JP2006222372A - 酸化炉装置 - Google Patents
酸化炉装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006222372A JP2006222372A JP2005036183A JP2005036183A JP2006222372A JP 2006222372 A JP2006222372 A JP 2006222372A JP 2005036183 A JP2005036183 A JP 2005036183A JP 2005036183 A JP2005036183 A JP 2005036183A JP 2006222372 A JP2006222372 A JP 2006222372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- sample
- chamber
- furnace
- oxidation furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の導入管70により加熱室33内部に導入されヒータ40により加熱された酸化性ガスは、孔33aを通り、チャンバー20内部に至り、試料2を酸化する。これにより、試料2の表面には絶縁膜が成長する。このとき、ヒータ40は、第1の導入管70により導入される酸化性ガスに曝されるが、ヒータ部41の表面が保護部42により被覆されているため、この保護部42によりヒータ部41が酸化性ガスから保護され、結果としてヒータ部41が消耗しない。
【選択図】 図1
Description
M.Kimura、et all、J. Appl. Phys. vol.89、pp.2138-2145、2001
Claims (7)
- 炉内を加熱し酸化性ガスを用いて前記炉内に配置した試料を熱酸化させる酸化炉装置において、
前記炉内を加熱するヒータと、
前記ヒータに接続され、前記ヒータに電力を供給する電極と、
前記炉内に配設され、前記電極を収容する筐体と、
前記炉外部から前記筐体に接続され、前記筐体内部に不活性ガスを導入する導入管と
を有することを特徴とする酸化炉装置。 - 前記不活性ガスは、何れかの希ガス、窒素、および、これらのうち何れか2つ以上を混合したガスの何れかから構成される
ことを特徴とする請求項1記載の酸化炉装置。 - 前記ヒータの表面は、保護部材により覆われる
ことを特徴とする請求項1または2記載の酸化炉装置。 - 前記保護部材は、炭化珪素、アルミナ、モリブデン、ニッケルとアルミニウムとクロムからなる合金、珪化モリブデン、窒化珪素、および、これらの材料のうち何れか2つ以上を組み合わせた何れかから構成される
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の酸化炉装置。 - 炉内を加熱し酸化性ガスを用いて前記炉内に配置した試料を熱酸化させる酸化炉装置において、
前記炉内に配設され、前記炉内を加熱するヒータを有し、
このヒータの表面は、保護部材により覆われる
ことを特徴とする酸化炉装置。 - 前記保護部材は、炭化珪素、アルミナ、モリブデン、ニッケルとアルミニウムとクロムからなる合金、珪化モリブデン、窒化珪素、および、これらの材料のうち何れか2つ以上を組み合わせた何れかから構成される
ことを特徴とする請求項5記載の酸化炉装置。 - 前記試料にX線を照射するX線照射装置と、
前記試料より発生する回折X線を検出する検出器と
をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の酸化炉装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036183A JP4510661B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 酸化炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036183A JP4510661B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 酸化炉装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222372A true JP2006222372A (ja) | 2006-08-24 |
JP4510661B2 JP4510661B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=36984449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005036183A Expired - Fee Related JP4510661B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 酸化炉装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4510661B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0321844U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-05 | ||
JPH08316162A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2000269289A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法およびその製造方法で使用する膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
JP2003303781A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2004022688A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Epiquest:Kk | SiCウエハー酸化装置 |
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005036183A patent/JP4510661B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0321844U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-05 | ||
JPH08316162A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2000269289A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法およびその製造方法で使用する膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
JP2003303781A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2004022688A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Epiquest:Kk | SiCウエハー酸化装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4510661B2 (ja) | 2010-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yannopoulos et al. | CO2‐Laser‐Induced Growth of Epitaxial Graphene on 6H‐SiC (0001) | |
Harley‐Trochimczyk et al. | Platinum Nanoparticle Loading of Boron Nitride Aerogel and Its Use as a Novel Material for Low‐Power Catalytic Gas Sensing | |
Petrik et al. | Laser-stimulated luminescence of yttria-stabilized cubic zirconia crystals | |
Kim et al. | High‐temperature stability of suspended single‐layer graphene | |
US5443863A (en) | Low-temperature oxidation at surfaces using ozone decomposition products formed by microwave discharge | |
JP5873443B2 (ja) | 質量分析方法、イオン生成装置及び質量分析システム | |
JP5051594B2 (ja) | 誘電体材料を処理する装置及び方法 | |
TW200847314A (en) | Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing | |
Mozetic et al. | A diagnostic method for real-time measurements of the density of nitrogen atoms in the postglow of an Ar–N2 discharge using a catalytic probe | |
KR20120112264A (ko) | 게르마늄 산화막의 형성 방법 및 전자 디바이스용 재료 | |
El-Zein et al. | Electrical characteristics of nonthermal gliding arc discharge reactor in argon and nitrogen gases | |
JP2003209108A (ja) | 酸化膜形成方法及びその装置 | |
TWI275120B (en) | Discharge vessel with excimer fill, and associated discharge lamp | |
TW543040B (en) | Increasing an electrical resistance of a resistor by oxidation or nitridization | |
JP4510661B2 (ja) | 酸化炉装置 | |
Schober | Water vapor solubility and impedance of the high temperature proton conductor SrZr0. 9Y0. 1O2. 95 | |
TW200826750A (en) | Microwave plasma treatment apparatus, one-body type slot forming member, manufacturing method and method of use for microwave plasma treatment device | |
Morini et al. | Low work function thin film growth for high efficiency thermionic energy converter: Coupled Kelvin probe and photoemission study of potassium oxide | |
JP6538389B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜の製造方法、熱フィラメントcvd装置及びメカニカルシール | |
JP7329236B2 (ja) | 水素センサ用組成物およびその製造方法 | |
Yamakawa et al. | Ultrahigh-speed etching of organic films using microwave-excited nonequilibrium atmospheric-pressure plasma | |
Van Langeveld et al. | The presence of silicon on the surface of platinum films evaporated onto a number of silicon-containing supports | |
Inaba et al. | Correlation between the Carbon Nanotube Growth Rate and Byproducts in Antenna‐Type Remote Plasma Chemical Vapor Deposition Observed by Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy | |
Geiling et al. | Design and Fabrication of a Nitrogen Monoxide Measurement Device Based on Low Temperature Co‐Fired Ceramics | |
JPH0948669A (ja) | 窒化アルミニウムおよび半導体製造用装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100430 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |