JP2006222134A - 半導体ウェハ用トレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】 トレイからの削り屑がトレイ内にて発生することが無く、ウェハ表面上にトレイ屑が付着しない半導体ウェハ用トレイを提供する。
【解決手段】 ウェハ11を収容するトレイ10と、蓋13とからなる半導体ウェハ用トレイであり、蓋13の外周に固定用の爪15設け、トレイ10の外周に固定用の爪受け20を設け、トレイ10に蓋13を重ね、固定用の爪15を固定用の爪受け20に係合させてトレイ10に蓋13を閉じる。
【選択図】 図1
【解決手段】 ウェハ11を収容するトレイ10と、蓋13とからなる半導体ウェハ用トレイであり、蓋13の外周に固定用の爪15設け、トレイ10の外周に固定用の爪受け20を設け、トレイ10に蓋13を重ね、固定用の爪15を固定用の爪受け20に係合させてトレイ10に蓋13を閉じる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体ウェハ用トレイに関するものである。
半導体ウェハは、ショットキーゲート電界効果トランジスタ(MESFET)、高移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)、その他、レーザーダイオード(LD)、発光ダイオード(LED)などのデバイス用基板として用いられている。
これらの素子の能動層は、半導体ウェハから製造された鏡面ウェハに分子線エピタキシャル成長(MBE)、有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法およびイオン打ち込み法などにより形成される。
この鏡面ウェハを製造するに際して、まず、結晶インゴットをスライスし、ウェハを切り出す。そして、このスライスしたウェハを#800〜#3000のアルミナ砥粒でラップしてソーマークを除去し、平坦性を高めた後、研磨液として次亜塩素酸系水溶液や、次亜塩素酸水溶液と砥粒(シリカ、アルミナ、ジルコニウム)の混合液、研磨布として表面に多孔質層を有するものを用い、メカノケミカル研磨により鏡面に仕上げる。次にこの鏡面を所定の方法により洗浄し、乾燥させる。乾燥された鏡面ウェハをウェハトレイまたはウェハボックスに収納し、窒素ガスパージ後、アルミラミネートにて封止し、エピタキシャル成長するまで保管していた。
MOVPE法エピタキシャル成長を実施する場合、成長炉への投入枚数は、ウェハサイズ、エピタキシャル成長炉の大きさにより異なるが、25枚以内/ロットが主流であり、半導体ウェハの自然酸化、不純物付着防止目的のため、通常、必要最小限のウェハをアルミラミネートから開封し、エピタキシャル成長することが一般的であった。
特に25枚以下/ロットの場合は、ウェハボックス個装より、トレイ個装が好まれる傾向にあった。
図4(a)、図4(b)に従来の半導体ウェハ用トレイの形状を示す。
図4(a)において、30は、ウェハ31を収容するトレイ、32は、ウエハ31を押さえるスプリング、33は蓋であり、図4(b)に示すようにトレイ30に、ウェハ31、スプリング32を収容した状態で、蓋33にて閉じることで個装される。
図5(a)、図5(b)は、トレイ30とその蓋33の詳細を示し、図5(a)は正面断面図、図5(b)は平断面図を示している。
トレイ30の上部には、蓋33と嵌合する段部34が形成され、その段部34にトレイ爪部35が形成され、蓋33の内周面にトレイ爪部35を係合する円弧状の爪受け溝36が形成される。
個装時には、蓋33をトレイ30の段部34に嵌合し、図4(b)に示すように蓋33をトレイ30に対して廻すことで蓋33が閉められる。
しかしながら、上述した従来のウェハ用トレイでは、トレイ爪部35と爪受け溝36との接触によって締め付ける構造上、トレイと蓋は回転により過閉める構造となっているため、トレイ30のトレイ爪部35と蓋33の爪受け溝36の接触部での共摺れにより、トレイ30からの削り屑がウェハ31表面上に付着することが判った。
そのため、エピタキシャル層形成時に削り屑付近で異常成長が発生し、良好なエピタキシャル表面が得られないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、トレイからの削り屑がトレイ内にて発生することが無く、ウェハ表面上にトレイ屑が付着しない半導体ウェハ用トレイを提供することにある。
上述のトレイの共擦れによる削り屑発生問題を解決するために、請求項1の発明は、ウェハを収容するトレイと蓋とからなる半導体ウェハ用トレイにおいて、トレイと蓋の外周部に係合手段を設けた半導体ウェハ用トレイである。
請求項2の発明は、係合手段は、蓋の外周に設けた固定用の爪と、トレイ外周に設けられた固定用の爪受けとからなり、蓋をトレイに重ねたときに固定用の爪が固定用の爪受けに係合される請求項1記載の半導体ウェハ用トレイである。
請求項3の発明は、係合手段は、蓋の外周に設けた係合爪と、トレイ外周に設けられた係合溝からなり、蓋をトレイに重ねて回転させたとき係合爪が係合溝に係合される請求項1記載の半導体ウェハ用トレイである。
請求項4の発明は、係合手段は、トレイと蓋の外周に複数設けられる請求項1〜3いずれかに記載の半導体ウェハ用トレイである。
請求項5の発明は、トレイと蓋の材質が、PP,PFA,PS,ABS,PC,PEEK,PEのいずれかである請求項1〜4いずれかに記載の半導体ウェハ用トレイである。
従来技術の欄で述べたように、エピタキシャル層の異常成長原因は、トレイと蓋の回転時の共摺れにより発生するトレイ削り屑が基板表面に付着することがこれまでの調査の結果で判っていた。
このトレイ屑発生の問題を解決するためには、トレイと蓋を回転しない脱着方式をもったトレイ構造であること、または固定部をトレイ収納部の外側に設置し、トレイ屑がウェハ内側に入り込まない構造とする必要がある。
そこで、本発明では、トレイおよび蓋に固定用の爪を設置した構造のトレイを用いることで、トレイ屑の付着がない半導体ウェハ用トレイを提供することができる。
以上要するに本発明では、半導体ウェハ用トレイの構造として、トレイおよび蓋の外周に係合手段を設けたことにより、蓋をトレイから開け閉めする際に発生する削り屑がウェハに付着しない構造とすることができる。
以下本発明の実施形態を添付図面により説明する。
図1,図2は、本発明の半導体ウェハ用トレイの一実施の形態を示したものであり、図1(a)は各部材を展開した状態を、図1(b)は個装後の状態を、図2は個装時の状態を示している。
図において、10はトレイ、11はウェハ、12はスプリング、13は蓋であり、本発明においては、トレイ10と蓋13の外周に係合手段14を設けたものである。
係合手段14は、蓋13の外周に設けた固定用の爪15と、トレイ10の外周に設けた固定用の爪受け20からなり、図示のように直径方向に対向して一対設けるようにしても或いは円周方向に複数設けるようにしてもよい。
固定用の爪15は、蓋13の外周から径方向外方に延びる水平板16と、その水平板16から鉛直に延びた鉛直板17と、鉛直板17の下端から外向きに斜め上方に延びた舌片18とからなり、固定用の爪受け20は、トレイ10の外周から径方向外周に延びる水平板19と、その水平板19に穿設された係合溝21とからなる。係合溝21の幅は、固定用の爪15の鉛直板17の幅よりやや大きく形成され、また固定用の爪受け20の水平板19の厚さは、固定用の爪15の舌片18の上端と水平板16の下面の間隔と略同じに形成される。
以上において、従来のウェハトレイでは、ウェハ収納時にトレイと蓋の接触部にて、削り屑が発生し、それがウェハに付着し、削り屑付近で異常エピタキシャル成長が発生する問題があるが、本発明においては、蓋13の固定用の爪15をトレイ10の固定用の爪20があることから、蓋13を回転することなく、ウェハを収納することができるため、トレイの共摺れによるトレイ屑が発生しない。 また、ウェハ11の取り出し時は、固定用の爪15の舌片18を内側に倒すことで、固定用の爪15と固定用の爪受け20の係合を解除して、トレイ10から蓋13を取り外すことが可能である。
この固定用の爪15と固定用の爪受け20とからなる係合手段14は、トレイ屑の発生はないが、トレイ10と蓋13の外周に設けられているため、仮に屑が発生することがあっても、その屑がトレイ10内に入ることはない。
図3は、従来方式と同様の回転による係合手段14の例を示したものである。
この係合手段14は、蓋13の外周に設けた係合爪22と、トレイ10の外周に設けた係合溝23とからなる。係合爪22は、蓋13の外周から径方向外周に延びるように設けた水平板24と、その水平板24の下方に鉛直に設けた係合片25とからなり、係合溝23は、トレイ10の外周から径方向外周に延びるように設けた水平板26と、その水平板26に形成した切欠溝27とからなる。
この実施の形態においては、蓋13をトレイ10上に重ねて、図示の矢印に示したように左右方向に回転させることで、係合爪22と係合溝23の係脱が行えて蓋13を開閉できる。この場合、係合手段14がトレイ10の外周部にあるため、係合部での共摺れにより発生する屑がトレイ10の内側に入らない構造となっている。
トレイ10の固定時の安定性を考慮すると、係合爪22と係合溝23は、蓋13とトレイ10に2箇所以上あることが望ましい。
本発明に用いられるウェハ材質としては、ウェハへの脱ガスによる有機ガス汚染、不純物等を考慮し、PP(ポリプロピレン),PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体),PS(ポリスチレン),ABS(アクロルニトリル・ブタジエン・スチレン),PC(ポリカーボネート),PEEK(ポリエーテルエーテルケトン),PE(ポリエチレン)等を用いることが望ましい。
次に、本発明の実施例について説明する。
図4で説明したインテグリス社製3インチウェハトレイ(従来例)、および本発明による図1,図2の回転なしの半導体ウェハ用トレイ(実施例1)、図3の回転ありの半導体ウェハ用トレイ(実施例2)を採用した各トレイにて個装された、各50枚の窒素パック済みウェハを全数開封し、集光器下にてウェハ上のトレイ削り屑の有無を比較した。
比較結果を表1に示す。
表より各トレイのトレイ屑発生枚数及び発生確率は、
従来例(インテグリス社製ウェハトレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は13枚、異物発生率は26%であり、
実施例1(回転なし方式トレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は0枚、異物発生率は0%であり、
実施例2(回転あり方式トレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は0枚、異物発生率は0%であった。
従来例(インテグリス社製ウェハトレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は13枚、異物発生率は26%であり、
実施例1(回転なし方式トレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は0枚、異物発生率は0%であり、
実施例2(回転あり方式トレイ)の個装品の窒素パック開封後の異物発生枚数は0枚、異物発生率は0%であった。
次に、実施例1及び2のトレイに個装した3インチGaAsウェハを用いて、エピタキシャル成長を実施したが、光デバイス向けにMOVPE法によるアンドープAlxGa1-xAs(x<0.5)(500nm成長)をエピ成長した結果、異物発生によるエピの異常成長は確認されなかった。
なお、本実施の形態では、半導体ウェハとして、III −V族化合物半導体であるGaAsウェハ及びトレイでの実施例について説明したが、本発明は、GaP,InP等のその他のIII −V族、II−VI族化合物半導体ウェハ用トレイのみならず、その他半導体用トレイにも適用できる。
10 トレイ
13 蓋
14 係合手段
15 固定用の爪
20 固定用の爪受け
13 蓋
14 係合手段
15 固定用の爪
20 固定用の爪受け
Claims (5)
- ウェハを収容するトレイと蓋とからなる半導体ウェハ用トレイにおいて、トレイと蓋の外周部に係合手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ用トレイ。
- 係合手段は、蓋の外周に設けた固定用の爪と、トレイ外周に設けられた固定用の爪受けとからなり、蓋をトレイに重ねたときに固定用の爪が固定用の爪受けに係合される請求項1記載の半導体ウェハ用トレイ。
- 係合手段は、蓋の外周に設けた係合爪と、トレイ外周に設けられた係合溝からなり、蓋をトレイに重ねて回転させたとき係合爪が係合溝に係合される請求項1記載の半導体ウェハ用トレイ。
- 係合手段は、トレイと蓋の外周に複数設けられる請求項1〜3いずれかに記載の半導体ウェハ用トレイ。
- トレイと蓋の材質が、PP,PFA,PS,ABS,PC,PEEK,PEのいずれかである請求項1〜4いずれれかに記載の半導体ウェハ用トレイ。
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JP2005031805A JP2006222134A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体ウェハ用トレイ |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005031805A JP2006222134A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体ウェハ用トレイ |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043862A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Miraial Kk | 枚葉式ウエハケース |
KR100981120B1 (ko) | 2009-09-09 | 2010-09-10 | 주식회사 맥시스 | 트레이 및 이를 이용한 제조장치 |
JP2012071880A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Hiropax Co Ltd | 半導体ウエハーの収納容器 |
KR101160253B1 (ko) | 2009-11-27 | 2012-06-26 | 주식회사 맥시스 | 기판 트레이 |
JP2013161839A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Spp Technologies Co Ltd | 基板トレー、およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
CN112687609A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-20 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 利用石墨盘和衬底生长AlN外延层的方法和石墨盘 |
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2005
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