JP2006210171A - Scanning width calibration method of charged particle beam, microscopic device using charged particle beam, and sample for charged particle beam calibration - Google Patents

Scanning width calibration method of charged particle beam, microscopic device using charged particle beam, and sample for charged particle beam calibration Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately calibrate the scanning width of a charged particle beam when a minute area on a sample is scanned with the charged particle beam. <P>SOLUTION: In this scanning width calibration method of a charged particle beam in a microscopic device, a sample 15 disposed in a sample chamber is scanned with the charged particle beam 1; thereby a beam scanned image on the sample surface is acquired; a probe 7 of a probing mechanism 23 installed in the sample chamber is scanned on the sample 15; and thereby a probe scanned image on the sample surface is acquired. The scanned distance of the probe 7 is detected based on the beam scanned image; the scanned distance of the probe is detected based on the probe scanned image; both the detected scanned distances are compared with each other; and the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the comparison result therefrom. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料に関する。   The present invention relates to a charged particle beam scanning width calibration method, a microscope using a charged particle beam, and a charged particle beam calibration sample.

荷電粒子ビームを用いた顕微装置として、走査電子顕微鏡(SEM)と走査トンネル顕微鏡(STM)とを組み合わせて構成される複合形顕微鏡装置(顕微装置)が開発されている。この複合形顕微鏡装置は、SEMにSTMの機能を搭載した構成となっている。   As a microscope apparatus using a charged particle beam, a composite microscope apparatus (microscope apparatus) configured by combining a scanning electron microscope (SEM) and a scanning tunnel microscope (STM) has been developed. This composite microscope apparatus has a configuration in which an STM function is mounted on an SEM.

この複合形顕微鏡装置においては、STMを用いて試料上の対象部を極めて微細な原子レベルで測定する際に、事前に当該対象部を含む試料上の領域をSEMによって観察することが可能である。これにより、STMによる測定精度を向上することができる。このような複合形顕微鏡装置の例としては、例えば特許文献1に示された装置がある。   In this composite microscope apparatus, when the target portion on the sample is measured at an extremely fine atomic level using STM, the region on the sample including the target portion can be observed with the SEM in advance. . Thereby, the measurement accuracy by STM can be improved. As an example of such a composite microscope apparatus, there is an apparatus disclosed in Patent Document 1, for example.

特開平5−209713号公報JP-A-5-209713

上記の複合型顕微鏡装置において、試料上の領域をSEMにより観察する際には、予め電子ビーム(荷電粒子ビーム)の試料上での走査幅の校正を正確に行っておく必要がある。このように電子ビームの走査幅の校正を正確に行っておくことにより、設定された倍率に対応した電子ビームの試料上での走査を精度良く行うことができる。この結果、SEMにおける倍率校正が正確に実施される。   In the above composite microscope apparatus, when the region on the sample is observed with the SEM, it is necessary to accurately calibrate the scanning width of the electron beam (charged particle beam) on the sample in advance. By accurately calibrating the scanning width of the electron beam in this way, scanning of the electron beam on the sample corresponding to the set magnification can be performed with high accuracy. As a result, the magnification calibration in the SEM is accurately performed.

特に、STMによる原子レベルでの測定が行われる対象部を含む試料上の微少領域(例えば、100nmオーダーの領域)を、SEM観察のために電子ビームで走査する際には、当該微少領域に対応して電子ビームの走査幅の校正を正確に行っておく必要がある。   In particular, when scanning a minute region (for example, a region of the order of 100 nm) on a sample including a target portion to be measured at an atomic level by STM with an electron beam for SEM observation, the minute region is supported. Therefore, it is necessary to accurately calibrate the scanning width of the electron beam.

しかしながら、従来、SEMにおいて電子ビームの走査幅の校正用に用いられていた校正用試料は、数百nm〜数百μmのピッチを有するグレーティングもしくはメッシュから構成されている。従って、このような比較的広いピッチに基づく電子ビームの走査幅の校正では、100nmオーダーの微少領域を電子ビームで走査する場合において、その走査幅を正確に設定することが困難であった。   However, a calibration sample conventionally used for calibration of the scanning width of an electron beam in an SEM is composed of a grating or mesh having a pitch of several hundred nm to several hundred μm. Therefore, in the calibration of the scanning width of the electron beam based on such a relatively wide pitch, it is difficult to accurately set the scanning width when scanning a minute region of the order of 100 nm with the electron beam.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うことのできる荷電粒子ビームの走査幅校正方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and charged particles that can accurately calibrate the scanning width of a charged particle beam when scanning a minute region on a sample with a charged particle beam. An object of the present invention is to provide a beam scanning width calibration method.

また、本発明は、当該走査幅校正方法を実行することのできる荷電粒子ビームを用いた顕微装置を提供することを目的とする。   It is another object of the present invention to provide a microscope using a charged particle beam capable of executing the scanning width calibration method.

さらに、本発明は、当該顕微装置において使用される荷電粒子ビーム校正用試料を提供することを目的とする。   Furthermore, an object of the present invention is to provide a charged particle beam calibration sample used in the microscope.

本発明に基づく荷電粒子ビームの走査幅校正方法は、試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第1の検出工程と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第2の検出工程と、第1の検出工程により求められたプローブの走査移動量S1と第2の検出工程により求められたプローブの走査移動量S2とを比較する比較工程と、比較工程の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正工程とを有することを特徴とする。   The charged particle beam scanning width calibration method according to the present invention scans a charged particle beam on a sample arranged in a sample chamber, thereby obtaining a beam scan image of the sample surface, and probing provided in the sample chamber. A scanning width calibration method for a charged particle beam in a microscope that scans a probe of a mechanism on a sample and thereby obtains a probe scan image of the sample surface, and detects the scanning movement amount of the probe based on the beam scan image A first detection step; a second detection step of detecting the scanning movement amount of the probe based on the probe scanning image; and a scanning movement amount S1 of the probe determined by the first detection step and a second detection step. A comparison step for comparing the scanning movement amount S2 of the probe obtained by the above and a beam running for calibrating the scanning width of the charged particle beam based on the comparison result of the comparison step And having a width correction process.

また、本発明に基づく荷電粒子ビームを用いた顕微装置は、試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第1の検出手段と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第2の検出手段と、第1の検出手段により求められたプローブの走査移動量S1と第2の検出手段により求められたプローブの走査移動量S2とを比較する比較手段と、比較手段の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正手段とを有することを特徴とする。   In addition, a microscope using a charged particle beam according to the present invention scans a charged particle beam on a sample arranged in the sample chamber, thereby acquiring a beam scan image of the sample surface, and is provided in the sample chamber. A microscopic device that scans the probe of the probing mechanism on the sample and thereby acquires a probe scan image of the sample surface, the first detection means for detecting the scanning movement amount of the probe based on the beam scan image; Second detection means for detecting the scanning movement amount of the probe based on the probe scanning image, scanning movement amount S1 of the probe obtained by the first detection means, and scanning of the probe obtained by the second detection means Comparing means for comparing the movement amount S2, and beam scanning width calibration means for calibrating the scanning width of the charged particle beam based on the comparison result of the comparing means. To.

さらに、本発明に基づく荷電粒子ビーム校正用試料は、当該顕微装置において使用される校正用試料であって、ビーム走査校正用のプローブ走査像を取得するためのプローブ走査用試料部が設けられていることを特徴とする。   Furthermore, the charged particle beam calibration sample according to the present invention is a calibration sample used in the microscope, and is provided with a probe scanning sample unit for acquiring a probe scanning image for beam scanning calibration. It is characterized by being.

本発明においては、ビーム走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量S1と、プローブ走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量S2とを比較し、この比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。   In the present invention, the scanning movement amount S1 of the probe detected based on the beam scanning image is compared with the scanning movement amount S2 of the probe detected based on the probe scanning image. Based on the comparison result, charged particles are compared. Calibrate the beam scan width.

ここで、プローブ走査像に基づいて検出された第2の走査移動量S2は高精度に求められることとなる。よって、ビーム走査像に基づいて検出された第1の走査移動量S1と、高精度に求められた第2の走査移動量S2との比較に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正が行われることとなる。   Here, the second scanning movement amount S2 detected based on the probe scanning image is obtained with high accuracy. Therefore, the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the comparison between the first scanning movement amount S1 detected based on the beam scanning image and the second scanning movement amount S2 obtained with high accuracy. It will be.

これにより、荷電粒子ビームの走査幅は高精度で測定された第2の走査移動量S2を基に校正されることとなり、荷電粒子ビームの走査幅の校正が正確に行われることとなる。   Thus, the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the second scanning movement amount S2 measured with high accuracy, and the scanning width of the charged particle beam is accurately calibrated.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明における荷電粒子ビームを用いた顕微装置を示す概略構成図である。この顕微装置は、走査電子顕微鏡(SEM)と走査トンネル顕微鏡(STM)とを組み合わせて構成される複合形顕微鏡装置からなる。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a microscope using a charged particle beam in the present invention. This microscope apparatus is composed of a composite microscope apparatus configured by combining a scanning electron microscope (SEM) and a scanning tunneling microscope (STM).

同図において、電子銃1から試料15に向けて放出された電子ビーム(荷電粒子ビーム)10は、集束レンズ2及び対物レンズ4により試料15上に細く集束された状態で照射される。このとき、走査コイル3により電子ビーム10は適宜偏向される。この結果、電子ビーム10は、試料15上を走査することとなる。なお、集束レンズ2、走査コイル3、及び対物レンズ4により電子光学系24が構成されている。そして、この電子光学系24と電子銃1は、図示しない鏡筒に配置されている。   In the figure, an electron beam (charged particle beam) 10 emitted from the electron gun 1 toward the sample 15 is irradiated in a state of being finely focused on the sample 15 by the focusing lens 2 and the objective lens 4. At this time, the electron beam 10 is appropriately deflected by the scanning coil 3. As a result, the electron beam 10 scans the sample 15. The focusing lens 2, the scanning coil 3, and the objective lens 4 constitute an electron optical system 24. The electron optical system 24 and the electron gun 1 are arranged in a lens barrel (not shown).

ここで、図中の試料15は、ビーム校正用試料(荷電粒子ビーム校正用試料)であり、その中央にプローブ走査用試料部15aが配置されている。なお、試料15は図示しない試料室内に配置されており、試料15の構造についての詳細は後述する。   Here, the sample 15 in the figure is a beam calibration sample (charged particle beam calibration sample), and a probe scanning sample section 15a is arranged at the center thereof. Note that the sample 15 is arranged in a sample chamber (not shown), and details of the structure of the sample 15 will be described later.

電子ビーム10が走査された試料15上では、二次電子等の被検出電子11が発生する。この発生した被検出電子11は、電子検出器12により検出される。   On the sample 15 scanned with the electron beam 10, detected electrons 11 such as secondary electrons are generated. The generated detected electrons 11 are detected by the electron detector 12.

電子検出器12は、被検出電子11の検出結果に基づいて検出信号を出力する。この検出信号は、増幅された後にA/D変換され、SEM像データ形成部13に送られる。SEM像データ形成部13は、電子検出器12からの検出信号に基づいてSEM像(ビーム走査像)データを形成し、このSEM像データはバスライン16に送られる。   The electron detector 12 outputs a detection signal based on the detection result of the detected electrons 11. This detection signal is amplified, A / D converted, and sent to the SEM image data forming unit 13. The SEM image data forming unit 13 forms SEM image (beam scanning image) data based on the detection signal from the electron detector 12, and the SEM image data is sent to the bus line 16.

また、試料室内には、プロービング機構23が設けられている。このプロービング機構23は、スキャナ5と、スキャナ5の先端に取り付けられたプローブ7と、スキャナ5の側面に配置された位置決めセンサ8とから構成される。プロービング機構23は、プローブ7の先端部を試料15の表面上でX−Y方向に走査して、このときプローブ7を介してトンネル電流を検出し、これによりSTM像からなるプローブ走査像を取得するためのものである。なお、プローブ7における先端部の輪郭は円弧状に形成されており、その曲率半径は10nm程度となっている。このようなプローブ7は、タングステン線を電解エッチングすることにより形成される。   A probing mechanism 23 is provided in the sample chamber. The probing mechanism 23 includes a scanner 5, a probe 7 attached to the tip of the scanner 5, and a positioning sensor 8 disposed on the side surface of the scanner 5. The probing mechanism 23 scans the tip of the probe 7 in the XY direction on the surface of the sample 15 and detects a tunnel current through the probe 7 at this time, thereby acquiring a probe scan image composed of an STM image. Is to do. Note that the contour of the tip of the probe 7 is formed in an arc shape, and its radius of curvature is about 10 nm. Such a probe 7 is formed by electrolytic etching of a tungsten wire.

ここで、プローブ7を試料15の表面上でX−Y方向に走査する際には、位置決めセンサ8によりプローブ7の位置が検出され、当該検出結果はA/D変換されてバスライン16に送られる。   Here, when the probe 7 is scanned in the XY direction on the surface of the sample 15, the position of the probe 7 is detected by the positioning sensor 8, and the detection result is A / D converted and sent to the bus line 16. It is done.

プロービング機構23のプローブ7を介して検出されたトンネル電流は増幅されて比較部9に送られる。比較部9は、予め設定された参照用電流と検出されたトンネル電流との比較を行い、その比較結果に基づいて得られるプローブ7のZ方向に関するフィードバック量をフィードバック信号として駆動部5aに出力する。   The tunnel current detected through the probe 7 of the probing mechanism 23 is amplified and sent to the comparison unit 9. The comparison unit 9 compares a preset reference current with the detected tunnel current, and outputs a feedback amount in the Z direction of the probe 7 obtained based on the comparison result to the drive unit 5a as a feedback signal. .

これにより、検出されるトンネル電流が参照用電流と等しい状態でプローブ7を試料表面上でX−Y方向に走査し、このときのプローブ7のZ方向に関するフィードバック量を比較部9において得ることができる。   Thereby, the probe 7 is scanned in the XY direction on the sample surface in a state where the detected tunnel current is equal to the reference current, and the feedback amount in the Z direction of the probe 7 at this time can be obtained in the comparison unit 9. it can.

このようにして比較部9において得られた当該フィードバック量に基づくフィードバック信号は、STM像データ形成部14に送られる。STM像データ形成部14は、比較部9からのフィードバック信号に基づいてSTM像(プローブ走査像)データを形成し、このSTM像データはバスライン16に送られる。   A feedback signal based on the feedback amount obtained in the comparison unit 9 in this way is sent to the STM image data forming unit 14. The STM image data forming unit 14 forms STM image (probe scanning image) data based on the feedback signal from the comparison unit 9, and the STM image data is sent to the bus line 16.

試料15は、試料室内に配置された試料ステージ機構6に載置されている。試料ステージ機構6は、試料15を図中のX方向、Y方向、及びZ方向に移動したり、試料15の傾斜や回転を行うためのものである。   The sample 15 is placed on the sample stage mechanism 6 disposed in the sample chamber. The sample stage mechanism 6 is for moving the sample 15 in the X direction, the Y direction, and the Z direction in the drawing, and for tilting and rotating the sample 15.

ここで、鏡筒に配置された電子銃1、集束レンズ2、走査コイル3、及び対物レンズ4(駆動対象1〜4)は、それぞれ対応する駆動部1a〜4aにより駆動される。また、試料室内に配置されたプロービング機構23のスキャナ5(駆動対象5)及び試料ステージ機構6(駆動対象6)は、それぞれ対応する駆動部5a,6aにより駆動される。   Here, the electron gun 1, the focusing lens 2, the scanning coil 3, and the objective lens 4 (driving objects 1 to 4) disposed in the lens barrel are driven by corresponding driving units 1 a to 4 a, respectively. Further, the scanner 5 (drive target 5) and the sample stage mechanism 6 (drive target 6) of the probing mechanism 23 arranged in the sample chamber are driven by corresponding drive units 5a and 6a, respectively.

各駆動部1a〜6aは、バスライン16に接続されている。そして、バスライン16には制御部22が接続されている。これにより、上記各駆動対象1〜6は、それぞれ対応する駆動部1a〜6aを介して制御部22により駆動制御される。   Each drive unit 1 a to 6 a is connected to a bus line 16. A control unit 22 is connected to the bus line 16. Thereby, each said driving object 1-6 is drive-controlled by the control part 22 via the corresponding drive parts 1a-6a, respectively.

また、バスライン16には、第1の検出手段17、第2の検出手段18、比較手段19、ビーム走査幅校正手段20、及び表示部22が接続されている。   The bus line 16 is connected to a first detection unit 17, a second detection unit 18, a comparison unit 19, a beam scanning width calibration unit 20, and a display unit 22.

第1の検出手段17は、プローブ7の走査移動量をSEM像に基づいて検出するためのものである。第2の検出手段18は、プローブ7の走査移動量をSTM像に基づいて検出するためのものである。比較手段19は、第1の検出手段により求められたプローブ7の走査移動量(第1の走査移動量)と第2の検出手段により求められたプローブ7の走査移動量(第2の走査移動量)とを比較するためのものである。ビーム走査幅校正手段20は、比較手段19の比較結果に基づいて電子ビーム10の走査幅の校正を行うためのものである。表示部22は、取得されたSEM像もしくはSTM像を表示するためのものである。なお、上述した制御部21は、上記各構成要素の制御を行う。   The first detection means 17 is for detecting the scanning movement amount of the probe 7 based on the SEM image. The second detection means 18 is for detecting the scanning movement amount of the probe 7 based on the STM image. The comparison means 19 includes the scanning movement amount (first scanning movement amount) of the probe 7 obtained by the first detection means and the scanning movement amount (second scanning movement) of the probe 7 obtained by the second detection means. The amount). The beam scanning width calibration means 20 is for calibrating the scanning width of the electron beam 10 based on the comparison result of the comparison means 19. The display unit 22 is for displaying the acquired SEM image or STM image. In addition, the control part 21 mentioned above controls each said component.

ここで、ビーム校正用試料である試料15の構造について、図2を参照して説明する。同図に示すごとく、この試料15は、その中央にプローブ走査用試料部15aが設けられている。このプローブ走査用試料部15aは、プロービング機構23のプローブ7がその表面上で走査する試料部であり、STM用の試料材料から構成される。具体的には、グラファイトから構成される。このグラファイトの原子配列ピッチは、約0.246nmである。   Here, the structure of the sample 15 which is a beam calibration sample will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the sample 15 is provided with a probe scanning sample portion 15a in the center thereof. The probe scanning sample portion 15a is a sample portion that the probe 7 of the probing mechanism 23 scans on the surface thereof, and is made of a sample material for STM. Specifically, it is made of graphite. The atomic arrangement pitch of this graphite is about 0.246 nm.

そして、試料15において、プローブ走査用試料部15aが設けられた中央の周囲部には、数百nm〜数百μmのピッチを有するメッシュ部15bが設けられている。なお、この周囲部には、同ピッチを有するグレーティング部が設けられていてもよい。この周囲部は、従来技術において行われていた電子ビームの走査幅の校正方法と同様の校正方法を実行する際に使用される。   In the sample 15, a mesh portion 15 b having a pitch of several hundred nm to several hundred μm is provided in the central peripheral portion where the probe scanning sample portion 15 a is provided. Note that a grating portion having the same pitch may be provided in the peripheral portion. This peripheral portion is used when executing a calibration method similar to the electron beam scanning width calibration method performed in the prior art.

以上の構成からなる顕微装置における電子ビーム(荷電粒子ビーム)の走査幅校正方法について、以下に説明する。   A method for calibrating the scanning width of the electron beam (charged particle beam) in the microscope having the above configuration will be described below.

まず、制御部21は駆動部5aを介してプロービング機構23のスキャナ5を駆動制御し、プローブ7の先端部を試料15のプローブ走査用試料部15aの表面に接近させる。そして、プローブ7を介してトンネル電流を検出し、検出されるトンネル電流が所定の参照用電流と等しくなる状態まで、プローブ7の先端部をプローブ走査用試料部15aの表面に接近させる。プローブ7を介して当該参照用電流と等しいトンネル電流が検出された状態で、制御部21はプローブ7の移動を一旦停止する。   First, the control unit 21 drives and controls the scanner 5 of the probing mechanism 23 via the drive unit 5 a to bring the tip of the probe 7 closer to the surface of the probe scanning sample unit 15 a. Then, the tunnel current is detected via the probe 7, and the tip of the probe 7 is brought close to the surface of the probe scanning sample portion 15a until the detected tunnel current becomes equal to a predetermined reference current. In a state where a tunnel current equal to the reference current is detected through the probe 7, the control unit 21 temporarily stops the movement of the probe 7.

そして、この状態で制御部21は、電子銃1及び電子光学系24を駆動制御し、電子銃1から放出される電子ビーム10を試料15のプローブ走査用試料部15a上で走査する。このときの走査幅は100nm程度とし、走査領域にプローブ7の先端部が含まれるようにする。   In this state, the control unit 21 drives and controls the electron gun 1 and the electron optical system 24, and scans the electron beam 10 emitted from the electron gun 1 on the probe scanning sample unit 15 a of the sample 15. The scanning width at this time is about 100 nm, and the tip of the probe 7 is included in the scanning region.

この電子ビーム10の走査により発生した被検出電子11は、電子検出器12により検出される。電子検出器12は、被検出電子11の検出結果に基づいて検出信号を出力する。この検出信号は、増幅された後にA/D変換され、SEM像データ形成部13に送られる。SEM像データ形成部13は、電子検出器12からの検出信号に基づいてSEM像(ビーム走査像)データを形成し、このSEM像データはバスライン16に出力される。   The detected electrons 11 generated by the scanning of the electron beam 10 are detected by the electron detector 12. The electron detector 12 outputs a detection signal based on the detection result of the detected electrons 11. This detection signal is amplified, A / D converted, and sent to the SEM image data forming unit 13. The SEM image data forming unit 13 forms SEM image (beam scanning image) data based on the detection signal from the electron detector 12, and the SEM image data is output to the bus line 16.

そして、当該SEM像データは、バスライン16を介して第1の検出手段17に送られる。第1の検出手段17は、このSEM像データを第1の像データとして、内部に備える図示しない記憶部に格納する。このときのSEM像におけるプローブ7の像(プローブ像)を、図3に実線で示す。   Then, the SEM image data is sent to the first detection means 17 via the bus line 16. The first detection means 17 stores this SEM image data as first image data in a storage unit (not shown) provided inside. An image of the probe 7 (probe image) in the SEM image at this time is shown by a solid line in FIG.

次いで、制御部21は駆動部5aを介してプロービング機構23のスキャナ5を駆動制御し、プローブ7の先端部をプローブ走査用試料部15aの表面上において、X方向に走査移動する。このとき、制御部21は、位置決めセンサ8の検出結果に基づいて、プローブ7のX方向の走査移動を正確に行う。   Next, the control unit 21 drives and controls the scanner 5 of the probing mechanism 23 via the drive unit 5a, and scans and moves the tip of the probe 7 in the X direction on the surface of the probe scanning sample unit 15a. At this time, the control unit 21 accurately performs the scanning movement of the probe 7 in the X direction based on the detection result of the positioning sensor 8.

このプローブ7のX方向での走査において、プローブ7を介してトンネル電流の検出を行う。プローブ7を介して検出されたトンネル電流は、増幅されて比較部9に送られる。比較部9は、参照用電流と検出されたトンネル電流との比較を行い、その比較結果に基づいて得られるプローブ7のZ方向に関するフィードバック量をフィードバック信号として駆動部5aに出力する。   In the scanning of the probe 7 in the X direction, the tunnel current is detected through the probe 7. The tunnel current detected through the probe 7 is amplified and sent to the comparison unit 9. The comparison unit 9 compares the reference current with the detected tunnel current, and outputs a feedback amount in the Z direction of the probe 7 obtained based on the comparison result to the drive unit 5a as a feedback signal.

これにより、検出されるトンネル電流が参照用電流と等しい状態でプローブ7をプローブ走査用試料部15aの表面上でX方向に走査し、このときのプローブ7のZ方向に関するフィードバック量を比較部9において得ることができる。   Thus, the probe 7 is scanned in the X direction on the surface of the probe scanning sample portion 15a in a state where the detected tunnel current is equal to the reference current, and the feedback amount in the Z direction of the probe 7 at this time is compared with the comparison portion 9. Can be obtained in

比較部9において得られた当該フィードバック量に基づくフィードバック信号は、STM像データ形成部14に送られる。STM像データ形成部14は、比較部9からのフィードバック信号に基づいてSTM像(プローブ走査像)データを形成し、このSTM像データはバスライン16を介して第2の検出手段18に送られる。このようにして形成されたSTM像データに基づくSTM像の例を図4に示す。なお、同図に示す例は、X−Y平面に対応したSTM像である。   A feedback signal based on the feedback amount obtained in the comparison unit 9 is sent to the STM image data forming unit 14. The STM image data forming unit 14 forms STM image (probe scanning image) data based on the feedback signal from the comparison unit 9, and this STM image data is sent to the second detection means 18 via the bus line 16. . An example of an STM image based on the STM image data formed in this way is shown in FIG. The example shown in the figure is an STM image corresponding to the XY plane.

第2の検出手段18は、STM像データに基づいて、プローブ7のX方向走査における走査移動量を検出する。ここで、第2の検出手段は、図示しない記憶部を備えており、この記憶部には予め設定された設定移動量が格納されている。本実施の形態においては、当該設定移動量は、例えば、プローブ走査用試料部15aを構成するグラファイトの原子配列ピッチの50ピッチ分(0.246nm×50)に相当する12.3nmとしておく。   The second detection means 18 detects the scanning movement amount in the X direction scanning of the probe 7 based on the STM image data. Here, the 2nd detection means is provided with the memory | storage part which is not shown in figure, and the preset movement amount set beforehand is stored in this memory | storage part. In the present embodiment, the set movement amount is, for example, 12.3 nm corresponding to 50 pitches (0.246 nm × 50) of the atomic arrangement pitch of graphite constituting the probe scanning sample portion 15a.

第2の検出手段18は、プローブ7がX方向に走査する際における走査移動量を検出しながら、当該走査移動量が設定移動量に達するか否かを判断する。そして、当該走査移動量が設定移動量に達した時点で、その旨の検出信号を制御部21に送る。制御部21は、当該検出信号に基づいて、プローブ7の走査駆動を停止する。この結果、プローブ7は、プローブ走査用試料部15a上をX方向に12.3nmの走査移動量で走査した後に停止したこととなる。   The second detection means 18 determines whether or not the scanning movement amount reaches the set movement amount while detecting the scanning movement amount when the probe 7 scans in the X direction. Then, when the scanning movement amount reaches the set movement amount, a detection signal to that effect is sent to the control unit 21. The control unit 21 stops the scanning drive of the probe 7 based on the detection signal. As a result, the probe 7 is stopped after scanning the probe scanning sample portion 15a in the X direction with a scanning movement amount of 12.3 nm.

また、これと同時に、第2の検出手段18は、プローブ7の走査移動量である12.3nmのデータを、第2の走査移動量データとして比較手段19に送る。比較手段19は、図示しない記憶部を備えており、この第2の走査移動量データを当該記憶部に格納する。   At the same time, the second detection means 18 sends 12.3 nm data that is the scanning movement amount of the probe 7 to the comparison means 19 as second scanning movement amount data. The comparison unit 19 includes a storage unit (not shown), and stores the second scanning movement amount data in the storage unit.

上記の状態で、前述した電子ビーム10の走査条件と同じ電子ビーム10の走査を行う。このときの電子ビーム10のプローブ走査用試料部15a上における走査幅及び走査領域は、前述の電子ビーム10の走査時と同じである。   In the above state, scanning with the electron beam 10 that is the same as the scanning condition of the electron beam 10 described above is performed. The scanning width and scanning area of the electron beam 10 on the probe scanning sample portion 15a at this time are the same as those in the scanning of the electron beam 10 described above.

当該電子ビーム10の走査に基づいて発生した被検出電子11は、電子検出器12により検出される。電子検出器12は、上述と同様に、被検出電子11の検出結果に基づいて検出信号をSEM像データ形成部13に送る。SEM像データ形成部13は、電子検出器12からの検出信号に基づいて、この時点におけるSEM像データを形成し、バスライン16を介してSEM像データを第1の検出手段17に送る。ここで、このときのSEM像データを第2の像データとする。   The detected electrons 11 generated based on the scanning of the electron beam 10 are detected by the electron detector 12. Similarly to the above, the electron detector 12 sends a detection signal to the SEM image data forming unit 13 based on the detection result of the detected electrons 11. The SEM image data forming unit 13 forms SEM image data at this time based on the detection signal from the electron detector 12, and sends the SEM image data to the first detection unit 17 via the bus line 16. Here, the SEM image data at this time is defined as second image data.

第1の検出手段17は、その記憶部に格納した第1の像データと、この第2の像データとの合成像データを作成する。この合成像データに基づく像では、図3に示すように、実線で示された第1の像データにおけるプローブ像7aと、一点鎖線で示された第2の像データにおけるプローブ像7bとが同一走査領域内に含まれている。   The first detection means 17 creates composite image data of the first image data stored in the storage unit and the second image data. In the image based on the composite image data, as shown in FIG. 3, the probe image 7a in the first image data indicated by the solid line and the probe image 7b in the second image data indicated by the alternate long and short dash line are the same. It is included in the scanning area.

そして、第1の検出手段17は、当該合成像データに基づいて、プローブ7の走査移動量(図3中の距離S)を、所定の画像処理を施すことにより検出する。例えば、画像中でのプローブ像7a,7bの各先端部7c,7dの座標を求め、各座標の差異を算出することによりプローブ7の走査移動量を検出する。その後、第1の検出手段17は、これにより検出されたプローブ7の走査移動量のデータを、第1の走査移動量データとして比較手段9に送る。   Then, the first detection means 17 detects the scanning movement amount (distance S in FIG. 3) of the probe 7 by performing predetermined image processing based on the composite image data. For example, the scanning movement amount of the probe 7 is detected by obtaining the coordinates of the tip portions 7c and 7d of the probe images 7a and 7b in the image and calculating the difference between the coordinates. Thereafter, the first detection means 17 sends the scanning movement amount data of the probe 7 detected thereby to the comparison means 9 as the first scanning movement amount data.

比較手段9は、その記憶部に格納した第2の走査移動量データと、第1の走査移動量データとの比較を行う。具体的には、このとき送られた第1の走査移動量データにおける走査移動量を「S1」、格納していた第2の走査移動量データにおける走査移動量を「S2」とすると、「a=S1/S2」なる演算を実行する。すなわち、第1の走査移動量を第2の走査移動量によって除算する演算を行う。ここで、本実施の形態においては、「S2=12.3nm」であるので、「a=S1/12.3」となる。この演算結果により得られる「a」は、電子ビーム10の走査幅の補正係数となる。   The comparison unit 9 compares the second scanning movement amount data stored in the storage unit with the first scanning movement amount data. Specifically, if the scanning movement amount in the first scanning movement amount data sent at this time is “S1” and the scanning movement amount in the stored second scanning movement amount data is “S2”, “a = S1 / S2 "is executed. That is, a calculation is performed to divide the first scanning movement amount by the second scanning movement amount. Here, in this embodiment, since “S2 = 12.3 nm”, “a = S1 / 12.3”. “A” obtained from this calculation result is a correction coefficient for the scanning width of the electron beam 10.

この比較手段19の演算結果により得られた補正係数aのデータは、ビーム幅校正手段20に送られる。ビーム幅校正手段20は、図示しない記憶部を備えており、当該記憶部に補正係数aのデータを格納する。そして、ビーム幅校正手段20は、その記憶部に格納された補正係数aのデータを読み出し、読み出した補正係数aに基づいて電子ビーム10の走査幅の校正を行う。   Data of the correction coefficient a obtained from the calculation result of the comparison means 19 is sent to the beam width calibration means 20. The beam width calibration unit 20 includes a storage unit (not shown), and stores data of the correction coefficient a in the storage unit. Then, the beam width calibration unit 20 reads the data of the correction coefficient a stored in the storage unit, and calibrates the scanning width of the electron beam 10 based on the read correction coefficient a.

すなわち、補正係数aが1以上場合には、SEM像データにより求められた走査移動量S1は、STM像データにより求められた走査移動量S2よりも大きくなっている。この場合には、電子ビーム10の走査幅が小さく設定されていることとなるので、当該補正係数倍に走査幅を設定することにより電子ビーム10の走査幅の校正を行う。   That is, when the correction coefficient a is 1 or more, the scanning movement amount S1 obtained from the SEM image data is larger than the scanning movement amount S2 obtained from the STM image data. In this case, since the scanning width of the electron beam 10 is set small, the scanning width of the electron beam 10 is calibrated by setting the scanning width to the correction coefficient multiple.

また、補正係数aが1未満の場合には、SEM像データにより求められた走査移動量S1は、STM像データに求められた走査移動量S2よりも小さくなっている。この場合には、電子ビーム10の走査幅が大きく設定されていることとなるので、当該補正係数倍に走査幅を設定することにより電子ビーム10の走査幅の校正を行う。   When the correction coefficient a is less than 1, the scanning movement amount S1 obtained from the SEM image data is smaller than the scanning movement amount S2 obtained from the STM image data. In this case, since the scanning width of the electron beam 10 is set large, the scanning width of the electron beam 10 is calibrated by setting the scanning width to the correction coefficient times.

このように、本発明においては、ビーム走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量(第1走査移動量)S1と、プローブ走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量(第2の走査移動量)S2とを比較し、この比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。   As described above, in the present invention, the scanning movement amount (first scanning movement amount) S1 of the probe detected based on the beam scanning image, and the scanning movement amount of the probe (second scanning amount) detected based on the probe scanning image. And the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the comparison result.

ここで、プローブ走査像に基づいて検出された第2の走査移動量S2は高精度測定により求められることとなる。よって、ビーム走査像に基づいて検出された第1の走査移動量S1と、高精度で求められた第2の走査移動量S2との比較に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正が行われることとなる。   Here, the second scanning movement amount S2 detected based on the probe scanning image is obtained by high-accuracy measurement. Therefore, the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the comparison between the first scanning movement amount S1 detected based on the beam scanning image and the second scanning movement amount S2 obtained with high accuracy. It will be.

これにより、荷電粒子ビームの走査幅は高精度で測定された第2の走査移動量S2を基に校正されることとなり、荷電粒子ビームの走査幅の校正が正確に行われることとなる。   Thus, the scanning width of the charged particle beam is calibrated based on the second scanning movement amount S2 measured with high accuracy, and the scanning width of the charged particle beam is accurately calibrated.

なお、上述の例においては、プローブ走査像としてSTM像を適用した例に基づいて説明したが、プローブ走査像としては他の走査形プローブ顕微鏡(SPM)を用いて得られる走査像を適用してもよい。   In the above example, the STM image is applied as the probe scanning image. However, as the probe scanning image, a scanning image obtained using another scanning probe microscope (SPM) is applied. Also good.

本発明における荷電粒子ビームを用いた顕微装置を示す概略校正図である。1 is a schematic calibration diagram showing a microscope using a charged particle beam in the present invention. 本発明におけるビーム校正用試料を示す図である。It is a figure which shows the sample for beam calibration in this invention. SEM像及びその合成像におけるプローブ7の像を示す図である。It is a figure which shows the image of the probe 7 in a SEM image and its synthetic image. STM像の例を示す図である。It is a figure which shows the example of an STM image.

符号の説明Explanation of symbols

1…電子銃、2…集束レンズ、3…走査コイル、4…対物レンズ、5…スキャナ、6…試料ステージ機構、7…プローブ、8…位置決めセンサ、9…比較部、10…電子ビーム(荷電粒子ビーム)、11…被検出電子、12…電子検出器、13…SEM像データ形成部、14…STM像データ形成部、15…試料(ビーム校正用試料)、16…バスライン、17…第1の検出手段、18…第2の検出手段、19…比較手段、20…ビーム走査幅校正手段、21…制御部、22表示部、23…プロービング機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron gun, 2 ... Focusing lens, 3 ... Scanning coil, 4 ... Objective lens, 5 ... Scanner, 6 ... Sample stage mechanism, 7 ... Probe, 8 ... Positioning sensor, 9 ... Comparison part, 10 ... Electron beam (charge) (Particle beam), 11 ... electrons to be detected, 12 ... electron detector, 13 ... SEM image data forming unit, 14 ... STM image data forming unit, 15 ... sample (beam calibration sample), 16 ... bus line, 17 ... first DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 detection means, 18 ... 2nd detection means, 19 ... Comparison means, 20 ... Beam scanning width calibration means, 21 ... Control part, 22 Display part, 23 ... Probing mechanism

Claims (12)

試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第1の検出工程と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第2の検出工程と、第1の検出工程により求められたプローブの走査移動量S1と第2の検出工程により求められた第2のプローブの走査移動量S2とを比較する比較工程と、比較工程の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビームの走査幅校正方法。 A charged particle beam is scanned on the sample placed in the sample chamber, thereby obtaining a beam scanning image of the sample surface, and a probe of a probing mechanism provided in the sample chamber is scanned on the sample, thereby A method for calibrating a scanning width of a charged particle beam in a microscope that acquires a scanning image of a probe of a probe, comprising: a first detection step of detecting a scanning movement amount of the probe based on the beam scanning image; A second detection step that is detected based on the probe scan image, a scanning movement amount S1 of the probe obtained by the first detection step, and a scanning movement amount S2 of the second probe obtained by the second detection step; And a beam scanning width calibration step for calibrating the scanning width of the charged particle beam based on the comparison result of the comparison step. Scan width calibration method of the child beam. 前記比較工程において荷電粒子ビームの走査幅の補正係数を求め、前記ビーム走査幅校正工程において当該補正係数に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの走査幅補正方法。 The charged particle beam scanning width correction coefficient is obtained in the comparison step, and the charged particle beam scanning width calibration is performed based on the correction coefficient in the beam scanning width calibration step. Particle beam scanning width correction method. 前記補正係数は、第1の走査移動量S1と第2の走査移動量S2の比により算出されることを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。 3. The charged particle beam scanning width calibration method according to claim 2, wherein the correction coefficient is calculated by a ratio of the first scanning movement amount S1 and the second scanning movement amount S2. 前記プローブ走査像はSTM像であることを特徴とする請求項1乃至3何れか記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。 4. The charged particle beam scanning width calibration method according to claim 1, wherein the probe scanning image is an STM image. 前記荷電粒子ビームは電子ビームであることを特徴とする請求項1乃至4何れか記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。 5. The charged particle beam scanning width calibration method according to claim 1, wherein the charged particle beam is an electron beam. 試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第1の検出手段と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第2の検出手段と、第1の検出手段により求められたプローブの走査移動量S1と第2の検出手段により求められたプローブの走査移動量S2とを比較する比較手段と、比較手段の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビームを用いた顕微装置。 A charged particle beam is scanned on the sample placed in the sample chamber, thereby obtaining a beam scanning image of the sample surface, and a probe of a probing mechanism provided in the sample chamber is scanned on the sample, thereby A first detection means for detecting the scanning movement amount of the probe based on the beam scanning image, and a first detecting means for detecting the scanning movement amount of the probe based on the probe scanning image. 2 and a comparison means for comparing the scanning movement amount S1 of the probe obtained by the first detection means with the scanning movement amount S2 of the probe obtained by the second detection means, and a comparison result of the comparison means And a beam scanning width calibration means for calibrating the scanning width of the charged particle beam based on the microscope. 前記比較手段において荷電粒子ビームの走査幅の補正係数を求め、前記ビーム走査幅校正手段において当該補正係数に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うことを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。 7. The charging according to claim 6, wherein the comparison means obtains a correction coefficient for the scanning width of the charged particle beam, and the beam scanning width calibration means calibrates the scanning width of the charged particle beam based on the correction coefficient. Microscope using particle beam. 前記補正係数は、第1の走査移動量S1と第2の走査移動量S2の比により算出されることを特徴とする請求項7記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。 8. The microscope using a charged particle beam according to claim 7, wherein the correction coefficient is calculated by a ratio of the first scanning movement amount S1 and the second scanning movement amount S2. 前記プローブ走査像はSTM像であることを特徴とする請求項6乃至8何れか記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。 9. A microscope using a charged particle beam according to claim 6, wherein the probe scanning image is an STM image. 前記荷電粒子ビームは電子ビームであることを特徴とする請求項6乃至9何れか記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。 10. A microscope using a charged particle beam according to claim 6, wherein the charged particle beam is an electron beam. 請求項6記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置において使用される校正用試料であって、ビーム走査校正用のプローブ走査像を取得するためのプローブ走査用試料部が設けられていることを特徴とする荷電粒子ビーム校正用試料。 7. A calibration sample used in a microscope using a charged particle beam according to claim 6, wherein a probe scanning sample section for obtaining a probe scanning image for beam scanning calibration is provided. A charged particle beam calibration sample. 前記プローブ走査用試料部が中央に配置され、その周囲にグレーティング部若しくはメッシュ部が設けられていることを特徴とする請求項11記載の荷電粒子ビーム校正用試料。
The charged particle beam calibration sample according to claim 11, wherein the probe scanning sample portion is arranged in the center, and a grating portion or a mesh portion is provided around the probe scanning sample portion.
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