JP2006179581A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄型化を維持しつつ、必要以上に露光時の重ね合わせ精度を必要としないで遮光膜を高精度に規定することの可能な固体撮像素子を提供。
【解決手段】 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記光電変換部を被覆する反射防止膜と、受光領域を除く前記光電変換部と前記電荷転送電極とを覆うように形成された遮光膜とを具備した固体撮像素子において、前記反射防止膜は、前記電荷転送電極上面に重ならないように形成されたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に固体撮像素子の光電変換部の受光領域を規定する遮光膜の高精度化構造に関する。

エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。

近年、ＣＣＤの高画素化に伴い、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。特に固体撮像素子の横方向シュリンクが顕著となっている。
しかしながら、縦方向のシュリンクに対しては鈍化しており、縦横比（アスペクト比）は増加傾向にある。アスペクト比の増加は電荷転送電極を覆う遮光膜での反射光および散乱光を生じ易く、ＣＣＤにおける光入射角に対するマージンを減少させることになり、光路設計に困難が伴うことになる。

このように微細化が進むと、遮光膜をパターニングする際、下地の凹凸が大きいためハレーションでセンサ開口面積が変動し、感度やスミアに悪影響を及ぼすことがあった。
そこで、この問題を解決するため、表面の凹凸を低減するとともに斜め方向からの光の入射を防止すべく、種々の提案がなされている。

その１つに、電荷転送電極を形成した後、層間絶縁膜を形成しこの層間絶縁膜に溝を設け、この溝に遮光膜を充填することにより、光電変換部を規定するようにした構造が提案されている（特許文献１）。

しかしながら、このような構造では、十分に薄型化することが出来ないという問題があった。

また、水素終端処理による暗時出力低減のために、反射防止膜の形状を、島状、あるいはストライプ状に形成する必要があり、微細な固体撮像素子では露光時の重ね合わせ精度の確保や、電荷転送電極からのハレーションに起因する形状不良が問題となっている。

特開２０００−３４０７８３号公報

このように、従来の固体撮像素子では、微細化が進むにつれて、フォトリソグラフィ工程においては、下地の凹凸に起因するハレーションによって、受光部を規定する開口面積が変動し、感度やスミア特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、薄型化を維持しつつ、必要以上に露光時の重ね合わせ精度を必要としないで遮光膜を高精度に規定することの可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。

そこで本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記光電変換部を被覆する反射防止膜と、受光領域を除く前記光電変換部と前記電荷転送電極とを覆うように形成された遮光膜とを具備した固体撮像素子において、前記反射防止膜は、前記電荷転送電極上面に重ならないように形成されたことを特徴とする。

この構成によれば、この反射防止膜は、フォトダイオード領域のみ、あるいはフォトダイオード領域と側壁とを含む領域に形成されており、加工端が電荷転送電極側壁の絶縁膜に当接するように形成されており、電荷転送電極上に重なる部分がないためパターン精度が向上する。従って、遮光膜パターンの開口面積を大きくとることができ、感度の向上を図ることが出来る。すなわち遮光膜のパターニングのためのフォトリソグラフィ工程において、電荷転送電極上に凹凸がないためパターン精度の向上をはかることができる。また、ハレーションによるパターン精度の劣化を招くこともない。また光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う反射防止膜の側壁を含む表面を覆うように遮光膜が精度よく形成されるため、斜め方向からの光の入射を阻止し、高感度で安定なスミア特性をもつ固体撮像素子を形成することが可能となる。

また、本発明の固体撮像素子は、前記反射防止膜が、前記電荷転送電極の側壁全体を覆うように形成されるものを含む。
この構成により、窒化シリコンなどの絶縁膜で形成される反射防止膜が電荷伝送電極の側壁全体を覆うため、耐圧の向上をはかることができる。

また、本発明の固体撮像素子は、前記反射防止膜が、前記電荷転送電極の側壁の底部のみを覆うように形成されるものを含む。
この構成により、遮光膜の開口を十分に大きくとることができ、感度の向上をはかることができる。

また、本発明の固体撮像素子は、前記反射防止膜のエッジ（加工端）が電極側壁の中間部に形成されるものを含む。
この構成により、基板表面における電荷転送電極の絶縁を十分にとることができるとともに、上部では電荷転送電極の側壁は反射防止膜で被覆されていないため、反射防止膜の膜厚分の開口面積を大きくとることができる。

また、本発明の固体撮像素子は、前記反射防止膜は窒化シリコン膜であるものを含む。
窒化シリコン膜は、緻密で絶縁性も高く、また電極間絶縁膜あるいは側壁絶縁膜が酸化シリコン膜で形成されている場合には側壁が酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の２層構造となるため、絶縁性も向上する。

また、本発明の固体撮像素子は、前記遮光膜はタングステン膜であるものを含む。
この構成により、遮光性が向上し、明暗比の向上を図ることができる。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、前記光電変換部および前記電荷転送部の形成された前記半導体基板に反射防止膜を形成する工程と、前記光電変換部の受光領域を覆うとともに電荷転送電極上に重ならないようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記反射防止膜をエッチングする工程と、前記レジストパターンをアッシングする工程と、遮光膜のパターンを形成する工程とを含む。
この構成により、遮光膜のパターニングのためのフォトリソグラフィ工程において、電荷転送電極上に凹凸がないためパターン精度の向上をはかることができ、遮光膜パターンの開口面積を大きくとることができ、感度の向上を図ることが出来る。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記レジストパターンを形成する工程は、 前記光電変換部の受光領域よりも小さめのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを溶融し、平坦化する熱工程とを含む。
この構成により、パターン精度を必要とすることなく、リフロー（溶融）によって容易に形成することができる。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁全体を覆うようにする工程であるものを含む。
この構成により、電荷転送電極の側壁全体を覆う反射防止膜パターンが容易に形成可能である。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁の底部のみを覆うように形成される工程であるものを含む。
この構成により、レジストの供給量の調整によって容易に精度のよい反射防止膜のパターニングが可能となる。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンのエッジが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁の中間部に形成される工程であるものを含む。

また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記レジストパターンを形成する工程は、 前記電荷転送電極上にかからないようにレジスト供給量を制御し、凹部にのみ選択的にレジストを塗布するスピンコート工程を含む。
この構成により、フォトリソグラフィ工程を要することなく、スピンコート工程によって容易に必要なレジストパターンを形成することができる。

本発明の固体撮像素子によれば、表面の凹凸が低減され、フォトグラフィ工程における精度が向上するため、重ね合わせ精度の高い高価な露光装置が不要となり、製造コストの低減を図ることができる。
また本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、微細化に際しても遮光膜のパターニング精度が向上するため、信頼性の向上をはかることができる。
例えば、小さめのレジストパターンを形成しておき、流動化により平坦化することにより、レジストパターン形成時にハレーションがあっても熱処理によりレジストパターンの平坦化をはかることができるため、光電変換部を良好に覆うように反射防止膜を形成することができ、反射防止効果の向上をはかることができ、高感度で安定なスミア特性をもつ固体撮像素子を形成することが可能となる。

以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（実施の形態１）
この固体撮像素子は、図１および図２に示すように、光電変換部３０と、前記光電変換部３０で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部４０と、前記光電変換部を被覆する反射防止膜５と、受光領域を除く前記光電変換部と前記電荷転送電極とを覆うように形成されたタングステン薄膜からなる遮光膜６とを具備した固体撮像素子において、前記反射防止膜のエッジが、電荷転送電極の側壁の中間部に位置するように形成されたことを特徴とする。

なお、図１は断面概要図、図２は平面概要図である。図１は図２のＡ−Ａ断面図である。シリコン基板１には、複数のフォトダイオード領域（光電変換部）３０が形成され、フォトダイオード領域３０で検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード領域３０の間に形成される。なお、シリコン基板１内に形成される素子領域については省略した。

電荷転送電極によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図２では図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、形成される。

なお、図２においては、電極間絶縁膜の内、フォトダイオード領域３０と電荷転送部４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。

また図１に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード領域３０、電荷転送チャネル、チャネルストップ領域（図示せず）、電荷読み出し領域（図示せず）が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４と電荷転送電極３（第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極）が形成され、単層電極構造を構成している。

ここで反射防止膜は膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜で構成され、この光電変換部の開口を規定するように反射膜上に形成されたタングステン薄膜からなる遮光膜６が形成されている。なおこの反射防止膜５と遮光膜６との間には、図示しないがＴＥＯＳ膜や、チタンナイトライドＴｉＮなどの密着性層などを介在させるようにしている。

電荷転送部４０は、上述したとおりであるが、前記遮光膜６の上層には、図示しないが、中間層が形成され、この中間層の上方には、さらにカラーフィルタ、マイクロレンズが設けられる。また、カラーフィルタとマイクロレンズとの間には、必要に応じて絶縁性の透明樹脂等からなる平坦化層が充填されていてもよい。
また、この例では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、正方格子型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。

この構成によれば、反射防止膜の加工端が電荷転送電極側壁の絶縁膜に当接するように形成されており、遮光膜のパターニングのためのフォトリソグラフィ工程において、電荷転送電極上に凹凸がないためパターン精度の向上をはかることができる。また、ハレーションによるパターン精度の劣化を招くこともない。また光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う反射防止膜の側壁を含む表面を覆うように遮光膜が形成されるため、斜め方向からの光の入射を阻止し、高感度で安定なスミア特性をもつ固体撮像素子を形成することが可能となる。

次にこの固体撮像素子の製造工程について図３乃至図５を参照しつつ詳細に説明する。
まず、通常の方法で単層電極構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度１．０×１０^１６ｃｍ^−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚２５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。

続いて、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ_３とＮ_２とを添加したＳｉＨ_４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．２５μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを形成する。このときの基板温度は５００〜６００℃とする。

この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａをパターニングし、下層側に位置する第１の電極を形成し、この第１の電極表面を熱酸化することにより膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜４ａを形成する。このパターニングに際してはＨＢｒとＯ_２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、第１の電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ (電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。

そしてこの上層に同様にしてＰＨ_３とＮ_２とを添加したＳｉＨ_４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．５〜０．６μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂを形成し、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて平坦化を行い、ゲート酸化膜２上に第１および第２の電極が並置された第２の電極を形成する。そして、更にこの上層に熱酸化後ＨＴＯ膜を形成し膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜４ｂを形成する（図３（ａ））。

そしてこの上層にＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成する。

続いて、そしてこの上層にポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、光電変換部よりも十分に小さいレジストパターンＲ１を形成する（図３（ｃ））。ここではレジストとしてｉ線用レジストあるいはｇ線用レジストを用いることによりリフローがし易い。

そしてこのレジストパターンＲ１を２００℃に加熱し、レジストパターンＲ１を溶融させることによって、光電変換部上全体を覆うように平坦化する（図４（ｄ））。

そしてこのレジストパターンＲ１をマスクとして反射防止膜５をエッチングする（図４（ｅ））。

次に、アッシングによりレジストパターンＲ１を除去し（図４（ｆ））、エッジが電荷転送電極を構成する第１および第２の電極３ａ、３ｂの中間部となるようにパターニングのなされた反射防止膜を形成する。

そして図５（ｇ）に示すように、六フッ化タングステン（ＷＦ_６）と水素（Ｈ_２）と窒素（Ｎ_２）とアルゴン（Ａｒ）とを用いたＣＶＤ法により、反射防止膜５の上層に膜厚２００〜３００ｎｍのタングステン薄膜（遮光膜６）を形成する。

そして、図５（ｈ）に示すように、フォトリソグラフィによりレジストパターンＲ２を形成する。

さらに、図５（ｉ）に示すように、このレジストパターンＲ２をマスクとして遮光膜のパターニングを行う。
そしてレジストパターンＲ２を酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりアッシングし、図１に示したような固体撮像素子が形成される。
この後、カラーフィルタ、マイクロレンズなどを形成して、固体撮像素子が完成する。

この方法によれば、反射防止膜のパターニングに際し、レジストパターンを小さめに形成しておき、加熱してリフローしたレジストパターンでパターニングすることにより、確実に光電変換部を被覆し、かつ電荷転送電極上に重ならないように反射防止膜をパターニングすることができ、遮光膜６のパターン精度の向上をはかることができる。
なお、前記実施の形態ではレジストパターンをリフローすることによって平坦化したが、パターニングに際し、デフォーカスを利用して、断面台形状のレジストパターンを形成するようにしてもよい。この場合はリフロー工程が不要となる。
また、電荷転送電極上にかからないようにレジスト供給量を制御し、スピンコート法により凹部にのみ選択的にをレジストを塗布するようにしてもよい．これによりフォトリソグラフィを必要とすることなく反射防止膜のパターン形成を行なうことができる。

なお前記実施の形態では、反射防止膜上に遮光膜を形成したが、また密着性層として、チタンナイトライド、チタンなどを介在させること可能である。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、レジストパターンＲ１をリフローすることにより、平坦部である光電変換部全体を覆うようにしたが、リフローに代えて、レジストパターンＲ１を電荷転送電極上にかかるように大きめに形成しておき、これを酸素ラジカルによって等方的に、縮小するようにしてもよい。

この方法では、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、前記実施の形態１と同様にして電荷転送電極となる第１層アモルファスシリコン層３ａと第２層アモルファスシリコン層３ｂと電極間絶縁膜などの絶縁膜４を形成した後、ＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成する。

続いて、そしてこの上層にポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、光電変換部よりも十分に大きく、電荷転送電極上にかかるような大きいレジストパターンＲ３を形成する（図６（ｃ））。

そしてこのレジストパターンＲ３を酸素ラジカルを用いて等方的にエッチングし、レジストパターンを縮小する（図７（ｄ））。
この後、この縮小されたレジストパターンＲ３をマスクとして反射防止膜５をエッチングする（図７（ｅ））。

次に、アッシングによりレジストパターンＲ３を除去し、実施の形態１と同様にエッジが電荷転送電極を構成する第１および第２の電極３ａ、３ｂの中間部となるようにパターニングのなされた反射防止膜を形成する。

後は、前記実施の形態１と同様にして遮光膜のパターンを形成するとともに、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成する。
この構成によっても薄型でより集光効率の高い固体撮像素子を得ることができる。

（実施の形態３）
前記実施の形態１、２では、反射防止膜のエッジが、電荷転送電極の側壁の中間部に位置する例について述べたが、本実施の形態では、図８に示すように、窒化シリコン膜からなる反射防止膜５が、絶縁膜４で被覆された電荷転送電極３の側壁全体を覆うように形成されたことを特徴とする。他部については、前記実施の形態１、２と同様であるため、説明を省略する。

次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
この方法では、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、前記実施の形態１と同様にして電荷転送電極となる第１層アモルファスシリコン層３ａと第２層アモルファスシリコン層３ｂと電極間絶縁膜などの絶縁膜４を形成した後、ＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成する。

続いて、そしてこの上層にレジストＲ４を電荷転送電極による段差を十分に被覆するように厚さ０．５μｍ以上となるように塗布し（図９（ｃ））、エッチバックにより、電荷転送電極上のレジストを除去し、さらに電荷転送電極上の反射防止膜５を研磨除去する（図１０（ｄ））。

そしてこのレジストＲ４を剥離除去し電荷転送電極側壁全体を覆うように形成された反射防止膜５を得る（図１０（ｅ））。

この後、前記実施の形態１と同様にして遮光膜のパターンを形成し、図８に示した固体撮像素子を得る。このようにして得られた固体撮像素子上に、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成する。
この構成によっても薄型でより集光効率の高い固体撮像素子を得ることができる。

この構成によれば、窒化シリコン膜で形成される反射防止膜が電荷伝送電極の側壁全体を覆うため、電荷転送電極の側壁では、酸化シリコン膜からなる絶縁膜４と窒化シリコン膜からなる反射防止膜との２層構造となっているため、膜厚を小さくしても耐圧の向上をはかることができる。

（実施の形態４）
前記実施の形態１、２では、反射防止膜のエッジが、電荷転送電極の側壁の中間部に位置する例について述べたが、本実施の形態では、図１１に示すように窒化シリコン膜からなる反射防止膜５が、絶縁膜４で被覆された電荷転送電極３の側壁に這い上がることなく、光電変換部の表面のみに形成されたことを特徴とする。この例では、電荷転送電極と遮光膜との間のリーク防止層として、反射防止膜５と遮光膜６との間にＣＶＤ法により酸化シリコン膜８を形成すると共に、この上層に密着性層としてのチタンナイトライドＴｉＮ層９を介在させるようにしている。なおこの酸化シリコン膜８としてはＨＴＯ膜あるいはＬＰＣＶＤ法によって形成したＴＥＯＳ膜を用いるのが望ましい。他部については、前記実施の形態１、２と同様であるため、説明を省略する。

この構成は、絶縁膜４で覆われた前記電荷転送電極の側壁の底部のみを覆うようにレジストパターンを形成することにより、反射防止膜を電荷転送電極の側壁に這い上がらないように形成することができ、レジストの供給量の調整によって容易に精度のよい反射防止膜のパターニングが可能となる。

次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
この方法では、図１２（ａ）に示すように、前記実施の形態１と同様にして電荷転送電極となる第１層アモルファスシリコン層３ａと第２層アモルファスシリコン層３ｂと電極間絶縁膜などの絶縁膜４を形成した後、スパッタリング法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜５を形成する。この工程ではスパッタリング法を用いることにより、電荷転送電極の側壁には形成されず水平面にのみ選択的に窒化シリコン膜が形成される。この後図示しないが光電変換部にレジストを残留せしめ、このレジストをマスクとしてエッチングし、図１２（ａ）に示すように光電変換部にのみ反射防止膜５を残留せしめる。

続いて、図１２（ｂ）に示すようにＣＶＤ法により酸化シリコン膜８を形成する。
この後、図１３（ｃ）に示すようにこの上層にＣＶＤ法により密着性層としてのチタンナイトライドＴｉＮ層９を形成するとともにタングステン層からなる遮光膜６を形成する。

この後、図１３（ｄ）に示すようにレジストパターンＲ４を形成し、これをマスクとして、遮光膜をパターニングするとともに、光電変換部の密着性層９、酸化シリコン膜８を除去し、レジストパターンＲ４を剥離除去し図１１に示した固体撮像素子を形成する。

このようにして光電変換部を被覆し、エッジが電荷転送電極側壁に当接するように形成された反射防止膜５を得る。

この後、このようにして得られた固体撮像素子上に、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成する。
この構成によっても薄型でより集光効率の高い固体撮像素子を得ることができる。

なお、前記実施の形態１乃至３については、単層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子について説明したが、本実施の形態では多層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子についても適用可能である。

以上説明してきたように、本発明によれば、反射防止膜を電荷転送電極上に重ならないように形成しているため、遮光膜のパターン精度が向上し、容易に信頼性の高い固体撮像素子の形成が可能となり、小型カメラへの適用に有効である。

本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す断面図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す上面図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態２の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態２の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態３の固体撮像素子を示す図である。 本発明の実施の形態３の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態３の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 実施の形態４の固体撮像素子を示す図である。 本発明の実施の形態４の固体撮像素子の製造工程を示す図である。 本発明の実施の形態４の固体撮像素子の製造工程を示す図である。

符号の説明

１ シリコン基板
２ ゲート酸化膜
３ａ 第１の電極（第１層ドープトアモルファスシリコン膜）
３ｂ 第２の電極（第２層ドープトアモルファスシリコン膜）
３ 電荷転送電極
４ 絶縁膜
５ 反射防止膜
３０ フォトダイオード領域
４０ 電荷転送部

Claims (12)

1. 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、
   前記光電変換部を被覆する反射防止膜と、
   受光領域を除く前記光電変換部と前記電荷転送電極とを覆うように形成された遮光膜とを具備した固体撮像素子において、
   前記反射防止膜は、前記電荷転送電極上面に重ならないように形成されたことを特徴とする固体撮像素子。
2. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記反射防止膜は、前記電荷転送電極の側壁全体を覆うように形成される固体撮像素子。
3. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記反射防止膜は、前記電荷転送電極の側壁の底部のみを覆うように形成される固体撮像素子。
4. 請求項１または２に記載の固体撮像素子であって、
   前記反射防止膜のエッジ（加工端）が電極側壁の中間部に形成される固体撮像素子。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
   前記反射防止膜は窒化シリコン膜である固体撮像素子。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
   前記遮光膜はタングステン膜である固体撮像素子。
7. 半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、
   前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、
   前記光電変換部および前記電荷転送部の形成された前記半導体基板に反射防止膜を形成する工程と、
   前記光電変換部の受光領域を覆うとともに電荷転送電極上に重ならないようにレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとして前記反射防止膜をエッチングする工程と、
   前記レジストパターンをアッシングする工程と、
   遮光膜のパターンを形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
8. 請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記レジストパターンを形成する工程は、
   前記光電変換部の受光領域よりも小さめのレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを溶融し、平坦化する熱工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
9. 請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁全体を覆うようにする工程である固体撮像素子の製造方法。
10. 請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁の底部のみを覆うように形成される工程である固体撮像素子固体撮像素子の製造方法。
11. 請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記熱工程は、前記平坦化されたレジストパターンのエッジが、前記反射防止膜で覆われた前記電荷転送電極の側壁の中間部に形成される工程である固体撮像素子の製造方法。
12. 請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記レジストパターンを形成する工程は、
    前記電荷転送電極上にかからないように、レジスト供給量を制御し、凹部にのみ選択的にレジストを塗布するスピンコート工程を含む固体撮像素子の製造方法。

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