JP2006191005A - 記憶装置及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の導電層間に組成物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有することを特徴とする。上記特徴により、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置を提供することができる。また、複数のメモリセル、第1の方向に延在する複数のビット線、及び第1の方向と垂直な第2の方向に延在する複数のワード線を有することを特徴とする。複数のメモリセルの各々は記憶素子を有する。記憶素子は、ビット線を構成する第1の導電層と、ワード線を構成する第2の導電層と、光学的作用により硬化する組成物層を有することを特徴とする。組成物層は、第1の導電層と第2の導電層の間に設けられている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
Claims (15)
- 記憶素子を含むメモリセルを複数個と、第1の方向に延在する複数のビット線と、前記第1の方向と垂直な第2の方向に延在する複数のワード線と、を有し、
前記記憶素子は、前記ビット線を構成する第1の導電層と、前記ワード線を構成する第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層の間に設けられ、光硬化する組成物を含む層と、を有することを特徴とする記憶装置。 - 記憶素子とトランジスタを含むメモリセルを複数個有し、
前記記憶素子は、第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層の間に設けられ、光硬化する組成物を含む層と、を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の導電層と前記第2の導電層の少なくとも一方は、透光性を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記組成物を含む層は、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記組成物を含む層は、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を有し、
前記モノマーは、アクリル酸エステル類、スチレン類、エポキシ類、ビニルエーテル類、キャリア輸送性の置換基を含むアクリル酸エステル類、キャリア輸送性の置換基を含むスチレン類、キャリア輸送性の置換基を含むエポキシ類及びキャリア輸送性の置換基を含むビニルエーテル類から選択された少なくとも1つであり、
前記オリゴマーは、アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基及びビニルエーテル基から選択された少なくとも1つであり、
前記硬化剤は、アセトフェノン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾインエーテル誘導体、ベンジルケタール誘導体、アクリドン誘導体、チタノセン誘導体及びホスフィンオキシド誘導体から選択された少なくとも1つであることを特徴とする記憶装置。 - 請求項5において、
前記キャリア輸送性の置換基は、芳香族アミン、電子過剰型ヘテロ芳香環、縮合芳香環、電子欠如型ヘテロ芳香環又は典型金属キノリノール錯体であることを特徴とする記憶装置。 - 請求項5において、
前記キャリア輸送性の置換基は、カルバゾール、トリフェニルアミン、チオフェン、ピロール、アントラセン、ピレン、ペリレン、ナフタレン、ピリジン、フェナントロリン、ビピリジン、イミダゾール、ジアゾ−ル又はトリアゾールであることを特徴とする記憶装置。 - 記憶素子とトランジスタを含むメモリセルを複数個と、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、前記アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、前記電源電位を前記メモリセルに供給する電源回路と、を有し、
前記記憶素子は、第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層の間に設けられ、光硬化する組成物を含む層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記第1の導電層と前記第2の導電層の少なくとも一方は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記組成物を含む層は、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記組成物を含む層は、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を有し、
前記モノマーは、アクリル酸エステル類、スチレン類、エポキシ類、ビニルエーテル類、キャリア輸送性の置換基を含むアクリル酸エステル類、キャリア輸送性の置換基を含むスチレン類、キャリア輸送性の置換基を含むエポキシ類及びキャリア輸送性の置換基を含むビニルエーテル類から選択された少なくとも1つであり、
前記オリゴマーは、アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基及びビニルエーテル基から選択された少なくとも1つであり、
前記硬化剤は、アセトフェノン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾインエーテル誘導体、ベンジルケタール誘導体、アクリドン誘導体、チタノセン誘導体及びホスフィンオキシド誘導体から選択された少なくとも1つであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、
前記キャリア輸送性の置換基は、芳香族アミン、電子過剰型ヘテロ芳香環、縮合芳香環、電子欠如型ヘテロ芳香環又は典型金属キノリノール錯体であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11において、
前記キャリア輸送性の置換基は、カルバゾール、トリフェニルアミン、チオフェン、ピロール、アントラセン、ピレン、ペリレン、ナフタレン、ピリジン、フェナントロリン、ビピリジン、イミダゾール、ジアゾ−ル又はトリアゾールであることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層に接するように、組成物を含む層を形成し、
前記組成物を含む層が硬化するように、前記組成物を含む層に光を照射し、
前記組成物を含む層に接するように、第2の導電層を形成し、
前記組成物を含む層として、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を含む層を形成することを特徴とする記憶装置の作製方法。 - 基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタに電気的に接続された第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層に電気的に接続された第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層に接するように、組成物を含む層を形成し、
前記組成物を含む層が硬化するように、前記組成物を含む層に光を照射し、
前記組成物を含む層に接するように、第3の導電層を形成し、
前記組成物を含む層として、モノマー、オリゴマー及び硬化剤を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005352934A JP2006191005A (ja) | 2004-12-07 | 2005-12-07 | 記憶装置及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004354452 | 2004-12-07 | ||
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008182217A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 不揮発性メモリ及び前記不揮発性メモリを有する半導体装置 |
JP2012205054A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Hochiki Corp | 無線通信システム、親機及び子機 |
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JP2007531265A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 有機電子デバイスとこの種のデバイスの製造方法 |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005352934A patent/JP2006191005A/ja not_active Withdrawn
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