JP2006229009A - Semiconductor manufacturing device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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和紀 上野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To wash a wafer holder without removing the wafer holder from a device body. <P>SOLUTION: After a semiconductor wafer is treated by immersing a semiconductor wafer W in a chemical 6 while supporting the semiconductor wafer W by means of wafer guides 4a, 4b, the semiconductor wafer W is taken out of a treatment tank 1 via a wafer arm 7. After the chemical 6 inside the treatment tank 1 is exhausted via an exhaust pipe H1 by opening a valve V1, a valve V3 is opened. Consequently, a washing liquid 8 is supplied to nozzles 5a, 5b via a piping H3, and the washing liquid 8 is jetted toward the wafer guides 4a, 4b from the nozzles 5a, 5b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、処理槽内でウェハを保持するウェハガイドの洗浄方法に適用して好適なものである。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method, and is particularly suitable for application to a wafer guide cleaning method for holding a wafer in a processing tank.

半導体製造プロセスでは、半導体ウェハの洗浄を行ったり、半導体ウェハの微細加工を行ったりするために、様々の薬液処理が行われている。この薬液処理では、薬液処理槽に溜められた薬液に半導体ウェハを浸漬させる方法があり、薬液処理槽内で半導体ウェハを保持するために、半導体ウェハを支持するためウェハガイドや半導体ウェハを搬送するためのウェハアームなどが用いられている。   In the semiconductor manufacturing process, various chemical treatments are performed in order to perform cleaning of a semiconductor wafer or fine processing of a semiconductor wafer. In this chemical processing, there is a method of immersing a semiconductor wafer in a chemical stored in a chemical processing tank. In order to hold the semiconductor wafer in the chemical processing tank, a wafer guide or a semiconductor wafer is transferred to support the semiconductor wafer. For example, a wafer arm is used.

また、例えば、特許文献1には、ウェハキャリアを洗浄するために、純水を充満させた洗浄槽内の固定装置にウェハキャリアを固定し、回転ブラシでウェハキャリアを擦る方法が開示されている。
特開平9−283478号公報
Further, for example, Patent Document 1 discloses a method of fixing a wafer carrier to a fixing device in a cleaning tank filled with pure water and rubbing the wafer carrier with a rotating brush in order to clean the wafer carrier. .
JP-A-9-283478

しかしながら、薬液処理槽内で半導体ウェハを保持するウェハガイドやウェハアームは定常的に薬液に浸漬されているため、ウェハガイドやウェハアームの洗浄機構は設けられていなかった。このため、ウェハガイドやウェハアームが一旦汚染されると、その汚染が半導体ウェハに次々に転写され、大量の不良品を発生させる原因になるという問題があった。   However, since the wafer guide and wafer arm for holding the semiconductor wafer in the chemical solution treatment tank are constantly immersed in the chemical solution, no cleaning mechanism for the wafer guide or wafer arm has been provided. For this reason, once the wafer guide and the wafer arm are contaminated, the contamination is transferred to the semiconductor wafer one after another, causing a large number of defective products.

また、特許文献1に開示された方法では、ウェハキャリアを洗浄するためには、純水を充満させた洗浄槽内の固定装置にウェハキャリアを固定させる必要がある。このため、半導体ウェハを保持するウェハガイドやウェハアームを洗浄するためには、ウェハガイドやウェハアームを装置本体から取り外す必要があり、製造ラインを長時間停止させる必要があることから、スループットの低下を招くという問題があった。   In the method disclosed in Patent Document 1, in order to clean the wafer carrier, it is necessary to fix the wafer carrier to a fixing device in a cleaning tank filled with pure water. For this reason, in order to clean the wafer guide and the wafer arm that hold the semiconductor wafer, it is necessary to remove the wafer guide and the wafer arm from the apparatus main body, and it is necessary to stop the production line for a long time. There was a problem.

そこで、本発明の目的は、ウェハ保持部を装置本体から取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄することが可能な半導体装置および半導体製造装置の製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus manufacturing method capable of cleaning the wafer holder without removing the wafer holder from the apparatus main body.

上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内でウェハを保持するウェハ保持部と、前記処理槽内で前記ウェハ保持部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハの処理を行う処理槽内でウェハ保持部を洗浄することが可能となり、装置本体からウェハ保持部を取り外すことなく、ウェハ保持部に付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハ保持部を洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
In order to solve the above-described problem, according to a semiconductor manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention, a processing tank for processing a wafer, a wafer holding unit for holding a wafer in the processing tank, and the inside of the processing tank And a cleaning means for cleaning the wafer holder.
This makes it possible to clean the wafer holding unit in the processing tank for processing the wafer, and it is possible to remove particles attached to the wafer holding unit without removing the wafer holding unit from the apparatus main body. For this reason, the wafer holder can be cleaned without stopping the production line for a long time, and contamination of the wafer can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記洗浄手段は、前記ウェハ保持部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段を備えることを特徴とする。
これにより、処理槽内の汚染を抑制しつつ、ウェハ保持部を処理槽内で洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、前記処理槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
In the semiconductor manufacturing apparatus according to one aspect of the present invention, the cleaning unit includes a cleaning liquid ejecting unit that ejects a cleaning liquid onto a wafer contact surface of the wafer holding unit.
Thereby, the wafer holding part can be cleaned in the processing tank while suppressing the contamination in the processing tank, and contamination of the wafer can be prevented while suppressing a decrease in throughput.
Moreover, according to the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on 1 aspect of this invention, the wafer processing part which processes a wafer, the wafer conveyance part which conveys a wafer in the said processing tank, and the said wafer conveyance part in the said processing tank are wash | cleaned And a cleaning means.

これにより、ウェハの処理を行う処理槽内でウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部に付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハ搬送部を洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。   Thus, the wafer transfer unit can be cleaned in the processing tank for processing the wafer, and particles attached to the wafer transfer unit can be removed without removing the wafer transfer unit from the apparatus main body. For this reason, the wafer transfer unit can be cleaned without stopping the production line for a long time, and contamination of the wafer can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、前記ウェハ搬送部が搬入される洗浄槽と、前記洗浄槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハの処理を行う処理槽と、ウェハ搬送部を洗浄する洗浄槽と別個に設けることが可能となるとともに、ウェハを搬送するための搬送機構を利用することで、ウェハ搬送部を洗浄槽に搬入することができる。このため、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となるとともに、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
Moreover, according to the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on 1 aspect of this invention, the processing tank which processes a wafer, the wafer conveyance part which conveys a wafer in the said processing tank, and the washing tank in which the said wafer conveyance part is carried in, And a cleaning means for cleaning the wafer transfer section in the cleaning tank.
As a result, it becomes possible to provide a processing tank for processing the wafer and a cleaning tank for cleaning the wafer transfer unit, and the wafer transfer unit is cleaned by using a transfer mechanism for transferring the wafer. Can be carried into the tank. Therefore, it is possible to clean the wafer transfer unit without removing the wafer transfer unit from the apparatus main body, and it is possible to prevent the processing tank from being contaminated by cleaning the wafer transfer unit, thereby reducing the throughput. While suppressing, contamination of the wafer can be prevented.

また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記洗浄手段は、前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に接触されるブラシとを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することが可能となるとともに、洗浄液とブラシとを用いてウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、ウェハ搬送部を効率よく洗浄することができる。
Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus of one aspect of the present invention, the cleaning means is provided on the wafer contact surface of the wafer transfer section and the cleaning liquid jetting means for jetting a cleaning liquid to the wafer contact face of the wafer transfer section. And a brush to be contacted.
As a result, it is possible to prevent the processing tank from being contaminated by cleaning the wafer transfer unit, and it is possible to clean the wafer transfer unit using the cleaning liquid and the brush, thereby efficiently cleaning the wafer transfer unit. can do.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを保持するウェハ保持部を処理槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ保持部でウェハを保持させながら、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ保持部を取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄することが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to an aspect of the present invention, the step of cleaning the wafer holding unit that holds the wafer in the processing tank, and the wafer held by the cleaned wafer holding unit, And a step of processing the wafer in a processing tank.
This makes it possible to clean the wafer holding unit without removing the wafer holding unit from the apparatus main body, and it is possible to prevent contamination of the wafer while suppressing a decrease in throughput.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを搬送するウェハ搬送部を処理槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを前記処理槽内に搬送する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, a process of cleaning a wafer transfer unit that transfers a wafer in a processing tank, and the wafer in the processing tank by the cleaned wafer transfer unit And a step of processing the wafer in the processing tank while the wafer is held by the cleaned wafer transfer section.
Accordingly, the wafer transfer unit can be cleaned without removing the wafer transfer unit from the apparatus main body, and contamination of the wafer can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを搬送するウェハ搬送部を洗浄槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを処理槽内に搬送する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となるとともに、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
In addition, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, a process of cleaning a wafer transfer unit that transfers a wafer in a cleaning tank, and the wafer in the processing tank by the cleaned wafer transfer unit And a step of processing the wafer in the processing tank while the wafer is held by the cleaned wafer transfer unit.
As a result, it becomes possible to clean the wafer transfer unit without removing the wafer transfer unit from the apparatus main body, and it is possible to prevent the processing tank from being contaminated by cleaning the wafer transfer unit, thereby reducing the throughput. While suppressing, contamination of the wafer can be prevented.

以下、本発明の実施形態に係る半導体製造装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図1において、半導体製造装置には、半導体ウェハWの処理を行う処理槽1が設けられている。ここで、処理槽1には、処理槽1内に貯留されている薬液6を循環させる配管H4が接続されている。また、処理槽1には、処理槽1内に貯留されている薬液6を排出する排出管H1が接続されている。さらに、配管H4には、配管H4を介して処理槽1に新しい薬液6を供給する供給管H2が接続されている。
Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus is provided with a processing tank 1 for processing a semiconductor wafer W. Here, a pipe H <b> 4 for circulating the chemical solution 6 stored in the processing tank 1 is connected to the processing tank 1. In addition, a discharge pipe H <b> 1 that discharges the chemical solution 6 stored in the treatment tank 1 is connected to the treatment tank 1. Furthermore, a supply pipe H2 for supplying a new chemical solution 6 to the processing tank 1 is connected to the pipe H4 via the pipe H4.

また、配管H4には、配管H4内を循環する薬液6を押し出すポンプ2が設置され、ポンプ2の後段には、薬液6に含まれる不純物を濾過するフィルタ3が設けられている。また、排出管H1には、排出管H1内における薬液6の流れを遮断するバルブV1が設けられ、供給管H2には、供給管H2内における薬液6の流れを遮断するバルブV2が設けられている。   The pipe H4 is provided with a pump 2 that pushes out the chemical liquid 6 that circulates in the pipe H4, and a filter 3 that filters impurities contained in the chemical liquid 6 is provided downstream of the pump 2. In addition, the discharge pipe H1 is provided with a valve V1 for blocking the flow of the chemical liquid 6 in the discharge pipe H1, and the supply pipe H2 is provided with a valve V2 for blocking the flow of the chemical liquid 6 in the supply pipe H2. Yes.

また、処理槽1内には、処理槽1内に搬入された半導体ウェハWを保持するウェハガイド4a、4bが設置けられている。なお、ウェハガイド4a、4bには、半導体ウェハWの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハWの端部を両側から支持することで半導体ウェハWを保持することができる。また、処理槽1内には、ウェハガイド4a、4bに洗浄液8をそれぞれ噴出するノズル5a、5bが設けられるとともに、ノズル5a、5bには、洗浄液8を供給する配管H3が接続され、配管H3には、配管H3内における洗浄液8の流れを遮断するバルブV3が設けられている。   In the processing tank 1, wafer guides 4 a and 4 b that hold the semiconductor wafer W carried into the processing tank 1 are installed. In addition, the groove | channel for inserting the edge part of the semiconductor wafer W is formed in the wafer guides 4a and 4b, and the semiconductor wafer W can be hold | maintained by supporting the edge part of the semiconductor wafer W from both sides. In the processing tank 1, nozzles 5a and 5b for ejecting the cleaning liquid 8 to the wafer guides 4a and 4b, respectively, are provided, and a pipe H3 for supplying the cleaning liquid 8 is connected to the nozzles 5a and 5b. Is provided with a valve V3 for blocking the flow of the cleaning liquid 8 in the pipe H3.

また、処理槽1上には、半導体ウェハWを搬送するウェハアーム7が設けられ、ウェハアーム7は上下左右に移動できるように構成されている。
そして、処理槽1にて半導体ウェハWの処理を行う場合、図1(a)に示すように、ウェハアーム7を介して半導体ウェハWを処理槽1内に搬入する。そして、半導体ウェハWが処理槽1内に搬入されると、図1(b)に示すように、半導体ウェハWをウェハガイド4a、4bで支持させながら、半導体ウェハWを薬液6内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。
Further, a wafer arm 7 for transporting the semiconductor wafer W is provided on the processing tank 1, and the wafer arm 7 is configured to be movable up and down and left and right.
When processing the semiconductor wafer W in the processing tank 1, the semiconductor wafer W is carried into the processing tank 1 via the wafer arm 7 as shown in FIG. When the semiconductor wafer W is carried into the processing tank 1, as shown in FIG. 1B, the semiconductor wafer W is immersed in the chemical solution 6 while the semiconductor wafer W is supported by the wafer guides 4a and 4b. Thus, the semiconductor wafer can be processed.

なお、処理槽1で行われる半導体ウェハWの処理としては、薬液処理や純水処理などを挙げることができ、例えば、半導体ウェハWに形成されたレジストの現像処理および剥離処理、半導体ウェハのウェットエッチング処理、半導体ウェハWの洗浄処理などを挙げることができる。
そして、処理槽1内において半導体ウェハWの処理が完了すると、図1(c)に示すように、ウェハアーム7を介して半導体ウェハWを処理槽1外に搬出する。そして、半導体ウェハWが処理槽1外に搬出されると、バルブV1を開くことにより、排出管H1を介して処理槽1内の薬液6を排出する。そして、バルブV3を開くことにより、配管H3を介してノズル5a、5bに洗浄液8を供給し、ノズル5a、5bから洗浄液8をウェハガイド4a、4bに向けて噴出させる。
Examples of the processing of the semiconductor wafer W performed in the processing tank 1 include chemical processing and pure water processing. For example, resist processing and stripping processing of the resist formed on the semiconductor wafer W, wet processing of the semiconductor wafer, and the like. An etching process, a cleaning process of the semiconductor wafer W, and the like can be given.
When the processing of the semiconductor wafer W is completed in the processing tank 1, the semiconductor wafer W is unloaded from the processing tank 1 through the wafer arm 7 as shown in FIG. And when the semiconductor wafer W is carried out of the processing tank 1, the chemical | medical solution 6 in the processing tank 1 is discharged | emitted via the discharge pipe H1 by opening valve | bulb V1. Then, by opening the valve V3, the cleaning liquid 8 is supplied to the nozzles 5a and 5b via the pipe H3, and the cleaning liquid 8 is ejected from the nozzles 5a and 5b toward the wafer guides 4a and 4b.

これにより、半導体ウェハWの処理を行う処理槽1内でウェハガイド4a、4bを洗浄することが可能となり、処理槽1からウェハガイド4a、4bを取り外すことなく、ウェハガイド4a、4bに付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハガイド4a、4bを洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハWの汚染を防止することができる。   This makes it possible to clean the wafer guides 4a and 4b in the processing tank 1 that processes the semiconductor wafer W, and attaches to the wafer guides 4a and 4b without removing the wafer guides 4a and 4b from the processing tank 1. Particles can be removed. For this reason, the wafer guides 4a and 4b can be cleaned without stopping the production line for a long time, and contamination of the semiconductor wafer W can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図2において、半導体製造装置には、半導体ウェハWの処理を行う処理槽11が設けられている。ここで、処理槽11には、処理槽11内に貯留されている薬液16を循環させる配管H14が接続されている。また、処理槽11には、処理槽11内に貯留されている薬液16を排出する排出管H11が接続されている。さらに、配管H14には、配管H14を介して処理槽11に新しい薬液16を供給する供給管H12が接続されている。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
In FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus is provided with a processing tank 11 for processing a semiconductor wafer W. Here, the processing tank 11 is connected to a pipe H <b> 14 for circulating the chemical solution 16 stored in the processing tank 11. Further, the treatment tank 11 is connected to a discharge pipe H11 for discharging the chemical solution 16 stored in the treatment tank 11. Furthermore, a supply pipe H12 for supplying a new chemical solution 16 to the processing tank 11 is connected to the pipe H14 via the pipe H14.

また、配管H14には、配管H14内を循環する薬液16を押し出すポンプ12が設置され、ポンプ12の後段には、薬液16に含まれる不純物を濾過するフィルタ13が設けられている。また、排出管H11には、排出管H11内における薬液16の流れを遮断するバルブV11が設けられ、供給管H12には、供給管H12内における薬液16の流れを遮断するバルブV12が設けられている。   The pipe H14 is provided with a pump 12 for pushing out the chemical liquid 16 circulating in the pipe H14, and a filter 13 for filtering impurities contained in the chemical liquid 16 is provided at a subsequent stage of the pump 12. Further, the discharge pipe H11 is provided with a valve V11 for blocking the flow of the chemical liquid 16 in the discharge pipe H11, and the supply pipe H12 is provided with a valve V12 for blocking the flow of the chemical liquid 16 in the supply pipe H12. Yes.

また、処理槽11上には、半導体ウェハWを搬送するウェハアーム17a、17bが設けられ、ウェハアーム17a、17bは上下左右に移動できるように構成されている。なお、ウェハアーム17a、17bには、半導体ウェハWの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハWの端部を両側から支持することで半導体ウェハWを保持することができる。また、処理槽11内には、ウェハアーム17a、17bに洗浄液18をそれぞれ噴出するノズル15b、15aが設けられるとともに、ノズル15b、15aには、洗浄液18を供給する配管H13が接続され、配管H13には、配管H13内における洗浄液18の流れを遮断するバルブV13が設けられている。   Further, on the processing tank 11, wafer arms 17a and 17b for transporting the semiconductor wafer W are provided, and the wafer arms 17a and 17b are configured to be movable up and down and left and right. The wafer arms 17a and 17b are formed with grooves for inserting the end portions of the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W can be held by supporting the end portions of the semiconductor wafer W from both sides. In the processing tank 11, nozzles 15b and 15a for ejecting the cleaning liquid 18 to the wafer arms 17a and 17b are provided, respectively, and a pipe H13 for supplying the cleaning liquid 18 is connected to the nozzles 15b and 15a. Is provided with a valve V13 for blocking the flow of the cleaning liquid 18 in the pipe H13.

そして、処理槽11にて半導体ウェハWの処理を行う場合、図2(a)に示すように、ウェハアーム17a、17bを介して半導体ウェハWを処理槽11上に搬送する。そして、半導体ウェハWが処理槽11上に搬送されると、図2(b)に示すように、半導体ウェハWを保持させたままウェハアーム17a、17bを下降させ、半導体ウェハWを処理槽11内に搬入する。そして、半導体ウェハWが処理槽11内に搬入されると、半導体ウェハWをウェハアーム17a、17bで支持させながら、半導体ウェハWを薬液16内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。   And when processing the semiconductor wafer W in the processing tank 11, as shown to Fig.2 (a), the semiconductor wafer W is conveyed on the processing tank 11 via wafer arm 17a, 17b. When the semiconductor wafer W is transferred onto the processing tank 11, as shown in FIG. 2B, the wafer arms 17 a and 17 b are lowered while holding the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W is moved into the processing tank 11. Carry in. When the semiconductor wafer W is carried into the processing tank 11, the semiconductor wafer W can be processed by immersing the semiconductor wafer W in the chemical solution 16 while the semiconductor wafer W is supported by the wafer arms 17a and 17b. it can.

そして、処理槽11内において半導体ウェハWの処理が完了すると、図2(c)に示すように、ウェハアーム17a、17bを介して半導体ウェハWを処理槽11外に搬出する。そして、半導体ウェハWが処理槽11外に搬出されると、半導体ウェハWが保持されない状態でウェハアーム17a、17bを処理槽11内に搬入させる。そして、ウェハアーム17a、17bが処理槽11内に搬入されると、バルブV11を開くことにより、排出管H11を介して処理槽11内の薬液16を排出する。そして、処理槽11内の薬液16が排出されると、バルブV13を開くことにより、配管H13を介してノズル15a、15bに洗浄液18を供給し、ノズル15b、15aから洗浄液18をウェハアーム17a、17bに向けて噴出させる。   When the processing of the semiconductor wafer W is completed in the processing tank 11, the semiconductor wafer W is carried out of the processing tank 11 through the wafer arms 17a and 17b as shown in FIG. Then, when the semiconductor wafer W is carried out of the processing bath 11, the wafer arms 17 a and 17 b are carried into the processing bath 11 without holding the semiconductor wafer W. When the wafer arms 17a and 17b are carried into the processing tank 11, the chemical solution 16 in the processing tank 11 is discharged through the discharge pipe H11 by opening the valve V11. When the chemical liquid 16 in the processing tank 11 is discharged, the cleaning liquid 18 is supplied to the nozzles 15a and 15b via the pipe H13 by opening the valve V13, and the cleaning liquid 18 is supplied from the nozzles 15b and 15a to the wafer arms 17a and 17b. Erupt towards.

これにより、半導体ウェハWの処理を行う処理槽11内でウェハアーム17a、17bを洗浄することが可能となり、装置本体からウェハアーム17a、17bを取り外すことなく、ウェハアーム17a、17bに付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハアーム17a、17bを洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハWの汚染を防止することができる。   As a result, the wafer arms 17a and 17b can be cleaned in the processing tank 11 for processing the semiconductor wafer W, and particles attached to the wafer arms 17a and 17b can be removed without removing the wafer arms 17a and 17b from the apparatus main body. can do. For this reason, the wafer arms 17a and 17b can be cleaned without stopping the production line for a long time, and contamination of the semiconductor wafer W can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図3において、半導体製造装置には、半導体ウェハWの処理を行う処理槽21が設けられるとともに、半導体ウェハWを搬送するウェハアーム27a、27bを洗浄する洗浄槽31が設けられている。
ここで、処理槽21には、処理槽21内に貯留されている薬液26を循環させる配管H24が接続されている。また、処理槽21には、処理槽21内に貯留されている薬液26を排出する排出管H11が接続されている。さらに、配管H24には、配管H24を介して処理槽21に新しい薬液26を供給する供給管H22が接続されている。
FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
In FIG. 3, the semiconductor manufacturing apparatus is provided with a processing tank 21 for processing a semiconductor wafer W, and a cleaning tank 31 for cleaning wafer arms 27 a and 27 b that transport the semiconductor wafer W.
Here, a pipe H <b> 24 for circulating the chemical liquid 26 stored in the processing tank 21 is connected to the processing tank 21. The treatment tank 21 is connected to a discharge pipe H11 for discharging the chemical solution 26 stored in the treatment tank 21. Furthermore, a supply pipe H22 for supplying a new chemical solution 26 to the processing tank 21 is connected to the pipe H24 via the pipe H24.

また、配管H24には、配管H24内を循環する薬液26を押し出すポンプ22が設置され、ポンプ22の後段には、薬液26に含まれる不純物を濾過するフィルタ23が設けられている。また、排出管H21には、排出管H21内における薬液26の流れを遮断するバルブV21が設けられ、供給管H22には、供給管H22内における薬液26の流れを遮断するバルブV22が設けられている。   The pipe H24 is provided with a pump 22 for pushing out the chemical liquid 26 circulating in the pipe H24, and a filter 23 for filtering impurities contained in the chemical liquid 26 is provided at the subsequent stage of the pump 22. Further, the discharge pipe H21 is provided with a valve V21 for blocking the flow of the chemical liquid 26 in the discharge pipe H21, and the supply pipe H22 is provided with a valve V22 for blocking the flow of the chemical liquid 26 in the supply pipe H22. Yes.

また、処理槽21上には、半導体ウェハWを搬送するウェハアーム27a、27bが設けられ、ウェハアーム27a、27bは上下左右に移動できるように構成されている。なお、ウェハアーム27a、27bには、半導体ウェハWの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハWの端部を両側から支持することで半導体ウェハWを保持することができる。   Further, on the processing tank 21, wafer arms 27a and 27b for transporting the semiconductor wafer W are provided, and the wafer arms 27a and 27b are configured to be movable up and down and left and right. The wafer arms 27a and 27b are formed with grooves for inserting the end portions of the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W can be held by supporting the end portions of the semiconductor wafer W from both sides.

また、洗浄槽31内には、ウェハアーム27a、27bに洗浄液28をそれぞれ噴出するノズル32b、32aが設けられるとともに、ノズル32b、32aには、洗浄液34を供給する配管H31が接続され、配管H31には、配管H31内における洗浄液34の流れを遮断するバルブV31が設けられている。さらに、洗浄槽31内には、ウェハアーム27a、27bに接触してウェハアーム27a、27bを洗浄する回転ブラシ33a、33bが設けられている。また、洗浄槽31には、洗浄槽31内に溜まった洗浄槽31を排出する排出管H32が接続されるとともに、排出管H32には、排出管H32内における洗浄槽31の流れを遮断するバルブV32が設けられている。   In the cleaning tank 31, nozzles 32b and 32a for ejecting the cleaning liquid 28 to the wafer arms 27a and 27b are provided, respectively, and a pipe H31 for supplying the cleaning liquid 34 is connected to the nozzles 32b and 32a. Is provided with a valve V31 for blocking the flow of the cleaning liquid 34 in the pipe H31. Further, in the cleaning tank 31, there are provided rotating brushes 33a and 33b for cleaning the wafer arms 27a and 27b in contact with the wafer arms 27a and 27b. In addition, a discharge pipe H32 for discharging the cleaning tank 31 accumulated in the cleaning tank 31 is connected to the cleaning tank 31, and a valve for blocking the flow of the cleaning tank 31 in the discharge pipe H32 is connected to the discharge pipe H32. V32 is provided.

そして、処理槽21にて半導体ウェハWの処理を行う場合、図3(a)に示すように、ウェハアーム27a、27bを介して半導体ウェハWを処理槽21を処理槽21内に搬入する。そして、半導体ウェハWが処理槽21内に搬入されると、半導体ウェハWをウェハアーム27a、27bで支持させながら、半導体ウェハWを薬液26内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。   When processing the semiconductor wafer W in the processing tank 21, as shown in FIG. 3A, the semiconductor wafer W is transferred into the processing tank 21 through the wafer arms 27 a and 27 b. Then, when the semiconductor wafer W is carried into the processing tank 21, the semiconductor wafer W can be processed by immersing the semiconductor wafer W in the chemical solution 26 while the semiconductor wafer W is supported by the wafer arms 27a and 27b. it can.

そして、処理槽21内において半導体ウェハWの処理が完了すると、図3(b)に示すように、ウェハアーム27a、27bを介して半導体ウェハWを処理槽21外に搬出する。そして、半導体ウェハWが処理槽21外に搬出されると、半導体ウェハWが保持されない状態でウェハアーム27a、27bを洗浄槽31内に搬入させる。そして、ウェハアーム27a、27bが洗浄槽31内に搬入されると、バルブV32を開くことにより、配管H32を介してノズル32a、32bに洗浄液34を供給し、ノズル32b、32aから洗浄液34をウェハアーム27a、27bに向けて噴出させるとともに、回転ブラシ33a、33bを回転させながら、回転ブラシ33a、33bをウェハアーム27a、27bに接触させる。   When the processing of the semiconductor wafer W is completed in the processing tank 21, the semiconductor wafer W is carried out of the processing tank 21 via the wafer arms 27a and 27b as shown in FIG. Then, when the semiconductor wafer W is carried out of the processing bath 21, the wafer arms 27 a and 27 b are carried into the cleaning bath 31 in a state where the semiconductor wafer W is not held. When the wafer arms 27a and 27b are carried into the cleaning tank 31, the valve V32 is opened to supply the cleaning liquid 34 to the nozzles 32a and 32b via the pipe H32, and the cleaning liquid 34 is supplied from the nozzles 32b and 32a to the wafer arm 27a. , 27b and the rotating brushes 33a, 33b are brought into contact with the wafer arms 27a, 27b while rotating the rotating brushes 33a, 33b.

これにより、半導体ウェハWの処理を行う処理槽21と、ウェハアーム27a、27bを洗浄する洗浄槽31と別個に設けることが可能となるとともに、半導体ウェハWを搬送するための搬送機構を利用することで、ウェハアーム27a、27bを洗浄槽31に搬入することができる。このため、装置本体からウェハアーム27a、27bを取り外すことなく、ウェハアーム27a、27bを洗浄することが可能となるとともに、ウェハアーム27a、27bの洗浄によって処理槽21が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハWの汚染を防止することができる。   Accordingly, it is possible to provide the processing tank 21 for processing the semiconductor wafer W and the cleaning tank 31 for cleaning the wafer arms 27a and 27b, and use a transfer mechanism for transferring the semiconductor wafer W. Thus, the wafer arms 27 a and 27 b can be carried into the cleaning tank 31. Therefore, the wafer arms 27a and 27b can be cleaned without removing the wafer arms 27a and 27b from the apparatus main body, and the processing tank 21 can be prevented from being contaminated by cleaning the wafer arms 27a and 27b. Contamination of the semiconductor wafer W can be prevented while suppressing a decrease in throughput.

本発明の第1実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

W ウェハ、1、11、21 処理槽、2、12、22 ポンプ、3、13、23 フィルタ、4a、4b ウェハガイド、5a、5b、15a、15b、32a、32b ノズル、6、16、26 薬液、7a、7b、17a、17b、27a、27b ウェハアーム、8、18、34 洗浄液、H1〜H4、H11〜H14、H21、H22、H24、H31、H32 配管、V1〜V3、V11〜V13、V21、V22、V31、V32 バルブ、31 洗浄槽、33a、33b 回転ブラシ   W Wafer 1, 11, 21 Processing tank 2, 12, 22 Pump 3, 13, 23 Filter, 4a, 4b Wafer guide, 5a, 5b, 15a, 15b, 32a, 32b Nozzle, 6, 16, 26 Chemical solution 7a, 7b, 17a, 17b, 27a, 27b Wafer arm, 8, 18, 34 Cleaning solution, H1-H4, H11-H14, H21, H22, H24, H31, H32 piping, V1-V3, V11-V13, V21, V22, V31, V32 Valve, 31 Cleaning tank, 33a, 33b Rotating brush

Claims (8)

ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内でウェハを保持するウェハ保持部と、
前記処理槽内で前記ウェハ保持部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
A processing tank for processing wafers;
A wafer holding unit for holding a wafer in the processing tank;
A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: cleaning means for cleaning the wafer holder in the processing tank.
前記洗浄手段は、
前記ウェハ保持部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
The cleaning means includes
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning liquid ejecting unit that ejects a cleaning liquid onto a wafer contact surface of the wafer holding unit.
ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、
前記処理槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
A processing tank for processing wafers;
A wafer transfer section for transferring a wafer into the processing tank;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a cleaning unit that cleans the wafer transfer unit in the processing tank.
ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、
前記ウェハ搬送部が搬入される洗浄槽と、
前記洗浄槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
A processing tank for processing wafers;
A wafer transfer section for transferring a wafer into the processing tank;
A cleaning tank into which the wafer transfer unit is loaded;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: cleaning means for cleaning the wafer transfer section in the cleaning tank.
前記洗浄手段は、
前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、
前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に接触されるブラシとを備えることを特徴とする請求項4記載の半導体製造装置。
The cleaning means includes
Cleaning liquid jetting means for jetting cleaning liquid to the contact surface of the wafer in the wafer transfer section;
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, further comprising a brush that is in contact with a wafer contact surface of the wafer transfer unit.
ウェハを保持するウェハ保持部を処理槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ保持部でウェハを保持させながら、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Cleaning a wafer holding unit for holding a wafer in a processing tank;
And a step of processing the wafer in the processing tank while holding the wafer in the cleaned wafer holding portion.
ウェハを搬送するウェハ搬送部を処理槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを前記処理槽内に搬送する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Cleaning the wafer transfer section for transferring the wafer in the processing tank;
Transporting the wafer into the processing bath at the cleaned wafer transport section;
And a step of processing the wafer in the processing tank while the wafer is held by the cleaned wafer transfer section.
ウェハを搬送するウェハ搬送部を洗浄槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを処理槽内に搬送する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Cleaning the wafer transfer section for transferring the wafer in the cleaning tank;
A step of transferring the wafer into a processing tank by the cleaned wafer transfer unit;
And a step of processing the wafer in the processing tank while the wafer is held by the cleaned wafer transfer section.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014179408A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus and method for cleaning the apparatus

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