JP2006216344A - Flexible clear electrode substrate and organic electroluminescent display device - Google Patents

Flexible clear electrode substrate and organic electroluminescent display device Download PDF

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JP2006216344A JP2005027261A JP2005027261A JP2006216344A JP 2006216344 A JP2006216344 A JP 2006216344A JP 2005027261 A JP2005027261 A JP 2005027261A JP 2005027261 A JP2005027261 A JP 2005027261A JP 2006216344 A JP2006216344 A JP 2006216344A
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好弘 岸本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for an organic EL display device which can sufficiently prolong its life as an organic EL element when used for an organic display device, with well satisfied flexibility, durability and strength. <P>SOLUTION: In the flexible clear electrode substrate, an inorganic compound layer and an organic compound layer are laminated on one face of a clear-film base material, and an electrode layer consisting of an ITO layer is arranged on its outermost surface. The ITO layer is arranged with an intervention of an inorganic compound layer. An inorganic compound layer is arranged also at the other face of the clear-film base material. The ITO layer has a half-value width of a peak corresponding to its [222] plane in an X-ray diffraction method of 0.95° or more and 1.40° or less. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、フレキシブル透明電極基板に関し、特に、透明フィルム基材に少なくとも無機化合物と有機化合物が積層されてなる基板上にITO層が成膜された透明導電性基板に関する。
本発明のフレキシブル透明電極基板の主なる用途としては、ディスプレイ用基板、照明用基板、太陽電池用基板、サーキットボード用基板、半導体用途、電子ペーパー用途等、従来のガラスを支持基材として利用していたものに代替できる、薄くて軽くて割れない、曲げられる透明樹脂基材を用いたフレキシブル電子機器である。
しかしながら、フレキシブル性、透明導電性を必要とする用途であれば特に電子機器に限定されるものではない。
The present invention relates to a flexible transparent electrode substrate, and more particularly to a transparent conductive substrate in which an ITO layer is formed on a substrate in which at least an inorganic compound and an organic compound are laminated on a transparent film substrate.
Main uses of the flexible transparent electrode substrate of the present invention include conventional substrates such as display substrates, illumination substrates, solar cell substrates, circuit board substrates, semiconductor applications, electronic paper applications, etc. It is a flexible electronic device that uses a transparent resin base material that can be replaced with a thin, light, non-breaking, and bendable material.
However, the application is not particularly limited to an electronic device as long as the application requires flexibility and transparent conductivity.

従来、透明熱線反射体、透明面状発熱体、透明電極等には、基材としての高分子フィルム表面に透明導電層を設けた透明導電性積層体が広く用いられてきている。
この透明導電性積層体に形成する透明導電層については、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)などの金属薄膜タイプ、インジウム酸化物(In2 3 )、スズ酸化物(SnO2 )、これらの混合物であるITO(Indium Tin Oxide)、亜鉛酸化物(ZnO)などの金属酸化物薄膜タイプ、さらにTiO2 /Ag/TiO2 などの金属/金属酸化物の多層薄膜タイプ等の各種のものが知られている。
これらの中でもITO等の金属酸化物薄膜は、透光性、導電性がともに非常に良好で、その上エッチング特性にも優れており、電極としてのパターン化が容易であるという特長を有しているものである。
このため、精細なパターンを必要とするディスプレイの透明電極などに好適に用いられている。
このような金属酸化物薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、あるいはCVD法などの各種の成膜方法により作成されている。
透明電極をフレキシブルな基板上に形成することにより、フレキキシブル電極が作製される。
そのようなフレキシブルな基板を用いた、ディスプレイ、照明、太陽電池、サーキットボード、半導体、電子ペーパー等、薄くて軽くて割れない、曲げられるフレキシブル電子機器が種々開発されている。
Conventionally, transparent conductive laminates in which a transparent conductive layer is provided on the surface of a polymer film as a substrate have been widely used for transparent heat ray reflectors, transparent planar heating elements, transparent electrodes, and the like.
About the transparent conductive layer formed in this transparent conductive laminate, metal thin film type such as gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO) 2 ), metal oxide thin film types such as ITO (Indium Tin Oxide) and zinc oxide (ZnO) which are a mixture of these, and metal / metal oxide multilayer thin film types such as TiO 2 / Ag / TiO 2 Various things are known.
Among these, metal oxide thin films such as ITO have the characteristics that both translucency and conductivity are very good, and the etching characteristics are also excellent, and the patterning as an electrode is easy. It is what.
For this reason, it is suitably used for a transparent electrode of a display that requires a fine pattern.
Such a metal oxide thin film is formed by various film forming methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method.
A flexible electrode is manufactured by forming a transparent electrode on a flexible substrate.
Various flexible electronic devices that can be bent and thin such as displays, lighting, solar cells, circuit boards, semiconductors, and electronic paper using such flexible substrates have been developed.

近年では、有機EL(Electroluminescence)ディスプレイデバイス用に、特に携帯用の小型、薄型、軽量の有機ELディスプレイデバイス用のフレキシブル透明電極基板として、基材である高分子フィルム表面に透明導電層を設けた透明導電性積層体が用いられるようになってきた。
そして、有機ELディスプレイデバイスにおける、EL素子は、水分に非常に弱く、特に、発光層は水分を含むと劣化は加速されるため、有機EL層への水蒸気の侵入を阻止する構造が種々提案されている。
例えば、特開2004−14287号公報(特許文献1)には、結晶性の高い構造と結晶性の低い構造の層とを含む、水蒸気透過防止性を向上させたITO膜と、該ITO膜を用いた有機EL素子の記載があるが、ここには、水分がEL素子本体に侵入することを防止する防止膜(水蒸気透過防止膜、防湿バリア膜)を用いた構造の有機ELディスプレイデバイス用の基板も記載されている。
特開2004−14287号公報
In recent years, a transparent conductive layer has been provided on the surface of a polymer film, which is a base material, as a flexible transparent electrode substrate for organic EL (Electroluminescence) display devices, particularly for portable, small, thin, and lightweight organic EL display devices. Transparent conductive laminates have been used.
In addition, EL elements in organic EL display devices are very sensitive to moisture. In particular, since the light emitting layer contains moisture, the deterioration is accelerated, so various structures for preventing water vapor from entering the organic EL layer have been proposed. ing.
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-14287 (Patent Document 1) discloses an ITO film that has a structure with high crystallinity and a layer with a low crystallinity structure with improved water vapor permeation prevention, and the ITO film. Although there is a description of the organic EL element used, it is here for an organic EL display device having a structure using a prevention film (water vapor permeation prevention film, moisture barrier film) that prevents moisture from entering the EL element body. A substrate is also described.
JP 2004-14287 A

尚、有機EL素子は、基本的には、陽極電極と陰極電極の一対の電極間に有機化合物を含む有機EL層を挟持した構造となっており、陽極電極(アノード電極)/ 有機EL層/ 陰極電極(カソード電極)の積層構造が基本になっている。
ここでは、このー対の電極間に設けられる全ての層を、総称して、有機EL層(有機発光層とも言う)と呼び、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等をがこれに含まれる。
画素電極と対向電極が、それぞれ、陽極電極、陰極電極のいずれかに相当し、ー対の電極を構成する。
The organic EL element basically has a structure in which an organic EL layer containing an organic compound is sandwiched between a pair of electrodes of an anode electrode and a cathode electrode, and an anode electrode (anode electrode) / organic EL layer / A laminated structure of cathode electrodes (cathode electrodes) is fundamental.
Here, all the layers provided between the pair of electrodes are collectively referred to as an organic EL layer (also referred to as an organic light emitting layer), and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. This includes an electron injection layer and the like.
The pixel electrode and the counter electrode correspond to either an anode electrode or a cathode electrode, respectively, and constitute a pair of electrodes.

尚、有機EL素子を構成する各層を構成する素材としては、それ自体は公知で、次のようなものを用いることができる。
陰極電極は、通常の有機EL素子に用いられる素材であれば、いかなるもので構成してもよく、特に電子が注入し易いように仕事関数の小さい導電性材料であることが好ましく、具体的には、例えば、マグネシウム合金(MgAg)、アルミニウム、銀等である。
有機EL素子においては、基板上、もしくは陽極上に部分的に、絶縁層を少なくとも一層形成することができる。
絶縁層は、好ましくは紫外線硬化樹脂などの光硬化樹脂または熱硬化性樹脂を含む樹脂材料から構成され、表示の際に、絶縁層のある部分が非発光部となるようパターン状に形成することができる。
またこの樹脂材料にカーボンブラック等を混合することにより、絶縁層をブラックマトリックスとして形成することもできる。
陽極電極と陰極電極との間に、正孔輸送層および発光層、もしくは、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層した積層構造であるが、陽極電極と陰極電極との間には、エレクトロルミネッセンスを起こす有機発光材料からなる発光層を必須の層として、任意の層として発光層に正孔を輸送する正孔輸送層、正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層、電子輸送層、および電子注入層等を設けることができる。
陽極電極と陰極電極との間に積層し得るこれらの各層をまとめて、有機EL層と呼ぶこととする。
発光層を構成する有機発光材料としては、大別して、色素系材料、金属錯体系材料、もしくは高分子系材料等の各タイプのものが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリレーン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、もしくはピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、もしくはユーロピウム錯体等の、中心金属にAl、Zn、もしくはBe等、またはTb、Eu、もしくはDy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、もしくはポリビニルカルバゾール誘導体等、または上記色素系しくは金属錯体系発光材料を高分子化したものを挙げることができる。
上記の有機発光材料からなる発光層中に、発光効率を向上させる、もしくは発光波長を変化させる等の目的でドーピングを行うことができる。このドーピングを行なうためのドーピング材料としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、もしくはフェノキサゾン等を挙げることができる。
正孔注入層は、陽極電極と正孔輸送層との間、もしくは陽極電極と発光層との間に設けられるものである。
正孔注入層を構成する材料としては、例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、もしくはフタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、もしくは酸化アルミニウム等の酸化物、またはアモルファスカーボン、ポリアニリン、もしくはポリチオフェン誘導体等を挙げることができる。
電子輸送層は、発光層と陰極電極との間、もしくは発光層と電子注入層との間に設けられるものである。
電子輸送層を構成する材料としては、例えば、オキサジアゾール類もしくはアルミニウムキノリノール錯体等の、一般的に安定なラジカルアニオンを形成し、イオン化ポテンシャルの大きい物質が挙げられ、具体的には、1,3,4−オキサジアゾール誘導体、もしくは1,2,4−トリアゾール誘導体等を挙げることができる。
電子注入層は、電子輸送層と陰極電極の間、若しくは陰極電極と発光層との間に設けられるものである。
電子注入層を構成する材料としては、1A族もしくは2A族の金属、またはそれらの酸化物もしくはハロゲン化物を挙げることができる。1A族の金属、その酸化物、およびハロゲン化物の例としては、具体的には、フッカリチウム、酸化ナトリウム、および酸化リチウム等を挙げることができる。
2A族の金属、その酸化物、およびハロゲン化物の例としては具体的に、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、カルシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、および酸化ストロンチウム等を挙げることができる。
In addition, as a material which comprises each layer which comprises an organic EL element, itself is well-known and the following can be used.
The cathode electrode may be made of any material as long as it is a material used for a normal organic EL element, and is particularly preferably a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected. Is, for example, magnesium alloy (MgAg), aluminum, silver or the like.
In the organic EL element, at least one insulating layer can be formed partially on the substrate or the anode.
The insulating layer is preferably made of a resin material containing a photo-curing resin such as an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, and is formed in a pattern so that a portion with the insulating layer becomes a non-light-emitting portion when displaying. Can do.
Moreover, an insulating layer can also be formed as a black matrix by mixing carbon black or the like with this resin material.
It is a laminated structure in which a hole transport layer and a light emitting layer or a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated between an anode electrode and a cathode electrode. Is a hole transport layer that transports holes to the light emitting layer as an optional layer, and a hole injection layer that injects holes into the hole transport layer, as an essential layer, a light emitting layer made of an organic light emitting material that causes electroluminescence An electron transport layer, an electron injection layer, and the like can be provided.
These layers that can be laminated between the anode electrode and the cathode electrode are collectively referred to as an organic EL layer.
The organic light emitting material constituting the light emitting layer is roughly classified into various types such as a dye material, a metal complex material, or a polymer material.
Examples of dye-based materials include cyclopentadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds, Examples thereof include pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, and pyrazoline dimers.
Examples of the metal complex material include aluminum, quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethylzinc complex, porphyrin zinc complex, and europium complex. Examples thereof include metal complexes having Be or the like, or a rare earth metal such as Tb, Eu, or Dy, and having a oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure, or the like as a ligand.
Examples of polymer materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, etc., polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, etc. A material obtained by polymerizing the material can be given.
The light emitting layer made of the organic light emitting material can be doped for the purpose of improving the light emission efficiency or changing the light emission wavelength. As a doping material for performing this doping, for example, a perylene derivative, a coumarin derivative, a quinacridone derivative, a squalium derivative, a porphyrin derivative, a styryl dye, a tetracene derivative, a pyrazoline derivative, decacyclene, phenoxazone, and the like can be given.
The hole injection layer is provided between the anode electrode and the hole transport layer or between the anode electrode and the light emitting layer.
As a material constituting the hole injection layer, for example, phenylamine, starburst amine, or phthalocyanine, oxide such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, or aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, Or a polythiophene derivative etc. can be mentioned.
The electron transport layer is provided between the light emitting layer and the cathode electrode or between the light emitting layer and the electron injection layer.
Examples of the material constituting the electron transport layer include substances that form a generally stable radical anion and have a large ionization potential, such as oxadiazoles or aluminum quinolinol complexes. A 3,4-oxadiazole derivative, a 1,2,4-triazole derivative, etc. can be mentioned.
The electron injection layer is provided between the electron transport layer and the cathode electrode, or between the cathode electrode and the light emitting layer.
Examples of the material constituting the electron injection layer include a Group 1A or Group 2A metal, or an oxide or halide thereof. Specific examples of the Group 1A metal, oxides thereof, and halides include fuca lithium, sodium oxide, and lithium oxide.
Specific examples of Group 2A metals, oxides and halides thereof include strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium, calcium fluoride, barium fluoride, and strontium oxide. Can do.

上記のように、近年、基材としての高分子フィルム表面に透明導電層を設けた透明導電性積層体が、特に、有機ELディスプレイデバイス用のフレキシブル透明電極基板として、用いられるようになってきて、これに伴い、有機EL素子の寿命の劣化の原因となる水蒸気のEL素子本体への侵入防止を図った構造の有機ELディスプレイデバイス用の基板が種々提案されている。
しかしながら、このような有機ELディスプレイデバイス用の基板においては、有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機EL素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できるものではなく、問題になっていた。
本願発明は、これに対応するもので、有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機EL素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度にも十分満足できる有機ELディスプレイデバイス用の基板を提供しようとするものである。
As described above, in recent years, a transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is provided on the surface of a polymer film as a base material has come to be used as a flexible transparent electrode substrate for an organic EL display device. Accordingly, various substrates for organic EL display devices having a structure for preventing water vapor from entering the EL element main body, which causes deterioration of the life of the organic EL element, have been proposed.
However, in such a substrate for an organic EL display device, when used in an organic EL display device, the lifetime as an organic EL element can be sufficiently extended, and the flexibility of the substrate and the durability of the substrate can be achieved. However, it was not satisfactory enough at the same time, and was a problem.
The present invention corresponds to this, and when used in an organic EL display device, the lifetime as an organic EL element can be made sufficiently long, and the flexibility of the substrate, the durability and strength of the substrate are also improved. An object of the present invention is to provide a substrate for an organic EL display device that is sufficiently satisfactory.

本発明のフレキシブル透明電極基板は、透明フィルム基材の一方の面側に、無機化合物層と有機化合物層を積層して、その最表面にITO層からなる電極層を配設しているフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、無機化合物層を介して配設され、前記透明フィルム基材の他方の面側にも、無機化合物層を配設しているものであり、且つ、前記ITO層は、X線回折法における、その[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以上、1.40度以下であることを特徴とするものである。
そして、上記のフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層からなる電極層上に有機EL層を形成する有機ELディスプレイデバイス用の、フレキシブル透明電極基板であることを特徴とするものである。
ここでの有機ELディスプレイデバイスの有機EL素子の層構成としては、先に述べた種々の層構成、材質のものが挙げられる。
そしてまた、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、前記透明フィルム基材の一方の面側に、順に、第1の無機化合物層、有機化合物層、第2の無機化合物層、ITO層を配していることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、透明フィルム基材の他方の面側には、順に、有機化合物層、無機化合物層を配していること特徴とするものである。 また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、前記一方側および他方側の無機化合物は、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミ、窒化アルミ、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の透明無機化合物あるいはその混合化合物からなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、水蒸気透過率が、1×10-2 g/ m2/day 以下であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、160℃、1時間の加熱を3サイクル行う加熱工程において、その膜にクラックが発生しないものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、成膜圧力、0.7Pa以上、5.0Pa 以下で成膜されたものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのフレキシブル透明電極基板であって、前記有機化合物層は、アクリレートからなることを特徴とするものである。
尚、ここでいう[222]面に相当するピークとは、立方晶ITO膜を測定した際に,ピーク角度2θ=30.5度付近に現れる相対強度が一番大きいピークのことを指す。
また、ここでの、水蒸気透過率は、Mocon社製PARMATRAN3/31を用い、37.8℃100%Rhの条件で測定したものである。
そして、この水蒸気透過率の評価をもって、ガスバリア性の評価とする。
The flexible transparent electrode substrate of the present invention is a flexible transparent electrode in which an inorganic compound layer and an organic compound layer are laminated on one surface side of a transparent film substrate, and an electrode layer made of an ITO layer is disposed on the outermost surface. In the electrode substrate, the ITO layer is disposed via an inorganic compound layer, the inorganic film layer is also disposed on the other surface side of the transparent film base material, and The ITO layer is characterized in that the half width of the peak corresponding to the [222] plane in the X-ray diffraction method is 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less.
And it is said flexible transparent electrode substrate, Comprising: It is a flexible transparent electrode substrate for organic EL display devices which form an organic EL layer on the electrode layer which consists of said ITO layer.
Examples of the layer structure of the organic EL element of the organic EL display device include the various layer structures and materials described above.
Also, any one of the above-described flexible transparent electrode substrates, wherein a first inorganic compound layer, an organic compound layer, a second inorganic compound layer, and an ITO layer are sequentially formed on one surface side of the transparent film base material. It is characterized by being arranged.
In the flexible transparent electrode substrate according to any one of the above, an organic compound layer and an inorganic compound layer are sequentially arranged on the other surface side of the transparent film base material. Further, in any one of the above flexible transparent electrode substrates, the inorganic compound on one side and the other side is made of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, aluminum nitride, indium oxide, tin oxide, zinc oxide or the like. It consists of a transparent inorganic compound or a mixed compound thereof.
Also, any one of the above-mentioned flexible transparent electrode substrates, wherein the water vapor transmission rate is 1 × 10 −2 g / m 2 / day or less.
In any one of the above-mentioned flexible transparent electrode substrates, the ITO layer is one in which cracks do not occur in the film in a heating process in which heating is performed for 3 cycles at 160 ° C. for 1 hour. It is.
In any one of the above flexible transparent electrode substrates, the ITO layer is formed at a film forming pressure of 0.7 Pa or more and 5.0 Pa or less.
In any one of the above flexible transparent electrode substrates, the organic compound layer is made of acrylate.
Here, the peak corresponding to the [222] plane refers to a peak having the highest relative intensity that appears around the peak angle 2θ = 30.5 degrees when the cubic ITO film is measured.
Further, the water vapor transmission rate here is measured under the condition of 37.8 ° C. and 100% Rh using PARMATRAN 3/31 manufactured by Mocon.
The evaluation of the water vapor transmission rate is used as the gas barrier property evaluation.

本発明の有機ELディスプレイデバイスは、請求項1ないし9のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板を用いたことを特徴とするものである。
ここでの有機ELディスプレイデバイスの有機EL素子の層構成としては、先に述べた種々の層構成、材質のものが挙げられる。
The organic EL display device of the present invention is characterized in that the flexible transparent electrode substrate according to any one of claims 1 to 9 is used.
Examples of the layer structure of the organic EL element of the organic EL display device include the various layer structures and materials described above.

(作用)
本発明のフレキシブル透明電極基板は、このような構成にすることにより、特に、有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機EL素としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板としての耐久性や強度にも十分満足できる有機ELデバイス用の基板の提供を可能としている。
即ち、有機ELディスプレイデバイス用に良好なフレキシブル基板の提供を可能としている。
具体的には、ITO層は、無機化合物層を介して配設され、透明フィルム基材の他方の面側にも、無機化合物層を配設しているものであり、且つ、前記ITO層は、X線回折法における、その[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以上、1.40度以下であることによりこれを達成している。
詳しくは、透明フィルム基材の一方側の最表面にITO層からなる電極層を、無機化合物層を介して配設し、透明フィルム基材の他方側にも、無機化合物層を配設しているものであることより、有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合には、有機EL層へのフレキシブル透明電極基板側からの水蒸気の侵入を素子できるものとしている。
ITO層は、無機化合物層を介して配設されるため、脱ガスが抑えられ、ITO膜形成の際に、その結晶化が進行しやすくなるとともに、表面に耐熱性、耐プラズマ性が生じるため(222)面配向が安定的に得られる。
透明フィルム基材のITO層とは反対側に無機化合物層が配設されていることにより、脱ガスを抑える効果とともに、成膜時の応力による基材の変形を抑えることができるものとしており、更に、有機化合物層が配設されていることにより、応力が緩和されフレキシビリティを兼ね備えることができるものとしている。
透明フィルム基材のITO層側に有機化合物層が配設されていることにより、応力が緩和されフレキシビリティを兼ね備えることができるものとし、更に、これにより、ITO層の表面形状にも変化を与えることが可能となる。
即ち、透明フィルム基材のITO層配設側に有機化合物層と無機化合物層を積層させることにより、ガスバリア性と、ITO層の表面平坦性の良いものが得られる。
また、透明フィルム基材の両側の、有機化合物層と無機化合物層の層構成を、透明フィルム基材に対して対称とした場合には、有機化合物層と無機化合物層の層構成に起因する撓みが発生しずらいものとできる。
尚、有機ELディスプレイに用いる場合には、ITO形成側に平坦化層を有機化合物層で形成し、ITO層の平坦化を可能として、また、水蒸気等に対するガスバリア層を無機化合物層で形成することにより、ガスバリア性の良いものとできる。
ガスバリア性の良し悪しも有機ELの寿命に大きく関与しており、ガスバリア性が悪いと有機EL層(発光層)を劣化させる。
尚、表面平坦性の評価(表面粗さの評価)は、例えば、セイコーインスツルメント社製ナノピクスを用い、スキャン範囲4μの条件等で測定する。
(Function)
With such a configuration, the flexible transparent electrode substrate of the present invention can sufficiently extend the lifetime as an organic EL element, particularly when used in an organic EL display device, and the flexibility of the substrate. Thus, it is possible to provide a substrate for an organic EL device that is sufficiently satisfactory in durability and strength as a substrate.
That is, it is possible to provide a good flexible substrate for an organic EL display device.
Specifically, the ITO layer is disposed via an inorganic compound layer, the inorganic compound layer is also disposed on the other surface side of the transparent film substrate, and the ITO layer is In the X-ray diffraction method, this is achieved by the half width of the peak corresponding to the [222] plane being 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less.
Specifically, an electrode layer composed of an ITO layer is disposed on the outermost surface of one side of the transparent film substrate via an inorganic compound layer, and an inorganic compound layer is disposed on the other side of the transparent film substrate. Therefore, when used in an organic EL display device, it is assumed that water vapor can enter the organic EL layer from the flexible transparent electrode substrate side.
Since the ITO layer is disposed via the inorganic compound layer, degassing is suppressed, and when the ITO film is formed, the crystallization is likely to proceed, and heat resistance and plasma resistance are generated on the surface. (222) Planar orientation can be obtained stably.
By arranging the inorganic compound layer on the opposite side of the transparent film substrate from the ITO layer, it is possible to suppress the deformation of the substrate due to the stress during film formation, together with the effect of suppressing degassing, Furthermore, by providing the organic compound layer, stress is relaxed and flexibility can be achieved.
By disposing the organic compound layer on the ITO layer side of the transparent film base material, stress can be relieved and flexibility can be provided, and this also changes the surface shape of the ITO layer. It becomes possible.
That is, by laminating an organic compound layer and an inorganic compound layer on the side of the transparent film substrate on which the ITO layer is provided, a gas barrier property and a surface flatness of the ITO layer can be obtained.
In addition, when the layer structure of the organic compound layer and the inorganic compound layer on both sides of the transparent film substrate is symmetric with respect to the transparent film substrate, the deflection caused by the layer structure of the organic compound layer and the inorganic compound layer Can be difficult to occur.
When used in an organic EL display, a flattening layer is formed with an organic compound layer on the ITO forming side to enable flattening of the ITO layer, and a gas barrier layer against water vapor or the like is formed with an inorganic compound layer. Thus, the gas barrier property can be improved.
Whether the gas barrier property is good or bad is greatly related to the life of the organic EL, and if the gas barrier property is bad, the organic EL layer (light emitting layer) is deteriorated.
In addition, evaluation of surface flatness (evaluation of surface roughness) is measured, for example, using a nanopics manufactured by Seiko Instruments Inc. under conditions of a scan range of 4 μm.

X線回折法(XRD法とも記す)における、ITO層の[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以下では、有機ELディスプレイデバイスに用いられたときに、ITO層にクラックが生じてしまい、また、半価幅が1.40度より大きいと、有機ELディスプレイデバイスに用いられたときに、フレキシビリティは有するものの発光寿命が短い原因となって好ましくない。
ここで、発光寿命が短くなる理由は、[222]面に相当するピークの半価幅が1.40度以上ではITO層の上に形成される正孔注入層により劣化されやすいためである。
さらに好ましい条件としては0.98度以上1.08度以下である。
一般に、ITO膜については、結晶性が高いと、即ち、X線回折法における半価幅が小さいと、膜のフレキシビリティが劣り膜クラックが生じる。
請求項2の発明は、特に、ITO層の結晶性が低く、非結晶性であると、ITO層からなる電極層上に有機EL層を形成する有機ELディスプレイデバイス用のフレキシブル透明電極基板として用いた場合には、フレキシブル透明電極基板上の正孔輸送材料によるITO膜の特性劣化が起こり、これに起因して、有機EL素子の発光寿命が低下することを認識して成したものである。
When the half-value width of the peak corresponding to the [222] plane of the ITO layer in the X-ray diffraction method (also referred to as XRD method) is 0.95 degrees or less, when used in an organic EL display device, If a crack occurs and the half width is greater than 1.40 degrees, it is not preferable because it has flexibility but a short emission lifetime when used in an organic EL display device.
Here, the reason why the emission lifetime is shortened is that when the half width of the peak corresponding to the [222] plane is 1.40 degrees or more, the hole is easily deteriorated by the hole injection layer formed on the ITO layer.
Further preferable conditions are 0.98 degrees or more and 1.08 degrees or less.
In general, regarding an ITO film, if the crystallinity is high, that is, if the half width in the X-ray diffraction method is small, the flexibility of the film is inferior and a film crack occurs.
The invention of claim 2 is used as a flexible transparent electrode substrate for an organic EL display device in which an organic EL layer is formed on an electrode layer made of an ITO layer, particularly when the ITO layer is low in crystallinity and non-crystalline. In this case, the ITO film is deteriorated in the characteristics due to the hole transport material on the flexible transparent electrode substrate, and this is realized to recognize that the light emission lifetime of the organic EL element is reduced.

特に、ガスバリア性、応力緩和性に対応でき、簡単な構造として、具体的な形態としては、透明フィルム基材の一方の面側に、順に、第1の無機化合物層、有機化合物層、第2の無機化合物層、ITO層、を配している形態、更に、また、透明フィルム基材の他方の面側には、順に、有機化合物層、無機化合物層を配している形態が挙げられる。   In particular, it can cope with gas barrier properties and stress relaxation properties, and as a simple structure, as a specific form, a first inorganic compound layer, an organic compound layer, and a second layer are sequentially formed on one surface side of the transparent film substrate. The form which has arrange | positioned the inorganic compound layer and ITO layer, and also the form which has arrange | positioned the organic compound layer and the inorganic compound layer in order on the other surface side of a transparent film base material are mentioned.

尚、X線回折法における半価幅を、0.95度以上、1.40度以下の範囲にする方法として、ひとつ重要なのは成膜圧力である。
スパッタ成膜する際はプラズマ状態を安定的に維持するため通常0.1Pa〜0.6Paで行うが、特に、0.7Pa以上の成膜圧力にすることにより、好ましくは、1Pa以上、5Pa以下で、有機EL工程における負荷に強い膜を形成することができ、こうして得られた膜を加熱処理することにより、[222]面に相当するピークの半価幅が0.95度以上、1.40度以下の膜を得ることができる。
ちなみに、通常の成膜圧力で作製したITO膜を加熱処理しても、応力が強くクラックが生じるため使用できない。
One important method for setting the half width in the X-ray diffraction method to a range of 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less is the film forming pressure.
Sputter film formation is usually performed at 0.1 Pa to 0.6 Pa in order to stably maintain the plasma state. In particular, by forming a film formation pressure of 0.7 Pa or more, preferably 1 Pa or more and 5 Pa or less. Thus, a film resistant to the load in the organic EL process can be formed, and by heating the film thus obtained, the half width of the peak corresponding to the [222] plane is 0.95 degrees or more. A film of 40 degrees or less can be obtained.
Incidentally, even if an ITO film produced at a normal film forming pressure is heat-treated, it cannot be used because the stress is strong and cracks are generated.

透明フィルム基材の一方側および他方側の無機化合物としては、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミ、窒化アルミ、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の透明無機化合物あるいはその混合化合物からなるものが挙げられる。   The inorganic compound on one side and the other side of the transparent film substrate is made of a transparent inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, aluminum nitride, indium oxide, tin oxide, zinc oxide or a mixed compound thereof. Things.

水蒸気透過率が、1×10-2 g/ m2/day 以下の、ガスバリア性の良いものが好ましいが、特に、有機ELディスプレイデバイスに用いる場合には、1×10-3 g/ m2/day 以下、さらには1×10-4 g/ m2/day 以下、であることが好ましい。
また、有機ELディスプレイデバイスに用いる場合には、ITO層は、160℃、1時間の加熱を3サイクル行う加熱工程において、その膜にクラックが発生しないものであれば、十分信頼できると言える。
また、有機ELディスプレイデバイスに用いる場合には、有機化合物層としてアクリレートを挙げられる。
A water vapor transmission rate of 1 × 10 −2 g / m 2 / day or less and good gas barrier property is preferable, but in particular when used for an organic EL display device, 1 × 10 −3 g / m 2 / day. It is preferable that it is not more than day, more preferably not more than 1 × 10 −4 g / m 2 / day.
In addition, when used for an organic EL display device, the ITO layer can be said to be sufficiently reliable if it does not cause cracks in the heating process in which heating is performed for 3 cycles at 160 ° C. for 1 hour.
Moreover, when using for an organic EL display device, an acrylate is mentioned as an organic compound layer.

本発明の有機ELディスプレイデバイスは、このような構成にすることにより、有機EL素の寿命を十分に長くできる有機ELディスプレイデバイスの提供を可能としている。   By adopting such a configuration, the organic EL display device of the present invention can provide an organic EL display device capable of sufficiently extending the lifetime of the organic EL element.

本発明は、上記のように、特に、有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機EL素としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板としての耐久性や強度にも十分満足できる有機ELディスプレイデバイス用の基板の提供の提供を可能とした。
同時に、のような有機ELディスプレイデバイス用の基板を用いて、有機EL素の寿命を十分に長くした有機ELディスプレイデバイスの提供を可能とした。
As described above, the present invention, particularly when used in an organic EL display device, can sufficiently extend the lifetime as an organic EL element, and can provide flexibility and durability as a substrate. It is possible to provide a substrate for an organic EL display device that is sufficiently satisfactory.
At the same time, it was possible to provide an organic EL display device having a sufficiently long life of the organic EL element by using the substrate for an organic EL display device as described above.

本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図1(a)は本発明のフレキシブル透明電極基板の実施の形態例の1断面図で、図1(b)は図1(a)に示すフレキシブル透明電極基板を用いた有機EL素子からなる表示部の断面構造を概略的に示した断面図で、図2は図1(a)に示す本発明のフレキシブル透明電極基板の実施の形態例の変形例の1断面図である。
図1、図2中、100はフレキシブル透明電極基板、110は透明フィルム基材、120は第1の無機化合物層、125は第2の無機化合物層、127は無機化合物層、130は有機化合物層、140はITO層(電極層あるいは陽極電極層とも言う)、150は有機EL層(有機EL発光層とも言う)、160は陰極電極層、200はフレキシブル透明電極基板、210は透明フィルム基材、220は第1の無機化合物層、225は第2の無機化合物層、227は無機化合物層、230、235は有機化合物層、240はITO層(電極層あるいは陽極電極とも言う)である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a cross-sectional view of an embodiment of a flexible transparent electrode substrate according to the present invention, and FIG. 1B is a display comprising an organic EL element using the flexible transparent electrode substrate shown in FIG. FIG. 2 is a sectional view schematically showing a modification of the embodiment of the flexible transparent electrode substrate of the present invention shown in FIG. 1 (a).
1 and 2, 100 is a flexible transparent electrode substrate, 110 is a transparent film substrate, 120 is a first inorganic compound layer, 125 is a second inorganic compound layer, 127 is an inorganic compound layer, and 130 is an organic compound layer 140 is an ITO layer (also referred to as an electrode layer or an anode electrode layer), 150 is an organic EL layer (also referred to as an organic EL light emitting layer), 160 is a cathode electrode layer, 200 is a flexible transparent electrode substrate, 210 is a transparent film substrate, 220 is a first inorganic compound layer, 225 is a second inorganic compound layer, 227 is an inorganic compound layer, 230 and 235 are organic compound layers, and 240 is an ITO layer (also referred to as an electrode layer or an anode electrode).

はじめに、本発明のフレキシブル透明電極基板の実施の形態の第1の例を図1に基づいて説明する。
第1の例のフレキシブル透明電極基板100は、透明フィルム基材110の一方の面側に、ガスバリア層としての第1の無機化合物層120、平坦化層としての有機化合物層130、ガスバリア層として第2の無機化合物層125を、この順に、積層して、最表面にITO層140からなる電極層を配設しており、また、透明フィルム基材110の他方の面側に、直接、ガスバリア層としての無機化合物層127を配設している、有機ELディスプレイデバイス用のフレキシブル透明電極基板である。
そして、図1(b)に示すように、本例のフレキシブル透明電極基板100のITO層140からなる陽極電極層上に、順に、有機EL層150、陰極電極層160を形成して有機EL素子とする。
本例では、特に、ITO層140は、X線回折法における、その[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以上、1.40度以下であるものである。
このような構成にすることにより、結果、従来にない長寿命の有機EL素子の作製を可能とするものである。
First, the 1st example of embodiment of the flexible transparent electrode substrate of this invention is demonstrated based on FIG.
The flexible transparent electrode substrate 100 of the first example includes a first inorganic compound layer 120 as a gas barrier layer, an organic compound layer 130 as a planarizing layer, and a gas barrier layer as one of the surfaces of the transparent film substrate 110. Two inorganic compound layers 125 are laminated in this order, and an electrode layer made of the ITO layer 140 is disposed on the outermost surface, and the gas barrier layer is directly formed on the other surface side of the transparent film substrate 110. It is the flexible transparent electrode substrate for organic EL display devices which has arrange | positioned the inorganic compound layer 127 as.
And as shown in FIG.1 (b), on the anode electrode layer which consists of ITO layer 140 of the flexible transparent electrode substrate 100 of this example, the organic EL layer 150 and the cathode electrode layer 160 are formed in order, and organic EL element And
In this example, in particular, the ITO layer 140 has a peak half-value width corresponding to the [222] plane in the X-ray diffraction method of 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less.
By adopting such a configuration, as a result, it is possible to produce an organic EL element having an unprecedented long life.

本例のフレキシブル透明電極基板100の各部の材質、機能等について、以下簡単に述べておく。
透明フィルム基材110としては、フレキシビリティを有する透明な高分子フィルムであれば特に制限はなく、例えば、100℃以上において耐熱性を有するものが好適なものとして例示される。
高分子フィルムの厚さについても特に制限はないが、可撓性および形態保持性の観点からはたとえば50〜400μmの範囲とすることが好ましい。
第1の無機化合物層120、第2の無機化合物層125、無機化合物層127としては、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミ、窒化アルミ、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の透明無機化合物あるいはその混合化合物からなるものが挙げられる。
尚、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、あるいはCVD法などの各種の成膜方法を用いることにより、これらを作製することができる。
これらは、高分子基材上に酸素や水蒸気の進入を遮断するガスバリア層として機能するとともに、応力による透明フィルム基材110の変形を抑え、特に、第2の無機化合物層125はITO層と接し、脱ガスを抑え、結晶化が進行し易いものとし、ITO層140形成の際、その表面に耐熱性、耐プラズマ性を生じさせ、(222)面配向を安定的に行えるものとする。
本例の場合は、有機ELディスプレイデバイスに用いられるため、水蒸気透過率が10-3 g/ m2/day 以下のガスバリア性としてある。
ガスバリア性が悪いと発光層を劣化させる。
ガスバリア性は、ここでは、Mocon社製、PARMATRAN3/31を用い、37.8℃、100%Rhの条件で測定したものを言う。
有機化合物層130としては、アクリレートが汎用的なものとして挙げられるが、他には、スチレン、フェノール、エポキシ、ニトリル、アクリル、アミン、エチレンイミン、エステル、シリコーン、アルキルチタネート化合物、イオン高分子錯体等、光硬化あるいは熱硬化性のものが適宜使用される。
有機化合物層130は、平坦化層としての機能の他に応力緩和層としての機能を有する。
ITO層140としては、インジウム酸化物(In2 3 )またはこれにスズ酸化物(SnO2 )を3〜15重量%混合したITO単独層とするのが好適である。
その厚さは、たとえば1000〜10000Åが好ましく、この範囲以内であれば表面抵抗を100Ω/cm2 、さらには10Ω/cm2 以下にすることができる。
この範囲よりずれると透光性が低下したり導電性等の特性が不十分となる。
透明導電層の形成には1回の成膜であっても複数回に分けて積層しても構わない。
また、単独層とすることにより、多層構造に比べてエッチング性が向上する。
そして、層間剥離は発生しない。
本例では、先に述べたように、ITO層の[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以上、1.40度以下である。
0.95度以下ではEL素子となったときにクラックが生じてしまう。
また、1.40度以上ではフレキシビリティは有するものの発光寿命が短い原因となって好ましくない。
好ましくは、半価幅は0.98度以上、1.08度以下である。
尚、ここでいう[222]面に相当するピークとは、立方晶のITO膜を測定した際にピーク角度2θ=30.5度付近に現れる相対強度が一番大きいピークのことを指す。
例えば、リガク製のX線回折装置(XRD装置とも言う)を用い、下記の測定条件にて測定する。
・X線:50kV、300mA
・スキャンスピード:4.0000°/min
・サンプリング幅:0.0400°
・操作範囲:5.0000°〜120.0000°
・インシデントモノクロ:スリットコリメーション
・カウンタモノクロメータ:受光スリット
本例においては、ITO層140は、成膜圧力、0.7Pa以上、5.0Pa 以下で成膜されたものである。
尚、先にも述べたが、特に、0.7Pa以上の成膜圧力にすることにより、好ましくは、1Pa以上、5Pa以下で、有機EL工程における負荷に強い膜を形成することができ、こうして得られた膜を加熱処理することにより、[222]面に相当するピークの半価幅が0.95以上、1.40以下の膜を得ることができる。
ちなみに、通常の成膜圧力(0.1Pa〜0.6Pa)で作製したITO膜を加熱処理しても、応力が強くクラックが生じるため使用できない。
The material and function of each part of the flexible transparent electrode substrate 100 of this example will be briefly described below.
The transparent film substrate 110 is not particularly limited as long as it is a transparent polymer film having flexibility. For example, a film having heat resistance at 100 ° C. or higher is preferably exemplified.
Although there is no restriction | limiting in particular also about the thickness of a polymer film, From a viewpoint of flexibility and a form retainability, it is preferable to set it as the range of 50-400 micrometers, for example.
The first inorganic compound layer 120, the second inorganic compound layer 125, and the inorganic compound layer 127 include transparent inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, aluminum nitride, indium oxide, tin oxide, and zinc oxide. The thing which consists of a compound or its mixed compound is mentioned.
In addition, these can be produced by using various film forming methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method.
These function as a gas barrier layer that blocks the entry of oxygen and water vapor onto the polymer substrate, and suppresses deformation of the transparent film substrate 110 due to stress. In particular, the second inorganic compound layer 125 is in contact with the ITO layer. It is assumed that degassing is suppressed and crystallization is likely to proceed, and that when the ITO layer 140 is formed, heat resistance and plasma resistance are generated on the surface thereof, and (222) plane orientation can be stably performed.
In the case of this example, since it is used for an organic EL display device, the water vapor permeability is 10 −3 g / m 2 / day or less.
If the gas barrier property is poor, the light emitting layer is deteriorated.
Here, the gas barrier property refers to that measured using a PARMATRAN 3/31 manufactured by Mocon under the conditions of 37.8 ° C. and 100% Rh.
As the organic compound layer 130, acrylate is used as a general-purpose material, but styrene, phenol, epoxy, nitrile, acrylic, amine, ethyleneimine, ester, silicone, alkyl titanate compound, ionic polymer complex, etc. A photo-curing or thermosetting material is appropriately used.
The organic compound layer 130 has a function as a stress relaxation layer in addition to a function as a planarization layer.
The ITO layer 140 is preferably an ITO single layer in which indium oxide (In 2 O 3 ) or tin oxide (SnO 2 ) is mixed with 3 to 15 wt%.
The thickness is preferably, for example, 1000 to 10,000 mm, and within this range, the surface resistance can be 100 Ω / cm 2 , or even 10 Ω / cm 2 or less.
If it deviates from this range, the translucency is lowered or the properties such as conductivity become insufficient.
The transparent conductive layer may be formed once or may be laminated in multiple steps.
Further, by using a single layer, the etching property is improved as compared with the multilayer structure.
And delamination does not occur.
In this example, as described above, the half width of the peak corresponding to the [222] plane of the ITO layer is 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less.
If it is 0.95 degrees or less, cracks occur when an EL element is formed.
Moreover, although it has flexibility at 1.40 degree | times or more, it is unpreferable since it becomes the cause of the light emission lifetime short.
Preferably, the half width is 0.98 degrees or more and 1.08 degrees or less.
Here, the peak corresponding to the [222] plane refers to a peak having the highest relative intensity that appears around a peak angle 2θ = 30.5 degrees when a cubic ITO film is measured.
For example, the measurement is performed under the following measurement conditions using a Rigaku X-ray diffraction apparatus (also referred to as an XRD apparatus).
・ X-ray: 50 kV, 300 mA
Scan speed: 4.0000 ° / min
・ Sampling width: 0.0400 °
Operation range: 5.0000 ° to 120.000 °
Incident monochrome: slit collimation Counter monochromator: light receiving slit In this example, the ITO layer 140 is formed at a deposition pressure of 0.7 Pa or more and 5.0 Pa or less.
As described above, in particular, by setting the film forming pressure to 0.7 Pa or more, it is possible to form a film resistant to the load in the organic EL process, preferably at 1 Pa or more and 5 Pa or less. By heat-treating the obtained film, a film having a peak half-value width corresponding to the [222] plane of 0.95 or more and 1.40 or less can be obtained.
By the way, even if an ITO film produced at a normal film forming pressure (0.1 Pa to 0.6 Pa) is heat-treated, it cannot be used because the stress is strong and cracks are generated.

本例では、有機ELの作製工程を考慮して、ITO層140は、160℃、1時間の加熱を3サイクル行う加熱工程において、その膜にクラックが発生しないものを用いる。   In this example, in consideration of the manufacturing process of the organic EL, the ITO layer 140 is a layer in which cracks are not generated in the heating process in which heating is performed for three cycles at 160 ° C. for 1 hour.

本例の有機ディスプレイデバイス用のフレキシブル透明電極基板は、第1の無機化合物層120、平坦化層として有機化合物層130、第2の無機化合層125を、この順に、配していることにより、高度なガスバリア性、また表面平坦性が得られものとし、これも有機ELの寿命を長くすることに大きく寄与している。   By arranging the first inorganic compound layer 120, the organic compound layer 130 as the planarization layer, and the second inorganic compound layer 125 in this order, the flexible transparent electrode substrate for the organic display device of this example, It is assumed that high gas barrier properties and surface flatness are obtained, which also greatly contributes to extending the life of the organic EL.

次いで、本例のフレキシブル透明電極基板の変形例を挙げ、図2に基づいて説明する。 図2に示す変形例は、図1に示すフレキシブル透明電極基板100における透明フィルム基材110と無機化合物層127間に有機化合物層を設けた構造のもので、
透明フィルム基材210のITO層240形成側でない面に、有機化合物層235、無機化合物層227が、この順に、積層され配設されている。
この変形例のフレキシブル透明電極基板の場合、各部の材質、機能は、基本的に、図1に示すフレキシブル透明電極基板と同じで、これらについての説明は省く。
図2に示す変形例のフレキシブル透明電極基板も、基本的に図1に示すものと同様の作用効果を奏するものであるが、フィルム基材の両面の無機化合物層、有機化合物層の層構成に起因する撓みの面では、図1(a)に示すフレキシブル透明電極基板に比べ、図2に示す変形例のフレキシブル透明電極基板の方が、透明フィルム基材の両面の対称性が良く、優れている。
しかし、図2に示す変形例の方が、図1(a)に示すフレキシブル透明電極基板に比べ、製造面では手間がかかり、難しい。
上記の図1、図2に示す形態は、いずれも1例で、本発明のフレキシブル透明電極基板は、これらに限定はされない。
勿論、透明フィルム基材の両面側に形成される有機化合物層、無機化合物層の層構成は、これらに限定されない。
Next, a modification of the flexible transparent electrode substrate of this example will be given and described with reference to FIG. The modification shown in FIG. 2 has a structure in which an organic compound layer is provided between the transparent film substrate 110 and the inorganic compound layer 127 in the flexible transparent electrode substrate 100 shown in FIG.
An organic compound layer 235 and an inorganic compound layer 227 are laminated and disposed in this order on the surface of the transparent film substrate 210 that is not on the ITO layer 240 forming side.
In the case of the flexible transparent electrode substrate of this modification, the material and function of each part are basically the same as those of the flexible transparent electrode substrate shown in FIG. 1, and description thereof will be omitted.
The flexible transparent electrode substrate of the modification shown in FIG. 2 also has basically the same function and effect as that shown in FIG. 1, but the layer structure of the inorganic compound layer and the organic compound layer on both sides of the film substrate In terms of the resulting deflection, compared to the flexible transparent electrode substrate shown in FIG. 1 (a), the flexible transparent electrode substrate of the modified example shown in FIG. Yes.
However, the modification shown in FIG. 2 is more difficult and difficult to manufacture in comparison with the flexible transparent electrode substrate shown in FIG.
Each of the forms shown in FIGS. 1 and 2 is an example, and the flexible transparent electrode substrate of the present invention is not limited thereto.
Of course, the layer structure of the organic compound layer and the inorganic compound layer formed on both sides of the transparent film substrate is not limited to these.

本例のフレキシブル透明電極基板を用いた有機ELディスプレイデバイスとしては、例えば、図1(a)に示すような有機EL素子の断面構造を有するボトムエミッション型の有機EL表示部が挙げられる。
尚、有機EL素子は、電極(陽極電極140、陰極電極160)間に電場を印加し、有機EL層(発光層)150に電流を通じることで、発光させる。
ここでは、透明フィルム基材110側に発光するボトムエミッション構造としているが、透明フィルム基材110とは逆方向に発光するトップエミッション構造もある。
As an organic EL display device using the flexible transparent electrode substrate of this example, for example, a bottom emission type organic EL display unit having a cross-sectional structure of an organic EL element as shown in FIG.
The organic EL element emits light by applying an electric field between the electrodes (the anode electrode 140 and the cathode electrode 160) and passing an electric current through the organic EL layer (light emitting layer) 150.
Here, a bottom emission structure that emits light toward the transparent film substrate 110 is used, but there is also a top emission structure that emits light in a direction opposite to that of the transparent film substrate 110.

次に本発明の実施例と、比較例を挙げ、本発明を更に説明する。
実施例1〜実施例3、比較例1〜比較例3は、いずれも、図1(a)に示すフレキシブル透明電極基板と同じ層構成のフレキシブル透明電極基板を作製し、これを用いて、図1(b)に示す断面構造を有する有機EL素子を作製して、フレキシブル透明電極基板を評価したものである。
図1に基づいて説明する。
(実施例1)
乾燥機で160℃で1時間乾燥させた厚さ100μmのPEN樹脂からなるプラスチックフィルム基材を透明フィルム基材110とし、これの両方の面に、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜を、スパッタ法により形成した。
これにより、無機化合物層120、127が形成された。
その後、スピンコートにて片面にアクリレート樹脂組成物を塗布し、160℃、1時間、乾燥させることにより1μのアクリレート樹脂からなる有機化合物層130を得た。
その後さらに、有機化合物層130上に、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜からなる無機化合物層125をスパッタ法により形成し、ガスバリア性フィルムを得た。
ガスバリア性を測定したところ測定限界以下の値(1×10-2 g/ m2/day 以下)であった。
ここでは、ガスバリア性を、Mocon社製、PARMATRAN3/31を用い、37.8℃、100%Rhの条件で測定した。
ガスバリア性フィルムの片面に、膜厚150nmのITO膜をスパッタ法(Ar:80sccm、スパッタパワー:1.5kw、成膜圧力:0.7Pa)により形成し、フレキシブル透明電極基板100を得た。
その後、ITO膜面をXRD装置にて測定したところ、[222]面に相当するピークの半価幅は1.05度であった。
ここでは、X線回折装置(XRD装置とも言う)として、リガク製のX線回折装置を用い、下記の測定条件にて測定した。
・X線:50kV、300mA
・スキャンスピード:4.0000°/min
・サンプリング幅:0.0400°
・操作範囲:5.0000°〜120.0000°
・インシデントモノクロ:スリットコリメーション
・カウンタモノクロメータ:受光スリット
次いで、作製されたITO薄膜付きガスバリア性フィルムを洗浄した後、ITO膜を所定のパターン状にエッチングを行ない、陽極電極を形成して、フレキシブル透明電極基板100を得た。
Next, examples of the present invention and comparative examples will be given to further explain the present invention.
In each of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, a flexible transparent electrode substrate having the same layer configuration as that of the flexible transparent electrode substrate shown in FIG. An organic EL element having a cross-sectional structure shown in 1 (b) was produced, and a flexible transparent electrode substrate was evaluated.
This will be described with reference to FIG.
Example 1
A plastic film substrate made of PEN resin having a thickness of 100 μm dried at 160 ° C. for 1 hour by a dryer is used as a transparent film substrate 110, and a silicon oxynitride film having a thickness of 100 nm is formed on both surfaces by sputtering. Formed by.
Thereby, the inorganic compound layers 120 and 127 were formed.
Thereafter, the acrylate resin composition was applied to one surface by spin coating, and dried at 160 ° C. for 1 hour to obtain an organic compound layer 130 made of 1 μm acrylate resin.
Thereafter, an inorganic compound layer 125 made of a silicon oxynitride film having a thickness of 100 nm was further formed on the organic compound layer 130 by a sputtering method to obtain a gas barrier film.
When the gas barrier property was measured, the value was below the measurement limit (1 × 10 −2 g / m 2 / day or less).
Here, the gas barrier property was measured under the conditions of 37.8 ° C. and 100% Rh using PARMATRAN 3/31 manufactured by Mocon.
An ITO film having a film thickness of 150 nm was formed on one side of the gas barrier film by a sputtering method (Ar: 80 sccm, sputtering power: 1.5 kw, film forming pressure: 0.7 Pa) to obtain a flexible transparent electrode substrate 100.
Thereafter, when the ITO film surface was measured with an XRD apparatus, the half width of the peak corresponding to the [222] plane was 1.05 degrees.
Here, a Rigaku X-ray diffractometer was used as an X-ray diffractometer (also referred to as an XRD apparatus), and measurement was performed under the following measurement conditions.
・ X-ray: 50 kV, 300 mA
Scan speed: 4.0000 ° / min
・ Sampling width: 0.0400 °
Operation range: 5.0000 ° to 120.000 °
・ Incident monochrome: slit collimation ・ Counter monochromator: receiving slit Next, after cleaning the gas barrier film with ITO thin film produced, the ITO film is etched into a predetermined pattern to form an anode electrode and flexible transparent An electrode substrate 100 was obtained.

次いで、このようにして作製したフレキシブル透明電極基板100を用いて、図1(b)に示す断面構造の有機EL素子からなる表示部を作製した。
得られた陽極基板の陽極表面を洗浄した後、陽極表面上に、下記のPEDOT/PSSの分散液を、スピンコーティングによって塗布し、塗布後、温度;200℃のホットプレート上に載せて30分間加熱して乾燥させた。
さらに、純窒素置換されたグローブボックス内に移して再度、温度;200℃のホットプレート上に載せ15分間加熱して乾燥させ、陽極上に、PEDOT/PSSの80nmの薄膜を得た。
PEDOT/PSS=1/20(バイエル社製、バイトロン P VP CH8000を使用。)
次いで、有機EL素子用蛍光体(シグマアルドリッチ社製、品番;ADS228GE)をトルエン中に1.0%(質量比)になるよう混合した発光層形成用溶液を準備し、この溶液を、上記で得られたPEDOT/PSSの薄膜上に、やはりグローブボックス内にてスピンコーティングによって塗布し、塗布後、温度;130℃のホットプレート上に載せて1時間加熱して乾燥させ、厚みが80nmの発光層を形成した。
次いで、発光層までの各層が形成された基板上の発光層上に、グローブボックス内にて蒸着を行ない、厚みが3nmのLiFの薄膜、および厚みが10nmのCa薄膜を順次形成して電子注入層とし、さらに電子注入層上に、厚みが180nmのAl薄膜を形成して陰極電極とした。
その後、周囲に凸部を有する封止用のガラスの凸部に紫外線硬化性接着剤(ナガセケムテック(株)製、品番;XNR5516HP−B1)を塗布したものを、上記の陰極電極まで形成した基板上に重ね合わせ、接着剤の塗布された箇所に紫外線を照射して接着剤を硬化させ、照射後の重ね合わされた基板を、温度;80℃のホットプレート上に載せて1時間加熱して接着剤を十分硬化させて、有機EL素子を形成した。
Next, using the flexible transparent electrode substrate 100 thus manufactured, a display unit made of an organic EL element having a cross-sectional structure shown in FIG.
After cleaning the anode surface of the obtained anode substrate, the following PEDOT / PSS dispersion was applied onto the anode surface by spin coating, and after application, placed on a hot plate at a temperature of 200 ° C. for 30 minutes. Heat to dry.
Further, it was transferred into a glove box substituted with pure nitrogen and again placed on a hot plate at a temperature of 200 ° C. and heated for 15 minutes to dry, and an 80 nm thin film of PEDOT / PSS was obtained on the anode.
PEDOT / PSS = 1/20 (manufactured by Bayer, using Vitron P VP CH8000)
Next, a solution for forming a light emitting layer in which a phosphor for organic EL element (manufactured by Sigma Aldrich, product number: ADS228GE) is mixed in toluene so as to be 1.0% (mass ratio) is prepared. The resulting PEDOT / PSS thin film was applied by spin coating in a glove box, and after application, it was placed on a hot plate at a temperature of 130 ° C. and dried by heating for 1 hour. A layer was formed.
Next, vapor deposition is performed in a glove box on the light emitting layer on the substrate on which the layers up to the light emitting layer are formed, and a 3 nm thick LiF thin film and a 10 nm thick Ca thin film are sequentially formed to inject electrons. Further, an Al thin film having a thickness of 180 nm was formed on the electron injection layer to form a cathode electrode.
Then, what applied the ultraviolet curable adhesive (Nagase Chemtech Co., Ltd. product number; XNR5516HP-B1) to the convex part of the glass for sealing which has a convex part around was formed to said cathode electrode. Laminate on the substrate, irradiate the area where the adhesive was applied with ultraviolet rays to cure the adhesive, and place the superposed substrate after irradiation on a hot plate at a temperature of 80 ° C. for 1 hour. The adhesive was sufficiently cured to form an organic EL element.

以上のようにして得られた有機EL素子からなる表示部の陽極電極(ITO電極)と陰極電極(背面電極層とも言う)との間に、直流電圧を印可することにより、両電極が交差する所望の位置における発光層を発光させた結果、いずれの位置においても、良好な発光が得られた。
そして、このようにして得られた有機EL素子からなる表示部について、有効寿命として計測したところ、有効寿命は10000hrであった。
尚、ここでは、上記のように形成した有機EL素子について、初期の輝度が100Cdになるように連続して電圧を印加し、時間の経過に伴なう輝度の変化を測定し、初期の輝度が半減する、輝度半減時間を有機ELの発光寿命と定義した。
By applying a DC voltage between the anode electrode (ITO electrode) and the cathode electrode (also referred to as a back electrode layer) of the display unit made of the organic EL element obtained as described above, both electrodes cross each other. As a result of emitting light from the light emitting layer at a desired position, good light emission was obtained at any position.
And about the display part which consists of an organic EL element obtained in this way, when it measured as an effective lifetime, the effective lifetime was 10000 hr.
Here, with respect to the organic EL element formed as described above, a voltage is continuously applied so that the initial luminance becomes 100 Cd, and a change in luminance with the passage of time is measured. Is defined as the emission lifetime of the organic EL.

(実施例2)
実施例1と同様にして、乾燥機で160℃で1時間乾燥させた厚さ100μmのPEN樹脂からなるプラスチックフィルム基材を透明フィルム基材110の両方の面に、それぞれ、無機化合物層120、127アクリレートからなる有機化合物層130を形成し、このガスバリア性フィルムの片面に、膜厚150nmのITO膜をスパッタ法(Ar:360sccm、酸素:3.0sccm、スパッタパワー:1.5kw、成膜圧力:2Pa)により形成し、フレキシブル透明電極基板100を得た。
ITO膜の結晶性をXRD装置にて測定したところ、[222]面に相当するピークの半価幅は1.40度であった。
これ以外は、実施例1に準拠した。
そして、実施例1に準拠して有機EL素子からなる表示部を作製し、発光輝度が初期値の半分になるまでの時間を有効寿命として計測したところ、有効寿命は5000hrであった。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, a plastic film substrate made of PEN resin having a thickness of 100 μm, which was dried at 160 ° C. for 1 hour with a dryer, was applied to both surfaces of the transparent film substrate 110, respectively, with the inorganic compound layer 120, An organic compound layer 130 made of 127 acrylate is formed, and an ITO film having a film thickness of 150 nm is sputtered on one side of the gas barrier film (Ar: 360 sccm, oxygen: 3.0 sccm, sputtering power: 1.5 kw, film formation pressure) : 2 Pa) to obtain a flexible transparent electrode substrate 100.
When the crystallinity of the ITO film was measured with an XRD apparatus, the half width of the peak corresponding to the [222] plane was 1.40 degrees.
Except this, it was based on Example 1.
And when the display part which consists of an organic EL element according to Example 1 was produced and the time until the light emission luminance became half of the initial value was measured as the effective lifetime, the effective lifetime was 5000 hr.

(実施例3)
実施例3は、実施例2において、ITO成膜後に、160℃、1時間、加熱処理し、結晶化度後、ITO膜の結晶性をXRD装置にて測定したもので、[222]面に相当するピークの半価幅は0.95度であった。
それ以外は、実施例2に準拠した。
そして、実施例1に準拠して有機EL素子からなる表示部を作製し、発光輝度が初期値の半分になるまでの時間を有効寿命とし計測したところ、有効寿命は30000hrであった。
(Example 3)
Example 3 is a sample obtained by heat-treating at 160 ° C. for 1 hour after ITO film formation in Example 2, and measuring the crystallinity of the ITO film with an XRD apparatus after the degree of crystallinity. The half width of the corresponding peak was 0.95 degree.
Other than that, it was based on Example 2.
And when the display part which consists of an organic EL element according to Example 1 was produced and the time until the light emission luminance became half of the initial value was measured as the effective lifetime, the effective lifetime was 30000 hr.

(比較例1)
実施例1と同様にして、乾燥機で160℃で1時間乾燥させた厚さ100μmのPEN樹脂からなるプラスチックフィルム基材を透明フィルム基材110の両方の面に、それぞれ、無機化合物層120、127アクリレートからなる有機化合物層130を形成し、このガスバリア性フィルムの片面に、膜厚150nmのITO膜をスパッタ法(Ar:80sccm、酸素:3.0sccm、スパッタパワー:1.5kw、成膜圧力:0.4Pa)により形成し、フレキシブル透明電極基板100を得た。
ITO成膜後に、160℃、1時間、加熱処理し、結晶化度後、ITO膜の結晶性をXRD装置にて測定したもので、[222]面に相当するピークの半価幅は0.94度であった。
これ以外は、実施例1に準拠した。
そして、実施例1に準拠して有機EL素子からなる表示部を作製し、発光輝度が初期値の半分になるまでの時間を有効寿命として計測したところ、有効寿命は3000hrであったが、ITO層140の膜にクラックが生じ、不良となった。
(Comparative Example 1)
In the same manner as in Example 1, a plastic film substrate made of PEN resin having a thickness of 100 μm, which was dried at 160 ° C. for 1 hour with a dryer, An organic compound layer 130 made of 127 acrylate is formed, and an ITO film with a film thickness of 150 nm is sputtered on one side of the gas barrier film (Ar: 80 sccm, oxygen: 3.0 sccm, sputtering power: 1.5 kw, film formation pressure) : 0.4 Pa) to obtain a flexible transparent electrode substrate 100.
After ITO film formation, heat treatment was performed at 160 ° C. for 1 hour, and after crystallinity, the crystallinity of the ITO film was measured with an XRD apparatus. The half-value width of the peak corresponding to the [222] plane was 0. It was 94 degrees.
Except this, it was based on Example 1.
And the display part which consists of an organic EL element according to Example 1 was produced, and when the time until the light emission luminance became half of the initial value was measured as the effective life, the effective life was 3000 hr. The film of the layer 140 was cracked and became defective.

(比較例2)
実施例1と同様にして、乾燥機で160℃で1時間乾燥させた厚さ100μmのPEN樹脂からなるプラスチックフィルム基材を透明フィルム基材110の両方の面に、それぞれ、無機化合物層120、127アクリレートからなる有機化合物層130を形成し、このガスバリア性フィルムの片面に、膜厚150nmのITO膜をスパッタ法(Ar:600sccm、酸素:6.0sccm、スパッタパワー:1.5kw、成膜圧力:5.1Pa)により形成し、ITO膜の結晶性をXRD装置にて測定したところ、[222]面に相当するピークの半価幅は1.50度であった。
またほとんどがアモルファス状態であった。
これ以外は、実施例1に準拠した。
そして、実施例1に準拠して有機EL素子からなる表示部を作製し、発光輝度が初期値の半分になるまでの時間を有効寿命として計測したところ、有効寿命は1500hrと短く使用に適さないものであった。
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Example 1, a plastic film substrate made of PEN resin having a thickness of 100 μm, which was dried at 160 ° C. for 1 hour with a dryer, An organic compound layer 130 made of 127 acrylate is formed, and an ITO film with a film thickness of 150 nm is sputtered on one side of the gas barrier film (Ar: 600 sccm, oxygen: 6.0 sccm, sputtering power: 1.5 kw, deposition pressure) When the crystallinity of the ITO film was measured with an XRD apparatus, the half width of the peak corresponding to the [222] plane was 1.50 degrees.
Most of them were amorphous.
Except this, it was based on Example 1.
Then, a display unit made of an organic EL element was produced in accordance with Example 1, and the time until the light emission luminance became half of the initial value was measured as the effective lifetime. The effective lifetime was as short as 1500 hr and was not suitable for use. It was a thing.

(比較例3)
実施例1と同様にして、乾燥機で160℃で1時間乾燥させた厚さ100μmのPEN樹脂からなるプラスチックフィルム基材を透明フィルム基材110の両方の面に、それぞれ、無機化合物層120、127アクリレートからなる有機化合物層130を形成し、更に、ITO層140を形成したもので、ITO層140の成膜後に、200℃、3時間、加熱処理したものであるが、ITO膜の結晶性をXRD装置にて測定したところ、[222]面に相当するピークの半価幅は0.94度であった。
そして、実施例1に準拠して有機EL素子からなる表示部を作製し、発光輝度が初期値の半分になるまでの時間を有効寿命として計測したところ、有効寿命は30000hrであった。
しかしながら、これを丸めようとしたところガラス基材が割れた。
(Comparative Example 3)
In the same manner as in Example 1, a plastic film substrate made of PEN resin having a thickness of 100 μm, which was dried at 160 ° C. for 1 hour with a dryer, The organic compound layer 130 made of 127 acrylate is formed, and the ITO layer 140 is further formed. After the ITO layer 140 is formed, it is heated at 200 ° C. for 3 hours. Was measured with an XRD apparatus, and the half-value width of the peak corresponding to the [222] plane was 0.94 degrees.
And when the display part which consists of an organic EL element was produced based on Example 1, and the time until light emission luminance became half of an initial value was measured as an effective lifetime, the effective lifetime was 30000 hr.
However, the glass substrate was cracked when trying to roll it.

結局、フレキシブル透明電極基板(図1(a)の100に相当)のクラック発生の有無、フレキシブル透明電極基板を用いた有機EL素子からなる表示部(図1(b)参照)の寿命、有効寿命におけるITO層の損傷有無、有効寿命測定後に表示部を丸めようとした場合の強度の各評価の面で、実施例1〜実施例3は、問題はなく、十分実用レベルである。
これに対し、比較例1は、有効寿命におけるITO層の損傷が発生し、比較例2は、有効寿命は1500hrと短く、比較例3は、有効寿命測定後に表示部を丸めようとした場合の強度に問題があった。
After all, the occurrence of cracks in the flexible transparent electrode substrate (corresponding to 100 in FIG. 1A), the life and effective life of the display unit (see FIG. 1B) made of an organic EL element using the flexible transparent electrode substrate In Examples 1 to 3, there is no problem in terms of the evaluation of strength when the display part is rounded after measuring the presence or absence of the ITO layer and the useful life measurement, and they are sufficiently practical.
In contrast, in Comparative Example 1, the ITO layer was damaged during the useful life, Comparative Example 2 was as short as 1500 hours in useful life, and Comparative Example 3 was used when the display portion was intended to be rounded after measuring the useful life. There was a problem with strength.

図1(a)は本発明のフレキシブル透明電極基板の実施の形態例の1断面図で、図1(b)は図1(a)に示すフレキシブル透明電極基板を用いた有機EL素子からなる表示部の断面構造を概略的に示した断面図でFIG. 1A is a cross-sectional view of an embodiment of a flexible transparent electrode substrate according to the present invention, and FIG. 1B is a display comprising an organic EL element using the flexible transparent electrode substrate shown in FIG. Is a cross-sectional view schematically showing the cross-sectional structure of the part 図1(a)に示す本発明のフレキシブル透明電極基板の実施の形態例の変形例の1断面図である。It is 1 sectional drawing of the modification of the embodiment of the flexible transparent electrode substrate of this invention shown to Fig.1 (a).

符号の説明Explanation of symbols

100 フレキシブル透明電極基板
110 透明フィルム基材
120 第1の無機化合物層
125 第2の無機化合物層
127 無機化合物層
130 有機化合物層
140 ITO層(電極層あるいは陽極電極層とも言う)
150 有機EL層(有機EL発光層とも言う)
160 陰極電極層
200 フレキシブル透明電極基板
210 透明フィルム基材
220 第1の無機化合物層
225 第2の無機化合物層
227 無機化合物層
230、235 有機化合物層
240 ITO層(電極層あるいは陽極電極とも言う)


DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Flexible transparent electrode substrate 110 Transparent film base material 120 1st inorganic compound layer 125 2nd inorganic compound layer 127 Inorganic compound layer 130 Organic compound layer 140 ITO layer (it is also called an electrode layer or an anode electrode layer)
150 Organic EL layer (also referred to as organic EL light-emitting layer)
160 Cathode electrode layer 200 Flexible transparent electrode substrate 210 Transparent film base material 220 First inorganic compound layer 225 Second inorganic compound layer 227 Inorganic compound layer 230, 235 Organic compound layer 240 ITO layer (also referred to as electrode layer or anode electrode)


Claims (10)

透明フィルム基材の一方の面側に、無機化合物層と有機化合物層を積層して、その最表面にITO層からなる電極層を配設しているフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、無機化合物層を介して配設され、前記透明フィルム基材の他方の面側にも、無機化合物層を配設しているものであり、且つ、前記ITO層は、X線回折法における、その[222]面に相当するピークの半価幅が、0.95度以上、1.40度以下であることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   A flexible transparent electrode substrate in which an inorganic compound layer and an organic compound layer are laminated on one surface side of a transparent film substrate, and an electrode layer made of an ITO layer is disposed on the outermost surface thereof, wherein the ITO layer Is disposed via an inorganic compound layer, the inorganic compound layer is also disposed on the other surface side of the transparent film substrate, and the ITO layer is an X-ray diffraction method. A flexible transparent electrode substrate, wherein a half width of a peak corresponding to the [222] plane is 0.95 degrees or more and 1.40 degrees or less. 請求項1に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層からなる電極層上に有機EL層を形成する有機ELディスプレイデバイス用の、フレキシブル透明電極基板であることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   2. The flexible transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the flexible transparent electrode substrate is an organic EL display device for forming an organic EL layer on the electrode layer made of the ITO layer. substrate. 請求項1ないし2のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記透明フィルム基材の一方の面側に、順に、第1の無機化合物層、有機化合物層、第2の無機化合物層、ITO層を配していることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   It is a flexible transparent electrode substrate of any one of Claim 1 thru | or 2, Comprising: On the one surface side of the said transparent film base material, a 1st inorganic compound layer, an organic compound layer, and a 2nd inorganic in order. A flexible transparent electrode substrate comprising a compound layer and an ITO layer. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、透明フィルム基材の他方の面側には、順に、有機化合物層、無機化合物層を配していること特徴とするフレキシブル透明電極基板。   It is a flexible transparent electrode substrate of any one of Claim 1 thru | or 3, Comprising: On the other surface side of a transparent film base material, the organic compound layer and the inorganic compound layer are distribute | arranged in order, Flexible transparent electrode substrate. 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記一方側および他方側の無機化合物は、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミ、窒化アルミ、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の透明無機化合物あるいはその混合化合物からなることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   5. The flexible transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the inorganic compound on one side and the other side includes silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, aluminum oxide, aluminum nitride, indium oxide, A flexible transparent electrode substrate comprising a transparent inorganic compound such as tin oxide or zinc oxide or a mixed compound thereof. 請求項1ないし5のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、水蒸気透過率が、1×10-2 g/ m2/day 以下であることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。 6. The flexible transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the water vapor permeability is 1 × 10 −2 g / m 2 / day or less. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、160℃、1時間の加熱を3サイクル行う加熱工程において、その膜にクラックが発生しないものであることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   The flexible transparent electrode substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the ITO layer does not generate cracks in a heating process in which heating is performed for three cycles at 160 ° C for 1 hour. There is a flexible transparent electrode substrate. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記ITO層は、成膜圧力、0.7Pa以上、5.0Pa 以下で成膜されたものであることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   8. The flexible transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the ITO layer is formed at a film forming pressure of 0.7 Pa or more and 5.0 Pa or less. A flexible transparent electrode substrate. 請求項1ないし8のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板であって、前記有機化合物層は、アクリレートからなることを特徴とするフレキシブル透明電極基板。   The flexible transparent electrode substrate according to any one of claims 1 to 8, wherein the organic compound layer is made of acrylate. 請求項1ないし9のいずれか1項に記載のフレキシブル透明電極基板を用いたことを特徴とする有機ELディスプレイデバイス。
An organic EL display device using the flexible transparent electrode substrate according to claim 1.
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