によって線順次で受光され、受光信号が出力される。このようにして得られた受光信号を用いて、それ以降の入力画像データの補正がなされ、補正された後の入力映像データに基づいて、各発光素子が発光する。

本発明の発光表示装置によれば、第１の発光素子からの線順次発光に基づく反射光を第２の発光素子に線順次で受光させ、受光信号を用いて補正された後の入力画像データによって各発光素子を発光させるようにしたので、発光素子の劣化を個別かつ簡易に防止し、長期の安定した画像表示を行うことが可能となる。

特に、入力画像データとこの入力画像データから得られるべき受光信号とを対応付けた対応テーブルを設け、この対応テーブルを利用して入力映像データを補正するようにした場合には、入力映像データをより高精度に補正することができ、各発光素子の劣化をより確実に防止することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光表示装置（有機ＥＬ表示装置）の全体構成を表すものである。この有機ＥＬ表示装置は、表示部１と、タイミング生成回路１０と、映像信号駆動回路２１と、発光用走査回路２２と、受光用走査回路３１と、受光信号処理回路３２と、受光信号記憶回路３３と、映像信号補正回路３４とを備えている。

表示部１は、複数の各画素１１が全面に渡ってマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルからなり、後述する線順次動作によって、所定の図形や文字などの映像を表示するものである。また、各画素１１は、有機ＥＬ素子を含む発光受光セルＣＷＲから構成され、後述するように画素ごとに発光動作および受光動作ができるようになっている。

タイミング生成回路１０は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）などから供給される同期信号ＣＬＫに基づいてタイミング信号を生成し、各発光受光セルＣＷＲを駆動する映像信号駆動回路２１、発光用走査回路２２、受光用走査回路３１および受光信号処理回路３２へ供給するものである。このようにしてタイミング信号が供給されることで、それぞれの回路が連動して動作するように制御がなされる。

映像信号駆動回路２１は、映像データ補正回路３４を介して図示しないＣＰＵなどから供給される映像データ（具体的には、補正映像データＶＤＯ）に基づいて、１水平ライン分の映像信号を生成すると共に、タイミング生成回路１０から供給されるタイミング信号に応じて、その映像信号を発光駆動対象の発光受光セルＣＷＲへ供給するものである。

発光用走査回路２２は、タイミング生成回路１０から供給されるタイミング信号に応じて、後述する走査信号および発光用選択信号を出力し、発光駆動対象の発光受光セルＣＷＲを選択するものである。これら発光用走査回路２２および映像信号駆動回路２１が連動することで、例えば符号Ｘで示した方向への線順次動作がなされ、任意の映像データに対応する映像が表示部１に表示されるようになっている。

受光用走査回路３１は、タイミング生成回路１０から供給されるタイミング信号に応じて、後述するリセット制御信号および受光用選択信号を出力し、受光駆動対象の発光受光セルＣＷＲを選択するものである。これにより、例えばある発光受光セルＣＷＲから出射して後述するマイクロプリズム１１２で反射した光を、他の発光受光セルＣＷＲが受光することが可能となる。

受光信号処理回路３２は、受光用走査回路３１から供給される受光用選択信号に応じて、各発光受光セルＣＷＲから出力された１水平ライン分の受光信号を取得し、処理するものである。具体的には、各発光受光セルＣＷＲからアナログデータの受光信号を取得すると共に、この受光信号をデジタルデータに変換、すなわちアナログ／デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）を行う。この受光信号処理回路３２において取得された１水平ライン分の受光信号は、受光信号記憶回路３３へ出力される。

受光信号記憶回路３３は、受光信号処理回路３２から出力される１水平ライン分の受光信号を、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などの記憶素子に格納し、保持しておくものである。受光信号記憶回路３３において格納された受光信号ＲＤは、映像データ補正回路３４へ出力される。なお、この受光信号記憶回路３３を構成する記憶素子は、１水平ライン分の受光信号をそのまま格納するラインメモリ、または１水平ライン分の受光信号を１画面分（１フレームの表示分）の受光信号に再構成して格納するフレームメモリのいずれであってもよく、また、それらを組み合わせた構成でもよい。

映像データ補正回路３４は、図示しないＣＰＵなどから供給される入力映像データＶＤＩと受光信号記憶回路３３から出力される受光信号ＲＤとに基づいて、入力映像データＶＤＩの補正を行うものである。詳細は後述するが、具体的には、入力画像データＶＤＩとこの入力画像データＶＤＩから得られるべき受光信号とを対応付けた対応テーブル（後述する入力映像データ−受光信号テーブル４１）などを用いて、この対応テーブルから得られた受光信号と受光信号記憶回路３３から出力される受光信号ＲＤとを比較することにより、それ以降（次のフレーム）の入力映像データＶＤＩの補正を行う。このようにして補正された入力画像データ（補正映像データＶＤＯ）は映像信号駆動回路２１へ供給され、各画素１１の有機ＥＬ素子は次のフレームにおいて、この補正映像データＶＤＯに基づいて発光することとなる。

なお、映像信号駆動回路２１および発光用走査回路２２は、本発明における「発光駆動手段」の一具体例に対応し、受光用走査回路３１および受光信号処理回路３２は、本発明における「受光駆動手段」の一具体例に対応する。また、映像データ補正回路３４は、本発明における「補正手段」の一具体例に対応する。

図２は、表示部１の断面構成の一例を表したものであり、図１におけるＡ−Ａ部分の矢視断面に対応するものである。この表示部１は、いわゆるＴＡＣ（Top emission Adaptive Current drive）技術を用いたものであり、上面発光型（Top emission 構造）の構成となっている。

表示部１は、絶縁基板１０１上に多層膜が形成された積層構造となっている。この多層膜は具体的には、絶縁基板１０１側から、ｐ−Ｓｉ（ポリ−シリコン）膜１０２と、画素１１ごとに形成された画素回路１０３と、コンタクト部１０４と、平坦化層１０５と、アノード電極１０６と、有機材料層１０７と、隔壁１０８と、カソード電極１０９と、封止層１１０と、封止ガラス１１１と、マイクロプリズム１１２と、カラーフィルタ１１３と、遮光層１１４とから構成されている。なお、これら多層膜のうち、アノード電極１０６と、有機材料層１０７と、カソード電極１０９とにより、有機ＥＬ素子ＥＬが構成されている。

絶縁基板１０１は、例えばガラスやプラスチックなどにより構成される。画素回路１０３は、ｐ−Ｓｉ層１０２内に形成されており、後述するように有機ＥＬ素子ＥＬを発光駆動または受光駆動するための回路（具体的にはそれぞれ、後述する発光回路ＣＷおよび受光回路ＣＲ）である。この画素回路１０３は、後述するように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）や容量素子などから構成される。なお、画素回路１０３は、コンタクト部１０４を介して、その画素１１内の有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電極１０６と接続されている。

平坦化層１０５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの絶縁性材料により構成されており、ｐ−Ｓｉ層１０２および各画素回路１０３の上を覆い、平坦化するためのものである。また、アノード電極１０６およびカソード電極１０７は、それぞれ有機ＥＬ素子ＥＬにおける陽極および陰極として機能するものである。アノード電極１０６は、上記のようにコンタクト部１０４を介して各画素回路１０３と電気的に接続し、カソード電極１０９は、各画素１１に対する共通電極として機能している。この表示部１は上記のように上面発光型であることから、アノード電極１０６は例えば金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料により構成される一方、カソード電極１０９は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの透明材料、もしくは半透明材料により構成される。

有機材料層１０７は、図示しない正孔輸送層、発光層および電子輸送層を順次堆積させたものであり、上記のように陽極（アノード電極１０６）および（カソード電極１０７）によって挟持された構造となっている。そして、これら陽極と陰極との間に順方向バイアス電圧を印加することにより、正孔は陽極から正孔輸送層を経て、電子は陰極から電子輸送層を経て、それぞれ発光層内に注入され、この注入された正負のキャリアの再結合によって発光層内の蛍光分子が励起状態となり、この励起分子の緩和過程で発光が得られる（例えば、図中の出射光Ｌ１）ようになっている。したがって、各発光受光セルＣＷＲに、Ｒ（赤）／Ｇ（緑）／Ｂ（青）の各色の発光に対応した有機材料層を選択的に配置、または白色発光する有機ＥＬ素子ＥＬとＲ（赤）／Ｇ（緑）／Ｂ（青）の各色に対応したカラーフィルタ層１１３とを組み合わせて配置することにより、表示部１においてカラー表示がなされる。なお、前者のように各色の発光に対応した有機材料層を選択的に配置した場合においても、出射光の色純度を高めるため、各色に対応したカラーフィルタ層１１３を組み合わせて配置するようにしてもよい。

ここで、この有機ＥＬ素子ＥＬはまた、前述のように光を受光する機能も有する。具体的には、図３に示したように、陽極（アノード電極１０６）と（カソード電極１０７）との間に逆方向バイアス電圧を印加することにより行う。このような状態にすると、有機ＥＬ素子ＥＬは発光することなく、光量に応じた微小の逆方向電流（光電流Ｉp）を発生する。したがって、この発生した光電流Ｉpを検出することで、光を受光することができる。

隔壁１０７は、各画素１１を分離する（これにより発光受光セルも、図に示したように、例えば発光受光セルＣＷＲ１，ＣＷＲ２などに分離されている）ためのものであり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの絶縁性材料により構成される。また、封止層１１０および封止ガラス１１１は、各有機ＥＬ素子ＥＬを外部から封止し、水分の混入を防止するためのものである。封止層１１０は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成される。また、遮光層１１４は、隣接画素間での光漏れを防止するためのものである。

ここで本実施の形態の表示部１では、封止ガラス１１１の一部にマイクロプリズム１１２が配置されており、各画素１１における有機ＥＬ素子ＥＬからの出射光の一部を反射し、線順次動作方向Ｘで隣接する画素の有機ＥＬ素子に反射させるようになっている。具体的には、例えば発光受光セルＣＷＲ１における有機ＥＬ素子からの出射光が、マイクロプリズム１１２において反射され、反射光Ｌ２として発光受光セルＣＷＲ２における有機ＥＬ素子に受光されるようになっている。詳細は後述するが、このようにして受光された反射光Ｌ２は、受光信号ＲＤとして前述の映像データ補正回路３４へ出力され、各有機ＥＬ素子へ供給される映像データＶＤＩが、画素１１ごとに個別に補正されるようになっている。このマイクロプリズム１１２は、例えば、封止ガラス１１１を構成するガラス基板上に所定の形状からなる溝を形成し、この溝の内部に蒸着などにより銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜を形成し、この金属膜上を例えば透明プラスチックなどの透明材料にて溝を埋めることにより、形成することができる。

なお、このマイクロプリズム１１２を配置する位置は、図３に示したような封止ガラス１１内には限られず、例えば図４に示したように、遮光層１１４内に配置するようにしてもよい。また、このように各有機ＥＬ素子ＥＬからの出射光を反射する反射体としては、図３および図４に示したようなマイクロプリズム１１２には限られず、例えば単純な金属反射膜など、他のものにより構成するようにしてもよい。

図５は、図２に示した発光受光セルＣＷＲにおける画素回路１０３の回路構成を表すものである。画素回路１０３は、発光駆動を行う発光回路ＣＷと、受光駆動を行うＣＲとから構成されている。発光回路ＣＷには、映像信号駆動回路２１から映像信号が供給される映像信号線ＤＷと、発光用走査回路２２から走査信号が供給される走査線Ｇと、同じく発光用走査回路２２から発光用選択信号が供給される発光制御線ＧＷとが接続されている。一方、受光回路ＣＲには、受光用走査回路３１からリセット信号が供給されるリセット制御線ＲＳと、同じく受光走査回路３１から受光選択信号が供給される受光制御線ＧＲと、受光信号処理回路３２へ受光信号ＲＤが出力される受光信号線ＤＲとが接続されている。なお、発光受光セルＣＷＲには、これら発光回路ＣＷおよび受光回路ＣＲの他に、上記した有機ＥＬ素子ＥＬが配置されている。

発光回路ＣＷは、映像信号取り込み用のＮ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１１と、駆動用のＰ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１２と、発光制御用のＮ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１３と、保持容量Ｃ１とから構成されている。Ｎ型トランジスタＴｒ１１のゲートは走査線Ｇに接続され、ドレインは映像信号線ＤＷに接続され、ソースは接続点Ａにおいて、保持容量Ｃ１の一端およびＰ型トランジスタＴｒ１２のゲートに接続されている。また、Ｐ型トランジスタＴｒ１２のソースは接続点Ｂにおいて、保持容量Ｃ１の他端およびアノード電源Ｖａに接続され、ドレインはＮ型トランジスタＴｒ１３のドレインと接続されている。また、Ｎ型トランジスタＴｒ１３のゲートは発光制御線ＧＷに接続され、ソースは有機ＥＬ素子ＥＬのアノードに接続されている。なお、有機ＥＬ素子ＥＬのカソードは、カソード電源Ｖｋに接続されている。

受光回路ＣＲは、リセット制御用のＮ型トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）２１と、受光電流制御用のＮ型トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）２２と、後述するカレントミラー回路を構成するＮ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ２３およびＮ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ２４と、受光信号出力制御用のＮ型トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ２５とから構成されている。Ｎ型トランジスタＴｒ２１のドレインは接続点Ｃにおいて、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードおよびＮ型トランジスタＴｒ２２のドレインに接続され、ゲートはリセット制御線ＲＳに接続され、ソースはリセット電源Ｖresに接続されている。また、Ｎ型トランジスタＴｒ２２のゲートは、受光制御線ＧＲに接続されている。また、Ｎ型トランジスタＴｒ２３は、そのドレインがＮ型トランジスタＴｒ２２のソース、自身のゲート、およびＮ型トランジスタＴｒ２４のゲートに共通接続され、そのソースがバイアス電源Ｖｂ１に接続されている一方、Ｎ型トランジスタＴｒ２４は、そのソースがバイアス電源Ｖｂ２に接続され、そのドレインがＮ型トランジスタＴｒ２５のソースに接続されている。すなわち、これらＮ型トランジスタＴｒ２３，Ｔｒ２４によりカレントミラー回路が構成されており、Ｎ型トランジスタＴｒ２３のドレイン電流（後述する受光時ＥＬ電流Ｉ１）が増幅されて、Ｎ型トランジスタＴｒ２４のソース・ドレイン間に電流が流れるようになっている。また、Ｎ型トランジスタＴｒ２５のゲートは、受光制御線ＧＲに接続されている。すなわち、受光制御線ＧＲには、Ｎ型トランジスタＴｒ２２のゲート、およびＮ型トランジスタＴｒ２５のゲートが共通接続されている。

次に図５および図６を参照して、このような構成の表示部１の各画素１１（発光受光セルＣＷＲ）における発光動作および受光動作について説明する。ここで図６は、線順次発光動作および線順次受光動作をタイミング図で表したものであり、１フレームの前半（タイミングｔ０〜ｔ２）を発光動作期間、後半（タイミングｔ２〜ｔ７）を受光動作期間とした場合のものである。この図において、（Ａ）は映像信号線ＤＷの電位（映像信号）Ｖ_DWを、（Ｂ）は走査線Ｇの電位（走査信号）Ｖ_Gを、（Ｃ）は受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRを、（Ｄ）はリセット制御線ＲＳの電位（リセット信号）Ｖ_RSを、（Ｅ）は発光制御線ＧＷの電位（発光選択信号）Ｖ_GWを、（Ｆ）は有機ＥＬ素子ＥＬにおける発光時ＥＬ電流Ｉ_ELを、（Ｇ）は有機ＥＬ素子ＥＬにおける受光時ＥＬ電流Ｉ１を、（Ｈ）は受光信号線ＤＲを流れる受光電流Ｉ２をそれぞれ示している。

まず、発光動作時（タイミングｔ０〜ｔ２）には、タイミングｔ０において、走査線Ｇの電位（走査信号）Ｖ_Gが“Ｈ”レベルとなると、Ｎ型トランジスタＴｒ１１がオン状態となり、映像信号線ＤＷから保持容量Ｃ１へ映像信号Ｖ_DWに応じた電流が流れることで、保持容量Ｃ１に電荷が蓄積される。つまりこのようにして、映像信号線ＤＷを介して、映像信号が発光回路ＣＷに取り込まれることとなる。そして保持容量Ｃ１に電荷が蓄積されていくと、Ｐ型トランジスタＴｒ１２はオン状態となる。

その後、タイミングｔ１において発光制御線ＧＷの電位（発光選択信号）Ｖ_GWが“Ｈ”レベルとなると、Ｎ型トランジスタＴｒ１３がオン状態となり、有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位が、映像信号Ｖ_DWに応じて上昇する。したがって、有機ＥＬ素子ＥＬには映像信号Ｖ_DWに応じた順方向の発光時ＥＬ電流Ｉ_ELが流れ、有機ＥＬ素子ＥＬが発光する。なお、この受光動作時には、受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRが“Ｌ”レベルであることから、Ｎ型トランジスタＴｒ２２はオフ状態であり、受光時ＥＬ電流Ｉ１および受光電流Ｉ２は流れない。

一方、受光動作時（タイミングｔ２〜ｔ７）には、まずタイミングｔ２において、発光制御線ＧＷの電位（発光選択信号）Ｖ_GWが“Ｌ”レベルとなることで、Ｎ型トランジスタＴｒ１３がオフ状態となり、有機ＥＬ素子ＥＬの発光動作が終了する。次に、タイミングｔ３において、受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRが“Ｈ”レベルになると、Ｎ型トランジスタＴｒ２２，Ｔｒ２５がいずれもオン状態となる。そしてその後、リセット制御線ＲＳの電位（リセット信号）Ｖ_RSが“Ｈ”レベルになると、Ｎ型トランジスタＴｒ２１がオン状態となり、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードがリセット電源Ｖresの電位に保持されることで、発光動作時に蓄積された電荷がリセットされる。このとき、有機ＥＬ素子ＥＬが発光動作を行わないよう、有機ＥＬ素子ＥＬは逆バイアス状態となるように設定される。例えば、カソード電源Ｖｋの電位＝０［Ｖ］の場合、リセット電源Ｖresの電位＝−５[Ｖ]程度に設定される。したがってこれ以降、有機ＥＬ素子ＥＬには、入射される光量に応じた逆方向の発光時ＥＬ電流Ｉ_ELが流れることとなる。なお、このときの受光時ＥＬ電流Ｉ１および受光電流Ｉ２は、このリセット動作に対応するリセット電流Ｉresとなるが、このリセット電流Ｉresは、有機ＥＬ素子ＥＬへ入射される光の光量には依存しない。

次に、タイミングｔ４において、受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRおよびリセット制御線ＲＳの電位（リセット信号）Ｖ_RSがいずれも“Ｌ”レベルとなると、Ｎ型トランジスタＴｒ２２，Ｔｒ２５はいずれもオフ状態となり、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードに蓄積された電荷（リセット電源Ｖresの電位に対応する）が放電されることで、接続点Ｃの電位が徐々に上昇していくこととなる。なお、このタイミングｔ４〜ｔ５におけるＥＬ部容量放電期間は、以降の受光信号出力期間（タイミングｔ５〜ｔ６）において、前述のカレントミラー回路を有効に動作させるために設けられているものである。

次に、タイミングｔ５において、受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRが再び“Ｈ”レベルになると、Ｎ型トランジスタＴｒ２２，Ｔｒ２５がいずれもオン状態となる。このとき、有機ＥＬ素子ＥＬは逆バイアス状態に設定されていると共に、カレントミラー回路が有効に動作することから、それぞれ有機ＥＬ素子ＥＬへ入射された光量に応じた受光時ＥＬ電流Ｉ１および受光電流Ｉ２が流れる。このようにして、受光信号線ＤＲに受光電流Ｉ２が流れることで、この受光電流Ｉ２に応じた受光信号が各画素１１（発光受光セルＣＷＲ）から出力される。なお、タイミングｔ６において、受光制御線ＧＲの電位（受光選択信号）Ｖ_GRが“Ｌ”レベルへと戻り、受光信号の出力が終了することとなる。

以上のように制御することで、表示部１における各画素（発光受光セルＣＷＲ）が発光動作および受光動作を行うことが可能となる。

以下、図７〜図１０を参照して、以上のような構成の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子ＥＬからの出射光を他の有機ＥＬ素子が受光し、その受光信号に基づいて入力映像データＶＤＩを補正する動作について説明する。

まず、表示部１の各水平ラインにおける線順次発光動作および線順次受光動作について説明する。

図７は、表示部１において（Ｎ―１）ライン目、Ｎライン目、（Ｎ＋１）ライン目に位置する水平ラインＸN-1，ＸN，ＸN+1（Ｎ；２以上の自然数）の位置関係を表したものであり、図８は、図７に示した水平ラインＸN-1，ＸN，ＸN+1における線順次発光動作および線順次受光動作を、それぞれタイミング図で表したものである（（Ａ）水平ラインＸN-1、（Ｂ）水平ラインＸN、（Ｃ）水平ラインＸN+1）。なお、図８中の矢印Ｘは図１に示した線順次動作方向Ｘを表しており、図９中の横軸は時間を表している。また、図９におけるタイミングｔ８〜ｔ１０、タイミングｔ１０〜ｔ１２、およびタイミングｔ１２〜ｔ１３はそれぞれ、１水平期間（１ラインに対する駆動期間）を表している。

図８に示したように、まず、タイミングｔ８〜ｔ１０の１水平期間では、水平ラインＸN-1に位置する画素１１（発光受光セルＣＷＲ）が発光動作を行っている。このとき、この水平ラインＸN-1に位置する発光受光セルＣＷＲから出射され、マイクロプリズム１１２で反射された反射光ＬN-1は、前述のように、線順次動作方向Ｘで隣接する水平ラインＸNに位置する発光受光セルＣＷＲおいて受光される。したがって、水平ラインＸNに位置する発光受光セルＣＷＲは、タイミングｔ８〜ｔ９において受光動作を行い、タイミングｔ９〜ｔ１０において、その受光信号を出力している。ここでこの場合の例では、タイミングｔ８〜ｔ９において、水平ラインＸNに位置する発光受光セルＣＷＲが発行準備動作（図６における映像信号取り込み期間の動作）を行い、効率的な動作をするようになっているが、前述のように、発光動作期間の最初（タイミングｔ１０以降）において行うようにしてもよい。なお、このとき水平ラインＸN+1に位置する発光受光セルＣＷＲは、タイミングｔ８〜ｔ９では消灯期間（発光動作および受光動作のいずれも行っていない期間）であり、タイミングｔ９〜ｔ１０では受光準備動作（図６におけるＥＬリセット期間の動作）を行うようになっている。

次に、タイミングｔ１０〜ｔ１２の１水平期間では、水平ラインＸN-1に位置する発光受光セルＣＷＲが引き続き発光動作を行うと共に、水平ラインＸNに位置する発光受光セルＣＷＲも、発光動作を開始する。このとき、水平ラインＸN+1に位置する発光受光セルＣＷＲは、タイミングｔ１０〜ｔ１１において、水平ラインＸNに位置する発光受光セルＣＷＲからの反射光ＬNの受光動作および発行準備動作を行い、タイミングｔ１１〜ｔ１２において、その受光信号の出力を行う。

同様に、タイミングｔ１２〜ｔ１３の１水平期間では、水平ラインＸN-1，ＸNに位置する発光受光セルＣＷＲが引き続き発光動作を行うと共に、水平ラインＸN+1に位置する発光受光セルＣＷＲも、発光動作を開始する。そして、図示しない水平ラインＸN+2に位置する発光受光セルＣＷＲが、この水平ラインＸN+1に位置する発光受光セルＣＷＲからの反射光ＬN+1の受光動作などを行う。

このようにして、各水平ラインＸN-1，ＸN，ＸN+1において線順次発光動作および線順次受光動作が行われる。また、このような線順次動作を表示部１１の全水平ラインで行うことで、表示部１において入力映像データＶＤＩに基づいた映像表示を行い、同時に、表示部１の全画素１１において受光された受光信号ＲＤを取り込むことができる。

次に図９を参照して、このようにして得られた受光信号ＲＤに基づいて、映像データ補正回路３４が行う入力映像データＶＤＩの補正処理について説明する。

まず、映像データ補正回路３４は、受光信号記憶回路３３に記憶されている、表示部１１で検出された各画素１１（発光受光セルＣＷＲ）の受光信号ＲＤを取得する（ステップＳ１１）。

次に、映像データ補正回路３４は、例えば図１０（Ａ）に示したような入力映像データ−受光信号テーブル４１（入力画像データとこの入力画像データから得られるべき受光信号とを対応付けた対応テーブル）を用いて、１フレーム前の入力画像データ４１１、すなわち取得した受光信号ＲＤの元となる入力画像データ（例えば、「１」）から、対応する（本来得られるべき）受光信号４１２（例えば、「５」）を取得する（ステップＳ１２）。なお、この１フレーム前の入力画像データ４１１は、例えばこの映像データ補正回路３４内に随時記憶されるようにすればよい。

次に、映像データ補正回路３４は、この対応テーブルから得られた受光信号４１２と、受光信号記憶回路３３から取得した受光信号ＲＤとを比較し、比較値４２１を算出する（ステップＳ１３）。

次に、映像データ補正回路３４は、例えば図１０（Ｂ）に示したような比較値−補正係数テーブル４２（算出された比較値４２１と、次のフレームの入力映像データＶＤＩに対する補正係数４２２とを対応付けた対応テーブル）を用いて、算出された比較値４２１（例えば、「Ａ１」）から、対応する補正係数４２２（例えば、「Ｂ１」）を取得する（ステップＳ１４）。

次に、映像データ補正回路３４は、図示しないＣＰＵなどから次のフレームの入力映像データＶＤＩを取得すると（ステップＳ１５）、この次のフレームの入力映像データＶＤＩに対して、比較値−補正係数テーブル４２から取得された補正係数４２２を乗ずることで、補正映像データＶＤＯを算出する（ステップＳ１６）。

最後に、映像データ補正回路３４が、このようにして算出された補正映像データＶＤＯを、映像信号駆動回路２１へと出力する（ステップＳ１７）ことで、入力映像データＶＤＩの補正処理が終了する。その後は、各画素１１の有機ＥＬ素子は次のフレームにおいて、この補正映像データＶＤＯに基づいて発光することとなる。

以上のように、本実施の形態によれば、各画素１１の有機ＥＬ素子ＥＬからの線順次発光に基づく反射光を、線順次動作方向Ｘで隣接する画素の有機ＥＬ素子ＥＬに線順次で受光させると共に、次のフレームでは、検出された受光信号ＲＤに基づいて補正された後の補正画像データＶＤＯにより、各画素１１の有機ＥＬ素子ＥＬを発光させるようにしたので、各画素１１における有機ＥＬ素子ＥＬの劣化を個別かつ簡易に防止し、長期の安定した画像表示を行うことが可能となる。

また、入力画像データとこの入力画像データから得られるべき受光信号とを対応付けた入力映像データ−受光信号テーブル４１を設け、映像データ補正回路３４が、この対応テーブルを利用して入力映像データＶＤＩを補正するようにしたので、入力映像データＶＤＩをより高精度に補正することができ、各有機ＥＬ素子ＥＬの劣化をより確実に防止することが可能となる。

なお、本実施の形態では、発光回路ＣＷおよび受光回路ＣＲが各画素１１に配置、すなわち、１つの有機ＥＬ素子ＥＬに対して発光回路ＣＷおよび受光回路ＣＲが１つずつ配置されている場合について説明してきたが、これらの回路配置はこの場合には限られず、例えば図１１に示したように、複数の有機ＥＬ素子ＥＬに対して受光回路ＣＲが１つ配置されているようにしてもよい。図１１の例では、Ｒ（赤）／Ｇ（緑）／Ｂ（青）の各色に対応した有機ＥＬ素子ＥＬr，ＥＬg，ＥＬbに対して、１つずつの発光回路ＣＷr，ＣＷg，ＣＷbが配置されると共に、１つの受光回路ＣＲが配置されている。このように配置することで、画素回路１０３の回路構成を簡素化することが可能となる。また、このように複数の有機ＥＬ素子ＥＬに対して１つの受光回路ＣＲを配置する場合、例えば対応する複数の有機ＥＬ素子ＥＬのうち、出射する光の輝度がより劣化しやすいものからの反射光を受光する有機ＥＬ素子ＥＬに対して、選択的に配置するようにすることが好ましい。このように配置することで、例えばＲ（赤）／Ｇ（緑）／Ｂ（青）の各色に対応する有機材料のうち、より劣化しやすいものに対して選択的に対応することができ、各有機ＥＬ素子ＥＬの劣化をより確実に防止することが可能となる。

また、例えば図１２に示したように、複数の有機ＥＬ素子に対して１つの受光回路ＣＲを配置すると共に、対応する複数の有機ＥＬ素子（この場合、有機ＥＬ素子ＥＬr，ＥＬg，ＥＬb）に対して受光回路ＣＲをそれぞれ接続するようにし、これら複数の有機ＥＬ素子からの受光電流を重畳することによって、受光信号ＲＤを取得するようにしてもよい。このように構成した場合、有機ＥＬ素子ＥＬに発生する微小な逆方向電流を重畳して増加させることができるので、受光信号ＲＤをより高い受光感度で検出することが可能となる。

また、本実施の形態では、入力映像データＶＤＩに対する補正方法として、比較値−補正係数テーブル４２から取得された補正係数４２２を乗ずることにより補正映像データＶＤＯを算出する方法について説明してきたが、入力映像データＶＤＩに対する補正方法はこれには限られず、例えば図１３の矢印Ｙで示したように、算出された比較値４２１に基づいて、いわゆるγカーブ曲線（各有機ＥＬ素子における発光輝度の階調レベルと、各有機ＥＬ素子に流れる電流との関係を示す特性曲線）を補正することにより、補正映像データＶＤＯを算出するようにしてもよい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、基本的には第１の実施の形態の有機ＥＬ表示装置と同様であり、第１の実施の形態と異なるのは、画素回路１０３の回路構成である。したがって、有機ＥＬ表示装置の全体構成（第１の実施の形態における図１に対応する）については、その説明を省略する。

図１４は、本実施の形態に係る発光受光セルＣＷＲにおける画素回路１０３の回路構成を表すものであり、第１の実施の形態における図５に対応する。なお、この図において、図５に示した第１の実施の形態に係る画素回路１０３の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施の形態の画素回路１０３において、第１の実施の形態の画素回路１０３（図５）と異なるのは、受光回路ＣＲの回路構成である。具体的には、第１の実施の形態の受光制御線ＧＲに対応する受光出力制御線ＧＲＯに加えて、受光入力制御線ＧＲＩを受光回路ＧＲに接続すると共に、Ｎ型トランジスタＴｒ２５のゲートを受光出力制御線ＧＲＯに接続し、Ｎ型トランジスタＴｒ２２のゲートを受光入力制御線ＧＲＩに接続するようにして区別した点である。

受光入力制御線ＧＲＩは、Ｎ型トランジスタＴｒ２２をオン・オフ制御することで、有機ＥＬ素子ＥＬで発生した逆方向のＥＬ電流Ｉ_ELを受光回路ＧＲへ入力するか否か、すなわち受光時ＥＬ電流Ｉ１を発生させる制御（受光電流発生制御）を行うものである。一方、受光出力制御線ＧＲＯは、Ｎ型トランジスタＴｒ２５をオン・オフ制御することで、受光回路ＣＲのカレントミラー回路で増幅した受光時ＥＬ電流Ｉ１を受光信号線ＤＲへ出力するか否かの制御（受光電流出力制御）を行うものである。このように構成したことで、これらＮ型トランジスタＴｒ２２，２５を互いに独立してオン・オフ制御し、上記した受光電流発生制御と受光電流出力制御とを互いに独立して行うことができる。

次に、図１４および図１５を参照して、本実施の形態の各画素１１における発光動作および受光動作について説明する。ここで図１５は、線順次発光動作および線順次受光動作をタイミング図で表したものであり、第１の実施の形態における図６に対応する。この図においても、図６に示した第１の実施の形態におけるタイミング図と同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。この図において、（Ｃ−１）は受光入力制御線ＧＲＩの電位Ｖ_GRIを、（Ｃ−２）は受光出力制御線ＧＲＯの電位Ｖ_GROをそれぞれ示している。

この図において、第１の実施の形態における図５のタイミング図と異なるのは、受光動作期間（そのうちの、タイミングｔ３〜ｔ６）である。具体的には、第１の実施の形態では、受光制御線ＧＲがタイミングｔ３〜ｔ４（ＥＬリセット期間）およびタイミングｔ５〜ｔ６（受光信号出力期間）において“Ｈ”レベルになっているのに対し、本実施の形態では、受光入力制御線ＧＲＩがタイミングｔ３〜ｔ６で“Ｈ”レベルとなる一方、受光出力制御線ＧＲＯがタイミングｔ５〜ｔ６で“Ｈ”レベルとなっている。すなわち、第１の実施の形態では、タイミングｔ５〜ｔ６においてＮ型トランジスタＴｒ２２，２５をいずれもオン状態とすることで、上記した受光電流発生制御と受光電流出力制御とを同じタイミングで行っているのに対し、本実施の形態では、タイミングｔ３〜ｔ６において受光電流発生制御を行い、タイミングｔ５〜ｔ６において受光電流出力制御を行っている。

このように構成したことで、本実施の形態では、タイミングｔ３〜ｔ６において、受光時ＥＬ電流Ｉ１（有機ＥＬ素子ＥＬのアノードからＮ型トランジスタＴｒ２２までの配線の電位）が蓄積されると共に安定化されてから、タイミングｔ５〜ｔ６において、受光電流Ｉ２として受光信号線ＤＲへ出力される。

以上のように、本実施の形態によれば、受光電流発生制御と受光電流出力制御とを互いに独立したタイミングで行うようにしたので、受光時ＥＬ電流Ｉ１を蓄積させると共に安定化させてから受光電流Ｉ２として出力することができ、有機ＥＬ素子ＥＬに発生する微小な逆方向電流を蓄積して増加させることができるので、第１の実施の形態における効果に加え、受光信号ＲＤをより高い受光感度で検出することが可能となる。

以上、第１および第２の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施の形態では、例えば図２、図４および図８などに示したように、線順次動作方向Ｘを表示部１の上から下への方向とし、各有機ＥＬ素子ＥＬからの反射光を、その有機ＥＬ素子ＥＬと下方向で隣接する有機ＥＬ素子において受光する場合について説明してきたが、例えば反射体として機能するマイクロプリズム１１２の配置を変更するなどして、各有機ＥＬ素子ＥＬからの反射光を、その有機ＥＬ素子ＥＬと上方向で隣接する有機ＥＬ素子において受光するようにしてもよい。この場合、線順次動作方向は、表示部１の下から上への方向となる。

また、上記実施の形態では、例えば図２および図４などに示したように、反射体として機能する各マイクロプリズム１１２と各有機ＥＬ素子ＥＬとが、１対１の関係をもって配置されている場合について説明してきたが、例えば、複数対１や１対複数などの関係をもって配置するようにしてもよい。

また、上記実施の形態では、表示部１が上面発光型により構成されている場合について説明してきたが、逆に下面発光型により構成してもよく、また、両面発光型により構成してもよい。

また、上記実施の形態において説明した各構成要素の材料および構成などは限定されるものではなく、他の材料としてもよく、また他の構成としてもよい。

さらに、上記実施の形態では、表示部１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素または全ての層を備える必要はなく、また、他の構成要素または他の層を備えていてもよい。

なお、本発明が適用される発光素子は有機ＥＬ素子には限られず、発光素子の劣化を個別かつ簡易に防止することが好ましく、かつ光の受光機能をも備えた発光素子を有する発光表示装置全般に適用することが可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る発光表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図１に示した表示部の断面構成の一例を表す断面図である。 有機ＥＬ素子の電圧−電流特性を表す特性図である。 図１に示した表示部の断面構成の他の例を表す断面図である。 図１に示した発光受光セルの回路構成の一例を表す回路図である。 線順次発光動作および線順次受光動作を説明するためのタイミング図である。 表示部における水平ラインの位置を説明するための模式図である。 図７に示した水平ラインにおける線順次発光動作および線順次受光動作を説明するためのタイミング図である。 入力映像データに対する補正処理の一例を表す流れ図である。 入力映像データの補正処理に用いるテーブルを表す模式図である。 発光受光セルの回路構成の他の例を表す回路図である。 発光受光セルの回路構成の他の例を表す回路図である。 入力映像データに対する補正処理の他の例を説明するための特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光受光セルの回路構成の一例を表す回路図である。 図１４に示した発光受光セルにおける発光動作および受光動作を説明するためのタイミング図である。

符号の説明

１…表示部、１０…タイミング生成部、１１…画素、１０１…絶縁基板、１０２…ｐ−Ｓｉ層、１０３…画素回路、１０４…コンタクト部、１０５…平坦化層、１０６…アノード電極、１０７…有機材料層、１０８…隔壁、１０９…カソード電極、１１０…封止層、１１１…封止ガラス、１１２…マイクロプリズム、１１３…カラーフィルタ、１１４…遮光層、２１…映像信号駆動回路、２２…発光側走査回路、３１…受光用走査回路、３２…受光用処理回路、３３…受光信号記憶回路、３４…映像データ補正回路、４１…入力映像データ−受光信号テーブル、４１１…入力映像データ、４１２…受光信号、４２…比較値−補正係数テーブル、４２１…比較値、４２２…補正係数、ＣＷＲ，ＣＷＲ１〜ＣＷＲ２…発光受光セル、ＣＷ，ＣＷr，ＣＷg，ＣＷb…発光回路、ＣＲ…受光回路、Ｇ…走査線、ＧＷ…発光制御線、ＧＲ…受光制御線、ＤＲＩ…受光入力制御線、ＧＲＯ…受光出力制御線、ＲＳ…リセット制御線、ＤＷ…映像信号線、ＤＲ…受光信号線、ＣＬＫ…同期信号、ＶＤＩ…入力映像データ、ＶＤＯ…補正映像データ、ＲＤ…受光信号、Ｌ１…出射光、Ｌ２，Ｌ３…反射光、ＥＬ…有機ＥＬ素子、Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３，Ｔｒ２１〜Ｔｒ２５…ＴＦＴ、Ｃ１…保持容量、Ｉ_EL…発光時ＥＬ電流、Ｉ１…受光時ＥＬ電流、Ｉ２…受光電流、ＶＡ…アノード電源、ＶＫ…カソード電源、Ｖres…リセット電源、Ｖｂ１，Ｖｂ２…バイアス電源、Ｘ…線順次動作方向、ＸN-1，ＸN，ＸN+1…水平ライン、ＬN-1，ＬN，ＬN+1…出射光、ｔ１〜ｔ１３…タイミング。

Claims (15)

1. マトリクス状に配置された複数の発光素子と、
   入力映像データに基づいて前記複数の発光素子を線順次で駆動する発光駆動手段と、
   前記発光駆動手段により駆動されている第１の発光素子の出射光を、前記第１の発光素子と線順次駆動方向で隣接する第２の発光素子に反射させる反射体と、
   前記反射体からの反射光を受光するように前記第２の発光素子を線順次で駆動する受光駆動手段と、
   前記入力映像データと前記第２の発光素子から得られた受光信号とに基づいて、それ以降の入力映像データを補正する補正手段と
   を備えたことを特徴とする発光表示装置。
2. 前記補正手段は、入力画像データとこの入力画像データから得られるべき受光信号とを対応付けた対応テーブルを有し、前記入力画像データに基づいてこの対応テーブルから得られた受光信号と前記第２の発光素子から得られた受光信号とを比較することにより、それ以降の入力映像データを補正する
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記補正手段は、前記受光信号の比較結果に基づいて前記入力画像データに所定の補正係数を乗ずることにより、それ以降の入力映像データを補正する
   ことを特徴とする請求項２に記載の発光表示装置。
4. 前記補正手段は、前記受光信号の比較結果に基づいて、前記複数の発光素子における発光輝度の階調レベルとこれらの発光素子に流れる電流との関係を示す特性曲線を補正することにより、それ以降の入力映像データを補正する
   ことを特徴とする請求項２に記載の発光表示装置。
5. 前記発光駆動手段は、１つの発光素子に対応して１つの発光駆動回路を有し、
   前記受光駆動手段は、１つの発光素子に対応して１つの受光駆動回路を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
6. 前記発光駆動手段は、１つの発光素子に対応して１つの発光駆動回路を有し、
   前記受光駆動手段は、複数の発光素子に対応して１つの受光駆動回路を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
7. 前記受光駆動回路は、対応する複数の発光素子のうち、出射する光の輝度がより劣化しやすいものからの反射光を受光する発光素子に対して、選択的に接続されている
   ことを特徴とする請求項６に記載の発光表示装置。
8. 前記受光駆動回路は、対応する複数の発光素子に対してそれぞれ接続され、
   前記受光駆動手段は、前記受光駆動回路に接続された複数の発光素子によって受光された各反射光を重畳することにより、前記受光信号を取得する
   ことを特徴とする請求項６に記載の発光表示装置。
9. 各反射体と各発光素子とが、１対１の関係をもって配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
10. 前記反射体は、マイクロプリズムにより構成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
11. 前記複数の発光素子は、互いに対向すると共に少なくとも各発光素子からの出射光が出射する側が透明基板により構成された１対の基板間に配置され、
    前記マイクロプリズムは、出射光が出射する側の前記透明基板内に配置されている
    ことを特徴とする請求項１０に記載の発光表示装置。
12. 前記複数の発光素子は、互いに対向すると共に少なくとも各発光素子からの出射光が出射する側が透明基板により構成され、表示光が出射する側の前記透明電極上に遮光部が設けられた１対の基板間に配置され、
    前記マイクロプリズムは、前記遮光部内に配置されている
    ことを特徴とする請求項１０に記載の発光表示装置。
13. 前記発光素子は、有機ＥＬ素子により構成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
14. 前記受光駆動手段は、前記有機ＥＬ素子を逆バイアス状態とすることにより前記反射光の光量に応じた受光電流を生じさせる受光電流発生制御と、前記受光電流を出力する受光電流出力制御とを行うことにより、前記受光信号を取得する
    ことを特徴とする請求項１３に記載の発光表示装置。
15. 前記受光駆動手段は、前記受光電流発生制御と前記受光電流出力制御とを、互いに独立したタイミングで行う
    ことを特徴とする請求項１４に記載の発光表示装置。
    
    

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