JP2006228415A - 強誘電層を利用した情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

強誘電層を利用した情報記録媒体及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】強誘電層を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された障壁層、伝導層、シード層、及びシード層上に形成されており、垂直残留分極を有するデータ記録層を備えることを特徴とする情報記録媒体である。
【選択図】図２

Description

本発明は、記録媒体及びその製造方法に係り、特に強誘電層を利用した情報記録媒体及びその製造方法に関する。
インターネット関連の技術の発展によって、動画を含む大容量の情報を記録できる記録媒体、及びこのような記録媒体に保存された情報を移動中にも自由に使用しようとする需要の増加は、次世代情報記録媒体の市場を主導する重要な要因の一つとなる。
大容量の情報を記録できる記録媒体、及びこのような記録媒体に／から情報を記録／再生可能な手段は、情報記録媒体の市場の核心となる。
現在、携帯用の不揮発性データ記録素子は、フラッシュメモリのような固状のメモリ素子と、ハードディスクのようなディスクタイプのメモリ素子とに大別できる。
しかし、固状のメモリ素子の場合、数年内にその容量が数ギカバイト（ＧＢ）ほどに予想されるので、巨大規模のデータ記録装置として使用し難い。したがって、固状のメモリ素子は、現在の個人用コンピュータ（ＰＣ）のように高速動作が要求される場合に使われると予想され、主保存装置は、依然としてハードディスクタイプのメモリ素子となると予想される。
携帯用機器に装着される一般的な磁気記録方式のハードディスクの場合、近い将来にその容量が１０ＧＢほどとなると予想される。しかし、それ以上の磁気記録密度は、超常磁性効果により達成し難いと予想されている。
このような理由により、最近、記録及び再生手段として走査探針が使われ、記録媒体として強誘電膜が使われるメモリ素子が紹介されている。
このように走査探針を使う技術、すなわちＳＰＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）技術を利用する場合、探針を利用して数ｎｍないし数十ｎｍの領域をプロービングでき、また強誘電膜が記録媒体として使われるため、磁気記録媒体とは異なり超常磁性効果による影響を受けない。したがって、磁気記録媒体に比べて記録密度を高めうる。
しかし、現在まで紹介された情報記録媒体、特にデータ記録物質層として強誘電層を使用する媒体は、ビットサイズの偏差が大きい。このような事実は、図１から確認できる。ビットサイズの偏差が大きければ、ビットサイズが均一でないため、記録密度を高めるのは困難である。
図１は、データ保存物質層として強誘電層を使用する従来の技術による情報記録媒体８のイメージ写真である。図１において、１０は、ビットデータ１が記録された領域（黒い部分）を表し、２０は、ビットデータ０が記録された領域を表す。
図１において、ビットデータ１が記録された領域１０のサイズを比較すれば、領域１０のサイズ偏差が大きいということが肉眼でも容易に分かる。図１において、領域１０の平均が３３ｎｍ、偏差は１４ｎｍほどである。
本発明が解決しようとする課題は、前述した従来の技術の問題点を改善するためのものであって、ビットサイズの偏差を減らしてデータ記録密度を高めうる情報記録媒体を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、このような情報記録媒体の製造方法を提供するところにある。
前記課題を解決するために、本発明は、基板上に順次に積層された障壁層、伝導層、シード層、及び前記シード層上に形成されており、垂直残留分極を有するデータ記録層を備えることを特徴とする情報記録媒体を提供する。
前記シード層の厚さは５ｎｍ以下であり、ＴｉＯ２層でありうる。
前記データ記録層の厚さは、５０ｎｍ以下でありうる。
前記データ記録層は、チタン酸ジルコン酸鉄（ＰＺＴ）層、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）層、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）層及びチタン酸ビスマスランタン（ＢＬＴ）層のうちいずれか一つでありうる。
前記データ記録層のグレインサイズは、１０ｎｍ以下でありうる。
前記データ記録層がＰＺＴ層であるとき、ジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）との組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）は、２５／７５及び４０／６０のうちいずれか一つであることが望ましい。
前記他の課題を解決するために、本発明は、基板上に障壁層、伝導層を順次に積層する第１工程、前記伝導層上にシード層を形成する第２工程、及び前記シード層上に強誘電層を形成する第３工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法を提供する。
前記第２工程は、前記伝導層上に前記シード層となる物質膜をスピンコーティングする工程、前記スピンコーティングされた物質膜を乾燥する工程、及び前記乾燥された物質膜をアニーリングする工程をさらに含むことができる。
前記シード層は、５ｎｍ以下の厚さに形成でき、ＴｉＯ２膜で形成できる。
前記第３工程は、前記シード層上に強誘電層となる物質膜をスピンコーティングする工程、前記スピンコーティングされた物質膜を乾燥する工程、前記スピンコーティング工程と乾燥工程とを所定の回数ほど反復する工程、及び前記乾燥された物質膜をアニーリングする工程をさらに含むことができる。
前記アニーリングは、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を利用して５５０℃ないし６５０℃で１１０秒間実施できる。
前記強誘電層は、５０ｎｍ以下の厚さに形成でき、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層及びＢＬＴ層のうちいずれか一つで形成できる。
本発明の記録媒体は、強誘電層のグレインサイズが強誘電層に記録されるビットデータの領域、すなわちビットサイズよりはるかに小さいか、または大きいため、強誘電層に記録されるビットデータ領域の偏差、すなわちビットサイズの偏差を減らすことができる。また、本発明の記録媒体は、ビットデータ０が記録された領域とビットデータ１が記録された領域との遷移距離（“飛び”の幅）も、探針の最大分解能に近く減らすことができる。したがって、本発明の記録媒体を利用する場合、ビットデータを均一に記録でき、記録密度も高めることができる。
以下、本発明の実施形態による強誘電層を利用した情報記録媒体及びその製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。この過程で、図面に示した層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張して示したものである。
まず、本発明の実施形態による情報記録媒体（以下、本発明の記録媒体）を説明する。
図２は、本発明の記録媒体４０の構成を示す図面である。図２に示すように、基板４２上に障壁層４４及び伝導層４６が順次に存在する。伝導層４６上にシード層４８が存在し、シード層４８上には、ビットデータが記録される強誘電層５０が存在する。基板４２は、酸化されたシリコン基板でありうる。障壁層４４は、伝導層４６と基板４２との間にキャリア移動を防止する手段であって、例えばＴｉＯ２膜でありうる。伝導層４６は、白金（Ｐｔ）層とチタン（Ｔｉ）層とが順次に積層された物質層（Ｐｔ／Ｔｉ）でありうる。伝導層４６は、単層であってもよい。シード層４８は、核形成サイトを増加させる役割を行う。前記シード層４８により、強誘電層５０のグレインサイズは小さくなる。強誘電層５０が、例えばＰＺＴ層である場合、シード層４８は、ＴｉＯ２膜でありうる。強誘電層５０は、データ記録層として使われる。強誘電層５０として使われる物質によって、シード層４８として使われる物質も変わりうる。例えば、強誘電層５０がＳＢＴ層である場合、シード層４８は、Ｂｉ２Ｏ３膜でありうる。その他にシード層４８としては、ＰｂＴｉＯ３層を使用してもよい。シード層４８は、核形成サイトを増大させるのに最適の所定の厚さを有する。例えば、シード層４８が前記したＴｉＯ２膜であるとき、シード層４８の厚さは５ｎｍ以下でありうる。強誘電層５０は、前記したようにＰＺＴ層であることが望ましいが、他の強誘電層、例えばＢＳＴ層、ＳＢＴ層またはＢＬＴ層でありうる。
強誘電層５０のグレインサイズは、強誘電層５０に記録されるビットデータより小さいことが最も望ましいが、前記ビットデータより大きくてもよい。強誘電層５０がＰＺＴ層である場合、強誘電層５０のグレインサイズは１０ｎｍ以下でありうる。強誘電層５０がＰＺＴ層である場合、強誘電層５０の厚さは、例えば５０ｎｍ以下でありうる。強誘電層５０の厚さは、使われる強誘電物質によって異なりうる。
一方、本発明者は、強誘電層５０の組成と表面ポテンシャルとの相関関係を調べるために、強誘電層５０の組成を変化させつつ、強誘電層５０の表面ポテンシャルを測定した。図３は、強誘電層５０がＰＺＴ層であるとき、強誘電層５０内のＺｒとＴｉとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）による表面ポテンシャルの測定結果を示す図面である。表面ポテンシャルは、ＫＦＭ（Ｋｅｌｖｉｎ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使用して測定した。
図３に示すように、ＺｒとＴｉとの組成比が２５／７５であるとき（以下、第１ケース）、強誘電層５０の表面ポテンシャルが最も大きく、ＺｒとＴｉとの組成比が５２／４８であるとき（以下、第２ケース）、強誘電層５０の表面ポテンシャルが二番目に大きく、ＺｒとＴｉとの組成比が４０／６０であるとき（以下、第３ケース）、強誘電層５０の表面ポテンシャルが三番目に大きいということが分かる。前記第２ケース、表面ポテンシャルが前記第３ケースより大きいが、表面ポテンシャルを除いた他の構造的特性、例えば優先方向性が低下し、非強誘電性の部分が強誘電層５０に示されることを示唆するパイロクロア相が表れるので、前記第３ケースよりよくない。したがって、前記三つのケースのうち、一つのケースを選択するならば、前記第１ケースを選択することが望ましく、二つのケースを選択するならば、前記第１及び第３ケースを選択することが望ましい。
図３の結果から、図２の強誘電層５０がＰＺＴ層であるとき、強誘電層５０は、ＺｒとＴｉとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）が２５／７５であるＰＺＴ層（Ｐｂ（Ｚｒ０．２５Ｔｉ０．７５）Ｏ３）、または前記組成比が４０／６０であるＰＺＴ層（Ｐｂ（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）Ｏ３）であることが望ましいということが分かる。
図４は、所定の強誘電層に記録された単位ビットデータのサイズと、前記所定の強誘電層のグレインサイズとの比（以下、ビットサイズ／グレインサイズ）による前記強誘電層に記録されるビットデータのサイズ偏差を示す図面である。
図４に示すように、ビットサイズ／グレインサイズが１より大きいか、または１より小さいときのビットデータのサイズ偏差は、ビットサイズ／グレインサイズの比が１であるときより小さいということが分かる。このような結果は、前記強誘電層のドメインとグレインとの相互作用に起因する。図３の結果から、図２に示した本発明の記録媒体４０の強誘電層５０に記録されたビットデータのサイズ偏差は、非常に小さいということが分かる。例えば、本発明の記録媒体４０において、強誘電層５０のグレインサイズは１０ｎｍほどであるので、強誘電層５０に記録されるビットデータのサイズが３０ｎｍほどならば、本発明の強誘電層５０のビットサイズ／グレインサイズは３ほどとなる。したがって、図４の結果から、本発明の記録媒体４０において、強誘電層５０に記録されたビットデータのサイズ偏差は１％に近接する。それをビットデータのサイズに換算すれば、ビットデータのサイズは３０ｎｍほどであるので、ビットデータのサイズ偏差は０．３ｎｍほどとなる。このような結果は、従来のビットデータのサイズ偏差１４ｎｍに比べてはるかに小さい。したがって、本発明の記録媒体４０において、強誘電層５０に記録されるビットデータのサイズは、従来と比較できないほど均一になる。
次には、図２、図５ないし図７を参照して、図２に示した本発明の記録媒体についての製造方法（以下、本発明の製造方法）を説明する。
図２及び図５に示すように、基板４０上に障壁層４４を積層する（Ｓ１）。基板４０は、表面を酸化させたシリコン基板を使用できる。障壁層４４は、例えばＴｉＯ２膜で形成できる。障壁層４４上に伝導層４６を形成する（Ｓ２）。伝導層４６は、単層または複層に形成できる。後者の場合、伝導層４６は、Ｐｔ層とＴｉ層とを順次に積層して形成できる。障壁層４４及び伝導層４６は、各自の役割を十分に行えるほどの厚さに形成する。次いで、伝導層４６上にシード層４８を形成する（Ｓ３）。次いで、シード層４８上に強誘電層５０を形成する（Ｓ４）。シード層４８として使われる物質層及び厚さは、強誘電層５０によって異なりうる。例えば、強誘電層５０がＰＺＴ層で形成される場合、シード層４８はＴｉＯ２膜で形成できる。このとき、シード層４８は、５ｎｍ以下に形成できる。強誘電層５０がＰＺＴ層以外の強誘電層、例えばＢＳＴ層、ＳＢＴ層またはＢＬＴ層で形成される場合、シード層４８は、ＴｉＯ２膜以外の物質層、例えばＢｉ２Ｏ３膜で形成できる。シード層４８は、その他にＰｂＴｉＯ３層で形成することもできる。このような場合、シード層４８は、５ｎｍと異なる厚さに形成できる。強誘電層５０をＰＺＴ層で形成する場合、強誘電層５０は、５０ｎｍ以下の厚さに形成することが望ましい。強誘電層５０がＰＺＴ層以外の誘電層であるとき、強誘電層５０の厚さは５０ｎｍと異なりうる。強誘電層５０を形成するステップＳ４において、強誘電層５０のグレインサイズは、１０ｎｍほどあるいはそれ以下に形成することが望ましい。また、強誘電層５０は、表面ポテンシャルの大きい組成比で形成することが望ましい。例えば、強誘電層５０がＰＺＴ層である場合、強誘電層５０は、ＺｒとＴｉとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）を２５／７５または４０／６０に形成できる。
強誘電層５０をＰＺＴ層で形成する場合、シード層４８及び強誘電層５０をそれぞれ図６及び図７に示した順序によって形成することによって、強誘電層５０のグレインサイズを前記したように減らすことができる。
具体的に、図６に示すように、シード層４８は、第１ないし第３ステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３を経て形成する。第１ステップＳ３１は、伝導層上にシード層となる原料物質をスピンコーティングするステップである。このとき、前記スピンコーティングは、４，０００ｒｐｍで２０秒間実施でき、また、最終形成されるシード層４８の厚さを考慮して適正な厚さにコーティングできる。第２ステップＳ３２は、スピンコーティングされた物質膜を乾燥するステップである。前記乾燥は、３００℃で５分間実施できる。第３ステップＳ３３は、乾燥された物質膜をアニーリングするステップである。前記アニーリングは、ＲＴＡを利用して５５０℃ないし６５０℃で１１０秒間実施できる。
次いで、図７に示すように、強誘電層５０は、第１ないし第３ステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ４３を経て形成するが、第１及び第２ステップＳ４１，Ｓ４２を２回以上、望ましくは４回反復した後に第３ステップＳ４３を実施する。
第１ステップＳ４１は、シード層４８上にＰＺＴ層の原料物質をスピンコーティングするステップである。このとき、前記スピンコーティングは、４，０００ｒｐｍで２０秒間実施できる。最終形成される強誘電層５０の厚さを考慮して、前記ＰＺＴ原料物質は適正な厚さにコーティングできる。
第２ステップＳ４２は、スピンコーティングされた原料物質膜を乾燥するステップである。前記乾燥は、３００℃で５分間実施できる。
第３ステップＳ４３は、乾燥された物質膜をアニーリングするステップである。前記アニーリングは、所定のＲＴＡ装置を利用して５５０℃ないし６５０℃で１１０秒間実施できる。この過程で、強誘電層５０が結晶化される。
前述した製造方法において、強誘電層５０がナノサイズのグレインを有し、かつ結晶状態を維持できるのは、伝導層４６及び強誘電層５０上にシード層４８を形成するためである。
シード層４８の存在効果は、図８及び図９を比較することによってさらに明確になる。
図８は、シード層４８なしに伝導層４６上に形成されたＰＺＴ層（以下、第１ＰＺＴ層）のグレインサイズを示すイメージ写真であり、図９は、グレインサイズの測定のために図８のＰＺＴ層の一部を拡大して示すイメージ写真である。図９において、グレインＧの平均サイズは、１５１．７１ｎｍほどであるということが分かる。図８に示した第１ＰＺＴ層は、ＺｒとＴｉとの組成比が２５／７５であり、６５０℃でＲＴＡ処理したものである。
図１０は、伝導層４６上にシード層４８を形成した後、シード層４８上に形成したＰＺＴ層（以下、第２ＰＺＴ層）のグレインサイズを示すイメージ写真であり、図１１は、グレインサイズの測定のために図１０のＰＺＴ層の一部を拡大して示す写真である。グレインが小さすぎるので、図１１でグレインを直接確認することは困難である。しかし、測定結果、グレインの平均サイズは１０ｎｍほどであった。図１０に示した第２ＰＺＴ層は、５５０℃でＲＴＡ処理したものであり、第２ＰＺＴ層の組成比は、前記第１ＰＺＴ層と同一にした。
図８と図１０との比較または図９と図１１との比較から、伝導層４６と強誘電層５０との間にシード層４８を形成するとき、強誘電層５０のグレインサイズがはるかに小さくなるということが分かる。
図１２は、本発明の製造方法によって形成した前記第２ＰＺＴ層に対するＸ線回折分析結果を示すグラフである。
図１２に示すように、第１ピークＰ１は、結晶面が（１１１）であるＰｔの存在を表し、第２ピークＰ２は、結晶面が（１１１）であるぺロブスカイト結晶の存在を表す。
そして、第３ピークＰ３は、シリコンの存在を表し、第４ピークＰ４は、結晶面が（１００）であるぺロブスカイト結晶の存在を表す。また、第５ピークＰ５は、結晶面が（２００）であるぺロブスカイト結晶の存在を表し、第６ピークＰ６は、結晶面が（１１１）であるベタ結晶構造を有するＰｔの存在を表す。また、第７ピークＰ７は、結晶面が（１１０）であるぺロブスカイト結晶の存在を表す。図１２の第１及び第２ピークＰ１，Ｐ２、第４ないし第７ピークＰ４〜Ｐ７から、前記第２ＰＺＴ層が結晶状態であるということが分かる。図１０及び図１２の結果は、本発明の製造方法によって形成される記録媒体の強誘電層は、グレインサイズがナノサイズであり、かつ結晶状態であることを意味し、（１１１）方向に優先配向されていることを意味する。したがって、本発明の記録媒体の強誘電層は、ナノサイズのグレインを有するにもかかわらず、強誘電層としての分極特性を有することができる。
図１３は、本発明の記録媒体にビットデータ１が記録された場合を示す図面であり、図１４は、図１３の記録媒体を再生するときに発生する信号特性を示すグラフである。
図１３において、Ｂ１は、強誘電層のビットデータ１が記録された第１領域を表す。そして、Ｂｏは、強誘電層のビットデータ０が記録された第２領域を表す。
図１４において、第１出力信号ＯＳ１は、探針を利用して図１３の記録媒体を左側から右側に再生するとき、ビットデータ０が記録された第２領域Ｂｏから発生する信号の変化を表し、第２出力信号ＯＳ２は、ビットデータ１が記録された第１領域Ｂ１から発生する信号の変化を表す。また、図１４において、０．０３５は、出力信号が第１出力信号ＯＳ１から第２出力信号ＯＳ２に遷移される距離を表す。このとき、距離の単位はμmである。
記録媒体に対する再生速度及び記録密度の上昇を考慮すれば、探針が、ビットデータ０の記録された第２領域Ｂｏを読み取った後、ビットデータ１が記録された第１領域Ｂ１の存在を認識する時間は短いほど望ましい。したがって、前記遷移距離は、可能な限り短いことが望ましい。第１出力信号ＯＳ１と第２出力信号ＯＳ２との遷移距離０．０３５μm（３５ｎｍ）は、探針の半径に該当する距離であって、探針の最大分解能に近い。
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、当業者ならば、強誘電層５０の表面に、探針と強誘電層５０との物理的接触は防止し、電気的接触は許容可能な薄い保護膜を形成することもできる。また、水平記録媒体が現在も使われていることに鑑みるとき、図５ないし図７に示した製造過程は、水平記録媒体の製造にも適用できる。また、強誘電層が基板の上下に備えられたダブルレイヤ情報記録媒体にも、本発明の製造方法を適用できる。したがって、本発明の範囲は、説明した実施形態により決まるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まらねばならない。
本発明は、記録媒体関連の技術分野に適用可能である。
強誘電層をデータ記録層として使用する従来の技術による情報記録媒体において、ビットデータ１が記録された領域を示すイメージ写真である。 本発明の実施形態による情報記録媒体の断面図である。 本発明の情報記録媒体において、強誘電層がＰＺＴ層であるとき、強誘電層内のＺｒとＴｉとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）による表面ポテンシャルの測定結果を示すグラフである。 図２の情報記録媒体において、強誘電層に記録された単位ビットデータのサイズと強誘電層のグレインサイズとの比による強誘電層に記録されるビットデータのサイズ偏差を示すグラフである。 図２に示した本発明の記録媒体の製造方法を段階別に示すフローチャートである。 図２に示した本発明の記録媒体の製造方法を段階別に示すフローチャートである。 図２に示した本発明の記録媒体の製造方法を段階別に示すフローチャートである。 強誘電層をシード層なしに伝導層上に直接形成したとき、強誘電層のグレインサイズを示すイメージ写真である。 図８のＰＺＴ層の一部を拡大して示すイメージ写真である。 本発明の実施形態による製造方法によって、伝導層上にシード層を形成した後、シード層上に形成された強誘電層のグレインサイズを示すイメージ写真である。 図１０のＰＺＴ層の一部を拡大して示すイメージ写真である。 本発明の製造方法によって形成した情報記録媒体の強誘電層に対するＸ線回折分析の結果を示すグラフである。 本発明の記録媒体にビットデータ１が記録された場合を示すイメージ写真である。 図１３の記録媒体の読み取り動作で発生する信号特性を示すグラフである。
符号の説明
４０ 記録媒体
４２ 基板
４４ 障壁層
４６ 伝導層
４８ シード層
５０ 強誘電層

Claims (22)

  1. 基板と、
    前記基板上に積層された障壁層と、
    前記障壁層上に積層された伝導層と、
    前記伝導層上に形成されたシード層と、
    前記シード層上に形成されており、垂直残留分極を有するデータ記録層と、を備えることを特徴とする情報記録媒体。
  2. 前記シード層の厚さは、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 前記シード層は、ＴｉＯ２層、Ｂｉ２Ｏ３層及びＰｂＴｉＯ３層のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
  4. 前記データ記録層の厚さは、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  5. 前記データ記録層は、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層及びＢＬＴ層のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  6. 前記データ記録層のグレインサイズは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 前記データ記録層がＰＺＴ層であるとき、ジルコニウムとチタンとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）は、２５／７５及び４０／６０のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項５に記載の情報記録媒体。
  8. 基板上に障壁層、伝導層を順次に積層する第１工程と、
    前記伝導層上にシード層を形成する第２工程と、
    前記シード層上に強誘電層を形成する第３工程と、を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
  9. 前記第２工程は、
    前記伝導層上に前記シード層となる物質膜をスピンコーティングする工程と、
    前記スピンコーティングされた物質膜を乾燥する工程と、
    前記乾燥された物質膜をアニーリングする工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
  10. スピンコーティングは、４，０００ｒｐｍで２０秒間実施することを特徴とする請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  11. 前記乾燥は、３００℃で５分間実施することを特徴とする請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  12. 前記アニーリングは、ＲＴＡ方法を利用して５５０℃ないし６５０℃で１１０秒間実施することを特徴とする請求項９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  13. 前記シード層は、５ｎｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項８または９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  14. 前記シード層は、ＴｉＯ２層、Ｂｉ２Ｏ３層及びＰｂＴｉＯ３層のうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項８または９に記載の情報記録媒体の製造方法。
  15. 前記第３工程は、
    前記シード層上に強誘電層となる物質膜をスピンコーティングする工程と、
    前記スピンコーティングされた物質膜を乾燥する工程と、
    前記スピンコーティング工程と乾燥工程とを所定の回数ほど反復する工程と、
    前記乾燥された物質膜をアニーリングする工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
  16. 前記スピンコーティングは、４，０００ｒｐｍで２０秒間実施することを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  17. 前記乾燥は、３００℃で５分間実施することを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  18. 前記アニーリングは、ＲＴＡを利用して５５０℃ないし６５０℃で１１０秒間実施することを特徴とする請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  19. 前記強誘電層は、５０ｎｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項８または１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  20. 前記強誘電層は、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層及びＢＬＴ層のうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項８または１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  21. 前記強誘電層のグレインサイズは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８または１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  22. 前記強誘電層がＰＺＴ層であるとき、前記強誘電層は、ジルコニウムとチタンとの組成比（Ｚｒ／Ｔｉ）が２５／７５及び４０／６０のうちいずれか一つであるＰＺＴ層であることを特徴とする請求項２０に記載の情報記録媒体の製造方法。
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