JP2006245144A - 露光印字装置及び露光印字方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】安価に製造でき、露光印字性能を大幅に向上することができる露光印字装置及び露光印字方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード12又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンが制御部16により制御されて発光ダイオード又はEL素子から光が出射される。発光ダイオード又はEL素子から出射された光は、投影レンズ22により被印字部材20に投影される。これにより、被印字部材20には所定の情報が印字される。
【選択図】 図1
【解決手段】発光ダイオード12又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンが制御部16により制御されて発光ダイオード又はEL素子から光が出射される。発光ダイオード又はEL素子から出射された光は、投影レンズ22により被印字部材20に投影される。これにより、被印字部材20には所定の情報が印字される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、露光により所定の情報を被印字部材に印字する露光印字装置及び露光印字方法に関する。
近年、半導体基板や液晶基板などの被印字部材の製造工程において、その品質管理や歩留まり向上は直接コストや製品単価に反映され、重要な課題を担っている。このため、製造メーカ各社は、半導体基板や液晶基板などに固有の製造番号(例えば16桁の数字もしくは2次元コード)などの情報を印字し、その製品履歴の管理を行っている。
ここで、半導体基板や液晶基板などの被印字部材に固有の製造番号などの所定の情報を露光により印字する露光印字装置として、図7に示すように、高圧水銀ランプ102と、楕円集光ミラー104と、折返しミラー106と、均一化集光レンズ108と、液晶マスク110と、投影レンズ112と、を用いた露光印字装置100が知られている。この露光印字装置100によれば、高圧水銀ランプ102から出射された光が楕円集光ミラー104により集光されながら折返しミラー106に入射しこの折返しミラー106により所定の方向に反射される。折返しミラー106により所定の方向に反射された光は集光レンズ108により集光・均一化され、集光・均一化された光が液晶マスク110に入射する。液晶マスク110に入射した光は、投影レンズ112を透過し、被印字部材114に照射される。これにより、被印字部材114に所定の情報が印字される。
なお、上記従来技術は公用の技術であり、本発明は公用の技術をもとに開発したものである。このため、出願人は、特許出願の時において本発明に関連する文献公知発明の存在を知らず、文献公知発明の名称その他の文献公知発明に関する情報の所在の記載を省略する。
ところで、上記従来の露光印字装置では、高圧水銀ランプを光源に用い、また光を液晶マスクに透過させているため、露光印字装置が非常に高価となる問題がある。また、高圧水銀ランプを用いているため、高圧水銀ランプの破損・故障の恐れがあり、露光印字性能が低下する問題がある。
そこで、本発明は、上記事情を考慮し、安価に製造でき、露光印字性能を大幅に向上することができる露光印字装置及び露光印字方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、露光により所定の情報を被印字部材に印字する露光印字装置であって、発光ダイオード又はEL素子と、前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射された光を前記被印字部材に投影する光投影手段と、前記発光ダイオード又は前記EL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンを制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
請求項1に記載の発明によれば、発光ダイオード又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンが制御手段により制御されて発光ダイオード又はEL素子から光が出射される。発光ダイオード又はEL素子から出射された光は、光投影手段により被印字部材に投影される。これにより、被印字部材には所定の情報が印字される。このように、本発明によれば、光源として単数又は複数の発光ダイオード又はEL素子を用いているため、従来技術の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、製造コストを低減させることができる。また、従来のように投影マスクを用いる必要が無いため、部品点数を削減でき、これに伴い製造コストをさらに低減させることができる。さらに、発光ダイオード又はEL素子を用いることにより、従来の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、破損・故障の可能性を大幅に抑制することができ、露光印字性能の低下を防止できる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の露光印字装置において、前記光投影手段と前記被印字部材との相対距離を変化させる位置調整手段を備えたことを特徴とする。
請求項2に記載の発明によれば、位置調整手段を備えることにより、光投影手段と被印字部材との相対距離を変化させることができる。これにより、被印字部材に投影される光の焦点位置を容易に調整することができ、被印字部材に印字された所定の情報の品質を向上させることができる。この結果、被印字部材に印字された所定の情報を別途の読取装置で正確に読み取ることができる。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の露光印字装置において、前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射される光の中心波長は、500nm以下であることを特徴とする。
請求項3に記載の発明によれば、発光ダイオード又はEL素子から出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、解像力を増大させることができ、被印字部材に複雑な情報を印字させることができる。また、発光ダイオード又はEL素子から出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、被印字部材に所定の情報を印字させる際に使用する部屋を暗室にする必要がない。
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光印字装置において、前記被印字部材に印字される前記所定の情報は、2次元コードであることを特徴とする。
請求項4に記載の発明によれば、被印字部材に所定の情報として2次元コード(QRコード)を印字することにより、被印字部材に印字された所定の情報を別途の読取装置により高速で読み取らせることができる。
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光印字装置において、前記発光ダイオード又は前記EL素子は、N×N(N:自然数)個となるように配置されていることを特徴とする。
請求項5に記載の発明によれば、発光ダイオード又はEL素子がN×N(N:自然数)個となるように配置されているため、例えば,QRコードなどの2次元からなる複雑な情報を被印字部材に正確に印字させることができる。
請求項6に記載の発明は、露光により所定の情報を被印字部材に印字する露光印字方法であって、発光ダイオード又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンを制御手段により制御する制御工程と、発光タイミング又は/及び発光パターンが制御された光を前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射させる光出射工程と、前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射された光を光投影手段により前記被印字部材に投影させる印字工程と、を有することを特徴とする。
請求項6に記載の発明によれば、制御工程において、発光ダイオード又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンが制御手段により制御される。光出射工程において、発光タイミング又は/及び発光パターンが制御された光が発光ダイオード又はEL素子から出射される。印字工程において、発光ダイオード又はEL素子から出射された光が光投影手段により被印字部材に投影される。これにより、被印字部材には所定の情報が印字される。このように、本発明によれば、光源として単数又は複数の発光ダイオード又はEL素子を用いているため、従来技術の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、製造コストを低減させることができる。また、従来のように投影マスクを用いる必要が無いため、部品点数を削減でき、これに伴い製造コストをさらに低減させることができる。さらに、発光ダイオード又はEL素子を用いることにより、従来の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、破損・故障の可能性を大幅に抑制することができ、露光印字性能の低下を防止できる。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の露光印字方法において、前記光投影手段と前記被印字部材との相対距離を変化させる位置調整手段を備え、前記位置調整手段により前記被印字部材に投影される光の焦点を調整させる焦点調整工程を有することを特徴とする。
請求項7に記載の発明によれば、焦点調整工程において、位置調整手段により被印字部材に投影される光の焦点が調整される。これにより、被印字部材に印字された所定の情報の品質を向上させることができ、被印字部材に印字された所定の情報を別途の読取装置で正確に読み取ることができる。
請求項8に記載の発明は、請求項6又は7に記載の露光印字方法において、前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射される光の中心波長は、500nm以下であることを特徴とする。
請求項8に記載の発明によれば、発光ダイオード又はEL素子から出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、解像力を増大させることができ、被印字部材に複雑な情報を印字させることができる。また、発光ダイオード又はEL素子から出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、被印字部材に所定の情報を印字させる際に用いる部屋を暗室にする必要がない。
請求項9に記載の発明は、請求項6乃至8のいずれか1項に記載の露光印字方法において、前記被印字部材に印字される前記所定の情報は、2次元コードであることを特徴とする。
請求項9に記載の発明によれば、被印字部材に所定の情報として2次元コード(QRコード)を印字することにより、被印字部材に印字された所定の情報を別途の読取装置により高速で読み取らせることができる。
請求項10に記載の発明は、請求項6乃至9のいずれか1項に記載の露光印字方法において、前記発光ダイオード又は前記EL素子は、N×N(N:自然数)個となるように配置されていることを特徴とする。
請求項10に記載の発明によれば、発光ダイオード又はEL素子がN×N(N:自然数)個となるように配置されているため、例えば,QRコードなどの2次元からなる複雑な情報を被印字部材に正確に印字させることができる。
本発明によれば、安価に製造でき、露光印字性能を大幅に向上することができる。
次に、本発明の一実施形態に係る露光印字装置について、図面を参照して説明する。
図1及び図2に示すように、露光印字装置10は、発光ダイオード12を有する光源部14を備えている。この発光ダイオード12として、中心波長が500nm以下の光を出射する青色発光ダイオードが用いられている。この発光ダイオード12は、N個×N個(N:自然数)となるように配置されている。
また、露光印字装置10は、発光ダイオード12の発光タイミング又は発光パターンを制御する制御部(制御手段)16を備えている。また、露光印字装置10は、記憶部(記憶手段)18を備えている。この記憶部18は、例えばRAMで構成されており、発光ダイオード12の発光タイミング又は発光パターンを制御するプログラムが格納されている。さらに、露光印字装置10は、発光ダイオード12から出射された光を被印字部材(例えば、半導体基板や液晶基板など)20に投影するための投影レンズ(光投影手段)22を備えている。
次に、本実施形態に係る露光印字装置10の作用について、図3に示すフローチャートに基づいて説明する。
図1乃至図3に示すように、制御工程において、記憶部18に予め格納した制御プログラムに基づいて制御部16が発光ダイオード12の発光タイミング又は/及び発光パターンを制御する(ステップ100)。光出射工程において、制御部16により発光ダイオード12の発光タイミング又は/及び発光パターンが制御された光が発光ダイオードから出射される(ステップ120)。印字工程において、発光ダイオード12から出射された光が投影レンズ22により被印字部材20に投影される(ステップ140)。これにより、被印字部材20には所定の情報(例えば、製造番号(16桁の数字、2次元コード))が印字される。
なお、「2次元コード」とは、QR(Quick Response)コードであり、QRコードを構成する最小の単位(白と黒の正方形)であるセルの組合せで表示されるものである。
以上のように、本発明によれば、光源として単数又は複数の発光ダイオード12を用いているため、従来技術の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、製造コストを低減させることができる。また、従来のように投影マスクを用いる必要が無いため、部品点数を削減でき、これに伴い製造コストをさらに低減させることができる。さらに、発光ダイオード12を用いることにより、従来の高圧水銀ランプを用いた場合と比較して、破損・故障の可能性を抑制することができ、露光印字性能の低下を防止できる。
また、被印字部材20に所定の情報として2次元コード(QRコード)を印字することにより、被印字部材20に印字された所定の情報を別途の読取装置により高速で読み取らせることができる。青色発光ダイオードから出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、解像力を増大させることができ、被印字部材に複雑な情報を印字させることができる。また、発光ダイオードから出射される光の中心波長が500nm以下とすることにより、被印字部材に所定の情報を印字させる際に使用する部屋を暗室にする必要がない。
特に、発光ダイオード12がN×N(N:自然数)個となるように配置されているため、例えば,QRコードなどの2次元からなる複雑な情報を被印字部材20に正確に印字させることができる。
なお、投影レンズ22又は/及び被印字部材20を両者の相対距離を変化させるテーブル(図示省略)に載せるように構成することが好ましい。これにより、投影レンズ22と被印字部材20との相対距離を変化させることができ、被印字部材20に投影される光の焦点位置を容易に適宜調整することができる。この結果、被印字部材20に印字された所定の情報の品質を向上させることができ、さらに被印字部材20に印字された所定の情報を別途の読取装置で正確に読み取ることができる。
また、上記実施形態では、発光ダイオード12を用いた構成を示したが、この構成に限られることはなく、発光ダイオード12に替えて、例えば、中心波長が500nm以下の光を出射するEL(electro−luminescence)素子(図示省略)を用いるようにしてもよい。この場合も、同様に、EL素子は、N個×N個(N:自然数)となるように配置されていることが好ましい。
(実験例)
次に、本発明の露光印字装置の実施例を用いて行った露光実験について説明する。
次に、本発明の露光印字装置の実施例を用いて行った露光実験について説明する。
先ず、実験装置について説明する。
図4に示すように、実験装置30は、テーブル32を備えている。このテーブル32の水平台34の上には、投影レンズ36が取り付けられている。また、投影レンズ36の上方には、複数の青色発光ダイオード(図示省略)を有する発光基板38が設けられている。この発光基板38は制御部(図示省略)と接続されており、青色発光ダイオードの発光タイミングや発光パターンが制御部により制御される。また、投影レンズ36の下方には、伸縮テーブル40が設けられている。この伸縮テーブル40の水平台42の上には、被印字部材(図4では図示省略)が載置される。伸縮テーブル40が上下方向に伸縮することにより、水平台42の上の被印字部材と投影レンズ36との相対距離を変化させることができる。
図4に示すように、実験装置30は、テーブル32を備えている。このテーブル32の水平台34の上には、投影レンズ36が取り付けられている。また、投影レンズ36の上方には、複数の青色発光ダイオード(図示省略)を有する発光基板38が設けられている。この発光基板38は制御部(図示省略)と接続されており、青色発光ダイオードの発光タイミングや発光パターンが制御部により制御される。また、投影レンズ36の下方には、伸縮テーブル40が設けられている。この伸縮テーブル40の水平台42の上には、被印字部材(図4では図示省略)が載置される。伸縮テーブル40が上下方向に伸縮することにより、水平台42の上の被印字部材と投影レンズ36との相対距離を変化させることができる。
次に、本実験の各処理について説明する。
先ず、洗浄処理において、被印字部材(シリコンウエハ)を洗浄液(tetra methylammonium hydrooxide (濃度3%))で120秒間洗浄した後、純水で60秒間だけ濯ぐ。
先ず、洗浄処理において、被印字部材(シリコンウエハ)を洗浄液(tetra methylammonium hydrooxide (濃度3%))で120秒間洗浄した後、純水で60秒間だけ濯ぐ。
次に、反射防止膜形成処理において、被印字部材の印字表面に反射防止膜を形成する。この反射防止膜形成処理では、モータ(図示省略)により回転駆動される回転体(図示省略)に被印字部材を載せ、回転体を回転数3000rpmで60秒間だけ回転させることにより被印字部材を回転体と共に回転させる。そして、被印字部材の印字表面の略中央に反射防止膜形成材料(SWK−T5DBDFPM)を塗布させることにより、この反射防止膜形成材料が遠心力により印字表面全体に広がっていく。その後、被印字部材をホットプレート(図示省略)に載せ、183℃で120秒間だけ加熱する。これにより、被印字部材の印字表面に反射防止膜を形成させる。
次に、レジスト塗布処理において、被印字部材の印字表面に形成された反射防止膜の上面にレジストを塗布する。このレジスト塗布処理では、モータ(図示省略)により回転駆動される回転体(図示省略)に反射防止膜が形成された被印字部材を載せ、回転体を回転数5000rpmで60秒間だけ回転させることにより被印字部材を回転体と共に回転させる。そして、被印字部材の反射防止膜の略中央にレジスト材料(THMRip3300(45%希釈))を塗布させることにより、このレジスト材料が遠心力により反射防止膜表面の全体に広がっていく。その後、被印字部材をホットプレート(図示省略)に載せ、93℃で120秒間だけ加熱する。これにより、被印字部材にレジストを塗布させる。
次に、露光処理において、被印字部材への露光量を変化させて青色発光ダイオードから光を出射させ、被印字部材に投影させる。本実験では、900秒、1200秒、1400秒、1600秒の4つの露光時間について実施した。
次に、現像処理において、被印字部材を現像する。現像処理では、光が投影された被印字部材を現像液(NMD−W2.83%)に15秒間だけ浸す。その後、被印字部材を純水で1回当り7秒間の濯ぎを2回行う。これにより、被印字部材の印字表面に所定の情報が現れる。
本露光実験では、分光光度計(オプトリサーチ製WRS3401G)を用いて7セグ青色発光ダイオードの波長の確認を行った。その結果、図5のグラフに示すように、波長760nm付近に半値10nmの輝線が確認できた。
また、測定器(ウシオ電機製UIT−150)を用いて照度の確認を行った。その結果、UV強度は0.3mw/cm2であった。
さらに、被印字部材に露光されたパターンを光学顕微鏡(対物倍率:20倍、50倍)で確認した。その結果、図6に示すレジストパターンが得られ、光源として青色発光ダイオードを用いた場合でも、従来の高圧水銀ランプを用いた場合と同様の露光が確認できた。
10 露光印字装置
12 発光ダイオード
16 制御部(制御手段)
20 被印字部材
22 投影レンズ(光投影手段)
12 発光ダイオード
16 制御部(制御手段)
20 被印字部材
22 投影レンズ(光投影手段)
Claims (10)
- 露光により所定の情報を被印字部材に印字する露光印字装置であって、
発光ダイオード又はEL素子と、
前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射された光を前記被印字部材に投影する光投影手段と、
前記発光ダイオード又は前記EL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンを制御する制御手段と、
を有することを特徴とする露光印字装置。 - 前記光投影手段と前記被印字部材との相対距離を変化させる位置調整手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の露光印字装置。
- 前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射される光の中心波長は、500nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光印字装置。
- 前記被印字部材に印字される前記所定の情報は、2次元コードであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光印字装置。
- 前記発光ダイオード又は前記EL素子は、N×N(N:自然数)個に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光印字装置。
- 露光により所定の情報を被印字部材に印字する露光印字方法であって、
発光ダイオード又はEL素子の発光タイミング又は/及び発光パターンを制御手段により制御する制御工程と、発光タイミング又は/及び発光パターンが制御された光を前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射させる光出射工程と、前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射された光を光投影手段により前記被印字部材に投影させる印字工程と、を有することを特徴とする露光印字方法。 - 前記光投影手段と前記被印字部材との相対距離を変化させる位置調整手段を備え、
前記位置調整手段により前記被印字部材に投影される光の焦点を調整させる焦点調整工程を有することを特徴とする請求項6に記載の露光印字方法。 - 前記発光ダイオード又は前記EL素子から出射される光の中心波長は、500nm以下であることを特徴とする請求項6又は7に記載の露光印字方法。
- 前記被印字部材に印字される前記所定の情報は、2次元コードであることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の露光印字方法。
- 前記発光ダイオード又は前記EL素子は、N×N(N:自然数)個となるように配置されていることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の露光印字方法。
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JP2005056657A JP2006245144A (ja) | 2005-03-01 | 2005-03-01 | 露光印字装置及び露光印字方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101134769B1 (ko) | 2009-04-21 | 2012-04-13 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 노광 장치, 노광 광 조사 방법 및 표시용 패널 기판의 제조 방법 |
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2005
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