JP2006210687A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理槽に貯留された純水や薬液(以下、「処理液」と総称する)に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を浸漬して所定の処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、処理槽に貯留される処理液の交換手順の改良に関する。 In the present invention, pure water and chemicals stored in a processing tank (hereinafter collectively referred to as “processing liquid”) are used for semiconductor substrates, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for photomasks, optical disk substrates, etc. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process by immersing a substrate (referred to as a “substrate”), and more particularly, to an improvement in a replacement procedure of a processing liquid stored in a processing tank.
従来より、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して所定の処理を施す基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1)。 2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus that performs predetermined processing by immersing a substrate in a processing solution stored in a processing tank (for example, Patent Document 1).
ここで、特許文献1の基板処理装置の基板処理槽に貯留される処理液を交換するとともに、交換された処理液の液温を基板処理に適した温度に調整するする液交換処理は以下の手順で実行される。
Here, the liquid replacement process for exchanging the processing liquid stored in the substrate processing tank of the substrate processing apparatus of
すなわち、液交換処理では、まず、基板処理槽、およびオーバーフロー液回収部の処理液を装置外部に排出する。次に、基板処理槽およびオーバーフロー液回収部からの処理液の排出処理が完了した後に、基板処理槽に略室温の新たな処理液を供給する。この処理液の供給に際して、基板処理槽から溢れ出した処理液はオーバーフロー液回収部に回収される。続いて、新たな処理液の供給が完了した後に、処理液を外槽から処理槽に循環しつつ温調する処理を開始する。そして、基板処理槽に所定量の処理液が所定温度とされた時点で、液交換処理が完了し、基板に対してこの交換された処理液による基板処理が可能となる。 That is, in the liquid exchange process, first, the processing liquid in the substrate processing tank and the overflow liquid recovery unit is discharged to the outside of the apparatus. Next, after the processing liquid is discharged from the substrate processing tank and the overflow liquid recovery unit, a new processing liquid at approximately room temperature is supplied to the substrate processing tank. When the processing liquid is supplied, the processing liquid overflowing from the substrate processing tank is recovered by the overflow liquid recovery unit. Subsequently, after the supply of a new processing liquid is completed, a process of controlling the temperature is started while circulating the processing liquid from the outer tank to the processing tank. Then, when a predetermined amount of the processing liquid is set to a predetermined temperature in the substrate processing tank, the liquid exchange processing is completed, and the substrate processing with the replaced processing liquid becomes possible for the substrate.
しかしながら、基板処理のスループットをさらに向上させるためには、この液交換処理に要する時間、例えば、予備加熱の施されていない略室温の処理液が基板処理槽に供給される場合、この処理液が所定の液温に温調されるまでの時間も問題となる。 However, in order to further improve the throughput of the substrate processing, the time required for this liquid exchange processing, for example, when a processing solution at about room temperature that has not been preheated is supplied to the substrate processing tank, The time until the temperature is adjusted to a predetermined liquid temperature is also a problem.
そこで、本発明では、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより施される基板処理のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can further improve the throughput of substrate processing performed by immersing a substrate in a processing solution stored in a processing tank.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対して処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の外側に設けられ、前記処理槽から溢れた処理液を回収するための外槽と、前記外槽と前記処理槽との間を連通接続させる配管と、前記配管に設けられ、前記配管を流れる処理液を温調する温調部と、前記配管に設けられ、前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させる循環手段と、前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する検出部と、前記検出部が前記外槽に貯留された処理液の第1の値の貯留量を検出した場合、前記循環手段により前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させ、前記検出部が前記第1の値より多い第2の値の貯留量を検出した場合、前記温調部を作動させる制御部と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、前記検出部は、前記処理液供給部から前記外槽へ供給された処理液の貯留量を検出することを特徴とする。
The invention according to
また、請求項3の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記処理槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、前記検出部は、前記処理槽から前記外槽へ溢れ出た処理液の貯留量を検出することを特徴とする。
Further, the invention of
また、請求項4の発明は、請求項2または請求項3に記載の基板処理装置において、前記処理液には第1処理液と第2処理液とがあり、前記処理槽に接続され、前記処理槽に貯留された第1処理液を排出する第1排出管と、前記配管に接続され、前記外槽に貯留された第1処理液を前記配管を介して排出する第2排出管とをさらに備え、前記処理液供給部は、前記第1排出管及び前記第2排出管から第1処理液を排出した後に、第2処理液を供給することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, the processing liquid includes a first processing liquid and a second processing liquid, and is connected to the processing tank, A first discharge pipe that discharges the first processing liquid stored in the processing tank; and a second discharge pipe that is connected to the pipe and discharges the first processing liquid stored in the outer tank through the pipe. Further, the processing liquid supply unit supplies the second processing liquid after discharging the first processing liquid from the first discharge pipe and the second discharge pipe.
請求項1ないし請求項4に記載の発明によれば、検出部が外槽に貯留された処理液の第1の値の貯留量を検出した場合、循環手段により配管を通して外槽から排出された処理液を処理槽へ供給させ、検出部が第1の値より多い第2の値の貯留量を検出した場合、温調部を作動をさせているので、処理液の供給が完了する前に、循環手段による処理液の循環および循環されている処理液の温調を開始できるので、基板処理のスループットを向上できる。 According to the first to fourth aspects of the present invention, when the detection unit detects the storage amount of the first value of the processing liquid stored in the outer tub, it is discharged from the outer tub through the piping by the circulation means. When the treatment liquid is supplied to the treatment tank and the detection unit detects a storage amount of the second value larger than the first value, the temperature adjustment unit is operated, so before the supply of the treatment liquid is completed Since the processing liquid can be circulated by the circulating means and the temperature of the circulating processing liquid can be controlled, the throughput of the substrate processing can be improved.
特に、請求項4に記載の発明によれば、処理液供給部が第1排出管および第2排出管から第1処理液を排出した後に、第2処理液を供給しているので、第1処理液から第2処理液への液交換時間を短縮できる。 In particular, according to the invention described in claim 4, since the processing liquid supply unit supplies the second processing liquid after discharging the first processing liquid from the first discharge pipe and the second discharge pipe, The liquid exchange time from the processing liquid to the second processing liquid can be shortened.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<1.第1の実施の形態>
<1.1.基板処理装置の構成>
図1は、本発明の実施の形態における基板処理装置1の構成の一例を示す図である。基板処理装置1は、複数の基板に対して一度に基板処理を行う、いわゆる「バッチ式」の装置である。図1に示すように、基板処理装置1は、主として、処理槽(内槽)10と、処理槽10の外側に設けられ、処理槽10から溢れた処理液を回収するための外槽20と、外槽20から排出された処理液を再度処理槽10へ供給させるための配管51a、61、62と、を備える。
<1. First Embodiment>
<1.1. Configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a
処理槽10はその内側に処理液15を貯留し、この処理液15に複数の基板Wを浸漬することにより、複数の基板Wに対して洗浄、エッチング等の処理が行われる。また、処理槽10内側の底部近傍にはY軸方向に延伸する2本の処理液ノズル17が配置されており、外槽20から排出された処理液は、配管51a、61、62を介して処理液ノズル17から処理槽10内へ矢印Bのように供給される。
The
昇降機構30は、処理槽10に貯留された処理液に複数の基板Wを浸漬させる機構であり、図1に示すように、主として、リフター31と、保持棒32とを備える。リフター31は、駆動機構(図示省略)によって処理槽10の上方位置と処理槽10内との間を矢印Aに示すように、Z軸方向に昇降する。また、リフター31には、Y軸方向に沿って伸びる3本の保持棒32が取り付けられる。ここで、3本の保持棒32のそれぞれには複数の保持溝(図示省略)が設けられており、基板Wはその外縁部が対応する保持溝にはまり込むことによって起立姿勢にて保持される。
The
したがって、3本の保持棒32によって保持された複数の基板Wは、リフター31によって昇降させられることにより、処理液15に浸漬させられる位置と、搬送ロボット(図示省略)との間で受渡しを行う処理槽10の上方位置との間で昇降する。
Accordingly, the plurality of substrates W held by the three holding rods 32 are moved up and down by the
処理槽10の外側上部には、図1に示すように、処理槽10の上端部を取り囲むように外槽20が設けられている。これにより、処理槽10から溢れた処理液は、外槽20に回収される。
As shown in FIG. 1, an
外槽20の上方には供給ノズル40、45が、それぞれ配設されている。図1に示すように、供給ノズル40は、バルブ42、流量計43、および配管44を介して硫酸供給源41と連通接続されている。また、供給ノズル45は、バルブ47、流量計48、および配管49を介して純水供給源46と連通接続されている。したがって、バルブ42、47の開閉状態が制御されることにより、供給ノズル40、45は、それぞれ外槽20の上方から外槽20へ硫酸および純水を供給する。
流量計43、48は、図1に示すように、それぞれ配管44、49に設けられており、硫酸供給源41から供給される硫酸、および純水供給源46から供給される純水の単位時間当りの流量を測定する。そして、この流量計43、48の検出値に基づき、外槽20に向けて供給された硫酸および純水の供給量が求められる。
As shown in FIG. 1, the
また、外槽20内には、外槽20内に貯留された処理液に窒素ガスを吐出するガス吐出部23が設けられている。このガス吐出部23は、配管74を介して窒素ガス供給源71に接続されている。この配管74には、上流側から調整部72および圧力センサ73が設けられている。調整部72は、窒素ガス供給源71から供給される窒素ガスの単位時間当りの流量を一定値に調整する。また、圧力センサ73は、配管74を流れる窒素ガスの圧力を検出する。
In the
外槽20内に貯留された処理液の貯留量を検出する際には、まず、調整部72が窒素ガス供給源71から供給される窒素ガスの流量を一定値にし、窒素が配管74を介してガス吐出部23から外槽20内に貯留された処理液内へ供給される。このとき、圧力センサ73は、外槽20内に貯留された処理液の貯留量に対応した圧力値を検出する。処理液の貯留量が増加するにしたがって、この圧力値も増加することになる。
When detecting the storage amount of the processing liquid stored in the
また、外槽20の内側領域には、配管51aが連通接続されている。配管51aには開閉可能なバルブ56aが設けられている。また、配管51aは、連通位置82にて共通配管61と接続する。さらに、連通位置82には、処理槽10の内側領域と接続し、開閉可能なバルブ56bが設けられた第1排出管51bとも接続している。
In addition, a
共通配管61は、主として、外槽20から排出された処理液25を処理槽10側に供給するための配管である。図1に示すように、共通配管61には、外槽20側から処理槽10側に向けて順に、ポンプ53、バルブ67、温調部63、およびフィルタ64が設けられている。また、共通配管61は、位置83にて2本の供給管62と連通接続される。さらに2本の供給管62のそれぞれは、対応する処理液ノズル17と接続する。
The
したがって、ポンプ53が駆動させられるとともに、バルブ56a、67が開放され、かつ、バルブ56b、57が閉鎖されることにより、外槽20に回収または供給された処理液25は、配管51a、共通配管61、温調部63、供給管62、および処理液ノズル17を介して矢印Bの方向に吐出し、処理槽10の内に供給される。このように、ポンプ53は、外槽20に貯留された処理液25を、配管51a、共通配管61および供給管62を経由させて処理槽10に循環する。
Therefore, when the
また、第2排出管52の一端が、配管61におけるポンプ53とバルブ67との間に挟まれた位置81に接続されている。そして、第2排出管52の他端には、排液ドレイン59が接続されている。この第2排出管52には開閉可能なバルブ57が設けられている。なお、排液ドレイン59は、基板処理装置1の外部に設けられており、半導体工場内の共通設備として使用されるものである。
One end of the
外槽20に貯留されている処理液25を排液として排出する際には、ポンプ53が駆動させられるとともに、バルブ56a、57が開放され、かつ、バルブ56b、67が閉鎖されることにより、外槽20に回収された処理液25は、配管51a、共通配管61、および第2排出管52を介して、排液ドレイン59へ排出される。また、処理槽10に貯留されている処理液15を排液として排出する際には、ポンプ53が駆動させられとともに、バルブ56b、57が開放され、かつ、バルブ56a、67が閉鎖されることにより、処理槽10に貯留された処理液15は、第1排出管51b、共通配管61、および第2排出管52を介して、排液ドレイン59に排出される。さらに、バルブ67、57が開放されるとともに、バルブ56a、56bが閉鎖されることにより、配管51a、共通配管61、および供給管62のそれぞれに残留する処理液は、その自重によって排液ドレイン59に排出される。
When the
なお、共通配管61に設けられている温調部63は、共通配管61を流れている処理液を加熱処理等を行って、処理液を温調するものである。また、フィルタ64は、共通配管61を流れている処理液に含まれているパーティクル等を除去するものである。
In addition, the
制御部90は、図1に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ91と、メモリ91に格納されたプログラムに従った制御を実行するCPU92とを備える。また、制御部90の制御対象であるバルブ42、47、56a、56b、57、67、ポンプ53、温調部63、調整部72、および圧力センサ73等は、信号線95によって電気的に接続されている。
As shown in FIG. 1, the
したがって、CPU92は、メモリ91に格納されたプログラムに従って、バルブ42、47、56a、56b、57、67の開閉制御や、ポンプ53、温調部63、および調整部72の駆動制御等を所定のタイミングで実行する。
Therefore, the
<1.2.液交換処理の手順>
図2は、本実施の形態における処理液の交換処理を説明するためのタイミングチャートである。また、図3は、循環処理および温調部63による温調処理の開始タイミングを説明するための図である。ここでは、図1から図3を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
<1.2. Liquid exchange procedure>
FIG. 2 is a timing chart for explaining the processing liquid replacement processing in the present embodiment. FIG. 3 is a diagram for explaining the start timing of the circulation process and the temperature adjustment process by the
なお、以下では、時刻t1より前の時点において処理槽10に貯留される第1処理液としての純水(H2O)を第2処理液としての硫酸(H2SO4)に交換する処理について説明する。また、図2の時刻t1より前の時点において、基板Wは、昇降機構30によってZ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット(図示省略)に受け渡されたものとする。さらに、外槽20に供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
In the following, a process for exchanging pure water (H2O) as the first treatment liquid stored in the
まず、時刻t1において、ポンプ53の動作が開始させられるとともに、バルブ56b、57が開放され、バルブ56a、67が閉鎖される。これにより、処理槽10に貯留された純水15は、ポンプ53の駆動によって第1排出管51b、共通配管61、および第2排出管52を介して排液ドレイン59に排出される(処理槽ドレイン)。
First, at time t1, the operation of the
次に、時刻t2において、ポンプ53の作動状態が維持されつつ、バルブ56bが閉鎖され、バルブ56aが開放される。これにより、外槽20に回収された純水25は、ポンプ53の駆動によって配管51a、共通配管61、および第2排出管52を介して排液ドレイン59に排出される(外槽ドレイン)。
Next, at time t2, the operating state of the
続いて、時刻t3において、バルブ57の開放状態が維持されつつ、ポンプ53の動作が停止させられ、バルブ56a、56bが閉鎖されるとともに、バルブ67が開放される。これにより、供給管62に残留する純水は、純水の自重によって共通配管61および第2排出管52を介して排液ドレイン59に排出される(配管ドレイン)。
Subsequently, at time t3, the operation of the
続いて、時刻t4において、少なくともバルブ56a、56bが閉鎖状態にされ、バルブ42が開放されることにより、硫酸供給源41の硫酸が配管44を介して供給ノズル40から外槽20へ向けて供給され、外槽20に硫酸が貯留される。なお、硫酸の供給は、基板処理に必要な量の供給が完了する時刻t7まで行われる。
Subsequently, at time t4, at least the
続いて、圧力センサ73の検出値に基づき、外槽20に貯留された硫酸の液面の高さZがZ1(図3参照:実線の液面)となり、外槽20に貯留された硫酸25の貯留量VがV1になったと判断される時刻t5において、バルブ56b、57の閉鎖状態を維持しつつ、バルブ56a、67が開放され、ポンプ53が作動状態となる。これにより、外槽20に貯留された硫酸25は、配管51a、共通配管61、および2本の供給管62を介し、処理液ノズル17から処理槽10内へ向けて供給される。すなわち、時刻t4において、硫酸25を外槽20から処理槽10に循環させる循環処理が開始される。
Subsequently, based on the detection value of the
なお、図2に示すように、循環処理が開始された後もバルブ42は開放されており、供給ノズル40は、外槽20へ硫酸が供給し続けられる。そのため、処理槽10には外槽20から排出された硫酸が供給され続けて貯留される。なお、循環処理を開始するトリガとなる硫酸25の貯留量V1は、予め実験等によって求められる。
As shown in FIG. 2, the
続いて、圧力センサ73の検出値に基づき、外槽20に貯留された硫酸の液面の高さZがZ2(図3参照:点線の液面)となり、外槽20に貯留された硫酸25の貯留量VがV2になったと判断される時刻t6において、硫酸の循環処理が行われている状態で、温調部63の動作が開始される。これにより、温調部63による温調処理が開始され、共通配管61を流通する硫酸は昇温させられる。
Subsequently, based on the detection value of the
この場合、温調処理が開始された後もバルブ42は開放されており、処理槽10には硫酸が供給され続ける。そして、外槽20から排出されて処理槽10に供給された硫酸の供給量が処理槽10の最大貯留量を超過した場合、超過分の硫酸は処理槽10から溢れて、外槽20によって回収される。
In this case, the
このように、本実施の形態の基板処理装置1では、硫酸の供給が完了する時刻t7より前の時点の時刻t6において、硫酸を循環させつつ温調する処理を開始できる。また、温調部63の配設位置によっては、処理槽10に硫酸25が貯留され始めるより前の時点から温調処理を開始できる。そのため、従来の基板処理装置と比較して、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。なお、循環処理が開始された後に温調処理が開始されるのは、温調部63の空焚きによる破損を防止するためである。
Thus, in the
そして、循環処理を実行し続けることにより、処理槽10に貯留される硫酸15の液温が基板処理可能な温度(例えば、約120℃)まで昇温させられる時刻t8において、液交換処理を完了する。
Then, by continuing the circulation process, the liquid exchange process is completed at time t8 when the temperature of the
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻t8以降においても、循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽10から溢れた硫酸は外槽20で回収され、外槽20から排出されるとともに、共通配管61に設けられた温調部63から硫酸に対して熱エネルギーが伝達される。そのため、硫酸は所定の温度に維持され続ける。
Note that the circulation process is continuously executed even after time t8 when the substrate process is performed after the liquid exchange process. Thereby, the sulfuric acid overflowing from the
<1.3.第1の実施の形態の基板処理装置の利点>
以上のように、第1の実施の形態の基板処理装置1では、硫酸の供給が完了する時刻t7より前の時点である時刻t5において、硫酸の循環処理を開始でき、また、時刻t6において、共通配管61を流通する硫酸の温調処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
<1.3. Advantages of the substrate processing apparatus of the first embodiment>
As described above, in the
<2.第2の実施の形態>
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は、本実施の形態における基板処理装置100の構成の一例を示す図である。図4に示すように、本実施の形態の基板処理装置100のハードウェア構成は、第1の実施の形態の基板処理装置1と比較して、硫酸および純水の供給ノズル140、145が処理槽10の上方に配設される点で相違するが、その他の点においては第1の実施の形態の基板処理装置1と同様である。すなわち、第2の実施の形態において、純水および硫酸等の処理液は、外槽20でなく処理槽10に供給される。そこで、以下ではこの相違点に留意しつつ、液交換処理の手順について説明する。
<2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the
なお、以下の説明において、第1の実施の形態の基板処理装置1における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第1の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
In the following description, the same components as those in the
<2.1.液交換処理の手順>
図5は、循環処理および温調部63による温調処理の開始タイミングを説明するための図である。ここでは、主として図2、図4および図5を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
<2.1. Liquid exchange procedure>
FIG. 5 is a diagram for explaining the start timing of the temperature adjustment process by the circulation process and the
なお、以下では、時刻t1より前の時点において処理槽10に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明する。また、図2の時刻t1より前の時点において、基板Wは、昇降機構30によってZ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット(図示省略)に受け渡されたものとする。さらに、外槽20に供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
In addition, below, the process which replace | exchanges the pure water stored in the
液交換処理では、第1の実施の形態と同様に、時刻t1〜t2においては処理槽10に貯留された純水15を、時刻t2〜t3においては外槽20に回収された純水25を、時刻t3〜t4においては供給管62に残留する純水を、それぞれ排液ドレイン59に排出する処理が実行される(処理槽ドレイン、外槽ドレイン、配管ドレイン)。
In the liquid exchange process, as in the first embodiment, the
続いて、時刻t4において、硫酸供給源41の硫酸が配管44を介して供給ノズル140から処理槽10へ向けて供給され、処理槽10に硫酸が貯留される。そして、硫酸の供給は、基板処理に必要となる量の供給が完了する時刻t7まで行われる。
Subsequently, at time t <b> 4, sulfuric acid from the sulfuric
ここで、供給ノズル140から供給される硫酸の供給量が処理槽10の最大貯留量を超過した場合、超過分の硫酸は処理槽10から溢れ、外槽20によって回収される。そして、圧力センサ73の検出値に基づき、外槽20に貯留された硫酸の液面の高さZがZ1(図5参照:実線の液面)となり、外槽20に貯留される硫酸25の貯留量VがV1になったと判断される時刻t5において、硫酸25を外槽20から処理槽10に循環させる循環処理が開始される。また、外槽20に貯留される硫酸の液面の高さZがZ2(図3参照:点線の液面)となり、貯留量VがV2になったと判断される時刻t6において、温調部63による温調処理が開始される。
Here, when the supply amount of sulfuric acid supplied from the
このように、本実施の形態の基板処理装置100では、第1の実施の形態の基板処理装置1と同様に、硫酸の供給が完了する時刻t7より前の時点において、硫酸を循環させつつ温調する処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
As described above, in the
そして、内側循環処理を実行し続けることによって、処理槽10に貯留される硫酸15の液温が基板処理可能な温度まで昇温させられる時刻t8において、液交換処理を完了する。
Then, by continuing to perform the inner circulation process, the liquid exchange process is completed at time t8 when the temperature of the
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻t8以降においても、循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽10から溢れた硫酸は、外槽20で回収され、外槽20から排出されるとともに、共通配管61に設けられた温調部63から熱エネルギーの伝達を受ける。そのため、硫酸は所定の温度に維持され続ける。
Note that the circulation process is continuously executed even after time t8 when the substrate process is performed after the liquid exchange process. As a result, the sulfuric acid overflowing from the
<2.2.第2の実施の形態の基板処理装置の利点>
以上のように、第2の実施の形態の基板処理装置100では、第1の実施の形態の基板処理装置1と同様に、硫酸の供給が完了する時刻t7より前の時点である時刻t5において硫酸の循環処理を開始、時刻t6において、共通配管61を流通する硫酸の温調処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
<2.2. Advantages of Substrate Processing Apparatus According to Second Embodiment>
As described above, in the
<3.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
<3. Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples.
(1)第1および第2の実施の形態において、ガス吐出部23からは、窒素ガスが吐出されるが、これに限定されるものでない。例えば、外槽20に貯留される処理液25との関係で化学的に安定なガスであればよく、アルゴンやヘリウムのような不活性ガスであってもよい。
(1) In the first and second embodiments, nitrogen gas is discharged from the
(2)また、第1および第2の実施の形態では、ガス吐出部23から窒素ガスを吐出することによって変動する配管74内の圧力を検出することにより、外槽20に貯留される処理液25の貯留量を検出しているが、これに限定されるものでない。例えば、レベルセンサによって処理液25の液面の高さを検出してもよい。
(2) In the first and second embodiments, the processing liquid stored in the
ここで、外槽20の内側形状は設計上既知であるため、処理液の液面の高さから貯留量を求めることができる。すなわち、処理液の貯留量と処理液の液面の高さとは1対1に対応する。したがって、レベルセンサによって検出される処理液の液面高さから外槽20の貯留量を演算し、その演算結果に基づいて循環処理および温調処理の開始タイミングを決定してもよい。
Here, since the inner shape of the
(3)また、第1および第2の実施の形態では、時刻t1より前の時点において処理槽10に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明したが、これに限定されるものでなく、処理槽10に貯留される処理液を硫酸から純水に交換する場合にも適用できる。また、交換前および交換後の処理液は、それぞれ純水および硫酸以外であってもよく、例えば、新たな処理液としてリン酸(H3PO4)を供給してもよい。
(3) In the first and second embodiments, the process of exchanging pure water stored in the
(4)さらに、第1および第2の実施の形態において、硫酸供給源41から導入される硫酸は、予備加熱されておらず、その液温は略室温であるが、これに限定されるものでなく、例えば、室温より高い温度に温調された硫酸を外槽20に供給してもよい。すなわち、本実施の形態では、基板処理に適した温度より低い液温の処理液を処理槽10または外槽20へ供給する場合に、本発明の目的を達成できる。
(4) Furthermore, in the first and second embodiments, the sulfuric acid introduced from the sulfuric
1、100 基板処理装置
10 処理槽
17 処理液ノズル
20 外槽
23 ガス吐出部
30 昇降機構
40、45、140 供給ノズル
41 硫酸供給源
42、47、56a、56b、57、67 バルブ
46 純水供給源
51a 配管
51b 第1排出管
52 第2排出管
53 ポンプ
61 共通配管
62 供給管
63 温調部
71 窒素ガス供給源
72 調整部
73 圧力センサ
90 制御部
91 メモリ
92 CPU
95 信号線
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100
95 Signal line W Substrate
Claims (4)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の外側に設けられ、前記処理槽から溢れた処理液を回収するための外槽と、
前記外槽と前記処理槽との間を連通接続させる配管と、
前記配管に設けられ、前記配管を流れる処理液を温調する温調部と、
前記配管に設けられ、前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させる循環手段と、
前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する検出部と、
前記検出部が前記外槽に貯留された処理液の第1の値の貯留量を検出した場合、前記循環手段により前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させ、前記検出部が前記第1の値より多い第2の値の貯留量を検出した場合、前記温調部を作動させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
An outer tank provided on the outside of the processing tank for recovering the processing liquid overflowing from the processing tank;
Piping for communicating between the outer tank and the processing tank;
A temperature control unit that is provided in the pipe and controls the temperature of the processing liquid flowing through the pipe;
Circulation means provided in the pipe for supplying the processing liquid discharged from the outer tank through the pipe to the processing tank;
A detection unit for detecting a storage amount of the processing liquid stored in the outer tank;
When the detection unit detects a storage amount of the first value of the processing liquid stored in the outer tank, the processing liquid discharged from the outer tank through the pipe by the circulation unit is supplied to the processing tank, When the detection unit detects a storage amount of the second value greater than the first value, a control unit that operates the temperature adjustment unit;
A substrate processing apparatus comprising:
前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、
前記検出部は、前記処理液供給部から前記外槽へ供給された処理液の貯留量を検出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A treatment liquid supply unit for supplying the treatment liquid to the outer tank;
The substrate processing apparatus, wherein the detection unit detects a storage amount of the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit to the outer tank.
前記処理槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、
前記検出部は、前記処理槽から前記外槽へ溢れ出た処理液の貯留量を検出することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A treatment liquid supply unit for supplying a treatment liquid to the treatment tank;
The said detection part detects the storage amount of the process liquid which overflowed from the said process tank to the said outer tank, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記処理液には第1処理液と第2処理液とがあり、
前記処理槽に接続され、前記処理槽に貯留された第1処理液を排出する第1排出管と、
前記配管に接続され、前記外槽に貯留された第1処理液を前記配管を介して排出する第2排出管とをさらに備え、
前記処理液供給部は、前記第1排出管及び前記第2排出管から第1処理液を排出した後に、第2処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 2 or Claim 3,
The treatment liquid includes a first treatment liquid and a second treatment liquid,
A first discharge pipe connected to the processing tank and discharging the first processing liquid stored in the processing tank;
A second discharge pipe connected to the pipe and discharging the first treatment liquid stored in the outer tank through the pipe;
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid supply unit supplies the second processing liquid after discharging the first processing liquid from the first discharge pipe and the second discharge pipe.
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JP2004221540A (en) * | 2002-12-26 | 2004-08-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
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- 2005-01-28 JP JP2005021371A patent/JP2006210687A/en active Pending
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