JP2006246673A - Control unit for isolated direct power conversion device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、大形のエネルギーバッファを用いずに交流を交流に直接変換する直接電力変換器の制御装置に関し、特に、入力側と出力側とを高周波トランスにより絶縁した高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器を制御する制御装置に関するものである。 The present invention relates to a control device for a direct power converter that directly converts alternating current to alternating current without using a large energy buffer, and more particularly to a high-frequency link-type insulated direct type in which an input side and an output side are insulated by a high-frequency transformer. The present invention relates to a control device that controls a power converter.
図4は、この種の電力変換器及びその制御装置の構成図であり、後述する非特許文献1に記載されているものと実質的に同一の従来技術である。
図4において、1は太陽電池及び昇圧チョッパ等により一定の直流電圧に維持された直流電源、2は半導体スイッチSap,San,Sbp,Sbnからなる高周波コンバータ(高周波インバータ)、3はコンバータ2の交流側に一次巻線が接続された高周波トランス、4は高周波トランス3の二次巻線に接続された双方向性の半導体スイッチSup,Sun,Svp,Svn,Swp,Swnからなる高周波コンバータであり、その三相の出力端子には発電機(電力系統)等の負荷5が接続されている。
この絶縁形直接電力変換器は、例えば、電力系統に連系した太陽光発電システム、燃料電池発電システム等に適用可能である。
FIG. 4 is a configuration diagram of this type of power converter and its control device, which is a prior art substantially the same as that described in Non-Patent
In FIG. 4, 1 is a DC power source maintained at a constant DC voltage by a solar cell and a boost chopper, 2 is a high frequency converter (high frequency inverter) composed of semiconductor switches S ap , San , S bp , S bn , A high-frequency transformer having a primary winding connected to the AC side of the converter 2 and a bidirectional semiconductor switch S up , S un , S vp , S vn , S wp connected to a secondary winding of the high-
This insulated direct power converter can be applied to, for example, a solar power generation system, a fuel cell power generation system and the like that are linked to a power system.
以下、上記電力変換器の動作を、その制御装置の構成と共に以下に説明する。
まず、トランスを用いて電源側と系統側とを絶縁する場合、商用周波数ではトランスの重量や体積が大きくなるのに対し、周波数が高くなるほど鉄心の磁束が小さくなって鉄心を小形化でき、トランスの重量、体積を大幅に軽減できることから、交流電圧を高い周波数に変換した後にトランスにより絶縁する方法が採られている。これは高周波リンク方式と呼ばれており、トランスを小形軽量化するための有力な手段である。
The operation of the power converter will be described below together with the configuration of the control device.
First, when using a transformer to insulate the power supply side from the system side, the weight and volume of the transformer increase at the commercial frequency, whereas the higher the frequency, the smaller the magnetic flux of the iron core and the smaller the core. Since the weight and volume can be greatly reduced, a method of insulating by a transformer after converting the AC voltage to a high frequency has been adopted. This is called a high frequency link system and is an effective means for reducing the size and weight of the transformer.
図4の従来技術では、上記の点に鑑み、高周波コンバータ2を用いて商用周波数より高い周波数の交流電圧を生成し、これを高周波トランス3により絶縁して高周波コンバータ4に伝達している。高周波コンバータ4では、高周波トランス3の二次側電圧を半導体スイッチSup,Sun,Svp,Svn,Swp,Swnにより直接チョッピングし、高周波の交流電圧から所望の大きさ及び周波数を有する三相交流電圧を生成する。
In the prior art of FIG. 4, in view of the above points, an AC voltage having a frequency higher than the commercial frequency is generated using the high-frequency converter 2, which is insulated by the high-
高周波コンバータ2は、方形波パルス発生器101により、高周波トランス3に印加する高周波電圧の周波数を決定し、半導体スイッチSap,San,Sbp,Sbnをスイッチングして高周波トランス3に電圧を印加する。
一方、出力電圧指令発生手段105から出力された出力電圧指令に基づき、出力電圧の角度及び大きさをベクトルアナライザ102により演算し、前記角度に基づきベクトル選択手段103により使用する電圧ベクトル(空間ベクトル)を決定すると共に、所望の電圧ベクトルが出力されるように各ベクトルの出力時間をパルス出力時間演算手段104により演算する。その後、タイマを用いて、ベクトル選択手段103にて決定された順番でパルスを発生することにより、高周波コンバータ4の半導体スイッチSup,Sun,Svp,Svn,Swp,Swnをスイッチングしている。
The high-frequency converter 2 determines the frequency of the high-frequency voltage applied to the high-
On the other hand, based on the output voltage command output from the output voltage command generation means 105, the angle and magnitude of the output voltage are calculated by the
図4に示した高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器では、高周波トランス3の二次側の電圧を半導体スイッチにより直接チョッッピングするため、トランス3の漏れインダクタンスに蓄えられたエネルギーにより、スイッチングの際に半導体スイッチの両端にサージ電圧が発生する。このサージ電圧はスナバ回路等を用いて抑制することが可能であるが、損失が増加するという不都合がある。
そこで、上述した非特許文献1では、トランス3の二次側の高周波コンバータ4により自然転流が行えるように制約を設けながら出力電圧ベクトルを選択し、電圧を出力させている。このため、高周波コンバータ4に対するパルスパターンや運転動作領域に制約が生じる。
In the high frequency link type isolated direct power converter shown in FIG. 4, the voltage on the secondary side of the
Therefore, in
また、図4の回路構成では、太陽電池や燃料電池等の直流電源から系統側の三相交流電源へ電力を供給する場合には適用可能であるが、風力発電機やエンジン発電機等の三相発電機から三相交流電源へ電力を供給することができない。これらの三相発電機を用いる場合には、高周波トランス3の一次側の高周波コンバータを二次側の高周波コンバータ4と同様に三相化することも考えられるが、前述したように、高周波コンバータ4を制御するに当たっては、場合により自然転流が可能なパルスパターンのみを選択しなくてはならず、制御が複雑化し、運転動作領域にも制約がある。
加えて、電源が交流の場合には、この電源を構成する交流発電機の効率や騒音の観点から、系統に連系する高周波コンバータ4だけでなく、電源側の交流発電機に接続される高周波コンバータについても電流を正弦波状に制御する必要がある。上述した高周波コンバータ4のスイッチングの制約と併せて、直接電力変換器の入出力波形の制御を両立させることは非常に困難であるため、制御装置の回路構成や制御動作が一層複雑化するおそれがある。
In addition, the circuit configuration of FIG. 4 is applicable when power is supplied from a DC power source such as a solar cell or a fuel cell to a three-phase AC power source on the system side. Power cannot be supplied from the phase generator to the three-phase AC power source. When these three-phase generators are used, it is conceivable that the high-
In addition, when the power source is AC, from the viewpoint of the efficiency and noise of the AC generator constituting the power source, not only the high-frequency converter 4 connected to the system but also the high frequency connected to the AC generator on the power source side. The converter also needs to control the current in a sine wave shape. In addition to the switching restrictions of the high-frequency converter 4 described above, it is very difficult to achieve direct control of the input / output waveform of the power converter, which may further complicate the circuit configuration and control operation of the control device. is there.
更に、高周波トランス3の漏れインダクタンスのエネルギー処理を無視して高周波コンバータ4を制御する場合、制御装置は入出力波形の制御だけに注力できるので、ある程度回路構成や動作を簡略化できるが、その場合には、漏れインダクタンスのエネルギーを処理するためのスナバ回路が大形化し、電力変換効率も低下するという問題がある。
Further, when controlling the high-frequency converter 4 ignoring the energy processing of the leakage inductance of the high-
そこで、本発明の解決課題は、三相入出力が可能な高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器において、入出力波形の制御を容易に行うことができ、しかも、高周波トランスの漏れインダクタンスのエネルギーを処理するに当たってスイッチングパターン等の制約を受けないようにした、小形化及び低価格化が可能な制御装置を提供することにある。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is that the input / output waveform can be easily controlled in the high frequency link type isolated direct power converter capable of three-phase input / output, and the energy of the leakage inductance of the high frequency transformer can be controlled. It is an object of the present invention to provide a control device which can be reduced in size and price so as not to be restricted by a switching pattern or the like in processing.
上記課題を解決するため、請求項1に記載した発明は、交流電源に接続された第1のコンバータと、このコンバータに一次側が接続された高周波トランスと、この高周波トランスの二次側に接続され、かつ、出力側が負荷に接続された第2のコンバータとを備え、第1,第2のコンバータを構成する半導体スイッチの動作により、交流電圧を任意の大きさ及び周波数を有する交流電圧に直接変換して負荷に供給する高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器を、
交流電源に接続された整流器と、この整流器に直流リンク部を介して接続され、かつ高周波トランスを備えた高周波リンク部と、この高周波リンク部に直流リンク部を介して接続され、かつ交流側に負荷が接続されるインバータ部と、の組合せとして仮想し、
前記絶縁形直接電力変換器を制御する制御装置が、
前記整流器の半導体スイッチを制御する仮想整流器制御手段と、
前記高周波リンク部の半導体スイッチを制御する仮想高周波リンク部制御手段と、
前記インバータ部の半導体スイッチを制御する仮想インバータ部制御手段と、
前記各制御手段からそれぞれ出力されるパルスを合成して第1,第2のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換するパルス合成手段と、を備えたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention described in
A rectifier connected to an AC power source, a high-frequency link unit connected to the rectifier via a DC link unit and having a high-frequency transformer, connected to the high-frequency link unit via a DC link unit, and on the AC side As a combination with the inverter unit to which the load is connected,
A control device for controlling the isolated direct power converter,
Virtual rectifier control means for controlling the semiconductor switch of the rectifier;
Virtual high-frequency link unit control means for controlling the semiconductor switch of the high-frequency link unit;
Virtual inverter unit control means for controlling the semiconductor switch of the inverter unit;
Pulse synthesizing means for synthesizing pulses respectively output from the control means and converting them into pulses for the semiconductor switches of the first and second converters.
請求項2に記載した発明は、請求項1において、
前記パルス合成手段は、
前記仮想整流器制御手段の出力パルスと前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスとを合成し、これを第1のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換する手段と、
前記仮想インバータ部制御手段の出力パルスと前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスとを合成し、これを第2のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換する手段と、を備えたものである。
The invention described in claim 2 is the invention according to
The pulse synthesizing means includes
Means for synthesizing the output pulse of the virtual rectifier control means and the output pulse of the virtual high-frequency link control means, and converting this into a pulse for the semiconductor switch of the first converter;
Means for synthesizing the output pulse of the virtual inverter control means and the output pulse of the virtual high-frequency link control means, and converting this into a pulse for the semiconductor switch of the second converter.
請求項3に記載した発明は、請求項2において、
前記パルス合成手段は、
前記仮想整流器制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数と前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数とに基づいて第1のコンバータの半導体スイッチに対するスイッチング関数を生成する手段と、
前記仮想インバータ部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数と前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数とに基づいて第2のコンバータの半導体スイッチに対するスイッチング関数を生成する手段と、を備えたものである。
The invention described in
The pulse synthesizing means includes
Means for generating a switching function for the semiconductor switch of the first converter based on a switching function corresponding to the output pulse of the virtual rectifier control means and a switching function corresponding to the output pulse of the virtual high-frequency link control means;
Means for generating a switching function for the semiconductor switch of the second converter based on a switching function corresponding to the output pulse of the virtual inverter control means and a switching function corresponding to the output pulse of the virtual high-frequency link control means; It is equipped with.
請求項4に記載した発明は、請求項1〜3の何れか1項において、
仮想した前記インバータ部の出力のゼロ電圧を検出する検出手段と、
この手段により検出したゼロ電圧の出力時に、仮想した前記高周波リンク部の前記高周波トランスの一次側を短絡する短絡手段と、を備えたものである。
The invention described in claim 4 is any one of
Detecting means for detecting a zero voltage of the output of the virtual inverter unit;
Short circuit means for short-circuiting the primary side of the high-frequency transformer of the virtual high-frequency link section when the zero voltage detected by this means is output.
請求項5に記載した発明は、請求項1〜4の何れか1項において、
前記絶縁形直接電力変換器が、三相入力−三相出力形の電力変換器であることを特徴とする。
The invention described in
The insulated direct power converter is a three-phase input-three-phase output type power converter.
請求項1〜3の発明によれば、第1,第2のコンバータ(高周波コンバータ)及び高周波トランスからなる高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器を、整流器と高周波リンク部とインバータ部の組み合わせからなる電力変換器として仮想し、これらの各部をそれぞれ個別に制御するのと等価な制御パルス(PWMパルス)を生成して第1,第2のコンバータを制御することにより、制御回路の構成や制御動作を簡略化することができる。
これにより、高周波トランスの漏れインダクタンスのエネルギーを処理するためにコンバータのスイッチングパターンや運転動作領域が制約されることもなく、入出力波形を正弦波状に保つ波形制御動作も支障なく行うことができる。また、上記漏れインダクタンスのエネルギーの処理はコンバータのスイッチングパターンの自由度により解決可能であるため大型のスナバ回路も不要になる。
According to the first to third aspects of the present invention, the high frequency link type insulated direct power converter including the first and second converters (high frequency converter) and the high frequency transformer is obtained by combining the rectifier, the high frequency link portion, and the inverter portion. As a power converter, the control circuit is configured and controlled by generating control pulses (PWM pulses) equivalent to controlling each of these units individually and controlling the first and second converters. The operation can be simplified.
As a result, the switching pattern of the converter and the operation operation region are not restricted in order to process the leakage inductance energy of the high-frequency transformer, and the waveform control operation for maintaining the input / output waveform in a sine waveform can be performed without any trouble. Moreover, since the energy processing of the leakage inductance can be solved by the degree of freedom of the switching pattern of the converter, a large snubber circuit is not required.
請求項4に記載した発明において、仮想したインバータ部がゼロ電圧ベクトルを出力するときには、大きなサージ電圧が発生するが、その際に高周波トランスの一次側を短絡するようなパルスパターンを生成して第1のコンバータの半導体スイッチをスイッチングすることにより、高周波トランスの漏れインダクタンスに蓄積されるエネルギーを低減してスナバ回路を小形化することができる。
また、請求項5の発明によれば、風力発電機やエンジン発電機等の三相発電機と三相交流電源との連系も可能になる。
In the invention described in claim 4, when the hypothetical inverter unit outputs a zero voltage vector, a large surge voltage is generated. At this time, a pulse pattern is generated to short-circuit the primary side of the high-frequency transformer. By switching the semiconductor switch of 1 converter, the energy accumulated in the leakage inductance of the high-frequency transformer can be reduced and the snubber circuit can be miniaturized.
Further, according to the invention of
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。まず、図1は本発明の第1実施形態を示す構成図であり、請求項1〜3及び5の発明に相当する。ここで、図4と同一の構成要素には同一の参照符号を付してある。
図1に示す絶縁形直接電力変換器10において、6は系統側の三相交流電源であり、その各相出力端子は第1のコンバータとしての三相高周波コンバータ2Aの入力側に接続され、その出力側には高周波トランス3の一次巻線が接続されている。なお、この高周波トランス3の二次巻線には図4と同様に第2のコンバータとしての三相高周波コンバータ4が接続され、その各相出力端子には発電機等の負荷5が接続されている。
ここで、高周波コンバータ2A,4はそれぞれ高速スイッチングが可能なIGBT等の半導体スイッチSrp,Srn,Ssp,Ssn,Stp,Stn及びSup,Sun,Svp,Svn,Swp,Swnにより構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention, and corresponds to the first to third aspects of the present invention. Here, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.
In the insulated
Here, the high-
系統側の高周波コンバータ2Aは、そのスイッチング動作により入力電流波形を正弦波状に制御すると共に、高周波トランス3に印加する高周波の単相電圧を生成する。同時に、負荷5側の高周波コンバータ4は、高周波トランス3から出力された単相電圧を任意の大きさ及び周波数を有する三相電圧に変換して負荷5に供給する。
以下に、本実施形態における制御装置の構成と併せて、その制御動作を詳細に説明する。なお、ここでは、理解を容易にするため、負荷5が発電機であると仮定してその駆動動作(電動機動作、すなわち高周波コンバータ4から負荷5に電力を供給する動作)について説明する。発電動作については、エネルギーフローが逆になるだけで実質的に同一である。
The high-frequency converter 2 </ b> A on the system side controls the input current waveform in a sine wave shape by the switching operation and generates a high-frequency single-phase voltage to be applied to the high-
The control operation will be described in detail below together with the configuration of the control device in the present embodiment. Here, in order to facilitate understanding, the drive operation (motor operation, that is, operation for supplying power from the high-frequency converter 4 to the load 5) will be described assuming that the
まず、一般に電力変換器の入力電圧と出力電圧との関係はスイッチング関数により表すことができ、図1に示す高周波リンク方式の絶縁形直接電力変換器10では、入力側の高周波コンバータ2Aの入出力電圧(高周波トランス3の一次側の入出力電圧)の関係は数式1により、出力側の高周波コンバータ4の入出力電圧(高周波トランス3の二次側の入出力電圧)の関係は数式2により、それぞれ表される。
First, in general, the relationship between the input voltage and the output voltage of the power converter can be expressed by a switching function. In the high frequency link type isolated
数式1において、epi,eniは高周波トランス3の一次側電圧、vr,vs,vtは三相交流電源6の各相電圧、数式2において、vu,vv,vwは高周波コンバータ4の各相出力電圧、epo,enoは高周波トランス3の二次側電圧である。
また、数式1,2では各コンバータ2A,4の半導体スイッチSmn(m,nは各半導体スイッチの記号に付した添字を示す)のスイッチング関数をsmnとして表してあり、半導体スイッチSmnがオンの状態をsmn=1、オフの状態をsmn=0とする。
In
In addition, in
ここで、図1の絶縁形直接電力変換器10を制御するに当たり、図2に示すような直流リンク部を有する高周波リンク方式の三相−三相電力変換器を考える。この電力変換器は、三相交流電源6の交流電圧を直流電圧に変換する整流器7(図1の高周波コンバータ2Aと回路構成は同一)と、直流電圧から高周波の方形波電圧を生成してトランスにより絶縁する高周波リンク部8と、その出力である直流電圧を所望の大きさ及び周波数の交流電圧に変換するインバータ部9(図1の高周波コンバータ4と回路構成は同一)とから構成されている。なお、高周波リンク部8内のSap,San,Sbp,Sbn,Scp,Scn,Sdp,Sdnは半導体スイッチ、8aは高周波トランスである。
Here, in controlling the insulated
図1の場合に準じて、高周波トランス8aの一次側及び二次側について、入出力電圧の関係をそれぞれ求めると、数式3,4となる。
According to the case of FIG. 1, when the relationship between the input and output voltages is obtained for the primary side and the secondary side of the high-frequency transformer 8a, respectively,
ここで、前述した数式1における右辺のスイッチング関数の行列と数式3における右辺のスイッチング関数の行列積とが等しくなれば、図1,図2で電力変換器の形は異なっていても、三相交流電源6からの各相入力電圧と高周波トランス3または8aの一次側電圧との関係は等しくなる。
従って、図1における高周波トランス3の一次側のスイッチングパターン(高周波コンバータ2Aのスイッチングパターン)を数式5に従って変換し、そのスイッチングパターンに従って高周波コンバータ2Aをスイッチングすれば、図1の絶縁形直接電力変換器10についても図2の電力変換器と同様に制御することができる。
Here, if the matrix of the switching function on the right side in
Therefore, if the switching pattern on the primary side of the
同様に、数式2における右辺のスイッチング関数の行列と数式4における右辺のスイッチング関数の行列積とが等しくなれば、図1,図2で電力変換器の形は異なっていても、高周波トランス3または8aの二次側電圧と各相出力電圧との関係は等しくなる。
よって、図1における高周波トランス3の二次側のスイッチングパターン(高周波コンバータ4のスイッチングパターン)を、数式4の右辺のスイッチング関数の行列積に従って数式5と同様に変換し、そのスイッチングパターンに従って高周波コンバータ4をスイッチングすれば、図1の絶縁形直接電力変換器10を図2の電力変換器と同様に制御することが可能になる。
Similarly, if the matrix of the switching function on the right side in Equation 2 and the matrix product of the switching function on the right side in Equation 4 are equal, the high-
Therefore, the switching pattern on the secondary side of the high-
図2に示した回路は、整流器7、高周波リンク部8、及びインバータ部9によって区分されていてこれら各回路の境界部に直流リンク部を有するため、各回路をそれぞれ個別に制御することが可能であり、図1の電力変換器10のように入出力側を同時に制御する必要がない。
上記の点に着目し、本実施形態の制御装置は、図1に示した絶縁形直接電力変換器10に対して図2のような構成の電力変換器を仮想し、高周波トランス8aの一次側、二次側に対するパルスパターンを図1の電力変換器10用に変換することで電力変換器10を簡単に制御可能としたものである。
The circuit shown in FIG. 2 is divided by a
Focusing on the above points, the control device of the present embodiment hypothesizes a power converter configured as shown in FIG. 2 with respect to the insulated
すなわち、図1の制御装置は、三相交流電源6側の電流を制御するための仮想整流器制御手段20と、図2の高周波リンク部8を制御するための仮想高周波リンク部制御手段30と、負荷側の出力電圧を制御するための仮想インバータ部制御手段40と、これらの制御手段20,30,40から出力されたPWMパルスを合成し、かつ変換して出力するパルス合成手段50と、から構成されている。
パルス合成手段50は、仮想整流器制御手段20の出力と仮想高周波リンク部制御手段30の出力とを合成するPWMパルス合成手段51と、仮想インバータ部制御手段40の出力と仮想高周波リンク部制御手段30の出力とを合成するPWMパルス合成手段52とからなっている。
That is, the control device in FIG. 1 includes virtual rectifier control means 20 for controlling the current on the three-phase
The
仮想整流器制御手段20は、実質的に図2の整流器7の半導体スイッチを制御するものであり、電源短絡を防止するために電流形整流器の制御を行う。電流形整流器の制御方法は周知であり、一例を挙げると、図1の電源電圧検出手段21により電源電圧を検出し、電流指令生成手段22により、電源電圧に対して力率1で正弦波の電流を流すような電流指令を生成する。
また、キャリア発生手段23により三角波キャリアを発生し、このキャリアと前記電流指令とを比較手段24により比較して電圧形PWM整流器のPWMパルスを生成する。そして、このPWMパルスをパルスパターン変換手段25に入力し、電圧形整流器用のPWMパルスから電流形整流器用のPWMパルスにパターン変換する。
The virtual rectifier control means 20 substantially controls the semiconductor switch of the
Further, a triangular wave carrier is generated by the carrier generation means 23, and the carrier and the current command are compared by the comparison means 24 to generate a PWM pulse of the voltage-type PWM rectifier. Then, this PWM pulse is inputted to the pulse pattern conversion means 25, and the pattern conversion is performed from the PWM pulse for the voltage source rectifier to the PWM pulse for the current source rectifier.
仮想インバータ部制御手段40は、実質的に図2のインバータ部9の半導体スイッチを制御するものであり、キャリアと三相の出力電圧指令とを比較してPWMパルスを生成する制御方法が周知である。
図1では、出力電力指令生成手段41により生成した所望の大きさ及び周波数の出力電圧指令と、キャリア発生手段42により生成したキャリアとを比較手段43により比較してPWMパルスを得る。
なお、仮想インバータの制御には三つの相が常にスイッチングする三相変調だけでなく、一つの相はスイッチングせずに残りの二相のスイッチングによって波形整形する二相変調を使用することもできる。また、キャリア発生手段42が発生するキャリアは、入力電流の歪みを防止するため、仮想整流器制御手段20の出力パルスに応じて傾きを変化させてもよい。
The virtual inverter unit control means 40 substantially controls the semiconductor switch of the inverter unit 9 of FIG. 2, and a control method for generating a PWM pulse by comparing a carrier and a three-phase output voltage command is well known. is there.
In FIG. 1, an output voltage command having a desired magnitude and frequency generated by the output power
The virtual inverter can be controlled not only by three-phase modulation in which three phases are always switched, but also in two-phase modulation in which one phase is not switched and the waveform is shaped by switching of the remaining two phases. Further, the carrier generated by the carrier generating means 42 may change the slope according to the output pulse of the virtual rectifier control means 20 in order to prevent distortion of the input current.
仮想高周波リンク部制御手段30は、仮想整流器側のキャリアの上り下りを検出するアップ/ダウン検出手段31を備えており、キャリアの上り下りに応じて方形波を発生する方形波発生手段32により、図2の高周波リンク部8の半導体スイッチに対するPWMパルスを生成する。
The virtual high-frequency
図1の高周波コンバータ2A側のPWMパルス合成手段51は、前記パルスパターン変換手段25の出力パルスと方形波発生手段32の出力パルスとを合成し、図2の高周波トランス8aの一次側と三相交流電源6との間の10個の半導体スイッチのスイッチングパターンを生成すると共に、このスイッチングパターンを、数式5に基づいて図1の電源6側の高周波コンバータ2Aのスイッチングパターンに変換して出力する。
一方、図1における高周波コンバータ4側のPWMパルス合成手段52は、前記比較手段43の出力パルスと方形波発生手段32の出力パルスとを合成し、図2の高周波トランス8aの二次側と負荷5との間の10個の半導体スイッチのスイッチングパターンを生成すると共に、このスイッチングパターンを、数式5と同様の原理に従って図1の負荷5側の高周波コンバータ4のスイッチングパターンに変換して出力する。
なお、PWMパルス合成手段51,52の出力パルスには、電源短絡や出力端開放が生じないように、インバータのデッドタイムに相当する転流パターンを付加する。
The PWM pulse synthesizing means 51 on the
On the other hand, the PWM pulse synthesizing means 52 on the high frequency converter 4 side in FIG. 1 synthesizes the output pulse of the comparison means 43 and the output pulse of the square wave generating means 32, and the secondary side of the high frequency transformer 8a in FIG. 1 is generated, and the switching pattern is converted into the switching pattern of the high-frequency converter 4 on the
Note that a commutation pattern corresponding to the dead time of the inverter is added to the output pulses of the PWM pulse synthesizing means 51 and 52 so as not to cause a power supply short circuit and an output end opening.
上述した第1実施形態によれば、図1に示す絶縁形直接電力変換器10に対して、図2のような整流器7、高周波リンク部8、及びインバータ部9からなる電力変換器を仮想し、この仮想した電力変換器を制御するためのPWMパルスを生成、合成したうえで電力変換器10用にパルスパターンを変換して制御するので、実質的に整流器7、高周波リンク部8、及びインバータ部9をそれぞれ個別に制御するのと同等の制御方法を用いることができる。
これにより、制御装置の構成や制御動作が単純になり、高周波トランス3の漏れインダクタンスのエネルギーを処理するために高周波コンバータ4のスイッチングパターンや運転動作領域が制約されることもなく、入出力波形を正弦波状に保つ波形制御動作も支障なく行うことができる。また、上記漏れインダクタンスのエネルギーの処理は、高周波コンバータ4のスイッチングパターンの自由度により解決可能であるから、大形のスナバ回路も不要になる。
更に、第1実施形態によれば、風力発電機やエンジン発電機等の三相発電機と三相交流電源との連系も可能である。
According to the first embodiment described above, a power converter including the
This simplifies the configuration and control operation of the control device, and does not restrict the switching pattern or operating operation area of the high-frequency converter 4 in order to process the leakage inductance energy of the high-
Furthermore, according to the first embodiment, it is possible to link a three-phase generator such as a wind power generator or an engine generator and a three-phase AC power source.
次に、図3は本発明の第2実施形態を示す構成図であり、請求項4の発明に相当するものである。
この実施形態では、図2のインバータ部9(図3の高周波コンバータ4)がゼロ電圧を発生しているときに、図2の高周波リンク部8の上アームまたは下アームの半導体スイッチを介して高周波トランス8aの一次側を短絡するように仮想的に制御することにより、高周波トランス8a、言い換えれば図3の高周波トランス3の二次側から出力される電流をゼロにして漏れインダクタンスにエネルギーが蓄積されないようにしたものである。
以下に、本実施形態の構成及び動作原理について説明する。
Next, FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention, and corresponds to the invention of claim 4.
In this embodiment, when the inverter unit 9 in FIG. 2 (the high-frequency converter 4 in FIG. 3) generates a zero voltage, the high-frequency link unit 8 in FIG. By virtually controlling to short-circuit the primary side of the transformer 8a, the current output from the secondary side of the high-frequency transformer 8a, in other words, the high-
Hereinafter, the configuration and operation principle of the present embodiment will be described.
高周波トランスの漏れインダクタンスに蓄積されたエネルギーは、半導体スイッチをスイッチングする際にサージ電圧となって現れる。このサージ電圧により半導体スイッチが破壊されるのを防止するため、通常はスナバ回路を設けている。
図2のインバータ部9(図3の高周波コンバータ4)がゼロ電圧ベクトルを出力するとき、インバータ部9の直流電流は強制的にゼロとなるので、サージ電圧は最も大きくなる。
The energy stored in the leakage inductance of the high-frequency transformer appears as a surge voltage when switching the semiconductor switch. In order to prevent the semiconductor switch from being destroyed by this surge voltage, a snubber circuit is usually provided.
When the inverter unit 9 in FIG. 2 (the high-frequency converter 4 in FIG. 3) outputs a zero voltage vector, the direct current of the inverter unit 9 is forced to be zero, so that the surge voltage becomes the largest.
そこで本実施形態では、インバータ部9がゼロ電圧を出力するタイミングを、図3における仮想高周波リンク部制御手段30Aのゼロベクトル検出手段33が比較手段43の出力から検出し、図2の高周波トランス8aの一次側を短絡させるために上アームまたは下アームの半導体スイッチをオンさせるようなパルスパターンをトランス一次側短絡手段34が生成して、PWMパルス合成手段51に出力する。
これにより、PWMパルス合成手段51の出力パルスが与えられる高周波コンバータ2Aでは、高周波トランス3の一次側を短絡させるように半導体スイッチがオンし、その二次側から出力される電流をゼロにして漏れインダクタンスへのエネルギーの蓄積を回避することができる。
この結果、電力変換器10の出力側には同じゼロ電圧を出力しながら、漏れインダクタンスにエネルギーが蓄えられるのを防止することができ、スナバ回路を小形化することが可能になる。
Therefore, in the present embodiment, the timing at which the inverter unit 9 outputs the zero voltage is detected from the output of the
Thereby, in the
As a result, while the same zero voltage is output to the output side of the
2A,4:高周波コンバータ
3:高周波トランス
5:負荷
6:三相交流電源
7:整流器
8:高周波リンク部
8a:高周波トランス
9:インバータ部
10:絶縁形直接電力変換器
20:仮想整流器制御手段
21:電源電圧検出手段
22:電流指令生成手段
23:キャリア発生手段
24:比較手段
25:パルスパターン変換手段
30,30A:仮想高周波リンク部制御手段
31:アップ/ダウン検出手段
32:方形波発生手段
33:ゼロベクトル検出手段
34:トランス一次側短絡手段
40:仮想インバータ部制御手段
41:出力電圧指令生成手段
42:キャリア発生手段
43:比較手段
50:パルス合成手段
51,52:PWMパルス合成手段
2A, 4: High frequency converter 3: High frequency transformer 5: Load 6: Three-phase AC power supply 7: Rectifier 8: High frequency link unit 8a: High frequency transformer 9: Inverter unit 10: Insulated direct power converter 20: Virtual rectifier control means 21 : Power supply voltage detection means 22: current command generation means 23: carrier generation means 24: comparison means 25: pulse pattern conversion means 30, 30A: virtual high frequency link unit control means 31: up / down detection means 32: square wave generation means 33 : Zero vector detection means 34: Transformer primary side short-circuit means 40: Virtual inverter section control means 41: Output voltage command generation means 42: Carrier generation means 43: Comparison means 50: Pulse synthesis means 51, 52: PWM pulse synthesis means
Claims (5)
交流電源に接続された整流器と、この整流器に直流リンク部を介して接続され、かつ高周波トランスを備えた高周波リンク部と、この高周波リンク部に直流リンク部を介して接続され、かつ交流側に負荷が接続されるインバータ部と、の組合せとして仮想し、
前記絶縁形直接電力変換器を制御する制御装置が、
前記整流器の半導体スイッチを制御する仮想整流器制御手段と、
前記高周波リンク部の半導体スイッチを制御する仮想高周波リンク部制御手段と、
前記インバータ部の半導体スイッチを制御する仮想インバータ部制御手段と、
前記各制御手段からそれぞれ出力されるパルスを合成して第1,第2のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換するパルス合成手段と、
を備えたことを特徴とする絶縁形直接電力変換器の制御装置。 A first converter connected to an AC power source, a high-frequency transformer having a primary side connected to the converter, and a second converter connected to a secondary side of the high-frequency transformer and having an output side connected to a load. Insulation type direct power converter of high frequency link system that directly converts an AC voltage into an AC voltage having an arbitrary magnitude and frequency and supplies it to a load by operation of semiconductor switches constituting the first and second converters The
A rectifier connected to an AC power source, a high-frequency link unit connected to the rectifier via a DC link unit and having a high-frequency transformer, connected to the high-frequency link unit via a DC link unit, and on the AC side As a combination with the inverter unit to which the load is connected,
A control device for controlling the isolated direct power converter,
Virtual rectifier control means for controlling the semiconductor switch of the rectifier;
Virtual high-frequency link unit control means for controlling the semiconductor switch of the high-frequency link unit;
Virtual inverter unit control means for controlling the semiconductor switch of the inverter unit;
Pulse synthesizing means for synthesizing the pulses respectively output from the control means and converting them to pulses for the semiconductor switches of the first and second converters;
A control device for an insulated direct power converter, comprising:
前記パルス合成手段は、
前記仮想整流器制御手段の出力パルスと前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスとを合成し、これを第1のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換する手段と、
前記仮想インバータ部制御手段の出力パルスと前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスとを合成し、これを第2のコンバータの半導体スイッチに対するパルスに変換する手段と、
を備えたことを特徴とする絶縁形直接電力変換器の制御装置。 In the control device for an insulated direct power converter according to claim 1,
The pulse synthesizing means includes
Means for synthesizing the output pulse of the virtual rectifier control means and the output pulse of the virtual high-frequency link control means, and converting this into a pulse for the semiconductor switch of the first converter;
Means for synthesizing the output pulse of the virtual inverter section control means and the output pulse of the virtual high frequency link section control means, and converting this into a pulse for the semiconductor switch of the second converter;
A control device for an insulated direct power converter, comprising:
前記パルス合成手段は、
前記仮想整流器制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数と前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数とに基づいて第1のコンバータの半導体スイッチに対するスイッチング関数を生成する手段と、
前記仮想インバータ部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数と前記仮想高周波リンク部制御手段の出力パルスに相当するスイッチング関数とに基づいて第2のコンバータの半導体スイッチに対するスイッチング関数を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする絶縁形直接電力変換器の制御装置。 In the control apparatus for an insulated direct power converter according to claim 2,
The pulse synthesizing means includes
Means for generating a switching function for the semiconductor switch of the first converter based on a switching function corresponding to the output pulse of the virtual rectifier control means and a switching function corresponding to the output pulse of the virtual high-frequency link control means;
Means for generating a switching function for the semiconductor switch of the second converter based on a switching function corresponding to the output pulse of the virtual inverter control means and a switching function corresponding to the output pulse of the virtual high-frequency link control means;
A control device for an insulated direct power converter, comprising:
仮想した前記インバータ部の出力のゼロ電圧を検出する検出手段と、
この手段により検出したゼロ電圧の出力時に、仮想した前記高周波リンク部の前記高周波トランスの一次側を短絡する短絡手段と、
を備えたことを特徴とする絶縁形直接電力変換器の制御装置。 In the control apparatus of the insulation type direct power converter given in any 1 paragraph of Claims 1-3,
Detecting means for detecting a zero voltage of the output of the virtual inverter unit;
Short-circuit means for short-circuiting the primary side of the high-frequency transformer of the virtual high-frequency link section at the time of outputting zero voltage detected by this means,
A control device for an insulated direct power converter, comprising:
前記絶縁形直接電力変換器が、三相入力−三相出力形の電力変換器であることを特徴とする絶縁形直接電力変換器の制御装置。 In the control apparatus of the insulation type direct power converter given in any 1 paragraph of Claims 1-4,
The controller for an insulated direct power converter, wherein the insulated direct power converter is a three-phase input-three-phase output type power converter.
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