JP3625120B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板、液晶ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および光ディスク用基板などの薄板状基板(以下、単に「基板」と称する)を処理液に浸漬して基板表面に洗浄やエッチングなどの諸処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、上記のような基板処理装置は、薬液を貯留する薬液槽と純水を貯留する水洗槽とを備えている。そして、予め定められた手順に従って、各処理槽に一組の複数の基板(以下、「ロット」と称する)を循環搬送し、搬送先のそれぞれの処理槽において所定の処理時間基板を浸漬する複数工程により、基板表面の汚染物質を除去したり、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離したりする一連の基板処理を達成している。
【0003】
ところで、薬液には、その種類に応じて液寿命が存在する。本明細書中において、「液寿命」とは、薬液槽に薬液を供給してからその薬液を使用することができる上限時間またはその薬液に基板を浸漬できる上限回数を意味している。液寿命に達した後の薬液を使用して浸漬処理を行うと処理不良となることもあるため、薬液槽内の薬液が液寿命に達した場合には、一旦一連の基板処理が中止され、液寿命に達した薬液が排液され、新たな薬液が供給された後、すなわち薬液交換された後、処理が再開されることとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
薬液交換は、単に液寿命に達した薬液を排液してから新しい薬液を供給するだけではなく、排液後薬液槽内を洗浄し、新しい薬液供給後は基板処理に適した温度に温調する必要があるため、約1時間程度の交換時間を要する。そして、薬液交換の間は基板処理が中断された状態が続くため、基板処理装置の処理効率の低下は避けられない。特に液寿命の短い(例えば、揮発性の成分を含むNH4OH/H2O2/H2O溶液など)では、頻繁に薬液交換をしなければならないため、処理効率の著しい低下を生じることとなる。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、液寿命の短い薬液を使用する場合であっても、処理効率を向上することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対して浸漬処理を行う基板処理装置において、(a) 薬液を貯留し、前記薬液中において基板に浸漬処理を行う薬液槽と、(b) 前記薬液のうちの一部または全部を交換する薬液交換手段と、(c) 液寿命よりも短く薬液の一部交換後または全液交換後の次に一部交換を行うまでの時間または基板浸漬回数である使用寿命に前記薬液が達したときでかつ前記浸漬処理が行われていないときに前記薬液交換手段に前記薬液の一部交換をさせるとともに、前記薬液が液寿命に達したときには前記薬液交換手段に前記薬液を全液交換させる交換制御手段とを備えている。
【0007】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記薬液交換手段に、(b-1) 前記薬液の一部を排液する排液手段と、(b-2) 新たな薬液を補充する補充手段とを備え、前記交換制御手段に、薬液の一部交換の際には、前記排液手段に前記薬液のうちの一部を排液させた後、前記補充手段に前記排液の量と同量の薬液を補充させている。
【0008】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板処理装置において、(1) 前記一部交換の交換液量、(2) 前記一部交換の回数、(3) 前記使用寿命、のうちの少なくとも一つを設定入力可能な設定手段をさらに備えている。
【0009】
また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る基板処理装置において、前記設定手段に、前記一部交換のそれぞれの回における前記交換液量および前記使用寿命のそれぞれを相互に独立に設定入力可能としている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0011】
A.基板処理装置の全体概略構成:
まず、本発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置の一例を示す正面概略図である。この基板処理装置100は、薬液槽CB1、CB2と、水洗槽WB1、WB2、FRと、乾燥部SDと、基板を搬送する基板搬送ロボットTRとを備えている。また、基板処理装置100は、その両端に、未処理の基板Wを収納したカセット20を載置するローダー部LDと処理済みの基板Wが格納されるカセット20を載置するアンローダー部ULDとを備えている。
【0012】
薬液槽CB1、CB2は硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸、過酸化水素水またはそれらの混合液などの薬液を収容可能な槽であり、基板Wに対してエッチング処理などを行うための処理槽である。また、水洗槽WB1、WB2は純水を収容し、基板Wに付着した薬液を洗浄する処理槽である。また、水洗槽FRも純水を収容する洗浄処理槽であるが、主として仕上げの洗浄用として使用されている。さらに、乾燥部SDは基板Wを回転させつつ当該基板Wに付着した水滴を除去、乾燥させる処理部である。
【0013】
基板搬送ロボットTRは、水平方向および上下方向に移動可能であり、ローダー部LDから未処理ロットを払い出し、予め定められた処理手順に従って上記各処理槽間でロットを循環搬送するとともに、処理済みのロットをアンローダー部ULDに渡すロボットである。基板搬送ロボットTRは、開閉自在の一対のハンド11を備えており、当該ハンド11には、その内側に基板Wを保持するための複数の溝が一定のピッチで平行に設けられており(図示省略)、当該複数の溝によってロットが保持されることとなる。この基板搬送ロボットTRがローダー部LDからロットを受け取る際には、カセット20の下方に設けられた図示を省略するホルダによってカセット20から上昇されたロットを基板搬送ロボットTRの一対のハンド11が把持することによって行われる。また、アンローダー部ULDにロットを渡す場合には、上記とは逆に、ハンド11から図示を省略するホルダにロットが渡され、そのホルダが下降することによって、ロットがカセット20内部に格納される。なお、ここに示している例は、カセット20からロットを取り出して、そのロットを直接基板搬送ロボットTRが把持、搬送する方式の装置であるが、カセット20ごと基板搬送ロボットTRが保持してロットを搬送する、いわゆるカセット搬送方式の装置であってもかまわない。
【0014】
B.基板処理装置の制御機構:
次に、基板処理装置100の制御機構について説明する。図2は、基板処理装置100の制御機構を説明するための機能ブロック図である。この基板処理装置100には、卓上型コンピュータ30が組み込まれており、オペレータは当該卓上型コンピュータ30を介して装置に指令を与えたり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりできる。
【0015】
卓上型コンピュータ30は、その本体部であるCPU31と、読み出し専用メモリーであるROM32と、読み書き自在のメモリーであるRAM33と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク34と、付随する入出力機器とのインターフェイスである入出力ポート35と、基板処理装置100を直接制御する装置とのインターフェイスであるネットワークポート36と、基板処理装置100外部に設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通信ポート37とを備えている。また、卓上型コンピュータ30には、入出力ポート35を介してディスプレイ38とキーボード39とが付随して設けられており、オペレータはディスプレイ38の表示を確認しつつ、キーボード39からコマンドやパラメータを入力することができる。そして、オペレータは、キーボード39から薬液の一部交換についての条件を設定入力することとなるが、これについてはさらに後述する。
【0016】
卓上型コンピュータ30に入力された指令は、処理用のソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて当該卓上型コンピュータ30からネットワークポート36を介してマスターコントローラ40および槽コントローラ50などに伝達される。マスターコントローラ40は、基板搬送ロボットTR(図1参照)の動作を制御する。また、槽コントローラ50は、後述する薬液排液手段51、液レベル計52および薬液供給手段53などに指令を伝達して、各処理槽への注排液などを制御する。さらに、槽コントローラ50は、タイマー56およびカウンター57を備えており、それらは薬液の使用時間および薬液への基板浸漬回数を計測する機能を有している。
【0017】
C.薬液槽の構成:
次に、基板処理装置100に備えられた薬液槽CB1の構成について説明する。なお、以下の説明は、薬液槽CB1についてのものであるが、薬液槽CB2についても同じである。
【0018】
図3は、基板処理装置100の薬液槽CB1の構成を説明する概念図である。薬液槽CB1は、内槽60、外槽65、バット68およびそれらに付随する注排液機構により構成されている。
【0019】
内槽60は、薬液を貯留し、浸漬された基板Wに対し薬液によるエッチング処理などを行う処理槽である。また、外槽65は、内槽60から溢れ出た薬液を回収するための槽である。外槽65に溢れ出た薬液は、循環ポンプ70によって内槽60に循環され、その経路中において循環フィルター71によって浄化される。
【0020】
また、内槽60には、薬液供給手段53から薬液を供給することができる。薬液供給は、内槽60の上方から直接内槽60内に薬液を供給することにより行われるが、これに限定されるものではなく、例えば、外槽65から内槽60への循環経路中に新たな薬液を供給したり、循環ポンプ70を稼働した状態で外槽65へ供給するようにしてもよい。
【0021】
内槽60に貯留されている薬液量は、液レベル計52によって測定することが可能である。液レベル計52は、内槽60内に窒素ガスを放出し、その圧力から薬液レベル(内槽60内における薬液の液面高さ)を測定する装置である。なお、内槽60の薬液レベル測定には、液レベル計52に限らず、例えば液センサを内槽60の内壁面に設置して測定するなどの公知の手段を採用することができる。
【0022】
バット68は、内槽60および外槽65からさらに溢れ出た薬液を回収するための容器である。
【0023】
上記の内槽60、外槽65およびバット68に貯留している薬液は、それぞれドレイン用のエアー弁73、72、74を介し、薬液排液手段51によって排液することができる。なお、図3に示す薬液排液手段51、液レベル計52、薬液供給手段53、循環ポンプ70およびエアー弁72、73、74はすべて槽コントローラ50(図2参照)により、その動作を制御されている。
【0024】
図3に示す薬液槽CB1において処理が行われるときには、まず、薬液供給手段53から薬液が供給され、内槽60および外槽65に浸漬処理に必要な所定の液量が貯留されて、薬液の供給が中止された後、内槽60内の薬液中に基板Wが浸漬され、処理が開始される。基板Wに対する浸漬処理が定常的に行われているときは、エアー弁72、73、74は閉鎖され、循環ポンプ70による薬液の循環利用がなされている。すなわち、浸漬処理の定常状態にあっては、薬液の総量は一定であり、内槽60内の処理用薬液のうち溢れ出た薬液が、外槽65に回収され、循環ポンプ70を経て、循環フィルター71により浄化された後、再び内槽60に供給される動作が繰り返されることとなる。
【0025】
次に、薬液交換動作について説明する。本発明に係る基板処理装置100においては2種類の薬液交換、すなわち薬液の「全液交換」と「一部交換」とが行われる。「全液交換」とは、従来より行われている薬液交換と同じであり、内槽60および外槽65に貯留されている薬液をそれぞれエアー弁72、73を介して全て排液した後、薬液供給手段53から新しい薬液を供給し、内槽60および外槽65に浸漬処理に必要な所定の液量を貯留する。そして、この際には、図示を省略する洗浄手段および温調手段により槽洗浄および薬液の温調も行われる。
【0026】
一方、「一部交換」とは、内槽60および外槽65に貯留されている浸漬処理に必要な所定の液量のうちの一部を交換する薬液交換である。すなわち、内槽60および外槽65に貯留されている薬液の一部をエアー弁72またはエアー弁73のうちの一方または両方を介して排液した後、その排液したのと同量の薬液を薬液供給手段53から補充する。この際に、排液した液量および補充された液量は、液レベル計52により監視する。
【0027】
「全液交換」は、薬液の全量を交換するため、液寿命が完全に更新されることとなるが、交換時間は長時間(約1時間)となる。それに対して、「一部交換」は、液寿命が完全には更新されないが、温調時間も短縮でき、交換時間は短時間(約10分〜15分)で済む。本発明に係る基板処理装置100では、これら2種類の液交換を適宜組み合わせて適用しており、以下、薬液交換の処理手順について説明する。
【0028】
D.薬液交換の処理手順:
図4は、薬液交換の処理手順を示すフローチャートである。薬液交換の処理手順は、薬液槽CB1および薬液槽CB2において同じである。また、図5は薬液交換処理のパターンを説明するための概念図である。図5において、横軸は時間の経過を示しており、縦軸は内槽60および外槽65に貯留されている液量の総量を示している。なお、図5(a)は従来の薬液交換処理のパターンであり、図5(b)〜(d)が本発明に係る基板処理装置の薬液交換処理パターンである。
【0029】
まず、図4のステップS1において初期設定を行う。初期設定は、装置のオペレータがキーボード39(図2参照)を介して設定入力することにより行う。ここで設定すべき項目は、
▲1▼一部交換における交換液量、
▲2▼全液交換から次の全液交換までの間に行う一部交換の回数、
▲3▼薬液の使用寿命、
の3つの項目である。薬液の「使用寿命」とは、図5に示すように、薬液の一部交換後その薬液を次に一部交換するまでの時間または基板浸漬回数であり、液寿命よりも短い時間または浸漬回数を設定する。なお、全液交換からその直後の一部交換までの時間または浸漬回数および全液交換直前の一部交換から全液交換までの時間または浸漬回数も「使用寿命」である。
【0030】
上記3つの項目は、それらの全てを設定入力する必要は必ずしもなく、一部を設定入力し、その他の項目は予めデフォルトとして装置に与えられている値を使用するようにしてもよい。また、全ての項目についてデフォルト値を使用するようにしてもよい。さらに、図5(d)に示すように、一部交換のそれぞれの回における交換液量および使用寿命のそれぞれを相互に独立に設定入力することも可能である。
【0031】
ところで、以上のようにして一部交換の回数および使用寿命が設定されると、それらに基づいて全液交換から全液交換までの時間または基板浸漬回数、すなわち新たな液寿命が自動的に決定されることとなる。図5(a)のパターンと図5(b)〜(d)のパターンとを比較すると明らかなように、薬液交換に一部交換を組み込むことは、液寿命を延長するのと同様の効果を有することになる。
【0032】
図4に戻って、初期設定が終了すると、ステップS2に進み、使用中の薬液が液寿命に達したか否かが判断される。ここでの液寿命は、上記設定された一部交換の回数および使用寿命に基づいて決定される新たな液寿命である。判断の対象としては、タイマー56によって計時される薬液の使用時間またはカウンター57によって計測される基板浸漬回数のいずれを用いてもよく、またそれらの両方を用いるようにしてもよい(以下に述べる使用寿命の判断(ステップS3)においても同様である)。なお、これ以後のステップは全て槽コントローラ50によって判断され、処理の指令が与えられる。
【0033】
ステップS2において、液寿命に達したと判断された場合には、ステップS7に進んで全液交換を行う。全液交換の動作は上述の通りである。一方、液寿命に達していない場合には、ステップS3に進み、使用中の薬液が使用寿命に達したか否かが判断される。ここで使用中の薬液が使用寿命に達している場合には、薬液槽中に基板Wが存在しているか否かが判断される(ステップS4)。そして、薬液槽中に基板Wが存在している場合には、その基板Wの浸漬処理が終了するのを待って次のステップS5に進むことになる。
【0034】
ステップS5およびステップS6の両方の処理により、薬液の一部交換が実行される。すなわち、既述したように、薬液槽に貯留されている薬液の一部を排液した後(ステップS5)、その排液したのと同量の新たな薬液を補充する(ステップS6)。
【0035】
薬液槽中に基板Wが存在するときに薬液の一部交換を行わないのは、基板Wの一部が空気中に露出したり薬液の温度変化に伴うエッチングむらを防止するためである。また、薬液を一部排液した後、その排液したのと同量の新たな薬液を補充するのは、その逆すなわち新たな薬液を加えた後に排液するよりも交換による液質の劣化回復の効果が大きいためである。
【0036】
全液交換(ステップS7)が終了したとき、一部交換(ステップS5、S6)が終了したときまたは使用中の薬液が液寿命にも使用寿命にも達していない場合には、ステップS8に進み一連の基板処理が終了したか否かが判断され、終了していないときは再びステップS2に戻る。従って、基板処理装置100における一連の基板処理が終了するまで、ステップS2〜ステップS7の薬液交換処理手順が繰り返されることになる。
【0037】
上述の如く、本実施形態の基板処理装置100においては、一部交換の交換液量、一部交換の回数および薬液の使用寿命を任意に設定でき、さらに各一部交換における交換量や使用寿命もそれぞれ独立に設定できるため、薬液の種類や基板浸漬処理の態様に応じて、図5(b)〜(d)に示すような様々な薬液交換処理パターンが可能となる。なお、図示したのは例示であり、その他にも種々のパターンが可能であることはもちろんである。そして、これらの薬液交換処理パターンが図4に示す手順に従って実行されることとなる。
【0038】
また、図5(b)〜(d)に示すように、薬液交換に交換時間の短い一部交換を組み込むことにより液寿命が延長されたのと同様の効果を得ることができ、その結果交換時間の長い全液交換の回数が減少して、装置全体としての処理効率が向上することになる。もっとも、一部交換の間も薬液への浸漬処理は実行できないことになるが、一部交換に要する時間は短く、ロット払い出し間隔で吸収できる程度の時間である。すなわち、基板処理装置100においては、乾燥部SDでの処理時間が比較的長いため、当該乾燥部SDの処理間隔に同期させてローダー部LDからロットを払い出すようにしており、その払い出しの間隔内で、一部交換は終了する。従って、一部交換によって装置全体の処理効率が低下することはない。
【0039】
以上、この発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではなく、例えば、上記実施形態における基板処理装置100は、基板Wをロット単位で処理する装置であったが、これが1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置であってもよい。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明によれば、薬液を貯留し薬液中において基板に浸漬処理を行う薬液槽と、薬液のうちの一部または全部を交換する薬液交換手段と、液寿命よりも短く薬液の一部交換後または全液交換後の次に一部交換を行うまでの時間または基板浸漬回数である使用寿命に薬液が達したときでかつ浸漬処理が行われていないときに薬液交換手段に薬液の一部交換をさせるとともに、薬液が液寿命に達したときには薬液交換手段に薬液を全液交換させる交換制御手段と、を備えているため、交換時間の長い全液交換の回数が減少し、液寿命の短い薬液を使用する場合であっても装置全体としての処理効率が向上することになる。また、浸漬処理が行われているときに一部交換が行われることはないため、基板の一部の空気中への露出および薬液の温度変化に伴うエッチングむらを防止することができる。
【0041】
また、請求項2の発明によれば、薬液の一部交換の際に、排液手段に薬液のうちの一部を排液させた後、補充手段に排液の量と同量の薬液を補充させているため、新たな薬液を加えた後に排液するよりも交換による液質の劣化回復の効果を大きくすることができる。
【0042】
また、請求項3および請求項4の発明によれば、(1) 一部交換の交換液量、(2) 一部交換の回数、(3) 使用寿命、のうちの少なくとも一つを設定入力可能な設定手段をさらに備えているため、薬液の種類や基板浸漬処理の態様に応じて、適当な薬液交換処理パターンの設定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一例を示す正面概略図である。
【図2】図1の基板処理装置の制御機構を説明するための機能ブロック図である。
【図3】図1の基板処理装置の薬液槽の構成を説明する概念図である。
【図4】薬液交換の処理手順を示すフローチャートである。
【図5】薬液交換処理のパターンを説明するための概念図である。
【符号の説明】
39 キーボード
50 槽コントローラ
51 薬液排液手段
52 液レベル計
53 薬液供給手段
60 内槽
65 外槽
72、73、74 エアー弁
100 基板処理装置
CB1、CB2 薬液槽[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a thin plate-like substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor substrate, a liquid crystal glass substrate, a photomask glass substrate, and an optical disk substrate is immersed in a processing solution to wash or etch the substrate surface. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs various processes.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, the substrate processing apparatus as described above includes a chemical solution tank for storing a chemical solution and a washing tank for storing pure water. Then, according to a predetermined procedure, a plurality of sets of substrates (hereinafter referred to as “lots”) are circulated and transferred to each processing tank, and the substrates are immersed for a predetermined processing time in each processing tank at the transfer destination. The process achieves a series of substrate treatments such as removing contaminants on the substrate surface, etching the oxide film on the substrate surface, and stripping the resist film.
[0003]
By the way, liquid chemicals have a liquid life depending on their types. In the present specification, “liquid life” means an upper limit time during which a chemical solution can be used after being supplied to the chemical solution tank, or an upper limit number of times the substrate can be immersed in the chemical solution. When immersion treatment is performed using the chemical solution after reaching the liquid life, processing failure may occur, so when the chemical solution in the chemical tank reaches the liquid life, a series of substrate processing is temporarily stopped, After the chemical solution that has reached the end of its life is drained and a new chemical solution is supplied, that is, after the chemical solution is replaced, the processing is resumed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the chemical replacement, not only the chemical solution that has reached the end of its life is drained, but then a new chemical solution is supplied, and the chemical tank is cleaned after draining, and after the new chemical solution is supplied, the temperature is adjusted to a temperature suitable for substrate processing. Therefore, a replacement time of about 1 hour is required. Since the state where the substrate processing is interrupted continues during the chemical exchange, a reduction in the processing efficiency of the substrate processing apparatus is inevitable. Especially when the liquid life is short (for example, NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O solution containing volatile components), the chemical efficiency must be changed frequently, resulting in a significant decrease in processing efficiency. It becomes.
[0005]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the processing efficiency even when a chemical solution having a short liquid lifetime is used.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus for performing an immersion process on a substrate, (a) storing a chemical solution and performing an immersion process on the substrate in the chemical solution; b) a chemical exchange means for exchanging part or all of the chemical, and (c) Short rather part replacement after or following the and the immersion treatment time the chemical reaches the service life is the time or substrate immersion times to do some exchange row after all the liquid exchange of the chemical than the liquid life The chemical solution exchange means is configured to exchange a part of the chemical liquid when it is not, and when the chemical liquid reaches the end of its life, the chemical liquid exchange means exchanges all of the chemical liquid.
[0007]
Further, the invention of
[0008]
The invention according to
[0009]
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the setting means allows the setting means to independently determine the amount of the replacement liquid and the service life in each of the partial replacements. Setting input is possible.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0011]
A. Overall schematic configuration of substrate processing apparatus:
First, the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic front view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. The
[0012]
The chemical tanks CB1 and CB2 are tanks that can store chemical liquids such as sulfuric acid, ammonia, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, or a mixture thereof, and are processing tanks for performing an etching process on the substrate W. is there. The washing tanks WB1 and WB2 are treatment tanks that store pure water and wash the chemical solution attached to the substrate W. The washing tank FR is also a washing treatment tank that contains pure water, but is mainly used for finishing washing. Further, the drying unit SD is a processing unit that removes and dries water droplets attached to the substrate W while rotating the substrate W.
[0013]
The substrate transfer robot TR is movable in the horizontal direction and the vertical direction, pays out an unprocessed lot from the loader unit LD, circulates and transfers the lot between the processing tanks according to a predetermined processing procedure, and has already been processed. It is a robot that passes a lot to the unloader unit ULD. The substrate transfer robot TR includes a pair of
[0014]
B. Control mechanism of substrate processing equipment:
Next, a control mechanism of the
[0015]
The
[0016]
The command input to the
[0017]
C. Composition of chemical tank:
Next, the configuration of the chemical bath CB1 provided in the
[0018]
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating the configuration of the chemical tank CB1 of the
[0019]
The
[0020]
Further, a chemical solution can be supplied from the chemical solution supply means 53 to the
[0021]
The amount of the chemical stored in the
[0022]
The
[0023]
The chemical liquid stored in the
[0024]
When processing is performed in the chemical solution tank CB1 shown in FIG. 3, first, the chemical solution is supplied from the chemical solution supply means 53, and a predetermined amount of liquid necessary for the immersion treatment is stored in the
[0025]
Next, the chemical solution exchange operation will be described. In the
[0026]
On the other hand, the “partial replacement” is a chemical replacement for exchanging a part of a predetermined amount of liquid necessary for the dipping process stored in the
[0027]
In “all liquid replacement”, since the entire amount of the chemical solution is replaced, the life of the liquid is completely renewed, but the replacement time is long (about 1 hour). On the other hand, in the “partial replacement”, the liquid life is not completely renewed, but the temperature adjustment time can be shortened, and the replacement time is short (about 10 to 15 minutes). In the
[0028]
D. Chemical exchange procedure:
FIG. 4 is a flowchart showing a processing procedure for chemical replacement. The chemical exchange procedure is the same in the chemical tank CB1 and the chemical tank CB2. FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining the pattern of the chemical solution exchange process. In FIG. 5, the horizontal axis indicates the passage of time, and the vertical axis indicates the total amount of liquid stored in the
[0029]
First, initial setting is performed in step S1 of FIG. The initial setting is performed by the operator of the apparatus inputting settings via the keyboard 39 (see FIG. 2). The items to be set here are
(1) Exchange liquid volume for partial replacement,
(2) Number of partial replacements performed between all liquid replacements
(3) Service life of chemicals,
These are the three items. As shown in FIG. 5, the “service life” of a chemical solution is the time from the partial replacement of the chemical solution until the next partial replacement of the chemical solution or the number of times of immersion in the substrate. Set. In addition, the time from the whole liquid exchange to the partial exchange immediately after that or the number of immersions, and the time from the partial exchange immediately before the whole liquid exchange to the whole liquid exchange or the number of immersions are also “service life”.
[0030]
It is not always necessary to set and input all of the above three items. Some of the three items may be set and input, and values given to the apparatus as defaults may be used for the other items. In addition, default values may be used for all items. Furthermore, as shown in FIG. 5 (d), it is also possible as benzalkonium be respectively mutually independently set input of replacement fluid amount and service life in each round of part replacement.
[0031]
By the way, when the number of partial replacements and the service life are set as described above, the time from the total liquid replacement to the total liquid replacement or the number of times of substrate immersion, that is, a new liquid life is automatically determined based on them. Will be. As is clear from the comparison of the pattern of FIG. 5A and the patterns of FIGS. 5B to 5D, incorporating partial replacement into the chemical liquid replacement has the same effect as extending the liquid life. Will have.
[0032]
Returning to FIG. 4, when the initial setting is completed, the process proceeds to step S <b> 2, and it is determined whether or not the chemical solution being used has reached the liquid life. The liquid life here is a new liquid life determined based on the set number of partial replacements and the service life. As a determination target, either the usage time of the chemical solution measured by the
[0033]
If it is determined in step S2 that the liquid life has been reached, the process proceeds to step S7 where all liquids are replaced. The whole liquid exchange operation is as described above. On the other hand, if the liquid life has not been reached, the process proceeds to step S3, and it is determined whether or not the chemical liquid being used has reached the service life. If the chemical solution being used has reached the service life, it is determined whether or not the substrate W is present in the chemical solution tank (step S4). When the substrate W is present in the chemical bath, the process proceeds to the next step S5 after waiting for the immersion process of the substrate W to end.
[0034]
The chemical solution is partially exchanged by the processing in both step S5 and step S6. That is, as described above, after part of the chemical stored in the chemical tank is drained (step S5), the same amount of new chemical as the drained is replenished (step S6).
[0035]
The reason why part of the chemical solution is not exchanged when the substrate W is present in the chemical solution tank is to prevent a portion of the substrate W from being exposed to the air or uneven etching due to a temperature change of the chemical solution. Also, after draining a part of the chemical solution, replenishing the same amount of new chemical solution as drained is the opposite, that is, deterioration of the liquid quality due to replacement rather than draining after adding a new chemical solution This is because the recovery effect is great.
[0036]
When the all liquid replacement (step S7) is completed, when the partial replacement (steps S5 and S6) is completed, or when the chemical solution being used has not reached the liquid life or the service life, the process proceeds to step S8. It is determined whether or not a series of substrate processing has been completed. If not, the process returns to step S2. Therefore, the chemical exchange process procedure in steps S2 to S7 is repeated until a series of substrate processing in the
[0037]
As described above, in the
[0038]
Further, as shown in FIGS. 5B to 5D, the same effect as that of extending the liquid life can be obtained by incorporating partial replacement with a short replacement time into the chemical liquid replacement. The number of long liquid replacements is reduced, and the processing efficiency of the entire apparatus is improved. Of course, the immersion process in the chemical solution cannot be performed even during the partial replacement, but the time required for the partial replacement is short and can be absorbed at the lot payout interval. That is, in the
[0039]
The embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above example. For example, the
[0040]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the chemical tank for storing the chemical and immersing the substrate in the chemical, the chemical exchange means for exchanging a part or all of the chemical, and the liquid lifetime when the and the immersion treatment time chemical reaches the service life is the time or substrate immersion times to perform some replacement to the next part replacement or after all the liquid after the replacement of the short rather chemical it is not performed than In addition, the chemical solution exchange means can exchange part of the chemical liquid, and when the chemical liquid reaches the end of its life, the chemical liquid exchange means has an exchange control means for exchanging the entire liquid. Thus, even when a chemical solution having a short liquid life is used, the processing efficiency of the entire apparatus is improved. In addition, part of the substrate is not exchanged during the immersion treatment, so that it is possible to prevent unevenness in etching due to exposure of part of the substrate to the air and temperature change of the chemical solution.
[0041]
According to the second aspect of the present invention, when a part of the chemical solution is exchanged, a part of the chemical solution is drained by the draining unit, and then the same amount of the chemical solution as the amount of drainage is supplied to the supplementing unit Since the liquid is replenished, the effect of recovering the deterioration of the liquid quality due to the replacement can be increased rather than draining after adding a new chemical.
[0042]
According to the inventions of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic front view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a functional block diagram for explaining a control mechanism of the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
3 is a conceptual diagram illustrating the configuration of a chemical tank in the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 4 is a flowchart showing a processing procedure for chemical replacement.
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a pattern of chemical solution exchange processing.
[Explanation of symbols]
39
Claims (4)
(a) 薬液を貯留し、前記薬液中において基板に浸漬処理を行う薬液槽と、
(b) 前記薬液のうちの一部または全部を交換する薬液交換手段と、
(c) 液寿命よりも短く薬液の一部交換後または全液交換後の次に一部交換を行うまでの時間または基板浸漬回数である使用寿命に前記薬液が達したときでかつ前記浸漬処理が行われていないときに前記薬液交換手段に前記薬液の一部交換をさせるとともに、前記薬液が液寿命に達したときには前記薬液交換手段に前記薬液を全液交換させる交換制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus that performs an immersion process on a substrate,
(a) storing a chemical solution, and a chemical bath for immersing the substrate in the chemical solution;
(b) chemical solution exchange means for exchanging part or all of the chemical solution;
(c) Short rather part replacement after or following the and the immersion treatment time the chemical reaches the service life is the time or substrate immersion times to do some exchange row after all the liquid exchange of the chemical than the liquid life An exchange control means for causing the chemical liquid exchange means to exchange a part of the chemical liquid when it is not, and for causing the chemical liquid exchange means to exchange all the chemical liquid when the chemical liquid reaches a liquid life;
A substrate processing apparatus comprising:
前記薬液交換手段は、
(b-1) 前記薬液の一部を排液する排液手段と、
(b-2) 新たな薬液を補充する補充手段と、
を備え、
前記交換制御手段は、薬液の一部交換の際には、前記排液手段に前記薬液のうちの一部を排液させた後、前記補充手段に前記排液の量と同量の薬液を補充させることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The chemical solution exchange means is
(b-1) drainage means for draining a part of the chemical solution;
(b-2) replenishment means for replenishing new chemicals;
With
The replacement control means, when exchanging a part of the chemical solution, causes the drainage means to drain a part of the chemical solution, and then supplies the replenishment means with the same amount of the chemical solution as the amount of the drainage liquid. A substrate processing apparatus which is replenished.
(1) 前記一部交換の交換液量、
(2) 前記一部交換の回数、
(3) 前記使用寿命、
のうちの少なくとも一つを設定入力可能な設定手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
(1) The amount of replacement liquid for the partial replacement,
(2) The number of partial exchanges,
(3) said service life,
A substrate processing apparatus further comprising setting means capable of setting and inputting at least one of them.
前記設定手段は、
前記一部交換のそれぞれの回における前記交換液量および前記使用寿命のそれぞれを相互に独立に設定入力可能な基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The setting means includes
A substrate processing apparatus capable of setting and inputting each of the exchange liquid amount and the service life at each partial replacement.
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