JP2006178429A - 発光装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイポーラトランジスタ(Bi1)は、ベース端子Bがオペアンプ(OP1)の出力端子c1に、コレクタ端子Cが低電源電位(GND)に、エミッタ端子Eが抵抗R2に接続されている。また、4つの抵抗R1〜R4が設けられている。高電源電位(VBH)は発光素子の高電源電位に同期する電位である、オペアンプ(OP1)の出力端子c1の電位は、バッファの低電源電位(VBL)として出力される。この低電源電位(VBL)は高電源電位(VBH)と高電源電位(V1)の差分になる。よって、低電源電位(VBL)は高電源電位(VBH)、すなわち発光素子の高電源電位に追従させることができる。
【選択図】図1
Description
図1及び図2を用いて、本実施形態を説明する。
図3は、本実施形態の電位発生回路の回路図である。図3に示すように、電位発生回路は、抵抗R1〜R4、オペアンプ(OP1)で構成される。
実施形態1、2で説明したように、本発明は、画素の高精細化に伴う、EL表示装置の消費電力を抑え、かつ画素部の輝度のバラツキをおさえることができるため、高精細な表示部が必要とされる電子機器に好適である。例えば、テレビジョン装置(テレビ、テレビジョン受信機)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置(携帯電話機)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図11を参照して説明する。
Claims (11)
- オペアンプ、第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗を有する回路と、
バッファを有する駆動回路とを有し、
前記オペアンプは、出力端子、第1の入力端子、及び第2の入力端子を有し、
前記第1の抵抗は、一方の端子が第1の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの前記第1の入力端子に接続され、
前記第2の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの前記第1の入力端子に接続され、他方の端子は、前記オペアンプの前記出力端子に接続され、
前記第3の抵抗は、一方の端子が第2の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの前記第2の入力端子に接続され、
前記第4の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの前記第2の入力端子に接続され、他方の端子が低電源電位に接続され、
前記第2の抵抗の他方の端子の電位は、前記バッファの低電源電位と等しく、
前記第2の高電源電位は、前記バッファの高電源電位と等しいことを特徴とする発光装置。 - ベース端子、コレクタ端子、及びエミッタ端子を有するバイポーラトランジスタと、
オペアンプ、第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗を有する回路と、
バッファを有する駆動回路とを有し、
前記オペアンプは、出力端子、第1の入力端子、及び第2の入力端子を有し、
前記バイポーラトランジスタの前記ベース端子は前記オペアンプの前記出力端子と電気的に接続され、前記バイポーラトランジスタの前記コレクタ端子は低電源電位と電気的に接続され、
前記第1の抵抗は、一方の端子が第1の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの第1の入力端子に接続され、
前記第2の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの前記第1の入力端子に接続され、他方の端子が前記バイポーラトランジスタの前記エミッタ端子に接続され、
前記第3の抵抗は、一方の端子が第2の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの前記第2の入力端子に接続され、
前記第4の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの前記第2の入力端子に接続され、他方の端子が低電源電位に接続され、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ端子及び前記第2の抵抗の他方の端子からの電位は、駆動回路の前記バッファの低電源電位と等しく、
前記第2の高電源電位は、前記バッファの高電源電位と等しいことを特徴とする発光装置。 - 発光素子、オペアンプ、第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗を有し、
前記第1の抵抗は、一方の端子が第1の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの第1の入力端子に接続され、
前記第2の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの第1の入力端子に接続され、他方の端子は、前記オペアンプの出力端子に接続され、
前記第3の抵抗は、一方の端子が第2の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの第2の入力端子に接続され、
前記第4の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの第2の入力端子に接続され、他方の端子が低電源電位に接続され、
前記第2の抵抗の他方の端子の電位がバッファの低電源電位として供給され、
前記第2の高電源電位が前記バッファの高電源電位として供給されることを特徴とする発光装置。 - 発光素子、バイポーラトランジスタ、オペアンプ、駆動回路、第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗を有し、
前記バイポーラトランジスタは、ベース端子が前記オペアンプの出力端子に接続され、コレクタ端子が低電源電位に接続され、
前記第1の抵抗は、一方の端子が第1の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの第1の入力端子に接続され、
前記第2の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの第1の入力端子に接続され、他方の端子が前記バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続され、
前記第3の抵抗は、一方の端子が第2の高電源電位に接続され、他方の端子が前記オペアンプの第2の入力端子に接続され、
前記第4の抵抗は、一方の端子が前記オペアンプの第2の入力端子に接続され、他方の端子が低電源電位に接続され、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ端子及び前記第2の抵抗の他方の端子からの電位が、駆動回路のバッファの低電源電位として供給され、
前記第2の高電源電位が前記バッファの高電源電位として供給されることを特徴とする発光装置。 - 請求項3又は請求項4において、前記発光素子はEL素子であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記発光装置は、半導体基板上に設けられることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記発光装置は、ガラス基板上に設けられることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記発光装置は、可撓性基板上に設けられることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記発光装置は、SOI基板上に設けられることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記発光装置は、薄膜トランジスタを含むことを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載された発光装置を備えた電子機器。
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